JP2005526379A5 - - Google Patents

Claims (2)

1. 磁気抵抗メモリデバイスに書込みを行なう導電ラインを、次の工程を最適な順序で実施することにより形成する方法であって、
   金属形成層を設ける工程と、
   前記金属形成層内に第１辺、第２辺、及び第３辺を有するトレンチをパターニング及びエッチングにより形成する工程と、
   前記トレンチ内に、前記トレンチの前記第１辺、前記第２辺、及び前記第３辺の上に位置する第１強磁性クラッド領域を堆積させる工程と、
   前記トレンチ内に、前記トレンチ内の前記第１強磁性クラッド領域に隣接する金属層を堆積させる工程と、
   前記金属層の上に位置し、かつ、前記第１強磁性クラッド領域とコンタクトする第２強磁性クラッド領域を堆積させる工程と、
   スペーサ層を用いて前記第１及び第２強磁性クラッド領域の内の一つを貫通する間隙を形成する工程と、
   前記間隙に近接して磁気抵抗ランダムアクセスメモリデバイスを配置する工程と
   を備え、
   前記磁気抵抗メモリデバイスは前記間隙から離間され、
   前記金属層は磁界を生成する電流を流す機能を有し、前記磁界は前記金属層の幅を前記間隙の幅で除して得られる値にほぼ等しい倍率で増大する、方法。
2. 磁気抵抗メモリデバイスに書込みを行なう導電ラインが生成する磁界の大きさを調整する方法であって、
   金属形成層を設ける工程と、
   第１辺、第２辺、第３辺、及び第４辺を有する領域であって、幅を有する金属層を含む金属配線領域を形成する工程と、
   前記金属配線領域の前記第１辺、前記第２辺、前記第３辺、及び第４辺の上に、厚さを有する強磁性クラッド領域を位置させる工程と、
   スペーサ層を用いて前記強磁性クラッド領域を貫通するトレンチをパターニング及びエッチングにより形成する工程であって、前記トレンチが、前記強磁性クラッド領域の前記厚さにほぼ等しい深さを有し、かつ、前記金属層の前記幅よりも狭い幅を有する工程と、
   前記強磁性クラッド領域を貫通する前記トレンチに近接して磁気抵抗ランダムアクセスメモリデバイスを配置する工程と
   を備え、
   前記磁気抵抗メモリデバイスは前記トレンチから離間され、
   前記金属層は磁界を生成する電流を流す機能を有し、前記磁界は前記金属層の幅を前記トレンチの幅で除して得られる値にほぼ等しい倍率で増大する、方法。