JP2006060097A - Lead frame for semiconductor device, semiconductor device using the lead frame and manufacturing method for semiconductor device using the lead frame - Google Patents

Lead frame for semiconductor device, semiconductor device using the lead frame and manufacturing method for semiconductor device using the lead frame Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lead frame for a semiconductor device preventing the drooping of an antenna, facilitating handling during a manufacturing process and capable of manufacturing the semiconductor device at a low cost, the semiconductor device using the lead frame and a manufacturing method for the semiconductor device using the lead frame. <P>SOLUTION: In the lead frame 11, semiconductor-element loading sections 14 with loaded semiconductor elements, the spiral antennas 15, and supporting lead 16 are molded in each region 12 partitioned into separate semiconductor devices. In the lead frame 11, a frame 13 surrounding each region 12 supports the semiconductor loading sections 14 and the antennas 15 through the supporting leads 16. In the lead frame 11, the supporting leads 16 support the antennas 15 extensively over at least central sections from the periphery of each region, and have thicknesses from undersides of the lead frames 16 to undersides of the antennas. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体装置用のリードフレームとそれを用いた半導体装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法に関し、アンテナを有する半導体装置に用いられるリードフレームを一括成型工法により製造する技術に係る。   The present invention relates to a lead frame for a semiconductor device, a semiconductor device using the lead frame, and a method for manufacturing the semiconductor device using the lead frame, and relates to a technique for manufacturing a lead frame used for a semiconductor device having an antenna by a batch molding method.

この種の半導体装置は、各種物品に装着して使用するものであり、アンテナを介して半導体装置の半導体素子と外部の電子機器との間で無線によりデータの入出力を行う用途に用いられている。   This type of semiconductor device is used by being mounted on various articles, and is used for applications in which data is input / output wirelessly between a semiconductor element of the semiconductor device and an external electronic device via an antenna. Yes.

例えば、物品の流通過程において個々の物品情報を管理するために使用されており、物品自体あるいは物品を収納する箱に半導体装置を貼付して、半導体素子に記憶されたデータ等を送受信装置によって読取るシステムが知られている。   For example, it is used for managing individual article information in the article distribution process. A semiconductor device is attached to the article itself or a box for storing the article, and data stored in the semiconductor element is read by the transmission / reception apparatus. The system is known.

あるいは、各種機器を構成する機能要素部材の使用管理に用いる例も知られており、この場合には、各種機器を構成する機能要素部材に半導体装置を貼付し、半導体素子に記憶された機能要素部材に関する個別の情報を利用して、その機能要素部材の使用管理に使用する。   Or the example used for use management of the functional element member which comprises various equipment is also known, In this case, a semiconductor device is stuck on the functional element member which comprises various equipment, and the functional element memorize | stored in the semiconductor element Using individual information about the member, it is used for managing the use of the functional element member.

従来、同機能の半導体装置は、半導体素子を搭載したプリント基板などに別途にアンテナを接続し、それらを封止樹脂により封止する構造であった。
しかし、上記のような半導体装置では、アンテナが別途部品となるために部品点数が増加し、半導体素子とは別途にアンテナを接続する工程を必要とし、封止する際にアンテナを保持する構造が必要となり、一般的な半導体製造工程では製造が困難であった。
Conventionally, a semiconductor device having the same function has a structure in which an antenna is separately connected to a printed circuit board or the like on which a semiconductor element is mounted, and these are sealed with a sealing resin.
However, in the semiconductor device as described above, since the antenna is a separate component, the number of components is increased, and a process for connecting the antenna separately from the semiconductor element is required. It is necessary and difficult to manufacture in a general semiconductor manufacturing process.

このため、以下に述べるような、半導体装置およびその製造方法が考案されている。図9〜図10に示すように、1枚のリードフレーム1には半導体素子搭載部2と螺旋形状のアンテナ部3とを一体に成型しており、半導体素子搭載部2と螺旋形状のアンテナ部3はリードフレーム1に設定する複数の領域4の内部にそれぞれ成型し、各領域4ごとに個々の半導体装置に区分するものである。リードフレーム1には半導体素子搭載部2を支持する搭載部支持リード5とアンテナ部3を支持するアンテナ支持リード6を設けており、アンテナ支持リード6は螺旋形状のアンテナ部3の最外周部位の複数箇所に設けている。   For this reason, a semiconductor device and a manufacturing method thereof have been devised as described below. As shown in FIGS. 9 to 10, the semiconductor element mounting portion 2 and the helical antenna portion 3 are integrally formed on one lead frame 1, and the semiconductor element mounting portion 2 and the helical antenna portion are formed. 3 is formed in each of a plurality of regions 4 set in the lead frame 1, and each region 4 is divided into individual semiconductor devices. The lead frame 1 is provided with a mounting portion supporting lead 5 for supporting the semiconductor element mounting portion 2 and an antenna supporting lead 6 for supporting the antenna portion 3, and the antenna supporting lead 6 is provided at the outermost peripheral portion of the helical antenna portion 3. It is provided at multiple locations.

このリードフレーム1の各半導体素子搭載部2にそれぞれ半導体素子7をダイボンド材(図示せず)を介して搭載し、各アンテナ部3の内周端3aならびに外周端3bを各半導体素子7の内部回路(図示せず)にそれぞれ金属細線8によって接続する。   A semiconductor element 7 is mounted on each semiconductor element mounting portion 2 of the lead frame 1 via a die bond material (not shown), and the inner peripheral end 3a and the outer peripheral end 3b of each antenna portion 3 are connected to the interior of each semiconductor element 7. Each is connected to a circuit (not shown) by a thin metal wire 8.

そして、リードフレーム1の半導体素子搭載部2とアンテナ部3および半導体素子7を封止樹脂9により封止し、その後にリードフレーム1を各領域4に区分して個々の半導体装置10を製造する。   Then, the semiconductor element mounting portion 2, the antenna portion 3, and the semiconductor element 7 of the lead frame 1 are sealed with a sealing resin 9, and then the lead frame 1 is divided into each region 4 to manufacture individual semiconductor devices 10. .

上述したような、リードフレームを用いてアンテナを有する半導体装置を構成する方法としては、例えば特許文献1に記載するものがある。
特開2000−124388公報
As a method of configuring a semiconductor device having an antenna using a lead frame as described above, for example, there is one described in Patent Document 1.
JP 2000-124388 A

ところで、アンテナの性能はアンテナのループの長さに依存するので、高性能化のためにはアンテナを螺旋状に形成する必要がある。しかしながら、図10に示したリードフレーム1では、螺旋形状のアンテナ部3をその最外周部位の複数箇所でアンテナ支持リードにより支持する構造であるために、製造工程中の搬送時等においてアンテナ部3の内周端3aの側が垂れ下がり、その取り扱いが困難となる課題があった。   Incidentally, since the performance of the antenna depends on the length of the loop of the antenna, it is necessary to form the antenna in a spiral shape in order to improve the performance. However, since the lead frame 1 shown in FIG. 10 has a structure in which the spiral antenna portion 3 is supported by the antenna support leads at a plurality of positions on the outermost peripheral portion, the antenna portion 3 is used during transportation during the manufacturing process. There is a problem that the inner peripheral end 3a side of the sag hangs down, making its handling difficult.

本発明は、上記した課題を解決するものであり、アンテナ部の垂れ下がりを防止して、製造工程中の取り扱いを容易となし、且つ安価な半導体装置を生産できる半導体装置用のリードフレームとそれを用いた半導体装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-described problems, and a lead frame for a semiconductor device capable of preventing the antenna portion from sagging, facilitating handling during the manufacturing process, and producing an inexpensive semiconductor device, and the same. An object of the present invention is to provide a semiconductor device used and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.

上記の目的を達成するために、本発明の請求項1に係る半導体装置用のリードフレームは、個々の半導体装置に区分する各領域内に、半導体素子を搭載する半導体素子搭載部と螺旋状のアンテナ部と支持リードとを成型するリードフレームであって、各領域を囲む枠部が支持リードを介して半導体素子搭載部およびアンテナ部を支持し、支持リードはアンテナ部をアンテナ部下面位置で各領域の周辺部から少なくとも中心部にわたって支持し、かつリードフレームの下面からアンテナ部下面までの厚みを有するものである。   In order to achieve the above object, a lead frame for a semiconductor device according to claim 1 of the present invention includes a semiconductor element mounting portion on which a semiconductor element is mounted and a spiral shape in each region divided into individual semiconductor devices. A lead frame that molds an antenna portion and a support lead, and a frame portion that surrounds each region supports the semiconductor element mounting portion and the antenna portion via the support lead, and each of the support leads places the antenna portion at the lower surface position of the antenna portion. It supports from the peripheral part of the region to at least the central part, and has a thickness from the lower surface of the lead frame to the lower surface of the antenna unit.

上記した構成において、半導体素子搭載部と螺旋状のアンテナ部と支持リードとからなるパターンを、リードフレームの個々の半導体装置に区分する各領域内に成型することで、各領域を囲む枠部が製造工程での取り扱いに耐えるに必要なリードフレームの強度を確保する。   In the configuration described above, the frame portion surrounding each region is formed by molding a pattern including the semiconductor element mounting portion, the spiral antenna portion, and the support lead into each region of the lead frame divided into individual semiconductor devices. Ensure the strength of the lead frame to withstand handling in the manufacturing process.

そして、支持リードがアンテナ部をアンテナ部下面位置で各領域の周辺部から少なくとも中心部にわたって支持することにより、製造工程中においてアンテナ部の垂れ下がりを防止でき、リードフレームの取り扱いが容易となる。   The support lead supports the antenna portion from the peripheral portion of each region to at least the central portion at the lower surface position of the antenna portion, so that the antenna portion can be prevented from drooping during the manufacturing process, and the handling of the lead frame is facilitated.

このリードフレームの半導体素子搭載部に半導体素子を搭載し、半導体素子の入出力用電極とアンテナ部とを金属ワイヤで電気的に接合させ、リードフレームのアンテナ部、半導体素子搭載部、支持リード、半導体素子を封止樹脂で封止する。この樹脂封止は金型の1キャビティーで複数の半導体装置を同時に一括に封止する。   A semiconductor element is mounted on the semiconductor element mounting portion of the lead frame, and the input / output electrodes of the semiconductor element and the antenna portion are electrically joined with a metal wire, and the lead frame antenna portion, the semiconductor element mounting portion, the support lead, The semiconductor element is sealed with a sealing resin. This resin sealing simultaneously seals a plurality of semiconductor devices in one cavity of the mold.

この状態において、螺旋状のアンテナ部はその各条の間が支持リードによって短絡している。アンテナの性能はループを形成している長さに依存するので、支持リードを除去しないとループ長が短くなり、本来の性能を発揮することができないので、封止後に円盤状のダイシングソーを用いて支持リードを除去する。   In this state, the spiral antenna portion is short-circuited between the strips by the support leads. Since the performance of the antenna depends on the length of the loop, the length of the loop will be shortened unless the support leads are removed, and the original performance cannot be achieved. Use a disc-shaped dicing saw after sealing. Remove the support leads.

支持リードはリードフレームの下面からアンテナ部下面までの厚みを有するので、支持リードの除去はリードフレームの一側面において行う。この際には、ダイシングソーの切り込み量を切断時より浅く調整することで、アンテナ部を除去することなく、支持リードのみを除去することができる。その後に、ダイシングソーを用いてリードフレームを切断、分割して個々の半導体装置に区分する。各半導体装置はその下面に支持リードの除去により溝が形成された形状をなす。   Since the support lead has a thickness from the lower surface of the lead frame to the lower surface of the antenna portion, the support lead is removed on one side surface of the lead frame. At this time, by adjusting the cutting amount of the dicing saw to be shallower than that at the time of cutting, only the support lead can be removed without removing the antenna portion. Thereafter, the lead frame is cut and divided using a dicing saw to divide into individual semiconductor devices. Each semiconductor device has a shape in which a groove is formed on the lower surface by removing the support lead.

このように、半導体素子の搭載時等においては支持リードでアンテナ部の垂れ下がりを防止して作業の容易化を図り、封止樹脂によってアンテナ部を固定保持した後に支持リードを除去することで、アンテナ部の機能を下げることなく、取り扱い易いリードフレームを実現できる。   As described above, when the semiconductor element is mounted, the antenna portion is prevented from sagging with the support lead to facilitate the work, and the support lead is removed after the antenna portion is fixed and held by the sealing resin. An easy-to-handle lead frame can be realized without lowering the function of the part.

本発明の請求項2に係る半導体装置用リードフレームは、螺旋状のアンテナ部の中心に半導体素子搭載部を配置し、支持リードが半導体素子搭載部およびアンテナ部を下面位置で支持するものである。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a lead frame for a semiconductor device in which a semiconductor element mounting portion is disposed at the center of a spiral antenna portion, and a support lead supports the semiconductor element mounting portion and the antenna portion at a lower surface position. .

上記した構成により、支持リードはアンテナ部および半導体素子搭載部を下面位置で支持することで、樹脂封止後に除去することが可能な構造となる。このため、アンテナ部の中心に半導体素子搭載部を配置しても、完成品の半導体装置においてアンテナ部と半導体素子搭載部が支持リードを介して短絡することがない。   With the configuration described above, the support lead has a structure that can be removed after resin sealing by supporting the antenna portion and the semiconductor element mounting portion at the lower surface position. For this reason, even if the semiconductor element mounting portion is disposed at the center of the antenna portion, the antenna portion and the semiconductor element mounting portion are not short-circuited via the support lead in the completed semiconductor device.

螺旋状のアンテナ部の中心に半導体素子搭載部を配置することで、リードフレームの個々の半導体装置に区分する各領域において、半導体素子搭載部の周囲の全領域にアンテナ部を配置することができ、アンテナ部のループが長くなり、より高性能なアンテナ部を有する半導体装置を得る事ができる。   By arranging the semiconductor element mounting part at the center of the spiral antenna part, the antenna part can be arranged in the entire area around the semiconductor element mounting part in each region of the lead frame divided into individual semiconductor devices. The loop of the antenna portion becomes longer, and a semiconductor device having a higher performance antenna portion can be obtained.

しかし、従来のように、支持リードがアンテナ部および半導体素子搭載部をその周縁部で支持する場合には、完成品の半導体装置においてアンテナ部と半導体素子搭載部が支持リードを介して短絡しない状態とするために、アンテナ部の外側位置に半導体素子搭載部を配置し、アンテナ部および半導体素子搭載部を別途の支持リードで支持することが必要である。この場合には、半導体素子搭載部を支持する支持リードに阻害されて半導体素子搭載部の周囲にアンテナ部を配置することができない。   However, when the support lead supports the antenna part and the semiconductor element mounting part at its peripheral edge as in the prior art, the antenna part and the semiconductor element mounting part are not short-circuited via the support lead in the finished semiconductor device. Therefore, it is necessary to dispose the semiconductor element mounting portion at a position outside the antenna portion and to support the antenna portion and the semiconductor element mounting portion with separate support leads. In this case, the antenna portion cannot be disposed around the semiconductor element mounting portion because it is hindered by the support leads that support the semiconductor element mounting portion.

本発明の請求項3に係る半導体装置は、請求項1〜2の何れかの半導体装置用のリードフレームを用いて製造する半導体装置であって、リードフレームの半導体素子搭載部に半導体素子を搭載し、リードフレームのアンテナ部、半導体素子搭載部、半導体素子を封止樹脂で封止してなり、支持リードを除去した痕跡としての溝を半導体装置の下面に有し、前記溝においてアンテナ部の一部が露出するものである。   A semiconductor device according to a third aspect of the present invention is a semiconductor device manufactured using the lead frame for a semiconductor device according to any one of the first and second aspects, wherein the semiconductor element is mounted on the semiconductor element mounting portion of the lead frame. The lead frame antenna portion, the semiconductor element mounting portion, and the semiconductor element are sealed with a sealing resin, and a groove as a trace from which the support lead is removed is formed on the lower surface of the semiconductor device. Some are exposed.

本発明の請求項4に係る半導体装置の製造方法は、請求項1〜2の何れかの半導体装置用のリードフレームを用いた半導体装置の製造方法であって、半導体素子をリードフレームの半導体素子搭載部に固着させるダイスボンド工程と、半導体素子の入出力用電極とアンテナ部とを金属ワイヤで電気的に接合させるワイヤボンド工程と、リードフレームのアンテナ部、半導体素子搭載部、半導体素子を封止樹脂で封止する一括封止工程と、ダイシングソーを用いて支持リードを除去する支持リード除去工程と、ダイシングソーを用いてリードフレームを個々の半導体装置に区分するダイシング工程とからなるものである。   A method of manufacturing a semiconductor device according to a fourth aspect of the present invention is a method of manufacturing a semiconductor device using the lead frame for a semiconductor device according to any one of the first and second aspects, wherein the semiconductor element is a semiconductor element of a lead frame. A die bonding step for fixing to the mounting portion, a wire bonding step for electrically joining the input / output electrodes of the semiconductor element and the antenna portion with metal wires, and the lead frame antenna portion, the semiconductor element mounting portion, and the semiconductor element are sealed. It consists of a batch sealing process that seals with a stop resin, a support lead removal process that removes the support lead using a dicing saw, and a dicing process that divides the lead frame into individual semiconductor devices using a dicing saw. is there.

本発明では、リードフレームに、アンテナ部をアンテナ部下面位置で各領域の周辺部から少なくとも中心部にわたって支持する支持リードを設けることで、アンテナ部の垂れ下がりを防いで製造工程での取り扱いが容易となり、封止樹脂によりアンテナ部の支持リードが不要になった状態でアンテナ部の支持リードを除去することで、長いループの高性能なアンテナを具備した半導体装置の製造が可能となる。   In the present invention, the lead frame is provided with a support lead that supports the antenna portion from the peripheral portion of each region to at least the central portion at the lower surface position of the antenna portion, thereby preventing the antenna portion from drooping and facilitating handling in the manufacturing process. By removing the support lead of the antenna portion in a state where the support lead of the antenna portion is no longer necessary due to the sealing resin, it is possible to manufacture a semiconductor device including a high-performance antenna with a long loop.

以下に、本発明における第1の実施形態を図1〜7で説明する。図1に示すように、リードフレーム11は、個々の半導体装置に区分する各領域12を囲んで枠部13を形成しており、この枠部13が製造工程での取り扱いに耐えるに必要なリードフレーム11の強度を確保する。   Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 1, the lead frame 11 forms a frame portion 13 surrounding each region 12 divided into individual semiconductor devices, and the lead necessary for the frame portion 13 to withstand handling in the manufacturing process. The strength of the frame 11 is ensured.

各領域12には半導体素子搭載部14と螺旋状のアンテナ部15と支持リード16とからなるパターンを成型している。このパターンは1枚のリードフレーム11に縦方向と横方向の何れか一方向または両方向に複数列に配置する。   In each region 12, a pattern including a semiconductor element mounting portion 14, a spiral antenna portion 15, and a support lead 16 is molded. This pattern is arranged on a single lead frame 11 in a plurality of rows in one or both of the vertical and horizontal directions.

半導体素子搭載部14は、アンテナ部15の螺旋状のループの中心に配置し、一つの支持リード16が半導体素子搭載部14およびアンテナ部15を同時に支持し、枠部13は支持リード16を介して半導体素子搭載部14およびアンテナ部15を支持する。半導体素子搭載部14およびアンテナ部15はそれぞれ別途の支持リード16で支持することも可能である。   The semiconductor element mounting portion 14 is disposed at the center of the spiral loop of the antenna portion 15, and one support lead 16 supports the semiconductor element mounting portion 14 and the antenna portion 15 simultaneously, and the frame portion 13 is interposed via the support lead 16. The semiconductor element mounting portion 14 and the antenna portion 15 are supported. The semiconductor element mounting portion 14 and the antenna portion 15 can be supported by separate support leads 16.

支持リード16はアンテナ部15を下面位置で各領域12の周辺部から少なくとも中心部にわたって支持しており、本実施の形態では各領域12で相対向する枠部13の間にわたって支持リード16を配置している。支持リード16はリードフレーム11の下面からアンテナ部下面までの厚みを有している。アンテナ部15の周囲および各条15cの間の樹脂充填部17は支持リード16に対応する部位を除いてリードフレーム11を表裏に貫通している。   The support lead 16 supports the antenna unit 15 at the lower surface position from the periphery of each region 12 to at least the center, and in this embodiment, the support lead 16 is disposed between the frame portions 13 facing each other in the region 12. is doing. The support lead 16 has a thickness from the lower surface of the lead frame 11 to the lower surface of the antenna unit. The resin filling portion 17 around the antenna portion 15 and between the strips 15 c penetrates the lead frame 11 on the front and back surfaces except for portions corresponding to the support leads 16.

このように、支持リード16がアンテナ部15を下面位置で各領域12の周辺部から中心部にわたって支持することにより、製造工程中においてアンテナ部15の垂れ下がりを防止でき、リードフレーム11の取り扱いが容易となる。   As described above, the support lead 16 supports the antenna unit 15 from the periphery to the center of each region 12 at the lower surface position, so that the antenna unit 15 can be prevented from sagging during the manufacturing process, and the handling of the lead frame 11 is easy. It becomes.

このリードフレーム11を用いた半導体装置の製造工程は、ダイスボンド工程とワイヤボンド工程と一括封止工程と支持リード除去工程とダイシング工程とからなる。
ダイスボンド工程では、図2に示すように、リードフレーム11の半導体素子搭載部14に半導体素子18をダイスボンドし、その後にワイヤボンド工程において金属細線19で半導体素子18の内部回路とアンテナ部15の内周端15aならびに外周端15bを接続する。
The manufacturing process of the semiconductor device using the lead frame 11 includes a die bonding process, a wire bonding process, a batch sealing process, a support lead removing process, and a dicing process.
In the die bonding process, as shown in FIG. 2, the semiconductor element 18 is die bonded to the semiconductor element mounting portion 14 of the lead frame 11, and then, in the wire bonding process, the internal circuit of the semiconductor element 18 and the antenna section 15 are connected by the metal wire 19. The inner peripheral end 15a and the outer peripheral end 15b are connected.

一括封止工程では、図3に示すように、リードフレーム11の半導体素子搭載部14、アンテナ部15、支持リード16、半導体素子18を封止樹脂20で封止する。この樹脂封止は金型の1キャビティーで複数の半導体装置を同時に一括に封止する。図3においては、封止した半導体素子等の部材を仮想的に破線で示しており、ハッチングで示す部分が樹脂封止された領域である。この一括封止は本実施の形態のようにリードフレーム11の半導体素子18を搭載した側のみにおいて行う片面封止であっても良いし、リードフレーム11を表裏の両側から挟み込む形状の両面封止であっても良い。   In the collective sealing step, as shown in FIG. 3, the semiconductor element mounting portion 14, the antenna portion 15, the support lead 16, and the semiconductor element 18 of the lead frame 11 are sealed with a sealing resin 20. This resin sealing simultaneously seals a plurality of semiconductor devices in one cavity of the mold. In FIG. 3, a member such as a sealed semiconductor element is virtually indicated by a broken line, and a hatched portion is a region sealed with resin. This collective sealing may be single-sided sealing performed only on the side of the lead frame 11 where the semiconductor element 18 is mounted as in the present embodiment, or double-sided sealing in which the lead frame 11 is sandwiched from both the front and back sides. It may be.

この状態において、螺旋状のアンテナ部15はその各条間17が支持リード16によって短絡している。アンテナの性能はループを形成している長さに依存するので、支持リード16を除去しないとループ長が短くなり、本来の性能を発揮することができない。このため支持リード除去工程で支持リード16を除去する。   In this state, the spiral antenna portion 15 is short-circuited by the support leads 16 between the strips 17. Since the performance of the antenna depends on the length of the loop, the loop length becomes short unless the support lead 16 is removed, and the original performance cannot be exhibited. Therefore, the support lead 16 is removed in the support lead removal step.

支持リード除去工程では、図4に示すように、後述するダイシング工程で使用する円盤状のダイシングソー21で支持リード16を除去する。ダイシングソー21は支持リード16の幅よりも厚いものを用いる。図4は、ダイシングソー21の位置が判り易いように、リードフレーム11を下面から見た図である。   In the support lead removal step, as shown in FIG. 4, the support lead 16 is removed by a disc-shaped dicing saw 21 used in a dicing step described later. The dicing saw 21 is thicker than the width of the support lead 16. FIG. 4 is a view of the lead frame 11 as seen from the lower surface so that the position of the dicing saw 21 can be easily understood.

支持リード16はリードフレーム11の下面からアンテナ部15の下面位置までの厚みを有しているので、リードフレーム11の一側面(下面)において支持リード16を除去する。つまり、ダイシングソー21の切り込み量を切断時より浅く調整し、支持リード16に沿って移動させながら、アンテナ部15を除去することなく、支持リード16のみを切除する。この支持リード16の切除によって溝22が形成され、溝22においてアンテナ部15の一部が露出している。ダイシングソー21は支持リード16の幅よりも厚いものを用いる。   Since the support lead 16 has a thickness from the lower surface of the lead frame 11 to the lower surface position of the antenna unit 15, the support lead 16 is removed on one side surface (lower surface) of the lead frame 11. That is, the cutting amount of the dicing saw 21 is adjusted to be shallower than that at the time of cutting, and only the support lead 16 is removed without removing the antenna portion 15 while moving along the support lead 16. The groove 22 is formed by cutting the support lead 16, and a part of the antenna portion 15 is exposed in the groove 22. The dicing saw 21 is thicker than the width of the support lead 16.

ダイシング工程では、図5に示すように、ダイシングソー21の切り込み量を支持リード除去工程よりも深く設定し、枠部13に沿って移動させながら、枠部13を除去することで、封止後のリードフレーム11を切断、分割して個々の半導体装置に区分する。ダイシングソー21は枠部13の幅よりも厚いものを用いる。   In the dicing step, as shown in FIG. 5, the cutting amount of the dicing saw 21 is set deeper than the support lead removing step, and the frame portion 13 is removed while being moved along the frame portion 13. The lead frame 11 is cut and divided into individual semiconductor devices. The dicing saw 21 is thicker than the width of the frame portion 13.

図6に示すように、個別の半導体装置に切断、分割した状態において、各半導体装置はその下面に支持リード16の除去により溝22が形成された形状をなす。図7に片面封止した場合において完成した状態の半導体装置23を示す。   As shown in FIG. 6, in a state where the semiconductor device is cut and divided into individual semiconductor devices, each semiconductor device has a shape in which a groove 22 is formed on the lower surface by removing the support lead 16. FIG. 7 shows the semiconductor device 23 in a completed state when it is sealed on one side.

このように、リードフレーム11に、螺旋状のアンテナ部15を周辺部から中心部にわたって支持する支持リード16を設けることで、アンテナ部15の垂れ下がりを防いで製造工程での取り扱いが容易となり、封止樹脂によりアンテナ部15の支持リード16が不要になった状態で支持リード16を除去することで、長いループの高性能なアンテナを具備した半導体装置の製造が可能となる。   As described above, by providing the lead frame 11 with the support lead 16 that supports the spiral antenna portion 15 from the peripheral portion to the central portion, the antenna portion 15 is prevented from sagging and can be easily handled in the manufacturing process, and sealed. By removing the support lead 16 in a state where the support lead 16 of the antenna unit 15 is no longer necessary due to the stop resin, it is possible to manufacture a semiconductor device including a high-performance antenna with a long loop.

また、図8に示すように、本発明のリードフレーム11を用いた半導体装置23では、完成した状態において支持リード16が存在せず、アンテナ部15の中心に半導体素子搭載部14を配置しても、アンテナ部15と半導体素子搭載部14が支持リード16を介して短絡することがない。   Further, as shown in FIG. 8, in the semiconductor device 23 using the lead frame 11 of the present invention, the support lead 16 does not exist in the completed state, and the semiconductor element mounting portion 14 is arranged at the center of the antenna portion 15. However, the antenna unit 15 and the semiconductor element mounting unit 14 are not short-circuited via the support lead 16.

したがって、螺旋状のアンテナ部15の中心に半導体素子搭載部14を配置することで、半導体素子搭載部14の周囲の全領域にアンテナ部15を配置することができ、アンテナ部15のループが長くなり、より高性能なアンテナ部15を有する半導体装置を得る事ができる。   Therefore, by disposing the semiconductor element mounting portion 14 at the center of the spiral antenna portion 15, the antenna portion 15 can be disposed in the entire area around the semiconductor element mounting portion 14, and the loop of the antenna portion 15 is long. Thus, a semiconductor device having a higher-performance antenna unit 15 can be obtained.

一方、図9〜図10に示すように、従来の半導体装置9では、アンテナ部3の外側位置に半導体素子搭載部2を配置し、半導体素子搭載部2とアンテナ部3をその周縁部でそれぞれ別途の搭載部支持リード5とアンテナ支持リード6によって支持しており、半導体素子搭載部2を支持する搭載部支持リード5に阻害されて半導体素子搭載部2の周囲にアンテナ部3を配置することができない。   On the other hand, as shown in FIGS. 9 to 10, in the conventional semiconductor device 9, the semiconductor element mounting portion 2 is disposed at an outer position of the antenna portion 3, and the semiconductor element mounting portion 2 and the antenna portion 3 are respectively arranged at the peripheral portions. The antenna unit 3 is arranged around the semiconductor element mounting unit 2 by being supported by a separate mounting unit supporting lead 5 and an antenna supporting lead 6 and obstructed by the mounting unit supporting lead 5 that supports the semiconductor element mounting unit 2. I can't.

本発明にかかるリードフレームは、アンテナ部の垂れ下がりを防止して、製造工程中の取り扱いを容易となす効果があり、安価な半導体装置を生産できる半導体装置用のリードフレームとして有用である。   The lead frame according to the present invention has an effect of preventing the antenna portion from sagging and facilitating handling during the manufacturing process, and is useful as a lead frame for a semiconductor device capable of producing an inexpensive semiconductor device.

本発明の実施の形態におけるリードフレームを示す図であり、(a)は平面図、(b)はA−A矢視断面図、(c)はB−B矢視断面図、(d)はC−C矢視断面図BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the lead frame in embodiment of this invention, (a) is a top view, (b) is AA arrow sectional drawing, (c) is BB arrow sectional drawing, (d) is a figure. CC cross section 同実施の形態におけるダイスボンド、ワイヤボンド後のリードフレーム状態を示す図であり、(a)は平面図、(b)はA−A矢視断面図It is a figure which shows the lead frame state after the die bond and wire bond in the embodiment, (a) is a top view, (b) is AA arrow sectional drawing. 同実施の形態における一括封止後のリードフレーム状態を示す図であり、(a)は平面図、(b)はA−A矢視断面図、(c)はB−B矢視断面図It is a figure which shows the lead frame state after collective sealing in the embodiment, (a) is a top view, (b) is AA arrow sectional drawing, (c) is BB arrow sectional drawing. 同実施の形態におけるダイシンング装置による支持リードの除去操作を示す図であり、(a)は裏面図、(b)はA−A矢視断面図It is a figure which shows the removal operation of the support lead by the die-sinking apparatus in the embodiment, (a) is a back view, (b) is AA arrow sectional drawing. 同実施の形態におけるダイシンング装置による切断、分割操作を示す図であり、(a)は裏面図、(b)はA−A矢視断面図It is a figure which shows the cutting | disconnection and division | segmentation operation by the die-sinking apparatus in the embodiment, (a) is a back view, (b) is AA arrow sectional drawing. 同実施の形態におけるリードフレームを個々に分割した状態を示す図The figure which shows the state which divided | segmented the lead frame in the embodiment separately 同実施の形態における半導体装置を示す図であり、(a)は平面図、(b)は正面図、(c)は側面図2A and 2B are diagrams illustrating the semiconductor device according to the embodiment, where FIG. 3A is a plan view, FIG. 3B is a front view, and FIG. 同実施の形態における半導体装置を示す図The figure which shows the semiconductor device in the same embodiment 従来の半導体搭載部とアンテナの支持リードを分けたリードフレームで組立た場合の半導体装置を示す図The figure which shows the semiconductor device at the time of assembling with the lead frame which divided the conventional semiconductor mounting part and the support lead of the antenna 従来の半導体搭載部とアンテナの支持リードを分けたリードフレームを示す図The figure which shows the lead frame which divided the conventional semiconductor mounting part and the support lead of the antenna

符号の説明Explanation of symbols

1 リードフレーム
2 半導体素子搭載部
3 アンテナ部
3a 内周端
3b 外周端
4 領域
5 搭載部支持リード
6 アンテナ支持リード
7 半導体素子
8 金属細線
9 封止樹脂
10 半導体装置
11 リードフレーム
12 領域
13 枠部
14 半導体素子搭載部
15 アンテナ部
15a 内周端
15b 外周端
15c 条
16 支持リード
17 樹脂充填空間
18 半導体素子
19 金属細線
20 封止樹脂
21 ダイシングソー
22 溝
23 半導体装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lead frame 2 Semiconductor element mounting part 3 Antenna part 3a Inner peripheral end 3b Outer peripheral end 4 Area | region 5 Mounting part support lead 6 Antenna support lead 7 Semiconductor element 8 Metal fine wire 9 Sealing resin 10 Semiconductor device 11 Lead frame 12 Area 13 Frame part DESCRIPTION OF SYMBOLS 14 Semiconductor element mounting part 15 Antenna part 15a Inner peripheral end 15b Outer peripheral end 15c Article 16 Support lead 17 Resin filling space 18 Semiconductor element 19 Metal fine wire 20 Sealing resin 21 Dicing saw 22 Groove 23 Semiconductor device

Claims (4)

個々の半導体装置に区分する各領域内に、半導体素子を搭載する半導体素子搭載部と螺旋状のアンテナ部と支持リードとを成型するリードフレームであって、各領域を囲む枠部が支持リードを介して半導体素子搭載部およびアンテナ部を支持し、支持リードはアンテナ部をアンテナ部下面位置で各領域の周辺部から少なくとも中心部にわたって支持し、かつリードフレームの下面からアンテナ部下面までの厚みを有することを特徴とする半導体装置用のリードフレーム。 A lead frame for molding a semiconductor element mounting portion for mounting a semiconductor element, a spiral antenna portion, and a support lead in each region divided into individual semiconductor devices, and a frame portion surrounding each region serving as a support lead The semiconductor element mounting portion and the antenna portion are supported via the support lead, and the support lead supports the antenna portion from the peripheral portion to at least the central portion of each region at the lower surface position of the antenna portion, and has a thickness from the lower surface of the lead frame to the lower surface of the antenna portion. A lead frame for a semiconductor device, comprising: 螺旋状のアンテナ部の中心に半導体素子搭載部を配置し、支持リードが半導体素子搭載部およびアンテナ部を下面位置で支持することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置用のリードフレーム。 2. The lead frame for a semiconductor device according to claim 1, wherein a semiconductor element mounting portion is disposed at the center of the spiral antenna portion, and the support lead supports the semiconductor element mounting portion and the antenna portion at a lower surface position. 請求項1〜2の何れか1項に記載の半導体装置用のリードフレームを用いて製造する半導体装置であって、リードフレームの半導体素子搭載部に半導体素子を搭載し、リードフレームのアンテナ部、半導体素子搭載部、半導体素子を封止樹脂で封止してなり、支持リードを除去した痕跡としての溝を半導体装置の下面に有し、前記溝においてアンテナ部の一部が露出することを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device manufactured using the lead frame for a semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor element is mounted on the semiconductor element mounting portion of the lead frame, and an antenna portion of the lead frame, A semiconductor element mounting portion, wherein the semiconductor element is sealed with a sealing resin, and has a groove as a trace from which the support lead is removed on the lower surface of the semiconductor device, and a part of the antenna portion is exposed in the groove. A semiconductor device. 請求項1〜2の何れか1項に記載の半導体装置用のリードフレームを用いた半導体装置の製造方法であって、半導体素子をリードフレームの半導体素子搭載部に固着させるダイスボンド工程と、半導体素子の入出力用電極とアンテナ部とを金属ワイヤで電気的に接合させるワイヤボンド工程と、リードフレームのアンテナ部、半導体素子搭載部、半導体素子を封止樹脂で封止する一括封止工程と、ダイシングソーを用いて支持リードを除去する支持リード除去工程と、ダイシングソーを用いてリードフレームを個々の半導体装置に区分するダイシング工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device using the lead frame for a semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor element is fixed to a semiconductor element mounting portion of the lead frame, and the semiconductor A wire bonding step of electrically joining the input / output electrodes of the element and the antenna portion with a metal wire, and a batch sealing step of sealing the antenna portion of the lead frame, the semiconductor element mounting portion, and the semiconductor element with a sealing resin; A method of manufacturing a semiconductor device comprising: a support lead removing step of removing a support lead using a dicing saw; and a dicing step of dividing the lead frame into individual semiconductor devices using a dicing saw.
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