JP2006063192A - Powdery resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device - Google Patents

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Ikuo Nakasuji
郁雄 中筋
Takayuki Yamamoto
剛之 山本
Takashi Toyama
貴志 外山
Masayuki Kiyougaku
正之 教学
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a powdery resin composition which is used for sealing semiconductors, and gives high adhesiveness, low moisture adsorption, excellent loading reliability, and low discoloration between the resin and substrates. <P>SOLUTION: This powdery resin composition is characterized by containing a component (A): an episulfide resin produced from a compound having one or more episulfide groups in the molecule and a component (B): an acid anhydride as essential components. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本願発明は、IC、トランジスタ、ダイオード、メモリー等の半導体素子や、LED、フォトトランジスター、フォトダイオード、CCD、CMOS、EPROM等の光半導体素子を封止するために用いられる半導体封止用樹脂組成物と、これを用いた半導体装置に関するものである。   The present invention relates to a resin composition for encapsulating semiconductors used for encapsulating semiconductor elements such as ICs, transistors, diodes and memories, and optical semiconductor elements such as LEDs, phototransistors, photodiodes, CCDs, CMOSs and EPROMs. And a semiconductor device using the same.

半導体の封止材料として、密着性、耐湿性、電気絶縁性、耐熱性等に優れる点から、粉末状からなるエポキシ樹脂組成物を用いて樹脂封止することが普通に行われている。なかでも、粉末状のものをタブレット化したエポキシ樹脂組成物によるトランスファーモールドでの樹脂封止は、作業性並びに、量産性の面でも優れている。   As a semiconductor sealing material, resin sealing is usually performed using a powdery epoxy resin composition from the viewpoint of excellent adhesion, moisture resistance, electrical insulation, heat resistance, and the like. Among them, resin sealing with a transfer mold using an epoxy resin composition obtained by tableting a powdery product is excellent in terms of workability and mass productivity.

また、成形方式としては、大型タブレットを使用し、1回の成形で多数の半導体装置をトランスファーモールドするコンベンショナル方式や、樹脂の利用効率を追求することを目的とした、ミニタブレットを使用したマルチプランジャー方式、粉状樹脂組成物を使用し、成形機内で予めスティック状に加圧成形した後、スティック状物を溶融させ金型に注入しトランスファーモールドするタイプの生産性に優れた成形する方式が導入されてきている。   In addition, as a molding method, a large tablet is used, a conventional method in which a large number of semiconductor devices are transfer molded in one molding, and a multi-plan using a mini tablet for the purpose of pursuing resin utilization efficiency. A jar method, a powdery resin composition is used, and a molding method that is excellent in productivity is a type in which a stick-shaped material is melted and injected into a mold after being pressure-molded in advance in a molding machine. Has been introduced.

近年では、環境対応の観点から鉛を含まない半田(高温半田)を用いた回路板への実装方式が主流となっており、実装時に加わる高い熱ストレスによる半導体装置の実装信頼性の向上や、車載用途への展開を行うための、耐熱応力特性、耐湿信頼性の向上が、封止樹脂に求められる課題となっている。   In recent years, mounting methods on circuit boards using solder that does not contain lead (high temperature solder) have become mainstream from the viewpoint of environmental friendliness, improving the mounting reliability of semiconductor devices due to high thermal stress applied during mounting, Improvement of heat stress characteristics and moisture resistance reliability for deployment to in-vehicle applications is a challenge required for sealing resins.

このため、半導体封止用樹脂組成物としては、ジシクロペンタジエン骨格や、ナフタレン骨格をもつ低吸湿樹脂の配合設計への導入や、樹脂にビフェニル骨格等の結晶性樹脂を使用することにより、低粘度化を達成し、その分低吸湿化、低α化、高熱時強度化を狙った無機充填剤の高充填配合設計が検討されている。   For this reason, as a resin composition for encapsulating a semiconductor, the introduction of a low-hygroscopic resin having a dicyclopentadiene skeleton or a naphthalene skeleton into a compounding design, or the use of a crystalline resin such as a biphenyl skeleton as a resin can reduce the resin composition. A high-filling blending design of inorganic fillers has been studied aiming at achieving higher viscosity and lower moisture absorption, lower α, and higher heat strength.

しかし、従来では、エポキシ樹脂を使用する上で、どうしても架橋点(反応点)で水との親和力の高い水酸基が発生するため、樹脂単体での大幅な低吸湿化には限界がある。   However, conventionally, when an epoxy resin is used, a hydroxyl group having a high affinity with water is inevitably generated at a crosslinking point (reaction point), so there is a limit to drastically reducing moisture absorption with a single resin.

また、これらエポキシ樹脂組成物を光半導体封止用へも展開使用とした場合には、上記低吸湿樹脂自体が着色しているため、必要な波長領域での透明性の確保が困難であったり、無機充填剤と樹脂組成物の屈折率の違いによる透過率の低下が生じるため、無機充填剤を高充填化することが非常に困難となっている。   In addition, when these epoxy resin compositions are used for development for optical semiconductor encapsulation, it is difficult to ensure transparency in a necessary wavelength region because the low moisture absorption resin itself is colored. Further, since the transmittance is reduced due to the difference in refractive index between the inorganic filler and the resin composition, it is very difficult to increase the inorganic filler.

このような状況において、近年、耐熱性、耐湿性等を向上させるとの観点から、1分子中に1以上のエピスルフィド(Episulfide)基を有するエピスルフィド化合物の樹脂を配合した半導体封止用樹脂組成物が提案されている(特許文献1−4)。   Under these circumstances, from the viewpoint of improving heat resistance, moisture resistance and the like in recent years, a semiconductor sealing resin composition containing a resin of an episulfide compound having one or more episulfide groups in one molecule. Has been proposed (Patent Documents 1-4).

これらはエピスルフィド樹脂という特徴のある組成物ではあるが、これまでの提案によっても耐熱性、耐湿性等の点において必ずしも実用的に満足できるものなく、しかも変色、着色性が避けられないことから光半導体の封止用に使用することも難しいという問題があった。
特開2003−41118号公報 特開2003−268071号公報 特開2001−342345号公報 特開2004−142133号公報
Although these compositions are characterized as episulfide resins, the previous proposals are not necessarily practically satisfactory in terms of heat resistance, moisture resistance, etc., and discoloration and coloring are unavoidable. There was a problem that it was difficult to use for sealing semiconductors.
JP 2003-41118 A JP 2003-268071 A JP 2001-342345 A JP 2004-142133 A

本願発明は、以上のとおりの背景から、従来の問題点を解消し、耐熱性、耐湿性の向上を図り、樹脂と基材との高密着化、低吸湿化、ひいては実装信頼性に優れた半導体封止用粉末状樹脂組成物及び半導体装置を提供することを課題とし、さらには、光半導体封止用に用いた場合にも、低変色、低着色特性に優れた光半導体封止用粉末状樹脂組成物及び光半導体装置を提供することをも課題としている。   The present invention is based on the background as described above, eliminates the conventional problems, improves heat resistance and moisture resistance, and achieves high adhesion between the resin and the substrate, low moisture absorption, and thus excellent mounting reliability. An object of the present invention is to provide a powdery resin composition for semiconductor encapsulation and a semiconductor device. Furthermore, even when used for optical semiconductor encapsulation, the powder for optical semiconductor encapsulation is excellent in low discoloration and low coloring characteristics. Another object is to provide a glass-like resin composition and an optical semiconductor device.

本願発明は、上記の課題を解決するものとして以下のことを特徴としている。
<1>成分(A):1分子中に1ケ以上のエピスルフィド基を有するエピスルフィド化合物樹脂と成分(B):酸無水物を必須成分とする半導体封止用粉末状樹脂組成物。
<2>成分(A)が次式
The present invention is characterized by the following in order to solve the above problems.
<1> Component (A): An episulfide compound resin having one or more episulfide groups in the molecule and Component (B): a powdery resin composition for semiconductor encapsulation containing an acid anhydride as essential components.
<2> Component (A) is represented by the following formula

Figure 2006063192
で表わされるエピスルフィド化合物の樹脂であって、その含有率が樹脂全体量の0.1〜50wt%の範囲内である。
<3>上記樹脂組成物を用いて封止した半導体装置とする。
Figure 2006063192
It is resin of the episulfide compound represented by this, Comprising: The content rate is in the range of 0.1-50 wt% of resin whole quantity.
<3> A semiconductor device encapsulated with the resin composition.

上記の本願発明<1>によれば、成分(A)と成分(B)との特有の組合わせを必須とすることで、半導体の封止に際し、従来の問題点を解消して、耐熱性、耐湿性等を向上させ、樹脂と基板との高密着化、低吸湿化、ひいては実装信頼性を優れたものとすることができる。また、光半導体の封止用としても低変色、低着色性という優れた効果が得られる。   According to the invention <1> of the present application, by making a specific combination of the component (A) and the component (B) indispensable, the conventional problems can be solved at the time of sealing the semiconductor, and the heat resistance In addition, the moisture resistance and the like can be improved, the adhesion between the resin and the substrate can be increased, the moisture absorption can be reduced, and the mounting reliability can be improved. In addition, excellent effects such as low discoloration and low colorability can be obtained for sealing an optical semiconductor.

成分(A)を特定のエピスルフィド化合物の樹脂とし、しかもその配合割合を特定範囲とする本願発明<2>により、上記のとおりの効果はより向上される。   The effect as described above is further improved by the present invention <2> in which the component (A) is a resin of a specific episulfide compound and the blending ratio is a specific range.

そして、以上のような優れた効果を有する樹脂封止半導体装置が本願発明<3>により実現されることになる。   The resin-encapsulated semiconductor device having the excellent effects as described above is realized by the present invention <3>.

本願発明は上記のとおりの特徴をもつものであるが、以下にその実施の形態について説明する。   The present invention has the features as described above, and an embodiment thereof will be described below.

本願発明の半導体封止用粉末状樹脂組成物において必須成分とされている成分(A)のエピスルフィド化合物樹脂については、上記のとおり、1分子中に1以上のエピスルフィド基を有する各種化合物の樹脂から選択されてよい。   About the episulfide compound resin of the component (A) which is an essential component in the powdery resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention, as described above, from resins of various compounds having one or more episulfide groups in one molecule. May be selected.

使用できるエピスルフィド化合物の樹脂としては、たとえば、ブチルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル等から得られるモノエピスルフィド化合物の樹脂、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビフェノール型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クロゾールノボラック型等のエピスルフィド樹脂、アミノフェノールのエポキシ樹脂やジアミノジフェニルメタンのエポキシ樹脂から得られるエピスルフィド樹脂、フタル酸やヘキサヒドロフタル酸のグルシジルエステルから得られるエピスルフィド樹脂、1,4−ブタンジオールや1,6−ヘキサンジオール等のジグリシジルエーテルより得られる脂肪族エピスルフィド樹脂、水添ビスフェノールAのエポキシ樹脂等から得られる脂環式エピスルフィド樹脂、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3′,4′−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート等より得られる環状脂肪族エピスルフィド樹脂、ブロム化ビスゲノールAやブロムフェノール等から得られるブロム化エピスルフィド樹脂、トリス(フェニルグルシジルエーテル)メタン等から得られる多官能エピスルフィド樹脂等が挙げられる。   Usable episulfide compound resins include, for example, monoepisulfide compound resins obtained from butyl glycidyl ether, phenyl glycidyl ether, bisphenol A type, bisphenol F type, biphenol type, naphthalene type, phenol novolak type, crosol novolak type Episulfide resins such as aminophenol epoxy resins and diaminodiphenylmethane epoxy resins, episulfide resins obtained from glycidyl esters of phthalic acid and hexahydrophthalic acid, 1,4-butanediol and 1,6- An aliphatic episulfide resin obtained from diglycidyl ether such as hexanediol, an alicyclic episulfide resin obtained from an epoxy resin of hydrogenated bisphenol A, 3, -Cycloaliphatic episulfide resin obtained from epoxycyclohexylmethyl-3 ', 4'-epoxycyclohexanecarboxylate, brominated episulfide resin obtained from brominated bisgenol A or bromophenol, tris (phenylglycidyl ether) methane, etc. And polyfunctional episulfide resins obtained from the above.

なかでも、フェノールA型、ビスフェノールF型、ナフタレン型樹脂、ビフェニル型、ノボラック型等の芳香族エピスルフィド樹脂は、耐熱性、耐湿性のバランスに優れた硬化物を得ることができるため、より好ましい。   Of these, aromatic episulfide resins such as phenol A type, bisphenol F type, naphthalene type resin, biphenyl type, and novolak type are more preferable because a cured product having an excellent balance of heat resistance and moisture resistance can be obtained.

特に、成分(A)としては、上記式により示される化合物の樹脂とすることが考慮に考慮される。通常成分(A)の樹脂全体量に対しての配合は0.05〜60wt%の範囲が考慮されるが、上記化合物の樹脂の場合には0.1〜50wt%の範囲とすること、さらには5〜45wt%の範囲とすることが好適に考慮される。0.05wt%未満の場合には耐湿性が低下する傾向にあり、60wt%を超える場合には耐熱性の向上があまり期待できなくなる。   In particular, it is considered that the component (A) is a resin of a compound represented by the above formula. Usually, the range of 0.05 to 60 wt% is considered for the blending of the component (A) with respect to the total amount of the resin. Is preferably in the range of 5 to 45 wt%. If it is less than 0.05 wt%, the moisture resistance tends to decrease, and if it exceeds 60 wt%, an improvement in heat resistance cannot be expected.

一方、必須成分(B)としての酸無水物については、脂肪族、脂環式、あるいは芳香族のカルボン酸の無水物の適宜なものが使用される。この酸無水物は、たとえば無水フタル酸、無水マレイン酸、無水ヘキサンヒドロフタル酸、無水テトラヒドロフタル酸等の各種のものであってよい。   On the other hand, as the acid anhydride as the essential component (B), an appropriate aliphatic, alicyclic or aromatic carboxylic acid anhydride is used. The acid anhydride may be various kinds such as phthalic anhydride, maleic anhydride, hexanehydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride and the like.

これらの酸無水物は、実質的には硬化剤として作用するものであり、樹脂全体量の0.1〜50wt%の範囲が一般的に考慮される。なかでも、1〜35wt%の範囲が好ましい。0.1wt%未満では所要の効果が得られにくく、そして50wt%を超える場合には硬化が早くなり、充填不良など成形性が悪くなる。   These acid anhydrides substantially act as a curing agent, and a range of 0.1 to 50 wt% of the total amount of the resin is generally considered. Especially, the range of 1-35 wt% is preferable. If it is less than 0.1 wt%, it is difficult to obtain the required effect, and if it exceeds 50 wt%, curing is quickened and moldability such as poor filling is deteriorated.

以上のような成分(A)(B)を必須とする本願発明の樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シラン化合物、その他添加剤成分、必要に応じて有機・無機充填材を溶解混合又は、ミキサー、ブレンダー等で均一にドライブレンドした後、3本ロール、ニーダー等の連続混合機で溶融混練し、これを冷却・固化した後、粉砕することにより製造される。また、必要に応じてタブレット状、スティック状に成形することにより製造することができる。そして、このようにして得られたエポキシ樹脂組成物をトランスファー成形して光半導体素子の封止に用いることにより、光半導体装置を製造することができる。   The resin composition of the invention of the present application comprising the components (A) and (B) as described above is an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, a silane compound, other additive components, and an organic / inorganic filler as required. It is manufactured by dissolving and mixing or uniformly dry blending with a mixer, blender, etc., then melt-kneading with a continuous mixer such as a three roll, kneader, etc., cooling and solidifying, and then pulverizing. Moreover, it can manufacture by shape | molding in tablet shape and stick shape as needed. And an optical semiconductor device can be manufactured by carrying out transfer molding of the epoxy resin composition obtained in this way, and using it for sealing of an optical semiconductor element.

たとえばエポキシ樹脂を用いる場合としては、1分子中に2個以上のエポキシ基を持っていれば特に制限はない。たとえば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、脂肪族系エポキシ樹脂等が挙げられる。また、上記エポキシ樹脂の芳香格部に水素添化したエポキシ樹脂等が上げられる。また、光半導体用エポキシ樹脂組成物には比較的着色の少ないものが好ましい。さらにこれらを単独でも併用して用いても差し支えない。   For example, when an epoxy resin is used, there is no particular limitation as long as it has two or more epoxy groups in one molecule. For example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, orthocresol novolac type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, triglycidyl isocyanurate, aliphatic epoxy resin and the like can be mentioned. Moreover, the epoxy resin etc. which hydrogenated the aromatic character part of the said epoxy resin are raised. Moreover, the epoxy resin composition for optical semiconductors preferably has relatively little coloring. Further, these may be used alone or in combination.

エポキシ樹脂を用いる場合の硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応するものであれば特に制限はない。成分(B)の酸無水物と併用できる硬化剤として、たとえば、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾールシン等とホルムアルデヒドとを縮合反応して得られるノボラック型フェノール樹脂、液状ポリメルカプタンやポリサルファイド樹脂等のポリメルカプタン系硬化剤、等がある。この他にアミン系硬化剤も挙げられるが、硬化時の変色が大きいため使用する際は添加量等に注意を要する。また、光半導体用エポキシ樹脂組成物には比較的着色の少ないものが好ましい。さらには、これらを単独でも併用して用いても差し支えない。   The curing agent when using an epoxy resin is not particularly limited as long as it reacts with the epoxy resin. Curing agents that can be used in combination with the acid anhydride of component (B) include, for example, novolak-type phenol resins obtained by condensation reaction of phenol, cresol, xylenol, resorcin and the like with formaldehyde, polymer captans such as liquid polymercaptans and polysulfide resins. System hardeners, etc. In addition to this, amine-based curing agents are also mentioned, but due to the large discoloration during curing, attention should be paid to the amount added when used. Moreover, the epoxy resin composition for optical semiconductors preferably has relatively little coloring. Furthermore, these may be used alone or in combination.

エポキシ樹脂と成分(B)の酸無水物及び併用できる硬化剤の当量比は、色目や硬化物物性の点からもエポキシ樹脂全量/硬化剤の全量の当量比=0.7〜2であるのが好ましい。さらに好ましいのは0.8〜1.3である。当量比が0.7未満では硬化が早すぎ、充填不良を発生させやすくなるなど成形性が悪くなる。当量比が2を越すと硬化が十分に進まない恐れがある。   The equivalent ratio of the epoxy resin and the acid anhydride of component (B) and the curing agent that can be used in combination is that the equivalent ratio of the total amount of the epoxy resin / the total amount of the curing agent is 0.7 to 2 from the viewpoint of the color and the properties of the cured product. Is preferred. More preferred is 0.8 to 1.3. When the equivalence ratio is less than 0.7, curing is too early, and poor moldability such as poor filling is likely to occur. If the equivalent ratio exceeds 2, curing may not proceed sufficiently.

エポキシ樹脂を用いる場合の硬化促進剤としては、エポキシ樹脂と硬化剤の反応を促進させる作用があるものであれば特に制限はない。例えば、トリフェニルフォスフィン、ジフェニルフォスフィン等の有機フォスフィン系硬化促進剤、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、トリエタノールアミン、ベンジルジメチルアミン等の3級アミン系硬化促進剤及びその有機酸塩類、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・ブロマイド等の有機酸塩類、1−ベンジル,2−フェニルイミダゾール等のイミダゾール類等が挙げられる。また、光半導体用エポキシ樹脂組成物には比較的着色の少ないものが好ましい。更には、これらを単独でも併用して用いても差し支えない。また、上記硬化促進剤の含有率は、0.05〜5wt%であるのが好ましい。添加量が0.01wt%以下の時、エポキシ樹脂と硬化剤の反応の充分な促進効果が得られず、成形サイクルが悪化する。また、5wt%以上では、ゲル化時間が短くなりすぎるため、ボイドや未充填等の成形性悪化を引き起こす原因となる。   The curing accelerator in the case of using an epoxy resin is not particularly limited as long as it has an action of promoting the reaction between the epoxy resin and the curing agent. For example, organic phosphine curing accelerators such as triphenylphosphine and diphenylphosphine, tertiary amine curing acceleration such as 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7, triethanolamine and benzyldimethylamine Agents and organic acid salts thereof, organic acid salts such as tetraphenylphosphonium / tetraphenylborate and tetraphenylphosphonium / bromide, and imidazoles such as 1-benzyl and 2-phenylimidazole. Moreover, the epoxy resin composition for optical semiconductors preferably has relatively little coloring. Furthermore, these may be used alone or in combination. Moreover, it is preferable that the content rate of the said hardening accelerator is 0.05-5 wt%. When the addition amount is 0.01 wt% or less, the effect of sufficiently promoting the reaction between the epoxy resin and the curing agent cannot be obtained, and the molding cycle is deteriorated. On the other hand, if it is 5 wt% or more, the gelation time becomes too short, which causes a deterioration in moldability such as voids and unfilled.

無機充填剤を用いる場合の無機化合物としては、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、酸化チタン、チタン酸バリウム、酸化マグネシウム、酸化ベリリウム等に代表される金属酸化物、窒化アルミニウム、窒化硼素等に代表される金属窒化物、炭化珪素等に代表される金属炭化物、硼化チタンに代表される金属硼化物、銅紛等に代表される金属単体、ZnS:Cu系、YAG系、Eu系等に代表される蛍光剤、無アルカリガラス等が上げられるが代表例に制限されるものではない。但し、無色透明な成形体を得るためには、シリカやガラス等に代表される用に無機化合物自体が無着色透明でものが好ましい。これらの無水充填剤を用いる場合には全体量の30〜90wt%の範囲とすることにより、耐吸湿性を大きく向上させることができる。90%を超える場合には密着力や光透過性が低下する傾向となる。   Examples of inorganic compounds in the case of using an inorganic filler include metal oxides typified by fused silica, crystalline silica, alumina, titanium oxide, barium titanate, magnesium oxide, beryllium oxide, aluminum nitride, boron nitride and the like. Metal nitride represented by metal nitride, silicon carbide, etc., metal boride represented by titanium boride, metal simple substance represented by copper powder, etc., represented by ZnS: Cu, YAG, Eu, etc. Fluorescent agents, alkali-free glass, etc. can be raised, but are not limited to representative examples. However, in order to obtain a colorless and transparent molded body, it is preferable that the inorganic compound itself is non-colored and transparent for representatives such as silica and glass. In the case of using these anhydrous fillers, the moisture absorption resistance can be greatly improved by adjusting the total amount to 30 to 90 wt%. If it exceeds 90%, the adhesion and light transmittance tend to decrease.

また、本願発明に用いられる樹脂組成物は、上記以外に必要に応じて変色防止剤、劣化防止剤、染料、紫外線吸収剤、その他シラン系カップリング剤、変性剤、可塑剤、光拡散剤、希釈剤等を配合しても差し支えない。   In addition to the above, the resin composition used in the present invention is a color change inhibitor, a deterioration inhibitor, a dye, an ultraviolet absorber, other silane coupling agents, a modifier, a plasticizer, a light diffusing agent, A diluent may be added.

そこで以下に実施例を示し、さらに詳しく説明する。もちろん以下の例によって発明が限定されることはない。   Therefore, an example will be shown below and will be described in more detail. Of course, the invention is not limited by the following examples.

エピスルフィド樹脂とともに酸無水物を配合したエポキシ樹脂組成物を表1の実施例1〜5のとおりの組成(重量%)で調製した。また比較例1〜3の組成物も調製した。   The epoxy resin composition which mix | blended the acid anhydride with the episulfide resin was prepared by the composition (weight%) as Example 1-5 of Table 1. FIG. Moreover, the composition of Comparative Examples 1-3 was also prepared.

この組成物を硬化させてその特性を評価した。評価は以下のとおり行った。
[評価]
1)テストピースの作製:
金型温度150℃、キュア時間150sでエポキシ樹脂組成物を金型を用いてトランスファー成形した後、150℃で2時間ポストキュアしたものを用いた。
The composition was cured and evaluated for its properties. Evaluation was performed as follows.
[Evaluation]
1) Preparation of test piece:
An epoxy resin composition was transfer molded using a mold at a mold temperature of 150 ° C. and a curing time of 150 s, and then post-cured at 150 ° C. for 2 hours.

2)光透過率の評価:
50φ×1mmtのテストピースを上記方法にて作製し、テストピースを作製した。次に島津製作所製の積分球付き分光光度計を使用し、250〜1100nmの波長における光透過率を測定した。
2) Evaluation of light transmittance:
A test piece of 50φ × 1 mmt was produced by the above method to produce a test piece. Next, using a spectrophotometer with an integrating sphere manufactured by Shimadzu Corporation, the light transmittance at a wavelength of 250 to 1100 nm was measured.

3)吸湿率の測定
50φ×3mmtのテストピースを上記方法にて作製し、テストピースを作製した。
3) Measurement of moisture absorption A test piece of 50φ × 3 mmt was produced by the above method, and a test piece was produced.

成形品を125℃−16hrでベーク処理をし、室温までデシケータ中で冷却する。その後、電子天秤で初期重量を測定し、高温高湿試験機で85℃/85%RH/20hr処理する。室温まで冷却したものの重量を測定し、重量増加分÷初期重量×100で吸湿率(%)データを測定した。   The molded article is baked at 125 ° C.-16 hr and cooled to room temperature in a desiccator. Then, the initial weight is measured with an electronic balance, and 85 ° C./85% RH / 20 hr is processed with a high temperature and high humidity tester. The weight of what was cooled to room temperature was measured, and the moisture absorption (%) data was measured by weight gain ÷ initial weight × 100.

4)密着性の測定
42/Agメッキ、Cu/Agメッキ及びCu/Pd/Auメッキ板に接着面積が1cm2のプリン形状の成形品をモールドし、常温での密着力をオートグラフ(島津製作所製)にて測定した。
4) Measurement of adhesion The 42 / Ag plating, Cu / Ag plating, and Cu / Pd / Au plating plate are molded with a pudding-shaped molded product with an adhesion area of 1 cm 2 , and the adhesion at room temperature is autographed (Shimadzu Corporation). Manufactured).

5)耐リフロー性の評価
光ピックアップ用の受光PKG(4×5×1.8mmt)を上記方法にて20ケ作製し、評価に用いた。PKGを乾燥(125℃/16hr)した後ドライボックス内で常温まで冷却する。次に前処理として高温高湿機に30℃/70%RH/168時間の条件で吸湿処理した後に245℃ピークのIRリフロー炉に投入し、電気的な接続不良率を測定した。
5) Evaluation of reflow resistance 20 light receiving PKGs (4 × 5 × 1.8 mmt) for an optical pickup were produced by the above method and used for evaluation. PKG is dried (125 ° C./16 hr) and then cooled to room temperature in a dry box. Next, as a pretreatment, the high-temperature and high-humidity machine was subjected to a moisture absorption treatment under conditions of 30 ° C./70% RH / 168 hours, and then placed in an IR reflow furnace having a peak of 245 ° C., and the electrical connection failure rate was measured.

以上の評価の結果も表1に示した。   The results of the above evaluation are also shown in Table 1.

実施例1〜4の本願発明の組成物によって、基板との密着力、耐吸湿性に優れ、耐リフロー性試験の結果も良好である性能が得られていることがわかる。また、光透過率も良好である。   It can be seen that the compositions of the present invention of Examples 1 to 4 have excellent performance for adhesion to the substrate and moisture absorption resistance and good reflow resistance test results. Moreover, the light transmittance is also good.

Figure 2006063192
Figure 2006063192

Claims (3)

下記成分(A)および(B)を必須成分として含有することを特徴とする、半導体封止用樹脂組成物。
成分(A):1分子中に1以上のエピスルフィド基を有するエピスルフィド化合物樹脂成分(B):酸無水物
A resin composition for encapsulating a semiconductor comprising the following components (A) and (B) as essential components.
Component (A): Episulfide compound resin component having one or more episulfide groups in the molecule Component (B): Acid anhydride
成分(A)が次式で表わされるエピスルフィド化合物の樹脂であって、その含有率が樹脂全体量の0.1〜50wt%の範囲内であることを特徴とする請求項1の半導体封止用樹樹脂組成物。
Figure 2006063192
The component (A) is a resin of an episulfide compound represented by the following formula, and the content thereof is in the range of 0.1 to 50 wt% of the total amount of the resin. Tree resin composition.
Figure 2006063192
請求項1または2の半導体封止用組成物をもって封止してなることを特徴とする半導体装置。   A semiconductor device comprising the semiconductor sealing composition according to claim 1 or 2 sealed.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008031134A (en) * 2006-07-07 2008-02-14 Hitachi Chem Co Ltd Phenol derivative and method for producing the same
JP2009149820A (en) * 2007-12-21 2009-07-09 Panasonic Electric Works Co Ltd Liquid thermosetting resin composition for underfill and semiconductor device using the same
WO2011033872A1 (en) * 2009-09-18 2011-03-24 株式会社Adeka Novel episulfide compounds, curable resin compositions containing the episulfide compounds, and cured products thereof

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008031134A (en) * 2006-07-07 2008-02-14 Hitachi Chem Co Ltd Phenol derivative and method for producing the same
JP2009149820A (en) * 2007-12-21 2009-07-09 Panasonic Electric Works Co Ltd Liquid thermosetting resin composition for underfill and semiconductor device using the same
WO2011033872A1 (en) * 2009-09-18 2011-03-24 株式会社Adeka Novel episulfide compounds, curable resin compositions containing the episulfide compounds, and cured products thereof

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