JP2006013202A - Optical module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光信号を送信する光モジュールに関する。 The present invention relates to an optical module that transmits an optical signal.
従来、光モジュールは、電気信号を光信号に変換する光半導体素子と、光半導体素子を気密封止して保持するパッケージと、パッケージの内部と外部とを電気的に連絡するリードと、電気信号を出力するプリント基板とを有する。プリント基板とリードのパッケージ外部側部との間の電気信号の伝送は、ピン形状に形成されたリードのパッケージ外部側部(リードピン)によって行われ、光半導体素子とリードのパッケージ内部側部との間の電気信号の伝送は、基板上の伝送線路によって行われる。これにより、プリント基板から光半導体素子に電気信号が伝送される。また、光半導体素子の温度を一定に維持する(温度変化を抑制する)電子冷却素子が、必要に応じて、光半導体素子と接して又は近傍に設けられている。このような光モジュールの例として特許文献1のものがある。
しかしながら、上記の光モジュールは、リードピンや基板の高い熱伝導率性により、プリント基板から光半導体素子に大量の熱が流入する。光半導体素子は、熱によって温度が変化すると光信号の出力も変化する。当然ながら、これらは光モジュールの信頼性を損なうことになる。加えて、電子冷却素子が設けられている場合、熱による光半導体素子の温度変化を阻止するために電気冷却素子が大きく駆動し、その結果、電子冷却素子の消費電力が増加する。また、プリント基板と光半導体素子との間の電気信号の伝送においては、特性インピーダンスの異なるリード線や基板を介しているため、特に、高周波信号が伝送される場合、その信号は大きく劣化する。 However, in the above optical module, a large amount of heat flows from the printed board to the optical semiconductor element due to the high thermal conductivity of the lead pins and the board. In the optical semiconductor element, when the temperature changes due to heat, the output of the optical signal also changes. As a matter of course, these deteriorate the reliability of the optical module. In addition, when the electronic cooling element is provided, the electric cooling element is driven largely in order to prevent the temperature change of the optical semiconductor element due to heat, and as a result, the power consumption of the electronic cooling element increases. In addition, in the transmission of electrical signals between the printed circuit board and the optical semiconductor element, since signals are transmitted through lead wires or substrates having different characteristic impedances, the signal is greatly deteriorated particularly when a high-frequency signal is transmitted.
そこで、本発明は、プリント基板から光半導体素子への熱の流入を抑えるとともに、プリント基板と光半導体素子との間で伝送される電気信号の劣化を抑える高周波特性が優れた光モジュールを提供することを課題とする。 Accordingly, the present invention provides an optical module with excellent high-frequency characteristics that suppresses the inflow of heat from a printed circuit board to an optical semiconductor element and suppresses deterioration of an electrical signal transmitted between the printed circuit board and the optical semiconductor element. This is the issue.
上記課題を解決するために本発明の光モジュールは、
内部側端と外部側端とを有する複数のリードを備えたパッケージと、
上記パッケージ内に気密封止された光半導体素子と、
上記リードの外部側端に電気的に接続された第1の伝送線路と、
上記リードの内部側端と上記光半導体素子とを電気的に接続する第2の伝送線路とを含む光モジュールであって、
上記第1の伝送線路が第1のフレキシブル基板に設けられ、
上記第2の伝送線路が第2のフレキシブル基板に設けられ、
上記第1の伝送線路と上記第2の伝送線路とが、略平行に設けられ、伝送される信号が互いに逆相である2本の線路を含むことを特徴とする。
In order to solve the above problems, the optical module of the present invention is
A package comprising a plurality of leads having an inner end and an outer end;
An optical semiconductor element hermetically sealed in the package;
A first transmission line electrically connected to the outer end of the lead;
An optical module including a second transmission line that electrically connects an inner side end of the lead and the optical semiconductor element,
The first transmission line is provided on a first flexible substrate;
The second transmission line is provided on the second flexible substrate;
The first transmission line and the second transmission line are provided substantially in parallel, and include two lines in which signals to be transmitted are in opposite phases.
本発明によれば、プリント基板から光半導体素子への熱の流入を抑えるとともに、プリント基板と光半導体素子との間で伝送される電気信号の劣化を抑えることができる。その結果、高い信頼性を有し、消費電力が小さく、高周波特性に優れた光モジュールを提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, while suppressing the inflow of the heat from a printed circuit board to an optical semiconductor element, deterioration of the electrical signal transmitted between a printed circuit board and an optical semiconductor element can be suppressed. As a result, an optical module having high reliability, low power consumption, and excellent high frequency characteristics can be provided.
本発明は、電気信号を変換して光信号を送信する光モジュールに関するものだが、光信号を送信するのみの光モジュールに限定したものでなく、光信号を送受信する光モジュールの光信号を送信する部分にも実施可能である。本明細書においては、光信号を送信する光モジュールについて説明している。 The present invention relates to an optical module that converts an electrical signal and transmits an optical signal, but is not limited to an optical module that only transmits an optical signal, but transmits an optical signal of an optical module that transmits and receives an optical signal. It can also be implemented in the part. In this specification, an optical module that transmits an optical signal is described.
実施の形態1.
図1は、本発明に係る光モジュールを、その内部構造も含めて示した図である。光モジュール10は、電気信号を光信号に変換する光半導体素子12と、光半導体素子12を気密封止して保持するセラミックパッケージ14と、セラミックパッケージ14の内部と外部とを電気的に連絡するリード16と、光半導体素子12に伝送する電気信号を出力するプリント基板18とを有する。
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a view showing an optical module according to the present invention including its internal structure. The
また、光モジュール10は、プリント基板18とリード16のパッケージ外部側端20(セラミックパッケージ14の外部に露出しているリード16の部分20)とを電気的に接続する複数の第1の伝送線路22がパターン形成されている第1のフレキシブル基板24と、光半導体素子12とリード16のパッケージ内部側端26(セラミックパッケージ14内に露出しているリード16の部分26)とを電気的に接続する複数の第2の伝送線路28がパターン形成されている第2のフレキシブル基板30(30−1、30−2)とを有する。
The
さらに、光モジュール10は、光半導体素子12に接触した状態で又は近傍に配置されて光半導体素子12の温度を一定に維持する電子気冷却素子32と、光半導体素子から出力された光を集光するレンズ34と、光モジュール10に光信号が戻ることを防止する光アイソレータ36とを有する。加えて、第2の伝送線路28の末端(プリント基板18から電気的に最も遠い端)には、終端抵抗38が接続されている。
Further, the
光モジュール10の上記以外の構成要素は、本発明の趣旨から外れるため、図示せず、また、説明を省略する。
Since components other than those described above of the
プリント基板18は、光半導体素子12に伝送される信号(第1の信号)を出力する電極(第1の電極)40と、光半導体素子12に伝送される第1の信号と逆相の信号(第2の信号)を出力する電極(第2の電極)42とを有する。第1の電極40は、線路22−1とボンディングワイヤによって電気的に接続されている。第2の電極42は、線路22−2とボンディングワイヤによって電気的に接続されている。
The printed
また、プリント基板18は、図示されてはいないが、第1と第2の信号以外に別の信号を出力する電極を有する。例えば、電子冷却素子32を駆動させる信号(電源)を出力する電極を有する。
Further, although not shown, the printed
第1のフレキシブル基板24は、ポリエステルやポリイミドなどの高い柔軟性と低い熱伝導性を有するプラスチックフィルム上に複数の第1の伝送線路22がパターン形成されて構成されている。第1のフレキシブル基板24の第1の伝送線路22には、第1の信号が伝送される線路22−1と第2の信号が伝送される線路22−2とが含まれる。線路22−1と線路22−2は、第1のフレキシブル基板24上に略平行に配置されており、線厚や線幅が略同一にされている。線路22−1は、リード16−1のパッケージ外部側端20−1とボンディングワイヤによって電気的に接続されている。線路22−2は、リード16−2のパッケージ外部側端20−2とボンディングワイヤによって電気的に接続されている。
The first
また、第1のフレキシブル基板24が有する線路22―1と線路22−2以外の第1の伝送線路22には、例えば、電子冷却素子32を駆動させる信号が伝送される線路が含まれる。
In addition, the
第2のフレキシブル基板30(30−1、30−2)は、第1のフレキシブル基板24と同一のプラスチックフィルム、または、略同一の誘電率を有するプラスチックフィルム上に第2の伝送線路(線路28−1、線路28−2)28がパターン形成されて構成されている。線路28―1と線路28−2の線厚や線幅は、線路22−1と線路22−2のものと略同一にされており、線路28−1と線路28−2との間の距離も、線路22−1と線路22−2との間の距離と略等しくされている。
The second flexible substrate 30 (30-1, 30-2) is formed on the same plastic film as the first
第2のフレキシブル基板30−1上の線路28−1は、リード16−1のパッケージ内部側端26−1とボンディングワイヤによって電気的に接続されている。第2のフレキシブル基板30−1上の線路28−2は、リード16−2のパッケージ内部側端26−2とボンディングワイヤによって電気的に接続されている。 The line 28-1 on the second flexible substrate 30-1 is electrically connected to the package inner side end 26-1 of the lead 16-1 by a bonding wire. The line 28-2 on the second flexible substrate 30-1 is electrically connected to the package inner side end 26-2 of the lead 16-2 by a bonding wire.
また、第2のフレキシブル基板30−1上の線路28−1のリード16−1のパッケージ内部側端26−1と接続されていない方の端が、光半導体素子12のアノードまたはカソードとボンディングワイヤ44によって電気的に接続されている。加えて、光半導体素子12のボンディングワイヤ44と接続されているアノードまたはカソードと第2のフレキシブル基板30−2の線路28−1とがボンディングワイヤ46によって電気的に接続されることにより、第2のフレキシブル基板30−1と30−2それぞれの線路28−1が電気的に接続される。
The end of the lead 16-1 of the line 28-1 on the second flexible substrate 30-1 that is not connected to the package inner side end 26-1 is the anode or cathode of the
また、第2のフレキシブル基板30−1と30−2それぞれの線路28−2は、ボンディングワイヤ48によって電気的に接続されている。
The lines 28-2 of the second flexible boards 30-1 and 30-2 are electrically connected by
第2のフレキシブル基板30−2上の線路28−1と線路28−2の終端(光半導体素子12から電気的に遠い端)は、ボンディングワイヤによって終端抵抗38と電気的に接続されている。
The end of the line 28-1 and the end of the line 28-2 on the second flexible substrate 30-2 (the end electrically distant from the optical semiconductor element 12) is electrically connected to the
光モジュール10において、プリント基板18の第1の電極40から第1の信号が出力されると、信号は、第1の電極40から第1のフレキシブル基板24上の線路22−1を伝わり、続いて、リード16−1、第2のフレキシブル基板30−1の線路28−1を介して(加えて、これらの間のボンディングワイヤも介して)光半導体素子12に伝送される。信号が入力された光半導体素子12は、光信号50を出力する。この第1の信号は、線厚や線幅、パターン形成されているフレキシブル基板の誘電率が略同一である、言い換えると、特性インピーダンスが略等しい線路22−1と線路28−1とを伝送されるため、劣化が抑えられる。
In the
また、このとき、第1の電気信号が伝送される第1の信号用伝送線路(線路22−1、リード16−1、線路28−1を含む第1の信号が伝送される伝送線路)と平行に配置された第2の電気信号用伝送線路(線路22−2、リード16−2、線路28−2を含む第2の信号が伝送される伝送線路)に、第1の信号と逆相の第2の信号が伝送されている。 Further, at this time, a first signal transmission line (a transmission line through which the first signal including the line 22-1, the lead 16-1, and the line 28-1 is transmitted) through which the first electric signal is transmitted. The second signal transmission line arranged in parallel (transmission line through which the second signal including the line 22-2, the lead 16-2, and the line 28-2 is transmitted) has a phase opposite to that of the first signal. The second signal is transmitted.
第1の信号用伝送線路と第2の信号用伝送線路とが略同一の構成(線厚、線幅、形成されるフレキシブル基板の誘電率)であり、互いに逆相である第1と第2の信号が伝送されるため、両方の伝送線路から生じる磁界が相殺されて熱雑音などのノイズが低減される。その結果、伝送線路を流れる電気信号のノイズによる劣化を抑えることができる。 The first signal transmission line and the second signal transmission line have substantially the same configuration (line thickness, line width, dielectric constant of the flexible substrate to be formed), and the first and second phases are opposite to each other. Therefore, the magnetic field generated from both transmission lines is canceled and noise such as thermal noise is reduced. As a result, it is possible to suppress deterioration due to noise of the electric signal flowing through the transmission line.
また、熱伝導性が低いフレキシブル基板を用いることにより、従来の光モジュールに比べて、プリント基板18から光半導体素子12に伝わる熱が減少する。そのために、電子冷却素子32が大きく駆動することがなくなり、その結果、電子冷却素子32の消費電力が抑えられる。
Further, by using a flexible substrate having low thermal conductivity, heat transferred from the printed
本実施の形態において、第2のフレキシブル基板は、2つの基板30−1と30−2とで構成されているが、これに限定する訳でなく、1つのフレキシブル基板で構成してもよい。また、線路22−1、22−2、28−1、28−2において、線幅、線厚、形成されるフレキシブル基板の誘電率を略同一にすることにより、これらの特性インピーダンスを略等しくしたが、特性インピーダンスが略同一であれば、線幅、線厚、形成されるフレキシブル基板の誘電率は異なってもよい。 In the present embodiment, the second flexible substrate is configured by the two substrates 30-1 and 30-2. However, the second flexible substrate is not limited to this, and may be configured by one flexible substrate. In addition, in the lines 22-1, 22-2, 28-1, and 28-2, the line impedance, the line thickness, and the dielectric constant of the formed flexible substrate are made substantially the same, thereby making these characteristic impedances substantially the same. However, as long as the characteristic impedance is substantially the same, the line width, the line thickness, and the dielectric constant of the formed flexible substrate may be different.
実施の形態2.
本実施の形態の光モジュールは、差動信号を受けて駆動する。本実施の形態の光モジュールは、実施の形態1の光モジュールと略同じだが、プリント基板が差動信号を出力するIC(ドライバ)を有し、第2の信号用伝送線路と光半導体素子とが電気的に接続されていることに関して異なる。実施の形態1と同一の構成要素の符号は、実施の形態1の符号に100を加えて示している。以下、実施の形態1と異なる部分について説明する。
The optical module of the present embodiment is driven by receiving a differential signal. The optical module of the present embodiment is substantially the same as the optical module of the first embodiment, but the printed circuit board has an IC (driver) that outputs a differential signal, and includes a second signal transmission line, an optical semiconductor element, and the like. Differ in that they are electrically connected. The reference numerals of the same constituent elements as those in the first embodiment are shown by adding 100 to the reference numerals in the first embodiment. Hereinafter, a different part from Embodiment 1 is demonstrated.
図2は、実施の形態2の光モジュール110を、その内部構造も含めて示した図である。プリント基板118は、差動信号を出力する2つの電極140と142を有する差動IC152(差動ドライバ)を有する。
FIG. 2 is a diagram showing the
第2のフレキシブル基板130(130−1、130―2)の線路128−2は、線路128−1と接続されていない光半導体素子112のアノードまたはカソードと電気的に接続されている電極154と、ボンディングワイヤ156によって電気的に接続されている。
The line 128-2 of the second flexible substrate 130 (130-1, 130-2) has an
また、二本一組で差動線路をなす線路122−1と線路122−2との間のインピーダンス(差動線路間のインピーダンス)と、線路128−1と線路128−2との差動線路間のインピーダンスは略等しくされている。例えば、差動ドライバ152が2つの電極140と142の出力インピーダンスがZ0である場合、差動線路間のインピーダンスを2Z0とすれば、差動線路のインピーダンスは整合される。
In addition, the impedance between the line 122-1 and the line 122-2 (impedance between the differential lines) that forms a differential line by a set of two, and the differential line between the line 128-1 and the line 128-2 The impedance between them is substantially equal. For example, the output impedance of the
このような構成によれば、プリント基板から光半導体素子までの伝送線路は、高周波特性に優れた線路となる。また、第1のフレキシブル基板124と第2のフレキシブル基板130における差動線路間のインピーダンスを略等しくすることで、伝送線路のインピーダンスの整合が簡単に行える。
According to such a configuration, the transmission line from the printed circuit board to the optical semiconductor element is a line having excellent high frequency characteristics. Further, by making the impedance between the differential lines in the first
以下、フレキシブル基板とセラミックパッケージの接続形態(線路とリードの接続形態)を変えることにより、光半導体素子への熱流入をより抑えることができる又はより優れた伝送線路を形成することができる光モジュールを説明する。ここで説明される接続形態は、第1のフレキシブル基板と第2のフレキシブル基板を区別しておらず、また、リードのパッケージ内部側端と外部側端も区別していない。しかしながら、省略のために、第1のフレキシブル基板とリードのパッケージ外部側端との接続形態について説明する。 Hereinafter, by changing the connection form (line and lead connection form) between the flexible substrate and the ceramic package, it is possible to further suppress the heat inflow to the optical semiconductor element or to form a better transmission line. Will be explained. The connection form described here does not distinguish between the first flexible substrate and the second flexible substrate, and does not distinguish between the package inner side end and the outer side end of the lead. However, for the sake of omission, a connection form between the first flexible substrate and the lead external side end of the lead will be described.
図3は、フレキシブル基板とパッケージの接続部分、言い換えると、フレキシブル基板の複数の伝送線路とパッケージの複数のリードとの接続部分を示している。光モジュール210において、第1のフレキシブル基板224に形成されている複数の伝送線路222は、第1のフレキシブル基板の端256から突出した部分(突出線路)258を有する。突出線路258とリード216のパッケージ外部側部220とが半田によって電気的に接続されている。半田付けを行う際に発生するフラックスは、複数の突出線路258の間から外気に放出される。フラックスが外気に放出されることにより、半田接着される表面間に残されるフラックスの量も低減される又はなくなるため、フラックスが接着面間に残ることによる電気的な接続不良が減少する。その結果、線路222とリード216のパッケージ外側部220との間において良好な電気的接続が行われる。
FIG. 3 shows a connection portion between the flexible substrate and the package, in other words, a connection portion between a plurality of transmission lines of the flexible substrate and a plurality of leads of the package. In the
また、第1のフレキシブル基板224とパッケージ214の間には、ギャップ260が設けられている。そのため、第1のフレキシブル基板224からパッケージ214に熱が伝導されない。その結果、図示されてはいないが、プリント基板から光半導体素子に流入する熱が少なくなる。
In addition, a
図4は、フレキシブル基板とパッケージの別の接続形態を示している。図示するように接続される光モジュール310において、第1のフレキシブル基板324とパッケージ314の接続は、第1のフレキシブル基板324の複数の伝送線路322が形成されている面と反対の面362とパッケージ314のリード316のパッケージ外部側部320が形成されている面364のパッケージ外部側端320が形成されていない部分とが絶縁性接着剤366によって接着されることによって行われている。複数の線路322とリード316のパッケージ外部側部320との電気的接続は、ボンディングワイヤ368によって行われている。第1のフレキシブル基板324とパッケージ314が接着されるために、これらの接続は強固なものとなる。また、ボンディングワイヤ368をその長さを調節して複数の線路322とリード316のパッケージ外部側部320とを電気的に接続することにより、インピーダンス整合が行われる。
FIG. 4 shows another connection form between the flexible substrate and the package. In the
図5は、フレキシブル基板とパッケージの更なる別の接続形態を示している。図示するように接続される光モジュール410において、パッケージ414には、第1のフレキシブル基板424の厚さと略同一長さの段差部470が設けられている。この段差部470に第1のフレキシブル基板424の端部が絶縁性接着剤472によって接着されている。これにより、第1のフレキシブル基板424に形成されている複数の伝送線路422の面とパッケージ414に形成されているリード416のパッケージ外部側部420の面とが略同一平面上に存在することになる。このような接続形態において、ボンディングワイヤ474によって複数の線路422とリード416のパッケージ外部側部420を電気的に接続すると、そのボンディングワイヤ474の長さは技術的に可能である限り短くすることができる。ボンディングワイヤ474は、伝送線路においてインダクタンスとなるため、伝送される信号が高周波信号である場合、インピーダンスが高くなり高周波特性が劣化する。したがって、ボンディングワイヤ474の長さを可能である限り短くすることにより、伝送線路の高周波特性の劣化を阻止する。
FIG. 5 shows still another connection form between the flexible substrate and the package. In the
図6は、第1のフレキシブル基板がマイクロストリップ構造の基板である場合の接続形態を示している。第1のフレキシブル基板524の複数の線路522が形成されている面と反対側の面には、導電層576が形成されている。また、パッケージ514には、第1のフレキシブル基板524の厚さと略同一長さの段差部570が設けられている。この段差部570に第1のフレキシブル基板524の端部が接着される。また、段差部570の導電層576と接触する部分には、光半導体素子(図示せず)の基準電位、例えば、グラウンドが印加されているグラウンドリード(図示せず)が設けられている。このグラウンドリードと導電層576とを電気的に接続するために第1のフレキシブル基板524とパッケージ514とを導電性接着剤578によって接着するとともに、光半導体素子に伝送される第1の信号と第2の信号(実施の形態2においては差動信号)の基準電位、例えば、グラウンドを導電層576に印加する。これにより、第1の信号と第2の電号と光半導体素子とのグラウンドが共通化され、その結果、伝送線路の高周波特性を安定することができる。
FIG. 6 shows a connection configuration in the case where the first flexible substrate is a substrate having a microstrip structure. A
10 光モジュール、 12 光半導体素子、 14 パッケージ、 16 リード、 18 プリント基板、 20 パッケージ外部側部、 22 第1の伝送線路、 24 第1のフレキシブル板、 26 パッケージ内部側部、 28 第2の伝送線路、 30 第2のフレキシブル基板、 32 電子冷却素子、 34 レンズ、 36 光アイソレータ、 38 終端抵抗、 40 第1の電極、 42 第2の電極、 44 ボンディングワイヤ、 46 ボンディングワイヤ、 48 ボンディングワイヤ、 50 光信号、
110 光モジュール、 112 光半導体素子、 114 パッケージ、 116 リード、 118 プリント基板、 120 パッケージ外部側部、 122 第1の伝送線路、 124 第1のフレキシブル基板、 126 パッケージ内部側部、 128 第2の伝送線路、 130 第2のフレキシブル基板、 140 電極、 142 電極、 152 差動ドライバ、 154 電極、 156 ボンディングワイヤ、
210 光モジュール、 214 パッケージ、 216 リード、 220 パッケージ外部側部、 222 伝送線路、 224 フレキシブル基板、 256 端、 258 突出部、 260 ギャップ、
310 光モジュール、 314 パッケージ、 316 リード、 320 パッケージ外部側部、 322 伝送線路、 324 フレキシブル基板、 362 面、 364 面、 366 絶縁性接着剤、 368 ボンディングワイヤ、
410 光モジュール、 416 リード、 420 パッケージ外部側部、 422 伝送線路、 424 フレキシブル基板、 470 段差、 472 絶縁性接着剤、 474 ボンディングワイヤ、
510 光モジュール、 514 パッケージ、 516 リード、 520 パッケージ外部側部、 522 伝送線路、 524 フレキシブル基板、 570 段差、 574 ボンディングワイヤ、576 グラウンドプレーン、 578 導電性接着剤
DESCRIPTION OF
110 optical module, 112 optical semiconductor element, 114 package, 116 lead, 118 printed circuit board, 120 package outer side, 122 first transmission line, 124 first flexible substrate, 126 package inner side, 128 second transmission Line, 130 Second flexible substrate, 140 electrodes, 142 electrodes, 152 Differential driver, 154 electrodes, 156 Bonding wire,
210 optical module, 214 package, 216 lead, 220 package outer side, 222 transmission line, 224 flexible substrate, 256 end, 258 protrusion, 260 gap,
310 optical module, 314 package, 316 lead, 320 package external side, 322 transmission line, 324 flexible substrate, 362 surface, 364 surface, 366 insulating adhesive, 368 bonding wire,
410 optical module, 416 lead, 420 package outer side, 422 transmission line, 424 flexible substrate, 470 step, 472 insulating adhesive, 474 bonding wire,
510 optical module, 514 package, 516 lead, 520 package external side, 522 transmission line, 524 flexible substrate, 570 step, 574 bonding wire, 576 ground plane, 578 conductive adhesive
Claims (7)
上記パッケージ内に気密封止された光半導体素子と、
上記リードの外部側端に電気的に接続された第1の伝送線路と、
上記リードの内部側端と上記光半導体素子とを電気的に接続する第2の伝送線路とを含む光モジュールであって、
上記第1の伝送線路が第1のフレキシブル基板に設けられ、
上記第2の伝送線路が第2のフレキシブル基板に設けられ、
上記第1の伝送線路と上記第2の伝送線路とが、略平行に設けられ、伝送される信号が互いに逆相である2本の線路を含むことを特徴とする光モジュール。 A package comprising a plurality of leads having an inner end and an outer end;
An optical semiconductor element hermetically sealed in the package;
A first transmission line electrically connected to the outer end of the lead;
An optical module including a second transmission line that electrically connects an inner side end of the lead and the optical semiconductor element,
The first transmission line is provided on a first flexible substrate;
The second transmission line is provided on the second flexible substrate;
The optical module comprising two lines in which the first transmission line and the second transmission line are provided substantially in parallel, and transmitted signals are in opposite phases.
上記パッケージと上記第1のフレキシブル基板との間にギャップを設けながら、上記突出線路と上記リードの外部側端とが接続されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一に記載の光モジュール。 A protruding line protruding from an end of the first flexible substrate;
The projecting line and the outer side end of the lead are connected to each other while providing a gap between the package and the first flexible substrate. Light module.
上記第1伝送線路と上記リードの上記外部側端がボンディングワイヤによって電気的に接続されており、
上記ボンディングワイヤの長さが調節することにより、インピーダンス整合が行われていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一に記載の光モジュール。 The first flexible substrate and the package are joined in an insulated state;
The first transmission line and the external end of the lead are electrically connected by a bonding wire;
The optical module according to claim 1, wherein impedance matching is performed by adjusting a length of the bonding wire.
上記第1のフレキシブル基板が上記段差で上記パッケージに絶縁状態で接合されており、
上記第1伝送線路と上記リードの上記外部側端とが、ボンディングワイヤによって電気的に接続されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一に記載の光モジュール。 The package has a step for holding the first flexible substrate so that the surface of the first transmission line and the surface of the external end of the lead are on substantially the same plane;
The first flexible substrate is joined to the package in an insulating state at the step,
The optical module according to claim 1, wherein the first transmission line and the external end of the lead are electrically connected by a bonding wire.
上記導電層に基準電位が与えられることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一に記載の光モジュール。
A conductive layer is provided on the surface of the flexible substrate opposite to the surface having the line,
The optical module according to claim 1, wherein a reference potential is applied to the conductive layer.
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