JP2007128998A - Lead frame, manufacturing method of semiconductor device, and electronic machine - Google Patents

Lead frame, manufacturing method of semiconductor device, and electronic machine Download PDF

Info

Publication number
JP2007128998A
JP2007128998A JP2005319021A JP2005319021A JP2007128998A JP 2007128998 A JP2007128998 A JP 2007128998A JP 2005319021 A JP2005319021 A JP 2005319021A JP 2005319021 A JP2005319021 A JP 2005319021A JP 2007128998 A JP2007128998 A JP 2007128998A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
resin
lead frame
lead
lead terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005319021A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuhisa Nakazawa
保寿 中澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2005319021A priority Critical patent/JP2007128998A/en
Publication of JP2007128998A publication Critical patent/JP2007128998A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lead frame or the like capable of reducing a resin bur which breaks and peels off on a sag of a lead terminal. <P>SOLUTION: The protrusion 131 of the lead frame 101 protrudes from a part 111 in a third region A3 in the lead terminal 110. An air vent 301 of a sealing mold is provided between lead terminals 110, thereby blocking the part 111 of the lead terminal 110 from the air vent 301 in the third region A3 by the protrusion 131. As a result, resin flowing out from the air vent 301 does not attach to the part 111 of the lead terminal 110. Thus, the resin bur 210 can be divided into two on the sag of the terminal 110. A resin bur 211 coupled with a resin package 200 is shorter than conventional ones and thus harder to break, and since a resin bur 212 not coupled with the resin package 200 has weak adhesion with the lead terminal 110, it is peeled off and removed during a resin cutting process or the like. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、リードフレーム、当該リードフレームを利用した半導体装置の製造方法、および、当該製造方法により製造された半導体装置を適用した電子機器に関し、より具体的には、樹脂封止時に形成されリード端子に付着して残存する樹脂バリに起因した不具合を低減するための技術に関する。   The present invention relates to a lead frame, a method of manufacturing a semiconductor device using the lead frame, and an electronic device to which the semiconductor device manufactured by the manufacturing method is applied, and more specifically, a lead formed at the time of resin sealing. The present invention relates to a technique for reducing problems caused by resin burrs remaining on a terminal.

図２３〜図２７に従来のリードフレーム１００Ｚおよびそれを利用した半導体装置１Ｚの製造方法を説明するための平面図および断面図を示す。なお、図２４は図２３中の２４−２４線における断面図であり、図２７は図２６中の２７−２７線における断面図である。   23 to 27 are a plan view and a cross-sectional view for explaining a conventional lead frame 100Z and a method for manufacturing the semiconductor device 1Z using the same. 24 is a cross-sectional view taken along line 24-24 in FIG. 23, and FIG. 27 is a cross-sectional view taken along line 27-27 in FIG.

図２３に示すように、従来のリードフレーム１００Ｚは、複数の（図では３本を例示している）リード端子１１０Ｚと、これらのリード端子１１０Ｚに結合したタイバー１２０Ｚと、ダイパッド１９０Ｚとを含んでいる。なお、リードフレーム１００Ｚは板状の銅材等をリードフレーム打ち抜き金型によってパンチングして形成される。   As shown in FIG. 23, a conventional lead frame 100Z includes a plurality of lead terminals 110Z (three are illustrated in the figure), tie bars 120Z coupled to these lead terminals 110Z, and a die pad 190Z. Yes. The lead frame 100Z is formed by punching a plate-like copper material or the like with a lead frame punching die.

半導体装置１Ｚにおいて、ダイパッド１９０Ｚ上に半導体チップ５０が搭載されており、この半導体チップ５０はリード端子１１０Ｚの一端部（いわゆるインナーリード部分）やダイパッド１９０Ｚにワイヤ６０で電気的に接続されている。半導体チップ５０およびワイヤ６０は樹脂封止されており、樹脂パッケージ２００内に埋設されている。このとき、ダイパッド１９０Ｚおよびリード端子１１０Ｚの上記一端部も樹脂パッケージ２００内に埋設されている。   In the semiconductor device 1Z, the semiconductor chip 50 is mounted on the die pad 190Z, and the semiconductor chip 50 is electrically connected to one end portion (so-called inner lead portion) of the lead terminal 110Z and the die pad 190Z with a wire 60. The semiconductor chip 50 and the wire 60 are sealed with a resin and embedded in the resin package 200. At this time, the end portions of the die pad 190Z and the lead terminal 110Z are also embedded in the resin package 200.

樹脂パッケージ２００は、半導体チップ５０が搭載された状態のリードフレーム１００Ｚを封止金型（またはモールド金型）内にセッティングし、当該金型内へ樹脂を流し込むことにより形成される。封止金型にはリード端子１１０Ｚ間の位置にエアーベントが設けられており、当該エアーベントから封止樹脂がエアーとともに漏れ出て、樹脂パッケージ２００に結合した樹脂バリ２１０が発生する（図２３および図２４参照）。なお、流出した樹脂はタイバー１２０Ｚでせき止められるため、タイバー１２０Ｚとリード端子１１０Ｚとで囲まれた箇所に樹脂バリ２１０が発生する。   The resin package 200 is formed by setting the lead frame 100Z on which the semiconductor chip 50 is mounted in a sealing mold (or mold mold) and pouring the resin into the mold. The sealing mold is provided with an air vent at a position between the lead terminals 110Z, and the sealing resin leaks together with the air from the air vent to generate a resin burr 210 coupled to the resin package 200 (FIG. 23). And FIG. 24). Since the resin that has flowed out is blocked by the tie bar 120Z, a resin burr 210 is generated at a location surrounded by the tie bar 120Z and the lead terminal 110Z.

かかる樹脂封止工程後、リード端子１１０Ｚに外装メッキを施し、図２５に示すようにレジンカット金型４００Ｚによって樹脂バリ２１０を除去し、タイバー１２０Ｚ等を除去する。これにより、図２６に示すように半導体装置１Ｚが完成する。   After the resin sealing step, the lead terminals 110Z are subjected to exterior plating, and as shown in FIG. 25, the resin burrs 210 are removed by the resin cut mold 400Z, and the tie bars 120Z and the like are removed. Thereby, the semiconductor device 1Z is completed as shown in FIG.

特開２０００−１２７５７号公報JP 2000-12757 A 実開平２−７２５５７号公報Japanese Utility Model Publication No. 2-72557 特開平７−３００３７号公報JP-A-7-30037

さて、上述のようにリードフレーム１００Ｚは板状の銅材等をリードフレーム打ち抜き金型によってパンチングして形成される。この形成方法によれば、図２４に示すように、リード端子１１０Ｚの角部が直角にはならず丸くなってしまう、すなわちダレ（またはダレ面）１１３Ｚが発生してしまう。   As described above, the lead frame 100Z is formed by punching a plate-shaped copper material or the like with a lead frame punching die. According to this forming method, as shown in FIG. 24, the corner portion of the lead terminal 110Z is not right-angled but rounded, that is, a sagging (or sagging surface) 113Z is generated.

このようなダレ１１３Ｚを有したリードフレーム１００Ｚを用いて上述の樹脂封止工程を行うと、図２４に示すようにダレ１１３Ｚ上にも樹脂バリ２１０が形成される。なお、必要に応じて、樹脂バリ２１０のうちでダレ１１３Ｚ上の部分を「樹脂バリ２１１」と呼ぶことにする。ダレ１１３上の樹脂バリ２１１は、図２５に示すようにレジンカット金型４００Ｚに当たらないので除去できず、レジンカット工程後においても残ってしまう（図２６および図２７参照）。   When the above-described resin sealing process is performed using the lead frame 100Z having such a sag 113Z, a resin burr 210 is also formed on the sag 113Z as shown in FIG. Note that, as necessary, a portion of the resin burr 210 on the sagging 113Z is referred to as a “resin burr 211”. The resin burr 211 on the sag 113 cannot be removed because it does not hit the resin cut mold 400Z as shown in FIG. 25, and remains after the resin cut process (see FIGS. 26 and 27).

ダレ１１３Ｚ上の樹脂バリ２１１は、樹脂パッケージ２００との結合が強い一方、リード端子１１０Ｚとの密着性は弱い。また、樹脂バリ２１１は、その形成箇所に起因して細長く薄い。このため、当該樹脂バリ２１１は、非常に折れ易く、後工程で折れて剥がれると種々の不具合を招く可能性がある。例えば、上述の外装メッキ工程においてダレ１１３Ｚの部分は樹脂バリ２１１に覆われており当該部分にはメッキが付かないので、外装メッキ工程後に樹脂バリ２１１が剥がれるとリード端子１１０Ｚのメッキ外観上の不具合が生じうる。また、半導体装置１Ｚを基板に実装する工程でダレ１１３Ｚ上の樹脂バリ２１１が剥がれて半導体装置１Ｚと基板のはんだ付け箇所との間に挟まると、はんだ付けの不具合が生じうる。   The resin burr 211 on the sag 113Z is strongly bonded to the resin package 200, but has poor adhesion to the lead terminal 110Z. Further, the resin burr 211 is elongated and thin due to the formation location. For this reason, the resin burr 211 is very easy to break, and if the resin burr 211 is broken and peeled off in a later process, various problems may be caused. For example, in the above exterior plating process, the sagging 113Z is covered with the resin burr 211 and is not plated. Therefore, if the resin burr 211 is peeled off after the exterior plating process, there is a problem in the plating appearance of the lead terminal 110Z. Can occur. Further, if the resin burr 211 on the sag 113Z is peeled off in the process of mounting the semiconductor device 1Z on the substrate and is sandwiched between the semiconductor device 1Z and the soldered portion of the substrate, a soldering failure may occur.

本発明は、かかる点にかんがみてなされたものであり、樹脂封止時に形成されリード端子に付着した樹脂バリに起因する不具合を低減しうるリードフレームおよび半導体装置の製造方法を提供し、当該製造方法で製造された半導体装置によって信頼性が向上した電子機器を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such points, and provides a manufacturing method of a lead frame and a semiconductor device that can reduce defects caused by resin burrs formed at the time of resin sealing and attached to lead terminals, and the manufacturing method. An object of the present invention is to provide an electronic device whose reliability is improved by a semiconductor device manufactured by the method.

上記目的を達成するために本発明は、樹脂封止型の半導体装置に用いられるリードフレームにおいて、樹脂で封止される第１領域と前記第１領域に連続し前記樹脂で封止されない第２領域とに渡って延在したリード端子と、前記リード端子に前記第２領域内において結合したタイバーと、前記タイバーよりも前記第１領域の側に設けられた樹脂遮断部とを備え、前記樹脂遮断部は、前記リード端子のうちで前記タイバーと前記第１領域との間の第３領域内の一部分から前記リード端子の幅方向へ突出した突出部であることを特徴とする。   In order to achieve the above object, according to the present invention, in a lead frame used in a resin-encapsulated semiconductor device, a first region that is sealed with a resin and a second region that is continuous with the first region and is not sealed with the resin. A lead terminal extending over a region, a tie bar coupled to the lead terminal in the second region, and a resin blocking portion provided on the first region side of the tie bar, the resin The blocking part is a protruding part that protrudes in a width direction of the lead terminal from a portion of the lead terminal in a third region between the tie bar and the first region.

このような構成によれば、樹脂封止時に封止金型のエアーベントから第３領域へ流出した樹脂は樹脂遮断部（突出部）によって遮断される（せき止められる）ので、リード端子への樹脂の付着を従来よりも減らすことができる（小さくすることができる）。したがって、樹脂バリの剥がれによる上述の不具合を減らすことができる。さらに、リード端子への樹脂付着の低減によって、リード端子のメッキ面積が増える。このため、リード端子のメッキ外観がより良好になるし、当該メッキ部分におけるはんだ付けの信頼性が向上する。   According to such a configuration, the resin flowing out from the air vent of the sealing mold to the third region at the time of resin sealing is blocked (damped) by the resin blocking portion (protruding portion), so the resin to the lead terminal Can be reduced (can be made smaller) than before. Therefore, the above-described problems due to peeling of the resin burrs can be reduced. Furthermore, the plating area of the lead terminal increases due to the reduction of resin adhesion to the lead terminal. For this reason, the plating appearance of the lead terminal becomes better, and the soldering reliability in the plated portion is improved.

そして、前記突出部を前記幅方向において両側に有する前記リード端子を複数備え、前記突出部は前記第１領域から同じ距離に位置していること、または、隣接する前記リード端子間に在る前記突出部は前記第１領域から異なる距離に位置していることが好ましい。   And a plurality of the lead terminals having the protrusions on both sides in the width direction, the protrusions being located at the same distance from the first region, or between the adjacent lead terminals. The protrusions are preferably located at different distances from the first region.

さらに、上記目的を達成するために本発明は、樹脂封止型の半導体装置に用いられるリードフレームにおいて、前記リード端子と、前記タイバーと、前記タイバーよりも前記第１領域の側に設けられた樹脂遮断部とを備え、前記樹脂遮断部は、前記タイバーと前記第１領域との間の第３領域内において平面視上前記リード端子の横の空間を仕切るように設けられた仕切りであることを特徴とする。   Furthermore, in order to achieve the above object, the present invention provides a lead frame used in a resin-encapsulated semiconductor device, wherein the lead terminal, the tie bar, and the tie bar are provided closer to the first region. A resin blocking portion, and the resin blocking portion is a partition provided so as to partition a space next to the lead terminal in a plan view in a third region between the tie bar and the first region. It is characterized by.

このような構成によれば、樹脂封止時に封止金型のエアーベントから第３領域へ流出した樹脂は樹脂遮断部（仕切り）によって遮断される（せき止められる）ので、リード端子への樹脂の付着を従来よりも減らすことができる（小さくすることができる）。したがって、樹脂バリの剥がれによる上述の不具合を減らすことができる。さらに、リード端子への樹脂付着の低減によって、リード端子のメッキ面積が増える。また、仕切りは第３領域内においてリード端子横の空間を仕切るように設けられているので、リード端子の側面が樹脂封止工程後において露出し、当該側面にメッキを施すことができる。このため、リード端子のメッキ外観がより良好になるし、当該メッキ部分におけるはんだ付けの信頼性が向上する。   According to such a configuration, the resin flowing out from the air vent of the sealing mold to the third region at the time of resin sealing is blocked (damped) by the resin blocking portion (partition). Adhesion can be reduced (can be reduced) than before. Therefore, the above-described problems due to peeling of the resin burrs can be reduced. Furthermore, the plating area of the lead terminal increases due to the reduction of resin adhesion to the lead terminal. Moreover, since the partition is provided so as to partition the space beside the lead terminal in the third region, the side surface of the lead terminal is exposed after the resin sealing step, and the side surface can be plated. For this reason, the plating appearance of the lead terminal becomes better, and the soldering reliability in the plated portion is improved.

そして、前記仕切りは、前記第３領域内において前記リード端子に結合した両端を有することが好ましい。または、前記仕切りは、前記第３領域内において前記リード端子に結合した一端と、前記タイバーに結合した他端と、を有することが好ましい。または、前記仕切りは、前記第３領域内において前記リード端子に結合した一端と、前記第１領域内に設けられた他端と、を有することが好ましい。または、前記仕切りは、前記タイバーに結合した一端と、前記第１領域内に設けられた他端と、を有することが好ましい。または、前記仕切りは、前記第１領域内に設けられた一端および他端を有し、前記一端から前記第３領域内を通って前記他端へ至る形状を有することが好ましい。   The partition preferably has both ends coupled to the lead terminal in the third region. Alternatively, it is preferable that the partition has one end coupled to the lead terminal and the other end coupled to the tie bar in the third region. Alternatively, it is preferable that the partition has one end coupled to the lead terminal in the third region and the other end provided in the first region. Alternatively, the partition preferably has one end coupled to the tie bar and the other end provided in the first region. Alternatively, the partition preferably has one end and the other end provided in the first region, and has a shape extending from the one end to the other end through the third region.

さらに、本発明は、前記リードフレームを利用した半導体装置の製造方法であって、前記リード端子とエアーベントとの間に前記樹脂遮断部が介在するように前記リードフレームを封止金型へセッティングして前記第１領域を前記樹脂で封止する封止工程と、前記封止工程によって前記第３領域内に形成された樹脂バリと、前記樹脂遮断部のうちで前記第３領域内の部分と、を同時に除去する除去工程とを備えることを特徴とする。または、前記封止工程によって前記第３領域内に形成された樹脂バリを除去するバリ除去工程と、前記バリ除去工程の後に前記樹脂遮断部のうちで前記第３領域内の部分を除去する樹脂遮断部除去工程とを備えることを特徴とする。このような構成によれば、上述のリードフレームを利用するので、樹脂バリの剥がれによる上述の不具合が低減した、さらには、リード端子のメッキ外観が良好で、はんだ付けの信頼性が高い、半導体装置を製造することができる。   Further, the present invention is a method of manufacturing a semiconductor device using the lead frame, wherein the lead frame is set in a sealing mold so that the resin blocking portion is interposed between the lead terminal and an air vent. Then, a sealing step for sealing the first region with the resin, a resin burr formed in the third region by the sealing step, and a portion in the third region among the resin blocking portions And a removing step for removing at the same time. Alternatively, a burr removing step for removing the resin burr formed in the third region by the sealing step, and a resin for removing a portion in the third region in the resin blocking portion after the burr removing step And a blocking part removing step. According to such a configuration, since the above-described lead frame is used, the above-mentioned problems due to peeling of resin burrs are reduced, and the lead terminal plating appearance is good and the soldering reliability is high. The device can be manufactured.

さらに、本発明は、電子機器において、前記製造方法によって製造された半導体装置を搭載していることを特徴とし、このような構成によれば、上述のはんだ付け不具合の低減およびはんだ付けの高い信頼性によって、信頼性の高い電子機器を提供することができる。   Furthermore, the present invention is characterized in that a semiconductor device manufactured by the above-described manufacturing method is mounted in an electronic device. According to such a configuration, the above-described soldering defects are reduced and soldering is highly reliable. Depending on the characteristics, a highly reliable electronic device can be provided.

このように、本発明によれば、樹脂封止時に形成されリード端子に付着した樹脂バリに起因する不具合を低減しうるリードフレームおよび半導体装置の製造方法を提供することができ、当該製造方法で製造された半導体装置によって信頼性が向上した電子機器を提供することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a lead frame and a semiconductor device that can reduce defects caused by resin burrs formed at the time of resin sealing and attached to lead terminals. An electronic device with improved reliability can be provided by the manufactured semiconductor device.

図１に実施形態１に係るリードフレーム１０１を説明するための平面図を示し、図１中の一点鎖線で囲んだ部分２の拡大図を図２に示す。なお、説明のため、図１には半導体チップ５０およびワイヤ６０も併せて図示している。また、図３〜図８にリードフレーム１０１を適用した樹脂封止型の半導体装置１の製造方法を説明するための平面図および断面図を示す。なお、図４は図３中の一点鎖線で囲んだ部分４の拡大図であり、図５は後述の樹脂封止工程における図４中の５−５線での断面図であり、図８は図７中の一点鎖線で囲んだ部分８の拡大図である。なお、図４中の（ａ）および（ｂ）は図面の煩雑化を避けるために分けているが同じ図面である。   FIG. 1 is a plan view for explaining the lead frame 101 according to the first embodiment, and FIG. 2 is an enlarged view of a portion 2 surrounded by a one-dot chain line in FIG. For the sake of explanation, the semiconductor chip 50 and the wire 60 are also shown in FIG. 3 to 8 are a plan view and a cross-sectional view for explaining a method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device 1 to which the lead frame 101 is applied. 4 is an enlarged view of a portion 4 surrounded by an alternate long and short dash line in FIG. 3, FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line 5-5 in FIG. 4 in a resin sealing step described later, and FIG. It is an enlarged view of the part 8 enclosed with the dashed-dotted line in FIG. Note that (a) and (b) in FIG. 4 are the same although they are separated to avoid complication of the drawing.

まず、図１および図２に示すように、リードフレーム１０１は、樹脂で封止され樹脂パッケージ２００（図３参照）内に埋設される領域である第１領域Ａ１と、当該第１領域Ａ１に連続する領域であり上記樹脂で封止されずに樹脂パッケージ２００外に設けられる領域である第２領域Ａ２とに大別される。   First, as shown in FIG. 1 and FIG. 2, the lead frame 101 is sealed with resin in a first region A1 that is a region embedded in the resin package 200 (see FIG. 3), and the first region A1. A second region A2 is a continuous region and is a region provided outside the resin package 200 without being sealed with the resin.

リードフレーム１０１は、複数の（図では３本を例示している）リード端子１１０と、タイバー１２０と、ダイパッド１９０とを含んでいる。各リード端子１１０は第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とに渡って延在しており、これらのリード端子１１０にタイバー１２０が結合している。なお、タイバー１２０は第２領域Ａ２内においてリード端子１１０に結合している。また、各リード端子１１０はタイバー１２０の両側において同じ幅である。ダイパッド１９０は第１領域Ａ１内に設けられており、図示の例ではリード端子１１０の１本と結合している。   The lead frame 101 includes a plurality of lead terminals 110 (three are illustrated in the figure), a tie bar 120, and a die pad 190. Each lead terminal 110 extends over the first region A1 and the second region A2, and a tie bar 120 is coupled to these lead terminals 110. The tie bar 120 is coupled to the lead terminal 110 in the second region A2. Each lead terminal 110 has the same width on both sides of the tie bar 120. The die pad 190 is provided in the first region A1, and is coupled to one of the lead terminals 110 in the illustrated example.

特にリードフレーム１０１は樹脂遮断部としての突出部１３１をさらに含んでいる。詳細には、突出部１３１は、第２領域Ａ２内のうちで第１領域Ａ１とタイバー１２０との間の領域である第３領域Ａ３内に設けられている（したがって、タイバー１２０よりも第１領域Ａ１の側に設けられている）。そして、突出部１３１は、リード端子１１０のうちで第３領域Ａ３内の一部分１１１（図面ではわかりやすくするために太破線で囲んでいる）から当該リード端子１１０の幅方向Ｗへ突出しており、換言すればリード端子１１０の上記一部分１１１に結合している。なお、突出部１３１およびリード端子１１０の上記一部分１１１は第１領域Ａ１およびタイバー１２０から離れている。突出部１３１は各リード端子１１０の上記一部分１１１の両側（幅方向Ｗにおける両側）に設けられており、このため各リード端子１１０は両側に突出部１３１を有している。これらの突出部１３１はすべて第１領域Ａ１から同じ距離に位置しており、このため隣接するリード端子１１０間の２つの突出部１３１は互いに対向するように突出している。   In particular, the lead frame 101 further includes a protruding portion 131 as a resin blocking portion. Specifically, the protrusion 131 is provided in the third region A3 that is the region between the first region A1 and the tie bar 120 in the second region A2 (therefore, the first portion is more than the tie bar 120). Provided on the side of the area A1). The protruding portion 131 protrudes in the width direction W of the lead terminal 110 from a portion 111 (enclosed by a thick broken line in the drawing for easy understanding) in the third region A3 of the lead terminal 110, In other words, it is coupled to the portion 111 of the lead terminal 110. The protruding portion 131 and the portion 111 of the lead terminal 110 are separated from the first region A1 and the tie bar 120. The projecting portions 131 are provided on both sides (both sides in the width direction W) of the portion 111 of each lead terminal 110. For this reason, each lead terminal 110 has the projecting portions 131 on both sides. These protrusions 131 are all located at the same distance from the first region A1, and therefore, the two protrusions 131 between the adjacent lead terminals 110 protrude so as to face each other.

このような平面パターンを有するリードフレーム１０１は板状の銅材等をリードフレーム打ち抜き金型によってパンチングして形成される。このため、リード端子１１０、タイバー１２０および突出部１３１は、同じ厚さを有し、同一平面上に存在する。そして、かかる形成方法によれば、従来と同様に、リード端子１１０の角部にダレ（またはダレ面）１１３Ｚ（図２４参照）が発生する。   The lead frame 101 having such a planar pattern is formed by punching a plate-like copper material or the like with a lead frame punching die. For this reason, the lead terminal 110, the tie bar 120, and the protrusion 131 have the same thickness and exist on the same plane. According to such a forming method, sagging (or sagging surface) 113Z (see FIG. 24) occurs at the corners of the lead terminal 110 as in the conventional case.

次に、半導体装置１（図７参照）の製造方法を説明する。まず、図１に示すようにダイパッド１９０上に半導体チップ５０を搭載し、当該チップ５０をワイヤ６０でリード端子１１０の第１領域Ａ１内の部分およびダイパッド１９０に電気的に接続する。その後、半導体チップ５０が搭載された状態のリードフレーム１０１を、樹脂パッケージ２００に対応した形状の封止金型３００（図５参照）内にセッティングする。図５に示すように封止金型３００は上型３１０と下型３２０で構成され、図４（ｂ）に示すように封止金型３００にはリード端子１１０間および最も外側のリード端子１１０のさらに外側に封止金型３００のエアーベント３０１が設けられている。なお、図面ではエアーベント３０１をその配置位置を太破線で模式的に図示している。このとき、第３領域Ａ３においてリード端子１１０の上記一部分１１１と封止金型３００のエアーベント３０１との間には突出部１３１が介在し、突出部１３１によって両者１１１，３０１間が遮断されることになる。リードフレーム１０１のセッティング後、封止金型３００内へ樹脂を流し込むことにより樹脂パッケージ２００が形成され、半導体チップ５０等が樹脂封止される。   Next, a method for manufacturing the semiconductor device 1 (see FIG. 7) will be described. First, as shown in FIG. 1, the semiconductor chip 50 is mounted on the die pad 190, and the chip 50 is electrically connected to the portion in the first region A <b> 1 of the lead terminal 110 and the die pad 190 with the wire 60. Thereafter, the lead frame 101 on which the semiconductor chip 50 is mounted is set in a sealing mold 300 (see FIG. 5) having a shape corresponding to the resin package 200. As shown in FIG. 5, the sealing mold 300 includes an upper mold 310 and a lower mold 320. As shown in FIG. 4B, the sealing mold 300 includes the lead terminals 110 and the outermost lead terminals 110. Further, the air vent 301 of the sealing mold 300 is provided on the outer side. In the drawing, the arrangement position of the air vent 301 is schematically shown by a thick broken line. At this time, the protruding portion 131 is interposed between the portion 111 of the lead terminal 110 and the air vent 301 of the sealing mold 300 in the third region A3, and the protruding portion 131 blocks between the two portions 111 and 301. It will be. After setting the lead frame 101, the resin package 200 is formed by pouring resin into the sealing mold 300, and the semiconductor chip 50 and the like are sealed with resin.

かかる樹脂封止工程において、エアーベント３０１から封止樹脂がエアーとともに漏れ出て、樹脂パッケージ２００に結合した樹脂バリ２１０が発生する（図３等参照）。なお、流出した樹脂はタイバー１２０でせき止められる。このとき、突出部１３１が第３領域Ａ３へ流出した樹脂を遮断することによって（せき止めることによって）、図４に示すようにリード端子１１０の上記一部分１１１には樹脂が付着しない。これに対して、第３領域Ａ３においてリード端子１１０のうちの上記一部分１１１以外の残余部分には樹脂が付着し、当該残余部分のダレ１１３Ｚ（図２４参照）にも樹脂が付着する。ただし、樹脂バリ２１０のうちでダレ１１３Ｚ上の部分は、突出部１３１の存在によって、突出部１３１よりも第１領域Ａ１に近い側に形成され樹脂パッケージ２００に結合した樹脂バリ２１１と、突出部１３１よりも第１領域Ａ１から遠い側に形成され樹脂パッケージ２００に結合していない樹脂バリ２１２と、の２つに分断されている。つまり、突出部１３１の存在により第３領域Ａ３内においてリード端子１１０に付着する樹脂を従来よりも減らすことができる（小さくすることができる）。   In such a resin sealing process, the sealing resin leaks from the air vent 301 together with air, and a resin burr 210 bonded to the resin package 200 is generated (see FIG. 3 and the like). The spilled resin is blocked by the tie bar 120. At this time, the protrusion 131 blocks (restrains) the resin flowing out to the third region A3, so that the resin does not adhere to the portion 111 of the lead terminal 110 as shown in FIG. In contrast, in the third region A3, the resin adheres to the remaining portion of the lead terminal 110 other than the portion 111, and the resin also adheres to the sagging 113Z (see FIG. 24) of the remaining portion. However, the portion of the resin burr 210 on the sagging 113Z is formed on the side closer to the first region A1 than the protrusion 131 due to the presence of the protrusion 131, and the resin burr 211 coupled to the resin package 200, and the protrusion The resin burr 212 is divided into two, which is formed on the side farther from the first region A1 than 131 and is not bonded to the resin package 200. That is, the resin adhering to the lead terminal 110 in the third region A3 can be reduced (can be reduced) in the third region A3 due to the presence of the protrusion 131.

樹脂封止工程後、リード端子１１０に外装メッキを施す。このとき、突出部１３１によってダレ１１３Ｚ上の樹脂バリ２１０（樹脂バリ２１１，２１２）は従来よりも小さいので、ダレ１１３Ｚ上の樹脂バリ２１１，２１２によってメッキがされない面積を従来よりも減らすことができる、換言すればメッキ面積を増やすことができる。   After the resin sealing step, the lead terminals 110 are subjected to exterior plating. At this time, since the resin burr 210 (resin burr 211, 212) on the sagging 113Z is smaller than the conventional by the protrusion 131, the area that is not plated by the resin burr 211, 212 on the sagging 113Z can be reduced as compared with the conventional. In other words, the plating area can be increased.

その後、図６に示すように、金型４０１によって樹脂バリ２１０および突出部１３１（突出部１３１のうちで第３領域Ａ３内の部分、すなわち突出部１３１の全体）を同時に切断除去する。かかる同時除去は、リード端子１１０、タイバー１２０および樹脂パッケージ２００（または第１領域Ａ１）で囲まれた形状に対応した金型４０１を利用することにより可能である。このとき、ダレ１１３Ｚ上の樹脂バリ２１１，２１２は、金型４０１に当たらないので、当該金型４０１によって直接的には除去されない。しかし、樹脂パッケージ２００に結合していない樹脂バリ２１２はリード端子１１０との密着性が弱く薄いので、当該レジンカット工程において剥がれて除去される。これに対して、樹脂パッケージ２００に結合した樹脂バリ２１１は、当該樹脂パッケージ２００との結合が強いので当該除去工程以後も残存する。   After that, as shown in FIG. 6, the resin burr 210 and the protruding portion 131 (the portion in the third region A <b> 3 of the protruding portion 131, that is, the entire protruding portion 131) are simultaneously cut and removed by the mold 401. Such simultaneous removal is possible by using a mold 401 corresponding to the shape surrounded by the lead terminal 110, the tie bar 120, and the resin package 200 (or the first region A1). At this time, since the resin burrs 211 and 212 on the sag 113Z do not hit the mold 401, they are not directly removed by the mold 401. However, since the resin burr 212 that is not bonded to the resin package 200 has a weak adhesion to the lead terminal 110 and is thin, it is peeled off and removed in the resin cutting step. On the other hand, since the resin burr 211 bonded to the resin package 200 is strongly bonded to the resin package 200, it remains after the removal step.

当該同時除去工程後、タイバーカット工程およびリードカット工程を経て、図７に示すように半導体装置１が完成する。   After the simultaneous removal process, the semiconductor device 1 is completed as shown in FIG. 7 through a tie bar cutting process and a lead cutting process.

リードフレーム１０１によれば、ダレ１１３Ｚ上の樹脂バリ２１０（樹脂バリ２１１，２１２）が剥がれて生じる上述の不具合を従来よりも減らすことができる。すなわち、上述のように樹脂バリ２１１，２１２によってメッキがされない面積を従来よりも減らすことができるので、樹脂バリ２１２の除去後においてもメッキ外観上の不具合を低減できる。また、図７および図８に示すように半導体装置１の完成後においても樹脂パッケージ２００に結合した樹脂バリ２１１は残存するが、上述の分断によって従来よりも短いので、半導体装置１の実装工程で剥がれてはんだ付け不具合を引き起こすのを低減できる。   According to the lead frame 101, it is possible to reduce the above-described problems caused by the resin burrs 210 (resin burrs 211 and 212) on the sag 113Z being peeled off. That is, as described above, the area that is not plated by the resin burrs 211 and 212 can be reduced as compared with the conventional case, so that defects in plating appearance can be reduced even after the resin burrs 212 are removed. 7 and 8, the resin burr 211 bonded to the resin package 200 remains even after the semiconductor device 1 is completed, but is shorter than the conventional one due to the above-described division, and therefore, in the mounting process of the semiconductor device 1. It is possible to reduce the occurrence of soldering defects due to peeling.

さらに、リードフレーム１０１によれば、上述のようにリード端子１１０のメッキ面積が従来よりも増えるので、リード端子１１０のメッキ外観が良好になる。また、当該増加したメッキ部分を利用して実装基板へのはんだ付けを行う場合、はんだ付けの信頼性が向上する。   Furthermore, according to the lead frame 101, the plating area of the lead terminal 110 is increased as compared with the conventional case, so that the plating appearance of the lead terminal 110 is improved. Moreover, when performing soldering to the mounting board using the increased plating portion, the reliability of soldering is improved.

つまり、リードフレーム１０１を利用した製造方法によれば、樹脂バリ２１１，２１２の剥がれによる上述の不具合が低減し、さらには、リード端子１１０のメッキ外観が良好で、はんだ付けの信頼性が高い、半導体装置１を製造することができる。   That is, according to the manufacturing method using the lead frame 101, the above-described problems due to the peeling of the resin burrs 211 and 212 are reduced, and the plating appearance of the lead terminals 110 is good and the soldering reliability is high. The semiconductor device 1 can be manufactured.

ここで、図９〜図１１に半導体装置１の他の製造方法を説明するための平面図を示す。当該製造方法では樹脂バリ２１０および突出部１３１を順次、切断除去する。すなわち、図９に示すように、リード端子１１０、突出部１３１、タイバー１２０および樹脂パッケージ２００（または第１領域Ａ１）で囲まれた形状に対応したレジンカット金型４０２を利用することにより、まず樹脂バリ２１０を切断除去する。このとき、上述の製造方法と同様に、ダレ１１３Ｚ（図２４参照）上の樹脂バリ２１１，２１２は、レジンカット金型４０２によって直接的には除去されないが、樹脂パッケージ２００に結合していない樹脂バリ２１２は当該レジンカット工程において剥がれて除去される。これに対して、樹脂パッケージ２００に結合した樹脂バリ２１１はレジンカット工程以後も残存する（図１０参照）。次に、図１１に示すように、例えば上述の金型４０１（図６参照）と同様の形状の金型４０３によって、突出部１３１（突出部１３１のうちで第３領域Ａ３内の部分、すなわち突出部１３１の全体）を切断除去する。その後、上述の製造方法と同様にタイバーカット工程およびリードカット工程を経て、既述の図７に示すように半導体装置１が完成する。かかる製造方法によっても上述と同様の効果が得られる。   9 to 11 are plan views for explaining another method for manufacturing the semiconductor device 1. FIG. In the manufacturing method, the resin burr 210 and the protrusion 131 are sequentially cut and removed. That is, as shown in FIG. 9, by using a resin cut mold 402 corresponding to the shape surrounded by the lead terminal 110, the protruding portion 131, the tie bar 120, and the resin package 200 (or the first region A1), The resin burr 210 is cut and removed. At this time, as in the above-described manufacturing method, the resin burrs 211 and 212 on the sag 113Z (see FIG. 24) are not directly removed by the resin cut mold 402, but are not bonded to the resin package 200. The burr 212 is peeled off and removed in the resin cutting process. In contrast, the resin burr 211 bonded to the resin package 200 remains after the resin cutting process (see FIG. 10). Next, as shown in FIG. 11, for example, by the mold 403 having the same shape as the above-described mold 401 (see FIG. 6), the protrusion 131 (the portion in the third region A <b> 3 of the protrusion 131, i.e. The entire protrusion 131 is cut and removed. Thereafter, the semiconductor device 1 is completed as shown in FIG. 7 through the tie bar cutting step and the lead cutting step as in the above-described manufacturing method. The same effect as described above can be obtained by this manufacturing method.

図１２に実施形態２に係るリードフレーム１０２を説明するための平面図を示す。当該リードフレーム１０２は上述のリードフレーム１０１（図２等参照）において突出部１３１の配置位置を違えた形状を有している。すなわち、リードフレーム１０２では、隣接するリード端子１１０間に在る突出部１３１は第１領域Ａ１から異なる距離に位置し、これらの突出部１３１は段違いに（ジグザクに）配置されている。このとき、各リード端子１１０は両側に突出部１３１を有しており、リード端子１１０において両側の突出部１３１間の部分が上記一部分１１１に該当する。すなわち、図１２に示すように当該一部分１１１は平面視上長方形の部分でなくてもよい。このような形状のリードフレーム１０２も、打ち抜き金型によってパンチング形成され、上述のいずれの製造方法にも適用可能である。そして、リードフレーム１０２によっても上述のリードフレーム１０１と同様の効果が得られる。   FIG. 12 is a plan view for explaining the lead frame 102 according to the second embodiment. The lead frame 102 has a shape in which the protruding portion 131 is disposed at a different position in the above-described lead frame 101 (see FIG. 2 and the like). That is, in the lead frame 102, the protrusions 131 existing between the adjacent lead terminals 110 are located at different distances from the first region A1, and these protrusions 131 are arranged in a step difference (zigzag). At this time, each lead terminal 110 has protrusions 131 on both sides, and the portion between the protrusions 131 on both sides of the lead terminal 110 corresponds to the portion 111. That is, as shown in FIG. 12, the part 111 does not have to be a rectangular part in plan view. The lead frame 102 having such a shape is also punched by a punching die and can be applied to any of the manufacturing methods described above. The lead frame 102 can provide the same effects as the lead frame 101 described above.

図１３に実施形態３に係るリードフレーム１０３を説明するための平面図を示す。なお、図１３中の（ａ）および（ｂ）は図面の煩雑化を避けるために分けているが同じ図面である。   FIG. 13 is a plan view for explaining the lead frame 103 according to the third embodiment. In addition, although (a) and (b) in FIG. 13 are divided in order to avoid complication of the drawing, they are the same drawing.

当該リードフレーム１０３は上述のリードフレーム１０１（図２等参照）において突出部１３１を樹脂遮断部としての仕切り１３２に変えた形状を有している。詳細には、仕切り１３２は、コ字形（または角張ったＵ字形）をした平面視上線状部材であり、当該コ字形の開口をリード端子１１０の側に向けかつリード端子１１０の第３領域Ａ３内における一部分１１１に対向するようにして当該一部分１１１に結合している。すなわち、線状の仕切り１３２の一端１３２ａおよび他端１３２ｂはそれぞれリード端子１１０の上記一部分１１１の隅部に結合している。このため、上述の突出部１３１（図２参照）とは異なり、仕切り１３２とリード端子１１０とで囲まれて空間が生じている。つまり、仕切り１３２は、平面視上、第３領域Ａ３内においてリード端子１１０の横の空間を２つに仕切っている。なお、仕切り１３２およびリード端子１１０の上記一部分１１１は第１領域Ａ１およびタイバー１２０から離れている。仕切り１３２は各リード端子１１０の上記一部分１１１の両側に設けられており、このため各リード端子１１０は両側に仕切り１３２を有している。これらの仕切り１３２はすべて第１領域Ａ１から同じ距離に位置しており、このため隣接するリード端子１１０間の２つの仕切り１３２は互いに対向している。このような形状のリードフレーム１０３も、打ち抜き金型によってパンチング形成され、上述のいずれの製造方法にも適用可能である。   The lead frame 103 has a shape in which the protruding part 131 is changed to a partition 132 as a resin blocking part in the above-described lead frame 101 (see FIG. 2 and the like). Specifically, the partition 132 is a U-shaped (or square U-shaped) linear member in plan view, and the U-shaped opening is directed toward the lead terminal 110 and in the third region A3 of the lead terminal 110. The portion 111 is coupled to the portion 111 so as to face the portion 111. That is, one end 132 a and the other end 132 b of the linear partition 132 are respectively coupled to the corners of the portion 111 of the lead terminal 110. For this reason, unlike the above-described protrusion 131 (see FIG. 2), a space is created by being surrounded by the partition 132 and the lead terminal 110. That is, the partition 132 partitions the space next to the lead terminal 110 into two in the third region A3 in plan view. The partition 111 and the portion 111 of the lead terminal 110 are separated from the first region A1 and the tie bar 120. The partition 132 is provided on both sides of the portion 111 of each lead terminal 110. For this reason, each lead terminal 110 has a partition 132 on both sides. All of these partitions 132 are located at the same distance from the first region A1, and therefore, the two partitions 132 between the adjacent lead terminals 110 are opposed to each other. The lead frame 103 having such a shape is also punched by a punching die and can be applied to any of the manufacturing methods described above.

リードフレーム１０３によれば、封止金型３００のエアーベント３０１をリード端子１１０間および最も外側のリード端子１１０のさらに外側に設けることによって、第３領域Ａ３においてリード端子１１０の上記一部分１１１とエアーベント３０１との間には仕切り１３２が介在する。このため、仕切り１３２が上述の突出部１３１（図４参照）と同様に機能するので、上述のリードフレーム１０１と同様の効果が得られる。   According to the lead frame 103, by providing the air vent 301 of the sealing mold 300 between the lead terminals 110 and further outside the outermost lead terminal 110, the portion 111 of the lead terminal 110 and the air in the third region A3. A partition 132 is interposed between the vent 301. For this reason, since the partition 132 functions similarly to the above-mentioned protrusion 131 (refer FIG. 4), the effect similar to the above-mentioned lead frame 101 is acquired.

特にリードフレーム１０３によれば、仕切り１３２とリード端子１１０とで囲まれた上記空間内には樹脂が流入しないので、樹脂封止後においても当該空間にリード端子１１０の側面が露出する。このため、外装メッキ工程において当該露出側面にもメッキをすることができる。したがって、リード端子１１０のメッキ外観がより良好になるし、当該メッキ部分におけるはんだ付けの信頼性が向上する。   In particular, according to the lead frame 103, since resin does not flow into the space surrounded by the partition 132 and the lead terminal 110, the side surface of the lead terminal 110 is exposed in the space even after resin sealing. For this reason, the exposed side surface can also be plated in the exterior plating step. Therefore, the plating appearance of the lead terminal 110 becomes better, and the soldering reliability in the plated portion is improved.

図１４に実施形態４に係るリードフレーム１０４を説明するための平面図を示す。なお、図１４中の（ａ）および（ｂ）は図面の煩雑化を避けるために分けているが同じ図面である。   FIG. 14 is a plan view for explaining the lead frame 104 according to the fourth embodiment. Note that (a) and (b) in FIG. 14 are the same although they are separated to avoid complication of the drawing.

当該リードフレーム１０４は上述のリードフレーム１０３（図１３参照）において仕切り１３２の形状を違えた場合にあたる。詳細には、リードフレーム１０４の仕切り１３２は、Ｌ字形をした平面視上線状部材であり、当該Ｌ字形の角部がリード端子１１０から離れて位置するようにかつ第１領域Ａ１の側に位置するようにして第３領域Ａ３内に設けられている。そして、当該線状の仕切り１３２の一端１３２ａは第１領域Ａ１から離れた位置においてリード端子１１０に結合し、当該仕切り１３２の他端１３２ｂはタイバー１２０に結合している。このとき、仕切り１３２はリード端子１１０の第３領域Ａ３内における一部分１１１（図１４（ｂ）参照）に対向しており、また、仕切り１３２とリード端子１１０とタイバー１２０とで囲まれて空間が生じている。つまり、仕切り１３２は、平面視上、第３領域Ａ３内においてリード端子１１０の横の空間を２つに仕切っている。仕切り１３２は各リード端子１１０の上記一部分１１１の両側に設けられており、このため各リード端子１１０は両側に仕切り１３２を有している。これらの仕切り１３２はすべて第１領域Ａ１から同じ距離に位置しており、このため隣接するリード端子１１０間の２つの仕切り１３２は互いに対向している。このような形状のリードフレーム１０４も、打ち抜き金型によってパンチング形成され、上述のいずれの製造方法にも適用可能である。   The lead frame 104 corresponds to the case where the shape of the partition 132 is changed in the above-described lead frame 103 (see FIG. 13). Specifically, the partition 132 of the lead frame 104 is an L-shaped linear member in plan view, and the L-shaped corner is positioned away from the lead terminal 110 and positioned on the first region A1 side. Thus, it is provided in the third region A3. One end 132a of the linear partition 132 is coupled to the lead terminal 110 at a position away from the first region A1, and the other end 132b of the partition 132 is coupled to the tie bar 120. At this time, the partition 132 is opposed to a portion 111 (see FIG. 14B) in the third region A3 of the lead terminal 110, and is surrounded by the partition 132, the lead terminal 110, and the tie bar 120. Has occurred. That is, the partition 132 partitions the space next to the lead terminal 110 into two in the third region A3 in plan view. The partition 132 is provided on both sides of the portion 111 of each lead terminal 110. For this reason, each lead terminal 110 has a partition 132 on both sides. All of these partitions 132 are located at the same distance from the first region A1, and therefore, the two partitions 132 between the adjacent lead terminals 110 are opposed to each other. The lead frame 104 having such a shape is also punched by a punching die and can be applied to any of the manufacturing methods described above.

リードフレーム１０４によっても、リードフレーム１０３（図１３参照）と同様の効果が得られる。特にリードフレーム１０４によれば、仕切り１３２の他端１３２ｂがタイバー１２０に結合しているので、樹脂パッケージ２００に結合していない樹脂バリ２１２（図４参照）が発生しない。このため、メッキ外観およびはんだ付けの信頼性がより向上する。   The lead frame 104 can provide the same effect as the lead frame 103 (see FIG. 13). In particular, according to the lead frame 104, since the other end 132b of the partition 132 is coupled to the tie bar 120, a resin burr 212 (see FIG. 4) that is not coupled to the resin package 200 does not occur. For this reason, the plating appearance and the reliability of soldering are further improved.

図１５に実施形態５に係るリードフレーム１０５を説明するための平面図を示し、図１５中の一点鎖線で囲んだ部分１６の拡大図を図１６に示す。なお、図１６中の（ａ）および（ｂ）は図面の煩雑化を避けるために分けているが同じ図面である。また、樹脂封止工程における図１６（ｂ）中の１７−１７線および１８−１８線での断面図を図１７および図１８に示す。   FIG. 15 is a plan view for explaining the lead frame 105 according to the fifth embodiment, and FIG. 16 is an enlarged view of a portion 16 surrounded by a one-dot chain line in FIG. In addition, although (a) and (b) in FIG. 16 are divided in order to avoid complication of the drawing, they are the same drawing. Moreover, sectional views taken along lines 17-17 and 18-18 in FIG. 16B in the resin sealing step are shown in FIGS.

当該リードフレーム１０５は上述のリードフレーム１０４（図１４参照）において仕切り１３２の向きを反転させた場合にあたる。詳細には、リードフレーム１０５の仕切り１３２は、Ｌ字形をした平面視上線状部材であり、当該Ｌ字形の角部がリード端子１１０から離れて位置するようにかつタイバー１２０の側に位置するようにして設けられている。そして、当該線状の仕切り１３２の一端１３２ａは第３領域Ａ３内においてタイバー１２０から離れた位置でリード端子１１０に結合し、当該仕切り１３２の他端１３２ｂは第１領域Ａ１内に設けられている。なお、図示の例では、当該他端１３２ｂは第１領域Ａ１内においてリード端子１１０には結合していない。このとき、仕切り１３２はリード端子１１０の第３領域Ａ３内における一部分１１１（図１６（ｂ）参照）に対向しており、また、仕切り１３２とリード端子１１０と第１領域Ａ１とで囲まれて空間が生じている。つまり、仕切り１３２は、平面視上、第３領域Ａ３内においてリード端子１１０の横の空間を２つに仕切っている。仕切り１３２は各リード端子１１０の上記一部分１１１の両側に設けられており、このため各リード端子１１０は両側に仕切り１３２を有している。これらの仕切り１３２はすべて第１領域Ａ１から同じ距離に位置しており、このため隣接するリード端子１１０間の２つの仕切り１３２は互いに対向している。このような形状のリードフレーム１０５も、打ち抜き金型によってパンチング形成される。   The lead frame 105 corresponds to the case where the direction of the partition 132 is reversed in the above-described lead frame 104 (see FIG. 14). Specifically, the partition 132 of the lead frame 105 is an L-shaped linear member in plan view, and the L-shaped corner is positioned away from the lead terminal 110 and on the tie bar 120 side. Is provided. One end 132a of the linear partition 132 is coupled to the lead terminal 110 at a position away from the tie bar 120 in the third region A3, and the other end 132b of the partition 132 is provided in the first region A1. . In the illustrated example, the other end 132b is not coupled to the lead terminal 110 in the first region A1. At this time, the partition 132 faces a portion 111 (see FIG. 16B) in the third region A3 of the lead terminal 110, and is surrounded by the partition 132, the lead terminal 110, and the first region A1. There is space. That is, the partition 132 partitions the space next to the lead terminal 110 into two in the third region A3 in plan view. The partition 132 is provided on both sides of the portion 111 of each lead terminal 110. For this reason, each lead terminal 110 has a partition 132 on both sides. All of these partitions 132 are located at the same distance from the first region A1, and therefore, the two partitions 132 between the adjacent lead terminals 110 are opposed to each other. The lead frame 105 having such a shape is also punched by a punching die.

リードフレーム１０５は上述のいずれの製造方法にも適用可能である。このとき、樹脂封止工程において、図１６（ｂ）および図１７に示すように、封止金型３００のエアーベント３０１をリード端子１１０間において隣接する２つの仕切り１３２の間および最も外側の仕切り１３２のさらに外側に設けることによって、第３領域Ａ３においてリード端子１１０の上記一部分１１１とエアーベント３０１との間に仕切り１３２が介在し、仕切り１３２によって両者１１１，３０１間が遮断されることになる。一方、図１８に示すように、第３領域Ａ３における仕切り１３２とリード端子１１０との間には、すなわち仕切り１３２とリード端子１１０と第１領域Ａ１とで囲まれた上記空間内には下型３２０のダムブロック部３２１を設けて、樹脂バリ２１０の発生を防いでいる。なお、リードフレーム１０５の場合、仕切り１３２のうちで第３領域Ａ３内の部分が切断除去され、仕切り１３２のうちで第１領域Ａ１内の部分は樹脂パッケージ２００内に残存する。   The lead frame 105 can be applied to any of the manufacturing methods described above. At this time, in the resin sealing step, as shown in FIGS. 16B and 17, the air vent 301 of the sealing mold 300 is arranged between the two adjacent partitions 132 between the lead terminals 110 and the outermost partition. By providing it further outside 132, a partition 132 is interposed between the portion 111 of the lead terminal 110 and the air vent 301 in the third region A 3, and the partition 132 blocks between the both 111 and 301. . On the other hand, as shown in FIG. 18, there is a lower mold between the partition 132 and the lead terminal 110 in the third region A3, that is, in the space surrounded by the partition 132, the lead terminal 110, and the first region A1. 320 dam block portions 321 are provided to prevent the generation of the resin burr 210. In the case of the lead frame 105, a portion in the third region A <b> 3 of the partition 132 is cut and removed, and a portion of the partition 132 in the first region A <b> 1 remains in the resin package 200.

したがって、リードフレーム１０５によっても、リードフレーム１０３（図１３参照）等と同様の効果が得られる。特にリードフレーム１０５によれば、仕切り１３２の他端１３２ｂおよびエアーベント３０１の上述の配置関係から、樹脂パッケージ２００に結合した樹脂バリ２１１（図１３参照）が発生しない。このため、メッキ外観がより向上する。また、樹脂パッケージ２００に結合していない樹脂バリ２１２は樹脂バリ２１０および仕切り１３２の切断除去工程において剥がれて除去される。したがって、リードフレーム１０５によれば樹脂バリ２１１，２１２を除去することができるので、樹脂封止工程の後工程において樹脂バリ２１１，２１２が剥がれてはんだ付けの不具合を引き起こすことがない。   Therefore, the lead frame 105 can provide the same effects as the lead frame 103 (see FIG. 13). In particular, according to the lead frame 105, the resin burr 211 (see FIG. 13) coupled to the resin package 200 does not occur due to the above-described arrangement relationship between the other end 132b of the partition 132 and the air vent 301. For this reason, the plating appearance is further improved. Further, the resin burr 212 that is not bonded to the resin package 200 is peeled off and removed in the cutting and removing process of the resin burr 210 and the partition 132. Therefore, according to the lead frame 105, the resin burrs 211 and 212 can be removed, so that the resin burrs 211 and 212 are not peeled off in the subsequent process of the resin sealing process to cause a soldering problem.

図１９に実施形態６に係るリードフレーム１０６を説明するための平面図を示し、図１９中の一点鎖線で囲んだ部分２０の拡大図を図２０に示す。   FIG. 19 is a plan view for explaining the lead frame 106 according to the sixth embodiment, and FIG. 20 is an enlarged view of a portion 20 surrounded by a one-dot chain line in FIG.

当該リードフレーム１０６は上述のリードフレーム１０３（図１３参照）等において仕切り１３２の形状を違えた場合にあたる。詳細には、リードフレーム１０６の仕切り１３２は、平面視上直線状部材であり、リード端子１１０から離れた位置において第１領域Ａ１と第３領域Ａ３とに渡って設けられている。そして、当該直線状の仕切り１３２の一端１３２ａはタイバー１２０に結合し、当該仕切り１３２の他端１３２ｂは第１領域Ａ１内に設けられている。なお、図示の例では、上記他端１３２ｂは第１領域Ａ１内においてリード端子１１０には結合していない。このとき、仕切り１３２はリード端子１１０の第３領域Ａ３内の全体１１２（図２０ではわかりやすくするために太破線で囲んでいる）に対向しており、また、仕切り１３２とリード端子１１０との間には空間が生じている。つまり、仕切り１３２は、平面視上、第３領域Ａ３内においてリード端子１１０の横の空間を２つに仕切っている。仕切り１３２は各リード端子１１０の上記全体１１２の両側に設けられており、このため各リード端子１１０は両側に仕切り１３２を有している。このような形状のリードフレーム１０６も、打ち抜き金型によってパンチング形成される。   The lead frame 106 corresponds to the case where the shape of the partition 132 is changed in the above-described lead frame 103 (see FIG. 13) or the like. Specifically, the partition 132 of the lead frame 106 is a linear member in plan view, and is provided across the first region A1 and the third region A3 at a position away from the lead terminal 110. One end 132a of the linear partition 132 is coupled to the tie bar 120, and the other end 132b of the partition 132 is provided in the first region A1. In the illustrated example, the other end 132b is not coupled to the lead terminal 110 in the first region A1. At this time, the partition 132 is opposed to the whole 112 in the third region A3 of the lead terminal 110 (enclosed by a thick broken line in FIG. 20 for easy understanding), and between the partition 132 and the lead terminal 110. There is a space between them. That is, the partition 132 partitions the space next to the lead terminal 110 into two in the third region A3 in plan view. The partition 132 is provided on both sides of the whole 112 of each lead terminal 110. Therefore, each lead terminal 110 has a partition 132 on both sides. The lead frame 106 having such a shape is also punched by a punching die.

リードフレーム１０６は上述のいずれの製造方法にも適用可能である。このとき、上述のリードフレーム１０５（図１６参照）の場合と同様に封止金型３００のエアーベント３０１を設けることによって、リードフレーム１０５と同様の効果が得られる。特にリードフレーム１０６によれば、樹脂バリ２１１，２１２が全く発生しないので、樹脂封止工程の後工程において樹脂バリ２１１，２１２が剥がれてはんだ付けの不具合を引き起こすことがない。さらに、上述のようにダレ上の樹脂バリ２１１，２１２が全く発生せず、かつ、リード端子１１０の第３領域Ａ３内全体１１２が露出しているので、側面も含めて当該全体１１２にメッキを施すことができる。このため、メッキ外観およびはんだ付けの信頼性がより向上する。   The lead frame 106 can be applied to any of the manufacturing methods described above. At this time, the same effect as that of the lead frame 105 can be obtained by providing the air vent 301 of the sealing mold 300 as in the case of the lead frame 105 (see FIG. 16). In particular, according to the lead frame 106, since the resin burrs 211 and 212 are not generated at all, the resin burrs 211 and 212 are not peeled off in the subsequent process of the resin sealing process, thereby causing a soldering defect. Furthermore, as described above, the resin burrs 211 and 212 on the sag do not occur at all, and the entire area 112 in the third region A3 of the lead terminal 110 is exposed, so that the entire area 112 including the side surface is plated. Can be applied. For this reason, the plating appearance and the reliability of soldering are further improved.

図２１に実施形態７に係るリードフレーム１０７を説明するための平面図を示し、図２１中の一点鎖線で囲んだ部分２２の拡大図を図２２に示す。   FIG. 21 shows a plan view for explaining the lead frame 107 according to the seventh embodiment, and FIG. 22 shows an enlarged view of a portion 22 surrounded by a one-dot chain line in FIG.

当該リードフレーム１０７は上述のリードフレーム１０３（図１３参照）等において仕切り１３２の形状を違えた場合にあたる。詳細には、リードフレーム１０７の仕切り１３２は、平面視上角張ったΩ（ギリシャ文字の大文字の“オメガ”）形をした線状部材であり、第１領域Ａ１と第３領域Ａ３とに渡って設けられている。そして、当該仕切り１３２の一端１３２ａは第１領域Ａ１内に設けられてリード端子１１０に結合しており、当該仕切り１３２の他端１３２ｂは第１領域Ａ１内に設けられて隣のリード端子１１０に結合しており、仕切り１３２は全体として上記一端１３２ａから第３領域Ａ３内を通って上記他端１３２ｂへ延在する形状をしている。このとき、第３領域Ａ３において仕切り１３２とリード端子１１０との間には空間が生じている。つまり、仕切り１３２は、平面視上、第３領域Ａ３内においてリード端子１１０の横の空間を２つに仕切っている。仕切り１３２は上述のように隣接する２つのリード端子１１０に結合しており、リード端子１１０と仕切り１３２とが交互に並んでいる。このような形状のリードフレーム１０７も、打ち抜き金型によってパンチング形成される。   The lead frame 107 corresponds to the case where the partition 132 has a different shape in the above-described lead frame 103 (see FIG. 13) or the like. Specifically, the partition 132 of the lead frame 107 is a linear member having an Ω (Greek letter capital “omega”) shape that is angular in plan view, and extends across the first region A1 and the third region A3. Is provided. One end 132a of the partition 132 is provided in the first region A1 and coupled to the lead terminal 110, and the other end 132b of the partition 132 is provided in the first region A1 and connected to the adjacent lead terminal 110. The partition 132 has a shape extending from the one end 132a to the other end 132b through the third region A3 as a whole. At this time, a space is generated between the partition 132 and the lead terminal 110 in the third region A3. That is, the partition 132 partitions the space next to the lead terminal 110 into two in the third region A3 in plan view. The partition 132 is coupled to the two adjacent lead terminals 110 as described above, and the lead terminals 110 and the partitions 132 are alternately arranged. The lead frame 107 having such a shape is also punched by a punching die.

リードフレーム１０７は上述のいずれの製造方法にも適用可能である。このとき、封止金型３００のエアーベント３０１を仕切り１３２の大略Ω形の開口部に設けることによって、第３領域Ａ３においてリード端子１１０の第３領域内全体１１２とエアーベント３０１との間に仕切り１３２が介在し、仕切り１３２によって両者１１２，３０１間が遮断されることになる。したがって、リードフレーム１０７によっても、リードフレーム１０６（図１９および図２０参照）と同様の効果が得られる。   The lead frame 107 can be applied to any of the manufacturing methods described above. At this time, by providing the air vent 301 of the sealing mold 300 in the opening of the approximately Ω shape of the partition 132, the third region A3 between the entire third region 112 of the lead terminal 110 and the air vent 301 in the third region A3. A partition 132 is interposed between the two 112 and 301 by the partition 132. Therefore, the lead frame 107 can provide the same effects as the lead frame 106 (see FIGS. 19 and 20).

上述のリードフレーム１０１〜１０７を利用して種々の半導体装置１を製造することができ、かかる半導体装置１を搭載した電子機器は、上述のはんだ付け不具合の低減およびはんだ付けの高い信頼性によって、高い信頼性を発揮する。   Various semiconductor devices 1 can be manufactured by using the above-described lead frames 101 to 107, and an electronic device equipped with such a semiconductor device 1 can reduce the above-described soldering defects and have high soldering reliability. High reliability is demonstrated.

なお、突出部１３１および仕切り１３２は、例示した平面視上角張った形状でなくてもよく、曲線を含んだ形状であってもよい。   In addition, the protrusion part 131 and the partition 132 do not need to have the illustrated angular shape in plan view, and may have a curved shape.

は、本発明の実施形態１に係るリードフレームを説明するための平面図である。These are top views for demonstrating the lead frame which concerns on Embodiment 1 of this invention. は、図１中の一点鎖線で囲んだ部分２の拡大図である。These are the enlarged views of the part 2 enclosed with the dashed-dotted line in FIG. は、本発明の実施形態１に係るリードフレームを利用した半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。These are top views for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device using the lead frame which concerns on Embodiment 1 of this invention. は、図３中の一点鎖線で囲んだ部分４の拡大図である。These are the enlarged views of the part 4 enclosed with the dashed-dotted line in FIG. は、樹脂封止工程における図４（ｂ）中の５−５線での断面図である。These are sectional drawings in line 5-5 in Drawing 4 (b) in a resin sealing process. は、本発明の実施形態１に係るリードフレームを利用した半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。These are top views for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device using the lead frame which concerns on Embodiment 1 of this invention. は、本発明の実施形態１に係るリードフレームを利用した半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。These are top views for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device using the lead frame which concerns on Embodiment 1 of this invention. は、図７中の一点鎖線で囲んだ部分８の拡大図である。These are the enlarged views of the part 8 enclosed with the dashed-dotted line in FIG. は、本発明の実施形態１に係るリードフレームを利用した半導体装置の他の製造方法を説明するための平面図である。These are the top views for demonstrating the other manufacturing method of the semiconductor device using the lead frame which concerns on Embodiment 1 of this invention. は、本発明の実施形態１に係るリードフレームを利用した半導体装置の他の製造方法を説明するための平面図である。These are the top views for demonstrating the other manufacturing method of the semiconductor device using the lead frame which concerns on Embodiment 1 of this invention. は、本発明の実施形態１に係るリードフレームを利用した半導体装置の他の製造方法を説明するための平面図である。These are the top views for demonstrating the other manufacturing method of the semiconductor device using the lead frame which concerns on Embodiment 1 of this invention. は、本発明の実施形態２に係るリードフレームを説明するための平面図である。These are top views for demonstrating the lead frame which concerns on Embodiment 2 of this invention. は、本発明の実施形態３に係るリードフレームを説明するための平面図である。These are top views for demonstrating the lead frame which concerns on Embodiment 3 of this invention. は、本発明の実施形態４に係るリードフレームを説明するための平面図である。These are top views for demonstrating the lead frame which concerns on Embodiment 4 of this invention. は、本発明の実施形態５に係るリードフレームを説明するための平面図である。These are top views for demonstrating the lead frame which concerns on Embodiment 5 of this invention. は、図１５中の一点鎖線で囲んだ部分１６の拡大図である。FIG. 16 is an enlarged view of a portion 16 surrounded by an alternate long and short dash line in FIG. 15. は、樹脂封止工程における図１６（ｂ）中の１７−１７線での断面図である。These are sectional drawings in line 17-17 in Drawing 16 (b) in a resin sealing process. は、樹脂封止工程における図１６（ｂ）中の１８−１８線での断面図である。These are sectional drawings in line 18-18 in Drawing 16 (b) in a resin sealing process. は、本発明の実施形態６に係るリードフレームを説明するための平面図である。These are top views for demonstrating the lead frame which concerns on Embodiment 6 of this invention. は、図１９中の一点鎖線で囲んだ部分２０の拡大図である。FIG. 20 is an enlarged view of a portion 20 surrounded by an alternate long and short dash line in FIG. 19. は、本発明の実施形態７に係るリードフレームを説明するための平面図である。These are top views for demonstrating the lead frame which concerns on Embodiment 7 of this invention. は、図２１中の一点鎖線で囲んだ部分２２の拡大図である。FIG. 22 is an enlarged view of a portion 22 surrounded by a one-dot chain line in FIG. 21. は、従来のリードフレームおよびそれを利用した半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。These are top views for demonstrating the conventional lead frame and the manufacturing method of the semiconductor device using the same. は、図２３中の２４−２４線における断面図である。FIG. 24 is a cross-sectional view taken along line 24-24 in FIG. は、従来のリードフレームおよびそれを利用した半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。These are top views for demonstrating the conventional lead frame and the manufacturing method of the semiconductor device using the same. は、従来のリードフレームおよびそれを利用した半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。These are top views for demonstrating the conventional lead frame and the manufacturing method of the semiconductor device using the same. は、図２６中の２７−２７線における断面図である。FIG. 27 is a cross-sectional view taken along line 27-27 in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１ 半導体装置
１０１〜１０７ リードフレーム
１１０ リード端子
１１１ 一部分
１２０ タイバー
１３１ 突出部（樹脂遮断部）
１３２ 仕切り（樹脂遮断部）
１３２ａ 一端
１３２ｂ 他端
２１０ 樹脂バリ
３００ 封止金型
３０１ エアーベント
Ａ１ 第１領域
Ａ２ 第２領域
Ａ３ 第３領域
Ｗ 幅方向 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor device 101-107 Lead frame 110 Lead terminal 111 Part 120 Tie bar 131 Protrusion part (resin blocking part)
132 Partition (resin blocking part)
132a one end 132b other end 210 resin burr 300 sealing mold 301 air vent A1 first region A2 second region A3 third region W width direction

Claims (12)

樹脂封止型の半導体装置に用いられるリードフレームであって、
樹脂で封止される第１領域と前記第１領域に連続し前記樹脂で封止されない第２領域とに渡って延在したリード端子と、
前記リード端子に前記第２領域内において結合したタイバーと、
前記タイバーよりも前記第１領域の側に設けられた樹脂遮断部とを備え、
前記樹脂遮断部は、前記リード端子のうちで前記タイバーと前記第１領域との間の第３領域内の一部分から前記リード端子の幅方向へ突出した突出部であることを特徴とするリードフレーム。 A lead frame used in a resin-encapsulated semiconductor device,
A lead terminal extending over a first region sealed with resin and a second region continuous with the first region and not sealed with the resin;
A tie bar coupled to the lead terminal in the second region;
A resin blocking portion provided on the first region side than the tie bar,
The lead frame, wherein the resin blocking portion is a protruding portion protruding in a width direction of the lead terminal from a part of the lead terminal in a third region between the tie bar and the first region. . 前記突出部を前記幅方向において両側に有する前記リード端子を複数備え、
前記突出部は前記第１領域から同じ距離に位置していることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。 A plurality of the lead terminals having the protruding portions on both sides in the width direction,
The lead frame according to claim 1, wherein the protrusions are located at the same distance from the first region. 前記突出部を前記幅方向において両側に有する前記リード端子を複数備え、
隣接する前記リード端子間に在る前記突出部は前記第１領域から異なる距離に位置していることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。 A plurality of the lead terminals having the protruding portions on both sides in the width direction,
2. The lead frame according to claim 1, wherein the protrusions located between the adjacent lead terminals are located at different distances from the first region. 樹脂封止型の半導体装置に用いられるリードフレームであって、
樹脂で封止される第１領域と前記第１領域に連続し前記樹脂で封止されない第２領域とに渡って延在したリード端子と、
前記リード端子に前記第２領域内において結合したタイバーと、
前記タイバーよりも前記第１領域の側に設けられた樹脂遮断部とを備え、
前記樹脂遮断部は、前記タイバーと前記第１領域との間の第３領域内において平面視上前記リード端子の横の空間を仕切るように設けられた仕切りであることを特徴とするリードフレーム。 A lead frame used in a resin-encapsulated semiconductor device,
A lead terminal extending over a first region sealed with resin and a second region continuous with the first region and not sealed with the resin;
A tie bar coupled to the lead terminal in the second region;
A resin blocking portion provided on the first region side than the tie bar,
The lead frame according to claim 1, wherein the resin blocking portion is a partition provided so as to partition a space beside the lead terminal in a plan view in a third region between the tie bar and the first region. 前記仕切りは、前記第３領域内において前記リード端子に結合した両端を有することを特徴とする請求項４に記載のリードフレーム。   The lead frame according to claim 4, wherein the partition has both ends coupled to the lead terminal in the third region. 前記仕切りは、前記第３領域内において前記リード端子に結合した一端と、前記タイバーに結合した他端と、を有することを特徴とする請求項４に記載のリードフレーム。   The lead frame according to claim 4, wherein the partition has one end coupled to the lead terminal and the other end coupled to the tie bar in the third region. 前記仕切りは、前記第３領域内において前記リード端子に結合した一端と、前記第１領域内に設けられた他端と、を有することを特徴とする請求項４に記載のリードフレーム。   The lead frame according to claim 4, wherein the partition has one end coupled to the lead terminal in the third region and the other end provided in the first region. 前記仕切りは、前記タイバーに結合した一端と、前記第１領域内に設けられた他端と、を有することを特徴とする請求項４に記載のリードフレーム。   The lead frame according to claim 4, wherein the partition has one end coupled to the tie bar and the other end provided in the first region. 前記仕切りは、前記第１領域内に設けられた一端および他端を有し、前記一端から前記第３領域内を通って前記他端へ至る形状を有することを特徴とする請求項４に記載のリードフレーム。   The said partition has one end and the other end which were provided in the said 1st area | region, and has a shape which extends in the said 3rd area | region from the said one end to the said other end. Lead frame. 請求項１ないし請求項９のいずれかに記載のリードフレームを利用した半導体装置の製造方法であって、
前記リード端子とエアーベントとの間に前記樹脂遮断部が介在するように前記リードフレームを封止金型へセッティングして前記第１領域を前記樹脂で封止する封止工程と、
前記封止工程によって前記第３領域内に形成された樹脂バリと、前記樹脂遮断部のうちで前記第３領域内の部分と、を同時に除去する除去工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device using the lead frame according to any one of claims 1 to 9,
A sealing step of sealing the first region with the resin by setting the lead frame to a sealing mold so that the resin blocking portion is interposed between the lead terminal and the air vent;
A semiconductor device comprising: a removal step of simultaneously removing a resin burr formed in the third region by the sealing step and a portion of the resin blocking portion in the third region. Manufacturing method. 請求項１ないし請求項９のいずれかに記載のリードフレームを利用した半導体装置の製造方法であって、
前記リード端子とエアーベントとの間に前記樹脂遮断部が介在するように前記リードフレームを封止金型へセッティングして前記第１領域を前記樹脂で封止する封止工程と、
前記封止工程によって前記第３領域内に形成された樹脂バリを除去するバリ除去工程と、
前記バリ除去工程の後に前記樹脂遮断部のうちで前記第３領域内の部分を除去する樹脂遮断部除去工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device using the lead frame according to any one of claims 1 to 9,
A sealing step of sealing the first region with the resin by setting the lead frame to a sealing mold so that the resin blocking portion is interposed between the lead terminal and the air vent;
A burr removing step of removing the resin burr formed in the third region by the sealing step;
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a resin blocking portion removing step of removing a portion in the third region of the resin blocking portion after the burr removing step. 請求項１０ないし請求項１１のいずれかに記載の製造方法によって製造された半導体装置を搭載していることを特徴とする電子機器。   12. An electronic apparatus comprising a semiconductor device manufactured by the manufacturing method according to claim 10.
JP2005319021A 2005-11-02 2005-11-02 Lead frame, manufacturing method of semiconductor device, and electronic machine Pending JP2007128998A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005319021A JP2007128998A (en) 2005-11-02 2005-11-02 Lead frame, manufacturing method of semiconductor device, and electronic machine

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005319021A JP2007128998A (en) 2005-11-02 2005-11-02 Lead frame, manufacturing method of semiconductor device, and electronic machine

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007128998A true JP2007128998A (en) 2007-05-24

Family

ID=38151400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005319021A Pending JP2007128998A (en) 2005-11-02 2005-11-02 Lead frame, manufacturing method of semiconductor device, and electronic machine

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007128998A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2549531A1 (en) * 2011-07-21 2013-01-23 Nxp B.V. Lead frame for semiconductor device
JP2015153946A (en) * 2014-02-17 2015-08-24 トヨタ自動車株式会社 Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2549531A1 (en) * 2011-07-21 2013-01-23 Nxp B.V. Lead frame for semiconductor device
JP2015153946A (en) * 2014-02-17 2015-08-24 トヨタ自動車株式会社 Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI458411B (en) Method for manufacturing printed circuit board
US7803660B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP4488733B2 (en) A method for manufacturing a circuit board and a method for manufacturing a hybrid integrated circuit device.
US20090289342A1 (en) Semiconductor Device and Semiconductor Device Manufacturing Method
JP2005085089A (en) Ic card and manufacturing method thereof
JP2015072947A (en) Semiconductor device and manufacturing method of the same
JPH06291234A (en) Semiconductor device lead frame and semiconductor device provided therewith
JP6841550B2 (en) Lead frame and its manufacturing method
JP2010021251A (en) Semiconductor device and its manufacturing method
JP2017168690A (en) Multiple row type led frame and method for manufacturing the same
JP2007128998A (en) Lead frame, manufacturing method of semiconductor device, and electronic machine
JP2011060934A (en) Method of manufacturing lead frame and semiconductor apparatus
JP2004247613A (en) Semiconductor device and its manufacturing process
JP4800141B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP2010087173A (en) Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
JP4359113B2 (en) Wiring board manufacturing method and wiring board
JP2005079365A (en) Substrate frame and method for manufacturing semiconductor device using this
JP2005116687A (en) Lead frame, semiconductor device and its manufacturing process
JP2010192857A (en) Leadframe and method of manufacturing the same
JP2008227317A (en) Semiconductor device, wiring board therefor, sealing die and manufacturing method
JP2012182179A (en) Lead frame substrate for led element and light emitting element
JP4728032B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
TWI811617B (en) lead frame
JP2012253234A (en) Lead frame substrate for led element, and light emission element
JP2005191258A (en) Method of manufacturing semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20071105