JP2005527961A - イオン注入システムで用いるためのビームストップ - Google Patents
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Abstract
Description
(ΔTt )αt =(ΔTb )αb
ここで、αt はタイルの熱膨張率であり、αbは基部の熱膨張率である。
(ΔTt )αt =(ΔTb )αb (1)
ここで、αt はタイルの熱膨張率であり、αbは基部の熱膨張率である。均一な膨張はタイルに及ぼされる歪力/応力を有益に低減し、それによってタイルが割れるのを防止する。ここで用いられている「均一な膨張」および上記の式(1)に記載された等式はタイルの平均の熱膨張が基部の平均の熱膨張のプラス・マイナス5%以内にある限り満たされる。
12 ビームストップ
14 ビーム伝達アセンブリ
16 ビーム形成装置
18 イオン供給源
20 イオンアナライザー
22 加速器
24 半導体ウェハー
26 終了ステーション
28 終了ステーション
28a 環状部分
30 露出ゾーン
32 基部
32a 表面
34 熱伝導層
36 タイル
38 流路
40 ファラデーカップ
42 磁石
44 絶縁体
46 電気回路
48 抵抗器
50 電圧計
52 磁力線
54 構造
56 磁石
58 追加的な部材
60 ファラデーカップ
62 電圧源
64 電気力線
66 電圧計
68 絶縁構造
Claims (20)
- イオン注入システムで用いるためのビームストップであって、
熱伝導性材料で形成されていて熱を除去するためにヒートシンクに結合されるように適合された基部と、
半弾性材料で形成されていて上記基部の表面に配置された熱伝達層と、
熱伝導性の耐火材料で形成されていて上記イオン注入システムのイオンビームに向き合うように上記熱伝達層に配置された少なくともひとつのタイルと
を有する、ビームストップ。 - 基部、熱伝達層、およびタイルの厚みおよび熱伝導率がビームストップがイオンビームの衝突によって加熱されたときに上記基部および上記タイルが均一に膨張するように選択されている、請求項1記載のビームストップ。
- イオンの衝突によって生み出された熱に応答するタイルの温度変化(ΔTt )が対応する基部の温度変化(ΔTb )に以下の関係式に基づいて関連付けられ、
(ΔTt )αt =(ΔTb )αb
ここで、αt はタイルの熱膨張率を表し、αb は基部の熱膨張率を表す、
請求項2記載のビームストップ。 - 基部が冷却用流体を循環させるための少なくともひとつの内部通路をさらに有する、請求項1記載のビームストップ。
- 内部通路が熱伝達層が配置されている基部の表面から選択された深さのところに形成されている、請求項4記載のビームストップ。
- 選択された深さが実質的に0.005cm(0.002インチ)から実質的に0.015cm(0.006インチ)までの範囲内にある、請求項5記載のビームストップ。
- 基部が、アルミ、銅、チタン、銀、またはニッケルで形成されている、請求項1記載のビームストップ。
- 熱伝達層が銀充填エポキシで形成されている、請求項7記載のビームストップ。
- タイルがシリコンで形成されている、請求項8記載のビームストップ。
- 熱伝達層の幅が実質的に0.05mmから実質的に0.2mmまでの範囲内にある、請求項7記載のビームストップ。
- イオン注入システムで用いるためのビームストップであって、
熱伝導性材料で形成されていて熱を除去するためにヒートシンクに結合されるように適合された基部と、
半弾性材料で形成されていて上記基部の表面に配置された熱伝達層と、
上記イオン注入システムのイオンビームに向き合うように上記熱伝達層に配置され、熱伝導性の耐火材料で形成され、上記熱伝達層が配置された上記基部の上記表面の全体を実質的に覆う複数のタイルと
を有する、ビームストップ。 - 基部、熱伝達層、およびタイルの厚みおよび熱伝導率がビームストップがイオンビームの衝突によって加熱されたときに上記基部および上記タイルが実質的に均一に膨張するように選択されている、請求項11記載のビームストップ。
- イオンの衝突によって生み出された熱に応答するタイルの温度変化(ΔTt )が対応する基部の温度変化(ΔTb )に以下の関係式に基づいて関連付けられ、
(ΔTt )αt =(ΔTb )αb
ここで、αt はタイルの熱膨張率を表し、αb は基部の熱膨張率を表す、
請求項12記載のビームストップ。 - イオン注入システムで用いるためのビームストップであって、
上部の表面と、底部の表面と、冷却用流体を循環させるために上記上部の表面から選択された深さのところに形成された通路とを備えた金属製の基部と、
選択された熱伝導率を備えた材料で形成されていて選択された幅を有する上記金属製の基部の上記上部の表面に配置された半弾性の熱伝達層と、
上記イオン注入システム内のイオンビームに向き合うように上記半弾性の熱伝達層に配置されたひとつまたは複数のシリコン製のタイルと
を有し、
上記通路が設けられた上記深さ、上記半弾性の熱伝達層の熱伝導率および幅、および上記基部および上記タイルの熱膨張率が、上記ビームストップがイオンビームによって加熱されたときに上記シリコン製のタイルの線寸法の変化が上記金属製の基部の対応する線寸法の変化と実質的に等しくなるように選択されている、ビームストップ。 - 基部がアルミ、銀、銅、チタン、またはニッケルで形成されている、請求項14記載のビームストップ。
- 半弾性の熱伝達層が銀充填エポキシで形成されている、請求項16記載のビームストップ。
- イオン注入システムで用いるための磁気的に抑制されたファラデーカップであって、
熱伝導性材料で形成されていて熱を除去するためにヒートシンクに結合されるように適合された基部と、半弾性材料で形成されていて上記基部の表面に配置された熱伝達層と、熱伝導性の耐火材料で形成されていて上記イオン注入システム内のイオンビームに向き合うように上記熱伝達層に配置された少なくともひとつのタイルとを備えた、ビームストップと、
上記ビームストップに結合され上記基部と電気的に導通し、イオンビームの衝突に応答して上記ビームストップが放出した二次電子を捕獲するように上記タイルの上方の空間に磁界を生み出す磁石と、
上記磁石に結合されていて電気的に絶縁するための絶縁体と
を有する、ファラデーカップ。 - イオンビームの衝突によって誘起された電流を測定するためのイオンストップに電気的に接続された電気回路をさらに有する、請求項17記載のファラデーカップ。
- イオン注入システムで用いるための電気的に抑制されたファラデーカップであって、
熱伝導性材料で形成されていて熱を除去するためにヒートシンクに結合されるように適合された基部と、半弾性材料で形成されていて上記基部の表面に配置された熱伝達層と、
熱伝導性の耐火材料で形成されていて上記イオン注入システム内のイオンビームに向き合うように上記熱伝達層に配置された少なくともひとつのタイルとを備えた、ビームストップと、
イオンの衝突に応答して上記ビームストップによって生み出された二次電子を上記ビームストップに戻すために上記タイルの上方の空間に電界を生み出すように上記ビームストップをバイアスするための上記基部に電気的に接続された電圧源と
有する、ファラデーカップ。 - ビームストップに入射したイオンを吸収することによって誘起された電流を測定するための上記ビームストップに接続された電気回路をさらに有する、請求項19記載のファラデーカップ。
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