JP2006005129A - 光伝送モジュール、光伝送モジュールの製造方法および電子機器 - Google Patents

光伝送モジュール、光伝送モジュールの製造方法および電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP2006005129A
JP2006005129A JP2004179394A JP2004179394A JP2006005129A JP 2006005129 A JP2006005129 A JP 2006005129A JP 2004179394 A JP2004179394 A JP 2004179394A JP 2004179394 A JP2004179394 A JP 2004179394A JP 2006005129 A JP2006005129 A JP 2006005129A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
transmission module
optical transmission
semiconductor chip
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2004179394A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiko Suzuki
和彦 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2004179394A priority Critical patent/JP2006005129A/ja
Publication of JP2006005129A publication Critical patent/JP2006005129A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

【課題】 発光素子又は受光素子についての耐湿性を向上することができる光伝送モジュール、光伝送モジュールの製造方法および電子機器を提供する。
【解決手段】 面発光レーザ素子を有してなる半導体チップ20と、半導体チップ20が接合される基板10とを有してなる光伝送モジュール1であって、半導体チップ20と基板10とは、間隙をもって接合されており、半導体チップ20の発光面と基板10の一方面である配線面とが向き合うように接合されており、基板10は、面発光レーザ素子の発光部21から出射された光が透過可能な材質及び構造を有しており、半導体チップ20と基板10との間隙には、前記光が透過可能な樹脂である第1樹脂31が配置されており、第1樹脂31の露出面及び半導体チップ20の露出面を覆うように配置された第2樹脂32を有することを特徴とする。
【選択図】 図1

Description

本発明は、光伝送モジュール、光伝送モジュールの製造方法および電子機器に関するものである。
近年、データ伝送は益々高速化・大容量化が求められており、この要求に対応するために光伝送が注目されている。そして光伝送を可能にするための各種の光伝送モジュールが提案されている。従来の光伝送モジュールとしては、シリコン基板の上面に端面発光型の半導体レーザチップを接合して、光導波路をシリコン基板上に形成しているものがある。また、光導波路と半導体レーザチップの発光部との間を透明な第1の樹脂で光結合し、第1の樹脂、半導体レーザチップ及びその近傍の光導波路を、不透明な第2の樹脂で覆う光伝送モジュールが考え出されている。この第2の樹脂は、光結合空間をなす第1の樹脂への気泡の取り込みを防ぎ、光結合損失の増加を回避することを目的に設けられたものである(例えば、特許文献1参照)。
特開平11−260969号公報
ところで、光伝送モジュールの発光源とされる半導体レーザは、水分を吸収することで発光パワーが低減するなどの機能低下が起こることを本願の発明者が実験的に確認した。そして、上記特許文献1に記載の光伝送モジュールは、第2の樹脂が半導体レーザに湿気が侵入することを低減する機能があるとする見解もある。
しかしながら、上記特許文献1に記載の光伝送モジュールでは、端面発光型の半導体レーザを用いているので、半導体レーザの発光部が外気空間の近傍に配置され、半導体レーザの防湿を十分に図ることが困難である。すなわち、特許文献1に記載の光伝送モジュールでは、半導体レーザチップ自体は半導体レーザの発光部から湿気が侵入することについて何ら機能せず、第1の樹脂及び第2の樹脂のみで半導体レーザの防湿を図っている。したがって、半導体レーザの防湿を十分に図るためには、第2の樹脂の膜厚を過大にしなければならず、光伝送モジュールの大型化及び製造コストの増大を招くことになる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、発光素子又は受光素子についての耐湿性を向上することができる光伝送モジュール、光伝送モジュールの製造方法および電子機器を提供することを目的とする。
また、本発明は、コンパクトな構成としながら発光素子又は受光素子についての耐湿性を向上することができ、簡便に且つ低コストで製造することができる光伝送モジュール、光伝送モジュールの製造方法および電子機器を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の光伝送モジュールは、面発光レーザ素子を有してなる半導体チップと、前記半導体チップが接合される基板とを有してなる光伝送モジュールであって、前記半導体チップと基板とは、間隙をもって接合されているとともに、該半導体チップの発光面と該基板の一方面である配線面とが向き合うように接合されており、前記基板は、前記面発光レーザ素子から出射された光が透過可能な材質及び構造を有しており、前記半導体チップと基板との間隙には、前記光が透過可能な樹脂である第1樹脂が配置されており、前記第1樹脂の露出面及び前記半導体チップの露出面を覆うように配置された第2樹脂を有することを特徴とする。
本発明によれば、面発光レーザ素子に湿気(水分)が侵入することを、その面発光レーザ素子が設けられている半導体チップ、基板、第1樹脂及び第2樹脂によって、効果的に回避することができる。すなわち、半導体チップのみを見たときに、面発光レーザ素子に湿気が1番侵入し易い部分は、発光部(光出射部)である。本発明の光伝送モジュールでは、発光部が半導体チップ全体と基板全体とで挟まれた位置にあるので、発光部から面発光レーザ素子内に湿気が侵入することを、半導体チップ全体及び基板全体で低減させることができる。さらに、第1樹脂及び第2樹脂は、半導体チップと基板との間隙を通って面発光レーザ素子内に湿気が侵入することを低減させることができる。さらに、第2樹脂は、半導体チップを通って面発光レーザ素子内に湿気が侵入することを低減させることができる。一方、上記特許文献1に記載の光伝送モジュールでは、半導体チップ自体は発光部から湿気が侵入することについて何ら機能していない。これらにより、本発明の光伝送モジュールは、従来の光伝送モジュールよりも発光素子についての耐湿性を向上させることができ、製品寿命を延ばすことができる。
上記目的を達成するために、本発明の光伝送モジュールは、受光素子を有してなる半導体チップと、前記半導体チップが接合される基板とを有してなる光伝送モジュールであって、前記半導体チップと基板とは、間隙をもって接合されているとともに、該半導体チップの受光面と該基板の一方面である配線面とが向き合うように接合されており、前記基板は、受光素子によって電気信号に変換される光が透過可能な材質及び構造を有しており、前記半導体チップと基板との間隙には、前記光が透過可能な樹脂である第1樹脂が配置されており、前記第1樹脂の露出面及び前記半導体チップの露出面を覆うように配置された第2樹脂を有することを特徴とする。
本発明によれば、受光素子に湿気が侵入することを、その受光素子が設けられている半導体チップ、基板、第1樹脂及び第2樹脂によって、効果的に回避することができる。すなわち、半導体チップのみを見たときに、受光素子に湿気が1番侵入し易い部分は、受光部(光入射領域)である。本発明の光伝送モジュールでは、受光部が半導体チップ全体と基板全体とで挟まれた位置にあるので、受光部から面発光レーザ素子内に湿気が侵入することを、半導体チップ全体及び基板全体で低減させることができる。さらに、第1樹脂及び第2樹脂は、半導体チップと基板との間隙を通って受光素子内に湿気が侵入することを低減させることができる。さらに、第2樹脂は、半導体チップを通って受光素子内に湿気が侵入することを低減させることができる。一方、上記特許文献1に記載の光伝送モジュールでは、半導体チップ自体は発光部(受光部に相当)から湿気が侵入することについて何ら機能していない。これらにより、本発明の光伝送モジュールは、従来の光伝送モジュールよりも受光素子についての耐湿性を向上させることができ、製品寿命を延ばすことができる。
また、本発明の光伝送モジュールは、前記第2樹脂の吸水率が前記第1樹脂の吸水率よりも小さいことが好ましい。
本発明によれば、例えば、防湿効果の大小にかかわらず透明度の高い樹脂を第1樹脂に適用して、光結合効率の高い光伝送モジュールを構成することができる。さらに、透明度の有無にかかわらず防湿効果の高い樹脂を第2樹脂に適用して、発光素子及び受光素子についての耐湿性を、さらに向上させることができる。そこで、本発明は、光結合効率が高く、従来よりも製品寿命の長い光伝送モジュールを提供することができる。
また、本発明の光伝送モジュールは、前記第1樹脂が第2樹脂と同一の材料からなることが好ましい。
本発明によれば、従来の面発光レーザを備えた光伝送モジュールと比べて、第2樹脂の防湿効果の分だけ、発光素子についての防湿性を高めることができる。すなわち、従来の面発光レーザを備えた光伝送モジュールでは、本発明における第2樹脂に相当する構成要素がなかった。そこで、本発明は、面発光レーザを用いることでコンパクト化及び高性能化することができ、耐湿性が高くて製品寿命の長い光伝送モジュールを提供することができる。
また、本発明の光伝送モジュールは、前記第1樹脂の屈折率が前記基板の屈折率とほぼ同一であることが好ましい。
本発明によれば、例えば面発光レーザ素子から出射された光は第1樹脂に入射し、その後、第1樹脂を透過してから基板に入射し、その後、基板を透過して、本光伝送モジュールに接続された外部装置(光ファイバなど)に入射する。ここで、第1樹脂と基板の屈折率が同一であるので、その第1樹脂と基板との境界面でかかる光が反射することを回避することができる。また、上記外部装置側から基板及び第1樹脂を透過して受光素子に入射する光が上記境界面で反射することも回避することができる。しがたって、本発明の光伝送モジュールは、耐湿性を高めながら、光結合効率をより高めることができる。
また、本発明の光伝送モジュールは、前記第2樹脂が遮光性を有する(前記光の伝播路について外乱光の侵入を防ぐ機能を有する)ことが好ましい。
本発明によれば、第1樹脂などの光導波路(光伝播路)に外乱光が侵入することを、第2樹脂によって回避することができる。
また、本発明の光伝送モジュールは、前記第1樹脂が熱硬化性の樹脂であることが好ましい。
本発明によれば、液状体の第1樹脂を半導体チップと基板との間隙に充填し、その後、かかる第1樹脂について加熱することで簡便に硬化させて、本発明に係る光伝送モジュールを製造することができる。一方、第1樹脂を紫外線硬化型とした場合は、第1樹脂の大部分が半導体チップ又は基板の影となり、その大部分に紫外線を照射することが困難となり、硬化させることが困難となる。そこで、本発明は、耐湿性の高い光伝送モジュールを低コストで提供することができる。
また、本発明の光伝送モジュールは、前記第2樹脂が熱硬化性の樹脂又は紫外線硬化性の樹脂であることが好ましい。
本発明によれば、第2樹脂の大部分が露出しているので、その第2樹脂が紫外線硬化性であっても熱硬化性であっても簡便に硬化させることができる。そこで、本発明は、耐湿性の高い光伝送モジュールを低コストで提供することができる。
また、本発明の光伝送モジュールは、前記第1樹脂が酸無水物硬化型のエポキシ樹脂からなることが好ましい。
本発明によれば、光透過性及び粘度の調整がし易く、且つ比較的安価な酸無水物硬化型のエポキシ樹脂を用いて、第1樹脂を簡便に構成することができる。
また、本発明の光伝送モジュールは、前記第2樹脂がアミン系のエポキシ樹脂からなることが好ましい。
本発明によれば、防湿効果の高い第2樹脂を構成することができる。したがって、第1樹脂として防湿効果の低い酸無水物硬化型のエポキシ樹脂を用いた場合でも、耐湿性の高い光伝送モジュールを提供することができる。
また、本発明の光伝送モジュールは、前記半導体チップが前記基板にフリップチップ実装されており、前記面発光レーザ素子の光出射部は、前記半導体チップの発光面におけるほぼ中央に配置されており、前記面発光レーザ素子から出射された光が前記発光面及び前記基板の配線面に対してほぼ垂直に交差するように、構成されていることが好ましい。
本発明によれば、半導体チップと基板間に間隙を持たせながら、その基板と半導体チップとを機械的及び電気的に簡便に接合することができる。さらに、光出射部が半導体チップの発光面におけるほぼ中央に配置されているので、半導体チップ、基板、第1樹脂及び第2樹脂のもつ防湿機能をより有効に発揮させることができる。さらに、面発光レーザ素子から出射された光が発光面及び基板の配線面に対してほぼ垂直に交差するので、その交差面での反射を回避でき、光結合効率を向上させることができる。そこで本発明は、耐湿性が高く、且つ光結合効率の高い光伝送モジュールを低コストで提供することができる。
また、本発明の光伝送モジュールは、前記半導体チップが前記基板にフリップチップ実装されており、前記受光素子の受光部は、前記半導体チップの受光面におけるほぼ中央に配置されており、前記受光部に入射する光が前記受光面及び前記基板の配線面に対してほぼ垂直に交差するように、構成されていることが好ましい。
本発明によれば、半導体チップと基板間に間隙を持たせながら、その基板と半導体チップとを機械的及び電気的に簡便に接合することができる。さらに、受光部が半導体チップの受光面におけるほぼ中央に配置されているので、半導体チップ、基板、第1樹脂及び第2樹脂のもつ防湿機能をより有効に発揮させることができる。さらに、受光部に入射する光が発光面及び基板の配線面に対してほぼ垂直に交差するので、その交差面での反射を回避でき、光結合効率を向上させることができる。そこで本発明は、耐湿性が高く、且つ光結合効率の高い光伝送モジュールを低コストで提供することができる。
上記目的を達成するために、本発明の光伝送モジュールの製造方法は、面発光レーザ素子を有してなる半導体チップと、前記面発光レーザ素子から出射された光が透過可能な材質及び構造を持つ基板とを有してなる光伝送モジュールの製造方法であって、前記半導体チップの発光面と前記基板の一方面である配線面とが向き合うように、且つ該発光面と配線面との間に間隙があるように、該半導体チップを該基板上に実装し、前記光が透過可能な樹脂である第1樹脂を、液状体として前記間隙に充填し、前記充填された第1樹脂を硬化させた後に、該第1樹脂よりも吸水率の小さい第2樹脂を、液状体として前記第1樹脂の露出面及び前記半導体チップの露出面を覆うように塗布しその後硬化させることを特徴とする。
本発明によって製造された光伝送モジュールによれば、面発光レーザ素子に湿気が侵入することを、その面発光レーザ素子が設けられている半導体チップ、基板、第1樹脂及び第2樹脂によって、効果的に回避することができる。さらに、本発明によれば、防湿効果の大小にかかわらず透明度の高い第1樹脂を用いて光導波路を形成でき、光結合効率の高い光伝送モジュールを製造することができる。さらに、本発明によれば、透明度の有無にかかわらず防湿効果の高い第2樹脂を用いて、耐湿性の高い光伝送モジュールを製造することができる。これらにより、本発明によれば、光結合効率が高く、且つ、従来の光伝送モジュールよりも発光素子についての耐湿性が高く製品寿命の長い光伝送モジュールを簡便に製造することができる。
上記目的を達成するために、本発明の光伝送モジュールの製造方法は、受光素子を有してなる半導体チップと、前記受光素子によって電気信号に変換される光が透過可能な材質及び構造を持つ基板とを有してなる光伝送モジュールの製造方法であって、前記半導体チップの受光面と前記基板の一方面である配線面とが向き合うように、且つ該受光面と配線面との間に間隙があるように、該半導体チップを該基板上に実装し、前記光が透過可能な樹脂である第1樹脂を、液状体として前記間隙に充填し、前記充填された第1樹脂を硬化させた後に、該第1樹脂よりも吸水率の小さい第2樹脂を、液状体として前記第1樹脂の露出面及び前記半導体チップの露出面を覆うように塗布しその後硬化させることを特徴とする。
本発明によって製造された光伝送モジュールによれば、受光素子に湿気が侵入することを、その受光素子が設けられている半導体チップ、基板、第1樹脂及び第2樹脂によって、効果的に回避することができる。さらに、本発明によれば、防湿効果の大小にかかわらず透明度の高い第1樹脂を用いて光導波路を形成でき、光結合効率の高い光伝送モジュールを製造することができる。さらに、本発明によれば、透明度の有無にかかわらず防湿効果の高い第2樹脂を用いて、耐湿性の高い光伝送モジュールを製造することができる。これらにより、本発明によれば、光結合効率が高く、且つ、従来の光伝送モジュールよりも受光素子についての耐湿性が高く製品寿命の長い光伝送モジュールを簡便に製造することができる。
上記目的を達成するために、本発明の電子機器は、前記光伝送モジュール、又は、前記光伝送モジュールの製造方法を用いて製造された光伝送モジュールを有してなることを特徴とする。
本発明によれば、極めて高速にデータを伝送でき、コンパクト化でき、耐湿性が高くて信頼性が高く、製品寿命の長い電子機器を低コストで提供することができる。
以下、本発明の実施形態に係る光伝送モジュール及びその製造方法について、図面を参照して説明する。
(構造例)
図1は、本発明の実施形態に係る光伝送モジュールの一例を示す断面図である。本実施形態に係る光伝送モジュール1は、基板10と、基板10上にフリップチップ実装された半導体チップ20とを有して構成されている。基板10は、透明な材料からなり、例えばガラス、フレキシブルテープ、ガラスエポキシ、セラミックス又は半導体などからなる。そして、基板10の一方面(上面)は、電気配線11が形成された配線面となっている。
また、基板10の配線面には、半導体チップ20に形成されている面発光レーザ素子についての駆動回路など各種電子回路が形成されている。電気配線11は、例えば銅(Cu)、アルミニウム(Al)又は金(Au)などの電気導電率及び熱伝導性のよい材料からなることが好ましい。また、電気配線11の端部の表面には、金(Au)、銅(Cu)又はアルミニウム(Al)などからなるメッキ12が被覆されている。
半導体チップ20は、面発光レーザ素子を有している。そして、半導体チップ20の一方面(下面)である発光面には、その面発光レーザ素子の発光部(光出射部)21が配置されている。さらに半導体チップ20の発光面には、バンプ22が複数設けられている。バンプ22の構成材料は、金(Au)、Ni/Au、無鉛ハンダなど導電性が良好なものであれば何でもよい。バンプ22は、半導体チップ20の配線と電気的に接続されている。また、バンプ22は、半導体チップ20の発光面における基板10のメッキ12の位置に対応する位置に設けられている。そこで、バンプ22によって半導体チップ20が基板10上に機械的に接続されているとともに、バンプ22によって半導体チップ20の回路(面発光レーザ)と基板10の電気配線11とが電気的に接続されている。
そして、図1に示すように、半導体チップ20と基板10とは、微小な間隙をもって接合されているとともに、半導体チップ20の発光面(下面)と基板の配線面(上面)とが向き合うように接合されている。また、基板10は、発光部21から出射された光が透過可能な材質及び構造となっている。すなわち、基板10における半導体チップ20の発光部21に対向する部位には、電気配線11及び電子素子などが配置されていない。
半導体チップ20と基板10との間隙には、発光部21から出射された光が透過可能な樹脂である第1樹脂31が充填されている。これらにより、発光部21から出射された光は、第1樹脂31及び基板10を透過して、本光伝送モジュール1の外部に出射することとなる。第1樹脂31の屈折率は、基板10の屈折率とほぼ同一であることが好ましい。このようにすると、発光部21から出射された光が第1樹脂31と基板10との境界面で反射することを殆ど無くすことができ、光結合効率を高めることができる。
さらに、光伝送モジュール1では、第1樹脂31の露出面(側面)及び半導体チップ20の露出面(側面及び上面)を覆うように、第2樹脂32が配置されている。第2樹脂32は、第1樹脂31よりも吸水率の小さい樹脂からなることが好ましい。但し、第2樹脂32と第1樹脂31とが同じ種類の樹脂からなるものとしてもよい。第1樹脂31及び第2樹脂32は、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系など各種の樹脂を適用することができる。また、第2樹脂32は、第1樹脂31とは異なり、光透過性がなくてもよく、外乱光が第1樹脂31に侵入することを防ぐ遮光性が高いものとしてもよい。
具体例としては、第1樹脂31として酸無水物硬化型のエポキシ樹脂を用いる。第2樹脂32の具体例としては、アミン系のエポキシ樹脂、又は、アミン系若しくはメルカブト系の防錆剤が添加されたエポキシ樹脂を用いる。
これらにより、本実施形態の光伝送モジュール1によれば、半導体チップ20の面発光レーザ素子に湿気が侵入することを、半導体チップ20、基板10、第1樹脂31及び第2樹脂32によって、効果的に回避することができる。また、本実施形態の光伝送モジュール1では、発光部21が、半導体チップ20の発光面におけるほぼ中央に配置されている。これにより、光伝送モジュール1の外部から発光部21までの湿気侵入経路を効果的に長くすることができ、防湿効果をより高めることができる。さらに、本実施形態の光伝送モジュール1では、発光部21から出射された光が基板10の配線面に対してほぼ垂直に交差するように、構成されている。これにより、発光部21が出射された光が基板10の配線面で反射することを回避でき、光結合効率を向上させることができる。そこで、本実施形態の光伝送モジュール1は、耐湿性が高く、且つ光結合効率の高い光伝送モジュールを低コストで提供することができる。
本実施形態の光伝送モジュール1は、第2樹脂32の吸水率が第1樹脂31の吸水率よりも小さいこととすることにより、防湿効果の大小にかかわらず透明度の高い樹脂を第1樹脂31に適用して、光結合効率の高い光伝送モジュールを構成でき、透明度の有無にかかわらず防湿効果の高い樹脂を第2樹脂32に適用して、面発光レーザ素子についての耐湿性をさらに向上させることができる。そこで、本実施形態は、光結合効率が高く、従来よりも製品寿命の長い光伝送モジュール1を提供することができる。ここで、第2樹脂32を第1樹脂31と同一種類の樹脂で構成した場合でも、第2樹脂32の分だけ、光伝送モジュール1の外部から発光部21までの湿気侵入経路を長くすることができ、防湿効果を従来の面発光レーザ内蔵の光伝送モジュールよりも高めることができる。
また、本実施形態では、第1樹脂31として酸無水物硬化型のエポキシ樹脂を用いることにより、第1樹脂31を形成するための液状体の樹脂の粘度を容易に調整することができる。そこで、基板10と半導体チップ20との間隙が例えば20μmから30μmの微小なものであっても、その間隙の隅々に良好に且つ簡便に第1樹脂31を充填することができ、製造コストなどを低減することができる。また、本実施形態によれば、第2樹脂32として耐湿性の高いアミン系のエポキシ樹脂を用いることにより、より耐湿性の高い光伝送モジュール1を提供することができる。
上記実施形態の光伝送モジュール1では半導体チップ20が面発光レーザ素子を有することとしているが、半導体チップ20は面発光レーザ素子の代わりに受光素子を有することとしてもよい。この場合、図1における発光部21が受光部となる。ここで、受光素子としては、例えば、フォトダイオード、フォトトランジスタ、CCD(Charge Coupled Device)などが挙げられる。また、本実施形態の光伝送モジュール1の半導体チップ20は、半導体チップ20が面発光レーザ素子と共に受光素子を有することとしてもよい。この場合、基板10は、面発光レーザ素子から出射された光及び受光素子に入射する光が透過可能な材質及び構造を有していることが必要となる。
(製造方法)
図2及び図3は、本発明の実施形態に係る光伝送モジュールの製造方法を示す断面図である。まず、基板10の配線面上に各種の電子素子及び複数の電気配線11を形成する。また、電気配線11の端部の表面にメッキ12を施す。次いで、図2に示すように、面発光レーザ素子及びバンプ22が形成された半導体チップ20を基板10上にフリップチップ実装する。このフリップチップ実装では、基板10の配線面と半導体チップ20の発光面とが互いに向き合うように、且つ、その発光面と配線面との間に間隙が形成されるように実装する。そして、基板10のメッキ12と半導体チップ20のバンプ22とが接合するように、フリップチップ実装する。
上記フリップチップ実装においては、例えば従来からあるフリップチップボンダーを用いることができる。すなわち、フリップチップボンダー内の吸着ヘッドに半導体チップ20を光素子を吸着させ、マークインデックス法にて基板10及び半導体チップ20の両方に設けたアライメントマークをカメラにて認識しながら位置合わせして、半導体チップ20を基板10にマウント(接合)する。ここで、半導体チップ20のバンプ22と基板10のメッキ12との接合形態は、加熱加圧、マウント後リフロー、異方性導電膜、導電性接着剤など各種の形態を適用することができる。
その後、図3に示すように、半導体チップ20と基板10との間に形成されているバンプ22の厚さ分の隙間に、第1樹脂31(液状体)を充填する。この充填は、例えばディスペンサにて行う。その後、キュア炉、ホットプレート又はクリーンオーブンなどを用いて加熱処理することなどで第1樹脂31を硬化させる。この場合の第1樹脂31は、熱硬化性の樹脂であることが前提となる。第1樹脂31を例えば紫外線硬化型の樹脂として、基板10を透過した紫外線などで第1樹脂を硬化させることとしてもよい。ただし、基板10に設けた電気配線11などが上記紫外線照射の影となるので、第1樹脂31は加熱処理で硬化させることが好ましい。この硬化した第1樹脂は、半導体チップ20の発光部21から出射される光に対して透明なものであればよく、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系など何でもよい。
その後、図1に示すように、第1樹脂31よりも吸水率の小さい第2樹脂32(液状体)を、第1樹脂31の露出面及び半導体チップ20の露出面を覆うように塗布し、次いでその第2樹脂32を硬化させる。ここで、第2樹脂32の塗布は、ディスペンサで行ってもよく、液滴吐出装置のインクジェットノズルから第2樹脂32を液滴として吐出する液滴吐出方式などで行ってもよい。第2樹脂32の硬化処理は、加熱処理であっても紫外線照射処理であってもどちらでもよい。これは、第2樹脂32は、第1樹脂31とは異なり、露出面積が大きいからである。これらにより、上記構造の本実施形態に係る光伝送モジュール1が完成する。
これらにより、本実施形態の製造方法によれば、半導体チップ20の面発光レーザ素子に湿気が侵入することを効果的に回避でき、耐湿性の高い光伝送モジュール1を低コストで簡便に製造することができる。また、本実施形態の製造方法においては、半導体チップ20は面発光レーザ素子の代わりに受光素子を有することとしてもよい。この場合においても、上記製造方法をそのまま適用することができる。
(従来の半導体装置との比較)
図4は、本発明の実施形態に係る光伝送モジュール1について信頼性試験を行った結果を示す図である。図4では、光伝送モジュール1の面発光レーザの駆動電流I(A)を横軸にとり、その面発光レーザの光出力P(W)を縦軸に取っている。なお、光出力P(W)は、光伝送モジュール1の基板10から外部に出射された光を受光素子で電力に変換したものである。
そして、図4における曲線K1は、光伝送モジュール1に対して温度及び湿度についての負荷を与えていない状態、すなわち製造したての状態におけるの発光特性(データ)を示している。曲線K2は、光伝送モジュール1を温度85℃、湿度85%の雰囲気に300時間入れたときの発光特性を示している。曲線K3は、光伝送モジュール1を温度85℃、湿度85%の雰囲気に1000時間入れたときの発光特性を示している。このように本実施形態の光伝送モジュール1は、時間の経過とともに発光特性が徐々に低下していくが、一般的な使用状態においては十分な信頼性及び寿命を有している。
図5は、従来の光伝送モジュールについて信頼性試験を行った結果を示す図である。なお、図4と図5とは、横軸及び縦軸についての単位長さ当たりの値は同一であることとする。ここで、従来の光伝送モジュールとして、例えば図1の光伝送モジュール1における第2樹脂32がない状態、すなわち図3に示す状態のものを用いる。図5における曲線K11は、従来の光伝送モジュールに対して温度及び湿度についての負荷を与えていない状態、すなわち製造したての状態におけるの発光特性を示している。曲線K12は、従来の光伝送モジュールを温度85℃、湿度85%の雰囲気に300時間入れたときの発光特性を示している。曲線K13は、従来の光伝送モジュールを温度85℃、湿度85%の雰囲気に1000時間入れたときの発光特性を示している。
このように、従来の光伝送モジュールは、時間の経過とともに発光特性が低下する率が本実施形態の光伝送モジュール1と比較して、大きい。したがって、本実施形態の光伝送モジュール1は、従来の光伝送モジュールよりも発光素子についての耐湿性を向上させることができ、製品寿命を延ばすことができる。
(電子機器システム)
図6は、本発明の実施形態に係る光伝送モジュール1を利用した電子機器システムの一例を示す斜視図である。ここで、光伝送モジュール1における基板10の下面に光ファイバの一端が接合される。光伝送モジュール1は、上記のように面発光レーザ素子を備えたものでもよく、受光素子を備えたものでもよい。すなわち、光ファイバの一端に面発光レーザ素子を備えた光伝送モジュール1を設け、その光ファイバの他端に受光素子を備えた光伝送モジュール1を設ける。これにより光信号を送受信できる光伝送装置60が構成される。
光伝達装置60は、各電子機器70を相互に接続する。光伝達装置60は、ケーブル61にそのケーブル61の両端にプラグ62が設けられている。ケーブル61は1つ又は複数の光ファイバを有する。一端のプラグ62には、上記実施形態で説明した面発光レーザ素子を備えた光伝送モジュール1を内蔵している。他端のプラグ62には、受光素子を備えた光伝送モジュール1を内蔵している。
そして、光伝送モジュール1を有したプラグ62が接続された電子機器70から出力された電気信号は、光伝送モジュール1の面発光レーザ素子によって光信号に変換される。この光信号は光ファイバ(ケーブル61)を介して他方の電子機器70に接続されたプラグ62に備えられた光伝送モジュール1の受光素子に入力される。受光素子は、その入力された光信号を電気信号に変換する。受光素子によって変換された電気信号は、他方の電子機器70に入力される。
このように、光伝達装置60によれば、一方の電子機器70から他方の電子機器70へ光信号によって情報伝達を行うことができる。ここで、他方の電子機器70から一方の電子機器70へ光信号によって情報伝達を行うことができる光伝達装置60を併せて接続すれば、両電子機器70との間において双方向の光信号による情報伝達ができる。
なお、電子機器70として、コンピュータ、記憶装置、液晶表示モニタ、CRT、プラズマディスプレイ、デジタルテレビ、小売店のレジ(POS(Pointof Sale Scanning)用)、ビデオ、チューナ、ゲーム装置、プリンタ、その他情報通信機器等が上げられる。
(電子機器)
次に上記実施形態の光伝送モジュールを構成要素とする電子機器について説明する。
図7(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図7(a)において、符号600は上記実施形態の光伝送モジュール1を有してなる携帯電話本体を示し、符号601は表示部を示している。図7(b)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図7(b)において、符号700は情報処理装置、符号701はキーボードなどの入力部、符号702は表示部、符号703は上記実施形態の光伝送モジュール1を有してなる情報処理装置本体を示している。図7(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図7(c)において、符号800は上記実施形態の光伝送モジュール1を有してなる時計本体を示し、符号801は表示部を示している。
図6に示す電子機器システム及び図7に示す電子機器は、上記実施形態の光伝送モジュール1を備えているので、極めて高速にデータを伝送でき、コンパクト化でき、耐湿性が高くて信頼性が高く、製品寿命の長いものとすることができる。
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施形態で挙げた具体的な材料や層構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
例えば、上記実施形態では、光伝送モジュールにおける発光素子又は受光素子について防湿性を高める構成及び方法について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばシリコン基板におけるLSI素子の封止に本発明を適用することができる。この場合は、図1における基板10上にフリップチップ実装される半導体チップ20はシリコン基板からなり、その半導体チップ20には上記面発光レーザ素子の代わりにLSI素子が設けられている構成となる。このようにすると、LSIについての耐湿性を向上させることができ、コンパクト化及び高速化を図りながら信頼性の高い情報処理装置などを構成することができる。
例えば、本実施形態の電子機器としては、図7に示すものに限られることなく、種々の電子機器に本発明を適用することができる。例えば、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ(PC)及びエンジニアリング・ワークステーション(EWS)、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、POS端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に本発明を適用することができる。
本発明の実施形態に係る光伝送モジュールの一例を示す断面図である。 本発明の実施形態に係る光伝送モジュールの製造方法を示す断面図である。 本発明の実施形態に係る光伝送モジュールの製造方法を示す断面図である。 同上の光伝送モジュールの信頼性試験についての結果を示す図である。 従来の光伝送モジュールの信頼性試験についての結果を示す図である。 本発明の実施形態に係る電子機器システムを示す斜視図である。 本発明の実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
符号の説明
1…光伝送モジュール、10…基板、11…電気配線、12…メッキ、20…半導体チップ、21…発光部、22…バンプ、31…第1樹脂、32…第2樹脂

Claims (15)

  1. 面発光レーザ素子を有してなる半導体チップと、
    前記半導体チップが接合される基板とを有してなる光伝送モジュールであって、
    前記半導体チップと基板とは、間隙をもって接合されているとともに、該半導体チップの発光面と該基板の一方面である配線面とが向き合うように接合されており、
    前記基板は、前記面発光レーザ素子から出射された光が透過可能な材質及び構造を有しており、
    前記半導体チップと基板との間隙には、前記光が透過可能な樹脂である第1樹脂が配置されており、
    前記第1樹脂の露出面及び前記半導体チップの露出面を覆うように配置された第2樹脂を有することを特徴とする光伝送モジュール。
  2. 受光素子を有してなる半導体チップと、
    前記半導体チップが接合される基板とを有してなる光伝送モジュールであって、
    前記半導体チップと基板とは、間隙をもって接合されているとともに、該半導体チップの受光面と該基板の一方面である配線面とが向き合うように接合されており、
    前記基板は、受光素子によって電気信号に変換される光が透過可能な材質及び構造を有しており、
    前記半導体チップと基板との間隙には、前記光が透過可能な樹脂である第1樹脂が配置されており、
    前記第1樹脂の露出面及び前記半導体チップの露出面を覆うように配置された第2樹脂を有することを特徴とする光伝送モジュール。
  3. 前記第2樹脂の吸水率は、前記第1樹脂の吸水率よりも小さいことを特徴とする請求項1又は2に記載の光伝送モジュール。
  4. 前記第1樹脂は、第2樹脂と同一の材料からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の光伝送モジュール。
  5. 前記第1樹脂の屈折率は、前記基板の屈折率とほぼ同一であることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の光伝送モジュール。
  6. 前記第2樹脂は、遮光性を有することを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の光伝送モジュール。
  7. 前記第1樹脂は、熱硬化性の樹脂であることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の光伝送モジュール。
  8. 前記第2樹脂は、熱硬化性の樹脂又は紫外線硬化性の樹脂であることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の光伝送モジュール。
  9. 前記第1樹脂は、酸無水物硬化型のエポキシ樹脂からなることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の光伝送モジュール。
  10. 前記第2樹脂は、アミン系のエポキシ樹脂からなることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の光伝送モジュール。
  11. 前記半導体チップは、前記基板にフリップチップ実装されており、
    前記面発光レーザ素子の光出射部は、前記半導体チップの発光面におけるほぼ中央に配置されており、
    前記面発光レーザ素子から出射された光が前記発光面及び前記基板の配線面に対してほぼ垂直に交差するように、構成されていることを特徴とする請求項1,3,4,5,6,7,8,9,10のいずれか一項に記載の光伝送モジュール。
  12. 前記半導体チップは、前記基板にフリップチップ実装されており、
    前記受光素子の受光部は、前記半導体チップの受光面におけるほぼ中央に配置されており、
    前記受光部に入射する光が前記受光面及び前記基板の配線面に対してほぼ垂直に交差するように、構成されていることを特徴とする請求項2から10のいずれか一項に記載の光伝送モジュール。
  13. 面発光レーザ素子を有してなる半導体チップと、前記面発光レーザ素子から出射された光が透過可能な材質及び構造を持つ基板とを有してなる光伝送モジュールの製造方法であって、
    前記半導体チップの発光面と前記基板の一方面である配線面とが向き合うように、且つ該発光面と配線面との間に間隙があるように、該半導体チップを該基板上に実装し、
    前記光が透過可能な樹脂である第1樹脂を、液状体として前記間隙に充填し、
    前記充填された第1樹脂を硬化させた後に、該第1樹脂よりも吸水率の小さい第2樹脂を、液状体として前記第1樹脂の露出面及び前記半導体チップの露出面を覆うように塗布しその後硬化させることを特徴とする光伝送モジュールの製造方法。
  14. 受光素子を有してなる半導体チップと、前記受光素子によって電気信号に変換される光が透過可能な材質及び構造を持つ基板とを有してなる光伝送モジュールの製造方法であって、
    前記半導体チップの受光面と前記基板の一方面である配線面とが向き合うように、且つ該受光面と配線面との間に間隙があるように、該半導体チップを該基板上に実装し、
    前記光が透過可能な樹脂である第1樹脂を、液状体として前記間隙に充填し、
    前記充填された第1樹脂を硬化させた後に、該第1樹脂よりも吸水率の小さい第2樹脂を、液状体として前記第1樹脂の露出面及び前記半導体チップの露出面を覆うように塗布しその後硬化させることを特徴とする光伝送モジュールの製造方法。
  15. 請求項1から12のいずれか一項に記載の光伝送モジュール、又は、請求項13若しくは14に記載の光伝送モジュールの製造方法を用いて製造された光伝送モジュールを、有してなることを特徴とする電子機器。

JP2004179394A 2004-06-17 2004-06-17 光伝送モジュール、光伝送モジュールの製造方法および電子機器 Withdrawn JP2006005129A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004179394A JP2006005129A (ja) 2004-06-17 2004-06-17 光伝送モジュール、光伝送モジュールの製造方法および電子機器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004179394A JP2006005129A (ja) 2004-06-17 2004-06-17 光伝送モジュール、光伝送モジュールの製造方法および電子機器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006005129A true JP2006005129A (ja) 2006-01-05

Family

ID=35773246

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004179394A Withdrawn JP2006005129A (ja) 2004-06-17 2004-06-17 光伝送モジュール、光伝送モジュールの製造方法および電子機器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006005129A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021051134A (ja) * 2019-09-24 2021-04-01 日本電信電話株式会社 光集積回路、及び光集積回路モジュール

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021051134A (ja) * 2019-09-24 2021-04-01 日本電信電話株式会社 光集積回路、及び光集積回路モジュール
JP7368155B2 (ja) 2019-09-24 2023-10-24 日本電信電話株式会社 光集積回路、及び光集積回路モジュール

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4743107B2 (ja) 光電気配線部材
JP5037450B2 (ja) 表示素子・電子素子モジュールおよび電子情報機器
US7651279B2 (en) Optical-electrical transmission connector, optical-electrical transmission device and electronic device
US8928803B2 (en) Solid state apparatus
JPWO2008139763A1 (ja) 光通信モジュールとその製造方法及び光送受信装置
JP2011095333A (ja) 実装構造体
JP4359201B2 (ja) 光半導体装置、光コネクタおよび電子機器
JP2010045082A (ja) 表示素子・電子素子モジュールおよびその製造方法、電子情報機器
KR102008909B1 (ko) 광 커넥터 및 이를 구비하는 스택 모듈
US8625938B2 (en) Electronic device having optical communicating part
US20110026887A1 (en) Mounting structure
JP2008010837A (ja) 光通信モジュールとその製造方法及び光送受信装置
US9523830B2 (en) Optical module and transmitting device
CN113035795B (zh) 芯片封装结构和电子设备
JP2007212915A (ja) 光電気複合基板及び電子機器
TWI247152B (en) Array type optical sub-device
KR101276508B1 (ko) 광전 배선 모듈
JP2006005129A (ja) 光伝送モジュール、光伝送モジュールの製造方法および電子機器
KR102395435B1 (ko) 지문 인식 장치 및 이를 포함하는 전자 디바이스
JP2005353637A (ja) 光モジュール及び電子機器
JP2009098625A (ja) 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP4935936B2 (ja) 光電気配線部材
KR102654358B1 (ko) 이미지 센서 패키지, 및 이를 포함하는 카메라 장치
JP2013195445A (ja) 光受信用の光学構造、画像表示装置モジュール、及びそれを備えた電子機器
TWI836620B (zh) 電子裝置及其拼接電子裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20070904