JP2006054469A - イメージセンサ - Google Patents

イメージセンサ Download PDF

Info

Publication number
JP2006054469A
JP2006054469A JP2005234213A JP2005234213A JP2006054469A JP 2006054469 A JP2006054469 A JP 2006054469A JP 2005234213 A JP2005234213 A JP 2005234213A JP 2005234213 A JP2005234213 A JP 2005234213A JP 2006054469 A JP2006054469 A JP 2006054469A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microlens
photosensitive
image sensor
pixel structure
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2005234213A
Other languages
English (en)
Inventor
Jerome Vaillant
ヴァイヤン ジェローム
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SA
Original Assignee
STMicroelectronics SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SA filed Critical STMicroelectronics SA
Publication of JP2006054469A publication Critical patent/JP2006054469A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses

Abstract

【課題】感光セルのマトリクスで形成されたイメージセンサで、各感光セルについて、従来の技術に記載されているイメージセンサよりも感光セルの感光領域上に多くの光を合焦できるイメージセンサを提供する。
【解決手段】感光領域と、感光領域をカバーする絶縁層の積重ねと、感光領域にピクセルの光を合焦するための装置とを有するイメージセンサのピクセル構造を提供する。合焦装置は、第1のマイクロレンズ29および第2のマイクロレンズ27を有し、第1のマイクロレンズ29は積重ねの層の間に配置され、第2のマイクロレンズ27と感光領域とを、実質的に結び付ける。
【選択図】図4

Description

本発明は、行と列に配置され、CMOS型の技術の中に形成される感光セルのマトリクスを有するイメージセンサに関する。
図1は、対物レンズ2を介して、視野3の離れた対物領域のイメージを受けるピクセル1のマトリクスで形成されるイメージセンサを概略的に示したものである。対物面の中央に位置する点Aのイメージはマトリクス1のほぼ中央に形成される。対物面の端に位置する点Bのイメージは、マトリクス1の端に形成される。
図2は、例えばシリコンなどの基板7上に形成されたイメージセンサのほぼ中央の感光セル6の断面図を示したものである。感光セル6は、基板7の表面の一部に関連付けられており、それは、上から見ると、通常、正方形または長方形の形状をしている。感光セル6は、受けた光の強度に応じて電荷の量を蓄えることのできるフォトダイオードに通常対応するアクティブな感光領域8を有する。基板7は、透明の絶縁層9、11、12、13の積重ねによってカバーされ、それは例えば、酸化シリコンおよび窒化シリコンであることができる。導電トラック14は、隣接する絶縁層の間に形成され、導電ビア16は2つの導電トラックの間に形成され、特に感光領域8のアドレスを可能とし、感光領域8により供給された電気信号を集めることができる。導電トラック14および導電ビア16は、通常、金属である。例として、アルミニウム、タングステン、銅、合金を使用することができる。そのような材料は不透明で、しかも反射性を持つことも有り得る。カラーセンサにおいて、例えば有機フィルタなどのカラーフィルタ素子17が、感光セル6のレベルで絶縁層9、11、12、13の積重ねの上に配置される。カラーフィルタ17の素子は、光に露出する、露出する面19を規定する平坦化された等価層18で通常カバーされている。
対物レンズ2(図1)により、感光セル1に関連付けられる露出する面19の一部の上に送られる最大量の光は、感光アクティブ領域8に向けられなければならない。このため、感光領域8の向かい側にある、感光領域8上に光線を合焦するための等価層18上に、マイクロレンズ21が配置される。2つの光線R1、R2の経路が、感光セル6に関し、例として概略的に示されている。導電トラック14および導電ビア16は、光線の通過を妨害しないように配置される。マイクロレンズ21は、例えば等価層18を樹脂でカバーすることによって得られる。樹脂は、個別の樹脂の塊を区切るためにエッチングされ、各樹脂の塊は感光領域8のほぼ向かい側に配置される。その後、樹脂の塊は加熱される。各樹脂の塊は、リフローにより変形しやすく、凸状の外部面22を得る。例として、4μmの辺の感光セル6で、マイクロレンズ21と関連付けられた感光領域8との間の距離が約8〜10μmである場合、マイクロレンズ21の最大の厚さは約0.5μmである。
感光領域8は、感光領域6に関連付けられた基板7の表面の一部をカバーするに過ぎない。事実、表面の一部は、感光領域8にアドレスし、読出しを行う装置のために確保されている。明瞭性のため、これらの装置は、図2には示されていない。
図3は、ピクセルマトリクスの端に位置するイメージセンサの感光セル6の断面図を示したものである。2本の光線R1’、R2’が、例として示されている。光線R1’、R2’の合焦は、感光領域8の側で行われることがわかる。従って、マイクロレンズ21により供給される光点の少なくとも一部は、感光領域8にぶつからず、イメージの端は、同一の光について、イメージの中心よりも暗く現れる。これは、感光セルマトリクスの周辺部の上に投影されるイメージのオフセットに起因する、周辺の感度のロスへとつながる。
増える一方のイメージセンサを、1つの基板の同一の表面に集積するため、イメージセンサの寸法の縮小が絶えず試みられてきた。これは、感光セル6について、感光セル8の横方向の寸法dの縮小という結果をもたらす。しかしながら、通常、マイクロレンズ21と感光領域8の間の距離Tが著しく変化することはない。距離Tと横方向の寸法dの比率は、従って増大する傾向にある。マイクロレンズ21は、感光領域8上で合焦できるように、集束しにくいものでなければならない。従って、マイクロレンズ21はより薄くならなければならず、すなわち、等価層18上に堆積される樹脂の層は、より薄くなければならない。樹脂の層の中でエッチングされる樹脂の塊のリフローのステップにおいて、光線を適切に集束させる形状のマイクロレンズを得ることは、実際困難である。さらに、この比率の増大は、感光領域よりも広くなり得る、感光領域のレベルでの光線のサイズを増大する傾向がある。これは、利用可能な光の強度のロスをもたらす。現在の製造プロセスの第3の制限は、導電トラック14と導電ビア16の存在により生じるものであり、これらは障害となり、光線の通過を妨げる可能性がある。
本発明は、感光セルのマトリクスで形成されたイメージセンサで、各感光セルについて、従来の技術に記載されているイメージセンサよりも感光セルの感光領域上に多くの光を合焦できるイメージセンサを提供することを目的とする。
本発明の別の目的は、イメージセンサの周辺の感度ロスを克服することである。
これらの目的を達成するため、本発明は、感光領域、感光領域をカバーする絶縁層の積重ね、および感光領域上にピクセルの光を合焦するための装置を有するイメージセンサのピクセル構造を提供する。合焦装置は、第1のマイクロレンズおよび第2のマイクロレンズを有し、第1のマイクロレンズは積重ねの層の間に配置され、第2のマイクロレンズと感光領域とを、実質的に結び付ける。
本発明の実施形態によれば、センサは光に露出する面を有し、第2のマイクロレンズは露出する面に位置する。
本発明の実施形態によれば、第1のマイクロレンズは第1の屈折率を備える第1の材料により形成され、第1のマイクロレンズに隣接する積重ねの層は、第1の屈折率よりも小さい第2の屈折率を備える第2の材料で形成される。
本発明の実施形態によれば、第1のマイクロレンズは2つの酸化シリコンの層の間の窒化シリコンをベースにしている。
本発明の実施形態によれば、第1のマイクロレンズは、第2のマイクロレンズと感光領域の間の距離の3分の1のところに、実質的に配置される。
本発明はまた、上述のようなピクセル構造のアセンブリを有するイメージセンサを目的とする。
本発明の実施形態によれば、ピクセル構造アセンブリの少なくとも1つのピクセル構造の第1のマイクロレンズの光軸および第2のマイクロレンズの光軸は、平行で、オフセットがある。
本発明の実施形態によれば、第1のマイクロレンズの光軸と第2のマイクロレンズの光軸の間のオフセットは、イメージセンサの中心から離れるほど大きくなる。
本発明はまた、イメージセンサを製造する方法で、基板のレベルに感光領域を形成するステップと、絶縁層の第1の積重ねを形成するステップと、感光領域のために、第1のマイクロレンズを形成するステップと、絶縁層の第2の積重ねを形成するステップと、第1の対応するマイクロレンズが、第2の対応するマイクロレンズと感光領域とを結び付けることができるよう、感光領域のために、第2のマイクロレンズを形成するステップとを有する方法を目的とする。
本発明の実施形態によれば、第1のマイクロレンズを形成するステップは、窒化シリコンをベースにした層を堆積するステップと、第1の積重ねの上に樹脂の層を堆積するステップと、第1のマイクロレンズの各所望された位置の真上に、第1のマイクロレンズの所望の形状を有する樹脂の塊を形成するステップと、樹脂の塊および窒化シリコンベースの層をエッチングし、窒化シリコンベースの層の中に第1のマイクロレンズを形成するステップとを有し、第1のマイクロレンズは関連付けられた樹脂の塊の形状を有する。
上述した本発明の目的、特徴、および利点は、以下の添付図面に関連する特定の実施形態の非限定的な説明において詳細に論じられる。
明瞭性のため、同一の要素は、異なる図面においても同一の参照番号で示され、更に、集積回路の表現において常にそうであるように、様々な図面は実寸どおりには示されない。
図4は、イメージセンサの感光セル26の形成例を断面図として示したものである。セル26は、図2のセル6とほぼ同一の構造を有する。しかしながら、感光セル26は、絶縁層9、11、12、13の積重ねの絶縁層11、12の間に、マイクロレンズ29を有する。平坦化された等価層18はフィルタ素子17をカバーし、層18の上面は、光に露出し、上にマイクロレンズ27が配置される露出する面19を形成する。マイクロレンズ29の焦点距離は、マイクロレンズ29が、関連付けられた感光領域8上にマイクロレンズ27のイメージを形成するように選択される。すなわち、感光領域のサイズdと感光セル26(またはマイクロレンズ27)のサイズの比率よりも小さいもしくは等しい倍率で、マイクロレンズ29は、マイクロレンズ27の面と関連付けられた感光領域8の面とを結び付ける。感光領域8上に光を合焦することのできる合焦装置は、このようにして形成される。マイクロレンズ29の光軸は、マイクロレンズ27の光軸と実質的には混同される。例示されている光線R3およびR4は、感光領域8上で直接集束する光線R1およびR2とはちがって、マイクロレンズ29上で集束する。マイクロレンズと感光領域の間の同一の距離Tについて、マイクロレンズ27は、マイクロレンズ21よりも集束しやすい。マイクロレンズ27の外部面28は、より凸状であり、従って、標準的なリフロー製造方法により簡単に形成可能である。
本発明の第1の利点は、従って、よりシンプルで、信頼性が高く、より再現可能なマイクロレンズ27を形成する方法の実施にある。
図5は、ピクセルマトリクスの端に位置する感光セル26の断面図を示したものである。光線R3’およびR4’が例として示されている。マイクロレンズ29は、マイクロレンズ27と感光領域8とを結び付け、光線R3’、R4’はマイクロレンズ29上で集束する。ピクセル構造がマトリクスの端にあるにもかかわらず、イメージは、光の強度または解像のロスなく感光領域8上に復元される。
本発明の第2の利点は、従って、周辺領域のイメージの自動的な再整列によりもたらされる、感光領域8上にイメージを復元する際の周辺部の感度の向上である。
マイクロレンズ29の光軸がマイクロレンズ27の光軸に関してオフセットされるべき、限られたケースの場合、感光領域8上でのイメージの形成を確保するためには、マイクロレンズ29を動かすだけでよい。従って、新しいマスクのセットを使用する必要のあるピクセル構造の新しい装置よりもはるかに安価な修正が行われる。
図6A、6B、6Cは、本発明に従ったイメージセンサの製造方法の例のさまざまなステップにおける、本発明に従った感光セルを示したものである。
図6Aは、ピクセル構造の製造の第1のステップの結果を示したものである。基板7が、N型にドープされたシリコンで形成される場合、感光領域8はP型のドーパントをイオン注入することにより形成される。次に、中に導電ビア16が形成される絶縁層9が堆積される。その後、第2の絶縁層11を堆積する前に、導電トラック14が作られる。絶縁層11に関連付けられた導電ビア16および導電トラック14の形成のため、絶縁層12を配置する前に、前と同様に行われる。絶縁層12は例えば窒化シリコンで作られ、絶縁層11は例えば酸化シリコンで作られる。樹脂の層32が、次に堆積される。
図6Bは、樹脂の層32をエッチングし、エッチングされた樹脂の塊をリフローした後に得られた凸状の構造33を示している。次のステップは、矢印34の方向への均一なエッチングである。凸状の樹脂の構造33および絶縁層12は、プラズマエッチングにより、均一に、かつ、絶縁層9および導電トラック14に関し選択的に、エッチングされる。凸状の構造33の形状は、層11のレベルで形成される。このようなステップは、形状移転と呼ばれる。
図6Cは、形状移転ステップの終わりに得られる構造を示しており、これはマイクロレンズ29の形状になる。
もちろん、本発明は、当業者なら充分思い付く可能性のあるさまざまな変更態様、変形態様、および改良を備え得る。特に、実施形態の例において示された装置は、導電トラック14の2つのレベルと、導電ビア16の2つのレベルを備える装置について示されたものである。これらの装置は、導電トラック14のより多数または少数のレベル、および、より下方またはより上方の導電ビアレベル16で形成することができる。マイクロレンズ29の位置は、変わってもよく、従って、導電ビア16の第2のレベルの上である必要はない。事実、マイクロレンズ29は、より下方または上方のレベルに形成することができる。マイクロレンズ29は、窒化シリコンをベースにしてもよく、SiNO化合物で形成されてもよい。
このような変更態様、変形態様、および改良は、この開示の一部であり、本発明の精神内および範囲内である。従って、前述の説明は例示に過ぎず、限定を加えるものではない。本発明は、特許請求の範囲およびその均等範囲によってのみ規定される。
イメージセンサの概略的な斜視図を示したものである。 イメージセンサの感光セルの概略的な断面図を示したものである。 ピクセルマトリクスの端に位置する感光セルの概略的な断面図を示したものである。 本発明に従った、イメージセンサの感光セルの概略的な断面図を示したものである。 ピクセルマトリクスの端に位置する、本発明に従った感光セルの概略的な断面図を示したものである。 本発明に従った、セルを形成する方法の一連のステップを示したものである。 本発明に従った、セルを形成する方法の一連のステップを示したものである。 本発明に従った、セルを形成する方法の一連のステップを示したものである。
符号の説明
1 ピクセル
2 対物レンズ
3 視野
6、26 感光セル
7 基板
8 感光領域
9、11、12、13 絶縁層
14 導電トラック
16 導電ビア
17 カラーフィルタ素子
18 等価層
19 露出する面
21 マイクロレンズ
22 凸状の外部面
27 第2のマイクロレンズ
28 マイクロレンズの外部面
29 第1のマイクロレンズ
32 樹脂の層
33 凸状の構造
34 矢印
A、B 点
d 感光セルの横方向の寸法
R1、R1’、R2、R2’、R3、R3’、R4、R4’ 光線
T マイクロレンズと感光領域の間の距離

Claims (10)

  1. イメージセンサのピクセル構造であって、
    感光領域(8)と、
    前記感光領域(8)をカバーする絶縁層(9、11、12、13)の積重ねと、
    第1のマイクロレンズ(29)および第2のマイクロレンズ(27)を有し、前記第1のマイクロレンズ(29)は前記積重ねの層(9、11、12、13)の間に配置され、前記第2のマイクロレンズ(27)と前記感光領域(8)とを、実質的に結び付ける、前記感光領域(8)上にピクセルの光を合焦するための装置と
    を有することを特徴とするイメージセンサのピクセル構造。
  2. 前記センサは、光に露出する面(19)を有し、前記第2のマイクロレンズ(27)は露出する面(19)に位置することを特徴とする請求項1に記載のピクセル構造。
  3. 前記第1のマイクロレンズ(29)は、第1の屈折率を備える第1の材料により形成され、前記第1のマイクロレンズ(29)に隣接する前記積重ねの層(11、13)は、前記第1の屈折率よりも小さい第2の屈折率を備える第2の材料で形成されることを特徴とする請求項1に記載のピクセル構造。
  4. 前記第1のマイクロレンズ(29)は、2つの酸化シリコンの層の間の窒化シリコンより成ることを特徴とする請求項3に記載のピクセル構造。
  5. 前記第1のマイクロレンズ(29)は、前記第2のマイクロレンズ(27)と前記感光領域(8)の間の距離の3分の1のところに、実質的に配置されることを特徴とする請求項1に記載のピクセル構造。
  6. 請求項1に記載のピクセル構造のアセンブリを有することを特徴とするイメージセンサ。
  7. ピクセル構造アセンブリの少なくとも1つのピクセル構造の前記第1のマイクロレンズ(29)の光軸および前記第2のマイクロレンズ(27)の光軸は、平行で、オフセットがあることを特徴とする請求項6に記載のイメージセンサ。
  8. 前記第1のマイクロレンズ(29)の光軸と前記第2のマイクロレンズ(27)の光軸の間のオフセットは、イメージセンサの中心から離れるほど大きくなることを特徴とする請求項7に記載のイメージセンサ。
  9. イメージセンサを製造する方法であって、
    基板(7)のレベルに感光領域(8)を形成するステップと、
    絶縁層(9、11)の第1の積重ねを形成するステップと、
    各感光領域(8)のために、第1のマイクロレンズ(29)を形成するステップと、
    絶縁層(12、13)の第2の積重ねを形成するステップと、
    各感光領域(8)のために、第2のマイクロレンズ(27)を形成し、前記第1の対応するマイクロレンズ(29)が、前記第2の対応するマイクロレンズ(27)と前記感光領域(8)とを結び付けることができるようにするステップと
    を有することを特徴とするイメージセンサを製造する方法。
  10. 前記第1のマイクロレンズ(29)を形成するステップは、
    窒化シリコンより成る層を堆積するステップと、
    前記第1の積重ね(9、11)の上に樹脂の層を堆積するステップと、
    第1のマイクロレンズ(29)の各所望された位置の真上に、前記第1のマイクロレンズ(29)の所望の形状を有する樹脂の塊を形成するステップと、
    前記樹脂の塊および前記窒化シリコンベースの層をエッチングし、前記窒化シリコンベースの層の中に前記第1のマイクロレンズ(29)を形成するステップと
    を有し、
    前記第1のマイクロレンズ(29)は関連付けられた樹脂の塊の形状を有する ことを特徴とする請求項9に記載の方法。
JP2005234213A 2004-08-13 2005-08-12 イメージセンサ Withdrawn JP2006054469A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0451847 2004-08-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006054469A true JP2006054469A (ja) 2006-02-23

Family

ID=34947097

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005234213A Withdrawn JP2006054469A (ja) 2004-08-13 2005-08-12 イメージセンサ

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7291826B2 (ja)
EP (1) EP1626442B1 (ja)
JP (1) JP2006054469A (ja)
DE (1) DE602005025834D1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009109965A (ja) * 2007-10-11 2009-05-21 Nikon Corp 固体撮像素子および撮像装置
KR20160042464A (ko) * 2012-11-08 2016-04-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물 막의 형성 방법
US9806115B2 (en) 2016-03-24 2017-10-31 SK Hynix Inc. Image sensor with inner light-condensing scheme

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7208783B2 (en) 2004-11-09 2007-04-24 Micron Technology, Inc. Optical enhancement of integrated circuit photodetectors
US20060193356A1 (en) * 2005-01-18 2006-08-31 Robert Osiander Die level optical transduction systems
EP1903608B1 (en) * 2005-07-08 2013-04-24 Nikon Corporation Solid-state image sensor
US7544982B2 (en) * 2006-10-03 2009-06-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Image sensor device suitable for use with logic-embedded CIS chips and methods for making the same
US7978255B2 (en) * 2007-10-11 2011-07-12 Nikon Corporation Solid-state image sensor and image-capturing device
KR100896876B1 (ko) * 2007-11-16 2009-05-12 주식회사 동부하이텍 이미지 센서 및 그 제조방법
US7589306B2 (en) * 2008-02-12 2009-09-15 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with buried self aligned focusing element
US8183510B2 (en) * 2008-02-12 2012-05-22 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with buried self aligned focusing element
JP2011100900A (ja) * 2009-11-06 2011-05-19 Sony Corp 固体撮像装置及びその製造方法と設計方法並びに電子機器
US8981510B2 (en) * 2010-06-04 2015-03-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Ridge structure for back side illuminated image sensor
FR3018954B1 (fr) * 2014-03-20 2017-07-21 Commissariat Energie Atomique Procede d'optimisation du rendement quantique d'une photodiode
CN109411498A (zh) * 2018-10-30 2019-03-01 德淮半导体有限公司 图像传感器及其形成方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3044734B2 (ja) * 1990-03-30 2000-05-22 ソニー株式会社 固体撮像素子
US5739548A (en) * 1995-05-02 1998-04-14 Matsushita Electronics Corporation Solid state imaging device having a flattening layer and optical lenses
JP3405620B2 (ja) * 1995-05-22 2003-05-12 松下電器産業株式会社 固体撮像装置
JP3809708B2 (ja) * 1997-07-15 2006-08-16 ソニー株式会社 固体撮像素子並びにその製造方法
JP3620237B2 (ja) * 1997-09-29 2005-02-16 ソニー株式会社 固体撮像素子
JP3571909B2 (ja) * 1998-03-19 2004-09-29 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP3789365B2 (ja) * 2002-01-31 2006-06-21 シャープ株式会社 層内レンズ付き半導体装置およびその製造方法
JP2003229553A (ja) * 2002-02-05 2003-08-15 Sharp Corp 半導体装置及びその製造方法
KR20050057519A (ko) * 2002-09-27 2005-06-16 소니 가부시끼 가이샤 고체 촬상소자 및 그 제조방법
US7372497B2 (en) * 2004-04-28 2008-05-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Effective method to improve sub-micron color filter sensitivity

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009109965A (ja) * 2007-10-11 2009-05-21 Nikon Corp 固体撮像素子および撮像装置
KR20160042464A (ko) * 2012-11-08 2016-04-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물 막의 형성 방법
KR101710316B1 (ko) 2012-11-08 2017-02-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물 막의 형성 방법
US9831274B2 (en) 2012-11-08 2017-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Metal oxide film and method for forming metal oxide film
US9871058B2 (en) 2012-11-08 2018-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Metal oxide film and method for forming metal oxide film
US9881939B2 (en) 2012-11-08 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Metal oxide film and method for forming metal oxide film
US10461099B2 (en) 2012-11-08 2019-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Metal oxide film and method for forming metal oxide film
US10892282B2 (en) 2012-11-08 2021-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Metal oxide film and method for forming metal oxide film
US11652110B2 (en) 2012-11-08 2023-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Metal oxide film and method for forming metal oxide film
US11978742B2 (en) 2012-11-08 2024-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Metal oxide film and method for forming metal oxide film
US9806115B2 (en) 2016-03-24 2017-10-31 SK Hynix Inc. Image sensor with inner light-condensing scheme

Also Published As

Publication number Publication date
DE602005025834D1 (de) 2011-02-24
US20060033008A1 (en) 2006-02-16
EP1626442A3 (fr) 2007-02-28
US7291826B2 (en) 2007-11-06
EP1626442A2 (fr) 2006-02-15
EP1626442B1 (fr) 2011-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006054469A (ja) イメージセンサ
CN105556672B (zh) 透镜阵列及其制造方法、固态成像设备和电子设备
TWI516825B (zh) 固態成像器件,在固態成像器件中形成微透鏡之方法,以及電子裝置
KR0147401B1 (ko) 고체촬상소자 및 그 제조방법
TWI473258B (zh) 固態成像裝置、固態成像裝置製造方法、電子裝置及透鏡陣列
JP5814626B2 (ja) 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法
US7427799B2 (en) Complementary metal oxide semiconductor image sensor and method for fabricating the same
US6737719B1 (en) Image sensor having combination color filter and concave-shaped micro-lenses
JP2009506383A (ja) 楕円形状で間隙の無いイメージャ用マイクロレンズ
JPH11274443A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JP2010062438A (ja) 固体撮像装置およびその設計方法
JP2006215547A (ja) マイクロレンズの製造方法、マイクロレンズアレイの製造方法、及びイメージセンサの製造方法
JP2008547064A (ja) 傾きのあるマイクロレンズの製造方法
JP2006229217A (ja) 組み込み式光学素子を有するイメージセンサ
CN104037183A (zh) 固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备
KR101010375B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
JPH06163866A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JP2001196568A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法、並びにカメラ
JP2007305683A (ja) 固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子
US20090130602A1 (en) Method for manufacturing image sensor
US8101453B2 (en) Image sensor and method for fabricating the same
US20040082096A1 (en) Method for forming an image sensor having concave-shaped micro-lenses
US7651884B2 (en) Method of fabricating a CMOS image sensor with micro lenses formed in a wiring layer
US20040080006A1 (en) Image sensor having concave-shaped micro-lenses
KR100727267B1 (ko) 마이크로 렌즈를 구비한 이미지 소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20081104