JP2006013174A - 光半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 絶縁基体の凹部と透光性蓋体との密閉空間に内在した異物が、浮遊異物として光半導体素子の受光部に付着し固着することがなくなり、光半導体素子に外光を長期にわたって歪を生じることなく正常に受光させることができ、正常な電気信号を外部の機器や素子などに送ることが可能な信頼性の高い光半導体装置を提供すること。
【解決手段】 光半導体装置９は、上面に光半導体素子３を収容し搭載するための凹部１ａを有する絶縁基体１と、絶縁基体１の凹部１ａの内側から外側に導出された配線導体２と、絶縁基体１の凹部１ａの底面に搭載されるとともに電極４が配線導体２に電気的に接続された、上面の中央部に受光部３ａを有する光半導体素子３と、絶縁基体１の上面に凹部１ａを塞ぐようにして取着された、受光部３ａに対向する下面に凸部５ａが形成されている透光性蓋体５とを具備している。
【選択図】 図１

Description

本発明は、フォトダイオード、ラインセンサ、イメージセンサ等の受光素子である光半導体素子またはこれらの受光部を有する光半導体素子等を具備した光半導体装置に関する。

従来のフォトダイオード（ＰＤ）、ラインセンサ、イメージセンサ等の受光素子である光半導体素子またはこれらの受光部を有する光半導体素子を具備した光半導体装置を構成する絶縁基体は、上面に光半導体素子を収容するための凹部が形成されている。また、絶縁基体の凹部の内側から外側に配線導体が導出されている。

光半導体素子は絶縁基体の凹部内に収容されるとともに凹部の底面に樹脂接着剤等により接合されて搭載されており、その光半導体素子の上面の外周部等には電極が設けられている。光半導体素子の電極と上記配線導体のうち凹部の内側に露出した部位とが、Ａｕ，Ａｌ等から成るボンディングワイヤにより電気的に接続される。また、平板状の透光性蓋体が絶縁基体の上面に凹部を塞ぐようにして接合材を介して取着されている。

このように従来の光半導体装置は、透光性蓋体を有することにより、光半導体装置の内部空間にゴミなどの異物が侵入することを防止するとともに、光半導体装置の内部空間を密閉空間とすることで、外部雰囲気の湿気が光半導体装置内に侵入するのを極力防ぐようにして、光半導体素子の耐久性を向上させるようにしている。

そして、透光性蓋体を通して凹部内に進入した外光は、光半導体素子の受光部で受光されるとともに、光半導体素子により電気信号に変換される。変換されて生じた電気信号は、配線導体を経由して凹部の外側に導出され、光半導体装置の外部に配置された各種の機器や素子などに送られる。

なお、従来のＰＤ、ラインセンサ、イメージセンサ等の受光素子である光半導体素子またはこれらの受光部を有する光半導体素子を具備した光半導体装置において、絶縁基体と透光性蓋体とを接合する接合材としては、一般的にシリカフィラーを混入させたエポキシ樹脂やフェノール樹脂，クレゾール樹脂，粉体カーボンとシリコン樹脂粒子の混合体等が使用されている。

また、絶縁基体は酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミック焼結体等の焼結体（セラミックス）、エポキシ樹脂等の樹脂材料等により形成されており、例えばセラミック粉末を有機溶剤、樹脂バインダーとともにシート状に加工して得たセラミックグリーシートを積層し、焼成することにより作製される。
特開平１０−１１６９４０号公報

しかしながら、従来の光半導体装置においては、光半導体素子を気密封止している密閉空間内への外部からのゴミなどの異物や湿気等の侵入は効果的に防止することができるものの、蓋体で凹部を塞いで密閉空間内とする際に凹部内に残留している異物や、密閉空間内で新たに発生した微細な異物等が光半導体素子の受光部に付着し、受光特性が低下し易いという問題があった。また、この場合製品歩留まりも低下してしまう。

このような密閉空間内の異物としては、透光性蓋体を絶縁基体の上面に取着する前に異物の物理的除去手法（エアーブロー、粘着樹脂による除去方法等）により除去しきれなかった残留異物、蓋体を絶縁基体の上面に位置決め載置し取着する封止工程における混入や巻き込みによる異物、絶縁基体を構成する焼結体等の材料の微細な破片、光半導体素子を絶縁基体に接着させる接着剤、透光性蓋体を接合させる接合材等から発塵し密閉空間内に生じた異物等がある。これらの異物が、封止工程以降の工程、また完成品として出荷し輸送した際における振動等により、密閉空間内を移動し、一部が平板状の透光性蓋体の下面と光半導体素子の上面との間の空間に舞い込んで降下し光半導体素子の受光部に付着する。

特に、近時、ＰＤ、ラインセンサ、イメージセンサ等の光半導体素子は、画像の精細化や、センサとしての検知精度の高精度化等の要求に応じて受光部が非常に精細に形成されているため、１μｍ以下の微小な異物の付着や固着でも、このような受光特性の低下や製造歩留まりの低下等の問題を生じてしまう。

従って、本発明は上記問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、光半導体素子の受光部に、特に密閉空間内に存在する異物が付着するようなことが効果的に防止された、正常な電気信号を外部の機器や素子などに送ることが可能な信頼性の高い光半導体装置を提供することである。

本発明の光半導体装置は、上面に光半導体素子を収容し搭載するための凹部を有する絶縁基体と、該絶縁基体の前記凹部の内側から外側に導出された配線導体と、前記絶縁基体の前記凹部の底面に搭載されるとともに電極が前記配線導体に電気的に接続された、上面の中央部に受光部を有する光半導体素子と、前記絶縁基体の前記上面に前記凹部を塞ぐようにして取着された、前記受光部に対向する下面に凸部が形成されている透光性蓋体とを具備していることを特徴とする。

また、本発明の光半導体装置は好ましくは、前記凸部は、平面視で前記受光部よりも大きいことを特徴とする。

また、本発明の光半導体装置は好ましくは、前記凸部は、その下端と前記受光部との間の間隔が１０乃至５０μmであることを特徴とする。

また、本発明の光半導体装置は好ましくは、前記凸部は、その側面が下端から上端に向かうに伴って漸次外側に広がるように傾斜していることを特徴とするものである。

本発明の光半導体装置によれば、絶縁基体の凹部を塞ぐようにして取着された透光性蓋体は、受光部に対向する下面に凸部が形成されていることから、透光性蓋体の下面（凸部の下端面）と光半導体素子の上面との間の空間が非常に狭くなり、この空間内に、密閉空間内の異物が舞い込むことを抑制し、受光部に異物が降下し付着することを効果的に防止することができる。その結果、光半導体素子の受光部に、特に密閉空間内に存在する異物が付着するようなことが効果的に防止された、正常な電気信号を外部の機器や素子などに送ることが可能な信頼性の高い光半導体装置を提供することができる。また、製品歩留まりも高くすることができる。

また、本発明の光半導体装置は好ましくは、凸部は、平面視で受光部よりも大きいことから、特に異物が付着しやすい外周部も含めて受光部の全域において異物が付着することをより確実に防止でき、信頼性や受光特性により一層優れた光半導体装置とすることができる。

また、本発明の光半導体装置は好ましくは、凸部は、その下端と受光部との間の間隔が１０乃至５０μmであることから、透光性蓋体を受光部に直接接触させることなく、受光部へのキズ等の発生をより確実に防ぐことができ、信頼性の高い光半導体装置とすることができる。

本発明の光半導体装置は好ましくは、凸部は、その側面が下端から上端に向かうに伴って漸次外側に広がるように傾斜していることから、透光性蓋体自身の機械的強度を向上させることができ、大きな衝撃が加わるような環境で使われた場合でも透光性蓋体に割れ等の機械的な破壊が生じることが効果的に防止された、信頼性の高い光半導体装置とすることができる。また、透光性蓋体を通って受光部に達する外光は、受光部の直上の領域の外側から凹部内に斜めに入り込む外光も含めて透光性蓋体の内部を通過するため、受光部で受光される外光に歪み等を生じることはより効果的に軽減、防止され、より一層受光精度に優れた光半導体装置とすることができる。

本発明の光半導体装置について以下に詳細に説明する。図１は本発明の光半導体装置について実施の形態の一例を示す断面図である。図１において、１は絶縁基体、２は配線導体、３は光半導体素子、４は光半導体素子３の電極、５は透光性蓋体、６は光半導体素子３を絶縁基体１に接合し搭載するための接着剤、７は透光性蓋体５を絶縁基体１に取着するための接合材、８はボンディングワイヤである。これらの絶縁基体１、配線導体２、光半導体素子３および透光性蓋体５により、光半導体装置９が主に構成されている。

絶縁基体１は、その上面に形成された凹部１ａに光半導体素子３が収容されて凹部１ａの底面に接着剤６により接合されて搭載される。この光半導体素子３は上面に受光部３ａが設けられており、また光半導体素子３の上面の外周部には電源用や信号用等の電極４が設けられている。また、凹部１ａの内側から外側にかけて配線導体２が導出されており、凹部１ａの内側に露出した配線導体２と光半導体素子３の電極４とがＡｕ，Ａｌ等から成るボンディングワイヤ８で電気的に接続されている。

さらに、絶縁基体１の上面の凹部１ａの周囲の全周に樹脂接着剤等から成る接合材７を介して、ガラス，石英，サファイア，透明樹脂等から成る透光性蓋体５が接合されて取着されている。

本発明における絶縁基体１は、アルミナ質焼結体（アルミナセラミックス），窒化アルミニウムセラミックス，炭化珪素セラミックス，窒化珪素セラミックス，ガラスセラミックス等のセラミックス、樹脂等から成る。そして、絶縁基体１はその底板部の上面の外周部に別体の枠状の側壁部が設けられているか、または絶縁基体１の底板部と側壁部とが一体的に形成されていてもよい。

絶縁基体１は、例えば、アルミナ質焼結体から成り、底板部と側壁部とが一体に焼成して形成されている場合、アルミナ，シリカ等の原料粉末を有機溶剤，樹脂バインダーとともにシート状に成形して複数のセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう）を作製するとともに、一部のグリーンシートを枠状に打ち抜いて枠状のグリーンシートを作製し、その後、枠状のグリーンシートが上層に位置するようにしてグリーンシートを積層し、原料粉末の組成に応じて約１３００〜１６００℃の温度で焼成することにより形成される。

絶縁基体１の上面には、光半導体素子３を収容し底面に載置するための凹部１ａが形成されており、配線導体２が凹部１ａの内側から外側に導出されるとともに、この配線導体２のうち凹部１ａの内側に露出した部位に光半導体素子３の電極４がボンディングワイヤ８を介して接続されることにより、絶縁基体１に搭載された光半導体素子３は、電極４、ボンディングワイヤ８および配線導体２を介して外部電気回路に電気的に接続される。

この配線導体２は、タングステン，モリブデン，銅，銀等のメタライズ導体等により形成されている。そして、配線導体２は、例えば絶縁基体１となるグリーンシートに必要に応じて予め所定のスルーホールを形成し、タングステン，モリブデン，銅，銀等の金属ペーストをグリーンシートの表面やスルーホールの内面に印刷塗布したり充填しておくことにより形成される。

なお、図１では、凹部１ａの内側面に段差部を設け、その段差部の上面から絶縁基体１の下面に配線導体２を導出させた例を示しているが、段差部を設けずに、凹部１ａの底面等から配線導体２を凹部１ａの外側に導出させるようにしてもよい。配線導体２の導出させる部位は、絶縁基体１の下面に限らず、側面、側面および下面の両方等でもよい。

また、光半導体素子３は、その上面の中央部に受光部が設けられており、その上面の受光部の周囲である外周部には、電源用や信号用の電極４が設けられている。光半導体素子３は、ＰＤ，ラインセンサ，イメージセンサ，ＣＣＤ（Charge Coupled Device），ＥＰＲＯＭ（Erasable and Programmable ＲＯＭ）等の受光素子、またはこれらの受光部を有する光半導体素子などである。

光半導体素子３は絶縁基体１の凹部１ａの底面に載置され、樹脂接着剤，ろう材，低融点ガラス等から成る接着剤６によって接着されており、電極４と、配線導体２の凹部１ａの内側に露出している部分とは、Ａｕ，Ａｌ等からなるボンディングワイヤ８により電気的に接続される。

なお、ボンディングワイヤ８は、その長さが０．３〜３ｍｍであることが好ましい。０．３ｍｍ未満では、ボンディングワイヤ８が短すぎて十分なループを形成することが難しくなるため、光半導体素子３の電極４と配線導体２とを確実に接続することが難しくなり、接続不良が生じやすくなる。３ｍｍを超えると、ボンディングワイヤ８が長くなりすぎてループが不要に高くなる傾向があり、ボンディングワイヤ８に不要なインダクタンスが発生して高周波信号の伝送性が劣化しやすくなるとともにコスト高となる。

また、光半導体素子３の電極４と配線導体２との接続は、ボンディングワイヤ８により行うものに限らず、いわゆるリボン等の帯状の接続線等を用いてもよい。

また、透光性蓋体５が樹脂接着剤等からなる接合材７を介して絶縁基体１の上面に接合されて取着されており、これにより、光半導体素子３が絶縁基体１の凹部１ａと透光性蓋体５とで構成される密閉空間内に気密封止される。この接合材７は、例えば樹脂接着剤からなる場合、アクリル系樹脂，エポキシ系樹脂，フェノール系樹脂，クレゾール系樹脂，シリコン系樹脂，ポリエーテルアミド系樹脂等から成る。また接合材７は、余計な外光の入射を遮断するために、黒色，茶褐色，暗褐色，暗緑色，濃青色等の暗色系の顔料や染料を混入させてもよい。また、接合材７は、ガラス等の無機材料からなるものや、無機材料からなるフィラー粉末を樹脂接着剤に添加したものでもよい。

本発明の光半導体装置９は、画像認識装置，センサ,カメラ付き携帯電話,バーコードリーダー等の光学機器や電子機器の部品として使用される。例えば、光学機器や電子機器を構成する電気回路基板の所定位置に実装され、外光を受光するとともに光半導体素子３で電気信号に変換し、その電気信号を光学機器や電子機器を構成する電気回路基板の電気回路に供給する。

なお、光半導体装置９の外部電気回路基板への実装の際には、複数の光半導体装置９を搬送用トレイ等に収納し、まとめて実装用の装置まで搬送する必要があり、また、光半導体装置９をチャック等の保持装置で保持し、外部電気回路基板の所定位置に位置合わせする必要がある。また、光半導体装置９のトレイへの出し入れは、手作業による方法や自動搬送装置等の設備を用いる方法により行われる。

本発明の半導体装置９において、透光性蓋体５は、受光部３ａに対向する下面に凸部５ａが形成されている。これにより、透光性蓋体５の下面（凸部５ａの下端面）と光半導体素子３の上面との間の空間を非常に狭くすることができ、この空間内に、密閉空間内の異物が舞い込むことを抑制し、受光部３ａに異物が降下し付着することを効果的に防止することができる。その結果、光半導体素子３の受光部３ａに、特に密閉空間内に存在する異物が付着するようなことが効果的に防止された、正常な電気信号を外部の機器や素子などに送ることが可能な信頼性の高い光半導体装置９を提供することができる。また、製品歩留まりも高くすることができる。

このような凸部５ａが形成された透光性蓋体５は、透光性のガラスや樹脂等からなり、例えばガラスからなる場合、ある厚みを有する板状のガラス材を所定の蓋体の寸法に切断した後、凸部５ａを形成する部分の外側に切削加工を施して厚さを薄くし、段状に成形する方法等により作製することができる。

また本発明において、凸部５ａは、平面視で受光部３ａよりも大きいことが好ましい。これにより、凸部５ａが受光部よりも大きい範囲をカバーし、特に異物が付着しやすい外周部も含めて受光部３ａの全域において異物が付着することをより確実に防止でき、信頼性や受光特性により一層優れた光半導体装置９とすることができる。

また、凸部５ａは、平面視で受光部よりも大きいのがよく、光半導体素子３の電極パッド４よりも内側に位置するようにしておくことがより一層好ましい。この場合、浮遊異物が受光部３ａの全域において付着し固着することを防止でき、また電極パッド４に形成されたボンディングワイヤ８に接触することなく、信頼性や受光特性において一層優れた光半導体装置９とすることができる。

また、凸部５ａは、その下端と受光部３ａとの間の間隔を１０乃至５０μmとしておくとよく、その場合、透光性蓋体５が受光部３ａに直接接触することがないため、受光部３ａへの接触によるキズ、打痕等のダメージを与えることなく、信頼性の高い光半導体装置９とすることができる。

また、凸部５ａは、その側面が下端から上端に向かうに伴って漸次外側に広がるように傾斜していることが好ましい。これにより、透光性蓋体５自体の機械的強度を向上させることができ、大きな衝撃が加わるような環境、例えば常時携帯されて振動や衝撃等が加わりやすいカメラ付き携帯電話や、手持ち式のバーコードリーダー等に組み込まれて使われた場合でも、透光性蓋体５に割れ等の機械的な破壊が生じることが効果的に防止された、信頼性の高い光半導体装置９とすることができる。

また、透光性蓋体５を通って受光部３ａに達する外光は、受光部３ａの直上の領域の外側から凹部１ａ内に斜めに入り込む外光も含めて透光性蓋体５の内部を通過するため、受光部３ａで受光される外光に歪み等を生じることはより効果的に軽減、防止され、より一層受光精度に優れた光半導体装置９とすることができる。

また、透光性蓋体５の上下面の少なくとも一方に、紫外線を遮断するための光学膜を形成してもよい。なお、透光性蓋体５の下面とは、凸部５ａの露出面（側面や下端面）も含む。

また、本発明の光半導体装置９は、接合材７が透光性蓋体５の上面の外周部を覆っていることが好ましい。この構成により、例えば透光性蓋体５がガラスから成る場合でも、ガラスの破片が剥離しやすいエッジ部が接合材７で被覆されていることになり、外部からの衝撃、接触等により、そのエッジ部でガラスの破片が剥離するのをより一層効果的に防止することができる。その結果、破片が透光性蓋体５の表面に付着することがより効果的に防止され、歪を生じることなく外光が透光性蓋体５を通過するようにでき、受光特性に極めて優れた光半導体装置９を作製できる。

また、接合材７が透明な樹脂接着剤から成る場合、接合材７の屈折率が透光性蓋体５と同じであってもよい。この場合、接合材７と透光性蓋体５との界面で光の反射や散乱等が発生するのを効果的に抑制することができ、光半導体素子３に余分な反射光や散乱光が入射するのを防ぐことができる。また、接合材７が透明な樹脂接着剤から成る場合、その内部に含まれる気泡の体積が３０体積％以下であることがよい。３０体積％を超えると、接合材７の接合力が低下するとともに、気泡によって光が散乱され光半導体素子３に余分な散乱光が入射し易くなる。接合材７に含まれる気泡の割合を小さくするには、減圧室や真空装置内で接合材７を使用する方法、予め接合材７に含まれる気泡を真空脱泡する方法等がある。

なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、透光性蓋体５は、その全面が一様に透光性を有するものである必要は無く、光半導体素子３の受光部に受光される外光が通る部分を透光性に優れたものとするとともに、接合材７を介して絶縁基体１に接合される部位を粗面とし、アンカー効果で接合をより強固にして、気密封止の信頼性により一層優れる光半導体装置９としてもよい。

また、透光性蓋体５の外周部分を、遮光性の樹脂膜を貼り付ける等の手段で遮光性とし、余計な外光が凹部５内に入り込んだり、凹部５内で光が乱反射したりすることを防止し、余計な光が受光面で受光されることをより確実に防止して受光特性を向上させるようにしてもよい。

絶縁基体１を酸化アルミニウム質焼結体で、下面に凸部５ａを有する透光性蓋体５をホウケイ酸系ガラスでそれぞれ作製し、光半導体素子３としてＣＭＯＳを用いて、透光性蓋体５の凸部５ａの下端と光半導体素子３の受光部３との間の距離を表１に示すように変化させて、受光の信頼性について試験を行った。凸部５ａは、側面が下端から上端に向かうにともなって斜めに傾斜した形状（傾斜角度４５°）とした。

絶縁基体１は、１辺の長さが１４ｍｍ、厚さが１．７ｍｍの正方形の板状に形成されており、上面の中央部には１辺の長さが１０ｍｍ、深さが１．１ｍｍの平面視形状が正方形状の凹部１ａが形成されているものとした。

透光性蓋体５は、形成しようとする凸部５ａの高さを含む厚さのガラス板材を、まず所定の外寸に切断した後、外周部に全周にわたって枠状に切削加工を施して厚さを薄くし、その後、厚さの薄い部位の内周端から中央部に向かって斜めに切削加工を施すことにより、側面が傾斜した凸部５ａを有する形状に形成した。

光半導体素子３は、エポキシ系樹脂接着剤により凹部１ａの底面に接着固定し、透光性蓋体５は、エポキシ系樹脂で紫外線硬化性樹脂により絶縁基体１の上面に接合した。

作製した光半導体装置９について、周波数１２０Ｈｚ、加速度２０ｇ（ｇ：重力加速度）の振動を１２回加えた後、受光の信頼性を試験した。なお、比較試料として、凸部５ａを形成していない透光性蓋体５を用いた試料も用いた。

受光特性は、以下のようなテストにより受光特性の確認を行った。まず、評価用のテストボードを使用し、そのテストボードには、光半導体装置９の着脱可能なソケットが装着されている。テストを行う光半導体装置９をそのソケットにセットし、その光半導体装置９のガラス製の透光性蓋体５の上部には、透光性蓋体５及び光半導体装置９全体を覆うようにレンズ付きの鏡筒をセットする。セットした光半導体装置９によって、レンズを通してテスト用の被写体（白色ボード）を画像として取り込み、モニター用の画像装置に映像化させる。映像化した画面を確認し、画面上で異物の再付着を確認する試験を行った。このとき、異物の再付着があると真っ白でなければならない被写体に黒色または灰色の色調のものが現れ、異物の再付着が確認できる。その試験結果を表１に示す。

表１より、凸部５ａを形成したものの場合、凸部５ａの下端と受光部との間の距離が３〜６０μｍの場合において、いずれの場合にも受光特性を良好に確保することができた。

一方、凸部５ａを形成していないものの場合、受光の信頼性が不十分であった。

また、凸部５ａの下端と受光部３ａとの間の間隔が１０乃至５０μmのものの場合、受光部への接触によるキズ、打痕等のダメージを与えることなく、信頼性の高い光半導体装置９とすることができた。

これに対し、凸部５ａの下端と受光部３ａとの間の間隔が１０μm未満のものの場合、受光部の外周部にキズ等の発生が一部のものに見られた。生じたキズは浅く微細で、受光の信頼性の点では大きな問題を生じるようなものではなかったが、極めて高い受光精度を要求される高精細な写真の用途においては、精度が不十分となるおそれがある。

また、凸部５ａの下端と受光部３ａとの間の間隔が５０μｍを超えるものの場合、凸部５ａの下端と受光部３ａとの間の空間が広くなり、受光部の外周部等に微細な異物が付着し易くなり、受光の特性が若干低下する傾向が見られた。

なお、本発明の光半導体装置は、上述の実施の形態および実施例で説明した例に限らず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更は可能である。例えば、透光性蓋体５は、中央部が透光性部材で形成されるとともに、外周部が金属材料やセラミック材料等から成る枠部材に、透光性部材を樹脂接着剤やガラス、ろう材等を介して接合したものでもよい。

本発明の光半導体装置の実施の形態の例を示す断面図である。

符号の説明

１・・・絶縁基体
１ａ・・・凹部
２・・・配線導体
３・・・光半導体素子
４・・・電極
５・・・透光性蓋体
５ａ・・・凸部
７・・・接合材
８・・・ボンディングワイヤ
９・・・光半導体装置

Claims (4)

1. 上面に光半導体素子を収容し搭載するための凹部を有する絶縁基体と、該絶縁基体の前記凹部の内側から外側に導出された配線導体と、前記絶縁基体の前記凹部の底面に搭載されるとともに電極が前記配線導体に電気的に接続された、上面の中央部に受光部を有する光半導体素子と、前記絶縁基体の前記上面に前記凹部を塞ぐようにして取着された、前記受光部に対向する下面に凸部が形成されている透光性蓋体とを具備していることを特徴とする光半導体装置。
2. 前記凸部は、平面視で前記受光部よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
3. 前記凸部は、その下端と前記受光部との間の間隔が１０乃至５０μmであることを特徴とする請求項１または請求項２記載の光半導体装置。
4. 前記凸部は、その側面が下端から上端に向かうに伴って漸次外側に広がるように傾斜していることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光半導体装置。

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