JP2006032984A - 配線形成方法 - Google Patents
配線形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006032984A JP2006032984A JP2005272776A JP2005272776A JP2006032984A JP 2006032984 A JP2006032984 A JP 2006032984A JP 2005272776 A JP2005272776 A JP 2005272776A JP 2005272776 A JP2005272776 A JP 2005272776A JP 2006032984 A JP2006032984 A JP 2006032984A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- plating solution
- seed layer
- substrate
- copper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 176
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 119
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 63
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims abstract description 46
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims abstract description 37
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 14
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010425 asbestos Substances 0.000 abstract 1
- 229910052895 riebeckite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 115
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 67
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 66
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 65
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 12
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 11
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 9
- PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J dicopper;phosphonato phosphate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 4
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 4
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 4
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- OARRHUQTFTUEOS-UHFFFAOYSA-N safranin Chemical compound [Cl-].C=12C=C(N)C(C)=CC2=NC2=CC(C)=C(N)C=C2[N+]=1C1=CC=CC=C1 OARRHUQTFTUEOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N glyoxylic acid Chemical compound OC(=O)C=O HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- RGLYKWWBQGJZGM-ZCXUNETKSA-N 4-[(z)-4-(4-hydroxyphenyl)hex-3-en-3-yl]phenol Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(/CC)=C(/CC)C1=CC=C(O)C=C1 RGLYKWWBQGJZGM-ZCXUNETKSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical class NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1 JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N Tetrakis(2-hydroxypropyl)ethylenediamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CCN(CC(C)O)CC(C)O NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- JFEVWPNAOCPRHQ-UHFFFAOYSA-N chembl1316021 Chemical compound OC1=CC=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1O JFEVWPNAOCPRHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002659 electrodeposit Substances 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002897 organic nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- -1 phthalocyanine compound Chemical class 0.000 description 1
- 229920002755 poly(epichlorohydrin) Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- QLNJFJADRCOGBJ-UHFFFAOYSA-N propionamide Chemical compound CCC(N)=O QLNJFJADRCOGBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- SOUHUMACVWVDME-UHFFFAOYSA-N safranin O Chemical compound [Cl-].C12=CC(N)=CC=C2N=C2C=CC(N)=CC2=[N+]1C1=CC=CC=C1 SOUHUMACVWVDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- JADVWWSKYZXRGX-UHFFFAOYSA-M thioflavine T Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1C1=[N+](C)C2=CC=C(C)C=C2S1 JADVWWSKYZXRGX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003585 thioureas Chemical class 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
【解決手段】 配線用の微細窪みを形成した基板の表面にシード層を形成し、シード層を第1のめっき液による無電解めっきによって補強し、しかる後、第2のめっき液によるパルスまたはPRパルスを用いた電解めっきによってシード層を更に補強し、第3のめっき液を用いて前記微細窪みの内部に電解めっきにより導電体を埋め込む。
【選択図】 図4
Description
請求項3に記載の発明は、前記第3のめっき液は、硫酸銅めっき液であることを特徴とする請求項1または2に記載の配線形成方法である。
請求項5に記載の発明は、前記無電解めっき処理の完了後、基板の被めっき面を洗浄および冷却することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の配線形成方法である。
図1は、本発明の実施の形態の配線形成方法に使用される配線形成装置の平面配置図を示す。この配線形成装置は、同一設備内に、内部に複数の基板Wを収納する2基のロード・アンロード部10と、一つの基板処理部(即ち、一つのめっきセル)12を共有した補強用無電解めっき装置14、補強用電解めっき装置16及び埋め込み用電解めっき装置18と、ロード・アンロード部10と基板処理部12との間で基板Wの受け渡しを行う搬送ロボット20とを収納して構成されている。
先ず第1の例では、補強用無電解めっき装置14に使用するめっき液、及び補強用電解めっき装置16に使用するめっき液として、その組成に2価の銅イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤及びpH調整剤とを有するめっき液(無電解めっき液)を使用する。
このめっき液の処理温度は、20〜70℃程度が好ましく、必要に応じて、公知の無電解銅めっきの安定剤や界面活性剤を含有させることができる。
電解液中でめっきが進行している条件では、電極界面で金属イオンの濃度低下が起こる。パルス電解の最も重要な利点に、パルス印加時に形成される拡散層が休止時及び逆電解時に緩和し、従って最適条件下では副反応(亜酸化物や水酸化物等)を生じることなしに高い電流密度が得られる点が挙げられる。つまり、パルスを用いることにより直流電解の場合に比べ100倍程度まで電流密度を上げることができ、より高い活性化過電圧(析出させるための電圧、単に過電圧とも言う)でめっきを行うことができる。また攪拌、振動、熱その他対流を起こすことにより、更に高い電流密度を得ることができる。
パルスめっきにおける巨視的な電析形態は、物質移動現象に依存するが、微視的な特性(結晶粒径、優先配向など)を支配するのは、核発生・成長過程だと考えられる。核成長速度は過電圧にあまり影響を受けないが、核発生速度は過電圧の増加と共に上昇する。その結果として、高電流密度を用いたパルスめっきでは、微結晶の析出物が得られる。また、過電圧が大きいので電極表面の不均一性とは無関係にランダムな核発生が起こり、さらに水素発生の低減と共に欠陥(多孔質な膜)の低減にもつながっている。
パルスめっきでは拡散層の厚さが薄く保たれるので、めっき表面の平滑性は改善される。つまり、拡散層の厚みが電極表面の凹凸よりも小さい場合には、拡散層は電極表面の凹凸に沿って成長し、電極表面における電流分布は均一になり、従ってめっき層の厚さも均一となる。なお、拡散層の厚さが電極表面の凹凸と同等以上であれば、球状拡散により電流は凸部に集中し、その結果、球状晶、針状晶、樹枝状晶、粉末状晶等が発生すると考えられる。
結晶化過電圧の増大とともに核発生の臨界半径及び臨界自由エネルギーが減少し、核発生速度は指数関数的に増加する。すなわち、パルス電流密度(過電圧)を大きくすると平均粒径は減少する。一方、配向性は過電圧によって変化する。パルスめっきでは、濃度分極を低減し過電圧を高くできるので、直流めっきに比較して高指数の優先配向軸をもつ電析物を得ることができる。
次に、基板保持部50を停止させて基板受渡位置Aまで下降させ、搬送ロボット20によって基板処理部12から基板Wを取出し、ロード・アンロード部10に戻す。
半導体ウエハの表面に直径0.18μm、深さ1.0μm(アスペクト比:5.6)のホールを形成し、スパッタリングで100nmの厚さの銅シード層を形成した試料を用意した。この試料の銅シード層を、めっき液としてピロりん酸銅めっき液(ピロりん酸銅:15g/L、ピロりん酸:92g/L、pH:9.5、液温:25℃)を用い、電源電流として、図5(a)に示すPRパルス(tON=1337ms,tR=562ms,ON:0.48A/dm2, R:0.16A/dm2)を使用した電解めっきで補強し、しかる後、浴温を22.0℃とした硫酸銅めっき液を使用した電解めっきで銅の埋め込みを行った。この時の銅シード層を補強した後の状態と、銅を埋め込んだ後の状態をSEM観察した。この時のSEM写真を図面化したものを図14に示す。この図14(a)から、銅シード層を補強することで、ホール100の内周面(側面及び底面)を均一な膜厚で連続した銅シード層102で一体に覆い、図14(b)から、銅層104を堆積させることで、ホール100内に健全な銅104の埋め込みを行えることが判る。
実施例1と同様な試料を用意し、電源電流として、図5(c)に示すPRパルス(tON=1337ms,tOFF=100ms,tR=562ms,ON:0.48A/dm2, R:0.16A/dm2)を使用し、その他の条件を実施例1と同じにした電解めっきで銅シード層を補強し、実施例1と同じ条件で銅の埋め込みを行った。この時の状態をSEM写真で観察したところ、図14に示すものと同様な状態を得ることができた。
実施例1と同様な試料を用意し、この試料の銅シード層を、めっき液として硫酸銅無電解めっき液(CuSO4・5H2O:5g/L、EDTA・4H:14g/L、CHOCOOH:18g/L、pH:11.5(TMAHを使用して)、液温:60℃)を用いて1分間の無電解めっきを施し、しかる後、電源電流として、図5(a)に示すPRパルス(tON=1337ms,tR=562ms,ON:0.48A/dm2, R:0.16A/dm2)を使用した電解めっきで補強した。次に、実施例1と同じ条件で銅の埋め込みを行った。この時の状態をSEM写真で観察したところ、図14に示すものと同様な状態を得ることができた。
実施例1と同様な試料を用意し、電源電流として、直流電源(電流密度:0.48A/dm2)を使用し、その他の条件を実施例1と同じにした電解めっきで銅シード層を補強し、実施例1と同じ条件で銅の埋め込みを行った。この時の銅シード層を補強した後の状態と、銅を埋め込んだ後の状態をSEM観察した。この時のSEM写真を図面化したものを図15に示す。この図15(a)から、銅シード層を補強すると、ホール100の内周面の上部のみに銅シード層102が残り、銅層104を堆積させると、図15(b)に示すように、ホール100の底部に銅が析出せずに、ここにボイド(銅の未析出部)106が生じることが判る。これは、銅シード層を補強する際に、ホールの底部の銅シード層がエッチングされて除去されるためであると考えられる。
6a 補強シード層
6b 複合シード層
7 銅層
8 配線
10,10a,10b ロード・アンロード部
12 基板処理部
14,14a 補強用無電解めっき装置
16,16b 補強用電解めっき装置
18,18a,18b 埋め込み用電解めっき装置
22,24,24 めっき液供給ヘッド
30、36,40 揺動アーム
44 プレコート・回収アーム
46 固定ノズル
50 基板保持部
52 カソード
54 シール材
56 飛散防止カップ
58 プレコートノズル
60a,60b 液回収ノズル
66 噴射ノズル
68 ランプヒータ
70 ハウジング
72 アノード
74 めっき液含浸材
76 めっき液供給管
82 補強用めっき装置
Claims (6)
- 配線用の微細窪みを形成した基板の表面にシード層を形成し、
前記シード層を第1のめっき液による無電解めっきによって補強し、
しかる後、第2のめっき液によるパルスまたはPRパルスを用いた電解めっきによって前記シード層を更に補強し、
第3のめっき液を用いて前記微細窪みの内部に電解めっきにより導電体を埋め込むことを特徴とする配線形成方法。 - 前記第2のめっき液は、前記第3のめっき液よりも過電圧を高くできるめっき液であることを特徴とする請求項1に記載の配線形成方法。
- 前記第3のめっき液は、硫酸銅めっき液であることを特徴とする請求項1または2に記載の配線形成方法。
- 前記無電解めっきは、無電解めっき液を複数の噴射ノズルから分散させて基板の被めっき面へ噴射して行うことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の配線形成方法。
- 前記無電解めっき処理の完了後、基板の被めっき面を洗浄および冷却することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の配線形成方法。
- 前記第2のめっき液による電解めっき処理の完了後、基板の被めっき面をリンスした後、乾燥させることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の配線形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005272776A JP4346593B2 (ja) | 2005-09-20 | 2005-09-20 | 配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005272776A JP4346593B2 (ja) | 2005-09-20 | 2005-09-20 | 配線形成方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001317217A Division JP3939124B2 (ja) | 2001-10-15 | 2001-10-15 | 配線形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006032984A true JP2006032984A (ja) | 2006-02-02 |
JP4346593B2 JP4346593B2 (ja) | 2009-10-21 |
Family
ID=35898870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005272776A Expired - Fee Related JP4346593B2 (ja) | 2005-09-20 | 2005-09-20 | 配線形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4346593B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008053568A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Nec Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2011249844A (ja) * | 2011-08-29 | 2011-12-08 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2014181379A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Tdk Corp | 電子部品モジュールの製造方法、無電解メッキ方法及び無電解メッキ装置 |
JP2020183565A (ja) * | 2019-05-08 | 2020-11-12 | 古河電気工業株式会社 | 電解銅箔、該電解銅箔を用いた表面処理銅箔、並びに該表面処理銅箔を用いた銅張積層板及びプリント配線板 |
-
2005
- 2005-09-20 JP JP2005272776A patent/JP4346593B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008053568A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Nec Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US8102049B2 (en) | 2006-08-25 | 2012-01-24 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device including through electrode and method of manufacturing the same |
JP2011249844A (ja) * | 2011-08-29 | 2011-12-08 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2014181379A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Tdk Corp | 電子部品モジュールの製造方法、無電解メッキ方法及び無電解メッキ装置 |
JP2020183565A (ja) * | 2019-05-08 | 2020-11-12 | 古河電気工業株式会社 | 電解銅箔、該電解銅箔を用いた表面処理銅箔、並びに該表面処理銅箔を用いた銅張積層板及びプリント配線板 |
JP7247015B2 (ja) | 2019-05-08 | 2023-03-28 | 古河電気工業株式会社 | 電解銅箔、該電解銅箔を用いた表面処理銅箔、並びに該表面処理銅箔を用いた銅張積層板及びプリント配線板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4346593B2 (ja) | 2009-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI376433B (en) | Method of direct plating of copper on a substrate structure | |
TW591122B (en) | Plating apparatus and method | |
US6867136B2 (en) | Method for electrochemically processing a workpiece | |
US6943112B2 (en) | Defect-free thin and planar film processing | |
US7138014B2 (en) | Electroless deposition apparatus | |
US6824666B2 (en) | Electroless deposition method over sub-micron apertures | |
US6517894B1 (en) | Method for plating a first layer on a substrate and a second layer on the first layer | |
US9222188B2 (en) | Defect reduction in electrodeposited copper for semiconductor applications | |
US6143155A (en) | Method for simultaneous non-contact electrochemical plating and planarizing of semiconductor wafers using a bipiolar electrode assembly | |
JP3939124B2 (ja) | 配線形成方法 | |
US20020127790A1 (en) | Electroless plating apparatus and method | |
US20060081478A1 (en) | Plating apparatus and plating method | |
US20030143837A1 (en) | Method of depositing a catalytic layer | |
US6808612B2 (en) | Method and apparatus to overcome anomalies in copper seed layers and to tune for feature size and aspect ratio | |
JP2015533946A (ja) | 電解液及びバリア層上に銅を電気めっきする方法 | |
JP4346593B2 (ja) | 配線形成方法 | |
US20060081477A1 (en) | Method and apparatus for establishing additive differential on surfaces for preferential plating | |
JP4416979B2 (ja) | 銅電気メッキに用いるメッキ溶液 | |
KR101014839B1 (ko) | 3차원 SiP의 관통형 비아와 범프의 전기화학적 가공방법 | |
JP2003306793A (ja) | めっき装置及び方法 | |
CN107447242A (zh) | 电镀装置及方法 | |
JP2006225715A (ja) | めっき装置及びめっき方法 | |
JP4537523B2 (ja) | Cu系埋込配線のパルスメッキ方法 | |
JP4160570B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2004124111A (ja) | 微細Viaホールを有する基板への電解めっき方法および装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090623 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090714 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4346593 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120724 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120724 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130724 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130724 Year of fee payment: 4 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130724 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |