JP2006059844A - Reduced pressure drying apparatus - Google Patents

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治 春日
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reduced pressure drying apparatus which can form a film of uniform thickness on the surface of a substrate. <P>SOLUTION: A chamber 10 which contains a substrate (plate P) by a mounting stand 12 and a vertically movable lid 14 and can be closed airtightly is formed. An exhaust tube 24 is provided in the upper part of the lid 14 to make the chamber 10 into pressure reduction. The upper part of the lid 14 has an exhaust port forming part 16 having a plurality of exhaust ports 16a-16c formed therein. The sizes of the openings of the exhaust ports 16a-16c are gradually reduced at the position formed with the exhaust ports from the center of the chamber 10 toward the outer periphery thereof. Therefore, the exhausting speed is decelerated from the center of the chamber 10 toward the outer periphery thereof, and the drying speed of a solution coating on the plate P can be maintained uniformly. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

この発明は、表面に所定の溶液等が塗布されている基板に減圧乾燥処理を施す減圧乾燥装置に関するものである。   The present invention relates to a reduced-pressure drying apparatus that performs a reduced-pressure drying process on a substrate whose surface is coated with a predetermined solution or the like.

従来、半導体素子の製造工程等において、レジスト溶液等を基板の表面に塗布した後、レジスト溶液に含まれる溶媒成分を乾燥させることによって、所定の膜(例えば、レジスト膜)を形成していた。ここで、乾燥処理を施す場合、形成される膜の厚さを均一に保つ必要があるため、所定のチャンバを有し、チャンバ内を排気しながら減圧し、その際に形成された気流によりレジスト溶液を平坦化する減圧乾燥を施すことによって、均一な厚さのレジスト膜が形成されていた。   Conventionally, in a semiconductor element manufacturing process or the like, after a resist solution or the like is applied to the surface of a substrate, a solvent component contained in the resist solution is dried to form a predetermined film (for example, a resist film). Here, when the drying process is performed, it is necessary to keep the thickness of the film to be formed uniform. Therefore, a predetermined chamber is provided, and the pressure is reduced while exhausting the inside of the chamber. A resist film having a uniform thickness was formed by drying under reduced pressure to flatten the solution.

なお、均一な厚さのレジスト膜を形成するために、整流板を用いて均一な気流を形成する基板の処理装置が存在する(特許文献1参照)。この基板の処理装置は、整流板を基板の載置台に対して平行になるように支持し、整流板と基板との間に流れる気流の速度が基板面において均一になるように保つことによって、均一な厚さのレジスト膜を形成している。   In order to form a resist film having a uniform thickness, there is a substrate processing apparatus that forms a uniform airflow using a rectifying plate (see Patent Document 1). The substrate processing apparatus supports the rectifying plate so as to be parallel to the substrate mounting table, and keeps the velocity of the airflow flowing between the rectifying plate and the substrate uniform on the substrate surface. A resist film having a uniform thickness is formed.

特開2002‐313709号公報JP 2002-313709 A

ところで、基板上には、通常、均一な状態で溶液が塗布されるが、基板上の中央部と外周部とでは溶液の乾燥速度が異なることから、均一に溶液を塗布することによって、逆に形成される膜厚が不均一になるという問題がある。即ち、上述の特許文献1記載の基板の処理装置におけるように、整流板を用いて基板面において均一な気流を形成している場合、基板上の中央部と外周部とでの乾燥速度の違いから、基板上に塗布されている溶液の溶媒濃度が異なってしまい、形成される膜の厚さが不均一になっていた。   By the way, the solution is usually applied in a uniform state on the substrate. However, since the drying speed of the solution is different between the central portion and the outer peripheral portion on the substrate, the solution is applied uniformly to the substrate. There is a problem that the formed film thickness becomes non-uniform. That is, when the uniform airflow is formed on the substrate surface using the rectifying plate as in the substrate processing apparatus described in Patent Document 1 described above, the difference in drying speed between the central portion and the outer peripheral portion on the substrate. Therefore, the solvent concentration of the solution applied on the substrate is different, and the thickness of the formed film is not uniform.

この発明の課題は、表面に所定の溶液等が塗布されている基板において、基板面上での溶液の乾燥速度を同一にすることにより、均一な厚さの膜を形成することができる減圧乾燥装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide a substrate having a surface coated with a predetermined solution or the like, and the reduced-pressure drying capable of forming a film having a uniform thickness by making the drying speed of the solution on the substrate surface the same. Is to provide a device.

この発明に係る減圧乾燥装置は、気密な処理室を形成するチャンバと、前記チャンバの上部に形成された複数の排気口と、前記排気口を介して前記処理室内の雰囲気を前記チャンバから排気して前記処理室内を減圧する排気部とを備え、前記チャンバの中央部に配置された前記排気口は、前記チャンバの外周部に配置された前記排気口に比較して、大きい開口部を有することを特徴とする。   The reduced-pressure drying apparatus according to the present invention exhausts the atmosphere in the processing chamber from the chamber through a chamber forming an airtight processing chamber, a plurality of exhaust ports formed in an upper portion of the chamber, and the exhaust port. And the exhaust port disposed in the central portion of the chamber has a larger opening than the exhaust port disposed in the outer peripheral portion of the chamber. It is characterized by.

また、この発明に係る減圧乾燥装置は、前記排気口の開口部が、前記開口部が形成されている位置が前記チャンバの中央部から外周部になるに従って、前記開口部の大きさが徐々に小さく形成されていることを特徴とする。   In the vacuum drying apparatus according to the present invention, the size of the opening of the exhaust port gradually increases as the position where the opening is formed changes from the central portion of the chamber to the outer peripheral portion. It is characterized by being formed small.

この減圧乾燥装置によれば、チャンバの上部に形成された複数の排気口の開口の大きさが、排気口の位置が中央部から外周部になるに従って徐々に小さくなっている。即ち、中央部に比較して乾燥速度が速い外周部では排気口の開口を中央部より小さく、外周部に比較して乾燥速度が遅い中央部では排気口の開口を外周部より大きくしている。従って、基板上に均一に溶液を塗布した場合であっても、中央部と外周部とにおける乾燥速度を同一に保ち、均一な厚さの膜を形成することができる。   According to this vacuum drying apparatus, the size of the openings of the plurality of exhaust ports formed in the upper portion of the chamber is gradually reduced as the position of the exhaust ports is changed from the central portion to the outer peripheral portion. That is, the opening of the exhaust port is smaller than the central portion at the outer peripheral portion where the drying speed is faster than the central portion, and the exhaust port opening is larger than the outer peripheral portion at the central portion where the drying speed is slower than the outer peripheral portion. . Therefore, even when the solution is uniformly applied on the substrate, the drying rate in the central portion and the outer peripheral portion can be kept the same, and a film having a uniform thickness can be formed.

また、この発明に係る減圧乾燥装置は、前記開口部の大きさを可変するための開口可変機構を備えることを特徴とする。この減圧乾燥装置によれば、開口可変機構により開口の大きさを変更することができるため、基板上に塗布する溶液の種類や濃度等によって乾燥速度を調整することができ、確実に均一な厚さの膜を形成することができる。   Moreover, the reduced-pressure drying apparatus according to the present invention is characterized by including an opening variable mechanism for changing the size of the opening. According to this reduced pressure drying apparatus, the size of the opening can be changed by the opening variable mechanism, so that the drying speed can be adjusted depending on the type and concentration of the solution applied on the substrate, and the uniform thickness can be surely obtained. This film can be formed.

以下、図面を参照して、この発明の実施の形態に係る減圧乾燥装置について説明する。図1は、実施の形態に係る減圧乾燥装置の構成図である。減圧乾燥装置2は、プレートPを収容して気密に閉鎖可能な処理室を形成するチャンバ10を有している。チャンバ10は、プレートPを載置し、厚みのある矩形の載置台12と、載置台12の上方に位置し、下面に矩形上の開口を有する蓋体14とで構成されている。また、チャンバ10の蓋体14の上部には、所定の大きさの開口を有する排気口16a〜16cが形成された排気口形成部16が設けられている。   Hereinafter, a vacuum drying apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram of a vacuum drying apparatus according to an embodiment. The vacuum drying apparatus 2 includes a chamber 10 that accommodates the plate P and forms a processing chamber that can be hermetically closed. The chamber 10 includes a plate P having a thickness, a rectangular mounting table 12 having a thickness, and a lid 14 positioned above the mounting table 12 and having a rectangular opening on the lower surface. Further, an exhaust port forming portion 16 in which exhaust ports 16 a to 16 c having openings of a predetermined size are formed is provided on the upper portion of the lid body 14 of the chamber 10.

蓋体14には、蓋体14を上下動させる昇降機構18が設けられている。昇降機構18は、例えばモータによって蓋体14を昇降させる駆動部20と、当該駆動部20を制御する制御部22とを有している。これによって、蓋体14が上下方向に移動可能となり、蓋体14を下降させて、載置台12と一体となって処理室を形成する。   The lid body 14 is provided with an elevating mechanism 18 that moves the lid body 14 up and down. The elevating mechanism 18 includes, for example, a drive unit 20 that raises and lowers the lid body 14 with a motor, and a control unit 22 that controls the drive unit 20. As a result, the lid body 14 can be moved in the vertical direction, and the lid body 14 is lowered to form a processing chamber integrally with the mounting table 12.

蓋体14の上面の中央部には、処理室内の雰囲気を排気する排気部としての排気管24が設けられている。排気管24は、処理室内の雰囲気を所定の圧力で吸引する吸引ポンプ26に連通されており、当該吸引ポンプ26は、ポンプ制御部28によってその吸引力が制御されている。かかる構成によって、吸引ポンプ26が作動され、排気管24からチャンバ10内の雰囲気を排気し吸引して、チャンバ10内を減圧することができる。また、蓋体14の下端面には、処理室の気密性を確保するためのOリング30が設けられている。   An exhaust pipe 24 serving as an exhaust unit for exhausting the atmosphere in the processing chamber is provided at the center of the upper surface of the lid 14. The exhaust pipe 24 is communicated with a suction pump 26 that sucks the atmosphere in the processing chamber at a predetermined pressure, and the suction force of the suction pump 26 is controlled by a pump control unit 28. With this configuration, the suction pump 26 is operated, and the atmosphere in the chamber 10 can be exhausted and sucked from the exhaust pipe 24 to reduce the pressure in the chamber 10. Further, an O-ring 30 is provided on the lower end surface of the lid body 14 to ensure the airtightness of the processing chamber.

排気管24には、当該排気管24を介して処理室内に気体、例えば、窒素ガスを供給する供給部32が接続されている。これによって、減圧乾燥処理後に処理室内に気体を供給し、減圧状態を回復させ、または、処理室内の雰囲気をパージすることができる。   A supply unit 32 that supplies gas, for example, nitrogen gas, to the processing chamber is connected to the exhaust pipe 24 through the exhaust pipe 24. As a result, the gas can be supplied into the processing chamber after the reduced pressure drying process to recover the reduced pressure state, or the atmosphere in the processing chamber can be purged.

排気管24による処理室内の雰囲気の排気は、排気口形成部16に設けられた複数の排気口16a〜16cを介して行われる。排気口16a〜16cは、図2に示すように、排気口形成部16の中央部に設けられている排気口16aの開口が最も大きく、中央部から外周部に行くに従って開口が小さくなっている。即ち、外周部に設けられている排気口16cの開口が最も小さく、中央部と外周部との中間に設けられている排気口16bの開口は、排気口16aの開口と、排気口16cの開口との中間の大きさとなっている。即ち、排気口が形成されている位置が、チャンバ10の中央部から外周部になるに従って、開口の大きさが徐々に小さく形成されている。従って、中央部から外周部になるに従って排気速度が遅くなり、プレートP上における溶液の乾燥速度を均一に保つことができる。   Exhaust of the atmosphere in the processing chamber by the exhaust pipe 24 is performed through a plurality of exhaust ports 16 a to 16 c provided in the exhaust port forming unit 16. As shown in FIG. 2, the exhaust ports 16 a to 16 c have the largest opening of the exhaust port 16 a provided in the central portion of the exhaust port forming portion 16, and the opening becomes smaller from the central portion toward the outer peripheral portion. . That is, the opening of the exhaust port 16c provided in the outer peripheral portion is the smallest, and the opening of the exhaust port 16b provided in the middle between the central portion and the outer peripheral portion is the opening of the exhaust port 16a and the opening of the exhaust port 16c. It is the middle size. That is, the size of the opening is gradually reduced as the position where the exhaust port is formed changes from the central portion of the chamber 10 to the outer peripheral portion. Therefore, the exhaust speed decreases as it goes from the central part to the outer peripheral part, and the drying speed of the solution on the plate P can be kept uniform.

また、この排気口16a〜16cの開口の大きさは、基板上に塗布される溶液の種類、濃度及び粘度等に基づいて調整され、排気口16a〜16cの開口の大きさが調整されることによって排気速度が調整される。即ち、図3に示すように、排気口16aには、開口可変機構50が設けられている。開口可変機構50は、排気口16aの開口上に進退可能に開口を挟んだ両側に設けられたプレート状部材50aと、プレート状部材50aの駆動を行う駆動部50bにより構成されている。駆動部50bは、図示しない制御部からの制御信号に基づいて、プレート状部材50aを排気口16aの開口上へ、開口の両側から進入させ、または、両側へ退避させることにより開口の大きさを調整する。なお、図3においては、排気口16aに設けられている開口可変機構について説明したが、同様の開口可変機構が排気口16b、16cの各々に設けられている。また、開口可変機構により排気口16a〜16cの開口は任意に調整することができるが、開口の大きさは常に排気口16aが最も大きく、次いで、16b、16cの順番となるように保たれている。   Further, the size of the openings of the exhaust ports 16a to 16c is adjusted based on the kind, concentration, viscosity, and the like of the solution applied on the substrate, and the size of the openings of the exhaust ports 16a to 16c is adjusted. The exhaust speed is adjusted by. That is, as shown in FIG. 3, an opening variable mechanism 50 is provided at the exhaust port 16a. The opening variable mechanism 50 includes a plate-like member 50a provided on both sides of the opening so as to be able to advance and retreat over the opening of the exhaust port 16a, and a drive unit 50b that drives the plate-like member 50a. Based on a control signal from a control unit (not shown), the driving unit 50b allows the plate-like member 50a to enter the opening of the exhaust port 16a from both sides of the opening, or to retract to both sides, thereby reducing the size of the opening. adjust. In FIG. 3, the variable opening mechanism provided in the exhaust port 16a has been described, but a similar variable opening mechanism is provided in each of the exhaust ports 16b and 16c. Further, the openings of the exhaust ports 16a to 16c can be arbitrarily adjusted by the variable opening mechanism. However, the size of the opening is always the largest at the exhaust port 16a, and then the order of 16b and 16c is maintained. Yes.

排気口形成部16に設けられた排気口16a〜16cの開口を調整して排気速度を調整することにより、排気管24からの排気時に、プレートPの表面上の雰囲気が排気口形成部16の排気口16a〜16cを介して、蓋体14の上部に吸引され、排気管24に向かう放射状の気流が形成される。即ち、排気口形成部16において、排気口の位置が中央部から外周部になるに従って、開口の大きさが徐々に小さくなっているため、中央部から外周部になるに従ってプレートPの表面上を流れる気流の速度が遅くなる。従って、乾燥速度が遅い中央部においては気流の速度が速く、乾燥速度が速い外周部においては気流の速度が遅くなっているため、プレートP上における乾燥速度が同一に保たれる。   By adjusting the exhaust speed by adjusting the openings of the exhaust ports 16 a to 16 c provided in the exhaust port forming part 16, the atmosphere on the surface of the plate P of the exhaust port forming part 16 is changed during exhaust from the exhaust pipe 24. A radial airflow toward the exhaust pipe 24 is formed by being sucked into the upper portion of the lid body 14 through the exhaust ports 16a to 16c. That is, in the exhaust port forming portion 16, the size of the opening gradually decreases as the position of the exhaust port moves from the central portion to the outer peripheral portion, so that the surface of the plate P is moved from the central portion to the outer peripheral portion. The speed of the flowing airflow becomes slow. Therefore, the air velocity is high in the central portion where the drying speed is slow, and the air velocity is slow in the outer peripheral portion where the drying speed is fast, so that the drying speed on the plate P is kept the same.

載置台12には、載置台12を所定の温度に調節する温度調節部材、例えば、ペルチェ素子34が設けられている。ペルチェ素子34は、ペルチェ素子34の電源を制御する温度制御部36によってその温度が制御されている。これによって、載置台12を所定の温度に調節し、載置台12上のプレートPを所定の温度に維持することができる。   The mounting table 12 is provided with a temperature adjusting member that adjusts the mounting table 12 to a predetermined temperature, for example, a Peltier element 34. The temperature of the Peltier element 34 is controlled by a temperature control unit 36 that controls the power source of the Peltier element 34. Thereby, the mounting table 12 can be adjusted to a predetermined temperature, and the plate P on the mounting table 12 can be maintained at a predetermined temperature.

載置台12上には、載置台12上のプレートPの外縁部に対応する位置にプロキシミティピン38が設けられており、プレートPは、このプロキシミティピン38上に載置される。これによって、載置台12との間の熱交換が輻射熱によって行われるため、プレートPの面内温度の均一性を確保することができる。   On the mounting table 12, a proximity pin 38 is provided at a position corresponding to the outer edge of the plate P on the mounting table 12, and the plate P is mounted on the proximity pin 38. Thereby, since heat exchange with the mounting table 12 is performed by radiant heat, the uniformity of the in-plane temperature of the plate P can be ensured.

載置台12の下方には、プレートPの下面を支持し、昇降させるための手段である昇降ピン40が複数設けられている。当該昇降ピン40は、フランジ42上に直立させて設けられている。また、昇降ピン40は、載置台12の中央付近に設けられた貫通孔44内を移動自在である。昇降ピン40は、フランジ42を上下方向に移動させるシリンダ等を備えた昇降駆動部46に接続されている。これによって、昇降ピン40は、貫通孔44内を上下方向に移動して、載置台12上に突出できる。   Below the mounting table 12, a plurality of elevating pins 40 that are means for supporting the lower surface of the plate P and elevating it are provided. The elevating pin 40 is provided upright on the flange 42. The elevating pin 40 is movable in a through hole 44 provided near the center of the mounting table 12. The raising / lowering pin 40 is connected to the raising / lowering drive part 46 provided with the cylinder etc. which move the flange 42 to an up-down direction. As a result, the elevating pins 40 can move up and down in the through holes 44 and protrude onto the mounting table 12.

フランジ42と貫通孔44との間の昇降ピン40は、伸縮自在なベローズ48によって覆われている。これによって、外部の雰囲気が貫通孔44を通じて処理室に流入することが防止され、処理室内の気密性が確保される。   The elevating pin 40 between the flange 42 and the through hole 44 is covered with a bellows 48 that can be expanded and contracted. As a result, an external atmosphere is prevented from flowing into the processing chamber through the through hole 44, and airtightness in the processing chamber is ensured.

次に、減圧乾燥装置2における乾燥処理について説明する。なお、以下においては、液晶表示装置を製造する液晶表示装置製造ライン100に減圧乾燥装置2が組み込まれている場合を例として説明する。   Next, the drying process in the reduced pressure drying apparatus 2 will be described. In the following, a case where the reduced pressure drying apparatus 2 is incorporated in the liquid crystal display device manufacturing line 100 for manufacturing a liquid crystal display device will be described as an example.

図4は、この発明の実施の形態に係る減圧乾燥装置2を含む液晶表示装置製造ラインの構成の一例を示す図である。図4に示すように、液晶表示装置製造ライン100は、各工程においてそれぞれ用いられる洗浄装置112、吐出装置(液滴吐出装置)114、減圧乾燥装置2、焼成装置116、ラビング装置118、各装置を接続するベルトコンベアBC、ベルトコンベアBCを駆動させる駆動装置122及び液晶表示装置製造ライン100全体の制御を行う制御装置120により構成されている。また、洗浄装置112、吐出装置114、減圧乾燥装置2、焼成装置116及びラビング装置118は、ベルトコンベアBCに沿って所定の間隔で一列に配置されている。   FIG. 4 is a diagram showing an example of a configuration of a liquid crystal display device production line including the vacuum drying apparatus 2 according to the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, the liquid crystal display device production line 100 includes a cleaning device 112, a discharge device (droplet discharge device) 114, a vacuum drying device 2, a baking device 116, a rubbing device 118, and each device used in each process. Belt conveyor BC, a driving device 122 for driving the belt conveyor BC, and a control device 120 for controlling the entire liquid crystal display device production line 100. Further, the cleaning device 112, the discharge device 114, the reduced pressure drying device 2, the baking device 116, and the rubbing device 118 are arranged in a line at predetermined intervals along the belt conveyor BC.

制御装置120は、洗浄装置112、吐出装置114、減圧乾燥装置2、焼成装置116、ラビング装置118及び駆動装置122に接続されている。駆動装置122は、制御装置120からの制御信号に基づいてベルトコンベアBCを駆動させ、液晶表示装置の基板(以下、単に「基板」とする。)を洗浄装置112、吐出装置114、減圧乾燥装置2、焼成装置116及びラビング装置118に搬送する。洗浄装置112においては基板を洗浄する処理が行われ、吐出装置114においては基板上に配向膜材料を塗布する処理、即ち、基板上に配向膜材料を含む液滴を吐出する処理が行われ、減圧乾燥装置2においては配向膜材料を仮乾燥させる処理が行われる。また、焼成装置116においては仮乾燥させた配向膜材料を焼成させる処理が行われ、ラビング装置118においては配向膜のラビング処理が行われる。   The control device 120 is connected to the cleaning device 112, the discharge device 114, the vacuum drying device 2, the baking device 116, the rubbing device 118, and the driving device 122. The driving device 122 drives the belt conveyor BC based on a control signal from the control device 120, and the substrate of the liquid crystal display device (hereinafter simply referred to as “substrate”) is the cleaning device 112, the discharge device 114, and the vacuum drying device. 2. It conveys to the baking apparatus 116 and the rubbing apparatus 118. The cleaning device 112 performs processing for cleaning the substrate, and the ejection device 114 performs processing for applying an alignment film material on the substrate, that is, processing for discharging droplets containing the alignment film material on the substrate. In the vacuum drying apparatus 2, a process of temporarily drying the alignment film material is performed. Further, the baking apparatus 116 performs a process for baking the temporarily dried alignment film material, and the rubbing apparatus 118 performs a rubbing process for the alignment film.

次に、図5のフローチャートを参照して、実施の形態に係る減圧乾燥装置を用いた液晶表示装置製造ラインにおける液晶表示装置の製造処理について説明する。   Next, with reference to the flowchart of FIG. 5, the manufacturing process of the liquid crystal display device in the liquid crystal display device manufacturing line using the reduced pressure drying apparatus according to the embodiment will be described.

まず、配向膜を形成する基板(プレートP)を洗浄する(ステップS10)。例えば、セグメント電極が形成されたプレートPをベルトコンベアBCにより洗浄装置112まで搬送する。ベルトコンベアBCにより搬送されたプレートPが洗浄装置112内に取り込まれ、アルカリ系洗剤、純水等を用いてプレートPが洗浄された後、所定の温度及び時間、例えば、80〜90℃で5〜10分間乾燥させる処理が行われる。なお、洗浄及び乾燥が行われたプレートPは、ベルトコンベアBCにより吐出装置114まで搬送される。   First, the substrate (plate P) on which the alignment film is formed is washed (step S10). For example, the plate P on which the segment electrodes are formed is conveyed to the cleaning device 112 by the belt conveyor BC. After the plate P conveyed by the belt conveyor BC is taken into the cleaning device 112 and washed with an alkaline detergent, pure water or the like, the plate P is washed at a predetermined temperature and time, for example, 80 to 90 ° C. A process of drying for 10 minutes is performed. The plate P that has been cleaned and dried is conveyed to the discharge device 114 by the belt conveyor BC.

次に、ステップS10において洗浄されたプレートP上に配向膜材料を塗布する(ステップS11)。即ち、まず、ベルトコンベアBCにより吐出装置114まで搬送されたプレートPを吐出装置114内に取り込む。吐出装置114内においては、タンク内に収容されている配向膜材料をノズルを介して吐出し、プレートP上に配向膜材料を塗布する。次に、プレートPは、吐出装置114において、水平に保持された状態で、例えば、1分間放置され、レベリングが行われる。その後、吐出装置114からベルトコンベアBCへと移され、ベルトコンベアBCにより減圧乾燥装置2へと搬送される。   Next, an alignment film material is applied on the plate P washed in step S10 (step S11). That is, first, the plate P conveyed to the discharge device 114 by the belt conveyor BC is taken into the discharge device 114. In the discharge device 114, the alignment film material accommodated in the tank is discharged through a nozzle, and the alignment film material is applied onto the plate P. Next, the plate P is left in the discharge device 114 in a horizontal state, for example, for 1 minute, and leveling is performed. Then, it moves to the belt conveyor BC from the discharge apparatus 114, and is conveyed to the reduced pressure drying apparatus 2 by the belt conveyor BC.

次に、プレートPに塗布された配向膜材料を仮乾燥させる処理が行われる(ステップS12)。即ち、ベルトコンベアBCにより減圧乾燥装置2まで搬送されたプレートPが載置台12上に載置され、減圧乾燥装置2内に取り込まれる。   Next, a process of temporarily drying the alignment film material applied to the plate P is performed (step S12). That is, the plate P conveyed to the vacuum drying apparatus 2 by the belt conveyor BC is placed on the mounting table 12 and taken into the vacuum drying apparatus 2.

ここで、減圧乾燥装置2における乾燥処理について説明する。まず、プレートPが減圧乾燥装置2に搬送される前に、載置台12は、温度制御部36及びペルチェ素子34によって所定の温度、例えば常温に維持されている。また、減圧乾燥装置2においては、仮乾燥させた配向膜の膜厚のバラツキが±5%の範囲内となる乾燥条件が予め設定されている。この乾燥条件には、開口可変機構50(図3参照)により調整される排気口16a〜16cの開口の大きさ等が含まれており、例えば、試験的に配向膜材料が塗布されたプレートPを乾燥させる乾燥条件設定テスト等を行うことによって予め設定される。   Here, the drying process in the reduced pressure drying apparatus 2 will be described. First, before the plate P is conveyed to the reduced pressure drying apparatus 2, the mounting table 12 is maintained at a predetermined temperature, for example, room temperature by the temperature control unit 36 and the Peltier element 34. In the vacuum drying apparatus 2, drying conditions are set in advance so that the variation in the thickness of the alignment film that has been temporarily dried is within a range of ± 5%. The drying conditions include the size of the openings of the exhaust ports 16a to 16c adjusted by the opening variable mechanism 50 (see FIG. 3). For example, the plate P on which an alignment film material is applied on a test basis. It is set in advance by performing a drying condition setting test or the like for drying.

次に、プレートPは、吐出装置114からベルトコンベアBCを介して搬送され、載置台12の上方まで移動される。このとき、蓋体14は、図6に示すように昇降機構18によって上昇し、プレートPが載置台12の上方まで移動される。載置台12の上方まで移動されたプレートPは、載置台12上で予め上昇して待機していた昇降ピン40に受け渡される。次いで、昇降ピン40が昇降駆動部46によって下降され、プレートPが載置台12上のプロキシミティピン38上に載置される。次いで、蓋体14が下降され、蓋体14の下端部が載置台12に密着して、気密な処理室が形成される。   Next, the plate P is transported from the discharge device 114 via the belt conveyor BC and moved to above the mounting table 12. At this time, the lid 14 is raised by the elevating mechanism 18 as shown in FIG. 6, and the plate P is moved to above the mounting table 12. The plate P that has been moved to the upper side of the mounting table 12 is transferred to the lifting pins 40 that have been lifted and waited in advance on the mounting table 12. Next, the elevating pin 40 is lowered by the elevating drive unit 46, and the plate P is placed on the proximity pin 38 on the mounting table 12. Next, the lid body 14 is lowered, and the lower end portion of the lid body 14 is brought into close contact with the mounting table 12 to form an airtight processing chamber.

次に、吸引ポンプ26が作動され、処理室内の雰囲気が排気管24を介して所定の圧力で吸引され始める。これに伴い処理室内に気流が形成される。当該気流は、排気口16a〜16cから蓋体14上部に流通し、排気管24に流れる。排気口16a〜16cは、中央部から外周部に向かって開口の大きさが小さくなっているため、プレートP上の乾燥速度を均一に保ちながら乾燥が行われる。即ち、中央部から外周部に向かって開口の大きさが小さくなっているため、乾燥速度の遅いプレートPの中央部には速度の速い気流が形成され、乾燥速度の速いプレートPの外周部には速度の遅い気流が形成され、プレートPの全体における乾燥速度が均一に保たれる。   Next, the suction pump 26 is operated, and the atmosphere in the processing chamber starts to be sucked at a predetermined pressure through the exhaust pipe 24. Along with this, an air flow is formed in the processing chamber. The airflow flows from the exhaust ports 16 a to 16 c to the upper portion of the lid body 14 and flows to the exhaust pipe 24. Since the size of the openings of the exhaust ports 16a to 16c decreases from the central portion toward the outer peripheral portion, drying is performed while keeping the drying speed on the plate P uniform. That is, since the size of the opening is reduced from the central portion toward the outer peripheral portion, a high-speed airflow is formed in the central portion of the plate P having a low drying speed, and the outer peripheral portion of the plate P having a high drying speed is formed. As a result, a slow air flow is formed, and the drying speed of the entire plate P is kept uniform.

そして、所定時間乾燥が行われた後、吸引ポンプ26が停止され、処理室内の減圧が停止される。次いで、供給部32から排気管24を介して、窒素ガスが処理室内に供給され、処理室内の圧力が回復される。そして、処理室内の圧力が大気圧にまで回復されると、窒素ガスの供給が停止される。   Then, after drying for a predetermined time, the suction pump 26 is stopped, and the decompression in the processing chamber is stopped. Next, nitrogen gas is supplied from the supply unit 32 through the exhaust pipe 24 into the processing chamber, and the pressure in the processing chamber is recovered. Then, when the pressure in the processing chamber is recovered to atmospheric pressure, the supply of nitrogen gas is stopped.

次に、蓋体14が昇降機構18によって上昇され、チャンバ10により形成されていた処理室内が開放される。そして、搬入時と同様にして、プレートPが昇降ピン40によって上昇され(図6参照)、ベルトコンベアBCに受け渡される。ベルトコンベアBCに受け渡されたプレートPは、減圧乾燥装置2から搬出され、焼成装置116に搬送される。   Next, the lid 14 is raised by the elevating mechanism 18, and the processing chamber formed by the chamber 10 is opened. Then, in the same manner as at the time of carrying in, the plate P is lifted by the lifting pins 40 (see FIG. 6) and transferred to the belt conveyor BC. The plate P delivered to the belt conveyor BC is unloaded from the reduced pressure drying device 2 and conveyed to the baking device 116.

次に、仮乾燥が行われた配向膜材料を焼成する処理が行われる(ステップS13)。即ち、ベルトコンベアBCにより焼成装置116まで搬送されたプレートPを焼成装置116内に取り込み、例えば、180〜250℃で焼成する。なお、焼成が行われ配向膜が形成されたプレートPは、ベルトコンベアBCへと移され、ベルトコンベアBCによりラビング装置118へと搬送される。   Next, a process of baking the alignment film material that has been temporarily dried is performed (step S13). That is, the plate P conveyed to the baking apparatus 116 by the belt conveyor BC is taken into the baking apparatus 116, and is baked at 180 to 250 ° C., for example. In addition, the plate P on which the alignment film is formed by baking is transferred to the belt conveyor BC and is conveyed to the rubbing device 118 by the belt conveyor BC.

次に、プレートP上に形成された配向膜をラビングする処理が行われる(ステップS14)。即ち、ベルトコンベアBCによりラビング装置118まで搬送されたプレートPをラビング装置118内に取り込み、例えば、布を用いてプレートP上に形成されている配向膜を擦ることによりラビング処理を施す。なお、配向膜にラビング処理が施された後、プレートPは、ベルトコンベアBCへと移され、ベルトコンベアBCにより、図示しない基板収容カセット等に収容される。また、図示しない基板収容カセット等に収容されたプレートPは、図示しない組立装置において、カラーフィルタ、ブラックマトリクス、オーバーコート膜、コモン電極及び配向膜が形成された他のプレートと貼り合わせられる。そして、貼り合わせられたプレート間に液晶が注入されることにより、液晶表示装置が製造される。   Next, a process of rubbing the alignment film formed on the plate P is performed (step S14). That is, the plate P conveyed to the rubbing device 118 by the belt conveyor BC is taken into the rubbing device 118, and the rubbing process is performed by rubbing the alignment film formed on the plate P using a cloth, for example. After the rubbing process is performed on the alignment film, the plate P is transferred to the belt conveyor BC and is stored in a substrate storage cassette (not shown) by the belt conveyor BC. Further, the plate P accommodated in a substrate accommodation cassette or the like (not shown) is bonded to another plate on which a color filter, a black matrix, an overcoat film, a common electrode and an alignment film are formed in an assembly apparatus (not shown). And a liquid crystal display device is manufactured by inject | pouring a liquid crystal between the bonded plates.

この発明の実施の形態に係る減圧乾燥装置は、チャンバの上部に形成された複数の排気口の開口の大きさが、排気口の位置が中央部から外周部になるに従って徐々に小さくなっている。即ち、基板上に所定の溶液が均一に塗布された場合、同一の条件下においては中央部と外周部とで乾燥速度が異なり、外周部の乾燥速度の方が中央部の乾燥速度よりも速くなっている。従って、中央部から外周部になるに従って開口の大きさを徐々に小さくすることによって、基板上における溶媒の乾燥速度を均一に保つことができ、形成される膜の厚さを均一にすることができる。   In the vacuum drying apparatus according to the embodiment of the present invention, the size of the openings of the plurality of exhaust ports formed in the upper part of the chamber is gradually reduced as the position of the exhaust ports is changed from the central portion to the outer peripheral portion. . That is, when a predetermined solution is uniformly applied on the substrate, the drying speed differs between the central portion and the outer peripheral portion under the same conditions, and the drying speed of the outer peripheral portion is faster than the drying speed of the central portion. It has become. Therefore, by gradually reducing the size of the opening from the central part to the outer peripheral part, the drying rate of the solvent on the substrate can be kept uniform, and the thickness of the formed film can be made uniform. it can.

また、この発明の実施の形態に係る減圧乾燥装置は、開口可変機構を用いて排気口の開口の大きさを変えることにより、排気速度を変更することができる。即ち、基板上に塗布される溶液の種類、溶媒濃度及び粘度等を考慮して、塗布された溶液により形成される膜の厚さが均一になるように、排気口の開口の大きさを調整することができる。従って、排気口の開口の大きさを調整することによって、確実に均一な厚さの膜を形成することができるように、乾燥速度を調整することができる。   Moreover, the reduced pressure drying apparatus according to the embodiment of the present invention can change the exhaust speed by changing the size of the opening of the exhaust port using the opening variable mechanism. In other words, the size of the opening of the exhaust port is adjusted so that the thickness of the film formed by the applied solution is uniform in consideration of the type of solution applied to the substrate, the solvent concentration, the viscosity, and the like. can do. Therefore, by adjusting the size of the opening of the exhaust port, the drying speed can be adjusted so that a film having a uniform thickness can be reliably formed.

なお、上述の実施の形態に係る減圧乾燥装置においては、液晶表示装置を製造する場合を例として説明したが、その他のものを製造する際に用いるようにしてもよい。例えば、カラーフィルタ、オーバーコート、有機EL、半導体素子等の製造工程において用いるようにしてもよい。   In the vacuum drying apparatus according to the above-described embodiment, the case where a liquid crystal display device is manufactured has been described as an example. However, the liquid crystal display device may be used when manufacturing other devices. For example, you may make it use in manufacturing processes, such as a color filter, overcoat, organic EL, and a semiconductor element.

実施の形態に係る減圧乾燥装置の構成図。The block diagram of the reduced pressure drying apparatus which concerns on embodiment. 実施の形態に係る減圧乾燥装置の排気口の開口部を説明するための図。The figure for demonstrating the opening part of the exhaust port of the reduced pressure drying apparatus which concerns on embodiment. 実施の形態に係る開口可変機構の構成図。The block diagram of the opening variable mechanism which concerns on embodiment. 実施の形態に係る液晶表示装置製造ラインの一例を示す図。The figure which shows an example of the liquid crystal display device manufacturing line which concerns on embodiment. 実施の形態に係る液晶表示装置の製造工程を説明するフローチャート。6 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a liquid crystal display device according to an embodiment. 実施の形態に係る減圧乾燥装置の動作を説明するための図。The figure for demonstrating operation | movement of the vacuum drying apparatus which concerns on embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

2…減圧乾燥装置、10…チャンバ、12…載置台、14…蓋体、16…排気口形成部、16a〜16c…排気口、100…液晶表示装置製造ライン、112…洗浄装置、114…吐出装置、116…焼成装置、118…ラビング装置、120…制御装置、122…駆動装置、P…プレート。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 ... Vacuum drying apparatus, 10 ... Chamber, 12 ... Mounting stand, 14 ... Cover body, 16 ... Exhaust port formation part, 16a-16c ... Exhaust port, 100 ... Liquid crystal display manufacturing line, 112 ... Cleaning apparatus, 114 ... Discharge Device: 116 ... Baking device, 118 ... Rubbing device, 120 ... Control device, 122 ... Drive device, P ... Plate.

Claims (3)

気密な処理室を形成するチャンバと、
前記チャンバの上部に形成された複数の排気口と、
前記排気口を介して前記処理室内の雰囲気を前記チャンバから排気して前記処理室内を減圧する排気部と
を備え、
前記チャンバの中央部に配置された前記排気口は、前記チャンバの外周部に配置された前記排気口に比較して、大きい開口部を有することを特徴とする減圧乾燥装置。
A chamber forming an airtight process chamber;
A plurality of exhaust ports formed in an upper portion of the chamber;
An exhaust unit that exhausts the atmosphere in the processing chamber from the chamber through the exhaust port and depressurizes the processing chamber;
The vacuum drying apparatus according to claim 1, wherein the exhaust port disposed in a central portion of the chamber has a larger opening than the exhaust port disposed in an outer peripheral portion of the chamber.
前記排気口の開口部は、前記開口部が形成されている位置が前記チャンバの中央部から外周部になるに従って、前記開口部の大きさが徐々に小さく形成されていることを特徴とする請求項1記載の減圧乾燥装置。   The opening portion of the exhaust port is formed such that the size of the opening portion is gradually reduced as the position where the opening portion is formed is changed from the central portion to the outer peripheral portion of the chamber. Item 2. The vacuum drying apparatus according to Item 1. 前記開口部の大きさを可変するための開口可変機構を備えることを特徴とする請求項1または請求項2記載の減圧乾燥装置。   The reduced-pressure drying apparatus according to claim 1, further comprising an opening variable mechanism for changing a size of the opening.
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