JP2006059751A - Charging/discharging circuit and charging/discharging method - Google Patents

Charging/discharging circuit and charging/discharging method Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a charging/discharging circuit and a charging/discharging method for charging/discharging a capacitor capable of reducing overshoot. <P>SOLUTION: This charging/discharging circuit is provided with a first capacitor (C1), a second capacitor (C2), a switching means (74) provided between the first capacitor (C1) and the second capacitor (C2) and switching connection between the first capacitor (C1) and the second capacitor (C2), voltage detection means (76, R12, R13) detecting voltage between both ends of the switching means (74), and control means (71, 72, 73, 75, R11, C11) controlling charging/discharging of the first capacitor and controlling switching the switching means (74) according to the detection results of the voltage detection means (76, R12, R13) when charging the first capacitor. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は充放電回路及び充放電方法に係り、特に、容量に電荷を充電又は放電するための充放電回路及び充放電方法に関する。   The present invention relates to a charging / discharging circuit and a charging / discharging method, and more particularly, to a charging / discharging circuit and a charging / discharging method for charging or discharging a charge in a capacitor.

従来、遅延やタイミングを制御するために、キャパシタンスを充放電させ、その充電電圧を検出することにより、パルス信号などを生成していた。   Conventionally, in order to control delay and timing, a pulse signal or the like is generated by charging / discharging a capacitance and detecting the charging voltage.

しかるに、単一のキャパシタを充放電させていた場合、キャパシタの充電時に充電電圧オーバーシュートが発生するなどの課題があった。   However, when a single capacitor is charged and discharged, there is a problem that a charging voltage overshoot occurs when the capacitor is charged.

本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、オーバーシュートを低減できる充放電回路及び充放電方法を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of said point, and aims at providing the charging / discharging circuit and charging / discharging method which can reduce an overshoot.

本発明は、第1のキャパシタ(C1)と、第2のキャパシタ(C2)と、第1のキャパシタ(C1)と第2のキャパシタ(C2)との間に設けられ、第1のキャパシタ(C1)と第2のキャパシタ(C2)との接続をスイッチングするスイッチ手段(74)と、スイッチ手段(74)の両端の電圧を検出する電圧検出手段(76、R12、R13)と、第1のキャパシタの充放電制御を行っており、第1のキャパシタの充電時に、電圧検出手段(76、R12、R13)の検出結果に応じてスイッチング手段(74)をスイッチング制御する制御手段(71、72、73、75、R11、C11)とを有することを特徴とする。   The present invention is provided between the first capacitor (C1), the second capacitor (C2), the first capacitor (C1) and the second capacitor (C2), and the first capacitor (C1). ) And the second capacitor (C2), switching means (74) for switching the connection, voltage detection means (76, R12, R13) for detecting the voltage across the switching means (74), and the first capacitor Control means (71, 72, 73) for switching control of the switching means (74) according to the detection result of the voltage detection means (76, R12, R13) during charging of the first capacitor. , 75, R11, C11).

制御手段(71、72、73、75、R11、C11)は、電圧検出手段(76、R12、R13)の検出結果、スイッチ手段(74)の両端の電圧の極性に応じてスイッチ手段(74)をスイッチングすることを特徴とする。   The control means (71, 72, 73, 75, R11, C11) switches the switch means (74) according to the detection result of the voltage detection means (76, R12, R13) and the polarity of the voltage across the switch means (74). Switching.

制御手段(71、72、73、75、R11、C11)は、スイッチ手段(74)をオンして、第1のキャパシタ(C1)及び第2のキャパシタ(C2)の両方を略同電位に充電した後、スイッチ手段(74)をオフし、第1のキャパシタ(C1)を放電させ、第1のキャパシタ(C1)を放電させた後、第1のキャパシタ(C1)の充電を開始し、電圧検出手段(76、R12、R13)の検出結果、第1のキャパシタ(C1)の充電電位が第2のキャパシタ(C2)の充電電位より大きくなったときに、スイッチ手段(74)をオンさせることを特徴とする。   The control means (71, 72, 73, 75, R11, C11) turns on the switch means (74) to charge both the first capacitor (C1) and the second capacitor (C2) to substantially the same potential. Then, the switch means (74) is turned off, the first capacitor (C1) is discharged, the first capacitor (C1) is discharged, and then the charging of the first capacitor (C1) is started. When the detection result of the detection means (76, R12, R13) shows that the charging potential of the first capacitor (C1) becomes larger than the charging potential of the second capacitor (C2), the switch means (74) is turned on. It is characterized by.

なお、上記参照符号はあくまでも参考であり、これによって特許請求の範囲が限定されるものではない。   In addition, the said reference code is a reference to the last, and a claim is not limited by this.

本発明によれば、スイッチ手段をオンして、第1のキャパシタ及び第2のキャパシタの両方を略同電位に充電した後、スイッチ手段をオフし、第1のキャパシタを放電させ、第1のキャパシタを放電させた後、第1のキャパシタの充電を開始し、第1のキャパシタの充電電位が第2のキャパシタの充電電位より大きくなったときに、スイッチ手段をオンさせることにより、第1のキャパシタの充電時に充電電圧付近で、第2のキャパシタが並列に接続され、容量が増加することによって、オーバーシュートを低減できるなどの特長を有する。   According to the present invention, after the switch means is turned on and both the first capacitor and the second capacitor are charged to substantially the same potential, the switch means is turned off, and the first capacitor is discharged. After discharging the capacitor, charging of the first capacitor is started, and when the charging potential of the first capacitor becomes higher than the charging potential of the second capacitor, the switch means is turned on, thereby When the capacitor is charged, the second capacitor is connected in parallel near the charging voltage, and the capacitance increases, so that the overshoot can be reduced.

本実施例では、本発明の充放電回路及び充放電方法を冷陰極蛍光管点灯システムに適用した例について説明する。まず、冷陰極蛍光管点灯システムについて説明する。   In this embodiment, an example in which the charge / discharge circuit and the charge / discharge method of the present invention are applied to a cold cathode fluorescent tube lighting system will be described. First, a cold cathode fluorescent tube lighting system will be described.

〔システム構成〕 〔System configuration〕

図1は本発明の一実施例のブロック構成図を示す。   FIG. 1 shows a block diagram of an embodiment of the present invention.

本実施例の冷陰極蛍光管点灯システム1は、例えば、液晶モニタのバックライトなどとして用いられるシステムであり、冷陰極蛍光管部11、共振回路部12、駆動IC(integrated circuit)13、保護IC(integrated circuit)14、ピークホールド回路15、基準電圧源16、キャパシタC1、C2から構成される。   The cold cathode fluorescent tube lighting system 1 of the present embodiment is a system used as a backlight of a liquid crystal monitor, for example, and includes a cold cathode fluorescent tube portion 11, a resonance circuit portion 12, a driving IC (integrated circuit) 13, and a protection IC. (Integrated circuit) 14, a peak hold circuit 15, a reference voltage source 16, and capacitors C1 and C2.

冷陰極蛍光管部11は、冷陰極蛍光管対21、22を並列に配置した構成とされている。冷陰極蛍光管対21は2本の冷陰極蛍光管31、32を並列に配置した構成とされ、冷陰極蛍光管対22は2本の冷陰極蛍光管41、42を並列に配置した構成とされている。   The cold cathode fluorescent tube section 11 has a configuration in which cold cathode fluorescent tube pairs 21 and 22 are arranged in parallel. The cold cathode fluorescent tube pair 21 has a configuration in which two cold cathode fluorescent tubes 31 and 32 are arranged in parallel, and the cold cathode fluorescent tube pair 22 has a configuration in which two cold cathode fluorescent tubes 41 and 42 are arranged in parallel. Has been.

冷陰極蛍光管31、32、41、42の一端には共振回路12が接続されている。また、冷陰極蛍光管31、32の他端は検出用抵抗Rs1、Rs2を介して接地され、冷陰極蛍光管41、42の他端は検出用抵抗Rs3、Rs4を介して接地されている。   The resonance circuit 12 is connected to one end of each cold cathode fluorescent tube 31, 32, 41, 42. The other ends of the cold cathode fluorescent tubes 31 and 32 are grounded via detection resistors Rs1 and Rs2, and the other ends of the cold cathode fluorescent tubes 41 and 42 are grounded via detection resistors Rs3 and Rs4.

冷陰極蛍光管31、32、41、42は共振回路12とともに、共振回路を構成しており、その両端に所定の周波数、例えば、50kHzの電圧が印加されると、駆動電流が流れ、点灯され、それより低い周波数或いは高い周波数、例えば、100kHzの電圧が印加されると、消灯する。   The cold cathode fluorescent tubes 31, 32, 41, and 42 constitute a resonance circuit together with the resonance circuit 12, and when a voltage of a predetermined frequency, for example, 50 kHz is applied to both ends thereof, a drive current flows and is lit. When a voltage of lower or higher frequency, for example, 100 kHz is applied, the light is turned off.

共振回路12には、駆動IC13から所定の周波数の駆動信号が供給されている。共振回路12は、キャパシタ、トランスなどから構成され、それらのキャパシタンス、インダクタンスなどにより、共振回路を構成しており、駆動IC13から供給される駆動信号に共振して、冷陰極蛍光管部11に駆動電力を供給印加している。   The resonance circuit 12 is supplied with a drive signal having a predetermined frequency from the drive IC 13. The resonance circuit 12 is composed of a capacitor, a transformer, and the like, and constitutes a resonance circuit by their capacitance, inductance, and the like. The resonance circuit 12 resonates with a drive signal supplied from the drive IC 13 and is driven to the cold cathode fluorescent tube unit 11. Power is being supplied and applied.

〔駆動IC13〕   [Drive IC13]

図2は駆動IC13のブロック構成図を示す。   FIG. 2 is a block diagram of the driving IC 13.

駆動IC13は、電圧制御発振回路51、起動回路52、誤差アンプ53、電圧制御回路54から構成される。   The drive IC 13 includes a voltage control oscillation circuit 51, a start circuit 52, an error amplifier 53, and a voltage control circuit 54.

電圧制御発振回路51の制御端子Tcntには、起動回路52、及び、誤差アンプ53、電圧制御回路54、並びに、端子T4が接続されている。電圧制御発振回路51は、制御端子Tcntの印加電圧に応じた周波数の発振出力を出力端子Toscから出力する。   The control circuit Tcnt of the voltage controlled oscillation circuit 51 is connected to the starting circuit 52, the error amplifier 53, the voltage control circuit 54, and the terminal T4. The voltage controlled oscillation circuit 51 outputs an oscillation output having a frequency corresponding to the voltage applied to the control terminal Tcnt from the output terminal Tosc.

電圧制御発振回路51の出力端子Toscは、駆動IC13の出力端子T1に接続されており、電圧制御発振回路51の発振出力は、出力端子T1から共振回路12に向けて出力される。   The output terminal Tosc of the voltage controlled oscillation circuit 51 is connected to the output terminal T 1 of the drive IC 13, and the oscillation output of the voltage controlled oscillation circuit 51 is output from the output terminal T 1 toward the resonance circuit 12.

起動回路52は、電源投入時などに冷陰極蛍光管31、32、41、42の点灯を速くするように電圧制御発振回路51の制御電圧を制御する。   The starting circuit 52 controls the control voltage of the voltage controlled oscillation circuit 51 so that the cold cathode fluorescent tubes 31, 32, 41, 42 are turned on quickly when the power is turned on.

誤差アンプ53の反転入力端子には、端子T2が接続され、非反転入力端子には端子T3が接続されている。端子T2には保護IC14から平均値信号が供給され、端子T3には、基準電圧源から基準電圧が供給されている。誤差アンプ53は、平均値信号と基準電圧との差に応じた電圧を出力する。誤差アンプ53の出力は、電圧制御発振回路51の制御端子Tcntに供給されるとともに、端子T4に供給される。   The error amplifier 53 has an inverting input terminal connected to the terminal T2, and a non-inverting input terminal connected to the terminal T3. An average value signal is supplied from the protection IC 14 to the terminal T2, and a reference voltage is supplied from the reference voltage source to the terminal T3. The error amplifier 53 outputs a voltage corresponding to the difference between the average value signal and the reference voltage. The output of the error amplifier 53 is supplied to the control terminal Tcnt of the voltage controlled oscillation circuit 51 and is also supplied to the terminal T4.

電圧制御回路54には、端子T5が接続されている。端子T5は、保護IC14の端子T14と接続されており、保護IC14から停止信号が供給される。電圧制御回路54は、保護IC14からの停止信号により電圧制御発振回路51の制御端子Tcntをハイレベルに固定する。このとき、電圧制御回路54は、その出力をハイレベルに固定すると、電源切断などによりリセットがかかるまで出力をハイレベルに維持する。   The voltage control circuit 54 is connected to a terminal T5. The terminal T5 is connected to the terminal T14 of the protection IC 14, and a stop signal is supplied from the protection IC 14. The voltage control circuit 54 fixes the control terminal Tcnt of the voltage controlled oscillation circuit 51 to a high level by a stop signal from the protection IC 14. At this time, when the output of the voltage control circuit 54 is fixed to the high level, the output is maintained at the high level until the reset is performed due to power-off or the like.

端子T4は、保護IC14の端子T15に接続されている。また、端子T4と端子T15との接続点と接地との間にはキャパシタC1が接続されている。電圧制御発振回路51は、キャパシタC1の充電電圧により制御端子Tcntに印加される制御電圧が制御され、発振周波数が制御される。   The terminal T4 is connected to the terminal T15 of the protection IC 14. A capacitor C1 is connected between the connection point between the terminal T4 and the terminal T15 and the ground. In the voltage controlled oscillation circuit 51, the control voltage applied to the control terminal Tcnt is controlled by the charging voltage of the capacitor C1, and the oscillation frequency is controlled.

〔保護IC14〕   [Protection IC 14]

保護IC14は、図1に示すようにPWM(pulse width modulation)制御部61、及び、保護回路部62から構成されている。PWM制御部61は、駆動IC13に含まれる電圧制御発振回路51の発振状態をPWM制御するための回路である。   As shown in FIG. 1, the protection IC 14 includes a PWM (pulse width modulation) control unit 61 and a protection circuit unit 62. The PWM control unit 61 is a circuit for performing PWM control on the oscillation state of the voltage controlled oscillation circuit 51 included in the drive IC 13.

〔PWM制御部61〕   [PWM controller 61]

図3はPWM制御部61のブロック構成図を示す。   FIG. 3 is a block diagram of the PWM control unit 61.

PWM制御部61は、三角波生成回路71、コンパレータ72、ゲート回路73、アナログスイッチ74、放電用スイッチ75、コンパレータ76、抵抗R11、R12、R13、キャパシタC11から構成されている。   The PWM controller 61 includes a triangular wave generation circuit 71, a comparator 72, a gate circuit 73, an analog switch 74, a discharge switch 75, a comparator 76, resistors R11, R12, R13, and a capacitor C11.

端子T17には外部から輝度を決定するための設定輝度信号が供給されている。端子T17に供給された設定輝度信号は、コンパレータ72の反転入力端子に供給される。コンパレータ72の非反転入力端子には、三角波生成回路71から三角波が供給されている。コンパレータ72は、輝度信号と三角波とを比較して、三角波が輝度信号より大きいときに出力をハイレベルとし、三角波が輝度信号より小さいときにその出力をローレベルとする。コンパレータ72により、三角波の周波数に応じており、かつ、輝度信号に応じたパルス幅のパルスが生成される。   The terminal T17 is supplied with a set luminance signal for determining the luminance from the outside. The set luminance signal supplied to the terminal T17 is supplied to the inverting input terminal of the comparator 72. A triangular wave is supplied from the triangular wave generation circuit 71 to the non-inverting input terminal of the comparator 72. The comparator 72 compares the luminance signal with the triangular wave, and sets the output to a high level when the triangular wave is larger than the luminance signal, and sets the output to a low level when the triangular wave is smaller than the luminance signal. The comparator 72 generates a pulse having a pulse width corresponding to the frequency of the triangular wave and corresponding to the luminance signal.

コンパレータ72の出力パルスは、抵抗R11、キャパシタC11から構成される遅延回路を介してスイッチ75に供給されるとともに、ゲート回路73に供給されている。スイッチ75は、端子T15と接地との間に接続されており、コンパレータ72の出力パルスを抵抗R11、キャパシタC11により決定される時間だけ遅延したパルスによりスイッチングされる。スイッチ75は、パルスがローレベルのときにオフし、キャパシタC1を充電し、ハイレベルのときにオンし、キャパシタC1を放電する。   The output pulse of the comparator 72 is supplied to the switch 75 and a gate circuit 73 through a delay circuit composed of a resistor R11 and a capacitor C11. The switch 75 is connected between the terminal T15 and the ground, and is switched by a pulse obtained by delaying the output pulse of the comparator 72 by a time determined by the resistor R11 and the capacitor C11. The switch 75 is turned off when the pulse is at a low level to charge the capacitor C1, and is turned on when the pulse is at a high level to discharge the capacitor C1.

ゲート回路73は、コンパレータ72の出力パルスを反転して入力する。また、ゲート回路73には、コンパレータ76の出力が供給されている。ゲート回路73は、コンパレータ72の反転出力とコンパレータ76の出力とのAND論理を出力する。ゲート回路73の出力は、アナログスイッチ74に供給される。   The gate circuit 73 inverts and outputs the output pulse of the comparator 72. Further, the output of the comparator 76 is supplied to the gate circuit 73. The gate circuit 73 outputs an AND logic between the inverted output of the comparator 72 and the output of the comparator 76. The output of the gate circuit 73 is supplied to the analog switch 74.

アナログスイッチ74は、pチャネルMOS電界効果トランジスタM1及びnチャネルMOS電界効果トランジスタM2、並びに、反転回路81から構成されている。トランジスタM1とトランジスタM2とはいわゆるCMOS(complementary MOS;相補型MOS)構造のトランスファゲートを構成している。トランジスタM2のゲートには、ANDゲート73の出力が直接供給され、トラジスタM1のゲートには、ANDゲート73の出力が反転回路81を介して供給される。   The analog switch 74 includes a p-channel MOS field effect transistor M 1, an n-channel MOS field effect transistor M 2, and an inverting circuit 81. The transistor M1 and the transistor M2 constitute a transfer gate having a so-called CMOS (complementary MOS) structure. The output of the AND gate 73 is directly supplied to the gate of the transistor M2, and the output of the AND gate 73 is supplied to the gate of the transistor M1 through the inverting circuit 81.

アナログスイッチ74は、端子T15と端子T16との間に接続されており、ゲート回路73の出力に応じてスイッチングされる。アナログスイッチ74は、ゲート回路73の出力がハイレベルのときにオンし、端子T15と端子T16とを短絡し、ゲート回路73の出力がローレベルのときにオフし、端子T15と端子T16とを開放する。   The analog switch 74 is connected between the terminals T15 and T16, and is switched according to the output of the gate circuit 73. The analog switch 74 is turned on when the output of the gate circuit 73 is at a high level, short-circuits the terminal T15 and the terminal T16, is turned off when the output of the gate circuit 73 is at a low level, and connects the terminal T15 and the terminal T16. Open.

コンパレータ76の反転入力端子には、端子T16が接続され、非反転入力端子には、抵抗R12と抵抗R13との接続点が接続されている。抵抗R12は、一端がコンパレータ76の非反転入力端子に接続され、他端が端子T15に接続されている。抵抗R13は、一端がコンパレータ76の非反転入力端子と抵抗R12の一端との接続点に接続され、他端には電源電圧Vddが印加されている。   A terminal T16 is connected to the inverting input terminal of the comparator 76, and a connection point between the resistor R12 and the resistor R13 is connected to the non-inverting input terminal. The resistor R12 has one end connected to the non-inverting input terminal of the comparator 76 and the other end connected to the terminal T15. One end of the resistor R13 is connected to a connection point between the non-inverting input terminal of the comparator 76 and one end of the resistor R12, and the power supply voltage Vdd is applied to the other end.

コンパレータ76は、抵抗R12と抵抗R13との接続点の電位と端子T16の電位とを比較し、抵抗R12と抵抗R13との接続点の電位が端子T16の電位より大きければ、出力をハイレベルとし、抵抗R12と抵抗R13との接続点の電位が端子T16の電位より小さければ、出力をローレベルとする。   The comparator 76 compares the potential at the connection point between the resistor R12 and the resistor R13 with the potential at the terminal T16. If the potential at the connection point between the resistor R12 and the resistor R13 is greater than the potential at the terminal T16, the output is set to the high level. If the potential at the connection point between the resistors R12 and R13 is smaller than the potential at the terminal T16, the output is set to low level.

〔PWM制御部61の動作〕
まず、コンパレータ72の出力パルスがハイレベルになると、スイッチ74はオフし、端子T15と端子T16とは開放される。これによって、キャパシタC1とキャパシタC2とが切断された状態となる。
[Operation of PWM control unit 61]
First, when the output pulse of the comparator 72 becomes high level, the switch 74 is turned off and the terminals T15 and T16 are opened. As a result, the capacitor C1 and the capacitor C2 are disconnected.

次にスイッチ75は、抵抗R11、キャパシタC11により遅延されてハイレベルとなる。これによって、スイッチ75がコンパレータ72の出力がハイレベルになってから僅かに遅延してからオンする。スイッチ75がオンすることにより端子T15に接続されたキャパシタC1が放電される。   Next, the switch 75 is delayed by the resistor R11 and the capacitor C11 and becomes high level. As a result, the switch 75 is turned on after a slight delay after the output of the comparator 72 becomes high level. When the switch 75 is turned on, the capacitor C1 connected to the terminal T15 is discharged.

キャパシタC1が放電されると、端子T15の電位が低下する。次に、三角波生成回路71から出力される三角波が低下し、コンパレータ72の出力がローレベルになると、抵抗R11及びC11により僅かに遅延して、スイッチ75がオフする。スイッチ75がオフすることにより、キャパシタC1が駆動IC13の端子T4の電位により充電される。   When the capacitor C1 is discharged, the potential at the terminal T15 decreases. Next, when the triangular wave output from the triangular wave generating circuit 71 decreases and the output of the comparator 72 becomes low level, the switch 75 is turned off with a slight delay by the resistors R11 and C11. When the switch 75 is turned off, the capacitor C1 is charged by the potential of the terminal T4 of the drive IC 13.

キャパシタC1が充電されることにより端子T15の電位が上昇する。端子T15の電位が上昇することによりコンパレータ76の非反転入力端子の電位が上昇する。   When the capacitor C1 is charged, the potential at the terminal T15 rises. As the potential at the terminal T15 increases, the potential at the non-inverting input terminal of the comparator 76 increases.

コンパレータ76の非反転入力端子の電位が上昇し、端子T16の電位、すなわち、キャパシタC2の充電電圧より上昇すると、コンパレータ76の出力がハイレベルになる。コンパレータ76の出力がハイレベルになると、ゲート回路73の出力がハイレベルになり、アナログスイッチ74がオンする。アナログスイッチ74がオンすることにより、キャパシタC1とキャパシタC2とが接続される。   When the potential of the non-inverting input terminal of the comparator 76 rises and rises above the potential of the terminal T16, that is, the charging voltage of the capacitor C2, the output of the comparator 76 becomes high level. When the output of the comparator 76 becomes high level, the output of the gate circuit 73 becomes high level and the analog switch 74 is turned on. When the analog switch 74 is turned on, the capacitor C1 and the capacitor C2 are connected.

キャパシタC1の充電電圧がキャパシタC2の充電電圧に対して所望の電圧Vに達したときに、キャパシタC1とキャパシタC2とが接続され、キャパシタC1の充電時のオーバーシュートを防止できる。   When the charging voltage of the capacitor C1 reaches a desired voltage V with respect to the charging voltage of the capacitor C2, the capacitor C1 and the capacitor C2 are connected, and overshooting during charging of the capacitor C1 can be prevented.

図4はキャパシタC1の充電電圧の変化を示す図である。   FIG. 4 is a diagram illustrating a change in the charging voltage of the capacitor C1.

キャパシタC1の充電時に時刻t1で、アナログスイッチ74の両端の電圧に応じてアナログスイッチ74をオンし、キャパシタC1、C2との接続することにより、図4に示すように充電電圧波形を充電電圧付近で緩やかにすることが可能となる。このため、端子T4の電位にオーバーシュートが発生することを抑制できる。したがって、端子T4の電位により発振周波数が制御される電圧制御発振回路51の発振出力を安定化させることができる。また、本実施例では、アナログスイッチ74の両端の電位をコンパレータ76により直接比較しているので、アナログスイッチ74をオンするタイミングをキャパシタC1、C2の充電電位に応じて設定できる。   When the capacitor C1 is charged, at time t1, the analog switch 74 is turned on in accordance with the voltage across the analog switch 74 and connected to the capacitors C1 and C2, so that the charging voltage waveform is in the vicinity of the charging voltage as shown in FIG. It becomes possible to relax. For this reason, it can suppress that overshoot generate | occur | produces in the electric potential of terminal T4. Therefore, the oscillation output of the voltage controlled oscillation circuit 51 whose oscillation frequency is controlled by the potential of the terminal T4 can be stabilized. Further, in this embodiment, the potential at both ends of the analog switch 74 is directly compared by the comparator 76, so that the timing for turning on the analog switch 74 can be set according to the charging potential of the capacitors C1 and C2.

なお、本実施例のPWM制御部61はアナログスイッチ74の両端の電圧をコンパレータ76で直接比較したが、アナログスイッチ74の両端の電圧を各々コンパレータで比較し、各コンパレータの出力を論理演算した出力によりアナログスイッチ74を制御するようにしてもよい。   The PWM controller 61 of this embodiment directly compares the voltages at both ends of the analog switch 74 by the comparator 76, but compares the voltages at both ends of the analog switch 74 by the comparators, and outputs the logical operation of the outputs of the comparators. Thus, the analog switch 74 may be controlled.

図5はPWM制御部61の変形例のブロック構成図を示す。同図中、図3と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。   FIG. 5 shows a block configuration diagram of a modified example of the PWM control unit 61. In the figure, the same components as those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

本変形例のPWM制御部161は、検出部176の構成が図3とは相違している。本変形例の検出部176は、コンパレータ181、182、基準電圧源183、184、ANDゲート185から構成されている。コンパレータ181は、端子T15が非反転入力端子に接続され、基準電圧源183で生成された基準電圧が反転入力に印加されている。コンパレータ181は、端子T15の電位が基準電圧源183で生成された基準電圧より大きければ、出力をハイレベルとし、端子T15の電位が基準電圧源183で生成された基準電圧より小さければ、出力をローレベルとする。コンパレータ181の出力は、ANDゲート185に供給される。   The PWM control unit 161 of this modification is different from the configuration of the detection unit 176 in FIG. The detection unit 176 according to the present modification includes comparators 181 and 182, reference voltage sources 183 and 184, and an AND gate 185. In the comparator 181, the terminal T15 is connected to the non-inverting input terminal, and the reference voltage generated by the reference voltage source 183 is applied to the inverting input. The comparator 181 sets the output to a high level if the potential at the terminal T15 is higher than the reference voltage generated by the reference voltage source 183, and outputs the output if the potential at the terminal T15 is lower than the reference voltage generated by the reference voltage source 183. Set to low level. The output of the comparator 181 is supplied to an AND gate 185.

コンパレータ182は、端子T16の出力が非反転入力端子に供給され、基準電圧源184で生成された基準電圧が反転入力に供給されている。コンパレータ182は、端子T16の電位が基準電圧源184で生成された基準電圧より大きければ、出力をハイレベルとし、端子T16の電位が基準電圧源184で生成された基準電圧より小さければ、出力をローレベルとする。コンパレータ182の出力はANDゲート185に供給される。   In the comparator 182, the output of the terminal T16 is supplied to the non-inverting input terminal, and the reference voltage generated by the reference voltage source 184 is supplied to the inverting input. The comparator 182 sets the output to a high level if the potential at the terminal T16 is greater than the reference voltage generated by the reference voltage source 184, and outputs the output if the potential at the terminal T16 is less than the reference voltage generated by the reference voltage source 184. Set to low level. The output of the comparator 182 is supplied to an AND gate 185.

ANDゲート185は、コンパレータ181の出力とコンパレータ182の出力とのAND論理を出力する。ANDゲート185の出力は、ANDゲート73に供給される。   The AND gate 185 outputs an AND logic between the output of the comparator 181 and the output of the comparator 182. The output of the AND gate 185 is supplied to the AND gate 73.

本変形例によれば、端子T15の電位及び端子T16の電位、すなわち、アナログスイッチ74の両端の電位がともに所定電位より大きくなると、ANDゲート73の出力がハイレベルとなり、アナログスイッチ74をオンさせることが可能となる。   According to this modification, when both the potential of the terminal T15 and the potential of the terminal T16, that is, the potentials at both ends of the analog switch 74 are larger than the predetermined potential, the output of the AND gate 73 becomes high level and the analog switch 74 is turned on. It becomes possible.

次に、三角波生成回路71の三角波が設定輝度信号より大きくなり、コンパレータ72の出力がハイレベルとなると、ゲート回路73の出力がローレベルとなり、アナログスイッチ74がオフする。アナログスイッチ74がオフすることにより、キャパシタC2には、駆動IC13の端子T4の電位が保持される。なお、アナログスイッチ74がオフした後、僅かに経過した後、スイッチ75がオンし、キャパシタC1が放電される。このとき、アナログスイッチ74がオフした後であるので、キャパシタC2には端子T4の電位が保持されたままになる。   Next, when the triangular wave of the triangular wave generation circuit 71 becomes larger than the set luminance signal and the output of the comparator 72 becomes high level, the output of the gate circuit 73 becomes low level and the analog switch 74 is turned off. When the analog switch 74 is turned off, the potential of the terminal T4 of the driving IC 13 is held in the capacitor C2. Note that after a short time has elapsed after the analog switch 74 is turned off, the switch 75 is turned on and the capacitor C1 is discharged. At this time, since the analog switch 74 is turned off, the potential of the terminal T4 is held in the capacitor C2.

以上により、コンパレータ72の出力パルスに応じて駆動IC13の端子T4の電位をパルス状に制御できる。   As described above, the potential of the terminal T4 of the driving IC 13 can be controlled in a pulse shape in accordance with the output pulse of the comparator 72.

駆動IC13は、端子T4の電位がパルス状に駆動されることにより、電圧制御発振回路51の発振周波数を略50kHzと略100kHzの間で間欠的に変化させることが可能となる。電圧制御発振回路51の出力発振周波数が50kHzになると、共振回路12が共振して冷陰極蛍光管31、32、41、42が点灯する。また、電圧制御発振回路51の出力発振周波数が100kHzになると、共振回路12から冷陰極蛍光管31、32、41、42への電力の供給が停止され、冷陰極蛍光管31、32、41、42は消灯する。   The drive IC 13 can intermittently change the oscillation frequency of the voltage-controlled oscillation circuit 51 between about 50 kHz and about 100 kHz by driving the potential of the terminal T4 in a pulse shape. When the output oscillation frequency of the voltage controlled oscillation circuit 51 reaches 50 kHz, the resonance circuit 12 resonates and the cold cathode fluorescent tubes 31, 32, 41, and 42 are lit. When the output oscillation frequency of the voltage controlled oscillation circuit 51 reaches 100 kHz, the supply of power from the resonance circuit 12 to the cold cathode fluorescent tubes 31, 32, 41, 42 is stopped, and the cold cathode fluorescent tubes 31, 32, 41, 42, 42 is turned off.

以上により、冷陰極蛍光管31、32、41、42に間欠的に電力が供給されて、輝度が一定に保持される。   As described above, power is intermittently supplied to the cold cathode fluorescent tubes 31, 32, 41, and 42, and the luminance is kept constant.

ここで、PWM制御部61に用いられるコンパレータ76について説明する。   Here, the comparator 76 used in the PWM control unit 61 will be described.

〔コンパレータ76〕
コンパレータ76は、抵抗R12と抵抗R13との接続点の電位と端子T16の電位とを比較し、抵抗R12と抵抗R13との接続点の電位が端子T16の電位より大きければ、出力をハイレベルとし、抵抗R12と抵抗R13との接続点の電位が端子T16の電位より小さければ、出力をローレベルとする。このコンパレータ76には、ヒステリシス及びオフセットが付与されており、このコンパレータ76として本発明のコンパレータが適用される。
[Comparator 76]
The comparator 76 compares the potential at the connection point between the resistor R12 and the resistor R13 with the potential at the terminal T16. If the potential at the connection point between the resistor R12 and the resistor R13 is greater than the potential at the terminal T16, the output is set to the high level. If the potential at the connection point between the resistors R12 and R13 is smaller than the potential at the terminal T16, the output is set to low level. The comparator 76 is provided with hysteresis and offset, and the comparator of the present invention is applied as the comparator 76.

ここで、コンパレータ76について詳細に説明する。   Here, the comparator 76 will be described in detail.

図6はコンパレータ76の回路構成図を示す。   FIG. 6 shows a circuit configuration diagram of the comparator 76.

コンパレータ76は、第1の入力信号に応じた第1の電流と第2の入力信号に応じた第2の電流とを比較し、その大小関係に応じて出力信号をハイレベル又はローレベルとする比較回路部121、及び、比較回路部121の出力信号が一方のレベルのときに第1の入力信号に応じた第1の電流を制御し、比較回路121の出力信号が他方のレベルのときに第2の入力信号に応じた第2の電流を制御し、入出力信号にヒステリシス特性を与える入力制御回路122、並びに、バイアス電源123、124から構成されている。   The comparator 76 compares the first current corresponding to the first input signal with the second current corresponding to the second input signal, and sets the output signal to a high level or a low level according to the magnitude relationship. When the output signal of the comparison circuit unit 121 and the comparison circuit unit 121 is at one level, the first current corresponding to the first input signal is controlled, and when the output signal of the comparison circuit 121 is at the other level The input control circuit 122 controls the second current according to the second input signal and gives hysteresis characteristics to the input / output signal, and the bias power sources 123 and 124.

〔比較回路部121〕
比較回路部121は、pチャネルMOS電界効果トランジスタM31、M32、及び、nチャネルMOS電界効果トランジスタM33〜M36から構成される比較回路と、pチャネルMOS電界効果トランジスタM37及びnチャネルMOS電界効果トランジスタM38から構成される出力回路とから構成されている。
[Comparison circuit unit 121]
The comparison circuit unit 121 includes a comparison circuit including p-channel MOS field effect transistors M31 and M32 and n-channel MOS field effect transistors M33 to M36, a p-channel MOS field effect transistor M37, and an n-channel MOS field effect transistor M38. And an output circuit composed of

トランジスタM31、M32は、カレントミラー回路を構成しており、トランジスタM31に流れる電流に応じた電流がトランジスタM32に流れる。   The transistors M31 and M32 constitute a current mirror circuit, and a current corresponding to the current flowing through the transistor M31 flows through the transistor M32.

トランジスタM33のゲートには、バイアス電源124からバイアス電圧Vbias2が印加されている。トランジスタM33は、バイアス電圧Vbias2に応じた電流をトランジスタM31のドレインから引き込む。トランジスタM34のゲートには、バイアス電源124からバイアス電圧Vbias2が印加されている。トランジスタM34は、バイアス電圧Vbias2に応じた電流をトランジスタM32のドレインから引き込む。   A bias voltage Vbias2 is applied from the bias power supply 124 to the gate of the transistor M33. The transistor M33 draws a current corresponding to the bias voltage Vbias2 from the drain of the transistor M31. A bias voltage Vbias2 is applied from the bias power supply 124 to the gate of the transistor M34. The transistor M34 draws a current corresponding to the bias voltage Vbias2 from the drain of the transistor M32.

トランジスタM35のゲートには、バイアス電源123からバイアス電圧Vbias1が印加されている。トランジスタM35は、バイアス電圧Vbias1に応じた電流をトランジスタM33のソースから引き込み、接地に逃がす。トランジスタM36のゲートには、バイアス電源123からバイアス電圧Vbias1が印加されている。トランジスタM36は、バイアス電圧Vbias1に応じた電流をトランジスタM34のソースから引き込み、接地に逃がす。   A bias voltage Vbias1 is applied from the bias power supply 123 to the gate of the transistor M35. The transistor M35 draws a current corresponding to the bias voltage Vbias1 from the source of the transistor M33 and releases it to the ground. A bias voltage Vbias1 is applied from the bias power supply 123 to the gate of the transistor M36. The transistor M36 draws a current corresponding to the bias voltage Vbias1 from the source of the transistor M34 and releases it to the ground.

トランジスタM33とトランジスタM35との接続点には、入力制御回路122から第1の電流が供給され、トランジスタM34とトランジスタM36との接続点には、入力制御回路122から第2の電流が供給される。   A first current is supplied from the input control circuit 122 to a connection point between the transistors M33 and M35, and a second current is supplied from the input control circuit 122 to a connection point between the transistors M34 and M36. .

比較回路部121は、第1の電流が第2の電流より大きくなると、トランジスタM31のドレイン及びゲート並びにトランジスタM32のゲートからの電流の引き込みが小さくなり、かつ、トランジスタM34のドレインからの電流の引き込みが大きくなるので、トランジスタM37のゲート電圧が低下する。これにより、トランジスタM37がオンして出力がハイレベルとなる。   When the first current is larger than the second current, the comparison circuit unit 121 reduces the current draw from the drain and gate of the transistor M31 and the gate of the transistor M32 and draws the current from the drain of the transistor M34. Increases, the gate voltage of the transistor M37 decreases. As a result, the transistor M37 is turned on and the output becomes a high level.

また、比較回路部121は、第2の電流が第1の電流より大きくなると、トランジスタM31のドレイン及びゲート並びにトランジスタM32のゲートからの電流の引き込みが大きくなり、かつ、トランジスタM34のドレインからの電流の引き込みが小さくなるので、トランジスタM37のゲート電圧が上昇する。これにより、トランジスタM37がオフして出力がローレベルとなる。   In addition, when the second current is larger than the first current, the comparison circuit unit 121 increases the amount of current drawn from the drain and gate of the transistor M31 and the gate of the transistor M32, and the current from the drain of the transistor M34. Is reduced, the gate voltage of the transistor M37 increases. As a result, the transistor M37 is turned off and the output becomes a low level.

〔入力制御回路122〕
入力制御回路122は、電流源131、第1の入力制御回路132、第2の入力制御回路133、第1の入力トランジスタM41、第2の入力トランジスタM42から構成される。
[Input control circuit 122]
The input control circuit 122 includes a current source 131, a first input control circuit 132, a second input control circuit 133, a first input transistor M41, and a second input transistor M42.

電流源131には、電源電圧Vddが印加され、電源電圧Vddから駆動電流を生成し、出力する。電流源131で生成された電流は、第1の入力トランジスタM41のソース及び第2の入力トランジスタM42のソースに供給される。   A power supply voltage Vdd is applied to the current source 131, and a drive current is generated from the power supply voltage Vdd and output. The current generated by the current source 131 is supplied to the source of the first input transistor M41 and the source of the second input transistor M42.

第1の入力トランジスタM41は、pチャネルMOS電界効果トランジスタで構成されており、ゲートが端子T16に接続されている。端子T16に供給された信号は、第1の入力信号として第1の入力トランジスタM41のゲートに供給される。   The first input transistor M41 is composed of a p-channel MOS field effect transistor, and its gate is connected to the terminal T16. The signal supplied to the terminal T16 is supplied to the gate of the first input transistor M41 as the first input signal.

第2の入力トランジスタM42は、pチャネルMOS電界効果トランジスタで構成されており、ゲートが抵抗R12と抵抗R13との接続点に接続されている。抵抗R12と抵抗R13との接続点の電位は、第2の入力信号として第2の入力トランジスタM42のゲートに供給される。   The second input transistor M42 is composed of a p-channel MOS field effect transistor, and has a gate connected to a connection point between the resistor R12 and the resistor R13. The potential at the connection point between the resistor R12 and the resistor R13 is supplied to the gate of the second input transistor M42 as the second input signal.

第1の入力トランジスタM41は、第1の入力信号に応じた電流を電流源131から引き込みドレインから出力する。第1の入力トランジスタM41のドレインから出力された電流は、第1の電流として比較回路部121に供給される。第2の入力トランジスタM42は、第2の入力信号に応じた電流を電流源131から引き込みドレインから出力する。第2の入力トランジスタM42のドレインから出力された電流は、第2の電流として比較回路部121に供給される。   The first input transistor M41 draws a current corresponding to the first input signal from the current source 131 and outputs it from the drain. The current output from the drain of the first input transistor M41 is supplied to the comparison circuit unit 121 as the first current. The second input transistor M42 draws a current corresponding to the second input signal from the current source 131 and outputs it from the drain. The current output from the drain of the second input transistor M42 is supplied to the comparison circuit unit 121 as a second current.

〔第1の入力制御回路132〕
第1の入力制御回路132は、nチャネルMOS電界効果トランジスタM51、M52、及び、反転回路141から構成されており、比較回路部121の出力がローレベルのときに、第1の入力トランジスタM41から比較回路部121に供給される第1の電流が低減するように制御する。
[First input control circuit 132]
The first input control circuit 132 includes n-channel MOS field effect transistors M51 and M52 and an inverting circuit 141. When the output of the comparison circuit unit 121 is at a low level, the first input control circuit 132 starts from the first input transistor M41. Control is performed so that the first current supplied to the comparison circuit unit 121 is reduced.

トランジスタM51は、ドレインが第1の入力トランジスタM41のドレインと比較回路部121との接続点に接続されており、ソースがトランジスタM52のドレインに接続され、ゲートが反転回路141を介して比較回路部121の出力端となるトランジスタM37のドレインとトランジスタM38のドレインとの接続点に接続されている。トランジスタM52は、ドレインがトランジスタM51のソースに接続され、ソースが接地され、ゲートにはバイアス電源123からバイアス電圧Vbias1が印加されている。   The transistor M51 has a drain connected to the connection point between the drain of the first input transistor M41 and the comparison circuit unit 121, a source connected to the drain of the transistor M52, and a gate connected to the comparison circuit unit via the inverting circuit 141. The output terminal 121 is connected to the connection point between the drain of the transistor M37 and the drain of the transistor M38. The drain of the transistor M52 is connected to the source of the transistor M51, the source is grounded, and the bias voltage Vbias1 is applied to the gate from the bias power supply 123.

比較回路部121の出力端となるトランジスタM37のドレインとトランジスタM38のドレインとの接続点の電位がローレベルになると、反転回路141の出力はハイレベルになる。反転回路141の出力がハイレベルになると、トランジスタM51がオンする。トランジスタM51がオンすると、トランジスタM52により、第1の入力トランジスタM41のドレインと比較回路部121との接続点からバイアス電圧Vbias1で設定される定電流分だけ電流が引き込まれる。これによって、第1の入力信号に応じた第1の電流が減少する。   When the potential at the connection point between the drain of the transistor M37 and the drain of the transistor M38, which is the output terminal of the comparison circuit unit 121, becomes low level, the output of the inverting circuit 141 becomes high level. When the output of the inverting circuit 141 becomes high level, the transistor M51 is turned on. When the transistor M51 is turned on, the transistor M52 draws a current from the connection point between the drain of the first input transistor M41 and the comparison circuit unit 121 by a constant current set by the bias voltage Vbias1. As a result, the first current corresponding to the first input signal decreases.

また、比較回路部121の出力端となるトランジスタM37のドレインとトランジスタM38のドレインとの接続点の電位がハイレベルのときには、反転回路141の出力はローレベルになる。反転回路141の出力がローレベルのときにはトランジスタM51はオフしており、比較回路部121には第1の入力信号に応じた第1の電流がそのまま供給される。   When the potential at the connection point between the drain of the transistor M37 and the drain of the transistor M38, which is the output terminal of the comparison circuit unit 121, is high, the output of the inverting circuit 141 is low. When the output of the inverting circuit 141 is at a low level, the transistor M51 is off, and the first current corresponding to the first input signal is supplied to the comparison circuit unit 121 as it is.

〔第2の入力制御回路133〕
第2の入力制御回路133は、nチャネルMOS電界効果トランジスタM61、M62から構成されており、比較回路部121の出力がハイレベルのときに、第2の入力トランジスタM42から比較回路部121に供給される第2の電流が低減するように制御する。
[Second input control circuit 133]
The second input control circuit 133 is composed of n-channel MOS field effect transistors M61 and M62, and is supplied from the second input transistor M42 to the comparison circuit unit 121 when the output of the comparison circuit unit 121 is at a high level. The second current is controlled to be reduced.

トランジスタM61は、ドレインが第2の入力トランジスタM42のドレインと比較回路部121との接続点に接続されており、ソースがトランジスタM62のドレインに接続され、ゲートが比較回路部121の出力端となるトランジスタM37のドレインとトランジスタM38のドレインとの接続点に接続されている。トランジスタM62は、ドレインがトランジスタM61のソースに接続され、ソースが接地され、ゲートにはバイアス電源123からバイアス電圧Vbias1が印加されている。   The transistor M61 has a drain connected to a connection point between the drain of the second input transistor M42 and the comparison circuit unit 121, a source connected to the drain of the transistor M62, and a gate serving as an output terminal of the comparison circuit unit 121. The transistor M37 is connected to the connection point between the drain of the transistor M38 and the drain of the transistor M38. The transistor M62 has a drain connected to the source of the transistor M61, a source grounded, and a bias voltage Vbias1 applied from the bias power supply 123 to the gate.

比較回路部121の出力端となるトランジスタM37のドレインとトランジスタM38のドレインとの接続点の電位がハイレベルになると、トランジスタM61がオンする。トランジスタM61がオンすると、トランジスタM62により、第2の入力トランジスタM42のドレインと比較回路部121との接続点からバイアス電圧Vbias1で設定される定電流分だけ電流が引き込まれる。これによって、第2の入力信号に応じた第2の電流が減少する。   When the potential at the connection point between the drain of the transistor M37 serving as the output terminal of the comparison circuit unit 121 and the drain of the transistor M38 becomes high, the transistor M61 is turned on. When the transistor M61 is turned on, the transistor M62 draws current from the connection point between the drain of the second input transistor M42 and the comparison circuit unit 121 by a constant current set by the bias voltage Vbias1. As a result, the second current corresponding to the second input signal is reduced.

また、比較回路部121の出力端となるトランジスタM37のドレインとトランジスタM38のドレインとの接続点の電位がローレベルのときには、トランジスタM61はオフしており、比較回路部121には第2の入力信号に応じた第2の電流がそのまま供給される。   When the potential at the connection point between the drain of the transistor M37 and the drain of the transistor M38, which is the output terminal of the comparison circuit unit 121, is low, the transistor M61 is off and the comparison circuit unit 121 has a second input. The second current corresponding to the signal is supplied as it is.

〔動作〕
図7はコンパレータ76の動作説明図を示す。図7(A)は第1の入力及び第2の入力、図7(B)は第1の電流及び第2の電流、図7(C)は出力信号の動作波形、図7(D)は第1の入力制御回路132の状態、図7(E)は第2の入力制御回路133の状態を示す。
[Operation]
FIG. 7 is a diagram for explaining the operation of the comparator 76. 7A shows the first input and the second input, FIG. 7B shows the first current and the second current, FIG. 7C shows the operation waveform of the output signal, and FIG. The state of the first input control circuit 132, FIG. 7E shows the state of the second input control circuit 133.

時刻t0で、第1の入力信号が第2の入力信号より大きい状態では、第1の電流が第2の電流より小さくなり、比較回路部121の出力はローレベルとなる。   In a state where the first input signal is larger than the second input signal at time t0, the first current becomes smaller than the second current, and the output of the comparison circuit unit 121 becomes a low level.

比較回路部121の出力がローレベルの状態では、第1の入力制御回路132のトランジスタM51がオンし、第1の電流が第1の入力制御回路132に引き込まれ、低減する。また、比較回路部121の出力がローレベルの状態では、第2の入力制御回路133のトランジスタM61はオフし、第2の電流はそのまま比較回路部121に供給される。この状態では、第1の入力信号が第2の入力信号より一定レベル以上大きくならないと、出力は反転しないことになる。   When the output of the comparison circuit unit 121 is at a low level, the transistor M51 of the first input control circuit 132 is turned on, and the first current is drawn into the first input control circuit 132 and reduced. When the output of the comparison circuit unit 121 is at a low level, the transistor M61 of the second input control circuit 133 is turned off, and the second current is supplied to the comparison circuit unit 121 as it is. In this state, the output is not inverted unless the first input signal is larger than the second input signal by a certain level.

次に、時刻t1で、第1の入力信号が第2の入力信号より一定レベル以上大きくなると、第1の電流が第2の電流より大きくなり、比較回路部121の出力はハイレベルとなる。比較回路部121の出力がハイレベルになると、第1の入力制御回路132のトランジスタM51はオフし、第1の電流はそのまま比較回路部121に供給される。また、第2の入力制御回路133のトランジスタM61はオンし、第2の電流はその一部が第2の入力制御回路133に引き込まれ、低減する。この状態では、第1の入力信号が第2の入力信号より一定レベル以上、小さくならないと、出力は反転しないことになる。   Next, when the first input signal becomes larger than the second input signal by a certain level or more at time t1, the first current becomes larger than the second current, and the output of the comparison circuit unit 121 becomes the high level. When the output of the comparison circuit unit 121 becomes a high level, the transistor M51 of the first input control circuit 132 is turned off, and the first current is supplied to the comparison circuit unit 121 as it is. Further, the transistor M61 of the second input control circuit 133 is turned on, and a part of the second current is drawn into the second input control circuit 133 to be reduced. In this state, the output is not inverted unless the first input signal is lower than the second input signal by a certain level or more.

次に、時刻t2で第1の入力信号が第2の入力信号より一定レベル以上小さくなると、第1の電流が第2の電流より小さくなり、比較回路部121の出力はローレベルとなる。比較回路部121の出力がハイレベルになると、第1の入力制御回路132のトランジスタM51はオンし、第1の電流はその一部が第1の入力制御回路132に引き込まれ、低減する。また、第2の入力制御回路133のトランジスタM61はオフし、第2の電流はそのまま比較回路部121に供給される。この状態では、第1の入力信号が第2の入力信号より一定レベル以上、大きくならないと、出力は反転しないことになる。   Next, when the first input signal becomes smaller than the second input signal by a certain level or more at time t2, the first current becomes smaller than the second current, and the output of the comparison circuit unit 121 becomes the low level. When the output of the comparison circuit unit 121 becomes high level, the transistor M51 of the first input control circuit 132 is turned on, and a part of the first current is drawn into the first input control circuit 132 to be reduced. In addition, the transistor M61 of the second input control circuit 133 is turned off, and the second current is supplied to the comparison circuit unit 121 as it is. In this state, the output is not inverted unless the first input signal is larger than the second input signal by a certain level or more.

以上により、入出力特性にヒステリシスを持たせることが可能となる。   As described above, hysteresis can be given to the input / output characteristics.

このとき、本実施例では、第1の入力及び第2の入力がMOS電界効果トランジスタから構成される入力トランジスタM41及びM42のゲートに供給されるため、入力側に電流供給能力が十分でなくてもヒステリシス動作が可能となる。   At this time, in this embodiment, since the first input and the second input are supplied to the gates of the input transistors M41 and M42 formed of MOS field effect transistors, the current supply capability is not sufficient on the input side. Hysteresis operation is also possible.

また、比較回路部121を構成するトランジスタM35のチャネル長とトランジスタM36のチャネル長とを異ならせることにより、トランジスタM35とトランジスタM36との電流供給能力を異ならせ、入出力信号にオフセットを持たせることができる。なお、トランジスタM35のチャネル幅とトランジスタM36のチャネル幅を変えることによっても、トランジスタM35とトランジスタM36との電流供給能力を異ならせ、入出力信号にオフセットを持たせることができる。さらに、チャネル長とチャネル幅の両方を異ならせることによっても同様にトランジスタM35とトランジスタM36との電流供給能力を異ならせ、入出力信号にオフセットを持たせることができる。   Further, by making the channel length of the transistor M35 and the channel length of the transistor M36 constituting the comparison circuit unit 121 different, the current supply capabilities of the transistor M35 and the transistor M36 are made different so that the input / output signal has an offset. Can do. Note that by changing the channel width of the transistor M35 and the channel width of the transistor M36, the current supply capabilities of the transistor M35 and the transistor M36 can be made different so that the input / output signal has an offset. Further, by changing both the channel length and the channel width, the current supply capability of the transistor M35 and the transistor M36 can be similarly changed, and the input / output signal can be offset.

〔保護回路部62〕   [Protection circuit section 62]

次に保護回路部62について説明する。   Next, the protection circuit unit 62 will be described.

保護回路部62は、冷陰極蛍光管部11の印加電圧や供給電流の最大値を検出し、冷陰極蛍光管部11の異常を検知するための回路である。   The protection circuit unit 62 is a circuit for detecting the maximum value of the applied voltage and supply current of the cold cathode fluorescent tube unit 11 and detecting an abnormality of the cold cathode fluorescent tube unit 11.

図8は保護回路部62のブロック構成図を示す。   FIG. 8 is a block diagram of the protection circuit unit 62.

保護回路部62は、最大値出力回路91、コンパレータ92、基準電圧源93、係数乗算回路94、コンパレータ95、96、97、基準電圧源98、ANDゲート99、出力回路100、平均値回路101、ダイオードD1、D2から構成される。   The protection circuit unit 62 includes a maximum value output circuit 91, a comparator 92, a reference voltage source 93, a coefficient multiplication circuit 94, comparators 95, 96, 97, a reference voltage source 98, an AND gate 99, an output circuit 100, an average value circuit 101, It consists of diodes D1 and D2.

最大値出力回路91には、端子T12、T13から検出電圧が入力される。端子T12には、接地との間にダイオードD1が逆方向に接続されている。また、端子T13には、接地との間にダイオードD2が逆方向に接続されている。   The maximum value output circuit 91 receives detection voltages from terminals T12 and T13. A diode D1 is connected in the reverse direction between the terminal T12 and the ground. A diode D2 is connected to the terminal T13 in the reverse direction between the terminal T13 and the ground.

ダイオードD1、D2は、保護IC13の保護素子として作用している。ダイオードD1、D2により端子T12、T13から検出電圧が半波整流される。端子T12、T13に供給され、ダイオードD1、D2により半波整流された信号が最大値出力回路91に供給される。   The diodes D1 and D2 act as protection elements for the protection IC 13. The detection voltage is half-wave rectified from the terminals T12 and T13 by the diodes D1 and D2. The signals supplied to the terminals T12 and T13 and half-wave rectified by the diodes D1 and D2 are supplied to the maximum value output circuit 91.

最大値出力回路91は、端子T12から供給される検出電圧又は端子T13から供給される検出電圧のうち大きい方の検出電圧を選択的に出力する。   The maximum value output circuit 91 selectively outputs the larger detection voltage of the detection voltage supplied from the terminal T12 or the detection voltage supplied from the terminal T13.

最大値出力回路91から出力された最大値信号は、コンパレータ92の非反転入力端子及び係数乗算回路94に供給される。コンパレータ92の反転入力端子には基準電圧源93から基準電圧が印加されている。基準電圧源93で発生される基準電圧は、最大値信号の下限値に設定されている。   The maximum value signal output from the maximum value output circuit 91 is supplied to the non-inverting input terminal of the comparator 92 and the coefficient multiplication circuit 94. A reference voltage is applied from the reference voltage source 93 to the inverting input terminal of the comparator 92. The reference voltage generated by the reference voltage source 93 is set to the lower limit value of the maximum value signal.

コンパレータ92は最大値出力回路91からの最大値信号が基準電圧源93で発生される基準電圧より大きければ、出力をハイレベルとし、最大値出力回路91からの最大値信号が基準電圧源93で発生される基準電圧より小さければ、出力をローレベルとする。コンパレータ92の出力は、ANDゲート99に供給される。   If the maximum value signal from the maximum value output circuit 91 is larger than the reference voltage generated by the reference voltage source 93, the comparator 92 sets the output to the high level, and the maximum value signal from the maximum value output circuit 91 is the reference voltage source 93. If it is smaller than the generated reference voltage, the output is set to low level. The output of the comparator 92 is supplied to the AND gate 99.

また、係数乗算回路94は、最大値出力回路91から出力された最大値信号を0.8倍する。すなわち、最大値の80%の信号を出力する。係数乗算回路94で0.8倍された信号は、コンパレータ95、96の反転入力端子に供給される。   The coefficient multiplication circuit 94 multiplies the maximum value signal output from the maximum value output circuit 91 by 0.8. That is, a signal having 80% of the maximum value is output. The signal multiplied by 0.8 by the coefficient multiplication circuit 94 is supplied to the inverting input terminals of the comparators 95 and 96.

コンパレータ95の非反転入力端子には、端子T12に供給される検出信号V12が供給されている。コンパレータ95は検出信号V12が係数乗算回路94からの最大値の80%の信号より大きければ、出力をハイレベルとし、検出信号V12が係数乗算回路94からの最大値の80%の信号より小さければ、出力をローレベルとする。   The detection signal V12 supplied to the terminal T12 is supplied to the non-inverting input terminal of the comparator 95. The comparator 95 sets the output to a high level if the detection signal V12 is larger than the signal of 80% of the maximum value from the coefficient multiplication circuit 94, and if the detection signal V12 is smaller than the signal of 80% of the maximum value from the coefficient multiplication circuit 94. The output is set to low level.

コンパレータ96の非反転入力端子には、端子T13に供給される検出信号V13が供給されている。コンパレータ96は検出信号V13が係数乗算回路94からの最大値の80%の信号より大きければ、出力をハイレベルとし、検出信号V13が係数乗算回路94からの最大値の80%の信号より小さければ、出力をローレベルとする。コンパレータ95、96の出力は、ANDゲート99に供給される。   The detection signal V13 supplied to the terminal T13 is supplied to the non-inverting input terminal of the comparator 96. The comparator 96 sets the output to a high level if the detection signal V13 is larger than the signal of 80% of the maximum value from the coefficient multiplication circuit 94, and if the detection signal V13 is smaller than the signal of 80% of the maximum value from the coefficient multiplication circuit 94. The output is set to low level. Outputs of the comparators 95 and 96 are supplied to an AND gate 99.

コンパレータ97の反転入力端子には、端子T11からホールド回路15の出力が供給されている。ホールド回路15は、検出抵抗Rs1と検出抵抗Rs2との接続点の電圧及び検出抵抗Rs3と検出抵抗Rs4との接続点の最大電圧をホールドしている。また、コンパレータ97の反転入力端子には、基準電圧源98から基準電圧が印加されている。基準電圧源98で発生される基準電圧は、最大駆動電圧に応じた電圧に設定されている。   The inverting input terminal of the comparator 97 is supplied with the output of the hold circuit 15 from the terminal T11. The hold circuit 15 holds the voltage at the connection point between the detection resistor Rs1 and the detection resistor Rs2 and the maximum voltage at the connection point between the detection resistor Rs3 and the detection resistor Rs4. A reference voltage is applied from the reference voltage source 98 to the inverting input terminal of the comparator 97. The reference voltage generated by the reference voltage source 98 is set to a voltage corresponding to the maximum drive voltage.

コンパレータ97はホールド回路15の出力電圧が基準電圧98からの基準電圧より大きければ、出力をローレベルとし、ホールド回路15の出力電圧が基準電圧98からの基準電圧より小さければ、出力をハイレベルとする。コンパレータ97の出力は、ANDゲート99に供給される。   The comparator 97 sets the output to a low level if the output voltage of the hold circuit 15 is higher than the reference voltage from the reference voltage 98, and sets the output to a high level if the output voltage of the hold circuit 15 is lower than the reference voltage from the reference voltage 98. To do. The output of the comparator 97 is supplied to the AND gate 99.

ANDゲート99には、コンパレータ92、95、96、97の出力が供給される。ANDゲート99は、コンパレータ92、95、96、97の出力のAND論理を出力する。ANDゲート99は、コンパレータ92、95、96、97の出力がすべてハイレベルのときに出力がハイレベルとなり、コンパレータ92、95、96、97の出力のうちいずれか一つでもローレベルとなると出力がローレベルとなる。ANDゲート99の出力は、出力回路100に供給される。   The outputs of the comparators 92, 95, 96, and 97 are supplied to the AND gate 99. The AND gate 99 outputs an AND logic of outputs from the comparators 92, 95, 96, and 97. The AND gate 99 outputs a high level when all the outputs of the comparators 92, 95, 96, and 97 are at a high level, and outputs when any one of the outputs of the comparators 92, 95, 96, and 97 is at a low level. Becomes low level. The output of the AND gate 99 is supplied to the output circuit 100.

出力回路100は、電流源111、コンパレータ112、基準電圧源113、キャパシタC21、トランジスタM11、M12から構成されている。   The output circuit 100 includes a current source 111, a comparator 112, a reference voltage source 113, a capacitor C21, and transistors M11 and M12.

ANDゲート99の出力は、トランジスタM11のゲートに供給される。トランジスタM11はnチャネルMOS電界効果トランジスタから構成されており、ソースが接地され、ドレイン−ソースに並列にキャパシタC21が接続された構成とされている。また、トランジスタM11のドレインとキャパシタC21との接続点には、電流源111から充電電流が供給されている。   The output of the AND gate 99 is supplied to the gate of the transistor M11. The transistor M11 is composed of an n-channel MOS field effect transistor, and has a source grounded and a capacitor C21 connected in parallel with the drain-source. A charging current is supplied from the current source 111 to a connection point between the drain of the transistor M11 and the capacitor C21.

トランジスタM11は、ANDゲート99の出力がハイレベルのときにオンし、ANDゲート99の出力がローレベルのときにオフする。トランジスタM11がオフの状態で電流源111からキャパシタC21に充電電流が供給され、キャパシタC21が充電される。また、トランジスタM12がオンすると、キャパシタC21に充電された電荷がトランジスタM11を通して接地に放電される。このようにキャパシタC21は、トランジスタM11のオン/オフに応じて充放電される。   The transistor M11 is turned on when the output of the AND gate 99 is at a high level, and turned off when the output of the AND gate 99 is at a low level. A charging current is supplied from the current source 111 to the capacitor C21 while the transistor M11 is off, and the capacitor C21 is charged. When the transistor M12 is turned on, the charge charged in the capacitor C21 is discharged to the ground through the transistor M11. Thus, the capacitor C21 is charged / discharged according to the on / off of the transistor M11.

キャパシタC21の充電電圧は、コンパレータ112の反転入力端子に印加されている。コンパレータ112の非反転入力端子には、基準電圧源113から基準電圧が供給されている。コンパレータ112は、キャパシタC21の充電電圧が基準電圧源113からの基準電圧より大きければ、出力をローレベルとし、キャパシタC21の充電電圧が基準電圧源113からの基準電圧より小さければ、出力をハイレベルとする。コンパレータ112の出力は、トランジスタM12のゲートに供給されている。   The charging voltage of the capacitor C21 is applied to the inverting input terminal of the comparator 112. A reference voltage is supplied from the reference voltage source 113 to the non-inverting input terminal of the comparator 112. The comparator 112 outputs a low level if the charging voltage of the capacitor C21 is larger than the reference voltage from the reference voltage source 113, and outputs a high level if the charging voltage of the capacitor C21 is smaller than the reference voltage from the reference voltage source 113. And The output of the comparator 112 is supplied to the gate of the transistor M12.

トランジスタM12は、nチャネルMOS電界効果トランジスタから構成されており、ソースが接地され、ドレインが出力端子T14に接続されている。トランジスタM12は、コンパレータ112の出力がハイレベルのときにオンし、ローレベルのときオフする。   The transistor M12 is composed of an n-channel MOS field effect transistor, the source is grounded, and the drain is connected to the output terminal T14. The transistor M12 is turned on when the output of the comparator 112 is at a high level and turned off when it is at a low level.

〔保護回路部62の動作〕   [Operation of Protection Circuit Unit 62]

通常動作状態においては、コンパレータ92、95、96、97の出力すべてハイレベルとなり、ANDゲート99の出力はハイレベルとなる。ANDゲート99の出力がハイレベルのときには、トランジスタM11がオンする。トランジスタM11がオンすることにより、キャパシタC21が放電され、キャパシタC21の充電電圧はローレベルとなる。キャパシタの充電電圧がローレベルとなることにより、コンパレータ112の出力がハイレベルとなる。コンパレータ112の出力がハイレベルになると、トランジスタM12がオンし、端子T14はローレベルとなる。   In the normal operation state, the outputs of the comparators 92, 95, 96 and 97 are all at a high level, and the output of the AND gate 99 is at a high level. When the output of the AND gate 99 is at a high level, the transistor M11 is turned on. When the transistor M11 is turned on, the capacitor C21 is discharged, and the charging voltage of the capacitor C21 becomes low level. When the charging voltage of the capacitor becomes low level, the output of the comparator 112 becomes high level. When the output of the comparator 112 becomes high level, the transistor M12 is turned on and the terminal T14 becomes low level.

また、冷陰極蛍光管部11の接続状態、点灯状態に異常があり、最大出力回路91の出力が基準電圧、すなわち、最大値信号の下限値より小さくなると、コンパレータ92の出力がローレベルになる。   Further, when the connection state and the lighting state of the cold cathode fluorescent tube unit 11 are abnormal, and the output of the maximum output circuit 91 becomes smaller than the reference voltage, that is, the lower limit value of the maximum value signal, the output of the comparator 92 becomes low level. .

コンパレータ92の出力がローレベルになると、ANDゲート99の出力はローレベルとなる。ANDゲート99の出力がローレベルのときには、トランジスタM11がオフする。トランジスタM11がオフすることにより、キャパシタC21が電流源111により充電される。キャパシタC21が充電され、その充電電圧が基準電圧113より大きくなると、コンパレータ112の出力がローレベルとなる。コンパレータ112の出力がローレベルになると、トランジスタM12がオフし、端子T14はハイレベルとなる。端子T14がハイレベルになることにより、冷陰極蛍光管部11の異常状態を検知できる。   When the output of the comparator 92 becomes low level, the output of the AND gate 99 becomes low level. When the output of the AND gate 99 is at a low level, the transistor M11 is turned off. By turning off the transistor M11, the capacitor C21 is charged by the current source 111. When the capacitor C21 is charged and the charging voltage becomes higher than the reference voltage 113, the output of the comparator 112 becomes low level. When the output of the comparator 112 becomes low level, the transistor M12 is turned off and the terminal T14 becomes high level. The abnormal state of the cold cathode fluorescent tube section 11 can be detected by the terminal T14 being at a high level.

さらに、冷陰極蛍光管部11の接続状態、消灯などの異常により、端子T12又は端子T13の電圧が係数乗算回路94の出力、最大値信号の80%より小さくなると、コンパレータ95又は96の出力がローレベルになる。   Further, when the voltage at the terminal T12 or the terminal T13 becomes smaller than 80% of the output of the coefficient multiplication circuit 94 or the maximum value signal due to an abnormality such as connection state of the cold cathode fluorescent tube portion 11 or extinction, the output of the comparator 95 or 96 is Become low level.

コンパレータ92の出力がローレベルになると、ANDゲート99の出力はローレベルとなる。ANDゲート99の出力がローレベルのときには、トランジスタM11がオフする。トランジスタM11がオフすることにより、キャパシタC21が電流源111により充電される。キャパシタC21が充電され、その充電電圧が基準電圧113より大きくなると、コンパレータ112の出力がローレベルとなる。コンパレータ112の出力がローレベルになると、トランジスタM12がオフし、端子T14はハイレベルとなる。端子T14がハイレベルになることにより、冷陰極蛍光管部11の異常状態を検知できる。   When the output of the comparator 92 becomes low level, the output of the AND gate 99 becomes low level. When the output of the AND gate 99 is at a low level, the transistor M11 is turned off. By turning off the transistor M11, the capacitor C21 is charged by the current source 111. When the capacitor C21 is charged and the charging voltage becomes higher than the reference voltage 113, the output of the comparator 112 becomes low level. When the output of the comparator 112 becomes low level, the transistor M12 is turned off and the terminal T14 becomes high level. The abnormal state of the cold cathode fluorescent tube section 11 can be detected by the terminal T14 being at a high level.

また、冷陰極蛍光管部11が過電圧状態となり、端子T11の電圧が基準電圧源98で生成される基準電圧より大きくなると、コンパレータ97の出力がローレベルになる。コンパレータ97の出力がローレベルになると、ANDゲート99の出力はローレベルとなる。ANDゲート99の出力がローレベルのときには、トランジスタM11がオフする。トランジスタM11がオフすることにより、キャパシタC21が電流源111により充電される。キャパシタC21が充電され、その充電電圧が基準電圧113より大きくなると、コンパレータ112の出力がローレベルとなる。コンパレータ112の出力がローレベルになると、トランジスタM12がオフし、端子T14はハイレベルとなる。端子T14がハイレベルになることにより、冷陰極蛍光管部11の異常状態を検知できる。端子T14は、駆動IC13の端子T5に接続されている。   When the cold cathode fluorescent tube unit 11 is in an overvoltage state and the voltage at the terminal T11 becomes higher than the reference voltage generated by the reference voltage source 98, the output of the comparator 97 becomes low level. When the output of the comparator 97 becomes low level, the output of the AND gate 99 becomes low level. When the output of the AND gate 99 is at a low level, the transistor M11 is turned off. By turning off the transistor M11, the capacitor C21 is charged by the current source 111. When the capacitor C21 is charged and the charging voltage becomes higher than the reference voltage 113, the output of the comparator 112 becomes low level. When the output of the comparator 112 becomes low level, the transistor M12 is turned off and the terminal T14 becomes high level. The abnormal state of the cold cathode fluorescent tube section 11 can be detected by the terminal T14 being at a high level. The terminal T14 is connected to the terminal T5 of the drive IC 13.

また、平均値回路101には、端子T12、端子T13から検出信号V12、V13が供給されている。平均値回路101は、検出信号V12、V13の平均値に応じた信号を生成し、端子T18から出力する。端子T18は、駆動IC13の端子T2に接続されている。   The average value circuit 101 is supplied with detection signals V12 and V13 from terminals T12 and T13. The average value circuit 101 generates a signal corresponding to the average value of the detection signals V12 and V13 and outputs it from the terminal T18. The terminal T18 is connected to the terminal T2 of the driving IC 13.

本発明の一実施例のブロック構成図である。It is a block block diagram of one Example of this invention. 駆動IC13のブロック構成図である。3 is a block configuration diagram of a drive IC 13. FIG. PWM制御部61のブロック構成図である。3 is a block configuration diagram of a PWM control unit 61. FIG. キャパシタC1の充電電圧の変化を示す図である。It is a figure which shows the change of the charging voltage of the capacitor C1. PWM制御部61の変形例のブロック構成図である。It is a block block diagram of the modification of the PWM control part. コンパレータ76の回路構成図である。3 is a circuit configuration diagram of a comparator 76. FIG. コンパレータ76の動作説明図である。6 is an operation explanatory diagram of a comparator 76. FIG. 保護回路部62のブロック構成図である。3 is a block configuration diagram of a protection circuit unit 62. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 冷陰極蛍光管点灯システム
11 冷陰極蛍光管部、12 共振回路、13 駆動IC、14 保護IC
15 ホールド回路、16 基準電圧源
21、22 冷陰極蛍光管対、31、32、41、42 冷陰極蛍光管
61 PWM制御部、62 保護回路部
C1、C2 キャパシタ
91 最大値出力回路、92、95〜97、112 コンパレータ
94 係数乗算回路、98 基準電圧源、99 ANDゲート、100出力回路
101 平均値回路、D1、D2 ダイオード
121、221 電流源
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cold cathode fluorescent tube lighting system 11 Cold cathode fluorescent tube part, 12 Resonance circuit, 13 Drive IC, 14 Protection IC
15 Hold circuit, 16 Reference voltage source 21, 22 Cold cathode fluorescent tube pair, 31, 32, 41, 42 Cold cathode fluorescent tube 61 PWM control unit, 62 Protection circuit unit C1, C2 Capacitor 91 Maximum value output circuit, 92, 95 97, 112 Comparator 94 Coefficient multiplication circuit, 98 Reference voltage source, 99 AND gate, 100 Output circuit 101 Average value circuit, D1, D2 Diodes 121, 221 Current source

Claims (6)

第1のキャパシタと、
第2のキャパシタと、
前記第1のキャパシタと前記第2のキャパシタとの間に設けられ、前記第1のキャパシタと前記第2のキャパシタとの接続をスイッチングするスイッチ手段と、
前記スイッチ手段の両端の電圧を検出する電圧検出手段と、
前記第1のキャパシタの充放電制御を行っており、前記第1のキャパシタの充電時に、前記電圧検出手段の検出結果に応じて前記スイッチング手段をスイッチング制御する制御手段とを有することを特徴とする充放電回路。
A first capacitor;
A second capacitor;
Switch means provided between the first capacitor and the second capacitor, for switching a connection between the first capacitor and the second capacitor;
Voltage detection means for detecting the voltage across the switch means;
The charging / discharging control of the first capacitor is performed, and control means for controlling the switching of the switching means according to a detection result of the voltage detection means when charging the first capacitor is provided. Charge / discharge circuit.
前記制御手段は、前記電圧検出手段の検出結果、前記スイッチ手段の両端の電圧の極性に応じて前記スイッチ手段をスイッチングすることを特徴とする請求項1記載の充放電回路。 2. The charge / discharge circuit according to claim 1, wherein the control means switches the switch means in accordance with a detection result of the voltage detection means and a polarity of a voltage across the switch means. 前記制御手段は、前記スイッチ手段をオンして、前記第1のキャパシタ及び前記第2のキャパシタの両方を略同電位に充電した後、前記スイッチ手段をオフし、前記第1のキャパシタを放電させ、前記第1のキャパシタを放電させた後、前記第1のキャパシタの充電を開始し、前記電圧検出手段の検出結果、前記第1のキャパシタの充電電位が前記第2のキャパシタの充電電位より大きくなったときに、前記スイッチ手段をオンさせることを特徴とする請求項1又は2記載の充放電回路。 The control means turns on the switch means to charge both the first capacitor and the second capacitor to substantially the same potential, and then turns off the switch means to discharge the first capacitor. After the first capacitor is discharged, charging of the first capacitor is started, and as a result of detection by the voltage detection means, the charging potential of the first capacitor is larger than the charging potential of the second capacitor. 3. The charging / discharging circuit according to claim 1, wherein the switch means is turned on when it becomes. 第1のキャパシタと、
第2のキャパシタと、
前記第1のキャパシタと前記第2のキャパシタとの間に設けられ、前記第1のキャパシタと前記第2のキャパシタとの接続をスイッチングするスイッチ手段とを有し、
前記スイッチ手段の両端の電圧を検出し、
前記電圧検出手段の検出結果に応じて前記スイッチング手段をスイッチング制御することを特徴とする充放電方法。
A first capacitor;
A second capacitor;
Switch means provided between the first capacitor and the second capacitor, for switching a connection between the first capacitor and the second capacitor;
Detecting the voltage across the switch means;
A charging / discharging method, wherein the switching unit is subjected to switching control according to a detection result of the voltage detection unit.
前記スイッチ手段の両端の電圧の極性に応じて前記スイッチ手段をスイッチングすることを特徴とする請求項4記載の充放電方法。 5. The charge / discharge method according to claim 4, wherein the switch means is switched according to the polarity of the voltage across the switch means. 前記スイッチ手段をオンして、前記第1のキャパシタ及び前記第2のキャパシタの両方を略同電位に充電した後、前記スイッチ手段をオフし、前記第1のキャパシタを放電させ、前記第1のキャパシタを放電させた後、前記第1のキャパシタの充電を開始し、前記第1のキャパシタの充電電位が前記第2のキャパシタの充電電位より大きくなったときに、前記スイッチ手段をオンさせることを特徴とする請求項4又は5記載の充放電方法。 After the switch means is turned on and both the first capacitor and the second capacitor are charged to substantially the same potential, the switch means is turned off, the first capacitor is discharged, and the first capacitor is discharged. After discharging the capacitor, the charging of the first capacitor is started, and when the charging potential of the first capacitor becomes larger than the charging potential of the second capacitor, the switch means is turned on. The charging / discharging method according to claim 4 or 5, characterized in that:
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