JP2005508569A

JP2005508569A - 薄膜赤外線透過性導体

Info

Publication number: JP2005508569A
Application number: JP2002580415A
Authority: JP
Inventors: チェウン，ジェフリー・ティー
Original assignee: ロックウェル・サイエンティフィック・ライセンシング・エルエルシー
Priority date: 2001-04-06
Filing date: 2002-04-03
Publication date: 2005-03-31
Also published as: WO2002082557B1; US7314673B2; US20050014033A1; US20020146599A1; EP1374316A1; US6761986B2; WO2002082557A1

Abstract

赤外線放射に対する透過率が高く導電性の膜を必要とする応用例のために開発されたドープされたカドミウム酸化物（ＣｄＯ）の膜である。この膜に適切なドーパントには、第ＩＩＩ族の元素の任意のものが含まれ、すなわち、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム又はタリウムである。

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学デバイスにおいて用いられる赤外線透過性の導電性薄膜に関する。
【関連技術の説明】
【０００２】
赤外線領域で動作する電気光学デバイスは、多くが、極めて透過的な導電性薄膜を必要とする。そのようなデバイスには、ビーム・ステアリングのための液晶セル、空間光変調器、光通信のための光学スイッチ、電気光学結晶や光屈折ポリマなどの電気光学デバイスのための透過性導電性電極、波長の長い垂直空乏表面放射レーザ（ＶＣＳＥＬ）などが含まれる。インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂など従来型の透過性導電性酸化物は、応用例の仕様を充足させることができない。これらの材料は、可視光領域ではほとんどが透過的であるが、赤外線領域では、自由キャリア吸収によって透過が低下する。図６は、ガラス基板上の従来技術によるＩＴＯ及びＺｎＯ膜に関して横軸に波長を縦軸に透過値をプロットしたものである。これら２つの間では一般に透過性が高い方であるＩＴＯ膜は、約１０Ω／□のシート抵抗を有する膜に対しては、１．３１μｍでは６０％未満の透過率を有し、１．５５μｍでは４０％未満の透過率を有する。シート抵抗が約２００Ω／□であるＩＴＯ膜に対しては、１．３１μｍでは９６％未満の透過率を有し、１．５５μｍでは９５％未満の透過率を有する。１．３１μｍと１．５５μｍとは、光ファイバ通信及び長波長ＶＣＳＥＬの応用例にとっては、重要な値である。ドープされた半導体ウエハ又はエピタキシャル層（ドープされたＳｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ）により、用途が限定されてきた。というのは、これらはスペクトル範囲の全体をカバーしないし、サイズが限定されるし、高価であるからである。
【０００３】
従って、赤外線透過性の導電性膜に対する必要性が長い間感じられてきたのである。
従来は、可視領域及び紫外線領域における透過性を必要とするフラットパネル・ディスプレイや太陽電池のために、インジウムがドープされたカドミウム酸化物（ＣｄＯ：Ｉｎ）の膜が用意された。しかし、これらの膜は、その毒性が広く知られており、従って、従来技術では、そのような膜とは異なる方向の開発が行われてきた。Minami他の論文では、フラットパネル・ディスプレイ及び太陽電池のために１０^-5Ωのオーダーの抵抗値を有するＣｄＯ：Ｉｎ膜が用意されたが、そのＣｄの毒性のために実際的な用途は存在しないということが述べられている（Minami, Tagatsugu, "New n-Type Transparent Conducting Oxides", Transparent Conducting Oxides, Volume 25, No. 8, August 2000, page 38）。更に、これらの膜は、黄色をしていて、従来技術による外見が透明な透過性膜とは区別されるため、この技術分野の当業者であれば、透過性の膜が必要とされるどのような応用分野においてもそのような膜を用いることはないであろう。
【０００４】
スパッタリング、ＭＯＣＶＤ、スプレイ熱分解によって、ドープされていないＣｄＯも用意されてきている（Murphy, L.C.S. & Rao, K.S.R.K., "Thickness Dependent Electric Properties of CdO Thin Films Prepared by Spray Pyrolysis Method," Bulletin of Material Science, Vol 22, No 6, pp 953-7 (Oct. 1999); Subramarnyam, T.K et al, "Preparation and Characterization of CdO Films Deposited by DC Magnetron Reactive Sputtering", Materials Letter, Vol.35, pp 214-220, (May 1998); Baranov, AM. et al, "Investigation of the Properties of CdO Films," Tech. Phys. Ltr, 23, (10) pp 805-806 (Oct. 1997)）。６００から１６００ｎｍの波長範囲では、８５％もの高い透過性が報告されている（上述のSubramarnyamの２１８ページを参照）。Baranovらは、更に、可視領域及び紫外線領域に関して透過的な電極を必要とする太陽電池など他の応用例のために、このようなＣｄＯ膜を考慮したことを報告している。また、Ferroらは、フッ素がドープされたＣｄＯ膜を報告している。しかし、そのような膜の透過率は約９０％未満であり、より多くのフッ素が添加されるにつれて透過率が低下する（Ferro, R et al, "F-Doped CdO Thin Films Deposited by Spray Pyrolysis", PMS, State. Sol. (a) 177, P477-483 (200)）。図６においてプロットされているデータは、これらの材料が従来技術によるドープされていないＩＴＯ及びＺｎＯ膜と類似していることを示している。
【０００５】
ほぼすべての入射赤外光も透過する抵抗率の低い膜に対する必要性が存在する。更に、このような膜を組み入れたシステムにおける損失のために、特に１．３１又は１．５５μｍにおける赤外線スペクトルにおける赤外線の透過率は、これらの材料の実際の使用に関して少なくとも９９％でなければならない。
【発明の概要】
【０００６】
導電性で赤外線透過性の膜（フィルム）を必要とする応用において用いられるために、ドープされたカドミウム酸化物（ＣｄＯ）の膜が開発された。この膜に適したドーパントには、第ＩＩＩ族の元素（すなわち、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウムなど）の任意のものが含まれる。更に、適切に処理されるのであれば、ドーパントとしてＦ又はＨを用いてそのような膜を用意できると考えられている。
【０００７】
この新たなドープされた膜は、約０．５μｍから１０μｍの間の範囲にある赤外線放射に対して実質的に透過的であり、サファイア又はＮＧＯの上の赤外線領域の全体で例外的に高い透過率（１．３１ミクロンで９９．８％、１．５５ミクロンで９９．５％；３ミクロンで９７％、５ミクロンで９３％；１０ミクロンで８２％）を示す。というのは、ガラスは、その評価された周波数では非常に低い透過率を有する又は透過率を全く有さないからである。これらの測定は、配置（デポジット）された膜を用いてなされた。新たな膜は、約５から約１０ｘ１０^-5Ωの抵抗値を有する。ガラス基板の上に配置されると、この膜は、約２００Ω／平方という低いシート抵抗を示す。
【０００８】
このような膜を応用可能な例は多く、ビーム・ステアリングのための液晶セル、空間光変調器、光通信のための光学スイッチ、電気光学結晶や光屈折ポリマなどの電気光学デバイスのための透過性導電性電極、波長の長い垂直空乏表面放射レーザなどが含まれる。
【０００９】
本発明の上述の及びそれ以外の特徴並びに効果は、以下の詳細な説明を添付の図面を参照して読むことにより、当業者に明らかになるであろう。
【００１０】
導電性で赤外線透過性の膜を必要とする応用において用いられるために、ドープされたカドミウム酸化物（ＣｄＯ）の膜が開発された。この膜に適したドーパントには、第ＩＩＩ族の元素（すなわち、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウムなど）の任意のものが含まれる。更に、Ｆ又はＨがドープされ適切に処理た膜であれば所望の透過率を有すると考えられる。これらのドーパントは、ＣｄＯの電子密度を増加させ、それによってＣｄＯをより導電性にすると考えられる。
【００１１】
本発明によるフィルムには、以下のように、多くの応用例が存在する。
１）ビーム・ステアリングで用いられる液晶セル、空間光変調器、光通信のための光学スイッチ、特に光ファイバ通信のために１．３１μ及び１．５５μで動作する光学スイッチのための透過性かつ導電性の電極。
【００１２】
２）電気光学結晶及び光屈折ポリマなどの電気光学デバイスのための透過性／導電性電極（電場が光の伝播と平行である縦方向の構成を用いる）。
３）電磁気（ＥＭ）又は無線周波数（ＲＦ）干渉からの遮蔽（シールド）の向上。
【００１３】
４）商用航空機のレーダ制御システムの効率の改善。
５）長波長透過性垂直空乏表面放射レーザ（ＶＣＳＥＬ）の上側電極。
６）強誘電及び圧電デバイスのための電極。
【００１４】
約１２０Ω／□のシート抵抗値を達成するために第ＩＩＩ族元素をドープされたＣｄＯ膜は、赤外線領域全体で高い透過率を有する（１．３１μｍで９９．８％、１．５５ミクロンで９９．５％；３ミクロンで９７％、５ミクロンで９３％；１０ミクロンで８２％）。膜の抵抗値は、約６ｘ１０^-5から約１０ｘ１０^-5Ω−ｃｍである。これは、現在用いられているそのようなタイプの既知の膜にとって最低の値に属する。例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）は、もっとも一般的に用いられているが、２−５ｘ１０^-4Ω−ｃｍの範囲の電気抵抗値を有する。
【００１５】
この膜は、ＭｇＯ、ガラス、水晶など任意の適切な基板の上に成長させることができる。薄膜成長のための多くの既知の方法が、本発明による第ＩＩＩ族元素がドープされたＣｄＯ膜を成長させるのに適している。これらの方法には、パルス・レーザ・デポジション（ＰＬＤ）、スパッタリング、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、スプレイ熱分解、ゾル・ゲル、気相移動、ホットウォール・エピタキシ、密空間気相移動、プラズマ気相成長法（ＰＣＶＤ）、活性反応蒸着、ホスト材料（ＣｄＯ）とドーパントとに別個の熱源を用いる熱共蒸着法などが含まれる（Handbook of Deposition Technilogies for Films and Coatings, second Edition, Noyes Publications, Bunshah, R.F. 1994を参照）。
【００１６】
好適な方法は、パルス・レーザ・デポジション（ＰＬＤ）である。その理由は、この方法によると、膜の組成及び暑さを正確に制御でき、ドーパントの活性化が容易になるからである。この方法は、"Pulsed Laser Deposition of Thin Films", Chrisey, 1994に詳細が説明されている。特に、実験的なセットアップは、真空チャンバの中に配置されたターゲット・ホルダと基板ホルダとで構成される。気化され基板の上に凝縮される材料の十分に混合された混合物がターゲット・ホルダに配置される。外部エネルギ源として用いられるハイパワー・レーザがターゲットに合焦され、制御された態様で混合物を気化する。レーザ・ビームをターゲットの表面で合焦しラスタさせるのには、さあ光学的コンポーネントが用いられる（上述のChriseyの書物の３ページを参照）。気化される材料の吸収特性によって、用いられるレーザの波長が決定される。パルス幅、反復率及びパルス強度は、特定の応用例に合わせて選択される（上述のBunshahのハンドブックの１６７ページを参照）。膜の厚さは、パルス時間とターゲットの距離とを変動させることによって制御することができる。このＰＬＤプロセスはにより、これまで、１００ないし４０００オングストロームの厚さを有する膜が製造されてきている。成長した膜の組成は、ターゲットの組成と実質的に同じである。
【００１７】
本発明の特徴を組み入れたＣｄＯ膜を用意するには、好適な組成は、ドーパントの重量の約０．５％から約０．６％を含む。この膜は、約２０℃から約４２５℃の温度で成長させることができる。基板の温度は膜の品質に影響し、温度がより高ければ、赤外線及び可視領域における導電性及び透過性が大きくなる。ドープされたＣｄＯ膜の成長のための特定の手順を、以下の実例において与えることとする。
【００１８】
例１：ＰＬＤによるインジウムがドープされたＣｄＯ（Ｉｎ：ＣｄＯ）の成長
Ｉｎ₂Ｏ₃とＣｄＯとで構成されるセラミック・ターゲットが、ＭｇＯ基板から約１０インチのＰＬＤチャンバのターゲット・ホルダの中に配置される。ターゲットは、重量で１％のＩｎ₂Ｏ₃の粉末と重量で９９％のＣｄＯの粉末とをジャーの中で混合し、このＣｄＯ／Ｉｎ₂Ｏ₃の混合物に体積がほぼ等しい量のメタノールでジャーを充たしてスラリを形成し、同じ体積のセラミック・ビーズ（直径がほぼ１ｃｍ）を加えることによって用意される。この混合物は、次に、２４時間の間「ロール」されるが、このプロセスは「ボール・ミリング」として知られている。メタノールは、混合物から気化し、ビーズはふるい分けされて除去される。残りの粉末は円柱の形状に圧縮され、高温炉（約１１００℃）の中で焼結されて、セラミック・ターゲットが形成される。
【００１９】
次に、ターゲットは約５ミリトルのＯ₂部分圧力を有する真空チャンバの中に配置され、チャンバの温度が４４０℃まで上昇される。ターゲットは、２４８ｎｍの波長を有し５パルス／秒の周波数で３９０ｍＪ／パルスのパルス・エネルギを有するＫｒ：Ｆエキシマ・レーザを用いて照射される。このレーザによってもたらされるエネルギは、パルス継続時間が３２ナノ秒のときに１Ｊ／ｃｍ²である。結果的に形成されるＩｎ：ＣｄＯは、厚さが３００オングストロームであった。
【００２０】
図９は、上述したプロセスを用いて用意されたＩｎ：ＣｄＯ膜に関するＸ線回折データを示すプロットである。材料は結晶性であり、（２００）の結晶配向を有するドープされていないＣｄＯと同じピークを有している。
【００２１】
この膜の導電性及び透過率スペクトルは、透過率測定のためのCaryモデルの器具を用いて測定された。Ｉｎ：ＣｄＯ膜は、図１ないし図５に示されているように、１１２Ω／□の導電率と例外的に高い透過率とを有していることがわかった。図２に示されている膜の透過率は、基板の透過率を測定し、膜と基板とを合わせて測定された合計の透過率を基板だけの透過率で割ることによって決定された（図１を参照）。図３ａ及び３ｂは、赤外線範囲の一部に対するＩｎ：ＣｄＯ膜に対する％透過率と波長との関係を示すプロットである。図３ａの上側の曲線は、膜がない場合のＭｇＯ基板の透過率を示し、図３ａの下側の曲線は膜と基板とを合わせた場合の透過率を示している。図３ｂは、膜の％透過率によって膜と基板とを合わせた％透過率を割って得られる膜の透過率の値を示している。図３ａ及び３ｂは、２．５から１０ミクロンまでの波長に対する％透過率を示している。図から明らかなように、ドープされたＣｄＯ膜は、より低い波長ではほとんど１００％の透過率を示し、１０ミクロンでも依然として８０％前後の透過率を示している。
【００２２】
図４では、Ｉｎ：ＣｄＯ膜の％透過率が従来技術によるＩＴＯ膜（ガラス基板の上の）と比較されている。図５には、図３ｂと図４とを組み合わせたものが示されている。両方の膜共に、比較的低いシート抵抗値（Ｉｎ：ＣｄＯ膜では１１２Ω／□、ＩＴＯ膜では１４１Ω／□）を有している。しかし、ＩＴＯ膜の光透過率は、Ｉｎ：ＣｄＯ膜の光透過率よりも著しく低い。図からわかるように、ＩＴＯ膜の透過率はピークがおよそ１０００ｎｍの約９９％の位置にあるが、それよりも周波数が低い又は高い光に対して著しく低下する。これと対照的に、Ｉｎ：ＣｄＯ膜の透過率は、５００ないし２０００ｎｍの範囲全体で約１００％のままで維持されている。更に、Ｉｎ：ＣｄＯ膜の場合の％透過率は、１０ミクロンよりも長い波長では著しく高い。（図５などの図面において約２ｎｍよりも大きな透過率の値の大きな変動は、読取機器における散乱に起因する。）Ｉｎ：ＣｄＯ膜の場合に特に重要なのは、光ファイバ通信において用いられる周波数レベルである１．３１及び１．５５ミクロンの場合の高い透過率である。
【００２３】
インジウムがドープされたＣｄＯ膜と従来技術による導電性膜とを対照させる別の方法として、屈折率（Ｎ）と両者の複合屈折率（Ｒ）とを比較する方法がある。
複合屈折率（Ｒ）は、次の数式から得られる。ただしここで、α＝４πｋ／λ＝減衰係数、λ＝波長、ｄ＝膜の厚さ、Ｉ／Ｉ_O（％透過率）＝入射光／透過光である。
【００２４】
（数１）
Ｔ％＝Ｉ／Ｉ_O＝ｅ^-α^d
示唆されているように、特に好適な動作波長は、１．５５ミクロンである。
【００２５】
図１０は、実際の及び複合屈折率を示しているが、これは、インジウムがドープされたＣｄＯ及びＩＴＯ膜に対して可変角度分光偏光解析法（spectroscopic ellipsometry）によって測定されたものである。
【００２６】
その波長では、ドープされたＣｄＯ膜の実際の屈折率はＩＴＯ膜（１．３Ｎ０．３３）の屈折率の約４倍である。これと対照的に、複合屈折率（Ｒ）は、厚さなどの変数を削除して正規化された比較を可能し、ドープされたＣｄＯ膜に対して１８倍大きな値（０．０５に対して０．９）を示している。
【００２７】
ガリウムがドープされたＣｄＯは、インジウムがドープされたＣｄＯと類似の性質を有している。他の第ＩＩＩ族の元素も、類似の性質を示すはずである。また、気相移動によって用意された膜も、同じように振る舞うように思われる。膜製造の間にチャンバの雰囲気にＨ₂を付加することによって達成される水素ドーピング又は同時ドーピング（co-doping）によると、ここで説明されているように、より低温で（約２００℃）で抵抗値の低い成長が可能になる。
【００２８】
ドープされたＣｄＯ膜の第１の応用は、典型的には約２０ミクロンまでの波長で動作するビーム・ステアリングにおいて用いられる液晶セルのための透過性導電性電極、１４ミクロンまでで動作する空間光変調器、そして、光ファイバ通信のために１．３１μ及び１．５５μで動作する光スイッチである。
【００２９】
第２の用途は、電場が光の伝播とは平行な横方向の構成を用いた電子光学結晶及び光屈折ポリマなどの電子光学デバイスのための透過性／導電性電極においてである。
従来型の透過性／導電性電極デバイスは、光電気的に活性の材料を挟んでいる２つのＰｔ電極５００、５０２を有している（図７）。Ｐｔ電極５００、５０２を介して加えられる電圧により、その間の液晶材料において電荷が生じる。しかし、Ｐｔ電極５００、５０２が透過的ではないために、放射５０４は、電極の面に平行なデバイスの端部を介して運ばれなければならない。従って、収集される放射の量は、電極の間の距離に比例する。必要となる電圧の大きさは電極間の距離が増加するにつれて増大するから、収集される放射の量との間にトレードオフの関係が存在する。電圧の最小化が必要である。更に、Ｐｔは不活性元素であるから材料にうまく接着せず、結果的に離脱又は剥落してしまう。
【００３０】
Ｐｔの電極をドープされたＣｄＯ電極によって代替することにより、赤外線放射が電極を通過して入射することが可能になる。その理由は、電極が透過性であるからである。このデバイスは、図８に示されているように構成することができる。このように、電極５０６、５０８をより近接させることにより、必要となる電圧を低下させることができるより薄いデバイスを作成することができる。更なる効果は、サンドイッチ型の電子光学材料は、ドープされたＣｄＯ電極により容易に接着するということである。
【００３１】
赤外線信号を用いる応用例では、周囲の電磁気（ＥＭ）又は無線周波数（ＲＦ）の送信の結果として生じる高周波信号をフィルタリングして除去することによって、より雑音の少ない赤外線信号を受信することで、機能が改善される。ＣｄＯがドープされた膜は、この目的に適している。
【００３２】
光ファイバ通信に用いられる典型的な周波数は、１．３１及び１．５５μｍである。また、垂直空乏表面放射レーザ（ＶＣＳＥＬ）は１．５５μｍの領域で動作する。この領域での問題を解決する透過性の電極は入手可能ではないから、金属リング電極が用いられる。金属リング電極は効率的でなく、大型のレーザと共には機能し得ない。というのは、大きな必要となるリングは電流を流す表面積が小さく、従って、導通させることができる電流量が限定され、結果的に一様でない電流密度の移動が生じる。このリングは、また、配送される光の一部をブロックする。本発明によるドープされたＣｄＯ電極を用いることにより、一様な入射に対して大きな一様の領域が与えられる。というのは、透過性の電極によって光が頂部から入射することが可能となるからである。
【００３３】
ドープされたＣｄＯ膜は導電性が高いので、赤外線透過が重要ではない強誘電性（例えば、圧電）デバイスのための電極としても用いることができる。従来型のデバイスは、圧電材料にはうまく接着せず従って剥落してしまうＰｔ電極を用いている。ドープされたＣｄＯは、より適合性も、接着性も有している。
【００３４】
以上では、本発明の複数の例示的な実施例を示し説明したが、この技術分野の当業者であれば、多くの変形例や別の実施例を想到できるはずである。そのような変形例や別の実施例は、特許請求の範囲において定義されている本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の特徴を組み入れたＩｎ：ＣｄＯに関するＸ線回折データを、それが取り付けられている基板の透過性と比較したプロットである。
【図２】図１膜の透過性を５００μｍから３０００μｍの範囲での基板分の透過性を減算することによって正規化された様子を示している。
【図３】図３ａ及び図３ｂから構成されている。図３ａは、波長が２．５μｍから１０μｍの場合に基板上のＩｎ：ＣｄＯ膜に対する％透過性と波長との関係を示すプロットである。図３ｂは、基板の影響を減算した後の図３ａの膜の％透過性を示すプロットである。
【図４】波長が５００から２０００ｎｍの場合に、比較可能なシート抵抗値について、Ｉｎ：ＣｄＯ膜の％透過性を従来技術によるＩＴＯ膜と比較してプロットしたものである。
【図５】波長が０．５から１０μｍの場合に、図３ｂと図４とを合成したものである。
【図６】ガラス基板の上の比較可能なシート抵抗値について、従来技術によるＩＴＯ及びＺｎＯ膜と本発明によるインジウムがドープされたＣｄＯ膜とにつき、透過性の値と波長とを両軸にとったグラフである。
【図７】従来型の電子光学デバイスの断面図である。
【図８】本発明による電子光学デバイスの断面図である。
【図９】本発明によるＩｎ：ＣｄＯに関するＸ線回折パターンを示している。
【図１０】インジウムがドープされたＣｄＯ膜とインジウムスズ酸化物膜との屈折率を比較しているグラフである。

Claims

光電子デバイスを動作させる方法であって、
赤外線放射をＣｄＯ膜を介して透過させるステップと、
前記放射を電気的読取信号に変換するステップと、
を含んでおり、前記ＣｄＯ膜は第ＩＩＩ族元素を用いてドープされていることを特徴とする方法。
請求項１記載の方法において、前記ＣｄＯの中のドーパントはインジウムであることを特徴とする方法。
請求項２記載の方法において、前記ドーパントの濃度は重量の０．５％から６％までの間であることを特徴とする方法。
請求項１記載の方法において、前記光電子デバイスは、５００から３０００ｎｍまでの周波数を有する赤外線スペクトルの中の入射光と共に動作することを特徴とする方法。
請求項４記載の方法において、前記入射光は約１．３１から約１．５５μｍまでの周波数を有していることを特徴とする方法。
導電性で赤外線透過性の膜であって、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＴｌで構成されるグループからの少なくとも１つの元素を用いてドープされたＣｄＯを含み、このドープされた膜は、約５００から約３０００ｎｍの周波数において少なくとも約９０％の透過性を有していることを特徴とする膜。
請求項６記載の膜において、前記ドーパントの濃度は重量の０．５％から６％の間であることを特徴とする膜。
請求項７記載の膜において、ドーパントとして水素を更に含むことを特徴とする膜。
請求項６記載の膜において、約１．３１から約１．５５μｍまでの周波数において少なくとも約９９％の透過率を有していることを特徴とする膜。
請求項６記載の膜において、インジウムを用いてドープされたＣｄＯを含むことを特徴とする膜。
請求項６記載の膜において、ＲＦ又はＥＭＩ遮蔽特性を提供することを特徴とする膜。
導電性で赤外線透過性の膜であって、水素又はフッ素の少なくとも一方を用いてドープされたＣｄＯを含み、このドープされた膜は、約５００から約３０００ｎｍの周波数において少なくとも約９０％の透過性を有していることを特徴とする膜。