JP2006059791A - Organic device and organic electroluminescent device - Google Patents
Organic device and organic electroluminescent device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006059791A JP2006059791A JP2004356963A JP2004356963A JP2006059791A JP 2006059791 A JP2006059791 A JP 2006059791A JP 2004356963 A JP2004356963 A JP 2004356963A JP 2004356963 A JP2004356963 A JP 2004356963A JP 2006059791 A JP2006059791 A JP 2006059791A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dipole
- organic
- molecular layer
- layer
- molecule
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 claims description 92
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 25
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 46
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 17
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 17
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 17
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- JRLJMUHQAANBPU-UHFFFAOYSA-N CO[Si](OC)(OC)C#CC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C#CC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 JRLJMUHQAANBPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 10
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- -1 hypophosphite compound Chemical class 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- SZDGBDNKBQZBMT-UHFFFAOYSA-N triethoxy-(4-nitrophenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 SZDGBDNKBQZBMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RUPXNPWALFDXJD-ZZXKWVIFSA-N (e)-3-(4-nitrophenyl)prop-2-enoyl chloride Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=C(\C=C\C(Cl)=O)C=C1 RUPXNPWALFDXJD-ZZXKWVIFSA-N 0.000 description 3
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 3
- NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 2-[2,4-di(pentan-2-yl)phenoxy]acetyl chloride Chemical compound CCCC(C)C1=CC=C(OCC(Cl)=O)C(C(C)CCC)=C1 NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZBWLKPAWHWCQIU-UHFFFAOYSA-N [3,5-bis(trifluoromethyl)phenyl]-trimethoxysilane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC(C(F)(F)F)=CC(C(F)(F)F)=C1 ZBWLKPAWHWCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- OAIASDHEWOTKFL-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C(C)C=CC=1)C1=CC=CC=C1 OAIASDHEWOTKFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 2
- CBVJWBYNOWIOFJ-UHFFFAOYSA-N chloro(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](Cl)(OC)OC CBVJWBYNOWIOFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- BRXDAEMGSYZHGK-UHFFFAOYSA-N (4-bromophenyl)-trimethoxysilane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=C(Br)C=C1 BRXDAEMGSYZHGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSVCVIHEBDJTCJ-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-3,5-bis(trifluoromethyl)benzene Chemical compound FC(F)(F)C1=CC(Br)=CC(C(F)(F)F)=C1 CSVCVIHEBDJTCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDFBKZUDCQQKAC-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=C(Br)C=C1 ZDFBKZUDCQQKAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCZMQYGSXWZFKI-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-4-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=C(OP(Cl)(Cl)=O)C=C1 CCZMQYGSXWZFKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAZZTEJDUGESGQ-UHFFFAOYSA-N 1-ethynyl-4-nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=C(C#C)C=C1 GAZZTEJDUGESGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVFJWYZMQAEBMO-UHFFFAOYSA-N 1h-benzo[h]quinolin-10-one Chemical compound C1=CNC2=C3C(=O)C=CC=C3C=CC2=C1 ZVFJWYZMQAEBMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXBVSRMHOPMXBA-UHFFFAOYSA-N 4-nitrothiophenol Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=C(S)C=C1 AXBVSRMHOPMXBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 238000004847 absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005998 bromoethyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005997 bromomethyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- JEZFASCUIZYYEV-UHFFFAOYSA-N chloro(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](Cl)(OCC)OCC JEZFASCUIZYYEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002603 chloroethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])Cl 0.000 description 1
- 125000004218 chloromethyl group Chemical group [H]C([H])(Cl)* 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000004836 empirical method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002462 isocyano group Chemical group *[N+]#[C-] 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000004219 molecular orbital method Methods 0.000 description 1
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000003077 quantum chemistry computational method Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005031 thiocyano group Chemical group S(C#N)* 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は、有機デバイス及び有機エレクトロルミネッセンスデバイスに関し、さらに詳しくは、有機デバイスの長寿命化及び低消費電力化に関する。 The present invention relates to an organic device and an organic electroluminescence device, and more particularly to extending the life and reducing power consumption of an organic device.
エレクトロルミネッセンス(以下、ELと称する)素子や太陽電池等のデバイスにおいて、近年有機物を用いた有機デバイスの開発が活発になっている。有機デバイスの利点としては、安価であること、フレキシブルであること、製造が比較的容易であることなどが挙げられる。一方、解決すべき課題としては電極注入効率の向上や、閾値電圧の低下、長寿命化等が挙げられる。 In recent years, the development of organic devices using organic substances has become active in devices such as electroluminescence (hereinafter referred to as EL) elements and solar cells. Advantages of the organic device include being inexpensive, flexible, and relatively easy to manufacture. On the other hand, problems to be solved include improvement of electrode injection efficiency, reduction of threshold voltage, and extension of life.
上記課題のうちの閾値電圧の低下を目指し、特許文献1では一般式(II):
しかしながら、上記特許文献1の有機ELデバイスにおいて、長寿命化の問題は解決されていない。その理由として、一般のデバイスに印加される程度の高電界において、電極と双極子分子の結合部位に加わる力は非常に大きいものとなってしまい、結合部位が破壊してしまうことが考えられる。つまり、上記デバイスは一般に用いられる程度の電界に対しても比較的脆く、双極子分子層を含まないデバイスと比較して劇的な寿命の延びは見られない。
Aiming at lowering the threshold voltage among the above problems,
However, in the organic EL device of
したがって、このように電極と結合させた双極子分子層を有することによる閾値電圧の低下に加え、長寿命である有機デバイスが要望されている。
電極表面に双極子分子層を結合させることにより電極の仕事関数を変化させた有機デバイスにおいて、電極の仕事関数の変化量はキャリア注入障壁の大きさに直結するため、デバイスの長寿命化と密接に関連する。そのため仕事関数変化量と寿命との関係を知ることがデバイス長寿命化への近道である。
しかし、寿命と、実験結果から得られる仕事関数の変化量との相関を見出すことは容易ではない。これは実験で得られる仕事関数変化量にはデバイスの界面状態など複雑な要因がからんでくるためである。
したがって、界面状態などの複雑な要因を取り除いた簡明な数式で仕事関数変化量を表現し、寿命との関係を知ることが有用であるが、今日まで仕事関数の変化量を数式化したという報告はない。
そこで、本発明は、まず仕事関数の変化量を具体的に数式化し、導出した数式をもとに大きな仕事関数の変化量を有する有機デバイスを提供することを課題とする。
Therefore, there is a demand for an organic device having a long lifetime in addition to the reduction in threshold voltage due to having a dipole molecular layer bonded to an electrode in this way.
In an organic device in which the work function of the electrode is changed by bonding a dipole molecular layer to the electrode surface, the amount of change in the work function of the electrode is directly linked to the size of the carrier injection barrier. is connected with. Therefore, knowing the relationship between the work function variation and the lifetime is a shortcut to extending the device lifetime.
However, it is not easy to find a correlation between the lifetime and the amount of work function change obtained from the experimental results. This is because the work function variation obtained in the experiment involves complicated factors such as the interface state of the device.
Therefore, it is useful to express the amount of work function change with a simple formula that removes complex factors such as the interface state, and to know the relationship with the lifetime. There is no.
In view of the above, an object of the present invention is to provide an organic device having a large work function variation based on the derived mathematical formula.
本発明は、上記課題を解決するために、表面に双極子分子が付いた電極の仕事関数の変化量ΔVを電磁気学からの考察により数式として表現し、それを有機デバイスの作製に応用するものである。
ある平面電極上に、電極に垂直な方向に双極子分子が同一方向に平行に整列する場合を考える。ここで原点を双極子分子の中点とし、双極子分子の長さをL、電極側の双極子端で+q、もう一方の双極子端で−qの電荷を持つものとし、双極子を有する分子1個あたりが占める面積をA、双極子分子層中の比誘電率をεs、真空の誘電率をε0とすると、電極と反対側の双極子端でのΔVは式(3)で表すことができる。
In order to solve the above problems, the present invention expresses a work function variation ΔV of an electrode having a dipole molecule on its surface as a mathematical expression based on electromagnetic considerations, and applies it to the fabrication of an organic device. It is.
Consider a case where dipole molecules are aligned in parallel in the same direction on a plane electrode in a direction perpendicular to the electrode. Here, the origin is the middle point of the dipole molecule, the length of the dipole molecule is L, + q at the end of the dipole on the electrode side, and −q at the other dipole end, and has a dipole. Assuming that the area occupied by one molecule is A, the relative dielectric constant in the dipole molecular layer is ε s , and the dielectric constant in vacuum is ε 0 , ΔV at the dipole end opposite to the electrode is given by equation (3) Can be represented.
つまり、仕事関数の変化量ΔVは、ある双極子を有する分子(化合物を含む)を電極に付けた際、双極子分子層の誘電率ε(=εsε0)、双極子分子1分子当りの占める面積A、双極子モーメントμ(=+ql)で制御可能であることが分かる。ここで、キャリア注入障壁の大きさVと電極の仕事関数の変化量ΔVには式(4)の関係がある。 In other words, the work function change ΔV is the dielectric constant ε (= ε s ε 0 ) of the dipole molecular layer when a molecule having a certain dipole (including a compound) is attached to the electrode, and per dipole molecule. It can be seen that control can be performed with the area A occupied by and the dipole moment μ (= + ql). Here, the relationship between the size V of the carrier injection barrier and the amount of change ΔV in the work function of the electrode is represented by the equation (4).
V0は電極の仕事関数に変化がないときのキャリア注入障壁である。一般に、ΔVの値はV0に比べて約1桁小さいため、ΔVがV0よりも大きい場合は考慮に入れる必要はなく、上記式(3)からΔVが大きいものほどキャリア注入障壁を小さくできる。以上のことか、A、εが小さく、かつμが大きいものであればΔVは大きくなり、寿命の長いデバイスが得られると考えられる。つまり、長寿命デバイスを得るためにはより大きなμ/εAをもつ双極子分子層を有する有機デバイスを作製する必要があると考えられる。また、デバイス作製において電極と双極子分子との結合が、耐久力に富む化学的結合であることも寿命を延ばすためには必要なことであろう。 V 0 is a carrier injection barrier when there is no change in the work function of the electrode. In general, the value of [Delta] V is about one order of magnitude smaller than the V 0, [Delta] V is not required to be taken into account if it is larger than V 0, can reduce the carrier injection barrier as those [Delta] V is greater from the above equation (3) . As described above, if A and ε are small and μ is large, ΔV increases and it is considered that a device having a long lifetime can be obtained. In other words, in order to obtain a long-life device, it is considered necessary to produce an organic device having a dipole molecular layer having a larger μ / εA. In addition, it may be necessary to extend the life of the device by making the bond between the electrode and the dipole molecule a chemical bond having a high durability.
かくして、前記の課題を解決するために、本発明によれば、少なくとも第1の電極、双極子分子層、単層または多層の有機分子層及び第2の電極が順次積層され、前記第1の電極と双極子分子層は化学結合し、かつ、前記双極子分子層が式(1):
本発明は別の観点によれば、上記構造の有機デバイスを備えた有機エレクトロルミネッセンスデバイスが提供される。
本発明はさらに別の観点によれば、上記有機デバイスの製造方法であって、双極子分子層を形成するための分子を第1の電極と気相反応させることにより化学結合させる工程を含み、該工程において、反応時間及び反応温度を制御することにより、複数の同一分子を最密充填した状態で第1の電極と化学結合させて1つの層を構成する単分子膜を形成する有機デバイスの製造方法が提供される。
According to another aspect of the present invention, there is provided an organic electroluminescence device including the organic device having the above structure.
According to still another aspect of the present invention, there is provided a method for producing the above organic device, including a step of chemically bonding molecules for forming a dipole molecular layer by performing a gas phase reaction with a first electrode, In this process, by controlling the reaction time and the reaction temperature, an organic device that forms a monomolecular film that forms a single layer by chemically bonding with the first electrode in a state where a plurality of the same molecules are closely packed is formed. A manufacturing method is provided.
本発明の有機デバイスによれば、μ/εA>0.20(単位:電圧V)となる双極子分子層を有し、電極上に双極子分子層を化学結合(特に、共有結合)させることにより、長寿命化を図ることができる。
また、本発明の有機ELデバイスによれば、長寿命化されることに加え、閾値電圧の低下に伴い、低消費電力駆動が可能になる。
また、本発明の有機デバイスの製造方法によれば、反応時間及び反応温度を制御することにより、複数の同一分子を最密充填した状態で第1の電極と化学結合させて1つの層を構成する単分子膜を形成することができるため、双極子分子層全体の抵抗が減少し、かつ、双極子分子層中のピンホールが減少することにより、長寿命化が図られた有機デバイスを製造することができると共に、デバイスの製造コストを低減することが可能となる。
According to the organic device of the present invention, the dipole molecular layer having μ / εA> 0.20 (unit: voltage V) is provided, and the dipole molecular layer is chemically bonded (particularly covalent bond) on the electrode. As a result, the life can be extended.
Moreover, according to the organic EL device of the present invention, it is possible to drive with low power consumption as the threshold voltage decreases in addition to extending the life.
In addition, according to the method for producing an organic device of the present invention, by controlling the reaction time and the reaction temperature, a single layer is formed by chemically bonding with the first electrode in a state of being packed most closely with the same molecule. Can produce a monomolecular film that reduces the resistance of the entire dipole molecular layer and reduces the number of pinholes in the dipole molecular layer. And the manufacturing cost of the device can be reduced.
本発明の有機デバイスは、基板上に陽極(第1の電極)、双極子分子層、単層または多層の有機分子層、陰極(第2の電極)が順次形成され、前記陽極と双極子分子層は化学結合し、かつ、前記双極子分子層がμ/εA>0.20(単位:電圧V)(εは双極子分子層の誘電率、Aは双極子分子層を構成する1分子あたりの平均占有面積、μは双極子分子層を構成する1分子あたりの双極子モーメント)を満足するものである。好ましくは、μ/εA>0.30(V)であり、この双極子分子層を用いることによりさらに長寿命化を図ることができる。 In the organic device of the present invention, an anode (first electrode), a dipole molecular layer, a monolayer or multilayer organic molecular layer, and a cathode (second electrode) are sequentially formed on a substrate. The layers are chemically bonded, and the dipole molecular layer is μ / εA> 0.20 (unit: voltage V) (ε is the dielectric constant of the dipole molecular layer, and A is the per molecule constituting the dipole molecular layer. Of the average occupying area, μ satisfies the dipole moment per molecule constituting the dipole molecular layer. Preferably, [mu] / [epsilon] A> 0.30 (V). By using this dipole molecular layer, the lifetime can be further extended.
本発明の有機デバイスにおいて、上記構成に加えて双極子分子層がシランカップリング系化合物からなるものが好ましい。シランカップリング系化合物は電極と結合させる分子として電極と安定して共有結合することができるため、作製した有機デバイスの寿命がさらに延びる効果がある。
上記μ/εA>0.20(V)を満たすシランカップリング系化合物において、誘電率εは4〜30×10-11F/mであり、平均占有面積Aは30〜70Å2であり、双極子モーメントμは2〜6Debyeである。
In the organic device of the present invention, it is preferable that the dipole molecular layer is made of a silane coupling compound in addition to the above configuration. Since the silane coupling compound can be stably covalently bonded to the electrode as a molecule to be bonded to the electrode, there is an effect that the lifetime of the manufactured organic device is further extended.
In the silane coupling compound satisfying μ / εA> 0.20 (V), the dielectric constant ε is 4 to 30 × 10 −11 F / m, the average occupation area A is 30 to 70 2 , and the bipolar The child moment μ is 2 to 6 Debye.
上記の各条件を満たすシランカップリング系化合物のうち、下記の一般式(III)もしくは(IV)で表される構造を有する化合物を用いることが好ましい。換言すれば、本発明に係るシランカップリング系化合物は、下記の一般式(III)もしくは(IV)で表される構造を有し、かつ、上記μ/εA>0.20(V)を満たす化合物が好ましい。
上記一般式(III)もしくは(IV)において、ハロゲン原子としてはF、Cl、Br等が挙げられる。低級アルキル基としては炭素原子が1〜4個のメチル、エチル、プロピル、ブチル基等が挙げられる。ハロゲン化低級アルキル基としてはクロロメチル、クロロエチル、ブロモメチル、ブロモエチル基等が挙げられる。アシル基としてはHCO−、CH3CO−、C2H5CO−等が挙げられる。−COOR4としては−COOH、−COOCH3、−COOC2H5等が挙げられる。‐OR5としては−OH、−OCH3、−OC2H5等が挙げられる。 In the general formula (III) or (IV), examples of the halogen atom include F, Cl, Br, and the like. Examples of the lower alkyl group include methyl, ethyl, propyl, and butyl groups having 1 to 4 carbon atoms. Examples of the halogenated lower alkyl group include chloromethyl, chloroethyl, bromomethyl, and bromoethyl groups. The acyl group HCO-, CH 3 CO-, include C 2 H 5 CO- or the like. The -COOR4 -COOH, -COOCH 3, include -COOC 2 H 5 and the like. The -OR5 -OH, -OCH 3, include -OC 2 H 5 and the like.
上記一般式(III)の構造の分子として、例えば、構造式(V)のp−ニトロフェニルトリエトキシシランが好ましい例として挙げられる。
上記一般式(IV)の構造の分子として、例えば、構造式(I)の1-トリメトキシシリルエチニル-4-ニトロベンゼンが好ましい例として挙げられる。
また、本発明の有機デバイスにおいて、上記構成に加えて双極子分子層が複数の同一分子から1つの層を構成する単分子膜(それを構成する分子の一分子以下の厚みを有する薄膜)であるものが好ましい。ここで、単分子膜の厚みは、各双極子分子が電極に対して垂直方向に結合している場合は最大であり、各双極子分子が電極に対して斜め方向に結合していればそれよりも薄くなる。一般に有機物は高い電気抵抗を有し、これが寿命の短さにも影響するが、単分子膜の双極子分子層を用いることで双極子分子層全体の抵抗を最小限に抑えることができ、単分子膜でないものに比べ、デバイス全体の寿命が向上する。
また、本発明の有機デバイスにおいて、上記構成に加えて双極子分子層が複数の同一分子が最密充填されて1つの層を構成する単分子膜であるものがさらに好ましい。デバイスが劣化する要因の一つとして双極子分子層中のピンホールの存在が考えられるが、最密充填の単分子膜はピンホールの存在を最小限に抑えることのできる密な構造をとっているため、ピンホールに由来するデバイスの劣化が抑えられ、作製した有機デバイスの寿命がさらに延びる効果がある。
Moreover, in the organic device of the present invention, in addition to the above-described configuration, the dipole molecular layer is a monomolecular film (a thin film having a thickness of one molecule or less of the molecules constituting the same) that forms one layer from a plurality of identical molecules. Some are preferred. Here, the thickness of the monomolecular film is maximum when each dipole molecule is bonded in a direction perpendicular to the electrode, and when each dipole molecule is bonded in an oblique direction to the electrode, Thinner. In general, organic substances have a high electric resistance, which also affects the short life, but by using a monolayer dipole molecular layer, the resistance of the entire dipole molecular layer can be minimized, The lifetime of the entire device is improved as compared with a non-molecular film.
Further, in the organic device of the present invention, in addition to the above configuration, the dipole molecular layer is more preferably a monomolecular film in which a plurality of the same molecules are closely packed to form one layer. One possible cause of device degradation is the presence of pinholes in the dipole molecular layer. Close-packed monolayers have a dense structure that can minimize the presence of pinholes. Therefore, there is an effect that the deterioration of the device derived from the pinhole is suppressed and the lifetime of the manufactured organic device is further extended.
以下、本発明の有機デバイスについて、図面を参照しながら説明する。なお、本発明は実施の形態に限定されるものではない。 Hereinafter, the organic device of the present invention will be described with reference to the drawings. The present invention is not limited to the embodiment.
(実施の形態1)
図1は本発明に係る有機デバイスの概略構造を示す断面図である。有機デバイスは、基板1上に陽極2、陽極2に結合した双極子分子からなる双極子分子層3、単層または多層の有機分子層4、陰極5が順次積層された構造である。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a sectional view showing a schematic structure of an organic device according to the present invention. The organic device has a structure in which an
基板1は有機デバイスの支持体となるものであり、石英、ガラス、金属等が用いられる。陽極2としては一般に、インジウム・スズ酸化物(ITO)、Au、Ag等の仕事関数の大きな導電性材料が用いられる。
双極子分子層3は陽極と共有結合した双極子を有する分子からなる。この双極子分子としては、陽極2の表面に水酸基がある場合は、容易に水酸基と反応して陽極と共有結合を生じるシランカップリング系化合物や酸クロライド系化合物、次亜リン酸系化合物が用いられるが、中でも酸クロライド系化合物や次亜リン酸系化合物に比べてより強固な共有化学結合を形成することができるシランカップリング系化合物を用いるのが好ましい。
ここで、シランカップリング系化合物としては、下記の表1に示された化合物番号1(上記構造式(I))及び化合物番号3(上記構造式(V))の化合物等が挙げられ、酸クロライド系化合物としては化合物番号2のトランス-4-ニトロシンナモイルクロライドが挙げられる。
The
The dipole
Here, examples of the silane coupling compound include compounds of Compound No. 1 (Structural Formula (I)) and Compound No. 3 (Structural Formula (V)) shown in Table 1 below. An example of the chloride compound is trans-4-nitrocinnamoyl chloride of Compound No. 2.
また、次亜リン酸系分子としては構造式(VI)の4-クロロフェニルジクロロフォスフェイトが挙げられる。
また、陽極がAuやAgといった仕事関数の大きな金属である場合は、直接金属原子と結合することのできるチオール基を有する双極子分子、例えば構造式(VII)の4-ニトロチオフェノールが挙げられる。
有機分子層4は単層もしくは多層の有機分子からなる。有機ELデバイスを例に挙げると、有機分子層4が単層ならば発光層となるトリス(8‐ヒドロキシキナルジン)アルミニウム(Alq3)や10‐ベンゾ[h]キノリノール‐ベリリウム錯体(BeBq2)、2層ならば発光層に正孔輸送層を加えたN,N'‐ジフェニル‐N,N'‐(3‐メチルフェニル)‐1,1'‐ビフェニル‐4,4'‐ジアミン(TPD)とAlq3などが用いられる。なお、本発明において、Alq3およびTPDは市販品(例えばアルドリッチ社製)をもちいることができ、BeBq2は文献Chem. Lett. 1993, 905-906に記載の方法により合成することができる。この合成に必要である10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリンは市販品(例えば東京化成社製)を用いることができる。
また、陰極5としては仕事関数の小さなAlやMgIn等が用いられる。
The organic molecular layer 4 is composed of a single layer or multiple layers of organic molecules. Taking an organic EL device as an example, tris (8-hydroxyquinaldine) aluminum (Alq 3 ) or 10-benzo [h] quinolinol-beryllium complex (BeBq 2 ) is a light-emitting layer if the organic molecular layer 4 is a single layer. If there are two layers, N, N'-diphenyl-N, N '-(3-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (TPD) with hole transport layer added to the light-emitting layer And Alq 3 are used. In the present invention, Alq 3 and TPD can be commercially available products (for example, manufactured by Aldrich), and BeBq 2 can be synthesized by the method described in the document Chem. Lett. 1993, 905-906. As the 10-hydroxybenzo [h] quinoline necessary for this synthesis, a commercially available product (for example, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) can be used.
As the
本発明の有機デバイスの製造方法を具体的に述べると、基板1上に陽極2を真空蒸着やスパッタリングにより形成し、次いで、形成された陽極2に双極子分子を接触させて化学反応させる方法により陽極2と共有結合した双極子分子層3を得る。さらに、双極子分子層3の上に有機分子層4を真空蒸着により形成し、最後に陰極5を真空蒸着やスパッタリングなどにより形成して、目的の有機デバイスを作製することができる。
The method for producing the organic device of the present invention will be described in detail. According to the method of forming the
本発明において、双極子モーメントは、目的の分子に対して量子化学計算を行うことにより求めることができる。詳しくは、分子軌道計算プログラムであるGaussian03パッケージの半経験的手法の一つであるPM3法(J. Comp. Chem. 10,209(1989), J. Comp. Chem. 10,221(1989))を用いて目的の分子について構造の最適化を行い、その最適化された構造を用いて非経験的分子軌道法の一つであるHartree-Fock (HF)法で計算することで、正確な双極子モーメントを求めることができる。本発明ではHF法の基底関数は6-31+G(d,p)とした。また、双極子分子1分子あたりの平均占有面積は、紫外吸収スペクトルの吸光度を測定し、その吸収ピーク強度から陽極表面単位面積当りの双極子分子数を見積り、これの逆数をとることにより算出することができる。また、誘電率は、AFM測定から双極子分子層の膜厚を、キャパシタンス測定により双極子分子層のキャパシタンスをそれぞれ測定し、これらの値をもとに算出することができる。 In the present invention, the dipole moment can be obtained by performing quantum chemical calculations on the target molecule. For details, the objective is to use the PM3 method (J. Comp. Chem. 10,209 (1989), J. Comp. Chem. 10,221 (1989)), which is one of the semi-empirical methods of the Gaussian03 package, which is a molecular orbital calculation program. Optimize the structure of the molecule and calculate the exact dipole moment by calculating the Hartree-Fock (HF) method, one of the ab initio molecular orbital methods, using the optimized structure. be able to. In the present invention, the basis function of the HF method is 6-31 + G (d, p). The average occupied area per dipole molecule is calculated by measuring the absorbance of the ultraviolet absorption spectrum, estimating the number of dipole molecules per unit area of the anode surface from the absorption peak intensity, and taking the reciprocal of this. be able to. The dielectric constant can be calculated based on these values obtained by measuring the film thickness of the dipole molecular layer from AFM measurement and the capacitance of the dipole molecular layer by capacitance measurement.
(合成例1)1-トリメトキシシリルエチニル-4-ニトロベンゼン(化合物番号1)の合成
以下の方法により1-トリメトキシシリルエチニル-4-ニトロベンゼンを合成した。なお、その反応式(a)を下記した。
側管付き滴下漏斗および三方コックをつけた二口フラスコを窒素置換し、乾燥テトラヒドロフラン20ml中で1-エチニル-4-ニトロベンゼン19.6g(133mmol) (アルドリッチ社製)にn-ブチルリチウム8.2g(128mmol)を-78℃で滴下し、反応液の温度を30分かけて-40℃まで上げた。続いてトリメトキシクロロシラン20.5g(131mmol) (fluorochem社製)を加え反応液を0℃まで昇温させしばらく撹拌した。セライトろ過により不溶部を除去した後、テトラヒドロフラン/ヘキサン混合溶液:v/v=3/7、約200mlから再結晶を行い精製し、目的の化合物を収率30%(10.7g、 39.9mmol)で得た。また、1H-NMRおよび13C-NMRから目的の化合物であることを同定した。
A two-necked flask equipped with a dropping funnel with a side tube and a three-way cock was replaced with nitrogen, and 19.6 g (133 mmol) of 1-ethynyl-4-nitrobenzene (made by Aldrich) in 8.2 ml (128 mmol) of 20 ml of dry tetrahydrofuran. ) Was added dropwise at -78 ° C, and the temperature of the reaction solution was raised to -40 ° C over 30 minutes. Subsequently, 20.5 g (131 mmol) of trimethoxychlorosilane (manufactured by fluorochem) was added, and the reaction solution was heated to 0 ° C. and stirred for a while. After removing the insoluble part by Celite filtration, refining from tetrahydrofuran / hexane mixed solution: v / v = 3/7, approx. 200ml, it was purified, and the target compound was obtained in 30% yield (10.7g, 39.9mmol). Obtained. Moreover, it was identified as the target compound from 1 H-NMR and 13 C-NMR.
(合成例2)p‐ニトロフェニルトリエトキシシラン(化合物番号3)の合成
以下の方法によりp‐ニトロフェニルエチニルトリメトキシシランを合成した。なお、その反応式(b)を下記した。
温度計、ジムロー冷却管、滴下ロートをつけた三口フラスコにマグネシウムチップ2.43g(100mmol)を入れて窒素置換し、乾燥テトラヒドロフラン100mlとトリエトキシクロロシラン23.9g(120mmol)(fluorochem社製)を加えよく撹拌した。次に1-ブロモ-4-ニトロベンゼン20.2g(100mmol)(アルドリッチ社製)の乾燥テトラヒドロフラン溶液70 mlを0 ℃でゆっくり滴下し、反応液の温度を2時間かけて室温まで上げた。終夜、室温で撹拌した後、4 時間還流し反応を完結させた。窒素雰囲気下で溶液をろ過し、不溶物を除去した後、ろ液を20mlまで減圧濃縮し乾燥ヘキサン150mlを加えることにより再結晶から精製し、目的の化合物を収率41%(9.97g、 41.0mmol)で得た。また、1H-NMRおよび13C-NMRから目的の化合物であることを同定した。
Put a magnesium chip 2.43g (100mmol) into a three-necked flask equipped with a thermometer, a Jimroh condenser, and a dropping funnel, and replace with nitrogen. Add 100ml of dry tetrahydrofuran and 23.9g (120mmol) of triethoxychlorosilane (made by fluorochem) and stir well. did. Next, 70 ml of a dry tetrahydrofuran solution of 20.2 g (100 mmol) of 1-bromo-4-nitrobenzene (Aldrich) was slowly added dropwise at 0 ° C., and the temperature of the reaction solution was raised to room temperature over 2 hours. The mixture was stirred overnight at room temperature and then refluxed for 4 hours to complete the reaction. The solution was filtered under a nitrogen atmosphere to remove insoluble matters, and then the filtrate was concentrated under reduced pressure to 20 ml and purified from recrystallization by adding 150 ml of dry hexane to obtain the desired compound in a yield of 41% (9.97 g, 41.0 mmol). Moreover, it was identified as the target compound from 1 H-NMR and 13 C-NMR.
(合成例3)3,5-ビス(トリフルオロメチル)フェニルトリメトキシシラン(化合物番号6)の合成
以下の方法により3,5-ビス(トリフルオロメチル)フェニルトリメトキシシランを合成した。なお、その反応式(c)を下記した。
温度計、ジムロー冷却管、滴下ロートをつけた三口フラスコにマグネシウムチップ2.43g(100mmol)を入れて窒素置換し、乾燥テトラヒドロフラン100mlとトリメトキシクロロシラン18.8g(120mmol)(fluorochem社製)を加えよく撹拌した。次に3,5-ビス(トリフルオロメチル)ブロモベンゼン29.3g(100mmol)(アルドリッチ社製)の乾燥テトラヒドロフラン溶液70 mlを0 ℃でゆっくり滴下し、反応液の温度を2時間かけて室温まで上げた。その後、終夜室温で撹拌し、4 時間還流することで反応を完結させた。溶液をろ過し、不溶物を除去した後、テトラヒドロフラン/ヘキサン混合溶液:v/v=2/8、約100mlから再結晶を行い精製し、目的の化合物を収率35%(11.7g、 35.1mmol)で得た。また、1H-NMRおよび13C-NMRから目的の化合物であることを同定した。
Put a magnesium chip 2.43g (100mmol) into a three-necked flask equipped with a thermometer, a Jimroh condenser, and a dropping funnel, and replace with nitrogen. Add 100ml of dry tetrahydrofuran and 18.8g (120mmol) of trimethoxychlorosilane (made by fluorochem) and stir well. did. Next, 70 ml of a dry tetrahydrofuran solution of 29.3 g (100 mmol) of 3,5-bis (trifluoromethyl) bromobenzene (Aldrich) was slowly added dropwise at 0 ° C, and the temperature of the reaction solution was raised to room temperature over 2 hours. It was. Thereafter, the reaction was completed overnight by stirring at room temperature and refluxing for 4 hours. The solution was filtered to remove insoluble matter, and then purified by recrystallization from tetrahydrofuran / hexane mixed solution: v / v = 2/8, about 100 ml to obtain the desired compound in a yield of 35% (11.7 g, 35.1 mmol). ). Moreover, it was identified as the target compound from 1 H-NMR and 13 C-NMR.
(実施例1)
図1に示す構造の有機ELデバイスを以下の方法で作製した。
まず、縦25mm×横25mm×厚さ0.7mmのガラス基板上にITOを膜厚150nmで堆積して陽極を形成した。次に、ITO陽極表面にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして塩酸によるエッチングにより陽極を所望の形状にパターニングした。続いて、クロロホルム中で陽極を超音波洗浄し、さらにアセトン及びエタノール中でそれぞれ陽極を超音波洗浄した。その後、ITO陽極表面に酸素プラズマアッシング処理(Branson/IPC 4000を用いた)を150℃で15分間行うことで清浄な陽極表面を露出させると共に陽極表面に酸素ラジカルを生じさせた。その後、陽極を5分間超純水に浸して酸素ラジカルを水酸基に変化させることで、共有結合を生じやすい水酸基を多数有する陽極表面を形成した。
(Example 1)
An organic EL device having the structure shown in FIG. 1 was produced by the following method.
First, ITO was deposited to a thickness of 150 nm on a glass substrate measuring 25 mm long × 25 mm wide × 0.7 mm thick to form an anode. Next, a resist pattern was formed on the ITO anode surface, and the anode was patterned into a desired shape by etching with hydrochloric acid using the resist pattern as a mask. Subsequently, the anode was ultrasonically cleaned in chloroform, and further, the anode was ultrasonically cleaned in acetone and ethanol, respectively. Thereafter, oxygen plasma ashing treatment (using Branson / IPC 4000) was performed on the ITO anode surface at 150 ° C. for 15 minutes to expose the clean anode surface and generate oxygen radicals on the anode surface. Thereafter, the anode surface was immersed in ultrapure water for 5 minutes to change oxygen radicals to hydroxyl groups, thereby forming an anode surface having many hydroxyl groups that are likely to form covalent bonds.
続いて、この陽極付き基板と、上記合成例1のように合成した表1に示す化合物番号1の1-トリメトキシシリルエチニル-4-ニトロベンゼン(シランカップリング系化合物)を、耐熱耐圧性を有するテフロン(登録商標)製の容器中に入れ、この容器を防爆オーブンにて150℃で加熱してシランカップリング系化合物を揮発させ、飽和時間まで陽極表面と気相反応させることにより陽極と1-トリメトキシシリルエチニル-4-ニトロベンゼンを共有結合させ、膜厚1.0nmの双極子分子層を形成した。膜厚はAFM測定(デジタルインスツルメンツ社製NanoScopeIIIを用いた)により見積った。ここで、飽和時間とは双極子分子1分子あたりの陽極表面に対する平均占有面積に変化がなくなる時間と定義し、今回の場合は150分であった。具体的には15分毎に気相成長させた双極子分子層の紫外吸収スペクトル測定(島津製作所製UV-3100PCを用いた)を行い、1-トリメトキシシリルエチニル-4-ニトロベンゼンが示す吸収ピークの吸光度が150分と165分の間で変化がなかったことから双極子単分子層ができたとみなし、このことから飽和時間を150分と見積った。ここで単分子層とは厚みが分子1個の大きさに相当する薄膜を意味する。飽和時間まで反応させた時の双極子分子層の1分子当りの平均占有面積を紫外吸収スペクトル測定により算出すると35.9Å2であった。分子軌道計算から1-トリメトキシシリルエチニル-4-ニトロベンゼンの双極子モーメントは5.01Debyeと見積もられた。さらに、キャパシタンス測定(アジレント社製4284AプレシジョンLCRメータを用いた)及びAFM測定により算出された比誘電率は14.6であり、これからμ/εAの値は0.360Vと見積られた。 Subsequently, the substrate with anode and the 1-trimethoxysilylethynyl-4-nitrobenzene (silane coupling compound) of Compound No. 1 shown in Table 1 synthesized as in Synthesis Example 1 have heat and pressure resistance. Place in a Teflon (registered trademark) container, and heat the container at 150 ° C. in an explosion-proof oven to volatilize the silane coupling compound and perform a gas phase reaction with the anode surface until the saturation time. Trimethoxysilylethynyl-4-nitrobenzene was covalently bonded to form a 1.0 nm-thick dipole molecular layer. The film thickness was estimated by AFM measurement (using NanoScope III manufactured by Digital Instruments). Here, the saturation time is defined as the time during which the average occupied area with respect to the anode surface per molecule of the dipole does not change, and in this case it was 150 minutes. Specifically, an ultraviolet absorption spectrum measurement (using Shimadzu UV-3100PC) of a dipole molecular layer vapor-grown every 15 minutes was performed, and an absorption peak indicated by 1-trimethoxysilylethynyl-4-nitrobenzene It was considered that a dipole monolayer was formed because there was no change between 150 minutes and 165 minutes, and from this, the saturation time was estimated to be 150 minutes. Here, the monomolecular layer means a thin film whose thickness corresponds to the size of one molecule. The average area occupied per molecule of dipole molecules layer when reacted until saturation time was 35.9A 2 as calculated by UV absorption spectrometry. From the molecular orbital calculations, the dipole moment of 1-trimethoxysilylethynyl-4-nitrobenzene was estimated to be 5.01 Debye. Furthermore, the relative dielectric constant calculated by capacitance measurement (using Agilent 4284A Precision LCR meter) and AFM measurement was 14.6, and from this, the value of μ / εA was estimated to be 0.360V.
続いて、上記工程を経て得られた基板を真空蒸着器(アルバック機工社製ELORA-100)に移し、5×10-6Torrの真空度にした後、メタルボート上に置いたTPD(アルドリッチ社製)を蒸着速度1.0Å/sを保つように加熱することで双極子分子層上に膜厚100nmのTPD正孔輸送層を形成した。膜厚は水晶振動子により測定した。引き続き、正孔輸送層上に発光層として膜厚100nmのAlq3(アルドリッチ社製)をTPDと同様にして蒸着した。この時、蒸着速度は1.0Å/sに保ち、真空度は5×10-6Torrであった。最後に、発光層上に陰極として膜厚200nmのAlを5×10-6Torrの真空度、及び2.0Å/sの蒸着速度を保つ温度で真空蒸着することで有機ELデバイスを作製した。 Subsequently, the substrate obtained through the above steps was transferred to a vacuum vapor deposition device (ELORA-100 manufactured by ULVAC Kiko Co., Ltd.), and a vacuum degree of 5 × 10 −6 Torr was set, followed by TPD (Aldrich Corporation) placed on a metal boat. The TPD hole transport layer having a film thickness of 100 nm was formed on the dipole molecular layer by heating so that the deposition rate was maintained at 1.0 Å / s. The film thickness was measured with a quartz resonator. Subsequently, Alq 3 (manufactured by Aldrich) having a film thickness of 100 nm was deposited as a light emitting layer on the hole transport layer in the same manner as TPD. At this time, the deposition rate was kept at 1.0 Å / s, and the degree of vacuum was 5 × 10 −6 Torr. Finally, an organic EL device was fabricated by vacuum-depositing Al having a film thickness of 200 nm on the light-emitting layer at a temperature maintaining a vacuum degree of 5 × 10 −6 Torr and a deposition rate of 2.0 Å / s.
この有機ELデバイスに初期輝度が100cd/m2となるように直流電流を流し、この後、定電流で一定時間毎に輝度を測定し、発光輝度が初期輝度の50%になった時間を寿命とした。表1に示すように、この有機ELデバイスの寿命は3000時間と長寿命であった。また、この実施例1の有機ELデバイスの発光輝度−電圧曲線を図2に示す。輝度100cd/m2に達する電圧は5.3Vと低電圧であり、500cd/m2に達する電圧でも6.6Vと低く抑えられている。 A direct current is applied to the organic EL device so that the initial luminance is 100 cd / m 2, and then the luminance is measured at a constant current at regular intervals, and the lifetime when the emission luminance becomes 50% of the initial luminance is determined. It was. As shown in Table 1, the lifetime of this organic EL device was as long as 3000 hours. Moreover, the light emission luminance-voltage curve of the organic EL device of Example 1 is shown in FIG. The voltage reaching the luminance of 100 cd / m 2 is as low as 5.3 V, and even the voltage reaching 500 cd / m 2 is kept as low as 6.6 V.
(実施例2)
双極子分子層を構成する分子として表1に示す化合物番号2のトランス-4-ニトロシンナモイルクロライド(酸クロライド系化合物)(アルドリッチ社製)を用い、加熱温度(反応温度)120℃、飽和時間60分で双極子分子層を形成したこと以外は、実施例1と同様に有機ELデバイスを作製した。この実施例2の有機ELデバイスは、飽和点での双極子分子層の1分子当りの平均占有面積が61.1Å2、双極子モーメントが2.91Debye、比誘電率が7.47であると見積られ、μ/εAは0.240Vであった。また、実施例1と同様の寿命測定を行ったところ表1に示すように1800時間であった。また、この有機ELデバイスの発光輝度−電圧曲線を図2に示す。輝度100cd/m2に達する電圧は6.0Vと低電圧であり、500cd/m2に達する電圧でも7.5Vと低く抑えられている。なお、化合物番号2のトランス-4-ニトロシンナモイルクロライドによる双極子分子層の形成におけるその他の好ましい反応温度およびそのときの飽和時間は約100℃、約105分が挙げられる。
(Example 2)
Using trans-4-nitrocinnamoyl chloride (acid chloride compound) of Compound No. 2 shown in Table 1 as a molecule constituting the dipole molecular layer (made by Aldrich), heating temperature (reaction temperature) 120 ° C., saturation time An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the dipole molecular layer was formed in 60 minutes. In the organic EL device of Example 2, the average occupied area per molecule of the dipole molecular layer at the saturation point is estimated to be 61.1Å 2 , the dipole moment is 2.91 Debye, and the relative dielectric constant is 7.47. / ΕA was 0.240V. Further, the same lifetime measurement as in Example 1 was performed, and as shown in Table 1, it was 1800 hours. Moreover, the light emission luminance-voltage curve of this organic EL device is shown in FIG. The voltage reaching the luminance of 100 cd / m 2 is as low as 6.0 V, and the voltage reaching 500 cd / m 2 is kept as low as 7.5 V. In addition, other preferable reaction temperature in the formation of a dipole molecular layer by trans-4-nitrocinnamoyl chloride of Compound No. 2 and the saturation time at that time are about 100 ° C. and about 105 minutes.
(実施例3)
双極子分子層を構成する分子として、上記合成例2のように合成した表1に示す化合物番号3のp-ニトロフェニルトリエトキシシラン(シランカップリング系化合物)を用い、加熱温度120℃、飽和時間90分で双極子分子層を形成したこと以外は、実施例1と同様に有機ELデバイスを作製した。この実施例3の有機ELデバイスは、飽和点での双極子分子層の1分子当りの平均占有面積が42.3Å2、双極子モーメントが5.66Debye、比誘電率が23.9であると見積られ、μ/εAは0.211Vであった。また、実施例1と同様の寿命測定を行ったところ表1に示すように2100時間であった。また、この有機ELデバイスの発光輝度−電圧曲線を図2に示す。輝度100cd/m2に達する電圧は5.8Vと低電圧であり、500cd/m2に達する電圧でも6.9Vと低く抑えられている。なお、化合物番号3のp-ニトロフェニルトリエトキシシランによる双極子分子層の形成におけるその他の好ましい反応温度およびそのときの飽和時間は約100℃、約195分が挙げられる。
(Example 3)
As a molecule constituting the dipole molecular layer, p-nitrophenyltriethoxysilane (silane coupling compound) of Compound No. 3 shown in Table 1 synthesized as in Synthesis Example 2 was used. An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the dipole molecular layer was formed in 90 minutes. In the organic EL device of Example 3, the average occupied area per molecule of the dipole molecular layer at the saturation point is estimated to be 42.3Å 2 , the dipole moment is 5.66 Debye, and the relative dielectric constant is 23.9. / ΕA was 0.211V. Further, the same lifetime measurement as in Example 1 was performed, and as shown in Table 1, it was 2100 hours. Moreover, the light emission luminance-voltage curve of this organic EL device is shown in FIG. The voltage reaching the luminance of 100 cd / m 2 is as low as 5.8 V, and even the voltage reaching 500 cd / m 2 is kept as low as 6.9 V. In addition, other preferable reaction temperature in the formation of the dipole molecular layer by p-nitrophenyltriethoxysilane of Compound No. 3 and the saturation time at that time are about 100 ° C. and about 195 minutes.
(実施例4)
双極子分子層を構成する分子として表1に示す化合物番号1の1-トリメトキシシリルエチニル-4-ニトロベンゼン(シランカップリング系化合物)を用い、陽極との反応時間を30分として双極子分子層を形成したこと以外は、実施例1と同様に有機ELデバイスを作製した。同様に、反応時間をそれぞれ60、90、120、150、180分として双極子分子層を形成したこと以外は、実施例1と同様にした有機ELデバイスもそれぞれ作製した。
これらのデバイスの双極子分子層の1分子当りの平均占有面積Aを見積ると、表2、図3に示すように150分以降は変化がなく、このことから反応温度(加熱温度)が150℃の場合、複数の同一分子が最密充填された状態で陽極と化学結合した1つの層を構成する単分子膜(双極子分子層)が形成されるのには約150分以上要する(飽和時間約150分)ことが分かった。また、実施例1と同様の寿命測定を行ったところ、表2に示すように150分、180分でそれぞれ3000時間の長寿命が得られた。
Example 4
Using 1-trimethoxysilylethynyl-4-nitrobenzene (silane coupling compound) of Compound No. 1 shown in Table 1 as the molecule constituting the dipole molecular layer, the reaction time with the anode is 30 minutes, and the dipole molecular layer An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that was formed. Similarly, organic EL devices were also produced in the same manner as in Example 1 except that the dipole molecular layer was formed with reaction times of 60, 90, 120, 150 and 180 minutes, respectively.
When the average occupied area A per molecule of the dipole molecular layer of these devices is estimated, as shown in Table 2 and FIG. 3, there is no change after 150 minutes, and thus the reaction temperature (heating temperature) is 150 ° C. In this case, it takes about 150 minutes or more to form a monomolecular film (dipole molecular layer) constituting a single layer chemically bonded to the anode in a state where a plurality of identical molecules are packed in close packing (saturation time) (About 150 minutes) Further, when the same life measurement as in Example 1 was performed, as shown in Table 2, a long life of 3000 hours was obtained in 150 minutes and 180 minutes, respectively.
(実施例5)
双極子分子層を構成する分子として表1に示す化合物番号1の1-トリメトキシシリルエチニル-4-ニトロベンゼン(シランカップリング系化合物)を用い、陽極とこの分子との反応温度を180℃、反応時間を90分及び150分として双極子分子層を形成したこと以外は、実施例1と同様に有機ELデバイスを作製した。
反応時間を90分としたデバイスの双極子分子1分子当りの占有面積は36.1Å2であり、1つの層を構成する(単層の)単分子膜からなる双極子分子層が形成されていた。一方、反応時間を150分としたデバイスの双極子分子1分子当りの平均占有面積は18.8Å2であり、反応時間150分では双極子分子層が1つの層(単層)ではないことが分かった。その原因としては、シランカップリング系分子は、3次元網目構造で結合する場合があると考えられ、高温においては単分子膜で反応が停止することなく、さらにその上に分子が積み重なって多層膜が形成されたと考えられる。
また、反応時間90分と150分の各デバイスについて実施例1と同様の寿命測定を行ったところ、90分の方は3000時間であり、150分では2600時間であり、双極子分子層が単層の単分子膜である方が寿命は長かった。
なお、化合物番号1の1-トリメトキシシリルエチニル-4-ニトロベンゼンによる双極子分子層の形成におけるその他の好ましい反応温度およびそのときの飽和時間は約120℃、約270分が挙げられる。
(Example 5)
Using 1-trimethoxysilylethynyl-4-nitrobenzene (silane coupling compound) of
The device occupies a reaction time of 90 minutes and the area occupied by each molecule of dipole molecules is 36.1 Å 2. A dipole molecular layer consisting of a monolayer (single layer) constituting one layer was formed. . On the other hand, the average area occupied per
Moreover, when the lifetime measurement was performed for each device with a reaction time of 90 minutes and 150 minutes in the same manner as in Example 1, it was 3000 hours for 90 minutes and 2600 hours for 150 minutes, and the dipole molecular layer was a single layer. The lifetime of the monolayer film was longer.
In addition, other preferable reaction temperature in the formation of the dipole molecular layer by 1-trimethoxysilylethynyl-4-nitrobenzene of Compound No. 1 and the saturation time at that time are about 120 ° C. and about 270 minutes.
(比較例1)
双極子分子層を構成する分子として表1に示す化合物番号4のフェニルトリメトキシシラン(シランカップリング系化合物)(アルドリッチ社製)を用い、加熱温度100℃、飽和時間105分で双極子分子層を形成したこと以外は、実施例1と同様に有機ELデバイスを作製した。この比較例1の有機ELデバイスは、飽和点での双極子分子層の1分子当りの平均占有面積が38.0Å2、双極子モーメントが0.457Debye、比誘電率が5.33であると見積られ、μ/εAは0.085Vであった。また、実施例1と同様の寿命測定を行った結果、表1に示すように450時間と短寿命であった。また、この有機ELデバイスの発光輝度−電圧曲線を図2に示す。輝度100cd/m2に達する電圧は10.8Vと実施例1〜3よりも高電圧であり、500cd/m2に達する電圧では12.2Vと高く実施例1〜3との差が顕著であった。
(Comparative Example 1)
As a molecule constituting the dipole molecular layer, phenyltrimethoxysilane (silane coupling compound) of Compound No. 4 shown in Table 1 (manufactured by Aldrich) is used, and the dipole molecular layer is heated at 100 ° C. and saturated for 105 minutes. An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that was formed. The organic EL device of Comparative Example 1 is estimated to have an average occupied area per molecule of the dipole molecular layer at the saturation point of 38.0Å 2 , a dipole moment of 0.457 Debye, and a relative dielectric constant of 5.33, μ / ΕA was 0.085V. Moreover, as a result of performing the lifetime measurement similar to Example 1, as shown in Table 1, it was as short as 450 hours. Moreover, the light emission luminance-voltage curve of this organic EL device is shown in FIG. The voltage reaching the luminance of 100 cd / m 2 was 10.8 V, which is higher than those in Examples 1 to 3, and the voltage reaching 500 cd / m 2 was as high as 12.2 V, and the difference from Examples 1 to 3 was remarkable.
(比較例2)
双極子分子層を構成する分子として表1に示す化合物番号5のブロモフェニルトリメトキシシラン(シランカップリング系化合物)(fluorochem社製)を用い、加熱温度120℃、飽和点120分で双極子分子層を形成したこと以外は、実施例1と同様に有機ELデバイスを作製した。この比較例2の有機ELデバイスは、飽和点での双極子分子層の1分子当りの平均占有面積が44.9Å2、双極子モーメントが1.70Debye、比誘電率が12.3であると見積られ、μ/εAは0.116Vであった。また、実施例1と同様の寿命測定を行った結果、表1に示すように600時間と短寿命であった。また、この有機ELデバイスの発光輝度−電圧曲線を図2に示す。輝度100cd/m2に達する電圧は9.0Vと実施例1〜3よりも高電圧であり、500cd/m2に達する電圧では10.5Vと高く実施例1〜3との差が顕著であった。
(Comparative Example 2)
Using the bromophenyltrimethoxysilane (silane coupling compound) of Compound No. 5 shown in Table 1 as a molecule constituting the dipole molecular layer (manufactured by fluorochem), the dipole molecule at a heating temperature of 120 ° C. and a saturation point of 120 minutes. An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the layer was formed. The organic EL device of Comparative Example 2 is estimated to have an average occupied area per molecule of the dipole molecular layer at the saturation point of 44.9Å 2 , a dipole moment of 1.70 Debye, and a relative dielectric constant of 12.3. / ΕA was 0.116V. Moreover, as a result of performing the lifetime measurement similar to Example 1, as shown in Table 1, it was as short as 600 hours. Moreover, the light emission luminance-voltage curve of this organic EL device is shown in FIG. The voltage reaching the luminance of 100 cd / m 2 is 9.0 V, which is higher than those of Examples 1 to 3, and the voltage reaching 500 cd / m 2 is 10.5 V, which is a significant difference from Examples 1 to 3.
(比較例3)
双極子分子層を構成する分子として、上記合成例3のように合成した表1に示す化合物番号6の3,5-ビス(トリフルオロメチル)フェニルトリメトキシシラン(シランカップリング系化合物)を用い、加熱温度150℃、飽和点90分で双極子分子層を形成したこと以外は、実施例1と同様に有機ELデバイスを作製した。この比較例3の有機ELデバイスは、飽和点での双極子分子層の1分子当りの平均占有面積が88.7Å2、双極子モーメントが4.52Debye、比誘電率が11.8であると見積られ、μ/εAは0.162Vであった。また、実施例1と同様の寿命測定を行った結果、表1に示すように750時間と短寿命であった。また、この有機ELデバイスの発光輝度−電圧曲線を図2に示す。輝度100cd/m2及び500cd/m2に達する電圧は7.3V及び8.7Vとそれぞれ実施例1〜3より高電圧であった。
(Comparative Example 3)
As a molecule constituting the dipole molecular layer, 3,5-bis (trifluoromethyl) phenyltrimethoxysilane (silane coupling compound) of Compound No. 6 shown in Table 1 synthesized as in Synthesis Example 3 was used. An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the dipole molecular layer was formed at a heating temperature of 150 ° C. and a saturation point of 90 minutes. The organic EL device of Comparative Example 3 is estimated to have an average occupied area per molecule of the dipole molecular layer at the saturation point of 88.7Å 2 , a dipole moment of 4.52 Debye, and a relative dielectric constant of 11.8. / ΕA was 0.162V. Moreover, as a result of performing the lifetime measurement similar to Example 1, as shown in Table 1, it was as short as 750 hours. Moreover, the light emission luminance-voltage curve of this organic EL device is shown in FIG. The voltages reaching the luminance of 100 cd / m 2 and 500 cd / m 2 were 7.3 V and 8.7 V, which were higher than those in Examples 1 to 3, respectively.
(比較例4)
双極子分子層を構成する分子を含まず、双極子分子層を形成するステップを除くこと以外は、実施例1と同様に有機ELデバイスを作製した。この比較例4の有機ELデバイスは、実施例1と同様の寿命測定を行った結果、表1に示すように450時間と短寿命であった。また、この有機ELデバイスの発光輝度−電圧曲線を図2に示す。輝度100cd/m2に達する電圧は11.2Vと実施例1〜3よりも高電圧であり、500cd/m2に達する電圧では12.4Vと高く実施例1〜3との差が顕著であった。
(Comparative Example 4)
An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the step of forming a dipole molecular layer was omitted except that no molecules constituting the dipole molecular layer were included. The organic EL device of Comparative Example 4 was subjected to the same lifetime measurement as that of Example 1. As a result, it was as short as 450 hours as shown in Table 1. Moreover, the light emission luminance-voltage curve of this organic EL device is shown in FIG. The voltage reaching the luminance of 100 cd / m 2 is 11.2 V, which is higher than those in Examples 1 to 3, and the voltage reaching 500 cd / m 2 is as high as 12.4 V, and the difference between Examples 1 to 3 is remarkable.
表1から明らかなように、μ/εA>0.20(V)となる実施例1〜3は、μ/εA>0.20(V)を満たさない比較例1〜4に比して寿命が2倍以上に延びることがわかり、陽極と化学結合する双極子分子層を有する実施例1〜3は、閾値電圧の低下と長寿命化を両立したものであるといえる。μ/εAの値の増加は閾値電圧の低下に繋がり、図2から明らかなように実施例1〜3の有機ELデバイスにおいては低消費電力駆動が可能になる。さらに、表1における化合物番号1、2、3を比較すると、双極子分子層がシランカップリング剤より成る化合物番号1、3は寿命がより一層延びることが明らかである。特に、μ/εA>0.30(V)となる化合物番号1を用いた有機デバイスは長寿命であり、μ/εA>0.20(V)を満たさない比較例1〜4と比べ、寿命が3倍以上に延びることがわかる。 As is clear from Table 1, Examples 1 to 3 in which μ / εA> 0.20 (V) have a lifetime that is at least twice that of Comparative Examples 1 to 4 that do not satisfy μ / εA> 0.20 (V). It can be said that Examples 1 to 3 having a dipole molecular layer chemically bonded to the anode achieve both a reduction in threshold voltage and a longer life. An increase in the value of μ / εA leads to a decrease in the threshold voltage, and as can be seen from FIG. 2, the organic EL devices of Examples 1 to 3 can be driven with low power consumption. Further, when comparing Compound Nos. 1, 2 and 3 in Table 1, it is clear that Compound Nos. 1 and 3 in which the dipole molecular layer is made of a silane coupling agent have a longer lifetime. In particular, an organic device using Compound No. 1 that satisfies μ / εA> 0.30 (V) has a long lifetime, and the lifetime is more than three times that of Comparative Examples 1 to 4 that do not satisfy μ / εA> 0.20 (V). It can be seen that it extends.
また、実施例4の表2、図3から明らかなように、適当な反応温度において、単層の単分子膜からなる双極子分子層が形成された以降の時間で、平均占有面積は変化せず、デバイス寿命は最も長寿命となる。このことから、単層の単分子膜からなる双極子分子層が形成された時点で反応を停止することにより、長寿命化されたデバイスを得ることができ、かつ、それ以上の時間反応させる必要がないため、反応時間の低減が図られ、その結果デバイス作製コストを低減させることが可能となる。
また、実施例5の結果から明らかなように、陽極と双極子分子との反応温度をより高温とした場合、単層の単分子膜からなる双極子分子層の形成に要する時間を短縮でき、デバイス作製コストを低減することが可能である。加えて実施例5の結果から、双極子分子層が単層であれば、そうでないものに比べて長寿命となることも明らかである。
Further, as apparent from Table 2 of Example 4 and FIG. 3, the average occupation area does not change during the time after the formation of the dipole molecular layer composed of a monolayer of monolayers at an appropriate reaction temperature. The device life is the longest. From this, it is necessary to stop the reaction when a dipole molecular layer consisting of a monolayer of monolayers is formed, so that a device with a long lifetime can be obtained and the reaction must be continued for a longer time. Therefore, the reaction time can be reduced, and as a result, the device manufacturing cost can be reduced.
Further, as is clear from the results of Example 5, when the reaction temperature between the anode and the dipole molecule is higher, the time required for forming the dipole molecular layer composed of a monolayer monolayer can be shortened, It is possible to reduce device manufacturing costs. In addition, from the results of Example 5, it is also clear that if the dipole molecular layer is a single layer, the lifetime is longer than that of other layers.
(実施の形態2)
上記実施例1〜3は有機ELデバイスであるが、例えば基板をガラス、陽極をITO、有機分子層をp型分子銅フタロシアニン(CuPc)とn型分子C60、陰極をAlにてそれぞれ形成することにより、有機太陽電池デバイスを構成することもできる。
(Embodiment 2)
Examples 1 to 3 are organic EL devices. For example, the substrate is made of glass, the anode is made of ITO, the organic molecular layer is made of p-type molecular copper phthalocyanine (CuPc) and n-type molecule C 60 , and the cathode is made of Al. Thereby, an organic solar cell device can also be comprised.
本発明の有機デバイスは、携帯電話、テレビ、パソコン、カーナビゲーションシステム等の表示用有機ELデバイスや、有機太陽電池デバイスなどに用いることが可能である。 The organic device of the present invention can be used for a display organic EL device such as a mobile phone, a television, a personal computer, a car navigation system, an organic solar cell device, and the like.
1 基板
2 陽極
3 双極子分子層
4 有機分子層
5 陰極
1
Claims (9)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004356963A JP4727978B2 (en) | 2004-07-20 | 2004-12-09 | Organic device and organic electroluminescence device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004211822 | 2004-07-20 | ||
JP2004211822 | 2004-07-20 | ||
JP2004356963A JP4727978B2 (en) | 2004-07-20 | 2004-12-09 | Organic device and organic electroluminescence device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006059791A true JP2006059791A (en) | 2006-03-02 |
JP4727978B2 JP4727978B2 (en) | 2011-07-20 |
Family
ID=36107066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004356963A Expired - Fee Related JP4727978B2 (en) | 2004-07-20 | 2004-12-09 | Organic device and organic electroluminescence device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4727978B2 (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009117800A (en) * | 2007-10-18 | 2009-05-28 | Mitsubishi Chemicals Corp | Charge transport film, and organic electroluminescent element |
WO2011135901A1 (en) * | 2010-04-30 | 2011-11-03 | シャープ株式会社 | Method for producing electrode element, calculator, and device for producing electrode element |
JP2014038859A (en) * | 2008-01-28 | 2014-02-27 | Mitsubishi Chemicals Corp | Design method of light emitting layer material |
CN110224067A (en) * | 2019-06-27 | 2019-09-10 | 上海黎元新能源科技有限公司 | The hole mobile material and its preparation method and application of perovskite solar battery |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06330034A (en) * | 1993-03-24 | 1994-11-29 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescent element |
JP2000173770A (en) * | 1998-10-13 | 2000-06-23 | Sony Internatl Europ Gmbh | Active matrix system display device and manufacture thereof |
JP2001512145A (en) * | 1997-07-31 | 2001-08-21 | エコール ポリテクニーク フェデラルド ドゥ ローザンヌ | Electroluminescence device |
JP2002270369A (en) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Masamichi Fujihira | Organic electric field light emitting device and its manufacturing method |
JP2005050553A (en) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Dainippon Printing Co Ltd | Organic electroluminescent element and its manufacturing method |
JP2005071742A (en) * | 2003-08-22 | 2005-03-17 | Kawamura Inst Of Chem Res | Organic electroluminescent element, and manufacturing method of positive electrode surface reforming layer for the element |
JP2005310469A (en) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Canon Inc | Organic light emitting element |
JP2006032689A (en) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Sharp Corp | Organic device |
-
2004
- 2004-12-09 JP JP2004356963A patent/JP4727978B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06330034A (en) * | 1993-03-24 | 1994-11-29 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescent element |
JP2001512145A (en) * | 1997-07-31 | 2001-08-21 | エコール ポリテクニーク フェデラルド ドゥ ローザンヌ | Electroluminescence device |
JP2000173770A (en) * | 1998-10-13 | 2000-06-23 | Sony Internatl Europ Gmbh | Active matrix system display device and manufacture thereof |
JP2002270369A (en) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Masamichi Fujihira | Organic electric field light emitting device and its manufacturing method |
JP2005050553A (en) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Dainippon Printing Co Ltd | Organic electroluminescent element and its manufacturing method |
JP2005071742A (en) * | 2003-08-22 | 2005-03-17 | Kawamura Inst Of Chem Res | Organic electroluminescent element, and manufacturing method of positive electrode surface reforming layer for the element |
JP2005310469A (en) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Canon Inc | Organic light emitting element |
JP2006032689A (en) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Sharp Corp | Organic device |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009117800A (en) * | 2007-10-18 | 2009-05-28 | Mitsubishi Chemicals Corp | Charge transport film, and organic electroluminescent element |
JP2014038859A (en) * | 2008-01-28 | 2014-02-27 | Mitsubishi Chemicals Corp | Design method of light emitting layer material |
WO2011135901A1 (en) * | 2010-04-30 | 2011-11-03 | シャープ株式会社 | Method for producing electrode element, calculator, and device for producing electrode element |
CN110224067A (en) * | 2019-06-27 | 2019-09-10 | 上海黎元新能源科技有限公司 | The hole mobile material and its preparation method and application of perovskite solar battery |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4727978B2 (en) | 2011-07-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI724142B (en) | Electron-accepting compound and composition for charge transport film, and light-emitting element using the same | |
JP3855675B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
JP5153161B2 (en) | Organometallic complex and organic EL device using the same | |
EP2332907B1 (en) | Organic sulfur compound, process for production of the same, and organic electroluminescence element utilizing the same | |
JP5829388B2 (en) | Triazine derivative, method for producing the same, and organic electroluminescent device comprising the same | |
JP2005085599A (en) | Organic electroluminescent element | |
WO2008078824A1 (en) | Benzofluoranthene compound and organic light-emitting device using the compound | |
JP6473437B2 (en) | High efficiency phosphorescent material | |
JP2008294404A (en) | Organic electroluminescent device | |
JP5043404B2 (en) | Heterocyclic compounds and organic light emitting devices | |
JP2004311231A (en) | Organic el element | |
JP2005132820A (en) | Carbazole-containing compound and organic electroluminescnet device using the same | |
CN110563768B (en) | Organic electroluminescent material and device | |
JP5162913B2 (en) | Amine derivative and organic electroluminescence device using the same | |
JP2008222624A (en) | Novel 1,10-phenanethroline derivative, electron-transporting material, electron-injecting material, and organoelectroluminescent element comprising the same | |
JP4727978B2 (en) | Organic device and organic electroluminescence device | |
JP2004047176A (en) | Organic electroluminescent element | |
WO2004072206A1 (en) | Organic electroluminescent device | |
JP4259264B2 (en) | Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device | |
JP2010111635A (en) | New azaindenochrysene derivative and organic light-emitting element | |
JP2002270369A (en) | Organic electric field light emitting device and its manufacturing method | |
JP5162912B2 (en) | Amine derivative and organic electroluminescence device using the same | |
JP2005068367A (en) | Material for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device | |
JP2008288254A (en) | Organic el element | |
JP2008127316A (en) | Condensed heterocyclic compound and organic light emitting device using the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070302 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100817 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101006 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110412 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110414 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140422 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |