JP2005243732A - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2005243732A
JP2005243732A JP2004048441A JP2004048441A JP2005243732A JP 2005243732 A JP2005243732 A JP 2005243732A JP 2004048441 A JP2004048441 A JP 2004048441A JP 2004048441 A JP2004048441 A JP 2004048441A JP 2005243732 A JP2005243732 A JP 2005243732A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical semiconductor
semiconductor device
recess
semiconductor element
translucent lid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004048441A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Hasegawa
剛 長谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2004048441A priority Critical patent/JP2005243732A/ja
Publication of JP2005243732A publication Critical patent/JP2005243732A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

【課題】 透光性蓋体と絶縁基体とが強固に接合されて、光半導体素子を収納する密閉空間の気密性に優れ、光半導体素子に外光を長期にわたって歪を生じることなく正常に受光させることができる信頼性の高い光半導体装置を提供すること。
【解決手段】 光半導体装置９は、上面に光半導体素子３を収容し搭載するための凹部１ａを有する絶縁基体１と、絶縁基体１の凹部１ａの内側から外側に導出された配線導体２と、絶縁基体１の凹部１ａの底面に接合されて搭載されるとともに電極４が配線導体２に電気的に接続された光半導体素子３と、絶縁基体１の上面に凹部１ａを塞ぐようにして接合材７を介して取着された透光性蓋体５とを具備し、透光性蓋体５は、側面５ａの上端が下端よりも外側に位置するように側面５ａが全周にわたって傾斜している。
【選択図】 図１

Description

本発明は、フォトダイオード、ラインセンサ、イメージセンサ等の受光素子である光半導体素子またはこれらの受光部を有する光半導体素子等を具備した光半導体装置に関する。
従来のフォトダイオード（ＰＤ）、ラインセンサ、イメージセンサ等の受光素子である光半導体素子またはこれらの受光部を有する光半導体素子を具備した光半導体装置を構成する絶縁基体は、上面に光半導体素子を収容するための凹部が形成されている。また、絶縁基体の凹部の内側から外側に配線導体が導出されている。
光半導体素子は絶縁基体の凹部内に収容されるとともに凹部の底面に樹脂接着剤等により接合されて搭載されており、その光半導体素子の上面の外周部等には電極が設けられている。光半導体素子の電極と上記配線導体のうち凹部の内側に露出した部位とが、Ａｕ，Ａｌ等から成るボンディングワイヤにより電気的に接続される。また、平板状の透光性蓋体が絶縁基体の上面に凹部を塞ぐようにして接合材を介して取着されている。
このように従来の光半導体装置は、透光性蓋体を有することにより、光半導体装置の内部空間にゴミなどの異物が侵入することを防止するとともに、光半導体装置の内部空間を密閉空間とすることで、外部雰囲気の湿気が光半導体装置内に侵入するのを極力防ぐようにして、光半導体素子の耐久性を向上させるようにしている。
なお、一般的な光半導体装置では、外部機器との電気的接続を行うために絶縁基体の外周部に外部接続端子が配設されており、その外部接続端子は、配線導体のうち凹部の外側に導出された部位と接続され、配線導体等を介して電極パッドと接続されている。
そして、光半導体素子により透光性蓋体を通して外光を受光して変換されて生じた電気信号は、配線導体および外部接続端子を経由して光半導体装置の外部に配置された各種の機器や素子などに送られる。
なお、従来のＰＤ、ラインセンサ、イメージセンサ等の受光素子である光半導体素子またはこれらの受光部を有する光半導体素子を具備した光半導体装置において、絶縁基体と透光性蓋体とを接合する接合材としては、一般的にシリカフィラーを混入させたエポキシ樹脂やフェノール樹脂，クレゾール樹脂，粉体カーボンとシリコン樹脂粒子の混合体等が使用されている。また、接合材は、通常、透光性蓋体を絶縁基体の上面に接合し取着しておくのに必要な程度の量が用いられており、透光性蓋体と絶縁基体との間に介在するとともに、透光性蓋体と絶縁基体との接合面の外側から透光性蓋体の側面にかけてはみ出すようにして被着されている。
特開平１０−１１６９４０号公報
しかしながら、従来の光半導体装置においては、透光性蓋体が平板状であるため、透光性蓋体の側面から絶縁基体の上面の外周部にかけて接合材のメニスカスを大きく形成することが難しいこと、絶縁基体と透光性蓋体とを接合している接合材が透光性蓋体と絶縁基体との間に介在するとともに、透光性蓋体と絶縁基体との接合面の外側から蓋体の側面にかけてはみ出す程度であるため、十分な量の接合材の溜まりを形成することが難しく、絶縁基体と透光性蓋体との接合材を介しての接合を効果的に強固なものとすることが難しいこと、また近時、光半導体装置の小型化にともない絶縁基体と透光性蓋体との接合面積が小さくなってきていること等から、絶縁基体と透光性蓋体との接合強度が不十分になる傾向があるという問題があった。
透光性蓋体の絶縁基体に対する接合が弱くなると、光半導体素子を収納する密閉空間の気密性が劣化し、密閉空間内に外部雰囲気の湿気等が侵入しやすくなって光半導体装置としての信頼性が低くなってしまう。
特に、近時、ＰＤ，ラインセンサ，イメージセンサ等の光半導体素子は、画像の精細化や、センサとしての検知精度の高精度化等の要求に応じて受光部が非常に精細に形成されているため、蓋体の接合強度のわずかな劣化によっても、このような信頼性の低下等の問題点を生じてしまう。
従って、本発明は上記問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、透光性蓋体と絶縁基体とが強固に接合されて、光半導体素子を収納する密閉空間の気密性に優れ、光半導体素子に外光を長期にわたって歪を生じることなく正常に受光させることができ、正常な電気信号を外部の機器や素子などに送ることが可能な信頼性の高い光半導体装置を提供することである。
本発明の光半導体装置は、上面に光半導体素子を収容し搭載するための凹部を有する絶縁基体と、該絶縁基体の前記凹部の内側から外側に導出された配線導体と、前記絶縁基体の前記凹部の底面に接合されて搭載されるとともに電極が前記配線導体に電気的に接続された光半導体素子と、前記絶縁基体の上面に前記凹部を塞ぐようにして接合材を介して取着された透光性蓋体とを具備しており、前記透光性蓋体は、側面の上端が下端よりも外側に位置するように側面が全周にわたって傾斜していることを特徴とするものである。
また、本発明の光半導体装置は、好ましくは、前記透光性蓋体は、四角板状であり、その各角部が平面視で円弧状とされていることを特徴とするものである。
また、本発明の光半導体装置は、好ましくは、前記透光性蓋体は、各角部において上面側の角部の曲率半径が下面側の角部の曲率半径よりも大きいことを特徴とするものである。
また、本発明の光半導体装置は、好ましくは、前記接合材が、前記透光性蓋体の側面から上面の外周部にかけて覆っていることを特徴とするものである。
本発明の光半導体装置によれば、透光性蓋体は、側面の上端が下端よりも外側に位置するように側面が全周にわたって傾斜していることから、透光性蓋体の側面と絶縁基体上面との成す角が鋭角となっており、その鋭角部に透光性蓋体と絶縁基体を接着させる接合材の溜まりを形成しやすくなり、メニスカスが大きく形成されるとともに充分な量の接合材を形成し接合することができるため、透光性蓋体を絶縁基体に接合材を介して強固に接合することができる。その結果、光半導体装置が小型化されたとしても、絶縁基体と透光性蓋体とから成る密閉空間の気密性を良好に確保し、光半導体素子に外光を長期にわたって正常に受光させることができ、正常な電気信号を外部の機器や素子などに送ることが可能な信頼性の高い光半導体装置を作製することができる。
また、本発明の光半導体装置は、好ましくは、透光性蓋体が四角板状であり、その各角部が平面視で円弧状とされているため、一般に機械的な破壊が生じやすい各角部において、透光性蓋体に剥離等の機械的な破壊が生じることをより確実に防止することができ、透光性蓋体による気密封止の信頼性をより一層優れたものとすることができるとともに、剥離にともなうガラスの破片（カレット）が透光性蓋体の表面に付着すること等により正常な受光が妨げられることを有効に防止することができ、より一層信頼性や受光の特性に優れた光半導体装置とすることができる。
また、本発明の光半導体装置は、好ましくは、透光性蓋体の各角部において上面側の角部の曲率半径が下面側の角部の曲率半径よりも大きいことから、透光性蓋体と絶縁基体の接合面（透光性蓋体の下面）における接合エリアの確保と透光性蓋体の上面における各角部でのガラスの破断や剥離をより確実に防止することができ、そのガラス破片の透光性蓋体への付着を防止でき、透光性蓋体を通って光半導体素子に受光される外光に歪等の不具合を生じることはより効果的に防止され、光半導体装置としての受光特性をより一層優れたものとすることができ、受光特性に極めて優れるとともに生産性も良好な光半導体装置を提供することができる。
また、本発明の光半導体装置は、好ましくは、接合材が、透光性蓋体の側面から上面の外周部にかけて覆っていることから、例えば、透光性蓋体がガラスから成る場合でも、ガラスの破片（カレット）が剥離しやすいエッジ部が接合材で被覆されていることになり、外部からの衝撃・接触等により、そのエッジ部でガラスの破片が剥離することをより一層効果的に防止することができる。その結果、カレットが透光性蓋体の表面に付着することはより効果的に防止され、歪を生じることなく外光が透光性蓋体を通過するようにでき、受光特性に極めて優れた光半導体装置を提供することができる。
本発明の光半導体装置について以下に詳細に説明する。図１は本発明の光半導体装置について実施の形態の例を示す断面図である。図１において、１は絶縁基体、２は配線導体、３は光半導体素子、４は光半導体素子の電極、５は透光性蓋体、６は光半導体素子３を絶縁基体１に接合し搭載するための接着剤、７は接合材、８はボンディングワイヤである。これらの絶縁基体１、配線導体２、半導体素子３、透光性蓋体５、接合材７およびボンディングワイヤ８により、光半導体装置９が主に構成されている。
本発明の絶縁基体１は、その上面に形成された凹部１ａに光半導体素子３が収容されて凹部１ａの底面に接着剤６により接合されて搭載される。この光半導体素子３は上面に受光部が設けられており、また光半導体素子３の上面の外周部には電源用や信号用等の電極４が設けられている。また、凹部１ａの内側から外側に配線導体２が導出されており、凹部１ａの内側に露出した配線導体２と光半導体素子３の電極４とがＡｕ，Ａｌ等から成るボンディングワイヤ８で電気的に接続されている。
さらに、絶縁基体１の上面の凹部１ａの周囲の全周に樹脂接着剤等から成る接合材７を塗布し、ガラス，石英，サファイア，透明樹脂等から成る透光性蓋体５が接合されて取着される。
本発明における絶縁基体１は、アルミナ質焼結体（アルミナセラミックス），窒化アルミニウムセラミックス，炭化珪素セラミックス，窒化珪素セラミックス，ガラスセラミックス等のセラミックス、樹脂等から成る。そして、絶縁基体１はその底板部の上面の外周部に別体の枠状の側壁部が設けられているか、または絶縁基体１の底板部と側壁部とが一体的に形成されていてもよい。
絶縁基体１は、例えば、アルミナ質焼結体から成り、底板部と側壁部とが一体焼成して形成されている場合であれば、アルミナ、シリカ等の原料粉末を有機溶剤，バインダーとともにシート状に成形して複数のセラミックグリーンシート（グリーンシート）を作製するとともに、一部のものを枠状に打ち抜いて枠状のグリーンシートを作製し、その後、枠状のグリーンシートが上層に位置するようにしてグリーンシートを積層し、原料粉末の組成に応じて約１３００℃〜１６００℃の温度で焼成することにより形成される。
絶縁基体１の上面には、光半導体素子３を収容し底面に載置するための凹部１ａが形成されており、配線導体２が凹部１ａの内側から外側に導出されるとともに、この配線導体２のうち凹部１ａの内側に露出した部位に光半導体素子３の電極４がボンディングワイヤ８を介して接続されることにより、絶縁基体１に搭載された光半導体素子３は、電極４、ボンディングワイヤ８および配線導体２を介して外部電気回路（図示せず）に電気的に接続される。
この配線導体２は、タングステン，モリブデン，銅，銀等のメタライズ導体等により形成されている。そして、配線導体２は、例えば絶縁基体１となるグリーンシートに必要に応じて予め所定のスルーホールを形成し、タングステン，モリブデン，銅，銀等の金属ペーストをグリーンシートの表面やスルーホールの内面に印刷塗布したり充填しておくことにより形成される。
また、光半導体素子３は、その上面の中央部に受光部が設けられており、その上面の受光部の周囲である外周部には、電源用や信号用の電極４が設けられている。光半導体素子３は、ＰＤ，ラインセンサ，イメージセンサ，ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、ＥＰＲＯＭ（Erasable and Programmable ＲＯＭ）等の受光素子、またはこれらの受光部を有する光半導体素子などからなるものである。
この光半導体素子３は絶縁基体１の凹部１ａの底面に載置され、樹脂接着剤，ろう材，
低融点ガラス等から成る接着剤６によって接着されており、光半導体素子３の上面の外周部には電極４が設けられている。光半導体素子３の電極４と、配線導体２の凹部１ａの内側に露出している部分とは、Ａｕ，Ａｌ等からなるボンディングワイヤ８により電気的に接続される。
なお、ボンディングワイヤ８は、その長さを０．３〜３ｍｍとすることが好ましい。０．３ｍｍ未満では、ボンディングワイヤ８が短すぎて十分なループを形成することが難しくなるため、光半導体素子３の電極４と電極パッドとを確実に接続することが難しくなり、接続不良が生じやすくなる。３ｍｍを超えると、ボンディングワイヤ８が長くなりすぎてループが不要に高くなる傾向があり、ボンディングワイヤ８に不要なインダクタンスが発生して高周波信号の伝送性が劣化しやすくなるとともにコスト高となる。
また、光半導体素子３の電極４と配線導体２との接続は、ボンディングワイヤ８により行うものに限らず、いわゆるリボン等の帯状の接続線等を用いてもよい。
また、透光性蓋体５が樹脂接着剤等からなる接合材７を介して絶縁基体１の上面に接合されて取着されており、これにより、光半導体素子３を収容し搭載した凹部１ａが気密封止される。この接合材７は、例えば樹脂接着剤からなる場合、アクリル系樹脂，エポキシ系樹脂，フェノール系樹脂，クレゾール系樹脂，シリコン系樹脂，ポリエーテルアミド系樹脂等から成る。また接合材７は、余計な外光の入射を遮断するために、黒色，茶褐色，暗褐色，暗緑色，濃青色等の暗色系の顔料や染料を混入させてもよい。また、接合材７は、ガラス等の無機材料からなるものや、無機材料からなるフィラー粉末を樹脂接着剤に添加したものでもよい。
また、透光性蓋体５の上下面の少なくとも一方に、紫外線を遮断するための光学膜を形成してもよい。
この光半導体装置９は、画像認識装置，センサ等の光学機器や電子機器の部品として使用される。例えば、光学機器や電子機器を構成する外部電気回路基板（図示せず）の所定位置に実装され、外光を受光するとともに光半導体素子３で電気信号に変換し、その電気信号を光学機器や電子機器を構成する外部電気回路基板に供給する。
なお、光半導体装置９の外部電気回路基板への実装の際には、複数の光半導体装置９を搬送用トレイ等に収納し、まとめて実装用の装置まで搬送する必要があり、また、光半導体装置９をチャック等の保持装置で保持し、外部電気回路基板の所定位置に位置合わせする必要がある。また、光半導体装置９のトレイへの出し入れは、手作業による方法や自動搬送装置等の設備を用いる方法により行われる。
本発明の半導体装置９において、透光性蓋体５は、側面５ａの上端が下端よりも外側に位置するように側面５ａが全周にわたって傾斜している。これにより、透光性蓋体５の側面５ａと絶縁基体１の上面１ｂとの成す角が鋭角となっており、その鋭角部に透光性蓋体５と絶縁基体１を接着させる接合材７の溜まりを形成しやすくなり、メニスカスが大きく形成されるとともに充分な量の接合材７を形成し接合することができるため、透光性蓋体５を絶縁基体１に接合材７を介して強固に接合することができる。その結果、光半導体装置９が小型化されたとしても、絶縁基体１と透光性蓋体５とから成る密閉空間の気密性を良好に確保し、光半導体素子３に外光を長期にわたって正常に受光させることができ、正常な電気信号を外部の機器や素子などに送ることが可能な信頼性の高い光半導体装置９を提供することができる。
このような、側面５ａの上端が下端よりも外側に位置するように側面５ａが全周にわたって傾斜している透光性蓋体５は、透光性のガラスや樹脂等からなり、例えばガラスからなる場合、板状のガラス材を所定の蓋体の寸法に切断した後、その断面を側面５ａに沿って研磨加工を施して斜めに鋭角状に成形する方法等の方法により作製することができる。
また、本発明の光半導体装置９は、透光性蓋体５が四角板状であり、その各角部が平面視で円弧状とされていることが好ましい。
この構成により、一般に機械的な破壊が生じやすい各角部において、透光性蓋体５に剥離等の機械的な破壊が生じることをより確実に防止することができ、透光性蓋体５による気密封止の信頼性をより一層優れたものとすることができるとともに、剥離にともなうガラスの破片（カレット）が透光性蓋体５の表面に付着すること等により正常な受光が妨げられることを有効に防止することができ、より一層信頼性や受光の特性に優れた光半導体装置９とすることができる。
また、本発明の光半導体装置９は、透光性蓋体５の各角部において上面側の角部の曲率半径が下面側の角部の曲率半径よりも大きいことが好ましい。
この構成により、透光性蓋体５と絶縁基体１の接合面（透光性蓋体５の下面）における接合エリアの確保と透光性蓋体５の上面における各角部でのガラスの破断・剥離をより確実に防止することができ、そのガラス破片の透光性蓋体５への付着を防止でき、透光性蓋体５を通って光半導体素子３に受光される外光に歪等の不具合を生じることはより効果的に防止され、光半導体装置９としての受光特性をより一層優れたものとすることができ、受光特性に極めて優れるとともに生産性も良好な光半導体装置９を提供することができる。
この場合、透光性蓋体５は、側面５ａと上面とのなす角度は、４５〜８０度が好ましい。この角度が８０度を超える角度では、直角（９０度）の場合に比べて接合強度の点で明らかな効果は得られず、４５度未満の場合は、透光性蓋体の下面に対する上面の大きさが大きくなりすぎ、光半導体装置９の小型化の点でかえって光半導体装置９が大きくなり好ましくない。
透光性蓋体５の側面５ａは、その上端が下端よりも外側に位置するように側面が全周にわたって傾斜しているとともに、側面５ａが凸になるような曲面であってもよい。これにより、良好なメニスカスを形成することができるとともに、透光性蓋体５の上面と側面５ａと成す角度を大きくすることができる、すなわち透光性蓋体５の上面における各角部でのガラスの強度を確保することができるので、ガラスの破断や剥離をより効果的に防止することができる。
また、透光性蓋体５の各角部における上面側の角部の曲率半径は、Ｒ０．２〜１．０ｍｍ程度、下面側の角部の曲率半径は、Ｒ０．０５〜０．４ｍｍ程度が好ましい。上面側の角部のＲ（曲率半径）が０．２ｍｍ未満であれば、ほぼ直角に等しくなり、衝撃・接触によるガラスの剥離が発生してしまい、Ｒ１．０ｍｍを超える場合では、衝撃・接触によるガラスの剥離は低減できる傾向はあるが、ガラス側面の加工の難易度およびコストアップ等の問題を生じてしまう。
さらに下面側の角部のＲ（曲率半径）が０．４ｍｍを超える場合は、例えば、絶縁基体１を上から見たときの凹部１ａの角部の内角が９０度の場合、絶縁基体１の凹部１ａの角部における透光性蓋体５との接合エリアが充分に確保できないおそれがあり、絶縁基体１と透光性蓋体５との接合材７による接合が充分行われず、接合強度の低下の可能性が生じる。下面側の角部のＲ（曲率半径）が０．０５ｍｍ未満であれば、ほぼ直角に等しくなり、衝撃や接触によるガラスの剥離が発生してしまう。
また、本発明の光半導体装置９は、接合材７が、透光性蓋体５の側面５ａから上面の外周部にかけて覆っていることが好ましい。
この構成により、例えば、透光性蓋体５がガラスから成る場合でも、ガラスの破片（カレット）が剥離しやすいエッジ部（側面５ａと上面との間の稜線部分）が接合材７で被覆されていることになり、外部からの衝撃や接触等により、そのエッジ部でガラスの破片が剥離することをより一層効果的に防止することができる。その結果、カレットが透光性蓋体５の表面に付着することはより効果的に防止され、歪を生じることなく外光が透光性蓋体５を通過するようにでき、受光特性に極めて優れた光半導体装置９を提供することができる。
また、接合材７が透明な樹脂接着剤から成る場合、接合材７の屈折率が透光性蓋体５と同じであってもよい。この場合、接合材７と透光性蓋体５との界面で光の反射や散乱等が発生するのを効果的に抑制することができ、光半導体素子３に余分な反射光や散乱光が入射するのを防ぐことができる。また、接合材７が透明な樹脂接着剤から成る場合、その内部に含まれる気泡の体積が３０体積％以下であることがよい。３０体積％を超えると、接合材７の接合力が低下するとともに、気泡によって光が散乱され光半導体素子３に余分な散乱光が入射する場合がある。接合材７に含まれる気泡の割合を小さくするには、減圧室や真空装置内で接合材７を使用する方法、予め接合材７に含まれる気泡を真空脱泡する方法等がある。
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、透光性蓋体５は、その全面が一様に透光性を有するものである必要は無く、光半導体素子３の受光部に受光される外光が通る部分を透光性に優れたものとするとともに、接合材７を介して絶縁基体１に接合される部位を粗面とし、アンカー効果で接合をより強固にして、気密封止の信頼性により一層優れる光半導体装置９としてもよい。
また、透光性蓋体５の外周部分を、遮光性の樹脂膜を貼り付ける等の手段で遮光性とし、余計な外光が凹部５内に入り込んだり、凹部５内で光が乱反射したりすることを防止し、余計な光が受光面で受光されることをより確実に防止して受光特性を向上させるようにしてもよい。
本発明の光半導体装置の実施の形態の例を示す断面図である。
符号の説明
１・・・絶縁基体
１ａ・・・凹部
１ｂ・・・絶縁基体上面
２・・・配線導体
３・・・光半導体素子
４・・・電極
５・・・透光性蓋体
５ａ・・・透光性蓋体の側面
７・・・接合材
９・・・光半導体装置

Claims (4)

  1. 上面に光半導体素子を収容し搭載するための凹部を有する絶縁基体と、該絶縁基体の前記凹部の内側から外側に導出された配線導体と、前記絶縁基体の前記凹部の底面に接合されて搭載されるとともに電極が前記配線導体に電気的に接続された光半導体素子と、前記絶縁基体の上面に前記凹部を塞ぐようにして接合材を介して取着された透光性蓋体とを具備しており、前記透光性蓋体は、側面の上端が下端よりも外側に位置するように側面が全周にわたって傾斜していることを特徴とする光半導体装置。
  2. 前記透光性蓋体は、四角板状であり、その各角部が平面視で円弧状とされていることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
  3. 前記透光性蓋体は、各角部において上面側の角部の曲率半径が下面側の角部の曲率半径よりも大きいことを特徴とする請求項２記載の光半導体装置。
  4. 前記接合材が、前記透光性蓋体の側面から上面の外周部にかけて覆っていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光半導体装置。
JP2004048441A 2004-02-24 2004-02-24 光半導体装置 Pending JP2005243732A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004048441A JP2005243732A (ja) 2004-02-24 2004-02-24 光半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004048441A JP2005243732A (ja) 2004-02-24 2004-02-24 光半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005243732A true JP2005243732A (ja) 2005-09-08

Family

ID=35025173

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004048441A Pending JP2005243732A (ja) 2004-02-24 2004-02-24 光半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005243732A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007123444A (ja) 光素子収納用パッケージ、並びに、光装置およびその製造方法
JP4601331B2 (ja) 撮像装置および撮像モジュール
JP2006041456A (ja) 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP2005101338A (ja) 光半導体装置
JP2005210045A (ja) 光半導体装置
JP2005243732A (ja) 光半導体装置
JP2005317598A (ja) 光半導体装置
JP2006041313A (ja) 光半導体装置
JP2005159088A (ja) 光半導体装置
JP2005217025A (ja) 光半導体装置
JP2006013174A (ja) 光半導体装置
JP2006013264A (ja) 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP2005050937A (ja) 光半導体装置
JP2006156528A (ja) 半導体装置
JP2005159085A (ja) 光半導体装置
JP2002033407A (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
JP4522236B2 (ja) 電子装置および電子装置の実装構造
JP2005093675A (ja) 蓋体およびこれを用いた光半導体素子収納用パッケージ
JP4203367B2 (ja) 半導体装置
JP2005050940A (ja) 半導体装置
JP2004349567A (ja) 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
JP4583086B2 (ja) 光半導体装置
JP4780933B2 (ja) 光半導体装置
JP4557676B2 (ja) 半導体装置の実装構造
JP2004356346A (ja) 半導体装置