JP2005538543A - DCパワー減少抵抗を有するコヒーレントTHzエミッタ - Google Patents
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Abstract
Description
ラインフォーカス技術は、ファイバ結合THz装置であって、特にTHzボローブシステムを組み入れる場合に更に困難である。
光導電性材料;並びに
光導電性ギャップにおいてバイアスを印加するために前記光導電性材料により与えられる前記光導電性ギャップにより隔てられている、第1及び第2接触要素;
から構成されるエミッタであり、
前記の第1及び第2接触要素の少なくとも1つは、周波数の第1領域より低い周波数の第2領域にある前記第1及び第2接触要素間の電流を制限するための抵抗要素から構成される、エミッタを提供する。
エッジは、光導電性材料の表面の下に埋め込まれている。
励起レーザの繰り返し周波数を表す値を決定する段階;
エミッタの静電容量を表す値を決定する段階;及び
テラヘルツエミッタのRC時定数と繰り返し周波数を示す値とを等しくすることにより抵抗値を計算する段階;
から構成される、方法を提供する。
励起レーザの繰り返し周波数を示す値の領域を決定する段階;
エミッタの静電容量を表す値を決定する段階;及び
テラヘルツエミッタのRC時定数と繰り返し周波数を示す値とを等しくすることにより抵抗値領域を計算する段階;
から構成される、方法を提供する。
式A=1/(RC)を用いて抵抗値を決定する段階;
から構成され、ここで、Aは励起レーアの繰り返し周波数であり、Cはアンテナ電極の静電容量である、方法を提供する。
小さく、安価な構成により大きい電圧を生成することができる。更に具体的には、1:50トランスは、体積が代表的には数cm3であり、20Wの電力増幅器により駆動されることができ、それらは、一般に、安価な構成要素であるため、小さい構成を実現できる。必要とされる電力は、エミッタ中の電流が小さいために、非常に小さい。
Claims (24)
- 周波数の第1領域において放射線を出射するためのエミッタであって:
光導電性材料;並びに
光導電性ギャップにおいてバイアスを印加するために前記光導電性材料により与えられる前記光導電性ギャップにより隔てられている、第1及び第2接触要素;
から構成されるエミッタであり、
前記の第1及び第2接触要素の少なくとも1つは、周波数の第1領域より低い周波数の第2領域にある前記第1及び第2接触要素間の電流を制限するための抵抗要素から構成される;
ことを特徴とするエミッタ。 - 請求項1に記載のエミッタであって、前記の周波数の第1領域は、0.02THz乃至100THzの周波数領域の少なくとも一部にある、ことを特徴とするエミッタ。
- 請求項1又は2に記載のエミッタであって、前記の少なくとも1つの接触要素は、前記抵抗要素と直列に設けられたアンテナ電極から更に構成され、前記アンテナ電極は前記光導電性ギャップに隣接して設けられ、前記抵抗要素より小さい抵抗値を有する、ことを特徴とするエミッタ。
- 請求項1乃至3のいずれ一項に記載のエミッタであって、前記の少なくとも1つの電極は、外部の電気的接続が前記抵抗要素に対してなされるように、前記抵抗要素と直列に設けられた接触電極から更に構成される、ことを特徴とするエミッタ。
- 請求項1乃至4のいずれ一項に記載のエミッタであって、前記抵抗要素はエミッタに統合される、ことを特徴とするエミッタ。
- 請求項1乃至5のいずれ一項に記載のエミッタであって、前記抵抗要素は、ITO(Indium Tin Oxide)、酸化インジウム、酸化スズ、インジウムチタン酸化物、酸化チタン、ニッケルクロム、ドープされた二酸化シリコン、シリサイド、ポリシリコン、カーボン、ドープされたGaAs、低濃度にドープされたシリコン、ニクロム又はAlGaAsへテロ層の少なくとも1つから構成される、ことを特徴とするエミッタ。
- 請求項1乃至6のいずれ一項に記載のエミッタであって、前記光導電性材料は、Si、Ge、GaAs、LT−GaAs、As注入GaAs、InAs、イオン注入Si、イオン注入Ge、LT−InAs、LT−InGaAs、LT−AlGaAs、III−V族化合物半導体、II−VI族化合物半導体、イオン注入半導体及び低温成長半導体の少なくとも1つから構成される、ことを特徴とするエミッタ。
- 請求項1乃至7のいずれ一項に記載のエミッタであって、エミッタの出射表面の少なくとも一部を覆う誘電体膜から更に構成される、ことを特徴とするエミッタ。
- 請求項3に記載のエミッタであって、誘電体膜はアンテナ電極の少なくとも一部を覆っている、ことを特徴とするエミッタ。
- 請求項1乃至9のいずれ一項に記載のエミッタであって、誘電体膜は光導電性ギャップの少なくとも一部を覆っている、ことを特徴とするエミッタ。
- 請求項8乃至10のいずれ一項に記載のエミッタであって、誘電体膜は、窒化シリコン、ポリシリコン、窒化ゲルマニウム、アクリル又は二酸化シリコンの少なくとも1つから
構成される、ことを特徴とするエミッタ。 - 請求項1乃至11のいずれ一項に記載のエミッタであって、光導電性ギャップに隣接する接触要素のエッジは光導電性材料の表面の下に埋め込まれている、ことを特徴とするエミッタ。
- 請求項1乃至12のいずれ一項に記載のエミッタであって、光導電性ギャップに隣接して設けられた第1及び第2接触要素は丸められている、ことを特徴とするエミッタ。
- 請求項1乃至13のいずれ一項に記載のエミッタであって、前記抵抗要素は抵抗値Rを有し、ここで、R>1/ACであり、Aは励起レーザの繰り返し周波数であり、そしてCは接触要素の静電容量である、ことを特徴とするエミッタ。
- 請求項1乃至14のいずれ一項に記載のエミッタであって、前記抵抗要素は少なくとも5kΩの抵抗値を有する、ことを特徴とするエミッタ。
- テラヘルツエミッタにおいてバイアス抵抗として用いる抵抗値を決定する方法であって:
励起レーザの繰り返し周波数を表す値を決定する段階;
エミッタの静電容量を表す値を決定する段階;及び
テラヘルツエミッタのRC時定数と繰り返し周波数を表す値を等しくすることにより抵抗値を計算する段階;
から構成されることを特徴とする方法。 - 光導電性基板と基板表面のアンテナ電極とから構成されるテラヘルツエミッタにおいて直列のバイアス抵抗として用いる抵抗値Rを決定するための方法であって:
式A=1/(RC)を用いて抵抗値を決定する段階であって、ここで、Aは励起レーアの繰り返し周波数であり、Cはアンテナ電極の静電容量である、段階;
から更に構成される、ことを特徴とする方法。 - 請求項17に記載の方法であって、Cは、抵抗要素とアンテナとの間の導体の静電容量から更に構成され、その導体はアンテナに給電する、ことを特徴とする方法。
- 請求項1乃至15のいずれ一項に記載のエミッタから構成されることを特徴とする画像化のための機器。
- 請求項1乃至15のいずれ一項に記載のエミッタから構成される構造体の構成情報を決定することを特徴とする機器。
- 請求項19又は20に記載の機器であって、AC電圧を用いてエミッタをバイアスするためのトランスから更に構成される、ことを特徴とする機器。
- 請求項19乃至21のいずれ一項に記載の機器であって、パルス化レーザ源から更に構成される、ことを特徴とする機器。
- 請求項1乃至15のいずれ一項に記載のエミッタを有するテラヘルツ放射線を発生し、検出するためのシステムであって、そのシステムの検出器はボウタイアンテナのテラヘルツ受信器から構成されることを特徴とするシステム。
- 添付図を参照して明細書において記載されたことを特徴とするエミッタ。
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