JP2006022375A - Substrate treatment apparatus - Google Patents

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Masayuki Tsujimura
正之 辻村
Koichi Fukuda
航一 福田
Masaharu Okudera
正晴 奥寺
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a slim substrate treatment apparatus which easily performs the maintenance work by ensuring a sufficient space during the maintenance, and is installed in a small space. <P>SOLUTION: A first cabinet 10 with a roughing pump 15, a first treatment chamber 12A, a second treatment chamber 12B, etc. mounted thereon, and a second cabinet 20 with a power source unit, a control unit, etc. mounted thereon are connected to each other via a power supply cable and a signal cable. A substrate treatment apparatus 1 can be slimmed by storing the first cabinet 10 in a vacant space S of the second cabinet 20. Further, when the first cabinet 10 and the second cabinet 20 are separated from each other, a sufficient space can be ensured, and the maintenance work of various instruments mounted on the first cabinet 10 can be facilitated. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、例えば半導体製造工程において基板に薄膜形成などを行う基板処理装置に係わり、特にメンテナンス性に優れた基板処理装置に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for forming a thin film on a substrate in a semiconductor manufacturing process, for example, and more particularly to a substrate processing apparatus having excellent maintainability.

従来の基板処理装置の一種である真空蒸着装置では、真空に排気したチャンバー(真空処理室)の中に、金属等の材料を蒸発させるための装置と金属層を付着させる基板を設置し、容器に入れた材料を高温融解して蒸発させることにより、前記基板の表面に薄膜が形成される。   In a vacuum deposition apparatus, which is a type of conventional substrate processing apparatus, an apparatus for evaporating a material such as metal and a substrate on which a metal layer is attached are installed in a chamber (vacuum processing chamber) that is evacuated to a vacuum. A thin film is formed on the surface of the substrate by melting and evaporating the material placed in the substrate at a high temperature.

またCVD(Chemichal Vapor Deposition)装置では、真空処理室内の一方の壁面とこれに対峙する他方の壁面に一対の電極が設けられ、一方の電極に基板を設置した状態で、前記一対の電極間にプラズマを発生させてCVD処理を行うことにより、前記基板の表面に薄膜が形成される。   In a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus, a pair of electrodes are provided on one wall surface in the vacuum processing chamber and the other wall surface facing this, and a substrate is placed on one electrode, and the pair of electrodes is placed between the pair of electrodes. A thin film is formed on the surface of the substrate by generating plasma and performing a CVD process.

前記のような真空蒸着処理では高真空中で材料を加熱蒸発させることにより、またCVD処理では気相のガス分子を分解させることにより、前記基板上に薄い金属層を堆積させて薄膜を形成するものであるが、前記薄膜は基板上だけではなく前記一対の電極や処理室内の壁面にも成膜される。このように電極や壁面に堆積した成膜は、やがて剥離し、処理中の基板上に付着して前記基板を汚染させるという問題を起こす。このため、上記のような基板処理装置では、清掃を兼ねたメンテナンスを定期的に行う必要がある。   In the vacuum deposition process as described above, a thin film is formed by depositing a thin metal layer on the substrate by thermally evaporating the material in a high vacuum and in the CVD process by decomposing gas molecules in the gas phase. However, the thin film is formed not only on the substrate but also on the pair of electrodes and the wall surface in the processing chamber. As described above, the film deposited on the electrode and the wall surface peels off and adheres to the substrate being processed, thereby causing the problem of contaminating the substrate. For this reason, in the substrate processing apparatus as described above, it is necessary to periodically perform maintenance that also serves as cleaning.

このような従来の基板処理装置としては、例えば下記特許文献1に示すような先行技術文献が存在する。特許文献1には、複数台の半導体製造装置(基板処理装置)に対し1個のコンソール部を共用することにより、システムの小型化等を図った技術が記載されている。
特開2001−338854
As such a conventional substrate processing apparatus, for example, there is a prior art document as shown in Patent Document 1 below. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-228561 describes a technique for reducing the size of a system by sharing a single console unit for a plurality of semiconductor manufacturing apparatuses (substrate processing apparatuses).
JP 2001-338854 A

しかし、コンソール部と基板処理装置とを分離しただけでは、メンテナンス作業を容易に行うことができるとは限らない。   However, it is not always possible to easily perform maintenance work by separating the console unit and the substrate processing apparatus.

すなわち、メンテナンス作業においては、処理室の開閉作業や真空ポンプの取り外し作業を行う必要がある。このため、メンテナンス作業を容易とするには、これらの作業を行うのに必要な十分なスペース(メンテナンススペース)を確保する必要がある。そして、このような構成例としては、例えば処理室や真空ポンプなど製造に直接関わる部材を搭載するとともにこれらの上部にメンテナンススペースを設けた開放型の基板処理装置とし、且つ制御部や電源部などの付属部材をコンソール部側に設けた構成が一般的である。   That is, in the maintenance work, it is necessary to open / close the processing chamber and remove the vacuum pump. For this reason, in order to facilitate the maintenance work, it is necessary to secure a sufficient space (maintenance space) necessary for performing these work. As such a configuration example, for example, an open substrate processing apparatus in which members directly related to manufacturing such as a processing chamber and a vacuum pump are mounted and a maintenance space is provided above these, and a control unit, a power supply unit, etc. The attachment member is generally provided on the console portion side.

しかしながら、前記基板処理装置内にメンテナンススペースを確保すると、装置の構成が大型化しやすいという問題がある。また上記のように単にコンソール部と基板処理装置とを分離しただけの構成は、装置全体が必要とする面積が広くなるだけであり、基板処理装置をスリム化する上での抜本的な解決法とはいえない。   However, if a maintenance space is secured in the substrate processing apparatus, there is a problem that the size of the apparatus tends to increase. In addition, the configuration in which the console unit and the substrate processing apparatus are simply separated as described above only increases the area required for the entire apparatus, and is a radical solution for slimming the substrate processing apparatus. That's not true.

本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、メンテナンス時には十分なスペースを確保してメンテナンス作業を容易に行えるとともに、小スペース内に設置することを可能とするスリムな基板処理装置を提供することを目的としている。   The present invention is to solve the above-described conventional problems, and a slim substrate processing apparatus that can secure a sufficient space during maintenance to facilitate maintenance work and can be installed in a small space. It is intended to provide.

本発明は、基板に対し真空状態で所定の処理を行う基板処理装置であって、
少なくとも、前記処理を行う処理室を有する処理手段、前記処理室を真空状態に設定する排気手段および前記処理室に前記基板を自動的に運ぶ搬送手段とを備えた第1のキャビネットと、
少なくも、前記複数の手段を制御する制御部、前記複数の手段及び前記制御部に対し所定の電力を供給する電源部とを備えた第2のキャビネットと、が設けられ、
少なくとも一方のキャビネットには移動手段が設けられており、前記移動手段を用いて前記一方のキャビネットを移動させることにより、前記第1のキャビネットと第2のキャビネットとが分離可能とされていることを特徴とするものである。
The present invention is a substrate processing apparatus for performing predetermined processing on a substrate in a vacuum state,
A first cabinet comprising at least a processing means having a processing chamber for performing the processing, an exhaust means for setting the processing chamber in a vacuum state, and a transport means for automatically carrying the substrate to the processing chamber;
A second cabinet including at least a control unit that controls the plurality of means, a power supply unit that supplies predetermined power to the plurality of means and the control unit, and
At least one cabinet is provided with a moving means, and the first cabinet and the second cabinet are separable by moving the one cabinet using the moving means. It is a feature.

例えば、前記処理が前記基板上への薄膜の成膜である。
上記において、一方のキャビネットが、他方のキャビネットの上部に重ねられた状態で組み立て可能とされているものが好ましい。
For example, the treatment is film formation on the substrate.
In the above, it is preferable that one of the cabinets can be assembled in a state of being overlaid on top of the other cabinet.

また、前記第1のキャビネットと第2のキャビネットとの間に配線される信号用ケーブルおよび電源用ケーブルが、着脱可能なコネクタを介して接続されているものが好ましい。   Moreover, it is preferable that the signal cable and the power cable wired between the first cabinet and the second cabinet are connected via a detachable connector.

本発明の基板処理装置では、処理を直接行う側の第1のキャビネットとコンソール側の第2のキャビネットとが合体しているときには、高さ方向に重ねた状態に設定することができるため、装置全体をスリム化することができる。また両者を分離することにより、メンテナンスに必要な十分なスペースを確保することができる。   In the substrate processing apparatus of the present invention, when the first cabinet on the side directly performing processing and the second cabinet on the console side are combined, the apparatus can be set to be stacked in the height direction. The whole can be slimmed down. Also, by separating the two, a sufficient space necessary for maintenance can be secured.

しかも、コネクタを着脱するだけで、容易にキャビネットどうしの合体と分離とを行うことができ、メンテナンス作業を迅速に行うことが可能となる。   In addition, the cabinets can be easily combined and separated by simply attaching and detaching the connectors, and the maintenance work can be quickly performed.

図1および図2は本発明の基板処理装置の実施の形態としてスパッタ装置を示す斜視図であり、図1は第1のキャビネットと第2のキャビネットとを合体させた収納状態、図2は第1のキャビネットと第2のキャビネットとを離した分離状態を示している。   1 and 2 are perspective views showing a sputtering apparatus as an embodiment of a substrate processing apparatus of the present invention. FIG. 1 is a storage state in which a first cabinet and a second cabinet are combined, and FIG. The separated state which separated | separated 1 cabinet and 2nd cabinet is shown.

図1および図2に示すように、基板処理装置1は第1のキャビネット10と第2のキャビネット20とを有している。前記第1,第2のキャビネット10,20は、ともに棒状のパイプやアングルなどをねじ止め又は溶接などの手段により連結されたフレーム構造で形成されている。なお、図1および図2において図示Y1方向が前部、Y2方向が奥部、Z1方向が上部、Z2方向が下部、Y1およびY2方向が両側部を示している。   As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate processing apparatus 1 includes a first cabinet 10 and a second cabinet 20. The first and second cabinets 10 and 20 are both formed of a frame structure in which rod-like pipes and angles are connected by means such as screwing or welding. In FIG. 1 and FIG. 2, the Y1 direction shown is the front, the Y2 direction is the back, the Z1 direction is the top, the Z2 direction is the bottom, and the Y1 and Y2 directions are both sides.

前記第1のキャビネット10は、少なくとも基板に対し成膜処理を行う処理手段と、空気等を除去して前記処理室内を1気圧以下に設定する排気手段と、薄膜を形成する基板(図示せず)の搬送を行う搬送手段とが設けられている。   The first cabinet 10 includes a processing means for performing a film forming process on at least a substrate, an exhaust means for removing air or the like to set the processing chamber to 1 atm or less, and a substrate on which a thin film is formed (not shown). ) Is provided.

前記処理手段は、搬送室11、前記搬送室11に連結された1または2以上の処理室12と、前記搬送室11に連結されたローダー13およびアンローダー14と、前記搬送室11と処理室12との間の遮断およびその開放を行うゲート用電磁弁(図示せず)やその他の電磁弁(図示せず)などから構成されている。   The processing means includes a transfer chamber 11, one or more processing chambers 12 connected to the transfer chamber 11, a loader 13 and an unloader 14 connected to the transfer chamber 11, and the transfer chamber 11 and the processing chamber. 12 is constituted by a gate solenoid valve (not shown), other solenoid valves (not shown), etc., which perform the shut-off and release with respect to 12.

本実施の形態においては、前記第1のキャビネット10の中央部に搬送室11が設けられている。前記搬送室11の図示Y2側の奥部で、且つ一方のX1側の側部に第1の処理室12Aが設けられ、他方のX2側の側部に第2の処理室12B(図示せず)が設けられている。   In the present embodiment, a transfer chamber 11 is provided at the center of the first cabinet 10. A first processing chamber 12A is provided at the back of the transfer chamber 11 on the Y2 side in the drawing and on one X1 side, and a second processing chamber 12B (not shown) on the other X2 side. ) Is provided.

図2に示すように、第1の処理室12Aの図示Z1側の上部には天蓋12aがねじ止め固定されており、この天蓋12aを開封することにより第1の処理室12A内を開放させることができるようになっている。   As shown in FIG. 2, a canopy 12a is screwed and fixed to the upper portion of the first processing chamber 12A on the Z1 side of the drawing, and the inside of the first processing chamber 12A is opened by opening the canopy 12a. Can be done.

前記第1の処理室12Aには、基板を設置するアノード電極部と、ターゲットを設置するためのカソード電極部とが対峙する状態で設けられている(共に図示せず)。前記第1の処理室12A内を真空に引いた状態において所定のプロセスガスを供給し、且つ前記基板側のアノード電極部とターゲット側のカソード電極部との間に所定の電圧を印加すると前記基板上に薄膜を形成することができる。   In the first processing chamber 12A, an anode electrode part for installing a substrate and a cathode electrode part for installing a target are provided facing each other (both not shown). When a predetermined process gas is supplied in a state where the inside of the first processing chamber 12A is evacuated, and a predetermined voltage is applied between the anode electrode portion on the substrate side and the cathode electrode portion on the target side, the substrate A thin film can be formed on top.

前記第1の処理室12Aの下面側には、前記アノード電極部とカソード電極部に所定の電圧を供給するための電源用コネクタ(図示せず)が設けられている。図示しない前記電源用コネクタには電源ケーブル31が接続されており、この電源ケーブル31の他方の端部は後述する電源部に接続されている。   On the lower surface side of the first processing chamber 12A, a power connector (not shown) for supplying a predetermined voltage to the anode electrode portion and the cathode electrode portion is provided. A power cable 31 is connected to the power connector (not shown), and the other end of the power cable 31 is connected to a power supply section described later.

なお、図1および図2では、一方の第1の処理室12Aのみが図示され、第2の処理室12Bは図示されていないが、前記第2の処理室12Bは前記第1の処理室12Aと同じ構造であり、前記第2の処理室12Bと後述する電源部との間には電源ケーブル32が設けられている。   1 and 2, only one of the first processing chambers 12A is shown, and the second processing chamber 12B is not shown, but the second processing chamber 12B is the first processing chamber 12A. A power cable 32 is provided between the second processing chamber 12B and a power supply unit described later.

図示しないゲート用電磁弁は、前記搬送室11と第1の処理室12Aとの間および搬送室11と第2の処理室12Bとの間に設けられている。後述する制御部により前記ゲート用電磁弁が開放状態に駆動されると、前記搬送室11と第1の処理室12Aとの間および搬送室11と第2の処理室12Bとの間が連通され、ゲート用電磁弁が開放状態に駆動されると搬送室11、第1の処理室12Aおよび第2の処理室12Bがそれぞれ遮断させられるようになっている。   A gate solenoid valve (not shown) is provided between the transfer chamber 11 and the first processing chamber 12A and between the transfer chamber 11 and the second processing chamber 12B. When the gate solenoid valve is driven to open by a control unit described below, the transfer chamber 11 and the first processing chamber 12A and the transfer chamber 11 and the second processing chamber 12B communicate with each other. When the gate solenoid valve is driven to open, the transfer chamber 11, the first processing chamber 12A, and the second processing chamber 12B are shut off.

また前記ローダー13は処理前の基板を収納しておくための領域であり、アンローダー14は処理後の基板を収納しておくための領域である。両者は前記搬送室11に連結されており、共に複数の基板を保管できるようになっている。   The loader 13 is an area for storing a substrate before processing, and the unloader 14 is an area for storing a substrate after processing. Both of them are connected to the transfer chamber 11 so that a plurality of substrates can be stored together.

排気手段は、ロータリーポンプなどの粗引きポンプ15とクライオポンプなどからなる高真空ポンプ16とで構成されている。前記粗引きポンプ15は前記第1のキャビネット10の下部側の位置に設けられており、前記搬送室11の下面に連結されている。また高真空ポンプ16は、前記第1のキャビネット10の上部側の位置に設けられており、前記搬送室11の上面に連結されている。   The exhaust means includes a roughing pump 15 such as a rotary pump and a high vacuum pump 16 including a cryopump. The roughing pump 15 is provided at a lower position of the first cabinet 10 and is connected to the lower surface of the transfer chamber 11. The high vacuum pump 16 is provided at a position on the upper side of the first cabinet 10 and is connected to the upper surface of the transfer chamber 11.

前記粗引きポンプ15は、前記搬送室11の気圧および前記搬送室11に連通する第1の処理室12A、第2の処理室12B、ローダー13およびアンローダー14内の各気圧を1気圧の状態から下げる粗引き用として使用される。   The roughing pump 15 is configured so that the atmospheric pressure in the transfer chamber 11 and the atmospheric pressure in the first processing chamber 12A, the second processing chamber 12B, the loader 13 and the unloader 14 communicating with the transfer chamber 11 are 1 atm. It is used for roughing to lower.

また高真空ポンプ16は前記各室からある程度の空気が抜けた後、さらに高真空状態に設定するために使用される。この実施の形態では、前記2段階の排気手段を用いることにより、前記搬送室11、第1の処理室12A、第2の処理室12B、ローダー13およびアンローダー14内を例えば10−5[Pa]台の気圧に設定できるようになっている。 The high vacuum pump 16 is used to set a higher vacuum state after a certain amount of air has escaped from each chamber. In this embodiment, by using the two-stage exhaust means, the inside of the transfer chamber 11, the first processing chamber 12A, the second processing chamber 12B, the loader 13 and the unloader 14 is, for example, 10 −5 [Pa ] It can be set to the pressure of the stand.

なお、図2に示すように、高真空ポンプ16の上部には上蓋16aがねじ止め固定されており、前記上蓋16aを取り外すことにより高真空ポンプ16内のメンテナンスができるようになっている。   As shown in FIG. 2, an upper lid 16a is screwed and fixed to the upper portion of the high vacuum pump 16, and the inside of the high vacuum pump 16 can be maintained by removing the upper lid 16a.

前記搬送手段は前記搬送室11の内部に設けられており、例えば図示しないロボットアームと、このロボットアームを駆動させる駆動装置などを有している。前記ロボットアームの先端には基板を保持する把持部が設けられており、前記把持部は前記第1の処理室12A、第2の処理室12B、ローダー13およびアンローダー14間を自在に移動できるようになっている。前記搬送手段は複数の動作モードを有しており、例えば第1の動作モードでは前記図示しないロボットアームが前記ローダー13内に移動し、前記把持部がローダー13内にストックされている基板を保持して前記第1の処理室12Aに移動し、前記基板を前記第1の処理室12A内の所定の位置(アノード電極部)に自動的に設置する。また第2の動作モードでは前記基板を前記第1の処理室12Aから前記第2の処理室12Bに移動させる。さらには第3の動作モードでは前記基板を前記第2の処理質12Bから前記アンローダー14内の所定の位置まで搬送するというような動作を行うことが可能とされている。   The transfer means is provided inside the transfer chamber 11 and includes, for example, a robot arm (not shown) and a driving device for driving the robot arm. A grip part for holding a substrate is provided at the tip of the robot arm, and the grip part can freely move between the first processing chamber 12A, the second processing chamber 12B, the loader 13, and the unloader 14. It is like that. The transfer means has a plurality of operation modes. For example, in the first operation mode, the robot arm (not shown) moves into the loader 13 and the gripping unit holds the substrate stocked in the loader 13. Then, the substrate moves to the first processing chamber 12A, and the substrate is automatically placed at a predetermined position (anode electrode portion) in the first processing chamber 12A. In the second operation mode, the substrate is moved from the first processing chamber 12A to the second processing chamber 12B. Furthermore, in the third operation mode, it is possible to perform an operation of transporting the substrate from the second processing quality 12B to a predetermined position in the unloader 14.

前記第1の処理室12Aおよび前記第2の処理室12Bのそれぞれには、外部に設けられたタンク(図示せず)からプロセスガスを供給するための供給用パイプ(図示せず)が配管されている。前記第1のキャビネット10にはガスパネル17が設けられており、前記配管内を流れるガスの濃度や流量などを計測するゲージなどが設けられている。   Each of the first processing chamber 12A and the second processing chamber 12B is provided with a supply pipe (not shown) for supplying process gas from a tank (not shown) provided outside. ing. The first cabinet 10 is provided with a gas panel 17 and a gauge for measuring the concentration and flow rate of the gas flowing in the pipe.

一方、前記第2のキャビネット20は、前記第1のキャビネット10よりも長い4本の脚部20a,20a,20a,20aを有している。前記第2のキャビネット20では、図示Z1側の上部側に各種の機器が集約されたコンソール21が設けられており、前記コンソール21の下方で且つ前記4本の脚部20a,20a,20a,20aで囲まれる領域は開放された空きスペースSとなっている。そして、図1に示すように、前記空きスペースS内に前記第1のキャビネット10を収納できるようになっている。   On the other hand, the second cabinet 20 has four legs 20 a, 20 a, 20 a, and 20 a that are longer than the first cabinet 10. In the second cabinet 20, a console 21 in which various devices are gathered is provided on the upper side on the Z1 side in the figure, and below the console 21 and the four legs 20a, 20a, 20a, 20a. The area surrounded by is an open empty space S. As shown in FIG. 1, the first cabinet 10 can be stored in the empty space S.

前記コンソール21の図示Y1側の前面には操作パネル22が設けられている。前記コンソール21には、各種の操作スイッチや液晶表示装置などからなる表示部が設けられている。前記コンソール21の内部には各種の電源部と制御部とが設けられている。前記電源部は、前記粗引きポンプ15や高真空ポンプ16の駆動用電源、前記ゲート用電磁弁の駆動制御用の電源、濃度計や真空ゲージ用の電源、前記搬送手段を構成するロボットアームの駆動装置用の電源、さらには第1,第2の処理室12A,12Bに設けられた基板とターゲットとの間に所定の電圧を印加するための処理用の電源などが設けられている。前記ポンプや各種装置と各種電源とは電源ケーブルを介してそれぞれ連結されている。図2では、前記処理用の電源と第1,第2の処理室12A,12Bとの間が電源ケーブル31,32で接続されている。   An operation panel 22 is provided on the front side of the console 21 on the Y1 side in the figure. The console 21 is provided with a display unit including various operation switches and a liquid crystal display device. Various power supply units and control units are provided inside the console 21. The power source includes a power source for driving the roughing pump 15 and the high vacuum pump 16, a power source for driving control of the solenoid valve for gate, a power source for a concentration meter and a vacuum gauge, and a robot arm that constitutes the conveying means. A power source for the driving device and a processing power source for applying a predetermined voltage between the substrate and the target provided in the first and second processing chambers 12A and 12B are provided. The pump and various devices are connected to various power sources via power cables. In FIG. 2, the power supply for processing and the first and second processing chambers 12 </ b> A and 12 </ b> B are connected by power cables 31 and 32.

また制御部には、例えば前記ロボットアームを駆動するための搬送制御装置、前記濃度計や真空ゲージが計測したデータを表示するための表示部、前記データを解析し、前記濃度や真空度が所定の範囲を超えた場合には基板処理装置1全体の運転を停止させる等の制御を行う運転制御装置などが設けられている。前記濃度計や真空ゲージと各種装置とは図示しない信号ケーブルで接続されている。   In addition, the control unit includes, for example, a conveyance control device for driving the robot arm, a display unit for displaying data measured by the densitometer and the vacuum gauge, and the data is analyzed so that the concentration and the degree of vacuum are predetermined. An operation control device that performs control such as stopping the operation of the entire substrate processing apparatus 1 is provided. The densitometer or vacuum gauge and various devices are connected by a signal cable (not shown).

図1および図2に示すように、前記第1のキャビネット10の下部側の4隅には移動手段として機能する車輪10a,10a,10a,10aが設けられており、前記第1のキャビネット10は前記4つの車輪10a,10a,10a,10aによってY方向およびX方向に自在に移動できるようになっている。   As shown in FIGS. 1 and 2, wheels 10a, 10a, 10a, 10a functioning as moving means are provided at four corners on the lower side of the first cabinet 10, and the first cabinet 10 The four wheels 10a, 10a, 10a, 10a can be freely moved in the Y direction and the X direction.

同様に前記第2のキャビネット20を構成する前記4本の脚部20a,20a,20a,20aの下端にも移動手段として機能する車輪20b,20b,20b,20bが設けられており、前記第2のキャビネット20もY方向およびX方向に自在に移動できるようになっている。   Similarly, wheels 20b, 20b, 20b, 20b functioning as moving means are also provided at lower ends of the four legs 20a, 20a, 20a, 20a constituting the second cabinet 20, and the second The cabinet 20 can also be freely moved in the Y direction and the X direction.

そして、第1のキャビネット10と第2のキャビネット20の一方、または双方を互いに接近する方向に移動させ、前記第1のキャビネット10を前記第2のキャビネット20を構成する前記4本の脚部20a,20a,20a,20a内の前記空きスペースS内に納めると、第1のキャビネット10と第2のキャビネット20とが合体する収納状態(図1参照)に設定することができる。図1に示す収納状態では、第2のキャビネット20のコンソール21が、高さ方向において前記第1のキャビネット10の上部に重ねられた状態で組み立てられるため、基板処理装置1全体をスリム化(細身化)することができる。このため、基板処理装置1を設置するために必要な面積を少なくすることができる。   Then, one or both of the first cabinet 10 and the second cabinet 20 are moved in a direction in which the first cabinet 10 and the second cabinet 20 approach each other, and the four legs 20a constituting the second cabinet 20 are moved. , 20a, 20a, 20a can be set in a storage state (see FIG. 1) in which the first cabinet 10 and the second cabinet 20 are combined. In the housed state shown in FIG. 1, the console 21 of the second cabinet 20 is assembled in a state where it is stacked on the upper portion of the first cabinet 10 in the height direction. ). For this reason, an area required for installing the substrate processing apparatus 1 can be reduced.

一方、前記第1のキャビネット10と第2のキャビネット20の一方、または双方を互いに離間する方向に移動させると、図2に示すように第1のキャビネット10と第2のキャビネット20とが離れた分離状態に設定することができる。   On the other hand, when one or both of the first cabinet 10 and the second cabinet 20 are moved away from each other, the first cabinet 10 and the second cabinet 20 are separated as shown in FIG. The separation state can be set.

前記第1のキャビネット10と第2のキャビネット20との間は、コネクタを有する前記電源ケーブルや信号ケーブルを介して接続されている。よって、前記コネクタ接続を外すことにより、各種ケーブルに制約されることなく前記第1のキャビネット10と第2のキャビネット20を自由に移動させることが可能となる。   The first cabinet 10 and the second cabinet 20 are connected via the power cable and signal cable having connectors. Therefore, by removing the connector connection, the first cabinet 10 and the second cabinet 20 can be freely moved without being restricted by various cables.

前記分離状態では、第1のキャビネット10を前記第2のキャビネット20のコンソール部21の下部から引き出すことにより、第1のキャビネット10に搭載されている前記粗引きポンプ15、第1の処理室12A、第2の処理室12B、ローダー13およびアンローダー14などを露出させることができる。このため、メンテナンス作業に必要なスペースを十分に確保することが可能となるため、例えば前記高真空ポンプ16の上蓋16aや第1の処理室12Aおよび第2の処理室12Bの天蓋12aを取り外してその内部を清掃する作業、前記ローダー13に処理前の基板を補充する作業や前記アンローダー14内から処理後の基板を取り出す作業、前記第1の処理室12Aおよび第2の処理室12B内のカソード電極の位置の調整作業またはターゲットの交換作業など各種のメンテナンス作業を容易に行うことができる。   In the separated state, by pulling out the first cabinet 10 from the lower part of the console portion 21 of the second cabinet 20, the roughing pump 15 mounted in the first cabinet 10 and the first processing chamber 12A. The second processing chamber 12B, the loader 13 and the unloader 14 can be exposed. For this reason, it becomes possible to secure a sufficient space for maintenance work. For example, the upper lid 16a of the high vacuum pump 16 and the canopies 12a of the first processing chamber 12A and the second processing chamber 12B are removed. An operation of cleaning the inside, an operation of replenishing the loader 13 with a substrate before processing, an operation of taking out a substrate after processing from the unloader 14, and the inside of the first processing chamber 12A and the second processing chamber 12B Various maintenance operations such as a cathode electrode position adjustment operation or a target replacement operation can be easily performed.

なお、図2に示すように前記電源ケーブルや信号ケーブルの長さ寸法を長めに設定しておくと、前記基板処理装置1を前記各ケーブルが接続されたままの状態で収納状態から分離状態に移行させることができる。したがって、各種ケーブルの着脱作業を不要とすることが可能となるため、メンテナンス作業を容易且つ迅速に行うことができるようになる。   As shown in FIG. 2, if the lengths of the power cable and the signal cable are set longer, the substrate processing apparatus 1 is changed from the housed state to the separated state while the cables are still connected. Can be migrated. Accordingly, it is possible to eliminate the need for attaching and detaching various cables, so that maintenance work can be performed easily and quickly.

また上記基板処理装置1では、メンテナンスが必要な機器類を下部側となる第1のキャビネットに搭載した構成としたことから、メンテナンス作業をし易くできる。さらに操作スイッチや表示部などを有するコンソール21を上部側となる第2のキャビネット20側に設けた構成としたことから、前記表示部に表示されるデータなどを視認しやすくなり、また操作スイッチに対する操作性を向上させることができる。   Further, the substrate processing apparatus 1 has a configuration in which devices requiring maintenance are mounted in the first cabinet on the lower side, so that maintenance work can be facilitated. Furthermore, since the console 21 having an operation switch, a display unit, and the like is provided on the second cabinet 20 side, which is the upper side, data displayed on the display unit can be easily seen, and the operation switch Operability can be improved.

上記実施の形態では、前記第1のキャビネット10と第2のキャビネット20の双方に車輪10a、20bを設けた構成を示したが本発明は、これに限られるものではなく、前記第1のキャビネット10と第2のキャビネット20の一方にのみ車輪を設けた構成であってもよい。すなわち、前記車輪は少なくとも前記第1のキャビネット10と第2のキャビネット20のいずれか一方に設けた構成とすればよく、車輪を有する側のキャビネットを移動させることにより、前記収納状態と分離状態のいずれにも自在に設定することが可能である。   In the said embodiment, although the structure which provided wheel 10a, 20b in both the said 1st cabinet 10 and the 2nd cabinet 20 was shown, this invention is not limited to this, The said 1st cabinet The structure which provided the wheel only in one of 10 and the 2nd cabinet 20 may be sufficient. That is, the wheel may be configured to be provided in at least one of the first cabinet 10 and the second cabinet 20, and by moving the cabinet on the side having the wheel, the storage state and the separation state are set. Any of these can be set freely.

また上記実施の形態では基板処理装置1の一例としてスパッタ装置を用いて説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、その他例えばCVD装置、プラズマMOCDV装置、真空蒸着装置、有機EL成膜装置などであってもよい。   In the above embodiment, the sputtering apparatus is used as an example of the substrate processing apparatus 1. However, the present invention is not limited to this, and other examples include a CVD apparatus, a plasma MOCDV apparatus, a vacuum evaporation apparatus, and an organic EL film formation. It may be a device or the like.

本発明の基板処理装置の実施の形態としてスパッタ装置を示す斜視図であり、第1のキャビネットと第2のキャビネットとを合体させた収納状態、It is a perspective view which shows a sputtering device as embodiment of the substrate processing apparatus of this invention, The accommodation state which united the 1st cabinet and the 2nd cabinet, 本発明の基板処理装置の実施の形態としてスパッタ装置を示す斜視図であり、第1のキャビネットと第2のキャビネットとを離した分離状態、It is a perspective view which shows a sputtering device as embodiment of the substrate processing apparatus of this invention, and the separated state which separated | separated the 1st cabinet and the 2nd cabinet,

符号の説明Explanation of symbols

1 基板処理装置
10 第1のキャビネット
10a 車輪(移動手段)
11 搬送室
12A 第1の処理室
12B 第2の処理室
13 ローダー
14 アンローダー
15 粗引きポンプ
16 高真空ポンプ
17 ガスパネル
20 第2のキャビネット
20a 脚部
20b 車輪(移動手段)
21 コンソール
31,32 電源ケーブル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 10 1st cabinet 10a Wheel (moving means)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Transfer chamber 12A 1st process chamber 12B 2nd process chamber 13 Loader 14 Unloader 15 Roughing pump 16 High vacuum pump 17 Gas panel 20 2nd cabinet 20a Leg 20b Wheel (moving means)
21 Console 31, 32 Power cable

Claims (4)

基板に対し真空状態で所定の処理を行う基板処理装置であって、
少なくとも、前記処理を行う処理室を有する処理手段、前記処理室を真空状態に設定する排気手段および前記処理室に前記基板を自動的に運ぶ搬送手段とを備えた第1のキャビネットと、
少なくも、前記複数の手段を制御する制御部、前記複数の手段及び前記制御部に対し所定の電力を供給する電源部とを備えた第2のキャビネットと、が設けられ、
少なくとも一方のキャビネットには移動手段が設けられており、前記移動手段を用いて前記一方のキャビネットを移動させることにより、前記第1のキャビネットと第2のキャビネットとが分離可能とされていることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus for performing predetermined processing on a substrate in a vacuum state,
A first cabinet comprising at least a processing means having a processing chamber for performing the processing, an exhaust means for setting the processing chamber in a vacuum state, and a transport means for automatically carrying the substrate to the processing chamber;
A second cabinet including at least a control unit that controls the plurality of means, a power supply unit that supplies predetermined power to the plurality of means and the control unit, and
At least one cabinet is provided with a moving means, and the first cabinet and the second cabinet are separable by moving the one cabinet using the moving means. A substrate processing apparatus.
前記処理が前記基板上への薄膜の成膜である請求項1記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing is film formation on the substrate. 一方のキャビネットが、他方のキャビネットの上部に重ねられた状態で組み立て可能とされている請求項1記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein one of the cabinets can be assembled in a state of being overlaid on top of the other cabinet. 前記第1のキャビネットと第2のキャビネットとの間に配線される信号用ケーブルおよび電源用ケーブルが、着脱可能なコネクタを介して接続されている請求項2または3記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein a signal cable and a power cable wired between the first cabinet and the second cabinet are connected via a detachable connector.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009543354A (en) * 2006-06-30 2009-12-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Modular CVD epitaxial 300mm reactor
WO2023091192A1 (en) * 2021-11-18 2023-05-25 Applied Materials, Inc. Pre-clean chamber assembly architecture for improved serviceability

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