JP5663944B2 - Optical semiconductor device and flexible substrate - Google Patents
Optical semiconductor device and flexible substrate Download PDFInfo
- Publication number
- JP5663944B2 JP5663944B2 JP2010110674A JP2010110674A JP5663944B2 JP 5663944 B2 JP5663944 B2 JP 5663944B2 JP 2010110674 A JP2010110674 A JP 2010110674A JP 2010110674 A JP2010110674 A JP 2010110674A JP 5663944 B2 JP5663944 B2 JP 5663944B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- flexible substrate
- signal line
- wiring
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
本発明は、フレキシブル基板及びそれを備えた光半導体装置に関する。 The present invention relates to a flexible substrate and an optical semiconductor device including the same.
光半導体装置は、光信号と電気信号との間で信号変換を行う光素子を備える。光素子は光半導体装置内の筐体に収納されており、筐体は外部と電気信号の入出力を行うための複数の入出力端子を有する。 An optical semiconductor device includes an optical element that performs signal conversion between an optical signal and an electrical signal. The optical element is housed in a housing in the optical semiconductor device, and the housing has a plurality of input / output terminals for inputting / outputting electric signals to / from the outside.
上記筐体の入出力端子に配線を接続するために、フレキシブル基板を用いる方法が知られている。フレキシブル基板は、通常のプリント基板よりも薄く柔軟な素材で構成され、基板上には複数の信号線が形成されている。フレキシブル基板は、例えば筐体に対し垂直に固定され、筐体の入出力端子(リード線)は、フレキシブル基板に形成された孔を貫通して信号線に半田付けされる。このような光半導体装置は、例えば特許文献1に記載されている。 In order to connect the wiring to the input / output terminals of the casing, a method using a flexible substrate is known. The flexible substrate is made of a material that is thinner and more flexible than an ordinary printed circuit board, and a plurality of signal lines are formed on the substrate. The flexible substrate is fixed, for example, perpendicularly to the housing, and input / output terminals (lead wires) of the housing are soldered to the signal lines through holes formed in the flexible substrate. Such an optical semiconductor device is described in Patent Document 1, for example.
上記の光半導体装置では、入出力端子の本数の増加に対応するために入出力端子を2段で構成している。しかし、この様にして入出力端子の本数を増加させても、フレキシブル基板側は、その幅の制限により、入出力端子の本数を増やすことは容易ではないが、2段に構成された入出力端子のそれぞれに対応するフレキシブル基板を接続することにより、回避することは可能である。しかしながら、2段に構成された入出力端子にそれぞれフレキシブル基板を接続する場合、各高周波信号線間における信号特性の差異によって、高周波信号が劣化してしまう。 In the above optical semiconductor device, the input / output terminals are configured in two stages in order to cope with an increase in the number of input / output terminals. However, even if the number of input / output terminals is increased in this way, it is not easy to increase the number of input / output terminals on the flexible substrate side due to the limitation of the width. It can be avoided by connecting a flexible substrate corresponding to each of the terminals. However, when a flexible substrate is connected to each of the input / output terminals configured in two stages, the high-frequency signal is deteriorated due to the difference in signal characteristics between the high-frequency signal lines.
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、信号の伝達特性を改善したフレキシブル基板及びそれを備えた光半導体装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a flexible substrate with improved signal transmission characteristics and an optical semiconductor device including the flexible substrate.
本光半導体装置は、光素子を内蔵し、上下2列で対向して設けられ、1列に並んで配置された複数の第1端子および1列に並んで配置された複数の第2端子を備えた筐体と、前記第1端子と電気的に接続される第1配線が形成された第1領域、前記第2端子と電気的に接続される第2配線が形成された第2領域、前記第1領域および前記第2領域の間を接続する第3領域、を有するフレキシブル基板と、を備え、前記第3領域には、前記第1端子もしくは前記第2端子が貫通する貫通孔が1列に形成されてなることを特徴とする。 The optical semiconductor device includes an optical element, and is provided to be opposed to each other in two upper and lower rows , and includes a plurality of first terminals arranged in one row and a plurality of second terminals arranged in one row. A housing provided with, a first region in which a first wiring electrically connected to the first terminal is formed, a second region in which a second wiring electrically connected to the second terminal is formed, A flexible substrate having a third region connecting between the first region and the second region, and the third region has one through-hole through which the first terminal or the second terminal passes. It is characterized by being formed in a row.
上記構成において、前記第1配線は、接地電位との間で信号伝送路を構成する高周波信号を含み、前記第2配線は、接地電位との間で信号伝送路を構成しない信号線のみを含んでいてもよい。 In the above configuration, the first wiring includes a high-frequency signal that forms a signal transmission path with a ground potential, and the second wiring includes only a signal line that does not form a signal transmission path with the ground potential. You may go out.
上記構成において、前記第3領域には、前記第1端子および前記第2端子が貫通する貫通孔が、それぞれ1列に形成されていてもよい。The said structure WHEREIN: The through-hole which the said 1st terminal and the said 2nd terminal penetrate may each be formed in the said 3rd area | region in 1 row.
上記構成において、第1の面とこれに対向する第2の面を有するプリント基板をさらに備え、前記第1領域は前記第1の面に設けられた端子と接続され、前記第2領域は前記第2の面に設けられた端子と接続される構成とすることができる。 In the above configuration, the printed circuit board further includes a printed circuit board having a first surface and a second surface facing the first surface, wherein the first region is connected to a terminal provided on the first surface, and the second region is It can be set as the structure connected with the terminal provided in the 2nd surface.
本フレキシブル基板は、接地電位との間で信号伝送路を構成する高周波信号線を複数含む第1配線を備えた第1領域と、接地電位との間で信号伝送路を構成しない信号線を複数含む第2配線が設けられた第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間に位置し、前記第1領域と前記第2領域が対向するように折り返される第3領域とを含み、前記第3領域には、前記第1配線もしくは前記第2配線に対応した貫通孔が、それぞれ1列に形成されてなることを特徴とする。 The flexible substrate includes a plurality of signal lines that do not constitute a signal transmission path between a first region including a first wiring including a plurality of high-frequency signal lines that constitute a signal transmission path between the ground potential and the ground potential. A second region provided with a second wiring including, and a third region located between the first region and the second region and folded back so that the first region and the second region face each other. seen including, in the third region, the through holes corresponding to said first wiring or the second wiring, and characterized by being formed in each one column.
上記構成において、前記第2配線は、接地電位との間で信号伝送路を構成しない信号線のみを含んでいてもよい。上記構成において、前記第3領域には、前記第1配線および前記第2配線に対応した貫通孔が、それぞれ1列に形成されていてもよい。In the above configuration, the second wiring may include only a signal line that does not form a signal transmission path with the ground potential. The said structure WHEREIN: The through-hole corresponding to the said 1st wiring and the said 2nd wiring may each be formed in the said 3rd area | region in 1 row.
本光半導体装置によれば、信号の伝達特性を改善することができる。 According to the present optical semiconductor device, signal transfer characteristics can be improved.
図1は、実施例1に係る光半導体装置の全体構成を示した断面模式図である。光半導体装置100は、筺体60、筐体10、絶縁体11、第1フレキシブル基板20a、第2フレキシブル基板20b、及びプリント基板30を備える。筺体10は、レセクタブル40を用いている。以下の説明では、光半導体装置100の光コネクタ70が挿入される方向をX方向、プリント基板30の面内においてX方向と直交する方向をY方向、X方向及びY方向で形成される平面を水平平面、プリント基板30の面と直行する方向をZ方向(上下方向)とする。光半導体装置100の基本構成は、全ての実施例(実施例1〜6)において共通であるが、フレキシブル基板の構成に関する部分は実施例ごとに異なる。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating the entire configuration of the optical semiconductor device according to the first embodiment. The
筐体10の内部には、光信号と電気信号との間で信号変換を行う光素子(例えば、発光素子または受光素子、レンズ、TEC、ドライバIC、サーミスタ、及び波長検知ユニット)が配置されている(図示せず)。光素子は、高周波信号及び直流信号により制御された光信号を光コネクタ70に出力する。筐体10の内部には、光素子を制御するための信号を伝達する内部配線が設けられている(図示せず)。内部配線は、高周波信号を伝達する高周波信号線及び直流信号を伝達する直流信号線を含む。また、筐体10には、外部と信号の入出力を行うための第1入出力端子12a及び第2入出力端子12bが設けられている。第1入出力端子12a及び第2入出力端子12bは、筐体10の長手方向(X方向)に延在するように、上下2段に分かれ対向して設けられている。本実施例では、第1入出力端子12a及び第2入出力端子12bはそれぞれ同一の水平平面上に複数本ずつ配置されているが、それぞれの端子数は1以上の任意の数とすることができる。また、それぞれ任意の端子を入力端子または出力端子とすることができ、同様に任意の端子を高周波信号端子または直流信号端子とすることができる。
An optical element (for example, a light emitting element or a light receiving element, a lens, a TEC, a driver IC, a thermistor, and a wavelength detection unit) that performs signal conversion between an optical signal and an electric signal is disposed inside the
図2(a)は、第1フレキシブル基板20aの上面図であり、図2(b)は、第2フレキシブル基板20bの上面図である。第1フレキシブル基板20a及び第2フレキシブル基板20bは、薄手かつ柔軟な素材(例えば、ポリイミドを含む材料)で構成された配線基板であり、自在に折り曲げることが可能である。第1フレキシブル基板20aの表面には、接地電位との間で信号伝送路を構成している高周波信号線RF及び接地電位との間で信号伝送路を構成していない信号線(以下、直流信号線DCと呼ぶが、この信号線には、駆動用電源線および検知用信号線が含まれる)が複数形成されている。第1フレキシブル基板20aの裏面には、接地電位を有するグランドパターン(図示せず)が形成されている。信号線及びグランドパターンのメタライズMLは、例えばCu(銅)を含む材料から形成される。高周波信号線RF及び直流信号線DCは、第1フレキシブル基板20aの長手方向(X方向)に延在するように、互いに平行に形成されている。第2フレキシブル基板20bには、複数の直流信号線DCのみが形成され、高周波信号線は形成されていない。直流信号線DCは、第2フレキシブル基板20bの長手方向(X方向)に延在するように、互いに平行に形成されている。第1フレキシブル基板20a及び第2フレキシブル基板20bは、信号線において、入出力端子と接続する部分の幅が信号線よりも広く形成された接続部18を有している。なお、図示しないが、この接続部18は両端に設けられている。なお、直流信号線DCとしては、光素子の駆動用電源線、光素子のパワー検知素子の信号線、光素子の波長検知用信号線、温度制御装置の駆動用電源線、温度検知素子の信号線、ドライバICの駆動用電源線、基準電位用信号線などが挙げられる。
FIG. 2A is a top view of the first
図3は、第1フレキシブル基板20a及び第2フレキシブル基板20bを筐体10に接続した状態を示す図である。第1フレキシブル基板20a及び第2フレキシブル基板20bは、互いに対向するように(上下方向から見た場合に互いに重なるように)筐体10に接続されており、長さは等しい。第1フレキシブル基板20a上の高周波信号線RF及び直流信号線DCは、筐体10の入出力端子12aに、第2フレキシブル基板20b上の直流信号線DCは、筐体10の入出力端子12bにそれぞれ接続されている。ここで、接続部における入出力端子(12a、12b)の延在方向は、第1フレキシブル基板20a及び第2フレキシブル基板20bに形成された各信号線の延在方向に等しい。図3から明らかなように、第1フレキシブル基板20aと第2フレキシブル基板20bは、それぞれ別のフレキシブル引き出しを提供している。すなわち、第2フレキシブル基板20bは、第1フレキシブル基板20aとは別のフレキシブル引き出しを提供しているといえる。
FIG. 3 is a diagram illustrating a state in which the first
図4は、第1フレキシブル基板20a及び第2フレキシブル基板20bを筐体10及びプリント基板30に接続した状態を示す図である。プリント基板30は、フレキシブル基板(20a、20b)に比べて厚手かつ硬い素材で構成された配線基板であり、下面には高周波信号線及び直流信号線が、上面には直流信号線が形成されている。プリント基板30の下面には第1フレキシブル基板20aが接続され、プリント基板30の上面には第2フレキシブル基板20bが接続されている。第1フレキシブル基板20a上の高周波信号線RFは、プリント基板30下面の高周波信号線と、第1フレキシブル基板20a上の直流信号線DCは、プリント基板30下面の直流信号線とそれぞれ接続されている。第2フレキシブル基板20b上の直流信号線DCは、プリント基板30上面の直流信号線DCと接続されている。また、プリント基板30上に形成された高周波信号線及び直流信号線は、光半導体装置100の外部に接続されている。
FIG. 4 is a diagram illustrating a state in which the first
外部から入力された高周波信号は、プリント基板30の下面及び第1フレキシブル基板20aに形成された高周波信号線RFを介して、筐体10の内部に入力される。同様に、外部から入力された直流信号は、プリント基板30の下面及び第1フレキシブル基板20aに形成された直流信号線DC、またはプリント基板30の上面及び第2フレキシブル基板20bに形成された直流信号線DCを介して、筐体10の内部に入力される。筐体10から外部に電気信号を出力する場合は、信号が逆方向に伝達される。
A high-frequency signal input from the outside is input to the inside of the
実施例1に係る光半導体装置100によれば、筐体10の2つの入出力端子(12a、12b)に対し、2枚のフレキシブル基板(20a、20b)が対向して接続されている。それぞれのフレキシブル基板には複数の信号線(RF、DC)が形成され、入出力端子(12a、12b)における複数の信号線に接続されている。本構成によれば、プリント基板30の両面にそれぞれフレキシブル基板を接続することで、小さいスペースに多くの信号線を形成することができるため、筐体に入出力可能な信号線の数を増加させることができる。
According to the
また、光半導体装置100によれば、第1フレキシブル基板20aには高周波信号線RF及び直流信号線DCが形成され、第2フレキシブル基板20bには直流信号線DCが形成されている。換言すれば、高周波信号線RFは第1フレキシブル基板20aのみに形成され、第2フレキシブル基板20bには形成されていない。端子間の信号特性の違いに起因する高周波信号の劣化を抑制するためには、筺体10から2列に突出する複数の第1入出力端子12a及び第2入出力端子12bのうち、高周波信号用の端子をどちらか一方の列にまとめて形成することが好ましい。本実施例のように、高周波信号線を同一のフレキシブル基板上にまとめて形成することで、各高周波信号線間で信号特性の差異が生じることを抑制することができる。なお、実施例1に係る筐体10の内部に、ドライバICもしくはプリアンプなどを配置してもよい。
Further, according to the
実施例2は、異なる長さのフレキシブル基板を用いた例である。 Example 2 is an example in which flexible substrates having different lengths are used.
図5は、実施例2に係るフレキシブル基板(20a、20b)が筐体10に接続された状態を示す断面模式図である。実施例2では、直流信号線DCのみが形成された第2フレキシブル基板20bの長さが、高周波信号線RFの形成された第1フレキシブル基板20aの長さより大きくなっている。その他の構成は実施例1(図3)と同じであり、詳細な説明を省略する。なお、ここでいうフレキシブル基板の長さとは、信号線(高周波信号線及び直流信号線)の延長方向(X方向)におけるフレキシブル基板(20a、20b)の長さを指す。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a state in which the flexible substrates (20a, 20b) according to the second embodiment are connected to the
図6は、フレキシブル基板(20a、20b)をプリント基板30に接続した状態を示す図である。図示するように、第1フレキシブル基板20aの接続部32には、ビア34が形成されている。このビア34により、両面に設けられたメタライズMLが電気的に接続される。第2フレキシブル基板20bは、第1フレキシブル基板20aに比べ大きく湾曲している。すなわち、第2フレキシブル基板20bの最大曲率が、第2フレキシブル基板20bの最大曲率より大きくなっている。
FIG. 6 is a diagram showing a state in which the flexible boards (20a, 20b) are connected to the printed
実施例2の光半導体装置100によれば、2枚のフレキシブル基板(20a、20b)の長さが異なるため、フレキシブル基板(20a、20b)を筐体10及びプリント基板30に接続する際の位置合わせのマージンを確保することができる。これにより、フレキシブル基板(20a、20b)を接続する際に発生する位置ずれを抑制することができる。
According to the
フレキシブル基板(20a、20b)の長さを異なるものとする場合には、第1フレキシブル基板20a及び第2フレキシブル基板20bのいずれの基板を長くしてもよい。ただし、高周波信号は直流信号に比べ信号線の湾曲による影響を受けやすいため、本実施例のように高周波信号線RFの形成されていない(直流信号線DCのみが形成された)第2フレキシブル基板20bの長さを、高周波信号線RFの形成された第1フレキシブル基板20aの長さより大きくすることが好ましい。換言すれば、第2フレキシブル基板20bの最大曲率は、第1フレキシブル基板20aの最大曲率より大きいことが好ましい。以上から、高周波信号線RFの形成された第1フレキシブル基板20aの位置合わせをした後に、直流信号線DCのみが形成された第2フレキシブル基板20bの位置合わせをすることで、第1フレキシブル基板20aとプリント基板30、及び第1フレキシブル基板20aと筐体10の入出力端子12aが、正確な位置で接続される。これにより、高周波信号線RFの位置ずれを抑制し、信号伝達特性の劣化を抑制することができる。
In the case where the lengths of the flexible substrates (20a, 20b) are different, either the first
実施例3は、実施例1〜2における第1フレキシブル基板及び第2フレキシブル基板を、1枚のフレキシブル基板で構成した例である。ただし、第1フレキシブル基板、第2フレキシブル基板とも、それぞれが別のフレキシブル引き出しを提供している点では、実施例1、2と同じである。すなわち、フレキシブル基板20bは、第2フレキシブル基板20aとは別のフレキシブル引き出しを提供している。
Example 3 is an example in which the first flexible substrate and the second flexible substrate in Examples 1 and 2 are configured by a single flexible substrate. However, both the first flexible substrate and the second flexible substrate are the same as the first and second embodiments in that each provides another flexible drawer. That is, the
図7は、実施例3に係る光半導体装置100に用いられるフレキシブル基板の構成を示す上面模式図である。フレキシブル基板20は、第1領域22、第2領域24、及び第3領域26の3つの領域を有する。第2領域24のX方向の長さは、第1領域22のX方向の長さより大きくなっている。
FIG. 7 is a schematic top view illustrating the configuration of the flexible substrate used in the
第1領域22は、高周波信号線が形成される領域であり、実施例1〜2における第1フレキシブル基板20aと同じ役割を果たす。第1領域22のY方向における中央部には、複数の高周波信号線RFが平行に形成され、その外側に複数の直流信号線DCが互いに平行に形成されている。
The
第2領域24は、直流信号線が形成される領域であり、実施例1〜2における第2フレキシブル基板20bと同じ役割を果たす。本実施例では、複数の直流信号線DCが互いに平行に形成されている。
The
第3領域26は、第1領域22と第2領域24との間に位置する領域であり、後述のようにフレキシブル基板20を折り曲げる際の湾曲部分となる領域である。以下の説明では、第3領域26に信号線が形成されていない場合について説明するが、第3領域26には信号線が形成されていてもよい。
The
図8(a)は、フレキシブル基板20を筐体10に接続した状態を下側(第1領域22側)から見た平面図であり、図8(b)は、図8(a)のA−A線に沿った断面図である。筐体10は、実施例1〜2と同じく、2段構成の第1入出力端子12a及び第2入出力端子12bを有する。フレキシブル基板20は、第1領域22と第3領域26との境界、及び第2領域24と第3領域26との境界において湾曲され、第1領域22及び第2領域24が対向する構成となっている。第1領域22の下面は、入出力端子12aの上面で接続され、第2領域24の上面は、入出力端子12bの下面で接続されている。すなわち、フレキシブル基板20の外側に設けられた第1領域22の接続部23と第2領域24の接続部25とによって、フレキシブル基板20は、2つの入出力端子(12a、12b)の内側で接続されている。接続の方法としては、例えば半田付けを用いることができる。
FIG. 8A is a plan view of the state in which the
フレキシブル基板20の筐体10に接続された側と反対側の端は、プリント基板30に接続される。実施例1〜2と同様に、フレキシブル基板20の第1領域22はプリント基板30の下面に接続され、第2領域24はプリント基板30の上面に接続される。フレキシブル基板20及びプリント基板30の接続方法並びに各信号線の接続方法は、実施例1〜2で説明したものと同様であるため、以下の説明において図面及び詳細な説明を省略する。
The end of the
実施例3に係る光半導体装置によれば、1枚のフレキシブル基板20により、実施例1〜2における第1フレキシブル基板20a及び第2フレキシブル基板20bと同様の機能を実現することができる。すなわち、フレキシブル基板20を2段構成とすることで入出力端子の数を増加させることができる。また、高周波信号線RFを第1領域22のみに形成し、かつ第2領域24の長さを第1領域22の長さより大きくすることで、信号線の湾曲に伴う信号特性の劣化を抑制しつつ、位置合わせを容易に行うことができる。また、フレキシブル基板が2枚である場合は、第1フレキシブル基板20a及び第2フレキシブル基板20bの位置合わせをそれぞれ行う必要があるが、本実施例ではフレキシブル基板が1枚であるため、位置合わせをさらに容易に行うことができる。
According to the optical semiconductor device according to the third embodiment, the same function as the first
実施例4は、実施例3で用いたフレキシブル基板に貫通孔を形成した例である。 Example 4 is an example in which a through hole is formed in the flexible substrate used in Example 3.
図9は、実施例4に係る光半導体装置100に用いられるフレキシブル基板20の構成を示す上面模式図である。実施例3と同様に、フレキシブル基板20は第1領域22、第2領域24、及び第3領域26の3つの領域を有し、第1領域22には高周波信号線RF及び直流信号線DCが、第2領域24には直流信号線DCがそれぞれ形成されている。実施例3と異なり、第3領域26には複数の貫通孔50が形成されている。その他の構成は実施例3と同様であり、詳細な説明を省略する。
FIG. 9 is a schematic top view illustrating the configuration of the
第3領域26には、第1領域22及び第2領域24に形成された複数の信号線(RF、DC)の延長線上に、複数の貫通孔50が形成されている。本実施例では、貫通孔50は各信号線に対しそれぞれ1つずつ形成され、結果として第3領域26の両端に2列の貫通孔が形成される構成となっている。貫通孔50の直径は、各信号線の幅と同じくらいの大きさである。フレキシブル基板20が筐体10に接続される際に、入出力端子12を構成する各信号線のリード端子が貫通孔50に挿入され、各信号線と接続される。
In the
図10(a)は、フレキシブル基板20を筐体10に接続した状態を下側(第1領域22側)から見た平面図であり、図10(b)は、図10(a)のA−A線に沿った断面図である。図10(a)に示すように、入出力端子12のリード端子は、貫通孔50を貫通して信号線(RF、DC)と接続されている。また、図10(b)に示すように、第1領域22の上面は入出力端子12aの下面に接続され、第2領域24の下面は入出力端子12bの上面に接続されている。すなわち、フレキシブル基板20の外側に設けられた第1領域22の接続部23と第2領域24の接続部25とによって、フレキシブル基板20は、2つの入出力端子(12a、12b)の外側で接続されている。
FIG. 10A is a plan view of the state in which the
実施例4に係る光半導体装置100によれば、フレキシブル基板20に設けられた貫通孔を介して入出力端子12のリード端子を信号線(RF、DC)に接続することで、接続の信頼性を高めることができる。また、貫通孔50を設けることにより、フレキシブル基板20の第3領域26を容易に折り曲げることができる。これにより、第3領域26以外の領域(第1領域22、第2領域24)におけるフレキシブル基板20の位置ずれを抑制し、信号特性の劣化を抑制することができる。
According to the
上記の説明では、第3領域26の両端に貫通孔50を形成したが、貫通孔50は第3領域26の片側のみに形成されていてもよい。
In the above description, the through
図11は、フレキシブル基板20の変形例を示す図である。図示するように、貫通孔50が第2領域24側にのみ設けられており、第1領域22側には設けられていない。第2領域24上に形成された各信号線(RF、DC)に対し、貫通孔50が1つづつ形成されている点は図9と同じである。本構成においても、入出力端子12のリード端子を貫通孔50を介して信号線(RF、DC)と接続することにより、接続の信頼性を高めることができる。フレキシブル基板20の内側に設けられた第2領域24の接続部25及びフレキシブル基板20の外側に設けられた第1領域22の接続部23によって、フレキシブル基板20は、2つの入力端子(12a、12b)と接続されている。また、貫通孔50によりフレキシブル基板20の第3領域26を湾曲しやすくすることで、第3領域26以外の領域(第1領域22、第2領域24)におけるフレキシブル基板20の湾曲を抑制し、信号特性の劣化を抑制することができる。なお、本変形例では貫通孔50が第2領域24側に形成されているが、貫通孔50は第1領域22側に形成されていてもよい。
FIG. 11 is a diagram illustrating a modification of the
実施例5は、実施例4より大きな貫通孔を形成した例である。 Example 5 is an example in which a larger through hole than that of Example 4 was formed.
図12は、実施例5に係る光半導体装置に用いられるフレキシブル基板20の構成を示す上面模式図である。実施例3〜4と同様に、フレキシブル基板20は第1領域22、第2領域24、及び第3領域26の3つの領域を有し、第1領域22には高周波信号線RF及び直流信号線DCが、第2領域24には直流信号線DCがそれぞれ形成されている。
FIG. 12 is a schematic top view illustrating the configuration of the
図示するように、本実施例に係るフレキシブル基板20では、第3領域26の中央部に大きな貫通孔(以下、切り抜き部52)が形成されている。切り抜き部52のX方向の長さは、第3領域26のX方向の長さとほぼ等しく、切り抜き部52のY方向の長さは、複数本分の信号線(RF、DC)に相当する長さとなっている。
As shown in the drawing, in the
本実施例では、第1領域22における高周波信号線RFの長さが、第1領域22における直流信号線DCの長さより大きくなるように形成されている。その結果、高周波信号線RFは、直流信号線DCに比べて第3領域26側に僅かだけ突出している(符号28)。ここで、上記突出部28のY方向側の両端の2箇所には、切り抜き部52と連通する切り込み部54が形成されている。これにより、第3領域26に形成された貫通孔は、コの字型の形状となっている。また、第1領域22において、RF信号線の接続部23がX方向に長く形成されている。
In the present embodiment, the length of the high-frequency signal line RF in the
図13(a)は、フレキシブル基板20を筐体10に接続した状態を下側(第1領域22側)から見た平面図である。また、図13(b)は、図13(a)のA−A線に沿った断面図であり、図13(c)は、図13(a)のB−B線に沿った断面図である。
FIG. 13A is a plan view of the state in which the
図13(b)に示すように、直流信号線DCのみが形成された領域においては、実施例3〜4と同じく、フレキシブル基板20は第3領域26において湾曲され、全体として略U字形状となっている。一方、図13(c)に示すように、高周波信号線RFが形成された領域においては、第1領域22と第2領域24とが切り抜き部52により分離されているため、フレキシブル基板20は湾曲されず、筐体10に対しほぼ水平に接続されている。本実施例において、フレキシブル基板20は、フレキシブル基板20の外側に設けられた第1領域22及び第2領域24において、2つの端子(12a、12b)の内側で接続されている。
As shown in FIG. 13B, in the region where only the DC signal line DC is formed, the
実施例5に係る光半導体装置100によれば、第3領域26に貫通孔(切り抜き部52)が形成されているため、フレキシブル基板20を第3領域26において湾曲することが容易となる。これにより、第3領域26以外におけるフレキシブル基板20の湾曲を抑制し、信号線の湾曲に伴う信号特性の劣化を抑制することができる。特に、信号線の複数本分の領域に渡って貫通孔を形成することで、実施例4に比べ貫通孔のサイズが大きくなるため、フレキシブル基板20を第3領域26においてより容易に湾曲することができる。
According to the
また、高周波信号線RFの突出部の両端に、信号線の形成方向に沿った切り込み部54を設け、切り抜き部52及び切り込み部54により区画された突出部28に高周波信号線RFを形成することで、高周波信号線RFの湾曲を抑制することができる。これにより、信号線の湾曲に伴う影響を受けやすい高周波信号の特性劣化を抑制することができる。
Further, cut
図14(a)〜(c)は、実施例5の変形例を示した図であり、本実施例の図13(a)〜(c)にそれぞれ対応する。図14(c)に示すように、第1領域24の突出部28が、入出力端子12の下面で接続されている点が本実施例と異なる。また、フレキシブル基板20の内側に設けられた第1領域22の接続部27によって、フレキシブル基板20は、入出力端子12aの下面と接続されている。なお、フレキシブル基板20の突出部28にはビア29が形成されており、ビア29を介して入出力端子12aと信号線が接続される。本実施例では、図12の切り込み部54を深く形成することで、フレキシブル基板20と入出力端子12aを容易に接続させることができる。その他の構成は本実施例と同様である。フレキシブル基板20を筐体10に接続する際には、各入出力端子(12a、12b)の上面及び下面のいずれにフレキシブル基板20を接続してもよい。いずれの面を用いるかは、製品の仕様や製造工程における力の印加方向等に応じて適宜選択することができる。
FIGS. 14A to 14C are diagrams showing modifications of the fifth embodiment, and correspond to FIGS. 13A to 13C of the present embodiment, respectively. As shown in FIG. 14 (c), this embodiment is different from the present embodiment in that the protruding
実施例6は、実施例4及び実施例5の形態の貫通孔を併用した例である。 Example 6 is an example in which the through holes of the form of Example 4 and Example 5 are used in combination.
図15は、実施例6に係る光半導体装置に用いられるフレキシブル基板20の構成を示す上面模式図である。実施例3〜5と同様に、フレキシブル基板20は第1領域22、第2領域24、及び第3領域26の3つの領域を有し、第1領域22には高周波信号線RF及び直流信号線DCが、第2領域24には直流信号線DCがそれぞれ形成されている。
FIG. 15 is a schematic top view illustrating the configuration of the
図示するように、本実施例では、第3領域26の中央部に実施例5と同様の切り抜き部52及び切り込み部54が形成されている。また、第3領域26のうち、切り抜き部52が形成されていない領域には、実施例4と同様の貫通孔50が各信号線に対し1つずつ形成されている。
As shown in the drawing, in the present embodiment, a
図16(a)は、フレキシブル基板20を筐体10に接続した状態を下側(第1領域22側)から見た平面図である。また、図16(b)は、図16(a)のA−A線に沿った断面図であり、図16(c)は、図16(a)のB−B線に沿った断面図である。図16(b)に示すように、直流信号線DCのみが形成された領域においては、フレキシブル基板20はU字型に湾曲されている。図16(c)に示すように、高周波信号線RFが形成された領域においては、フレキシブル基板20は筐体10に対しほぼ水平に接続されている。また、入出力端子12のリード端子は、貫通孔50を貫通して各信号線(RF、DC)と接続されている。
FIG. 16A is a plan view of the state in which the
実施例6に係る光半導体装置によれば、切り抜き部52(切り込み部54)及び貫通孔50を併用することにより、フレキシブル基板20の第3領域26における湾曲を容易にし、その他の領域における信号線(RF、DC)の湾曲を抑制することができる。また、貫通孔50を介して入出力端子12のリード線を信号線(RF、DC)と接続することにより、接続の安定性を向上させることができる。
In the optical semiconductor device according to the sixth embodiment, the cutout portion 52 (the cutout portion 54) and the through
各実施例における構成上の特徴をまとめると、次のようになる。 The structural features in each embodiment are summarized as follows.
実施例1〜6にて示したように、筐体10の入出力端子12を2段構成(12a、12b)とし、それぞれの入出力端子(12a、12b)に対し信号線(RF、DC)の形成されたフレキシブル基板20を接続することで、信号線の本数を増加させることができる。
As shown in the first to sixth embodiments, the input / output terminal 12 of the
また、実施例1〜6にて示したように、高周波信号線RFを同一平面上のフレキシブル基板にまとめて形成することで、各高周波信号線間で信号特性の差異が生じることを抑制し、信号特性の劣化を抑制することができる。 Moreover, as shown in Examples 1 to 6, by forming the high-frequency signal lines RF together on a flexible substrate on the same plane, it is possible to suppress the difference in signal characteristics between the high-frequency signal lines, Deterioration of signal characteristics can be suppressed.
また、実施例2〜6で示したように、第1フレキシブル基板及び第2フレキシブル基板(実施例3〜6においては、第1領域及び第2領域)の長さを異なるものとすることで、フレキシブル基板を筐体に接続する際の位置合わせを容易に行うことができる。この際、信号線の湾曲による影響を受けやすい高周波信号の劣化を抑制するために、高周波信号線RFが形成される側のフレキシブル基板(または領域)の長さを小さくすることが好ましい。 Moreover, as shown in Examples 2 to 6, by making the lengths of the first flexible substrate and the second flexible substrate (in Examples 3 to 6 the first region and the second region) different, Positioning when connecting the flexible substrate to the housing can be easily performed. At this time, it is preferable to reduce the length of the flexible substrate (or region) on the side where the high-frequency signal line RF is formed in order to suppress deterioration of the high-frequency signal that is easily affected by the curvature of the signal line.
また、実施例2〜6で示したように、第1フレキシブル基板及び第2フレキシブル基板(実施例3〜6においては、第1領域及び第2領域)の長さを異ならせているが、第1フレキシブル基板及び第2フレキシブル基板(実施例3〜6においては、第1領域及び第2領域)の長さを同じくしても、高周波信号線RFを同一平面上のフレキシブル基板にまとめて形成することによって、各高周波信号間で信号特性の差異が生じることを抑制し、信号特性の劣化を抑制することができる。 Moreover, as shown in Examples 2-6, the lengths of the first flexible substrate and the second flexible substrate (in Examples 3-6, the first region and the second region) are different. Even if the lengths of the first flexible substrate and the second flexible substrate (the first region and the second region in Examples 3 to 6) are the same, the high-frequency signal lines RF are collectively formed on the flexible substrate on the same plane. Thus, it is possible to suppress the difference in signal characteristics between the high-frequency signals and to suppress the deterioration of the signal characteristics.
また、実施例4〜6にて示したように、1枚のフレキシブル基板を折り曲げて使用する場合には、第3領域に貫通孔(貫通孔50及び切り抜き部52の少なくとも一方)を形成することで、フレキシブル基板の湾曲を容易に行うことができる。また、上記貫通孔を介してリード線を信号線と接続することで、接続の安定性を向上させることができる。貫通孔は、実施例4のように各信号線に対し1つずつ形成してもよく、実施例5のように信号線の複数本分に渡って貫通孔を形成してもよい。また、実施例6のようにこれらの形態を併用してもよい。
Further, as shown in Examples 4 to 6, when one flexible substrate is bent and used, a through hole (at least one of the through
実施例1〜6において、フレキシブル基板20を筐体10に接続する際には、各入出力端子(12a、12b)の上面及び下面のいずれにフレキシブル基板20を接続してもよい。いずれの面を用いるかは、製品の仕様や製造工程における力の印加方向等に応じて適宜選択することができる。
In Examples 1-6, when connecting the
上述した各実施例の構成上の特徴は、任意に組み合わせることが可能である。 The structural features of the above-described embodiments can be arbitrarily combined.
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to such specific embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. It can be changed.
10 筐体
12 入出力端子
20 フレキシブル基板
22 第1領域
24 第2領域
26 第3領域
30 プリント基板
100 光半導体装置
RF 高周波信号線
DC 直流信号線
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記第1端子と電気的に接続される第1配線が形成された第1領域、前記第2端子と電気的に接続される第2配線が形成された第2領域、前記第1領域および前記第2領域の間を接続する第3領域、を有するフレキシブル基板と、を備え、
前記第3領域には、前記第1端子もしくは前記第2端子が貫通する貫通孔が1列に形成されてなることを特徴とする光半導体装置。 A housing including a plurality of first terminals arranged in one row and a plurality of second terminals arranged in a row, the optical elements being built in, facing each other in two rows ;
A first region in which a first wiring electrically connected to the first terminal is formed; a second region in which a second wiring electrically connected to the second terminal is formed; the first region; A flexible substrate having a third region connecting between the second regions,
The optical semiconductor device, wherein the third region is formed with a through-hole through which the first terminal or the second terminal penetrates in a row .
前記第2配線は、接地電位との間で信号伝送路を構成しない信号線のみを含むことを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。 2. The optical semiconductor device according to claim 1, wherein the second wiring includes only a signal line that does not constitute a signal transmission path with respect to a ground potential.
接地電位との間で信号伝送路を構成しない信号線を複数含む第2配線が設けられた第2領域と、
前記第1領域と前記第2領域との間に位置し、前記第1領域と前記第2領域が対向するように折り返される第3領域とを含み、
前記第3領域には、前記第1配線もしくは前記第2配線に対応した貫通孔が、1列に形成されてなることを特徴とするフレキシブル基板。 A first region including a first wiring including a plurality of high-frequency signal lines constituting a signal transmission path with respect to a ground potential;
A second region provided with a second wiring including a plurality of signal lines that do not constitute a signal transmission path with respect to the ground potential;
Located between the first region and the second region, viewed contains a third region in which the first region and the second region is folded to face,
The flexible substrate according to claim 3, wherein through holes corresponding to the first wiring or the second wiring are formed in a row in the third region .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010110674A JP5663944B2 (en) | 2010-05-12 | 2010-05-12 | Optical semiconductor device and flexible substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010110674A JP5663944B2 (en) | 2010-05-12 | 2010-05-12 | Optical semiconductor device and flexible substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011238857A JP2011238857A (en) | 2011-11-24 |
JP5663944B2 true JP5663944B2 (en) | 2015-02-04 |
Family
ID=45326486
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010110674A Expired - Fee Related JP5663944B2 (en) | 2010-05-12 | 2010-05-12 | Optical semiconductor device and flexible substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5663944B2 (en) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6308870B2 (en) * | 2014-05-27 | 2018-04-11 | 日本オクラロ株式会社 | Optical module |
JP6430312B2 (en) * | 2015-03-24 | 2018-11-28 | 日本オクラロ株式会社 | Optical module |
US20210305766A1 (en) * | 2018-12-26 | 2021-09-30 | Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. | Optical semiconductor device |
WO2022083366A1 (en) * | 2020-10-20 | 2022-04-28 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | Optical module |
JP2022168758A (en) | 2021-04-26 | 2022-11-08 | キヤノン株式会社 | Flexible wiring board, module, and electronic apparatus |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002203626A (en) * | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Fujikura Ltd | Connector |
JP2004071890A (en) * | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Optical module |
JP2004247569A (en) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Pentax Corp | Connecting structure for electronic component |
JP4058764B2 (en) * | 2003-06-26 | 2008-03-12 | 住友電気工業株式会社 | Communication module |
JP2006332648A (en) * | 2005-05-20 | 2006-12-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Structure of wire connection between multi-pin coaxial module and circuit substrate using flexible substrate |
JP2007123428A (en) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Nec Electronics Corp | Flexible circuit board |
JP4857024B2 (en) * | 2006-05-15 | 2012-01-18 | 株式会社フジクラ | Printed wiring board and manufacturing method thereof |
JP2009252918A (en) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Optical data link |
JP5131023B2 (en) * | 2008-05-15 | 2013-01-30 | 日立電線株式会社 | Photoelectric conversion module |
JP5273600B2 (en) * | 2008-06-17 | 2013-08-28 | 日本オクラロ株式会社 | Optical semiconductor device |
-
2010
- 2010-05-12 JP JP2010110674A patent/JP5663944B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011238857A (en) | 2011-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI442650B (en) | Electrical connector | |
US9203171B2 (en) | Cable connector assembly having simple wiring arrangement between two end connectors | |
CN108445590B (en) | Optical module and flexible substrate | |
JP5986012B2 (en) | Connector and signal transmission method using the same | |
JP5310239B2 (en) | Connection terminal and transmission line | |
US9660369B2 (en) | Assembly of cable and connector | |
JP4852442B2 (en) | Optical transmission module | |
JP5663944B2 (en) | Optical semiconductor device and flexible substrate | |
JP3115050U (en) | Electrical connector assembly | |
JPWO2016129277A1 (en) | Flexible substrate and optical module | |
JP2007123740A (en) | Flexible board, optical transmission/reception module and optical transmission/reception device | |
JP2007207618A (en) | Narrow pitch flexible wiring | |
JP2017050357A (en) | Optical module | |
JP2015056374A (en) | Electric connector | |
JP6137616B2 (en) | Flexible substrate | |
JP2021097140A (en) | Optical module | |
JP2015026652A (en) | Flexible substrate | |
JP2009004460A (en) | Optical communication module and forming method of wiring pattern | |
JP5868140B2 (en) | Coaxial cable connection module, multipolar connector for coaxial cable and multipolar composite connector | |
JP2009252918A (en) | Optical data link | |
JP2005071769A (en) | Connector | |
JPWO2016129278A1 (en) | Flexible substrate, component with flexible substrate, and method for manufacturing component with flexible substrate | |
JP2015038915A (en) | Flexible substrate and optical module | |
JP5663945B2 (en) | Flexible substrate and optical semiconductor device | |
JP2018041533A (en) | Substrate connector |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130418 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140401 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141111 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141124 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5663944 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |