JP2006024817A - Semiconductor device - Google Patents

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Tetsushi Otaki
哲史 大瀧
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which produces a gain easily and is capable of extending a communicative distance. <P>SOLUTION: The semiconductor device comprises a semiconductor integrated circuit board, and an antenna coil formed on the semiconductor integrated circuit board. The semiconductor device also includes a reflective layer which reflects electric waves, and an isolation layer which isolates the antenna coil electrically from the reflective layer. Both layers are formed between the integrated circuit board and the antenna coil. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体装置に係り、特にリーダライタから電力の受給とリーダライタとの間の信号の送受信とを無線によって行う非接触式の半導体装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a non-contact type semiconductor device that wirelessly receives power from a reader / writer and transmits / receives a signal between the reader / writer.

半導体集積回路（ＩＣ）が搭載された半導体装置は、豊かな応用性と高いセキュリティ性能を備えていることから、交通、流通および情報通信等の分野で普及が進んでいる。中でも、近年に開発されたＩＣタグと呼ばれる非接触式の半導体装置は、外部端子を設けず、リーダライタからの電力の受給とリーダライタとの間の信号の送受信とを無線によって行う。このため、接触式の半導体装置のように、外部端子の損壊ということが本質的に無く、長期の使用に耐え得るデバイスとして、今後、より広範囲な分野への普及が予想される。   A semiconductor device on which a semiconductor integrated circuit (IC) is mounted has a wide range of applications in fields such as transportation, distribution, and information communication because it has abundant applicability and high security performance. In particular, a non-contact type semiconductor device called an IC tag developed in recent years does not have an external terminal and wirelessly receives power from the reader / writer and transmits / receives signals to / from the reader / writer. For this reason, unlike a contact-type semiconductor device, there is essentially no damage to the external terminal, and it is expected that it will spread to a wider range of fields in the future as a device that can withstand long-term use.

従来から、この種の非接触式半導体装置としては、図６に説明図を示す半導体集積回路チップ（ＩＣチップ）１の入出力端子に巻線コイルやプリントコイルなどからなるアンテナコイル３を外付けした半導体モジュールが一般的に用いられる。
しかし、アンテナコイルを外付けした半導体モジュールは、ＩＣチップとアンテナコイルとの接続部にストレスが作用し易いために断線や接触不良等の不具合が生じ易く、良品率（製造歩留）が低く、製品コストが高価になるという問題がある。 Conventionally, as this type of non-contact type semiconductor device, an antenna coil 3 composed of a winding coil, a printed coil or the like is externally attached to an input / output terminal of a semiconductor integrated circuit chip (IC chip) 1 shown in FIG. Such a semiconductor module is generally used.
However, the semiconductor module with the antenna coil externally attached is prone to problems such as disconnection and poor contact due to stress easily acting on the connection between the IC chip and the antenna coil, and the yield rate (manufacturing yield) is low. There is a problem that the product cost becomes high.

上記不具合を解決する為、例えば特許文献１に記載されているように、ＩＣチップの入出力端子にアンテナコイルを外付けする構成に代えて、アンテナコイル内蔵型のＩＣチップを用いた半導体装置が提案されている。   In order to solve the above problem, for example, as described in Patent Document 1, a semiconductor device using an IC chip with a built-in antenna coil is used instead of a configuration in which an antenna coil is externally attached to an input / output terminal of an IC chip. Proposed.

この半導体装置は、図７に斜視図、図８に断面図を示すように、半導体集積回路の形成されたシリコン基板１上に、窒化シリコン膜などからなる第１のパッシベーション膜２を介して金属層パターンで構成されたアンテナコイル３が形成されており、このアンテナコイル３の表面にはさらに酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との２層構造膜からなる第２のパッシベーション膜４が形成されている。   As shown in the perspective view of FIG. 7 and the cross-sectional view of FIG. 8, the semiconductor device is formed of a metal on a silicon substrate 1 on which a semiconductor integrated circuit is formed via a first passivation film 2 made of a silicon nitride film or the like. An antenna coil 3 having a layer pattern is formed, and a second passivation film 4 composed of a two-layer structure film of a silicon oxide film and a silicon nitride film is further formed on the surface of the antenna coil 3. .

特開平１０−３２４４２３号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-324423

しかしながら、このような非接触式アンテナコイル内蔵型半導体装置は、外付け式に比べ、アンテナ面積がチップサイズに制限され、構造的にも制約があるため、利得が得難く、通信可能距離が短くなるという問題があった。   However, in the semiconductor device with a built-in non-contact type antenna coil, the antenna area is limited to the chip size and the structure is limited as compared with the external type, so that it is difficult to obtain a gain and the communicable distance is short. There was a problem of becoming.

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、上述した従来の半導体装置の課題を解決するとともに、利得が得易く、通信可能距離を長くすることができる半導体装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and has an object to provide a semiconductor device that solves the problems of the above-described conventional semiconductor device, can easily obtain a gain, and can increase a communicable distance. To do.

上記目的を達成するために、本発明は、半導体集積回路基板と、前記半導体集積回路基板上に形成されたアンテナコイルとを備えた半導体装置において、前記半導体集積回路基板と前記アンテナコイルとの間に、電波を反射する反射層と、前記アンテナコイルと前記反射層とを電気的に絶縁分離する分離層とを含むことを特徴とする。
この構成により、上記反射層が受信電波を反射し、アンテナコイルの利得を向上する機能を有すると共に、耐湿性、汚染物の侵入を防ぎ、また機械的な損傷から半導体集積回路を保護するという機能を有する。さらにまたアンテナ利得が向上するために、リーダライタとの通信可能距離を伸ばすことが可能である。 In order to achieve the above object, the present invention provides a semiconductor device comprising a semiconductor integrated circuit substrate and an antenna coil formed on the semiconductor integrated circuit substrate, wherein the semiconductor integrated circuit substrate is interposed between the semiconductor integrated circuit substrate and the antenna coil. And a reflection layer for reflecting radio waves, and a separation layer for electrically insulating and separating the antenna coil and the reflection layer.
With this configuration, the reflective layer reflects the received radio wave and has a function of improving the gain of the antenna coil, and also has a function of preventing moisture and contamination from entering, and protecting the semiconductor integrated circuit from mechanical damage. Have Furthermore, since the antenna gain is improved, the communicable distance with the reader / writer can be extended.

また本発明の半導体装置は、前記反射層が、リーダライタからの電力の受給と、前記リーダライタと前記半導体集積回路との間の信号の送受信を行う電波の反射とを実現するように構成された金属膜であるものを含む。
この構成によれば、金属膜表面の反射特性と、金属膜の導電性とを利用し、電波の反射機能と、配線材料としての機能とを良好に兼ね備えた反射層を備えた半導体装置を得ることができる。 In the semiconductor device of the present invention, the reflective layer is configured to realize reception of electric power from a reader / writer and reflection of radio waves for transmitting and receiving signals between the reader / writer and the semiconductor integrated circuit. Including a metal film.
According to this configuration, a semiconductor device including a reflective layer that has both a function of reflecting a radio wave and a function as a wiring material is obtained using the reflection characteristics of the surface of the metal film and the conductivity of the metal film. be able to.

また本発明の半導体装置は、前記反射層が、前記半導体集積回路を保護する保護機能を含むものを含む。
この構成によれば、前記半導体集積回路の保護機能を具備するように、反射層として、緻密で、耐湿性の高い材料を用いることにより、半導体集積回路の信頼性を向上することができる。特に半導体集積回路は金属膜からなる反射層で覆われているため、パッシベーション膜はポリイミド膜などの塗布膜のみでも、十分な耐湿性を確保することができる。従って、この構成により半導体装置の薄型化と低コスト化を実現することができる。 In the semiconductor device of the present invention, the reflective layer includes a protective function for protecting the semiconductor integrated circuit.
According to this configuration, the reliability of the semiconductor integrated circuit can be improved by using a dense and highly moisture-resistant material as the reflective layer so as to have the protection function of the semiconductor integrated circuit. In particular, since the semiconductor integrated circuit is covered with a reflective layer made of a metal film, a sufficient moisture resistance can be secured even if the passivation film is only a coating film such as a polyimide film. Therefore, this configuration can realize a reduction in thickness and cost of the semiconductor device.

また本発明の半導体装置は、前記反射層が、熱破壊から前記半導体集積回路を保護する保護機能を有するものを含む。
この構成により、反射層の存在によって、半導体集積回路の温度上昇を防止することができる。ここで、反射層として、金、銅などの熱伝導性の良好な金属材料を用いて十分な放熱性を持たせるようにすれば、反射層は大面積をもつため放熱効果も高く、半導体集積回路の温度上昇を良好に防止することができる。
また、半導体集積回路の裏面側に熱伝導性材料を配置し、裏面側からの放熱を促進することができる場合には、表面側に位置する反射層としては熱伝導性の低い材料を用いるようにしてもよい。例えば錫やタリウム、アンチモンなどの熱伝導性の低い膜と導電性の高い（比抵抗の小さい）膜との積層構造としてもよい。また反射層と半導体集積回路との間に樹脂膜などを介在させ熱緩和をはかるようにしてもよい。この場合は、アンテナの温度特性を半導体集積回路からの熱で変化させることなく、高精度のアンテナ特性を維持することができる効果もある。 In the semiconductor device of the invention, the reflective layer includes a protective function that protects the semiconductor integrated circuit from thermal destruction.
With this configuration, the temperature increase of the semiconductor integrated circuit can be prevented by the presence of the reflective layer. Here, if the reflective layer is made of a metal material with good thermal conductivity such as gold, copper, etc. so as to have sufficient heat dissipation, the reflective layer has a large area, so the heat dissipation effect is high, and the semiconductor integration The temperature rise of the circuit can be prevented satisfactorily.
In addition, when a heat conductive material is arranged on the back side of the semiconductor integrated circuit and heat dissipation from the back side can be promoted, a material having low heat conductivity should be used for the reflective layer located on the front side. It may be. For example, a stacked structure of a film having low thermal conductivity such as tin, thallium, or antimony and a film having high conductivity (low specific resistance) may be used. Further, a resin film or the like may be interposed between the reflective layer and the semiconductor integrated circuit so as to achieve thermal relaxation. In this case, there is also an effect that the antenna characteristics with high accuracy can be maintained without changing the temperature characteristics of the antenna by heat from the semiconductor integrated circuit.

また本発明の半導体装置は、前記反射層が、単層膜であるものを含む。
この構成により、半導体装置の薄型化を実現することができる。 The semiconductor device of the present invention includes one in which the reflective layer is a single layer film.
With this configuration, the semiconductor device can be thinned.

また本発明の半導体装置は、前記反射層が、複合膜であるものを含む。
この構成により、反射層を構成するに際し、放熱層と、保護層と、導電層と、反射層というように、１つまたは複数の機能を備えた膜を積層して複合膜を構成することにより、膜構成材料の特質を活かし、優れた反射層を形成することができる。 In the semiconductor device of the present invention, the reflective layer includes a composite film.
With this configuration, when the reflective layer is configured, a composite film is configured by laminating films having one or more functions such as a heat dissipation layer, a protective layer, a conductive layer, and a reflective layer. By taking advantage of the characteristics of the film constituent material, an excellent reflective layer can be formed.

また本発明の半導体装置は、前記分離層が、単層膜であるものを含む。
この構成により、半導体装置の薄型化を実現することができる。 The semiconductor device of the present invention includes one in which the separation layer is a single layer film.
With this configuration, the semiconductor device can be thinned.

また本発明の半導体装置は、前記分離層が、複合膜であるものを含む。
この構成により、絶縁機能に加え、放熱機能や保護機能をこの分離層に持たせることが可能である。例えば、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との複合膜を用いることにより、絶縁機能に加え、保護機能をもつ分離層を得ることができる。 The semiconductor device of the present invention includes a semiconductor device in which the separation layer is a composite film.
With this configuration, in addition to the insulating function, the separation layer can have a heat radiation function and a protection function. For example, by using a composite film of a silicon oxide film and a silicon nitride film, an isolation layer having a protective function in addition to an insulating function can be obtained.

以上詳述したように、本発明の半導体装置は、半導体集積回路基板とアンテナコイルの間に反射層と分離層を形成することにより、反射層で電波を反射しアンテナの利得を向上すると共に、半導体集積回路の通信可能距離の向上を図ることができる。   As described in detail above, the semiconductor device of the present invention improves the gain of the antenna by reflecting radio waves at the reflective layer by forming a reflective layer and a separation layer between the semiconductor integrated circuit substrate and the antenna coil. It is possible to improve the communicable distance of the semiconductor integrated circuit.

以下、本発明の一実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明による半導体装置の一実施の形態として構成断面図を示したものである。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of an embodiment of a semiconductor device according to the present invention.

本発明の半導体装置１００は、図２および図３に図１のＡ−Ａ’断面、Ｂ−Ｂ’断面を示すように、第１のパッシベーション膜２としての窒化シリコン膜で被覆されたＩＣタグを構成する半導体集積回路（ＩＣ）基板（チップ）１上に、反射層５としての金薄膜と、分離層６としての酸化シリコン膜と窒化シリコンとの２層膜とを介して、銅薄膜パターンで構成されたアンテナコイル３を形成してなるものである。そして、このアンテナコイル３の表面にはさらに酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との２層構造膜からなる第２のパッシベーション膜４が形成されている。ここで図１では第２のパッシベーション膜を省略した。   The semiconductor device 100 of the present invention includes an IC tag covered with a silicon nitride film as the first passivation film 2 as shown in FIG. 2 and FIG. 3 along the AA ′ and BB ′ sections of FIG. A copper thin film pattern is formed on a semiconductor integrated circuit (IC) substrate (chip) 1 that constitutes a substrate, via a gold thin film as a reflective layer 5 and a two-layer film of a silicon oxide film and silicon nitride as a separation layer 6 The antenna coil 3 comprised by this is formed. On the surface of the antenna coil 3, a second passivation film 4 made of a two-layer structure film of a silicon oxide film and a silicon nitride film is further formed. Here, the second passivation film is omitted in FIG.

すなわち、この半導体装置を構成する半導体集積回路チップ１は、メモリ領域を含むＩＣタグを構成してなる半導体集積回路を形成したシリコン基板の上層に窒化シリコン膜と酸化シリコン膜とからなるパッシベーション膜２を形成してなるものである。   That is, the semiconductor integrated circuit chip 1 constituting this semiconductor device has a passivation film 2 made of a silicon nitride film and a silicon oxide film on a silicon substrate on which a semiconductor integrated circuit comprising an IC tag including a memory region is formed. Is formed.

また、反射層は、金薄膜で構成されている。
そして、分離層は、窒化シリコン膜と、酸化シリコン膜とで構成される。 The reflective layer is composed of a gold thin film.
The separation layer is composed of a silicon nitride film and a silicon oxide film.

製造に際しては、通常の半導体プロセスを用いて半導体集積回路を形成する。
そして減圧ＣＶＤ法により窒化シリコン膜と酸化シリコン膜とからなるパッシベーション膜２を形成したのち、同一チャンバー内で反射層として、金薄膜を形成する。そしてフォトリソグラフィにより形成したマスクを用いて反射層５とパッシベーション膜２とをパターニングし、スルーホールＨを形成する。このときメタルマスクを用いることにより半導体集積回路とのコンタクトを形成する部分の金薄膜を形成しないようにしてもよい。 In manufacturing, a semiconductor integrated circuit is formed using a normal semiconductor process.
Then, after forming a passivation film 2 composed of a silicon nitride film and a silicon oxide film by a low pressure CVD method, a gold thin film is formed as a reflective layer in the same chamber. Then, the reflective layer 5 and the passivation film 2 are patterned using a mask formed by photolithography to form a through hole H. At this time, by using a metal mask, a portion of the gold thin film that forms a contact with the semiconductor integrated circuit may not be formed.

この後、再度減圧ＣＶＤ法により分離層６として窒化シリコン膜と酸化シリコン膜とを形成する。この後フォトリソグラフィによりコンタクトを形成すべき領域の分離層６を除去する。このとき、スルーホール内壁におよび半導体集積回路基板１表面にも分離層６が形成されるが、異方性エッチングにより軽くエッチングし、スルーホールＨ内に半導体集積回路基板１を露呈させるようにしてもよい。   Thereafter, a silicon nitride film and a silicon oxide film are formed as the separation layer 6 again by the low pressure CVD method. Thereafter, the separation layer 6 in a region where a contact is to be formed is removed by photolithography. At this time, although the separation layer 6 is formed on the inner wall of the through hole and on the surface of the semiconductor integrated circuit substrate 1, the semiconductor integrated circuit substrate 1 is exposed in the through hole H by lightly etching by anisotropic etching. Also good.

そして最後に、金などのスパッタリングによる薄膜上に銅めっき層を形成し、これをフォトリソグラフィによりパターニングし、この上層を第２のパッシベーション膜４で被覆する。なおこの構成は銅箔を貼着し、フォトリソグラフィによりアンテナコイル３のパターンを形成する工程に代えてもよい。   Finally, a copper plating layer is formed on a thin film by sputtering such as gold, this is patterned by photolithography, and this upper layer is covered with the second passivation film 4. This configuration may be replaced with a step of attaching a copper foil and forming a pattern of the antenna coil 3 by photolithography.

このようにしてシリコン基板上にアンテナコイル３が集積化された半導体装置を得ることができる。
なお、アンテナコイルと半導体集積回路との接続のためのコンタクトは図３に示すように形成されているが、図示しない断面で半導体集積回路基板１と反射層５との電気的接続がなされている。
この構成により、リーダライタからアンテナコイル３を介して電波を受ける際、反射層５によってアンテナコイル３から漏れた電波を反射層５が反射し、その反射電波をアンテナコイル３が受信するようにし、これらの信号の総和により半導体集積回路を駆動し、その出力をアンテナコイル３を介してリーダライタに伝えるという動作が極めて微細な半導体装置を用いて可能となる。 In this way, a semiconductor device in which the antenna coil 3 is integrated on the silicon substrate can be obtained.
The contact for connecting the antenna coil and the semiconductor integrated circuit is formed as shown in FIG. 3, but the semiconductor integrated circuit substrate 1 and the reflective layer 5 are electrically connected in a cross section (not shown). .
With this configuration, when receiving a radio wave from the reader / writer via the antenna coil 3, the reflection layer 5 reflects the radio wave leaked from the antenna coil 3 by the reflective layer 5, and the antenna coil 3 receives the reflected radio wave. The operation of driving the semiconductor integrated circuit by the sum of these signals and transmitting the output to the reader / writer via the antenna coil 3 becomes possible using a very fine semiconductor device.

なお、製造効率を考慮すると、図４に示すように、半導体ウェハレベルでアンテナコイル３のパターン形成までを行い、必要に応じて第２のパッシベーション膜（図示せず）を形成した後、ダイシングラインＤＣで分割するようにしてもよい。また、ダイシング後にこの半導体装置の表面全体に第２のパッシベーション膜を形成してもよい。   In consideration of the manufacturing efficiency, as shown in FIG. 4, after the patterning of the antenna coil 3 is performed at the semiconductor wafer level, and a second passivation film (not shown) is formed as necessary, a dicing line is formed. You may make it divide | segment by DC. Further, a second passivation film may be formed on the entire surface of the semiconductor device after dicing.

なお、この分離層６としては酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との２層膜で構成したが、電気的絶縁性や、パッシベーション機能や、寄生容量低減の性能をあわせ持つことができるように、適宜変更可能であり、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜の他、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム膜、あるいはこれらの組み合せによる複合膜を用いてもよい。
また、反射層が金層で構成されたり、分離層が酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との２層構造膜で構成されたり、パッシベーション性の高い材料で構成されている場合には、半導体集積回路基板表面を覆う第１のパッシベーション膜２としてはポリイミド膜などの樹脂膜を用いてもよい。 The separation layer 6 is composed of a two-layer film of a silicon oxide film and a silicon nitride film. However, the separation layer 6 is appropriately selected so as to have electrical insulation, a passivation function, and a performance for reducing parasitic capacitance. In addition to the silicon oxide film and the silicon nitride film, a silicon oxynitride film, an aluminum oxide film, or a composite film made of a combination thereof may be used.
Further, when the reflective layer is composed of a gold layer, the separation layer is composed of a two-layer structure film of a silicon oxide film and a silicon nitride film, or is composed of a highly passivating material, a semiconductor integrated circuit As the first passivation film 2 that covers the substrate surface, a resin film such as a polyimide film may be used.

（実施の形態２）
なお前記実施の形態１ではＩＣタグについて説明したが、図５に示すようなＩＣカードにも適用可能である。
この場合には、半導体集積回路基板が樹脂製基板１１上に搭載され、アンテナコイル３がこの樹脂製基板表面全体に形成される点が、前記実施の形態１と異なるのみであり、図３に示した断面とほぼ同様の断面構造をもち、半導体集積回路基板１が樹脂製基板１１上に形成された凹部に搭載されており、この第１のパッシベーション膜２の形成された半導体集積回路基板１上に図３に示したのと同様、反射層５、分離層６が半導体集積回路基板１を覆うように形成され、さらにこの上層に樹脂製基板表面に伸長するアンテナコイル３が形成されて、ＩＣカード２００を構成するものとする。図５では省略したが、ＩＣカード２００はラミネートフィルムで表面全体が被覆されている。
この構成によれば、前記実施の形態１のＩＣタグに比べて半導体集積回路に対するアンテナの占有面積が大きく、またその分反射層も大きくとることができ、よりアンテナ利得の向上をはかることができる。 (Embodiment 2)
Although the IC tag has been described in the first embodiment, the present invention can also be applied to an IC card as shown in FIG.
In this case, the semiconductor integrated circuit board is mounted on the resin substrate 11 and the antenna coil 3 is formed on the entire surface of the resin substrate except for the first embodiment. The semiconductor integrated circuit substrate 1 has a cross-sectional structure substantially similar to the cross section shown, and is mounted in a recess formed on a resin substrate 11, and the semiconductor integrated circuit substrate 1 on which the first passivation film 2 is formed. As shown in FIG. 3 above, the reflective layer 5 and the separation layer 6 are formed so as to cover the semiconductor integrated circuit substrate 1, and the antenna coil 3 extending on the resin substrate surface is further formed on the upper layer, It is assumed that the IC card 200 is configured. Although omitted in FIG. 5, the entire surface of the IC card 200 is covered with a laminate film.
According to this configuration, the area occupied by the antenna with respect to the semiconductor integrated circuit is larger than that of the IC tag of the first embodiment, and the reflective layer can be made larger by that, so that the antenna gain can be further improved. .

本実施の形態２のＩＣカードによれば、反射層の存在により、半導体集積回路の保護と、電波の反射機能と、配線材料としての機能とを良好に備え、リーダライタからの電力の受給とリーダライタとの間での信号の送受信とを良好に行なうことのできるＩＣカードの形成が可能となる。   According to the IC card of the second embodiment, due to the presence of the reflective layer, the semiconductor integrated circuit protection, the radio wave reflection function, and the function as a wiring material are satisfactorily provided, and power is received from the reader / writer. An IC card capable of satisfactorily transmitting / receiving signals to / from the reader / writer can be formed.

製造に際しては、半導体集積回路基板を搭載すべき凹部を有する樹脂製基板１１を用意し、この樹脂製基板上に半導体集積回路基板１を搭載し、後は前記実施の形態１と同様に反射層の形成、分離層の形成、アンテナコイルの形成を行なうが、これら反射層５、分離層６、アンテナコイル３は樹脂製基板表面全体まで伸長させるようにする。   At the time of manufacture, a resin substrate 11 having a concave portion on which a semiconductor integrated circuit substrate is to be mounted is prepared, and the semiconductor integrated circuit substrate 1 is mounted on the resin substrate, and thereafter, the reflective layer is the same as in the first embodiment. The separation layer is formed, and the antenna coil is formed. The reflection layer 5, the separation layer 6, and the antenna coil 3 are extended to the entire resin substrate surface.

以上説明してきたように、本発明の半導体装置は、ＩＣタグやＩＣカードなど、電波を用いて給電や通信を行う半導体装置すべてに有用である。   As described above, the semiconductor device of the present invention is useful for all semiconductor devices that perform power feeding and communication using radio waves, such as IC tags and IC cards.

本発明の実施の形態１の半導体装置を示す斜視図The perspective view which shows the semiconductor device of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１の半導体装置を示す断面図Sectional drawing which shows the semiconductor device of Embodiment 1 of this invention 本発明の実施の形態１の半導体装置を示す断面図Sectional drawing which shows the semiconductor device of Embodiment 1 of this invention 本発明の実施の形態１の半導体装置の製造工程を示す説明図Explanatory drawing which shows the manufacturing process of the semiconductor device of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態２の半導体装置を示す斜視図The perspective view which shows the semiconductor device of Embodiment 2 of this invention. 従来例の半導体装置を示す斜視図The perspective view which shows the semiconductor device of a prior art example 従来例の半導体装置を示す斜視図The perspective view which shows the semiconductor device of a prior art example 従来例の半導体装置を示す断面図Sectional view showing a conventional semiconductor device

符号の説明Explanation of symbols

１ ＩＣチップ
２ 第１のパッシベーション膜
３ アンテナコイル
４ 第２のパッシベーション膜
５ 反射層
６ 分離層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 IC chip 2 1st passivation film 3 Antenna coil 4 2nd passivation film 5 Reflective layer 6 Separation layer

Claims (8)

半導体集積回路の形成された半導体集積回路基板と、前記半導体集積回路基板上に形成されたアンテナコイルとを備えた半導体装置において、
前記半導体集積回路基板と前記アンテナコイルとの間に、電波を反射する反射層と、前記アンテナコイルと前記反射層とを電気的に絶縁分離する分離層とを含むことを特徴とする半導体装置。 In a semiconductor device comprising a semiconductor integrated circuit substrate on which a semiconductor integrated circuit is formed, and an antenna coil formed on the semiconductor integrated circuit substrate,
A semiconductor device comprising: a reflective layer for reflecting radio waves; and a separation layer for electrically insulating and separating the antenna coil and the reflective layer between the semiconductor integrated circuit substrate and the antenna coil. 請求項１に記載の半導体装置であって、
前記反射層は、リーダライタからの電力の受給と、前記リーダライタと前記半導体集積回路との間の信号の送受信を行う電波の反射とを実現するように構成された金属膜であることを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1,
The reflection layer is a metal film configured to realize reception of electric power from a reader / writer and reflection of radio waves for transmitting and receiving signals between the reader / writer and the semiconductor integrated circuit. A semiconductor device. 請求項１に記載の半導体装置であって、
前記反射層は、前記半導体集積回路を保護する保護機能を含むことを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the reflective layer includes a protection function for protecting the semiconductor integrated circuit. 請求項１に記載の半導体装置であって、
前記反射層が、熱破壊から前記半導体集積回路を保護する保護機能を有することを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1,
The semiconductor device, wherein the reflective layer has a protection function for protecting the semiconductor integrated circuit from thermal destruction. 請求項１に記載の半導体装置であって、
前記反射層は、単層膜であることを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1,
The semiconductor device, wherein the reflective layer is a single layer film. 請求項１に記載の半導体装置であって、
前記反射層は、複合膜であることを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1,
The semiconductor device, wherein the reflective layer is a composite film. 請求項１に記載の半導体装置であって、
前記分離層は、単層膜であることを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1,
The semiconductor device, wherein the separation layer is a single layer film. 請求項１に記載の半導体装置であって、
前記分離層は、複合膜であることを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1,
The semiconductor device, wherein the separation layer is a composite film.
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