JP2006048885A - Laser driving device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser driving device that can support higher speed. <P>SOLUTION: The laser driving device drives a semiconductor laser 3 to emit light in a pulse-like manner in accordance with a digital signal and is provided with a temperature sensor 5, a recording pulse generator 1, an auxiliary pulse generator 4, and an adder 8. The temperature sensor 5 produces a measured temperature that changes in accordance with a temperature of the semiconductor laser. The recording pulse generator 1, the auxiliary pulse generator 4, and the adder 8 output a pulse-like signal having a shape corresponding to the measured temperature. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、光ディスクレコーダー若しくはPC用光ディスクドライブにおいて、DVD等の相変化記録型光ディスクにデジタル情報を記録するために用いる、レーザ駆動装置に関するものである。   The present invention relates to a laser driving device used for recording digital information on a phase change recording type optical disk such as a DVD in an optical disk recorder or an optical disk drive for a PC.

近年、コンピュータの補助記憶装置や、民生用ビデオレコーダなどの分野において、書き換え可能型の光ディスク装置の需要が高まってきている。光ディスクに記録マークを形成するために、一般に半導体レーザ光源が用いられている。良好な記録マークを形成するためには、半導体レーザをパルス発光させる必要がある。光パルスを生成するためには、従来より、パルス電流を加算して半導体レーザに供給するレーザ駆動装置が用いられている。   In recent years, demand for rewritable optical disk devices has increased in the fields of computer auxiliary storage devices and consumer video recorders. In order to form a recording mark on an optical disc, a semiconductor laser light source is generally used. In order to form a good recording mark, the semiconductor laser needs to emit light in pulses. In order to generate an optical pulse, a laser driving device that adds a pulse current and supplies it to a semiconductor laser is conventionally used.

一般にレーザ駆動装置は、図31に示されるように、マルチパルス発生部を主要部とし、入力されたデジタル情報信号(NRZ信号)は、パルス群よりなる書き込み信号に変換され、電流駆動アンプを介して半導体レーザに供給され、相変化記録型光ディスクに対して情報の記録若しくは消去が実行される。結晶化された相変化型光ディスクに半導体レーザが照射され、これによって急加熱され、その後急冷したときに、アモルファスマークが形成される。デジタル情報の内容によっては情報”1”が連続して記録される場合がある。このとき、一律に定パワーの半導体レーザを照射したのでは、熱の蓄積によりマークの中央部が加熱されすぎ、結果、形成されるマークの形がいびつになることがある。そこで、従来から、連続した情報を記録する場合においては、半導体レーザを間欠的に発光させる、いわゆるマルチパルス記録が行われている。   In general, as shown in FIG. 31, a laser driving apparatus has a multi-pulse generating unit as a main part, and an input digital information signal (NRZ signal) is converted into a writing signal composed of a pulse group, and is passed through a current driving amplifier. Is supplied to the semiconductor laser, and information is recorded or erased on the phase change recording type optical disc. When the crystallized phase change optical disk is irradiated with a semiconductor laser, rapidly heated, and then rapidly cooled, an amorphous mark is formed. Depending on the contents of the digital information, information “1” may be continuously recorded. At this time, if the semiconductor laser of constant power is irradiated uniformly, the central portion of the mark is excessively heated due to heat accumulation, and as a result, the shape of the formed mark may be distorted. Therefore, conventionally, when recording continuous information, so-called multi-pulse recording in which a semiconductor laser emits light intermittently has been performed.

ところが、年々、光ディスク装置に対する高速化の要望が高まってきており、これに対応すべく、記録パルスのクロックレートを高めていった場合、マルチパルスを構成する個々のパルスが正しく発光されなくなる。すなわち、レーザ駆動装置から半導体レーザに電流が供給される過程において、半導体レーザに等価的に内蔵される直列抵抗やキャパシタ若しくはインダクタ、又は配線容量、といった負荷の影響をより大きく受けるようになり、例えば、本来矩形状であるべきパルスの波形が三角形状に鈍化するようなことが生じる。   However, the demand for speeding up of the optical disc apparatus has been increasing year by year. When the clock rate of the recording pulse is increased to cope with this, individual pulses constituting the multi-pulse cannot be emitted correctly. That is, in the process of supplying a current from the laser driving device to the semiconductor laser, it is more greatly affected by a load such as a series resistor, a capacitor or an inductor, or a wiring capacitance that is equivalently built in the semiconductor laser. As a result, the pulse waveform, which should be rectangular in nature, becomes dull in a triangular shape.

そこで、従来は、個々のパルスに対し、一種の波形等化を施すことが行われている(例えば、特許文献1参照。)。すなわち、個々のパルスの先頭部分が他の部分よりも強くなるような波形の電流を半導体レーザに供給し、負荷による波形鈍化を補償するようにしている。
特開2002−298349号公報
Therefore, conventionally, a kind of waveform equalization is performed on each pulse (see, for example, Patent Document 1). That is, a current having a waveform such that the leading portion of each pulse is stronger than the other portions is supplied to the semiconductor laser to compensate for the waveform blunting caused by the load.
JP 2002-298349 A

しかしながら、前記従来の構成では、さらなる高倍速に対応しようとした場合、補償の過不足が発生することが発明者の調査により判明している。
特に近年、半導体レーザとして発振波長が400nmである青紫色レーザが使用されることが多く、この場合、標準速記録時におけるデータ転送レートが36Mbpsに設定される。さらに今後高倍速化が進むと、半導体レーザのパルス変調時おいて、光パルス波形がピークレベルに到達するためには光パルス波形の立ち上がり時間を1.5ns以下にする必要がある。
However, it has been found by the inventor's investigation that in the conventional configuration, an excessive or insufficient compensation occurs when trying to cope with higher speeds.
In particular, in recent years, a blue-violet laser having an oscillation wavelength of 400 nm is often used as a semiconductor laser, and in this case, the data transfer rate during standard speed recording is set to 36 Mbps. As the speed increases further in the future, the rise time of the optical pulse waveform needs to be 1.5 ns or less in order for the optical pulse waveform to reach the peak level during pulse modulation of the semiconductor laser.

しかしながら、青紫色レーザは、構造上直列抵抗値が、赤色レーザの3倍以上となることが多く、駆動回路の容量負荷とともに形成するローパスフィルタの影響が大きく、高速変調がより困難である。
そこで、本発明は、さらなる高倍速化に対応することを可能とするレーザ駆動装置を提供することを課題とする。
However, the blue-violet laser has a structure whose series resistance value is often more than three times that of the red laser, is greatly affected by the low-pass filter formed together with the capacitive load of the drive circuit, and is difficult to perform high-speed modulation.
Therefore, an object of the present invention is to provide a laser driving device that can cope with higher speed.

本願発明者の調査により、従来の構成における補償の過不足は、温度変動による負荷の変動によって発生していること、言い換えれば、このことがシステムの温度マージンを拡大できない一要因となっていること、が判明した。
そこで本発明は、以下の手段により、温度変化によって負荷が変動しても、常に最適なパルス発光が行えるレーザ駆動装置を提供する。
According to the investigation of the present inventor, the excess or deficiency of the compensation in the conventional configuration is caused by the load fluctuation due to the temperature fluctuation, in other words, this is one factor that cannot increase the temperature margin of the system. ,There was found.
Therefore, the present invention provides a laser driving apparatus that can always perform optimum pulsed light emission even when the load fluctuates due to a temperature change by the following means.

請求項1に記載のレーザ駆動装置は、デジタル信号に応じて半導体レーザをパルス状に発光させるレーザ駆動装置であって、測定手段と、パルス発生手段とを備えている。測定手段は、半導体レーザの温度に応じて変化する測定値を出力する。パルス発生手段は、測定値に応じた形状のパルス状信号を出力する。   According to a first aspect of the present invention, there is provided a laser driving device that emits a semiconductor laser in a pulsed manner in response to a digital signal, and includes a measuring unit and a pulse generating unit. The measuring means outputs a measured value that changes according to the temperature of the semiconductor laser. The pulse generating means outputs a pulse signal having a shape corresponding to the measured value.

ここで、デジタル信号とは、例えば、半導体レーザを用いて光ディスクなどに記録される記録信号などである。また、半導体レーザの温度に応じて変化する測定値とは、例えば、半導体レーザの温度を直接的あるいは間接的に示す値であり、半導体レーザの温度を測定した値や、半導体レーザの特性値を測定した値、さらに言えば、電圧値、電流値、抵抗値などの電気特性値などである。また、パルス状信号は、例えば、パルス電流として半導体レーザに出力される。   Here, the digital signal is, for example, a recording signal recorded on an optical disk or the like using a semiconductor laser. The measured value that changes according to the temperature of the semiconductor laser is, for example, a value that directly or indirectly indicates the temperature of the semiconductor laser. The measured value of the semiconductor laser or the characteristic value of the semiconductor laser It is a measured value, more specifically, an electrical characteristic value such as a voltage value, a current value, and a resistance value. The pulse signal is output to the semiconductor laser as a pulse current, for example.

本発明のレーザ駆動装置により、半導体レーザの温度変動により負荷が変動しても、適切にパルス発光を行うことが可能となる。
請求項2に記載のレーザ駆動装置は、請求項1に記載のレーザ駆動装置であって、測定手段は、半導体レーザの温度を測定する装置である。
With the laser driving device of the present invention, even when the load fluctuates due to temperature fluctuations of the semiconductor laser, it is possible to appropriately perform pulsed light emission.
A laser driving device according to a second aspect is the laser driving device according to the first aspect, wherein the measuring means is a device for measuring the temperature of the semiconductor laser.

請求項3に記載のレーザ駆動装置は、請求項1に記載のレーザ駆動装置であって、測定手段は、半導体レーザの電圧値あるいは抵抗値を測定する装置である。
請求項4に記載のレーザ駆動装置は、請求項1〜3のいずれかに記載のレーザ駆動装置であって、パルス発生手段は、第1のパルス発生部と、第2のパルス発生部と、加算器とを有している。第1のパルス発生部は、一定の波高値を有する第1のパルス信号を生成する。第2のパルス発生部は、測定値に応じて波高値が変わる第2のパルス信号を生成する。加算器は、第1のパルス信号と第2のパルス信号とを合算しパルス状信号を出力する。
A laser driving device according to a third aspect is the laser driving device according to the first aspect, wherein the measuring means is a device for measuring a voltage value or a resistance value of the semiconductor laser.
The laser drive device according to claim 4 is the laser drive device according to any one of claims 1 to 3, wherein the pulse generation means includes a first pulse generation unit, a second pulse generation unit, And an adder. The first pulse generator generates a first pulse signal having a constant peak value. The second pulse generation unit generates a second pulse signal whose peak value changes according to the measurement value. The adder adds the first pulse signal and the second pulse signal and outputs a pulse signal.

本発明のレーザ駆動装置により、例えば、デジタル信号に応じた第1のパルス信号を測定値に応じた第2のパルス信号により補償してパルス状信号を出力することが可能となる。
請求項5に記載のレーザ駆動装置は、請求項4に記載のレーザ駆動装置であって、第2のパルス発生部は、第3のパルス発生部と、第4のパルス発生部とから構成されている。第3のパルス発生部は、第1のパルス信号に対して順方向の信号であって測定値に応じて波高値が変わる第3のパルス信号を生成する。第4のパルス発生部は、第1のパルス信号に対して逆方向の信号であって測定値に応じて波高値が変わる第4のパルス信号を生成する。
With the laser driving device of the present invention, for example, it is possible to compensate the first pulse signal corresponding to the digital signal with the second pulse signal corresponding to the measured value and output the pulse signal.
The laser drive device according to claim 5 is the laser drive device according to claim 4, wherein the second pulse generation unit includes a third pulse generation unit and a fourth pulse generation unit. ing. The third pulse generator generates a third pulse signal which is a forward signal with respect to the first pulse signal and whose peak value changes according to the measured value. The fourth pulse generation unit generates a fourth pulse signal that is a signal in the opposite direction to the first pulse signal, and whose peak value changes according to the measurement value.

第3のパルス信号と第4のパルス信号とは、第2のパルス信号として出力され、加算器により加算される。
本発明のレーザ駆動装置により、例えば、第1のパルス信号に対する順方向の補償だけでなく逆方向の補償も行うことが可能となる。このため、より適切なパルス形状のパルス状信号を出力することが可能となる。
The third pulse signal and the fourth pulse signal are output as a second pulse signal and added by an adder.
With the laser drive device of the present invention, for example, not only forward compensation but also backward compensation can be performed on the first pulse signal. For this reason, it becomes possible to output a pulse signal having a more appropriate pulse shape.

請求項6に記載のレーザ駆動装置は、請求項4または5に記載のレーザ駆動装置であって、測定手段は、半導体レーザの温度を測定する装置である。第2のパルス発生部は、測定値に応じて単調減少の関係で第2のパルス信号の波高値を決定する補正波高値決定手段をさらに有する。   A laser driving device according to a sixth aspect is the laser driving device according to the fourth or fifth aspect, wherein the measuring means is a device for measuring the temperature of the semiconductor laser. The second pulse generation unit further includes a correction peak value determining unit that determines the peak value of the second pulse signal in a monotonically decreasing relationship according to the measurement value.

本発明のレーザ駆動装置では、温度により負荷が変動しても、その温度に応じて第2のパルス信号の波高値を一義的に変えることができる。また、低温ほど波高値が高くなるように波高値を制御することが可能となり、低温のためパルス信号の波形鈍化が顕著になる場合であっても、それを補う波形のパルス状信号を半導体レーザに供給することが可能となる。   In the laser driving device of the present invention, even if the load varies depending on the temperature, the peak value of the second pulse signal can be uniquely changed according to the temperature. In addition, it becomes possible to control the peak value so that the peak value becomes higher as the temperature is lower, and even if the waveform of the pulse signal becomes dull due to the low temperature, the pulsed signal with a waveform that compensates for it becomes a semiconductor laser. It becomes possible to supply to.

請求項7に記載のレーザ駆動装置は、請求項4または5に記載のレーザ駆動装置であって、測定手段は、半導体レーザの電圧値あるいは抵抗値を測定する装置である。第2のパルス発生部は、測定値に応じて単調増加の関係で第2のパルス信号の波高値を決定する補正波高値決定手段をさらに有する。   A laser driving device according to a seventh aspect is the laser driving device according to the fourth or fifth aspect, wherein the measuring means is a device for measuring a voltage value or a resistance value of the semiconductor laser. The second pulse generation unit further includes a correction peak value determining unit that determines the peak value of the second pulse signal in a monotonically increasing relationship according to the measurement value.

本発明のレーザ駆動装置では、半導体レーザの電圧値あるいは抵抗値を測定することにより、温度による負荷の変動を測定することが可能となる。また、負荷が高くパルス信号の波形鈍化が顕著になる場合であっても、それを補う波形のパルス状信号を半導体レーザに供給することが可能となる。   In the laser driving device of the present invention, it is possible to measure the load variation due to temperature by measuring the voltage value or resistance value of the semiconductor laser. Further, even when the load is high and the waveform of the pulse signal becomes blunt, it becomes possible to supply a pulsed signal having a waveform that compensates for it to the semiconductor laser.

請求項8に記載のレーザ駆動装置は、請求項4〜7のいずれかに記載のレーザ駆動装置であって、デジタル信号は、少なくとも先頭パルス信号と、その連続数に応じた後続パルス信号とからなるマルチパルス信号に変換されていることを特徴とする。また、第2のパルス信号の信号幅は、先頭パルス信号の幅よりも狭いことを特徴とする。   The laser drive device according to claim 8 is the laser drive device according to any one of claims 4 to 7, wherein the digital signal includes at least a head pulse signal and a subsequent pulse signal corresponding to the number of consecutive pulses. It is converted to a multi-pulse signal. Further, the signal width of the second pulse signal is narrower than the width of the head pulse signal.

本発明のレーザ駆動装置では、先頭パルス信号の波形鈍化をより適切に補償することが可能となる。
請求項9に記載のレーザ駆動装置は、請求項8に記載のレーザ駆動装置であって、後続パルス信号に加算される第2のパルス信号の信号幅は、後続パルス信号の幅と等しいことを特徴とする。
In the laser driving device of the present invention, it is possible to more appropriately compensate for the waveform blunting of the leading pulse signal.
The laser drive device according to claim 9 is the laser drive device according to claim 8, wherein the signal width of the second pulse signal added to the subsequent pulse signal is equal to the width of the subsequent pulse signal. Features.

本発明のレーザ駆動装置では、第2のパルス信号の信号幅をより簡易に決定することが可能となり、それに従って、レーザ駆動装置をより簡易に構成することが可能となる。
請求項10に記載のレーザ駆動装置は、請求項4〜7のいずれかに記載のレーザ駆動装置であって、デジタル信号は、その連続数に応じた幅を持つパルス信号に変換されることを特徴とする。また、第2のパルス信号の信号幅は、パルス信号の幅よりも狭いことを特徴とする。
In the laser driving device of the present invention, the signal width of the second pulse signal can be determined more easily, and the laser driving device can be configured more easily according to the signal width.
The laser drive device according to claim 10 is the laser drive device according to any one of claims 4 to 7, wherein the digital signal is converted into a pulse signal having a width corresponding to the continuous number. Features. Further, the signal width of the second pulse signal is narrower than the width of the pulse signal.

本発明のレーザ駆動装置では、パルス信号の波形鈍化をより適切に補償することが可能となる。
請求項11に記載のレーザ駆動装置は、請求項4〜10のいずれかに記載のレーザ駆動装置であって、1チャネルクロックをTとしたとき、第2のパルス信号の信号幅はT/8以上T/4以下であることを特徴とする。
In the laser driving device of the present invention, it is possible to more appropriately compensate for the waveform blunting of the pulse signal.
The laser drive device according to claim 11 is the laser drive device according to any one of claims 4 to 10, wherein when the one-channel clock is T, the signal width of the second pulse signal is T / 8. The above is T / 4 or less.

本発明のレーザ駆動装置では、デジタル信号に応じたパルス信号の信号幅よりも短い信号幅の第2のパルス信号を発生することが可能となり、パルス信号の波形鈍化をより適切に補償することが可能となる。
請求項12に記載のレーザ駆動装置は、請求項5に記載のレーザ駆動装置であって、第3のパルス信号は、第1のパルス信号の立ち上がりのタイミングで生成され、第4のパルス信号は、第1のパルス信号の立ち下がりのタイミングで生成される。
In the laser driving device of the present invention, it is possible to generate the second pulse signal having a signal width shorter than the signal width of the pulse signal corresponding to the digital signal, and more appropriately compensate for the waveform blunting of the pulse signal. It becomes possible.
The laser drive device according to claim 12 is the laser drive device according to claim 5, wherein the third pulse signal is generated at a rising timing of the first pulse signal, and the fourth pulse signal is , Generated at the falling timing of the first pulse signal.

本発明のレーザ駆動装置では、第1のパルス信号の立ち上がりおよび立ち下がりの波形鈍化をより適切に補償することが可能となる。
請求項13に記載のレーザ駆動装置は、請求項1〜3のいずれかに記載のレーザ駆動装置であって、パルス発生手段は、パルス電流源と、フィルタと、フィルタ制御部とを有する。パルス電流源は、デジタル信号に応じてパルス電流を出力する。フィルタは、パルス電流源に対し並列に接続された、定数が可変なフィルタである。フィルタ制御部は、測定値に応じてフィルタの定数を制御する。
In the laser driving device of the present invention, it is possible to more appropriately compensate for the waveform dullness of the rising and falling edges of the first pulse signal.
A laser driving apparatus according to a thirteenth aspect is the laser driving apparatus according to any one of the first to third aspects, wherein the pulse generating means includes a pulse current source, a filter, and a filter control unit. The pulse current source outputs a pulse current according to the digital signal. The filter is a variable variable constant connected in parallel to the pulse current source. The filter control unit controls the constant of the filter according to the measured value.

本発明のレーザ駆動装置により、半導体レーザの温度変動により負荷が変動しても、温度変動に応じた定数を有するフィルタを用いて適切な光パルス波形を生成することが可能となる。
請求項14に記載のレーザ駆動装置は、請求項13に記載のレーザ駆動装置であって、フィルタ制御部は、測定値に応じてフィルタ制御部が制御すべきフィルタの定数を記憶する手段を含む。
With the laser driving device of the present invention, even if the load fluctuates due to the temperature fluctuation of the semiconductor laser, it is possible to generate an appropriate optical pulse waveform using a filter having a constant corresponding to the temperature fluctuation.
The laser drive device according to claim 14 is the laser drive device according to claim 13, wherein the filter control unit includes means for storing a constant of a filter to be controlled by the filter control unit in accordance with the measured value. .

本発明のレーザ駆動装置により、フィルタ制御部は、フィルタ定数を記憶する手段から測定値に応じたフィルタ定数を取得し、取得したフィルタ定数のフィルタを用いて適切な光パルス波形を生成することが可能となる。
請求項15に記載のレーザ駆動装置は、請求項13に記載のレーザ駆動装置であって、フィルタは、直列に接続されたコンデンサとスイッチとの組み合わせを複数個含む。
With the laser driving device of the present invention, the filter control unit can acquire a filter constant corresponding to the measured value from the means for storing the filter constant, and generate an appropriate optical pulse waveform using the filter of the acquired filter constant. It becomes possible.
The laser driving device according to claim 15 is the laser driving device according to claim 13, wherein the filter includes a plurality of combinations of capacitors and switches connected in series.

請求項16に記載のレーザ駆動装置は、請求項13に記載のレーザ駆動装置であって、フィルタは、直列に接続されたコンデンサとスイッチと抵抗との組み合わせを複数個含む。
請求項17に記載のレーザ駆動装置は、請求項15に記載のレーザ駆動装置であって、フィルタは、コンデンサとスイッチとの接続点と、グラウンドとの間に抵抗を挿入したことを特徴とする。
The laser drive device according to claim 16 is the laser drive device according to claim 13, wherein the filter includes a plurality of combinations of capacitors, switches, and resistors connected in series.
The laser drive device according to claim 17 is the laser drive device according to claim 15, wherein the filter has a resistor inserted between a connection point between the capacitor and the switch and the ground. .

請求項18に記載のレーザ駆動装置は、請求項16に記載のレーザ駆動装置であって、フィルタは、コンデンサ、スイッチ、および抵抗を直列に接続した際のある1つの接続点と、グラウンドとの間に抵抗を挿入したことを特徴とする。
請求項19に記載のレーザ駆動装置は、請求項13〜19のいずれかに記載のレーザ駆動装置であって、フィルタは、再生時には、記録時とはフィルタの定数を変えることができることを特徴とする。
The laser drive device according to claim 18 is the laser drive device according to claim 16, wherein the filter includes a connection point when a capacitor, a switch, and a resistor are connected in series, and a ground. It is characterized by inserting a resistor between them.
The laser drive device according to claim 19 is the laser drive device according to any one of claims 13 to 19, wherein the filter can change the constant of the filter during reproduction during recording. To do.

請求項20に記載のレーザ駆動装置は、請求項15または16に記載のレーザ駆動装置であって、フィルタを構成する複数のコンデンサの内、少なくとも1つは集積回路の外部に接続される構成としたことを特徴とする。
本発明のレーザ駆動装置により、集積回路を小型に構成することが可能となる。
The laser driving device according to claim 20 is the laser driving device according to claim 15 or 16, wherein at least one of the plurality of capacitors constituting the filter is connected to the outside of the integrated circuit. It is characterized by that.
With the laser driving device of the present invention, the integrated circuit can be made compact.

請求項21に記載のレーザ駆動装置は、請求項13に記載のレーザ駆動装置であって、測定手段は、半導体レーザの電圧値を測定する装置である。フィルタ制御部は、抵抗算出手段と、制御実行手段とを含む。抵抗算出手段は、半導体レーザの動作電圧と半導体レーザの動作電流とから、半導体レーザの抵抗値を求める。制御実行手段は、抵抗値に応じてフィルタの定数を制御する。   A laser drive device according to a twenty-first aspect is the laser drive device according to the thirteenth aspect, wherein the measuring means is a device for measuring a voltage value of the semiconductor laser. The filter control unit includes a resistance calculation unit and a control execution unit. The resistance calculation means obtains the resistance value of the semiconductor laser from the operating voltage of the semiconductor laser and the operating current of the semiconductor laser. The control execution unit controls the constant of the filter according to the resistance value.

本発明のレーザ駆動装置により、温度変動により半導体レーザの抵抗値が変動しても、温度変動に応じた定数を有するフィルタを用いて適切な光パルス波形を生成することが可能となる。
請求項22に記載のレーザ駆動装置は、請求項21に記載のレーザ駆動装置であって、フィルタ制御部は、抵抗値に応じて制御実行手段が制御すべきフィルタの定数を記憶する手段を含む。
With the laser driving device of the present invention, even if the resistance value of the semiconductor laser fluctuates due to temperature fluctuation, it is possible to generate an appropriate optical pulse waveform using a filter having a constant corresponding to the temperature fluctuation.
The laser drive device according to claim 22 is the laser drive device according to claim 21, wherein the filter control unit includes means for storing a constant of a filter to be controlled by the control execution means in accordance with the resistance value. .

本発明のレーザ駆動装置により、フィルタ制御部は、フィルタ定数を記憶する手段から抵抗値に応じたフィルタ定数を取得し、取得したフィルタ定数のフィルタを用いて適切な光パルス波形を生成することが可能となる。
請求項23に記載の光ディスク装置は、光ピックアップと、ディスク駆動装置とを備えている。光ピックアップは、レーザ光を発する半導体レーザと、請求項1〜22のいずれかに記載のレーザ駆動装置と、レーザ光を光ディスクへ導くための光学部品とから構成される。ディスク駆動装置は、光ディスクを駆動する。
With the laser driving device of the present invention, the filter control unit can acquire a filter constant corresponding to the resistance value from the means for storing the filter constant, and generate an appropriate optical pulse waveform using the filter of the acquired filter constant. It becomes possible.
The optical disk device according to a twenty-third aspect includes an optical pickup and a disk drive device. The optical pickup includes a semiconductor laser that emits laser light, the laser driving device according to any one of claims 1 to 22, and an optical component that guides the laser light to an optical disk. The disk drive device drives the optical disk.

本発明の光ディスク装置は、請求項1〜22のいずれかに記載のレーザ駆動装置を備えている。このため、それぞれのレーザ駆動装置と同様の効果を得ることが可能となる。
請求項24に記載のレーザ駆動方法は、デジタル信号に応じて半導体レーザをパルス状に発光させるレーザ駆動方法であって、測定ステップと、パルス発生ステップとを備えている。測定ステップは、半導体レーザの温度に応じて変化する測定値を出力する。パルス発生ステップは、測定値に応じた形状のパルス状信号を出力する。
An optical disk apparatus according to the present invention includes the laser driving apparatus according to any one of claims 1 to 22. For this reason, it becomes possible to acquire the effect similar to each laser drive device.
A laser driving method according to a twenty-fourth aspect is a laser driving method for emitting a semiconductor laser in a pulsed manner in accordance with a digital signal, and includes a measuring step and a pulse generating step. In the measurement step, a measurement value that changes according to the temperature of the semiconductor laser is output. In the pulse generation step, a pulse signal having a shape corresponding to the measured value is output.

本発明のレーザ駆動方法により、半導体レーザの温度変動により負荷が変動しても、適切にパルス発光を行うことが可能となる。
請求項25に記載のレーザ駆動用集積回路は、デジタル信号に応じて半導体レーザをパルス状に発光させるレーザ駆動用集積回路であって、第1のパルス発生部と、第2のパルス発生部と、加算器とを備えている。第1のパルス発生部は、一定の波高値を有する第1のパルス信号を生成する。第2のパルス発生部は、半導体レーザの温度に応じて変化する測定値に対応して波高値が変わる第2のパルス信号を生成する。加算器は、第1のパルス信号と第2のパルス信号とを合算しパルス状信号を出力する。
According to the laser driving method of the present invention, even when the load fluctuates due to the temperature fluctuation of the semiconductor laser, it is possible to appropriately perform pulsed light emission.
An integrated circuit for laser driving according to claim 25, which is a laser driving integrated circuit for emitting a semiconductor laser in a pulsed manner in response to a digital signal, comprising: a first pulse generating unit; a second pulse generating unit; And an adder. The first pulse generator generates a first pulse signal having a constant peak value. The second pulse generator generates a second pulse signal whose peak value changes in response to a measured value that changes according to the temperature of the semiconductor laser. The adder adds the first pulse signal and the second pulse signal and outputs a pulse signal.

本発明のレーザ駆動用集積回路により、例えば、デジタル信号に応じた第1のパルス信号を測定値に応じた第2のパルス信号により補償してパルス状信号を出力することが可能となる。
請求項26に記載のレーザ駆動用集積回路は、デジタル信号に応じて半導体レーザをパルス状に発光させるレーザ駆動用集積回路であって、パルス電流源と、フィルタと、フィルタ制御部とを備えている。パルス電流源は、デジタル信号に応じてパルス電流を出力する。フィルタは、パルス電流源に対し並列に接続された、定数が可変なフィルタである。フィルタ制御部は、半導体レーザの温度に応じて変化する測定値に対応してフィルタの定数を制御する。
With the laser driving integrated circuit of the present invention, for example, it is possible to compensate the first pulse signal corresponding to the digital signal with the second pulse signal corresponding to the measured value and output the pulse signal.
The integrated circuit for driving a laser according to claim 26 is an integrated circuit for driving a laser that emits a semiconductor laser in pulses in response to a digital signal, and includes a pulse current source, a filter, and a filter controller. Yes. The pulse current source outputs a pulse current according to the digital signal. The filter is a variable variable constant connected in parallel to the pulse current source. The filter control unit controls the constant of the filter corresponding to the measured value that changes according to the temperature of the semiconductor laser.

本発明のレーザ駆動用集積回路により、半導体レーザの温度変動により負荷が変動しても、温度変動に応じた定数を有するフィルタを用いて適切な光パルス波形を生成することが可能となる。   With the laser driving integrated circuit of the present invention, even if the load fluctuates due to the temperature fluctuation of the semiconductor laser, an appropriate optical pulse waveform can be generated using a filter having a constant corresponding to the temperature fluctuation.

本発明のレーザ駆動装置によれば、温度に係わらず、常に最良のパルス波形で半導体レーザを発光させることができ、光ディスク記録における温度マージンを拡大することができる。   According to the laser driving device of the present invention, the semiconductor laser can always emit light with the best pulse waveform regardless of the temperature, and the temperature margin in optical disc recording can be expanded.

以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
本発明の実施の形態では、主に、温度変動により負荷の変動が発生しても適切なパルス発光を行うことのできるレーザ駆動装置について説明する。
具体的な装置について説明する前に、本願発明者の調査により判明した発明の背景についてさらに説明を加える。本願発明者の調査により、従来の構成における補償の過不足は、温度変動による負荷の変動によって発生していることが判明した。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
In the embodiment of the present invention, a laser drive device capable of performing appropriate pulsed light emission even when a load change occurs due to a temperature change will be mainly described.
Before describing a specific device, the background of the invention that has been clarified by the inventor's investigation will be further described. According to the investigation by the present inventor, it has been found that the excess or deficiency of the compensation in the conventional configuration is caused by the fluctuation of the load due to the temperature fluctuation.

図1に、赤色レーザにおける直列抵抗の温度変化の例を示す。図1では、常温(=25°)以下になると急激に直列等価抵抗(Rs)が増加することが示されている。
図2に、GaNを主成分とする青色レーザにおける直列抵抗の温度変化の例を示す。図2に示すように、青色レーザでは、構造上、直列等価抵抗値が高く(例えば、15〜25Ω程度)、赤色レーザのほぼ2〜4倍になっている。また、温度に対する直列抵抗の値の変化も赤色レーザに比して大きくなっている。
FIG. 1 shows an example of the temperature change of the series resistance in the red laser. FIG. 1 shows that the series equivalent resistance (Rs) increases abruptly when the temperature is below room temperature (= 25 °).
FIG. 2 shows an example of the temperature change of the series resistance in a blue laser mainly composed of GaN. As shown in FIG. 2, the blue laser has a high series equivalent resistance value (for example, about 15 to 25Ω) due to the structure, which is about 2 to 4 times that of the red laser. Further, the change in the value of the series resistance with respect to the temperature is larger than that of the red laser.

(実施の形態1)
図3は、本発明の実施の形態1におけるレーザ駆動装置のブロック図である。図3においてデジタル信号(NRZ)に応じて、記録パルス発生器1(第1のパルス発生部)は一定の波高値の定パルス信号Swを生成する。5は、温度を測定し、電気的な信号として出力する温度センサーである。補助パルス発生器4と、温度補償テーブル6と可変ゲインアンプ7は、前記測定温度に応じて、波高値が変わる補正パルス信号Scを生成する第2のパルス発生部を構成する。8は前記定パルス信号Swと前記補正パルス信号Scを合算する加算器であり、両信号は電流駆動アンプ2を介して半導体レーザ3に供給される。
(Embodiment 1)
FIG. 3 is a block diagram of the laser driving apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. In FIG. 3, the recording pulse generator 1 (first pulse generator) generates a constant pulse signal Sw having a constant peak value according to the digital signal (NRZ). Reference numeral 5 denotes a temperature sensor that measures temperature and outputs it as an electrical signal. The auxiliary pulse generator 4, the temperature compensation table 6, and the variable gain amplifier 7 constitute a second pulse generator that generates a correction pulse signal Sc whose peak value changes according to the measured temperature. Reference numeral 8 denotes an adder for adding the constant pulse signal Sw and the correction pulse signal Sc, and both signals are supplied to the semiconductor laser 3 through the current drive amplifier 2.

なお、記録パルス発生器1、補助パルス発生器4、可変ゲインアンプ7、加算器8、温度補償テーブル6により、測定温度に応じた形状のパルス状信号を出力するパルス発生手段が構成されている。
本実施の形態におけるレーザ駆動装置に供給されたデジタル信号NRZは、図4に示されるように、記録パルス発生器1によって、少なくとも先頭パルスと、デジタル信号”1”の連続数に応じた後続パルス群とからなるマルチパルス(Sw)に変換される。同様に、補助パルス発生器4等によって、補正パルス信号(Sc)が生成されるが、その信号幅は前記先頭パルス信号の幅よりも狭いことを特徴としている。図4は一例として、各パルスの間隔をクロックウィンドウTw、パルス幅をTw/2としている。このとき補助パルス信号のパルス幅は、後述するようにTw/8以上Tw/4以下であることが望ましく、ここではTw/4とする。また、補正パルス信号(Sc)は、マルチパルス(Sw)の立ち上がりのタイミングで生成されている。この補正の結果、図4に示されるような波形を有すレーザ駆動電流ILが得られる。その結果、レーザ負荷によって鈍化したレーザ発光波形(図中点線)は改善される(同実線)。
The recording pulse generator 1, auxiliary pulse generator 4, variable gain amplifier 7, adder 8, and temperature compensation table 6 constitute pulse generation means for outputting a pulse signal having a shape corresponding to the measured temperature. .
As shown in FIG. 4, the digital signal NRZ supplied to the laser driving device in the present embodiment is recorded by the recording pulse generator 1 at least the first pulse and the subsequent pulse corresponding to the number of consecutive digital signals “1”. It is converted into a multi-pulse (Sw) consisting of a group. Similarly, the correction pulse signal (Sc) is generated by the auxiliary pulse generator 4 or the like, and the signal width is narrower than the width of the head pulse signal. In FIG. 4, as an example, the interval of each pulse is a clock window Tw and the pulse width is Tw / 2. At this time, the pulse width of the auxiliary pulse signal is desirably Tw / 8 or more and Tw / 4 or less, as will be described later, and is Tw / 4 here. The correction pulse signal (Sc) is generated at the rising timing of the multi-pulse (Sw). As a result of this correction, a laser drive current IL having a waveform as shown in FIG. 4 is obtained. As a result, the laser emission waveform (dotted line in the figure) blunted by the laser load is improved (same solid line).

本発明の特徴は、前記補正係数を温度に応じて可変とするところにある。すなわち、温度センサー5が測定した温度に対し、温度補償テーブル6は図5に示すような単調減少の関係で補正パルスの係数Kを決定する。この単調減少の関数は、図1で示されるような半導体レーザ3の等価抵抗Rsの温度特性(高温ほど減少する)によって関連付けられる。この係数Kは補助パルス発生器4の出力信号と乗算され、測定温度に応じて波高値の変化する補正パルス信号(Sc)が生成される。例えば、図6に示したように、温度T=25℃のときの半導体レーザの等価直列抵抗Rsが5Ω、T=50℃で2.5Ωになるとする(図1参照)。このときT=25℃においては、Rs=5Ω、等価負荷容量C、インダクタLとで決定される時定数による波形鈍化を補償すべく、立ち上がり時間とオーバーシュートが許容値以下になるように、補正係数K=0.5が決定される。一方、T=50℃の場合、半導体レーザの直列等価抵抗Rsは2.5Ωまで低下するので電流駆動アンプ2から見た負荷が軽くなり、レーザ発光波形の鈍化は軽減される傾向となる。このとき、T=25℃のときと同じK=0.5で駆動電流ILを供給すれば、過補正となり、オーバーシュートが発生した結果半導体レーザの劣化を早めることにもなる。   A feature of the present invention is that the correction coefficient is variable according to temperature. That is, with respect to the temperature measured by the temperature sensor 5, the temperature compensation table 6 determines the coefficient K of the correction pulse in a monotonically decreasing relationship as shown in FIG. This monotonically decreasing function is related by the temperature characteristic of the equivalent resistance Rs of the semiconductor laser 3 as shown in FIG. This coefficient K is multiplied by the output signal of the auxiliary pulse generator 4 to generate a correction pulse signal (Sc) whose peak value changes according to the measured temperature. For example, as shown in FIG. 6, it is assumed that the equivalent series resistance Rs of the semiconductor laser at a temperature T = 25 ° C. is 5Ω and 2.5Ω at T = 50 ° C. (see FIG. 1). At this time, at T = 25 ° C., the correction is made so that the rise time and overshoot are less than the allowable values in order to compensate for the waveform blunting due to the time constant determined by Rs = 5Ω, equivalent load capacity C, and inductor L. The coefficient K = 0.5 is determined. On the other hand, when T = 50 ° C., the series equivalent resistance Rs of the semiconductor laser decreases to 2.5Ω, so that the load viewed from the current driving amplifier 2 becomes lighter and the blunting of the laser emission waveform tends to be reduced. At this time, if the drive current IL is supplied at K = 0.5, which is the same as when T = 25 ° C., overcorrection occurs, and as a result of occurrence of overshoot, the deterioration of the semiconductor laser is also accelerated.

そこで本実施の形態においては、高温で直列等価抵抗Rsが低下したときは、それに応じて補正係数Kも、図5の関係に従って、低減させることにしている。その結果、T=50℃においてはK=0.25となり、負荷が軽いなりに適切なレーザ発光波形を得ることができる。   Therefore, in the present embodiment, when the series equivalent resistance Rs decreases at a high temperature, the correction coefficient K is also reduced according to the relationship shown in FIG. As a result, at T = 50 ° C., K = 0.25, and an appropriate laser emission waveform can be obtained with a light load.

(実施の形態2)
本発明の実施の形態2は、デジタル信号NRZの連続数に応じた幅を持つ発光波形を生成する記録再生装置に適用するものである。本実施の形態では、図3に示した実施の形態1におけるレーザ駆動装置と同等のものが用いられる。
(Embodiment 2)
The second embodiment of the present invention is applied to a recording / reproducing apparatus that generates a light emission waveform having a width corresponding to the number of consecutive digital signals NRZ. In the present embodiment, a device equivalent to the laser driving device in the first embodiment shown in FIG. 3 is used.

本実施の形態におけるレーザ駆動装置に供給されたデジタル信号NRZは、図7に示されるように、記録パルス発生器1によって、デジタル信号”1”の連続数に応じた幅を持つパルス信号(Sw)に変換される。
同様に、補助パルス発生器4等によって、補正パルス信号(Sc)が生成されるが、その信号幅は前記パルス信号の幅よりも狭いことを特徴としている。図7は一例として、各パルスの間隔をクロックウィンドウTw、パルス幅をTw/2としている。このとき補助パルス信号のパルス幅は、後述するようにTw/8以上Tw/4以下であることが望ましく、ここではTw/4とする。また、補正パルス信号(Sc)は、パルス信号(Sw)の立ち上がりのタイミングで生成されている。この補正の結果、図7に示されるような波形を有すレーザ駆動電流ILが得られる。その結果、レーザ負荷によって鈍化したレーザ発光波形(図中点線)は改善される(同実線)。
As shown in FIG. 7, the digital signal NRZ supplied to the laser driving device in the present embodiment is converted into a pulse signal (Sw having a width corresponding to the number of consecutive digital signals “1” by the recording pulse generator 1. ).
Similarly, the correction pulse signal (Sc) is generated by the auxiliary pulse generator 4 or the like, and the signal width is narrower than the width of the pulse signal. In FIG. 7, as an example, the interval of each pulse is a clock window Tw and the pulse width is Tw / 2. At this time, the pulse width of the auxiliary pulse signal is desirably Tw / 8 or more and Tw / 4 or less, as will be described later, and is Tw / 4 here. The correction pulse signal (Sc) is generated at the rising timing of the pulse signal (Sw). As a result of this correction, a laser drive current IL having a waveform as shown in FIG. 7 is obtained. As a result, the laser emission waveform (dotted line in the figure) blunted by the laser load is improved (same solid line).

実施の形態1と同様に、温度センサー5が測定した温度に対し、温度補償テーブル6は図5に示すような単調減少の関係で補正パルスの係数Kを決定する。この単調減少の関数は、図1で示されるような半導体レーザ3の等価抵抗Rsの温度特性(高温ほど減少する)によって関連付けられる。この係数Kは補助パルス発生器4の出力信号と乗算され、測定温度に応じて波高値の変化する補正パルス信号(Sc)が生成される。例えば、図8に示したように、温度T=25℃のときの半導体レーザの等価直列抵抗Rsが5Ω、T=50℃で2.5Ωになるとする(図1参照)。このときT=25℃においては、Rs=5Ω、等価負荷容量C、インダクタLとで決定される時定数による波形鈍化を補償すべく、立ち上がり時間とオーバーシュートが許容値以下になるように、補正係数K=0.5が決定される。一方、T=50℃の場合、半導体レーザの直列等価抵抗Rsは2.5Ωまで低下するので電流駆動アンプ2から見た負荷が軽くなり、レーザ発光波形の鈍化は軽減される傾向となる。このとき、T=25℃のときと同じK=0.5で駆動電流ILを供給すれば、過補正となり、オーバーシュートが発生した結果半導体レーザの劣化を早めることにもなる。   Similar to the first embodiment, the temperature compensation table 6 determines the coefficient K of the correction pulse in a monotonically decreasing relationship as shown in FIG. 5 with respect to the temperature measured by the temperature sensor 5. This monotonically decreasing function is related by the temperature characteristic of the equivalent resistance Rs of the semiconductor laser 3 as shown in FIG. This coefficient K is multiplied by the output signal of the auxiliary pulse generator 4 to generate a correction pulse signal (Sc) whose peak value changes according to the measured temperature. For example, as shown in FIG. 8, it is assumed that the equivalent series resistance Rs of the semiconductor laser at a temperature T = 25 ° C. is 5Ω and 2.5Ω at T = 50 ° C. (see FIG. 1). At this time, at T = 25 ° C., the correction is made so that the rise time and overshoot are less than the allowable values in order to compensate for the waveform blunting due to the time constant determined by Rs = 5Ω, equivalent load capacity C, and inductor L. The coefficient K = 0.5 is determined. On the other hand, when T = 50 ° C., the series equivalent resistance Rs of the semiconductor laser decreases to 2.5Ω, so that the load viewed from the current driving amplifier 2 becomes lighter and the blunting of the laser emission waveform tends to be reduced. At this time, if the drive current IL is supplied at K = 0.5, which is the same as when T = 25 ° C., overcorrection occurs, and as a result of occurrence of overshoot, the deterioration of the semiconductor laser is also accelerated.

そこで本実施の形態においては、高温で直列等価抵抗Rsが低下したときは、それに応じて補正係数Kも、図5の関係に従って、低減させることにしている。その結果、T=50℃においてはK=0.25となり、負荷が軽いなりに適切なレーザ発光波形を得ることができる。   Therefore, in the present embodiment, when the series equivalent resistance Rs decreases at a high temperature, the correction coefficient K is also reduced according to the relationship shown in FIG. As a result, at T = 50 ° C., K = 0.25, and an appropriate laser emission waveform can be obtained with a light load.

(実施の形態3)
本発明の実施の形態3は、レーザ発光波形の立ち下がり時においても波形鈍化を補償できるようにするため、補助パルス発生器B9を備えた形態で実施される。
図9は実施の形態3におけるレーザ駆動装置のブロック図である。図9において、実施の形態1と同様に、デジタル信号(NRZ)に応じて、記録パルス発生器1(第1のパルス発生部)は一定の波高値の定パルス信号Swを生成する。5は、温度を測定し、電気的な信号として出力する温度センサーである。
(Embodiment 3)
The third embodiment of the present invention is implemented in a form provided with an auxiliary pulse generator B9 in order to compensate for the waveform blunting even when the laser emission waveform falls.
FIG. 9 is a block diagram of the laser driving apparatus according to the third embodiment. In FIG. 9, as in the first embodiment, the recording pulse generator 1 (first pulse generator) generates a constant pulse signal Sw having a constant peak value according to the digital signal (NRZ). Reference numeral 5 denotes a temperature sensor that measures temperature and outputs it as an electrical signal.

補助パルス発生器4、補助パルス発生器B9、温度補償テーブル6、可変ゲインアンプ7,10は、測定温度に応じて波高値が変わる補正パルス信号を生成する第2のパルス発生部を構成する。特に、補助パルス発生器4と、温度補償テーブル6と可変ゲインアンプ7は、前記測定温度に応じて、波高値が変わる補正パルス信号Saを生成する第3のパルス発生部を構成する。本実施の形態では、さらに、補助パルス発生器B9と、温度補償テーブル6と可変ゲインアンプ10は、前記測定温度に応じて、波高値が変わる補正パルス信号Sbを生成する第4のパルス発生部を構成する。8は前記定パルス信号Swと前記補正パルス信号Sa、Sbとを合算する加算器であり、両信号は電流駆動アンプ2を介して半導体レーザ3に供給される。   The auxiliary pulse generator 4, the auxiliary pulse generator B9, the temperature compensation table 6, and the variable gain amplifiers 7 and 10 constitute a second pulse generation unit that generates a correction pulse signal whose peak value changes according to the measured temperature. In particular, the auxiliary pulse generator 4, the temperature compensation table 6, and the variable gain amplifier 7 constitute a third pulse generation unit that generates a correction pulse signal Sa whose peak value changes according to the measured temperature. In the present embodiment, the auxiliary pulse generator B9, the temperature compensation table 6, and the variable gain amplifier 10 further include a fourth pulse generator that generates a correction pulse signal Sb whose peak value changes according to the measured temperature. Configure. Reference numeral 8 denotes an adder for adding the constant pulse signal Sw and the correction pulse signals Sa and Sb, and both signals are supplied to the semiconductor laser 3 via the current drive amplifier 2.

なお、記録パルス発生器1、補助パルス発生器4、補助パルス発生器B9、可変ゲインアンプ7,10、加算器8、温度補償テーブル6により、測定温度に応じた形状のパルス状信号を出力するパルス発生手段が構成されている。
本実施の形態におけるレーザ駆動装置に供給されたデジタル信号NRZは、図10に示されるように、記録パルス発生器1によって、少なくとも先頭パルスと、デジタル信号”1”の連続数に応じた後続パルス群とからなるマルチパルス(Sw)に変換される。同様に、補助パルス発生器4等によって、Swの立ち上がりエッジを基準に補正パルス信号(Sa)が生成され、さらに、補助パルス発生器B9等によって、Swの立ち下がりエッジを基準に補正パルス信号(Sb)が生成される。これら補正パルス信号Sa、Sbの信号幅は前記先頭パルス信号の幅よりも狭いことを特徴としている。図10は一例として、各パルスの間隔をクロックウィンドウTw、パルス幅をTw/2としている。このとき補助パルス信号のパルス幅は、後述するようにTw/8以上Tw/4以下であることが望ましく、ここではTw/4とする。この補正の結果、図10に示されるような波形を有すレーザ駆動電流ILが得られる。その結果、レーザ負荷によって鈍化したレーザ発光波形(図中点線)は改善される(同実線)。
The recording pulse generator 1, auxiliary pulse generator 4, auxiliary pulse generator B 9, variable gain amplifiers 7 and 10, adder 8, and temperature compensation table 6 output a pulse signal having a shape corresponding to the measured temperature. Pulse generation means is configured.
As shown in FIG. 10, the digital signal NRZ supplied to the laser driving apparatus in the present embodiment is recorded by the recording pulse generator 1 at least the first pulse and the subsequent pulse corresponding to the number of consecutive digital signals “1”. It is converted into a multi pulse (Sw) consisting of a group. Similarly, the auxiliary pulse generator 4 or the like generates a correction pulse signal (Sa) with reference to the rising edge of Sw, and the auxiliary pulse generator B9 or the like generates a correction pulse signal (with reference to the falling edge of Sw. Sb) is generated. The correction pulse signals Sa and Sb are characterized in that the signal width is narrower than the width of the head pulse signal. In FIG. 10, as an example, the interval between each pulse is a clock window Tw and the pulse width is Tw / 2. At this time, the pulse width of the auxiliary pulse signal is desirably Tw / 8 or more and Tw / 4 or less, as will be described later, and is Tw / 4 here. As a result of this correction, a laser drive current IL having a waveform as shown in FIG. 10 is obtained. As a result, the laser emission waveform (dotted line in the figure) blunted by the laser load is improved (same solid line).

本発明の特徴は、前記補正係数を温度に応じて可変とするところにある。すなわち、温度センサー5が測定した温度に対し、温度補償テーブル6は図11に示すような単調減少の関係で立ち上がり補正パルスの係数Kaと、立ち下がり補正パルスの係数Kbとを決定する。この単調減少の関数は、図1で示されるような半導体レーザ3の等価抵抗Rsの温度特性(高温ほど減少する)によって関連付けられる。係数Kaは補助パルス発生器4の出力信号と乗算され、測定温度に応じて波高値の変化する補正パルス信号(Sa)が生成される。さらに係数Kbは補助パルス発生器B9の出力信号と乗算され、測定温度に応じて波高値の変化する補正パルス信号(Sb)が生成される。例えば、図12に示したように、温度T=25℃のときの半導体レーザの等価直列抵抗Rsが5Ω、T=50℃で2.5Ωになるとする(図1参照)。このときT=25℃においては、Rs=5Ω、等価負荷容量C、インダクタLとで決定される時定数による波形鈍化を補償すべく、立ち上がり時間、オーバーシュートが許容値以下になるように補正係数Ka=0.5が決定され、立ち下がり時間、アンダーシュートが許容値以下になるようにKb=0.5が決定される。一方、T=50℃の場合、半導体レーザの直列等価抵抗Rsは2.5Ωまで低下するので電流駆動アンプ2から見た負荷が軽くなり、レーザ発光波形の鈍化は軽減される傾向となる。このとき、T=25℃のときと同じK=0.5で駆動電流ILを供給すれば、過補正となり、オーバーシュートが発生した結果半導体レーザの劣化を早めることにもなる。   A feature of the present invention is that the correction coefficient is variable according to temperature. That is, with respect to the temperature measured by the temperature sensor 5, the temperature compensation table 6 determines the coefficient Ka of the rising correction pulse and the coefficient Kb of the falling correction pulse in a monotonically decreasing relationship as shown in FIG. This monotonically decreasing function is related by the temperature characteristic of the equivalent resistance Rs of the semiconductor laser 3 as shown in FIG. The coefficient Ka is multiplied by the output signal of the auxiliary pulse generator 4 to generate a correction pulse signal (Sa) whose peak value changes according to the measured temperature. Further, the coefficient Kb is multiplied by the output signal of the auxiliary pulse generator B9, and a correction pulse signal (Sb) whose peak value changes according to the measured temperature is generated. For example, as shown in FIG. 12, it is assumed that the equivalent series resistance Rs of the semiconductor laser at a temperature T = 25 ° C. is 5Ω and 2.5Ω at T = 50 ° C. (see FIG. 1). At this time, at T = 25 ° C., the correction coefficient is set so that the rise time and overshoot are less than the allowable values in order to compensate for the waveform dullness caused by the time constant determined by Rs = 5Ω, equivalent load capacity C, and inductor L. Ka = 0.5 is determined, and Kb = 0.5 is determined so that the fall time and undershoot are less than the allowable values. On the other hand, when T = 50 ° C., the series equivalent resistance Rs of the semiconductor laser decreases to 2.5Ω, so that the load viewed from the current driving amplifier 2 becomes lighter and the blunting of the laser emission waveform tends to be reduced. At this time, if the drive current IL is supplied at K = 0.5, which is the same as when T = 25 ° C., overcorrection occurs, and as a result of occurrence of overshoot, the deterioration of the semiconductor laser is also accelerated.

そこで本実施の形態においては、高温で直列等価抵抗Rsが低下したときは、それに応じて補正係数Ka、Kbも、図11の関係に従って、低減させることにしている。その結果、T=50℃においてはKa=0.25、Kb=0.25となり、負荷が軽いなりに適切なレーザ発光波形を得ることができる。   Therefore, in the present embodiment, when the series equivalent resistance Rs decreases at a high temperature, the correction coefficients Ka and Kb are also decreased according to the relationship shown in FIG. As a result, at T = 50 ° C., Ka = 0.25 and Kb = 0.25, and an appropriate laser emission waveform can be obtained with a light load.

なお、本実施の形態3では、先頭パルスと、デジタル信号”1”の連続数に応じた後続パルス群とからなるマルチパルスで半導体レーザを発光させる場合を例にとり説明したが、図13に示すように、デジタル信号NRZの連続数に応じた幅を持つパルスで半導体レーザを発光させる場合にも適用できる。   In the third embodiment, the case where the semiconductor laser is caused to emit light by a multi-pulse including a leading pulse and a succeeding pulse group corresponding to the number of consecutive digital signals “1” has been described as an example. As described above, the present invention can also be applied to the case where the semiconductor laser emits light with a pulse having a width corresponding to the number of consecutive digital signals NRZ.

(実施の形態1〜3に関するその他の事項)
(1)
実施の形態1から3において、補正係数K(実施の形態3ではKa、Kb)の単調減少の関数は、半導体レーザ3の等価抵抗Rsの温度特性によって関連付けられるとしたが、これには様々な方法が考えられる。
(Other matters regarding the first to third embodiments)
(1)
In the first to third embodiments, the monotonically decreasing function of the correction coefficient K (Ka and Kb in the third embodiment) is related to the temperature characteristic of the equivalent resistance Rs of the semiconductor laser 3, but there are various A method is conceivable.

例えば、環境温度を変化させながらレーザをパルス発光させて、立ち上がり時間とオーバーシュートが許容値以下になるように補正係数Kを求め、温度と補正係数Kの関係を求めてもよい。また複数のサンプルに対し同様の実験を行い、代表的な温度と補正係数Kの関係を補正テーブルに持たせてもよい。また、等価抵抗Rsの温度特性を温度Tの関数Rs(T)とした場合に、補正係数KはこのRs(T)に比例した成分を持つように、
K(T) = α1×Rs(T)+β1
としてもよい(ここでα1、β1は定数)。また、等価抵抗Rsが温度にほぼ反比例する関係にある場合には、
K(T) = α2/T+β2
としてもよい(ここでα2、β2は定数)。
For example, the laser may be pulsed while changing the ambient temperature, the correction coefficient K may be obtained so that the rise time and overshoot are less than the allowable values, and the relationship between the temperature and the correction coefficient K may be obtained. Further, the same experiment may be performed on a plurality of samples, and the relationship between the representative temperature and the correction coefficient K may be given to the correction table. When the temperature characteristic of the equivalent resistance Rs is a function Rs (T) of the temperature T, the correction coefficient K has a component proportional to this Rs (T).
K (T) = α1 × Rs (T) + β1
(Where α1 and β1 are constants). Also, when the equivalent resistance Rs is in a relationship that is almost inversely proportional to the temperature,
K (T) = α2 / T + β2
(Where α2 and β2 are constants).

(2)
実施の形態1および3において、補助パルス信号のパルス幅は先頭パルス幅よりも狭くし、Tw/8以上Tw/4以下としたが、これには理由がある。補助パルス信号のパルス幅が狭すぎると波形鈍化を補正できない。したがってパルス幅を少なくともTw/8以上にする必要がある。また、パルス幅が広いと過補正になり、図14に示すように波形ひずみが発生する。この波形ひずみを避けるため、パルス幅を少なくとも先頭パルス幅以下とし、さらにTw/4以下に設定することが好ましい。
(2)
In the first and third embodiments, the pulse width of the auxiliary pulse signal is narrower than the leading pulse width and is Tw / 8 or more and Tw / 4 or less, but there is a reason for this. If the pulse width of the auxiliary pulse signal is too narrow, waveform blunting cannot be corrected. Therefore, the pulse width needs to be at least Tw / 8 or more. Further, if the pulse width is wide, overcorrection occurs, and waveform distortion occurs as shown in FIG. In order to avoid this waveform distortion, it is preferable to set the pulse width to at least the leading pulse width and further to Tw / 4 or less.

なお、これらは一例であり、補助パルス信号のパルス幅は、先頭パルス幅以下であれば自由に選択してもよい。
また、実施の形態2において、補助パルス信号のパルス幅は定パルス信号Swよりも狭くし、Tw/8以上Tw/4以下としたが、これも上述と同様の理由である。補助パルス信号のパルス幅が狭すぎると波形鈍化を補正できない。したがってパルス幅を少なくともTw/8以上にする必要がある。また、パルス幅が広いと過補正になり、波形ひずみが発生する。この波形ひずみを避けるため、パルス幅を少なくとも定パルス信号Swよりも狭くし、さらにTw/4以下に設定することが好ましい。
These are merely examples, and the pulse width of the auxiliary pulse signal may be freely selected as long as it is equal to or less than the head pulse width.
In the second embodiment, the pulse width of the auxiliary pulse signal is narrower than that of the constant pulse signal Sw and is Tw / 8 or more and Tw / 4 or less. This is also the same reason as described above. If the pulse width of the auxiliary pulse signal is too narrow, waveform blunting cannot be corrected. Therefore, the pulse width needs to be at least Tw / 8 or more. If the pulse width is wide, overcorrection occurs and waveform distortion occurs. In order to avoid this waveform distortion, it is preferable to make the pulse width at least narrower than the constant pulse signal Sw and set it to Tw / 4 or less.

また、図15に示すように、先頭パルスに対し、後続パルスの幅が狭い場合には、後続パルスに加算する補正パルスの幅を後続パルスの幅と等しくして、波形鈍化を適切に補正できるようにすることが好ましい。この場合には、補助パルスのパルス幅を様々に変える手段を備える必要が無く、装置の構成を単純化することが可能となる。   As shown in FIG. 15, when the width of the subsequent pulse is narrower than the leading pulse, the width of the correction pulse to be added to the subsequent pulse can be made equal to the width of the subsequent pulse to appropriately correct the waveform blunting. It is preferable to do so. In this case, it is not necessary to provide means for changing the pulse width of the auxiliary pulse in various ways, and the configuration of the apparatus can be simplified.

(3)
実施の形態1から3では、赤色レーザを駆動する場合を例にとって説明したが、本発明はこれに限らない。
図2に示すように、GaNを主成分とする青色レーザでは直列等価抵抗値が高く赤色レーザのほぼ2〜4倍になるとされており、低温で直列等価抵抗値が高くなることによる波形鈍化の現象がより顕著に表れることが予期される。本発明はこのような青色レーザを変調する場合に適用した場合もその効果が期待できる。
(3)
In Embodiments 1 to 3, the case where the red laser is driven has been described as an example, but the present invention is not limited to this.
As shown in FIG. 2, a blue laser mainly composed of GaN has a high series equivalent resistance value, which is about 2 to 4 times that of a red laser. Waveform blunting due to a high series equivalent resistance value at a low temperature. The phenomenon is expected to appear more prominently. The present invention can be expected to be effective when applied to such a blue laser.

(4)
実施の形態1から3では、温度センサーを用いて測定された測定値に基づいて、温度補償テーブル6から補正パルスの係数Kを決定すると説明した。
ここで、温度センサーにより測定される温度は、半導体レーザの温度であることが望ましいが、半導体レーザの設置される環境における温度であってもよい。
(4)
In the first to third embodiments, it has been described that the coefficient K of the correction pulse is determined from the temperature compensation table 6 based on the measurement value measured using the temperature sensor.
Here, the temperature measured by the temperature sensor is preferably the temperature of the semiconductor laser, but may be the temperature in the environment where the semiconductor laser is installed.

さらに、補正パルスの係数Kは、温度以外の測定値に基づいて決定されるものであってもよい。
図16に、一例を示す。図16は、図3を用いて説明した温度センサー5、温度補償テーブル6に変えて、半導体レーザの動作電圧から算出される抵抗値に基づいて補正パルスの係数Kを決定する手段を備えている。図16では、図3と同様の構成に対して同じ符号を付している。以下、図3とは異なる部分を中心に説明を加える。
Further, the correction pulse coefficient K may be determined based on a measured value other than temperature.
An example is shown in FIG. FIG. 16 is provided with means for determining the correction pulse coefficient K based on the resistance value calculated from the operating voltage of the semiconductor laser in place of the temperature sensor 5 and the temperature compensation table 6 described with reference to FIG. . In FIG. 16, the same reference numerals are given to the same components as those in FIG. In the following, a description will be given focusing on the parts different from FIG.

図16に示すレーザ駆動装置は、電圧検出回路11と、抵抗算出器12と、補償テーブル13とを備えている。電圧検出回路11は、電流駆動アンプ2に接続され、半導体レーザの動作電圧を測定する。抵抗算出器12は、電圧検出回路11により検出された動作電圧と半導体レーザの動作電流とから半導体レーザの抵抗値を算出する。補償テーブル13は、各抵抗値に対する補正パルスの係数Kを格納しており、算出された抵抗値に応じた補正パルスの係数Kを出力する。ここで、補償テーブル13が格納するテーブルは、抵抗値の値に対して単調増加する係数Kを格納している。   The laser drive device shown in FIG. 16 includes a voltage detection circuit 11, a resistance calculator 12, and a compensation table 13. The voltage detection circuit 11 is connected to the current drive amplifier 2 and measures the operating voltage of the semiconductor laser. The resistance calculator 12 calculates the resistance value of the semiconductor laser from the operating voltage detected by the voltage detection circuit 11 and the operating current of the semiconductor laser. The compensation table 13 stores a correction pulse coefficient K for each resistance value, and outputs a correction pulse coefficient K corresponding to the calculated resistance value. Here, the table stored in the compensation table 13 stores a coefficient K that monotonously increases with respect to the resistance value.

なお、電圧検出回路11と抵抗算出器12とは、異なる部分により構成されている必要はなく、半導体レーザの抵抗値を直接取得することのできる装置であってもよい。
また、補償テーブル13は、電圧値に対する補正パルスの係数Kを格納しており、電圧検出回路11が検出する電圧値に対して直接係数Kを出力するものであってもよい。
The voltage detection circuit 11 and the resistance calculator 12 do not need to be configured by different parts, and may be a device that can directly acquire the resistance value of the semiconductor laser.
The compensation table 13 may store a correction pulse coefficient K for the voltage value, and may directly output the coefficient K for the voltage value detected by the voltage detection circuit 11.

(5)
ブロック図の各機能ブロックや、ハードウェア構成は、典型的には集積回路であるLSIとして実現される。これらは個別に1チップ化されても良いし、一部又は全てを含むように1チップ化されても良い。
(5)
Each functional block and hardware configuration in the block diagram are typically realized as an LSI which is an integrated circuit. These may be individually made into one chip, or may be made into one chip so as to include a part or all of them.

例えば、図3における記録パルス発生器1、補助パルス発生器4,加算器8、可変ゲインアンプ7、電流駆動アンプ2などが1チップ化されていてもよい(図3中の一点鎖線内)。
また例えば、図9における記録パルス発生器1、補助パルス発生器4,加算器8、可変ゲインアンプ7、補助パルス発生器B9,可変ゲインアンプ10、電流駆動アンプ2などが1チップ化されていてもよい(図9中の一点鎖線内)。
For example, the recording pulse generator 1, auxiliary pulse generator 4, adder 8, variable gain amplifier 7, current drive amplifier 2, etc. in FIG. 3 may be integrated into a single chip (within the one-dot chain line in FIG. 3).
Further, for example, the recording pulse generator 1, the auxiliary pulse generator 4, the adder 8, the variable gain amplifier 7, the auxiliary pulse generator B9, the variable gain amplifier 10, the current drive amplifier 2 and the like in FIG. It is also possible (within the alternate long and short dash line in FIG. 9).

ここでは、LSIとしたが、集積度の違いにより、IC、システムLSI、スーパーLSI、ウルトラLSIと呼称されることもある。
また、集積回路化の手法はLSIに限るものではなく、専用回路又は汎用プロセサで実現してもよい。LSI製造後に、プログラムすることが可能なFPGA(Field Programmable Gate Array)や、LSI内部の回路セルの接続や設定を再構成可能なリコンフィギュラブル・プロセッサー を利用しても良い。
The name used here is LSI, but it may also be called IC, system LSI, super LSI, or ultra LSI depending on the degree of integration.
Further, the method of circuit integration is not limited to LSI's, and implementation using dedicated circuitry or general purpose processors is also possible. An FPGA (Field Programmable Gate Array) that can be programmed after manufacturing the LSI or a reconfigurable processor that can reconfigure the connection and setting of the circuit cells inside the LSI may be used.

さらには、半導体技術の進歩又は派生する別技術によりLSIに置き換わる集積回路化の技術が登場すれば、当然、その技術を用いて機能ブロックの集積化を行ってもよい。バイオ技術の適応等が可能性としてありえる。
(実施の形態4)
図17は、本発明の実施の形態4におけるレーザ駆動回路のブロック図である。本発明のレーザ駆動回路は、記録信号に応じて半導体レーザ150にパルス電流を供給するパルス電流源100と、半導体レーザに高周波電流を供給する高周波信号源140と、半導体レーザの波形等化を行う可変フィルタ120と、温度を測定する温度センサー160と、可変フィルタの定数を制御するフィルタ制御部170とから構成されている。
Further, if integrated circuit technology comes out to replace LSI's as a result of the advancement of semiconductor technology or a derivative other technology, it is naturally also possible to carry out function block integration using this technology. Biotechnology can be applied.
(Embodiment 4)
FIG. 17 is a block diagram of a laser drive circuit according to Embodiment 4 of the present invention. The laser drive circuit according to the present invention performs a pulse current source 100 for supplying a pulse current to the semiconductor laser 150 according to a recording signal, a high frequency signal source 140 for supplying a high frequency current to the semiconductor laser, and waveform equalization of the semiconductor laser. The variable filter 120, a temperature sensor 160 that measures temperature, and a filter control unit 170 that controls constants of the variable filter are included.

なお、パルス電流源100と可変フィルタ120とにより、測定温度に応じた形状のパルス状信号を出力するパルス発生手段が構成されている。
より詳細なレーザ駆動回路の主要構成を、図18を用いて説明する。図18中、点線部で囲まれたレーザ駆動回路110は集積回路で実現されるものとする。
The pulse current source 100 and the variable filter 120 constitute pulse generating means for outputting a pulse signal having a shape corresponding to the measured temperature.
A more detailed main configuration of the laser drive circuit will be described with reference to FIG. In FIG. 18, the laser drive circuit 110 surrounded by the dotted line is assumed to be realized by an integrated circuit.

図18において、101から104は半導体レーザ150を所望の光強度で発光させるための電流源である。電流源101は電流Irを半導体レーザに供給する。
また、電流源102は電流Ibを記録信号W2に従って供給する。同様に、電流源103は電流Ieを記録信号W3に従って供給し、電流源104は電流Ipを記録信号W4に従って供給する。
In FIG. 18, reference numerals 101 to 104 denote current sources for causing the semiconductor laser 150 to emit light with a desired light intensity. The current source 101 supplies a current Ir to the semiconductor laser.
The current source 102 supplies the current Ib according to the recording signal W2. Similarly, the current source 103 supplies the current Ie according to the recording signal W3, and the current source 104 supplies the current Ip according to the recording signal W4.

高周波信号源140は、情報の再生時において、光ディスクからの反射光が半導体レーザに戻ることにより発生するいわゆるスクープノイズを抑制するため、DC電流Irに高周波電流を重畳して供給する。
ここで、情報の再生および記録時の動作シーケンスを図19を用いて説明する。再生時には、記録信号W2からW4はLレベルであるため、電流源101から104のうち、電流源101のみが半導体レーザ150に電流を供給する。さらに、高周波信号源140からの高周波電流が重畳される。
The high-frequency signal source 140 superimposes and supplies a high-frequency current to the DC current Ir in order to suppress so-called scoop noise that occurs when reflected light from the optical disk returns to the semiconductor laser during information reproduction.
Here, an operation sequence during information reproduction and recording will be described with reference to FIG. At the time of reproduction, since the recording signals W 2 to W 4 are at the L level, only the current source 101 among the current sources 101 to 104 supplies current to the semiconductor laser 150. Further, a high frequency current from the high frequency signal source 140 is superimposed.

情報の記録時には、以下のような動作を行う。記録トラック上に図19(a)のような記録マークおよび記録スペースを形成する時には、図19(b)に示すようなピークレベルとボトムレベル、およびバイアスレベルで変調された光パルス列を記録膜上に照射する必要がある。このため、記録信号W2〜W4に従って電流Ir、Ib、Ie、Ipを加算して図19(c)に示すようなパルス電流を生成し、半導体レーザに供給する。この動作により、図19(b)のような所望の強度変調が施された光パルスを生成する。   When recording information, the following operations are performed. When forming a recording mark and a recording space as shown in FIG. 19A on a recording track, an optical pulse train modulated with a peak level, a bottom level, and a bias level as shown in FIG. Need to be irradiated. For this reason, currents Ir, Ib, Ie, and Ip are added in accordance with the recording signals W2 to W4 to generate a pulse current as shown in FIG. 19C, which is supplied to the semiconductor laser. By this operation, an optical pulse subjected to desired intensity modulation as shown in FIG. 19B is generated.

また、コンデンサ121〜124およびMOSトランジスタ125〜128は、光パルス波形を最適化するためのハイパスフィルタである。光パルス波形は、半導体レーザ150とレーザ駆動回路110との配線のインダクタの影響を受けてリンギングを有する波形となる。このリンギングを抑え、適切な光パルス波形を得る目的で、上記フィルタを備えた構成としている。   Capacitors 121 to 124 and MOS transistors 125 to 128 are high-pass filters for optimizing the optical pulse waveform. The optical pulse waveform is a waveform having ringing due to the influence of the inductor of the wiring between the semiconductor laser 150 and the laser driving circuit 110. In order to suppress this ringing and obtain an appropriate optical pulse waveform, the filter is provided.

コンデンサ121、122、123、124の容量をC1、C2、C3、C4とすると、C2からC4を各々
C2=2×C1
C3=4×C1
C4=8×C1
となるようにする。例えばここではC1=5pFとすると、C2=10pF、C3=20pF、C4=40pFとする。このような構成とすることで、ハイパスフィルタの定数Ccを0pFから、75pFまで、5pFの分解能で、16通り選べるような構成となっている。この選択は、MOSスイッチ125〜128を、信号S1〜S4に従ってオン・オフ制御することによって行う。
Assuming that the capacities of the capacitors 121, 122, 123, and 124 are C1, C2, C3, and C4, C2 to C4 are respectively set.
C2 = 2 × C1
C3 = 4 × C1
C4 = 8 × C1
To be. For example, when C1 = 5 pF, C2 = 10 pF, C3 = 20 pF, and C4 = 40 pF. With such a configuration, the constant Cc of the high-pass filter can be selected from 16 types with a resolution of 5 pF from 0 pF to 75 pF. This selection is performed by ON / OFF control of the MOS switches 125 to 128 according to the signals S1 to S4.

なお、再生時にパイパスフィルタを動作させてしまうと、重畳される高周波電流の振幅が低下し、戻り光ノイズが増加して光ディスク装置の再生性能の低下を引き起こす可能性がある。したがって再生時には、コンデンサ121〜124をハイパスフィルタとして動作させない構成とするため、ANDゲート129〜132により、W2がLoのとき(すなわち再生時)は選択信号S1〜S4の論理に関わらず、すべてのMOSスイッチがオフする構成としている。   If the bypass filter is operated at the time of reproduction, the amplitude of the superimposed high-frequency current is reduced, and the return light noise is increased, which may cause the reproduction performance of the optical disc apparatus to deteriorate. Therefore, at the time of reproduction, the capacitors 121 to 124 are not operated as a high-pass filter. Therefore, when W2 is Lo (that is, at the time of reproduction) by the AND gates 129 to 132, all the signals are selected regardless of the logic of the selection signals S1 to S4. The MOS switch is turned off.

なお、ここでは、集積回路の面積増大を低減することを目的として、最も大きいコンデンサ124を集積回路とは外付けにしている。
本発明の特徴は、温度によってハイパスフィルタの定数Ccを変化させるところにある。EEP−ROM172には、図20に示すような、温度センサーの測定温度に対して、最適な光パルス波形が得られるハイパスフィルタの定数(Cc)の特性テーブルが記憶されている。テーブルにおいて、ハイパスフィルタの定数Ccは高温ほど増加するように決められている。このテーブルでは、図21(a)で示される半導体レーザ150の等価回路中における直列抵抗Rsが、図21(b)温度特性(高温ほど減少する)によって関連付けられている。マイコン171は、EEP−ROM172のテーブルを参照することにより、温度センサーの測定温度に応じたハイパスフィルタの定数Ccを選択し、信号S1〜S4の論理を決定してMOSスイッチ125〜128の制御を行う。
Here, for the purpose of reducing the increase in the area of the integrated circuit, the largest capacitor 124 is externally attached to the integrated circuit.
The feature of the present invention is that the constant Cc of the high-pass filter is changed depending on the temperature. The EEP-ROM 172 stores a characteristic table of constants (Cc) of a high-pass filter that can obtain an optimum optical pulse waveform with respect to the temperature measured by the temperature sensor, as shown in FIG. In the table, the constant Cc of the high-pass filter is determined to increase as the temperature increases. In this table, the series resistance Rs in the equivalent circuit of the semiconductor laser 150 shown in FIG. 21A is related by the temperature characteristic of FIG. 21B (decreasing as the temperature increases). The microcomputer 171 selects the constant Cc of the high-pass filter corresponding to the temperature measured by the temperature sensor by referring to the table of the EEP-ROM 172, determines the logic of the signals S1 to S4, and controls the MOS switches 125 to 128. Do.

例えば、図22に示したように、温度T=25℃のときの半導体レーザの直列抵抗Rsが20Ωであったとする(図21(b)参照)。このときT=25℃においては、図21(a)に示すような半導体レーザの等価回路、すなわちRs=20Ω、容量C、インダクタLとで決定される時定数による光パルス波形のリンギングを補償すべく、立ち上がり時間とオーバーシュートが許容値以下になるように、ハイパスフィルタの定数がCc=25pFと選択される。一方、T=0℃の場合、半導体レーザの直列抵抗Rsは30Ωまで低下するので、T=25℃のときと同じハイパスフィルタの定数であれば、図22(a)のように光パルス波形が著しく鈍化する。さらに、T=50℃の場合、半導体レーザの直列抵抗Rsは15Ωまで低下するので、T=25℃のときと同じハイパスフィルタの定数であれば、光パルス波形のオーバーシュートが図22(c)に示すように増大する。これらの光パルス波形の温度変化により記録信号品質の低下を引き起こす恐れがある。   For example, as shown in FIG. 22, it is assumed that the series resistance Rs of the semiconductor laser when the temperature T = 25 ° C. is 20Ω (see FIG. 21B). At this time, at T = 25 ° C., the equivalent circuit of the semiconductor laser as shown in FIG. 21A, that is, ringing of the optical pulse waveform due to the time constant determined by Rs = 20Ω, capacitance C, and inductor L is compensated. Therefore, the constant of the high-pass filter is selected as Cc = 25 pF so that the rise time and the overshoot are less than the allowable values. On the other hand, when T = 0 ° C., the series resistance Rs of the semiconductor laser is reduced to 30Ω, so if the constant of the high-pass filter is the same as when T = 25 ° C., the optical pulse waveform is as shown in FIG. Significantly slows down. Further, when T = 50 ° C., the series resistance Rs of the semiconductor laser is reduced to 15Ω, so if the constant of the high-pass filter is the same as when T = 25 ° C., the overshoot of the optical pulse waveform is as shown in FIG. As shown in FIG. There is a possibility that the quality of the recording signal is deteriorated due to the temperature change of the optical pulse waveform.

そこで本実施の形態においては、低温で直列抵抗Rsが増加したときは、それに応じてハイパスフィルタの定数も、Cc=0pFに減少させることにしている。また、高温で直列抵抗Rsが減少したときは、それに応じてハイパスフィルタの定数も、Cc=40pFに増加させることにしている。その結果、図22(d)、図22(f)に示すように、低温でも高温でもオーバーシュート量が許容値内に制御された適切な光パルス波形を得ることができる。   Therefore, in this embodiment, when the series resistance Rs increases at a low temperature, the constant of the high-pass filter is also decreased to Cc = 0 pF accordingly. Further, when the series resistance Rs decreases at a high temperature, the constant of the high pass filter is also increased to Cc = 40 pF accordingly. As a result, as shown in FIGS. 22D and 22F, it is possible to obtain an appropriate optical pulse waveform in which the overshoot amount is controlled within an allowable value at both low and high temperatures.

なお、本実施の形態においては、コンデンサ121〜123を集積回路に内臓し、コンデンサ124を集積回路の外に付けるものとしたが、本発明はこの形態に限定されない。集積回路の面積が許容可能であれば、すべてのコンデンサを集積回路に内臓してもよい。
また、本実施の形態においては、ハイパスフィルタをコンデンサで構成するものとしたが、本発明はこの形態に限定されない。例えば、図23のようにコンデンサと直列に抵抗を挿入したハイパスフィルタの構成としても、同様の効果が得られる。また、図24に示すように1つの容量に対し、抵抗とMOSスイッチの組を複数個接続し、抵抗値を変化させることによってフィルタの特性を可変する構成としてもよい。また、図25に示すようにMOSスイッチ322のゲート電圧をDAコンバータ321の出力電圧で制御して、MOSスイッチのオン抵抗値を変化させる構成としてもよい。
In this embodiment, the capacitors 121 to 123 are incorporated in the integrated circuit and the capacitor 124 is attached to the outside of the integrated circuit. However, the present invention is not limited to this embodiment. If the area of the integrated circuit is acceptable, all capacitors may be incorporated in the integrated circuit.
In the present embodiment, the high-pass filter is configured with a capacitor, but the present invention is not limited to this embodiment. For example, the same effect can be obtained by using a high-pass filter configuration in which a resistor is inserted in series with a capacitor as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 24, a plurality of sets of resistors and MOS switches may be connected to one capacitor, and the filter characteristics may be varied by changing the resistance value. In addition, as shown in FIG. 25, the gate voltage of the MOS switch 322 may be controlled by the output voltage of the DA converter 321 to change the on-resistance value of the MOS switch.

また、MOSスイッチ125〜128の少なくとも1つをオンする瞬間に、コンデンサを充電するために急激に電流が流れる場合がある。この電流は半導体レーザのアノード電源から供給されるため、レーザを流れ、最悪レーザを破損する可能性がある。これを回避するため、図26のようにコンデンサとMOSスイッチが接続されるノードにプルダウン抵抗401〜404を接続するようにすることが好ましい。   In addition, at the moment when at least one of the MOS switches 125 to 128 is turned on, a current may suddenly flow to charge the capacitor. Since this current is supplied from the anode power supply of the semiconductor laser, there is a possibility that the laser flows and damages the worst laser. In order to avoid this, it is preferable to connect pull-down resistors 401 to 404 to nodes to which capacitors and MOS switches are connected as shown in FIG.

また、本実施の形態では、図18中の点線部で囲まれた領域のレーザ駆動回路110を集積回路で実現されるものとしたが、本発明はこの形態に限定されない。例えば、図27に示すように、温度センサー、マイコン、EEP−ROMなども集積回路に内臓する構成とすれば、ピックアップ上の部品を削減することが可能になり、低コストを実現できるし、信号の本数が削減されてピックアップをシンプルにできる。また、(実施の形態1〜3に関するその他の事項)(5)に述べた事項は、本実施の形態に対しても同様である。   In this embodiment, the laser drive circuit 110 in the region surrounded by the dotted line in FIG. 18 is realized by an integrated circuit, but the present invention is not limited to this embodiment. For example, as shown in FIG. 27, if the temperature sensor, the microcomputer, the EEP-ROM, etc. are built in the integrated circuit, it is possible to reduce the number of parts on the pickup, realize a low cost, The number can be reduced and the pickup can be simplified. Further, (other matters concerning the first to third embodiments) the matters described in (5) are the same for the present embodiment.

(実施の形態5)
実施の形態5は、半導体レーザの動作電圧と駆動電流とから、半導体レーザの直列抵抗値Rsを直接もとめ、この直列抵抗値Rsに応じてハイパスフィルタの定数Ccを変化させることによって、光波形を最適に制御する形態で実施される。
(Embodiment 5)
In the fifth embodiment, the optical resistance is obtained by directly determining the series resistance value Rs of the semiconductor laser from the operating voltage and drive current of the semiconductor laser and changing the constant Cc of the high-pass filter in accordance with the series resistance value Rs. Implemented in an optimally controlled manner.

図28は、本発明の実施の形態5におけるレーザ駆動回路のブロック図である。本発明のレーザ駆動回路は、記録信号に応じて半導体レーザ150にパルス電流を供給するパルス電流源100と、半導体レーザ150に高周波電流を供給する高周波信号源140と、レーザの波形等化を行う可変フィルタ120と、半導体レーザの動作電圧を検出する電圧検出回路200、可変フィルタの定数を制御するフィルタ制御部210とから構成されている。   FIG. 28 is a block diagram of a laser drive circuit according to Embodiment 5 of the present invention. The laser drive circuit according to the present invention equalizes a laser waveform, a pulse current source 100 that supplies a pulse current to the semiconductor laser 150 according to a recording signal, a high-frequency signal source 140 that supplies a high-frequency current to the semiconductor laser 150, and a laser. The variable filter 120 includes a voltage detection circuit 200 that detects the operating voltage of the semiconductor laser, and a filter control unit 210 that controls constants of the variable filter.

なお、パルス電流源100と可変フィルタ120とにより、動作電圧に応じた形状のパルス状信号を出力するパルス発生手段が構成されている。
より詳細なレーザ駆動回路の構成を図29を用いて説明する。図18と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。
The pulse current source 100 and the variable filter 120 constitute pulse generating means for outputting a pulse signal having a shape corresponding to the operating voltage.
A more detailed configuration of the laser drive circuit will be described with reference to FIG. The same components as those in FIG. 18 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

図29において、A/Dコンバータ203と抵抗201および202は半導体レーザ動作電圧の検出回路を構成している。抵抗201および202によってレーザ駆動回路の出力端子電圧Voutは分圧される。抵抗201および202の抵抗値を等しい値(例えば、各々10kΩ)としておくと、A/Dコンバータの検出電圧Vdetは
Vdet=Vout/2 ・・・・・(数式1)
となる。一方、半導体レーザの動作電圧Vopは、半導体レーザのアノードにおける電源電圧をEとすると、
Vop=E−Vout ・・・・・(数式2)
である。
In FIG. 29, an A / D converter 203 and resistors 201 and 202 constitute a semiconductor laser operating voltage detection circuit. The resistors 201 and 202 divide the output terminal voltage Vout of the laser driving circuit. If the resistance values of the resistors 201 and 202 are set equal (for example, 10 kΩ each), the detection voltage Vdet of the A / D converter is
Vdet = Vout / 2 (Formula 1)
It becomes. On the other hand, the operating voltage Vop of the semiconductor laser is E, where the power supply voltage at the anode of the semiconductor laser is E.
Vop = E−Vout (Formula 2)
It is.

したがって(数式1)、(数式2)から、
Vop=E−2×Vdet ・・・・・(数式3)
が成立するから、Vdetを検出することによって半導体レーザの動作電圧を求めることができる。
Therefore, from (Equation 1) and (Equation 2),
Vop = E−2 × Vdet (Equation 3)
Therefore, the operating voltage of the semiconductor laser can be obtained by detecting Vdet.

さらに演算DSP211は検出電圧と駆動電流とから、半導体レーザの直列抵抗値Rsを求める。例えば、ボトムパワーでDC発光させているときの動作電圧Vbを検出し、さらにバイアスパワーでDC発光させているときの動作電圧Veを検出し、ボトムパワーとバイアスパワーとの間での動作電圧の差ΔVopを、
ΔVop=Ve−Vb
と求める。また、ボトムパワーとバイアスパワーとの間での駆動電流ΔIopは、
ΔIop=Ie
と分かっているから、半導体レーザの直列抵抗値Rsは、
Rs=ΔVop/ΔIop
として求めることができる。
Further, the arithmetic DSP 211 obtains the series resistance value Rs of the semiconductor laser from the detected voltage and the drive current. For example, the operating voltage Vb when the DC light is emitted with the bottom power is detected, the operating voltage Ve when the DC light is emitted with the bias power is further detected, and the operating voltage between the bottom power and the bias power is detected. The difference ΔVop is
ΔVop = Ve−Vb
I ask. The drive current ΔIop between the bottom power and the bias power is
ΔIop = Ie
Therefore, the series resistance value Rs of the semiconductor laser is
Rs = ΔVop / ΔIop
Can be obtained as

ER−ROM212には、図30に示すような、半導体レーザの直列抵抗値Rsに対する最適な光パルス波形が得られるハイパスフィルタの定数の特性テーブルが記憶されている。演算DSPは、EEP−ROMを参照することにより、半導体レーザの直列抵抗値Rsに最適なハイパスフィルタの定数Ccを選択する。   The ER-ROM 212 stores a characteristic table of constants of a high-pass filter that can obtain an optimum optical pulse waveform with respect to the series resistance value Rs of the semiconductor laser as shown in FIG. The arithmetic DSP selects the high-pass filter constant Cc that is optimal for the series resistance value Rs of the semiconductor laser by referring to the EEP-ROM.

この構成により、温度が変化して半導体レーザの直列抵抗値Rsが変化しても、オーバーシュート量が許容値内に制御された適切な光パルス波形を得ることができる。すなわち、半導体レーザの抵抗値に応じて、半導体レーザの発光パワーを補正することが可能となる。   With this configuration, even if the temperature changes and the series resistance value Rs of the semiconductor laser changes, an appropriate optical pulse waveform in which the overshoot amount is controlled within an allowable value can be obtained. That is, it becomes possible to correct the light emission power of the semiconductor laser according to the resistance value of the semiconductor laser.

(実施の形態4〜5に関するその他の事項)
(1)
実施の形態1〜5に述べた事項は、適宜組み合わせて用いることが可能である。例えば、実施の形態5で述べた半導体レーザの動作電圧を検出する構成などは、図16を用いて説明したレーザ駆動装置などに適用することが可能である。
(Other matters regarding Embodiments 4 to 5)
(1)
The matters described in Embodiments 1 to 5 can be used in appropriate combination. For example, the configuration for detecting the operating voltage of the semiconductor laser described in Embodiment Mode 5 can be applied to the laser driving device described with reference to FIG.

本発明にかかるレーザ駆動装置は、温度に依存しない良好なパルス発光特性を有し、DVDの記録再生装置等として有用である。   The laser driving device according to the present invention has good pulse emission characteristics independent of temperature, and is useful as a DVD recording / reproducing device or the like.

赤色レーザにおける直列等価抵抗と温度との関係を示す図Diagram showing the relationship between series equivalent resistance and temperature in a red laser 青色レーザにおける直列等価抵抗と温度との関係を示す図Diagram showing the relationship between series equivalent resistance and temperature in blue laser 本発明の実施の形態1、実施の形態2におけるレーザ駆動装置の主要構成図Main configuration diagram of laser driving apparatus according to Embodiment 1 and Embodiment 2 of the present invention 本発明の実施の形態1におけるレーザ駆動装置の動作シーケンス図Operation sequence diagram of laser driving apparatus according to Embodiment 1 of the present invention 補正係数Kと温度の関係を示す図The figure which shows the relationship between the correction coefficient K and temperature 各温度における、補正係数Kと、直列抵抗Rsと、レーザ駆動電流ILと、レーザ発光波形を示す図The figure which shows the correction coefficient K in each temperature, the series resistance Rs, the laser drive current IL, and a laser emission waveform. 本発明の実施の形態2におけるレーザ駆動装置の動作シーケンス図Operation sequence diagram of laser driving apparatus in Embodiment 2 of the present invention 各温度における、補正係数Kと、直列抵抗Rsと、レーザ駆動電流ILと、レーザ発光波形を示す図The figure which shows the correction coefficient K in each temperature, the series resistance Rs, the laser drive current IL, and a laser emission waveform. 本発明の実施の形態3におけるレーザ駆動装置の主要構成図Main configuration diagram of laser driving apparatus according to Embodiment 3 of the present invention 本発明の実施の形態3におけるレーザ駆動装置の動作シーケンス図Operation sequence diagram of laser driving apparatus according to Embodiment 3 of the present invention 補正係数Ka、Kbと温度の関係を示す図The figure which shows the relationship between correction coefficient Ka and Kb, and temperature 各温度における、補正係数Kと、直列抵抗Rsと、レーザ駆動電流ILと、レーザ発光波形を示す図The figure which shows the correction coefficient K in each temperature, the series resistance Rs, the laser drive current IL, and a laser emission waveform. 本発明の実施の形態3におけるレーザ駆動装置を、デジタル信号NRZの連続数に応じた幅を持つパルスで半導体レーザを発光させる場合に適用した場合の動作シーケンス図Operation sequence diagram when the laser driving device according to the third embodiment of the present invention is applied to the case where the semiconductor laser emits light with a pulse having a width corresponding to the number of consecutive digital signals NRZ. 補正パルス幅を太くした場合に生ずる波形ひずみを示した図Diagram showing the waveform distortion that occurs when the correction pulse width is increased. 後続パルスに加算する補正パルス幅を後続パルスの幅と等しくした場合の動作シーケンス図Operation sequence diagram when the correction pulse width added to the subsequent pulse is made equal to the width of the subsequent pulse 本発明の別の実施の形態におけるレーザ駆動装置の主要構成図The main block diagram of the laser drive device in another embodiment of this invention 本発明の実施の形態4におけるレーザ駆動回路のブロック図Block diagram of a laser drive circuit in Embodiment 4 of the present invention 本発明の実施の形態4におけるレーザ駆動回路の主要構成図Main configuration diagram of laser driving circuit according to Embodiment 4 of the present invention 本発明の実施の形態4におけるレーザ駆動回路の動作シーケンス図Operation sequence diagram of laser drive circuit in Embodiment 4 of the present invention 温度と選択すべきハイパスフィルタの定数を示す図Diagram showing temperature and high-pass filter constant to be selected (a)半導体レーザの等価回路を示す図 (b)半導体レーザ直列抵抗の温度依存性を示す図(A) Diagram showing equivalent circuit of semiconductor laser (b) Diagram showing temperature dependence of semiconductor laser series resistance 温度と光パルス波形の関係を示す図Diagram showing the relationship between temperature and optical pulse waveform 本発明の別の実施の形態におけるフィルタの構成図The block diagram of the filter in another embodiment of this invention 本発明の別の実施の形態におけるフィルタの構成図The block diagram of the filter in another embodiment of this invention 本発明の別の実施の形態におけるフィルタの構成図The block diagram of the filter in another embodiment of this invention 本発明の別の実施の形態におけるフィルタの構成図The block diagram of the filter in another embodiment of this invention 本発明の別の実施の形態におけるレーザ駆動回路の主要構成図The main block diagram of the laser drive circuit in another embodiment of this invention 本発明の実施の形態5におけるレーザ駆動回路のブロック図Block diagram of a laser drive circuit in Embodiment 5 of the present invention 本発明の実施の形態5におけるレーザ駆動回路の主要構成図Main configuration diagram of laser driving circuit according to Embodiment 5 of the present invention 半導体レーザの抵抗値と選択すべきハイパスフィルタの定数を示す図Diagram showing semiconductor laser resistance and high-pass filter constant to be selected 背景技術におけるレーザ駆動装置の主要構成図Main configuration diagram of laser drive device in background art

符号の説明Explanation of symbols

1 記録パルス発生器
2 電流駆動アンプ
3 半導体レーザ
4 補助パルス発生器
5 温度センサー
6 温度補償テーブル
7 可変ゲインアンプ
8 加算器
9 補助パルス発生器B
10 可変ゲインアンプ
100 パルス電流源
101 電流源
102〜104 パルス電流源
120 可変フィルタ
121〜124 コンデンサ
125〜128 MOSトランジスタ
129〜132 ANDゲート
140 電圧制御発振器
150 半導体レーザ
160 温度センサー
170 フィルタ制御部
171 マイコン
172 EEP−ROM
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Recording pulse generator 2 Current drive amplifier 3 Semiconductor laser 4 Auxiliary pulse generator 5 Temperature sensor 6 Temperature compensation table 7 Variable gain amplifier 8 Adder 9 Auxiliary pulse generator B
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Variable gain amplifier 100 Pulse current source 101 Current source 102-104 Pulse current source 120 Variable filter 121-124 Capacitor 125-128 MOS transistor 129-132 AND gate 140 Voltage control oscillator 150 Semiconductor laser 160 Temperature sensor 170 Filter control part 171 Microcomputer 172 EEPROM-ROM

Claims (26)

デジタル信号に応じて半導体レーザをパルス状に発光させるレーザ駆動装置であって、
前記半導体レーザの温度に応じて変化する測定値を出力する測定手段と、
前記測定値に応じた形状のパルス状信号を出力するパルス発生手段と、
を備えるレーザ駆動装置。
A laser driving device that emits a semiconductor laser in pulses in response to a digital signal,
Measurement means for outputting a measurement value that changes according to the temperature of the semiconductor laser;
Pulse generating means for outputting a pulse signal having a shape corresponding to the measured value;
A laser driving device.
前記測定手段は、前記半導体レーザの温度を測定する装置である、
請求項1に記載のレーザ駆動装置。
The measuring means is a device for measuring the temperature of the semiconductor laser;
The laser driving device according to claim 1.
前記測定手段は、前記半導体レーザの電圧値あるいは抵抗値を測定する装置である、
請求項1に記載のレーザ駆動装置。
The measuring means is a device for measuring a voltage value or a resistance value of the semiconductor laser.
The laser driving device according to claim 1.
前記パルス発生手段は、一定の波高値を有する第1のパルス信号を生成する第1のパルス発生部と、前記測定値に応じて波高値が変わる第2のパルス信号を生成する第2のパルス発生部と、前記第1のパルス信号と前記第2のパルス信号とを合算し前記パルス状信号を出力する加算器とを有することを特徴とする、
請求項1〜3のいずれかに記載のレーザ駆動装置。
The pulse generating means includes a first pulse generating unit that generates a first pulse signal having a constant peak value, and a second pulse that generates a second pulse signal whose peak value changes according to the measured value. A generator, and an adder that adds the first pulse signal and the second pulse signal to output the pulse signal.
The laser drive device according to claim 1.
前記第2のパルス発生部は、前記第1のパルス信号に対して順方向の信号であって前記測定値に応じて波高値が変わる第3のパルス信号を生成する第3のパルス発生部と、前記第1のパルス信号に対して逆方向の信号であって前記測定値に応じて波高値が変わる第4のパルス信号を生成する第4のパルス発生部とから構成されている、
請求項4に記載のレーザ駆動装置。
The second pulse generation unit includes a third pulse generation unit that generates a third pulse signal that is a forward signal with respect to the first pulse signal and whose peak value changes according to the measurement value. A fourth pulse generating unit that generates a fourth pulse signal that is a signal in the opposite direction to the first pulse signal, and whose peak value changes according to the measurement value.
The laser driving device according to claim 4.
前記測定手段は、前記半導体レーザの温度を測定する装置であり、
前記第2のパルス発生部は、前記測定値に応じて単調減少の関係で前記第2のパルス信号の波高値を決定する補正波高値決定手段をさらに有することを特徴とする、
請求項4または5に記載のレーザ駆動装置。
The measuring means is a device for measuring the temperature of the semiconductor laser;
The second pulse generation unit further includes correction peak value determination means for determining a peak value of the second pulse signal in a monotonically decreasing relationship according to the measurement value,
The laser drive device according to claim 4 or 5.
前記測定手段は、前記半導体レーザの電圧値あるいは抵抗値を測定する装置であり、
前記第2のパルス発生部は、前記測定値に応じて単調増加の関係で前記第2のパルス信号の波高値を決定する補正波高値決定手段をさらに有することを特徴とする、
請求項4または5に記載のレーザ駆動装置。
The measuring means is a device for measuring a voltage value or a resistance value of the semiconductor laser,
The second pulse generation unit further includes correction peak value determination means for determining a peak value of the second pulse signal in a monotonically increasing relationship according to the measurement value,
The laser drive device according to claim 4 or 5.
前記デジタル信号は、少なくとも先頭パルス信号と、その連続数に応じた後続パルス信号とからなるマルチパルス信号に変換されていることを特徴とし、
前記第2のパルス信号の信号幅は、前記先頭パルス信号の幅よりも狭いことを特徴とする、
請求項4〜7のいずれかに記載のレーザ駆動装置。
The digital signal is converted into a multi-pulse signal composed of at least a leading pulse signal and a subsequent pulse signal corresponding to the number of consecutive pulses,
The signal width of the second pulse signal is narrower than the width of the head pulse signal,
The laser drive device according to claim 4.
前記後続パルス信号に加算される前記第2のパルス信号の信号幅は、前記後続パルス信号の幅と等しいことを特徴とする、
請求項8に記載のレーザ駆動装置。
The signal width of the second pulse signal added to the subsequent pulse signal is equal to the width of the subsequent pulse signal.
The laser driving device according to claim 8.
前記デジタル信号は、その連続数に応じた幅を持つパルス信号に変換されることを特徴とし、
前記第2のパルス信号の信号幅は、前記パルス信号の幅よりも狭いことを特徴とする、
請求項4〜7のいずれかに記載のレーザ駆動装置。
The digital signal is converted into a pulse signal having a width corresponding to the continuous number,
The signal width of the second pulse signal is narrower than the width of the pulse signal,
The laser drive device according to claim 4.
1チャネルクロックをTとしたとき、前記第2のパルス信号の信号幅はT/8以上T/4以下であることを特徴とする、
請求項4〜10のいずれかに記載のレーザ駆動装置。
When the one-channel clock is T, the signal width of the second pulse signal is T / 8 or more and T / 4 or less,
The laser drive device according to any one of claims 4 to 10.
前記第3のパルス信号は、前記第1のパルス信号の立ち上がりのタイミングで生成され、
前記第4のパルス信号は、前記第1のパルス信号の立ち下がりのタイミングで生成される、
請求項5に記載のレーザ駆動装置。
The third pulse signal is generated at the rising timing of the first pulse signal,
The fourth pulse signal is generated at the falling timing of the first pulse signal.
The laser driving device according to claim 5.
前記パルス発生手段は、前記デジタル信号に応じてパルス電流を出力するパルス電流源と、前記パルス電流源に対し並列に接続された、定数が可変なフィルタと、前記測定値に応じて前記フィルタの定数を制御するフィルタ制御部とを有することを特徴とする、
請求項1〜3のいずれかに記載のレーザ駆動装置。
The pulse generation means includes a pulse current source that outputs a pulse current in accordance with the digital signal, a filter that is connected in parallel to the pulse current source, and a variable constant, and the filter in accordance with the measured value. A filter control unit for controlling a constant;
The laser drive device according to claim 1.
前記フィルタ制御部は、前記測定値に応じて前記フィルタ制御部が制御すべきフィルタの定数を記憶する手段を含むことを特徴とする、
請求項13に記載のレーザ駆動装置。
The filter control unit includes means for storing a constant of a filter to be controlled by the filter control unit according to the measurement value,
The laser driving device according to claim 13.
前記フィルタは、直列に接続されたコンデンサとスイッチとの組み合わせを複数個含むことを特徴とする、
請求項13に記載のレーザ駆動装置。
The filter includes a plurality of combinations of capacitors and switches connected in series,
The laser driving device according to claim 13.
前記フィルタは、直列に接続されたコンデンサとスイッチと抵抗との組み合わせを複数個含むことを特徴とする、
請求項13に記載のレーザ駆動装置。
The filter includes a plurality of combinations of capacitors, switches, and resistors connected in series.
The laser driving device according to claim 13.
前記フィルタは、前記コンデンサと前記スイッチとの接続点と、グラウンドとの間に抵抗を挿入したことを特徴とする、
請求項15に記載のレーザ駆動装置。
The filter is characterized in that a resistor is inserted between a connection point between the capacitor and the switch and a ground.
The laser driving device according to claim 15.
前記フィルタは、前記コンデンサ、前記スイッチ、および前記抵抗を直列に接続した際のある1つの接続点と、グラウンドとの間に抵抗を挿入したことを特徴とする、
請求項16に記載のレーザ駆動装置。
The filter is characterized in that a resistor is inserted between one connection point when the capacitor, the switch, and the resistor are connected in series, and a ground.
The laser driving device according to claim 16.
前記フィルタは、再生時には、記録時とはフィルタの定数を変えることができることを特徴とする、
請求項13〜19のいずれかに記載のレーザ駆動装置。
The filter is characterized in that, during reproduction, the constant of the filter can be changed from that during recording.
The laser drive device according to any one of claims 13 to 19.
前記フィルタを構成する複数のコンデンサの内、少なくとも1つは集積回路の外部に接続される構成としたことを特徴とする、
請求項15または16に記載のレーザ駆動装置。
Of the plurality of capacitors constituting the filter, at least one of the capacitors is connected to the outside of the integrated circuit.
The laser driving device according to claim 15 or 16.
前記測定手段は、前記半導体レーザの電圧値を測定する装置であり、
前記フィルタ制御部は、前記半導体レーザの動作電圧と半導体レーザの動作電流とから、半導体レーザの抵抗値を求める抵抗算出手段と、前記抵抗値に応じて前記フィルタの定数を制御する制御実行手段とを含むことを特徴とする、
請求項13に記載のレーザ駆動装置。
The measuring means is a device for measuring a voltage value of the semiconductor laser;
The filter control unit includes a resistance calculation unit that obtains a resistance value of the semiconductor laser from an operating voltage of the semiconductor laser and an operating current of the semiconductor laser, and a control execution unit that controls a constant of the filter according to the resistance value. Including,
The laser driving device according to claim 13.
前記フィルタ制御部は、前記抵抗値に応じて前記制御実行手段が制御すべきフィルタの定数を記憶する手段を含むことを特徴とする、
請求項21に記載のレーザ駆動装置。
The filter control unit includes means for storing a constant of a filter to be controlled by the control execution means in accordance with the resistance value.
The laser driving device according to claim 21.
レーザ光を発する半導体レーザと、請求項1〜22のいずれかに記載のレーザ駆動装置と、前記レーザ光を光ディスクへ導くための光学部品とから構成される光ピックアップと、
前記光ディスクを駆動するディスク駆動装置と、
を備える光ディスク装置。
An optical pickup comprising a semiconductor laser that emits laser light, the laser driving device according to claim 1, and an optical component that guides the laser light to an optical disc,
A disk drive device for driving the optical disk;
An optical disc device comprising:
デジタル信号に応じて半導体レーザをパルス状に発光させるレーザ駆動方法であって、
前記半導体レーザの温度に応じて変化する測定値を出力する測定ステップと、
前記測定値に応じた形状のパルス状信号を出力するパルス発生ステップと、
を備えるレーザ駆動方法。
A laser driving method for emitting a semiconductor laser in pulses according to a digital signal,
A measurement step of outputting a measurement value that varies depending on the temperature of the semiconductor laser;
A pulse generation step of outputting a pulsed signal having a shape corresponding to the measured value;
A laser driving method comprising:
デジタル信号に応じて半導体レーザをパルス状に発光させるレーザ駆動用集積回路であって、
一定の波高値を有する第1のパルス信号を生成する第1のパルス発生部と、
前記半導体レーザの温度に応じて変化する測定値に対応して波高値が変わる第2のパルス信号を生成する第2のパルス発生部と、
前記第1のパルス信号と前記第2のパルス信号とを合算しパルス状信号を出力する加算器と、
を備えるレーザ駆動用集積回路。
A laser driving integrated circuit for emitting a semiconductor laser in a pulsed manner in response to a digital signal,
A first pulse generator for generating a first pulse signal having a constant peak value;
A second pulse generator for generating a second pulse signal whose peak value changes in response to a measured value that changes according to the temperature of the semiconductor laser;
An adder for adding the first pulse signal and the second pulse signal to output a pulse signal;
An integrated circuit for driving a laser.
デジタル信号に応じて半導体レーザをパルス状に発光させるレーザ駆動用集積回路であって、
前記デジタル信号に応じてパルス電流を出力するパルス電流源と、
前記パルス電流源に対し並列に接続された、定数が可変なフィルタと、
前記半導体レーザの温度に応じて変化する測定値に対応して前記フィルタの定数を制御するフィルタ制御部と、
を備えるレーザ駆動用集積回路。
A laser driving integrated circuit for emitting a semiconductor laser in a pulsed manner in response to a digital signal,
A pulse current source that outputs a pulse current in response to the digital signal;
A variable-variable filter connected in parallel to the pulse current source;
A filter control unit for controlling a constant of the filter in response to a measurement value that changes according to the temperature of the semiconductor laser;
An integrated circuit for driving a laser.
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