JP2005350608A - シンチレータ - Google Patents
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Abstract
【課題】 蛍光出力が十分に大きくかつ蛍光減衰時間が十分に小さいシンチレータの提供。
【解決手段】 母材が希土類珪酸塩結晶であるシンチレータで、希土類元素は、Sc、Y、La、Gd及びLuからなる群から選択され、発光中心元素としてTi及びCeを含む。好ましくは、Ceに対するTiのモル比が、1/10000〜1/10である。
【選択図】 なし
【解決手段】 母材が希土類珪酸塩結晶であるシンチレータで、希土類元素は、Sc、Y、La、Gd及びLuからなる群から選択され、発光中心元素としてTi及びCeを含む。好ましくは、Ceに対するTiのモル比が、1/10000〜1/10である。
【選択図】 なし
Description
本発明は、医療用PET装置、高エネルギー物理及び石油探査等に用いられるシンチレータに関する。
陽電子放出核種断層撮像(Positron Emission computed Tomography、以下PET)装置では、どのような特性あるいは仕様のシンチレータを採用するかが装置全体の性能を向上させる上で最も重要な要因の一つとなる。米国を中心にPET診断の保険適用が進みビジネス拡大が進む中、高性能なPET装置を得るために、優れたシンチレータ材料の探索、実用化のための育成技術開発等が精力的に進められている。また、高エネルギー物理分野では、宇宙からの微量な高エネルギー粒子を検出する等の実験に使用するために、微量の高エネルギー粒子を効率よく検出できるシンチレータが求められている。
シンチレータに求められる性能には、蛍光出力、蛍光減衰時間、エネルギー分解能等の特性がある。例えば、患者の負担を軽減するために一人当たりの診断時間を短くする必要があるPET装置等では、蛍光減衰時間の短いシンチレータが求められている。蛍光減衰時間の短いシンチレータとして、母材としてのランタノイドを含む酸化物結晶にセリウムを添加して発光中心としたCexLn2−xSiO5や、CeyLn2−yAlO3(ここでLnはSc、Y、La、Gd又はLu、0<x<0.1、0<y<0.1)等のシンチレータが知られている。この場合、母材中のランタノイドの一部がセリウムに置換されて発光中心として機能し得る。
そして、例えば、CexGd2−xSiO5を用いたシンチレータでは、ガドリニウムに対するセリウムの置換量を増加させることで蛍光減衰時間を短縮することができることが知られている。
特公平8−3532号公報
最近では、母材にセリウムを添加して発光中心としたシンチレータにおいて、蛍光減衰時間をより短くしかつ蛍光出力をより増加させたいという要望がある。しかしながら、例えば、CexGd2−xSiO5を用いたシンチレータにおいて、ガドリニウムに対するセリウムの置換量を増加させると、蛍光減衰時間は短縮するものの4価のセリウムの増加によりシンチレータが淡黄色に着色して蛍光出力が下がってしまう。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、蛍光出力が十分に大きくかつ蛍光減衰時間が十分に小さいシンチレータを提供することを目的とする。
本発明者は上記課題を解決するために種々検討を行った結果、セリウムを発光中心として含む母材に対してチタンを添加することで、蛍光出力の増加と蛍光減衰時間の短縮とを両立できることを見出し、本発明を完成するに至った。
本発明に係るシンチレータは、母材中に、セリウムを発光中心として含むと共にチタンを含む。
本発明者らは発光中心としてセリウムを含む母材にチタンが添加されることにより上記課題を解決できる理由を以下のように考えている。
母材中においてセリウムは3価と4価の価数変化を起こしやすい元素である。そして、母材中において3価のセリウムは発光中心となるのに対し、4価のセリウムは発光に寄与しないばかりでなく3価のセリウムからの発光を吸収してしまう。
そして、母材に添加されたチタンは4価になり易い元素であり、さらにはチタンは4価では着色しないものと考えられる。そして、母材中に4価になりやすいチタンが存在すると、母材中のセリウムが3価になりやすくなるものと考えられる。そして、母材においてセリウムがこのようにして3価で安定すると、このセリウムが母材中で発光中心として十分に機能してシンチレータの発光出力が上がるものと考えられる。
また、発光中心となる3価のセリウムが増えると、結果として蛍光減衰時間も短くなるものと考えられる。
ここで、蛍光出力の増加と蛍光減衰時間の短縮とを好適に両立させるべく、セリウムに対するチタンのモル比が1/10000〜1/10であると好ましい。
また、母材は希土類元素を含む結晶であることが好ましい。
また、母材は希土類珪酸結晶であることがより好ましい。
ここで、希土類元素としては、特に、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ガドリニウム及びルテチウムからなる群から選択される少なくとも一つの元素であると好ましく、特に、ガドリニウムであると好ましい。
ここで、母材中において希土類元素の一部がセリウムにより置換されて発光中心となっていることが好ましい。
さらに、シンチレータが単結晶であると、容易に高透明度のものが得られて好ましい。
本発明によれば、蛍光出力が十分に大きくかつ蛍光減衰時間が十分に小さいシンチレータが提供される。
続いて、本実施形態に係るシンチレータについて説明する。本実施形態に係るシンチレータは、母材としての希土類珪酸の単結晶に、チタン及びセリウムが添加されたものである。結晶中において希土類元素の格子位置の一部には、希土類元素に代えてセリウムが存在する。すなわち、結晶中の希土類元素の一部がセリウムに置換され、このセリウムが発光中心として機能し得る。
希土類元素としては、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウムが挙げられる。
特に、希土類元素として、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ガドリニウム及びルテチウムからなる群から選択される少なくとも一つの元素を含むと、蛍光出力や蛍光減衰時間等がより向上する。
中でも、希土類元素としてガドリニウムを含むと特に蛍光出力や蛍光減衰時間が向上する。
ここで、セリウムに対するチタンのモル比は、1/10000〜1/10であることが好ましい。
このようなシンチレータは、以下のようにして容易に製造できる。例えば、希土類酸化物、二酸化珪素、酸化セリウム及び酸化チタンの各粉末を混合した後、るつぼ中等で溶解して融液とし、この融液から、CZ法やFZ法等により単結晶を成長させ、冷却した後に所望の型に切断すればよい。
このようなシンチレータによれば、蛍光出力が十分に大きくかつ蛍光減衰時間が十分に小さくできる。
このような作用効果が得られる要因は必ずしも明らかではないが、本発明者らは以下のように考えている。
希土類珪酸の結晶に添加されたセリウムは3価と4価の価数変化を起こしやすい。そして、結晶中において3価のセリウムは発光中心となるのに対し、4価のセリウムは発光に寄与しないばかりでなく3価のセリウムからの発光を吸収してしまう。
そして、結晶中に添加されたチタンは4価になり易い元素であり、さらにはチタンは4価では着色しないものと考えられる。そして、結晶中に4価になりやすいチタンが存在すると、結晶中のセリウムが3価になりやすくなるものと考えられる。そして、結晶中においてセリウムがこのようにして3価で安定すると、このセリウムが結晶中で発光中心として十分に機能してシンチレータの発光出力が上がるものと考えられる。
また、発光中心となる3価のセリウムが増えると、結果としてシンチレータの蛍光減衰時間も短くなるものと考えられる。
なお、本実施形態に係るシンチレータは、上述の実施形態に限定されなず様々な態様が可能である。例えば、母材が、希土類珪酸ではなく、希土類アルミン酸等の他の希土類酸化物や、さらには、希土類を含まない酸化物等でも効果はある。また、シンチレータは、透明性が高ければ多結晶体からなってもよい。
(実施例)
ここでは、本発明の実施例に係るシンチレータを作成して特性を評価した。なお、本実施例は好適な一例を示すものであり、本発明を限定するものではない。
ここでは、本発明の実施例に係るシンチレータを作成して特性を評価した。なお、本実施例は好適な一例を示すものであり、本発明を限定するものではない。
まず、直径180mm、高さ180mm、厚み3mmのイリジウム製ルツボの中に、原料として酸化ガドリニウム(Gd2O3、純度99.99質量%)を11952g、二酸化珪素(SiO2、純度99.99質量%)を1991g、酸化セリウム(CeO2、純度99.99質量%)を57.04g、添加物として酸化チタン(TiO2、純度99.99質量%)を0.53gからなる混合物を合計で14000.57g仕込み、高周波誘導加熱炉で1,950℃以上に加熱し融解して融液を得た。
ついでCZ法により単結晶を引き上げた。具体的には、まず所定の単結晶により種付けを行い、その後、結晶引上げ速度1〜3mm/時の速度でネック径8mmφの単結晶を引上げてネック部を形成した。続いて、コーン部の引上げを行い、直径が120mmφになった後、直胴部の引き上げを開始した。直胴部を育成した後、結晶を融液から切り離し、結晶を冷却をした。
冷却終了後、得られた単結晶を取り出した。得られた単結晶は、結晶重量が約10.9kg、コーン部の長さが約55mm、直胴部の長さが約170mm、直胴部の直径が約90.6mmであった。
そして、誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma、以下ICP)質量分析法を用い(セイコーインスツルメンツ製SPQ9000使用)結晶中のセリウム濃度およびチタン濃度を測定した。結晶中のセリウムの濃度はガドリニウムに対するモル比で結晶上部で約0.35%、結晶下部で約0.6%、結晶中のチタンの濃度はガドリニウムに対するモル比で結晶上部で約4.4ppm、結晶下部で約18ppmであり、結晶中におけるセリウム含有量に対するチタン含有量のモル比は、結晶上部で約1/1000、結晶下部で約1/333であった。
得られた単結晶を20mm間隔で輪切り切断し、輪切り切断面と垂直方向に6mmピッチで切断し、さらにそれら切断面と垂直方向に4mmピッチで切断し、4mm×6mm×20mmのサンプルを切り出した。
結晶上端から10サンプルを抜き出し、以下の方法で蛍光出力とエネルギ分解能を測定した。
4mm×6mm×20mmのサンプルの4mm×6mm面1面を除く5面に反射材としてPTFEテープを巻きつけ、残った4mm×6mmの面を光学グリースを用いてフォトマル面に固定し、137Csからの611KeVのガンマ線に対するエネルギスペクトルを測定した。蛍光出力とエネルギ分解能を従来技術である比較例とまとめて図1に示した。また、これらのサンプルに対して、蛍光減衰時間を測定した。この結果も図1に示す。
(比較例)
比較例では、原料として酸化ガドリニウム(Gd2O3、純度99.99質量%)を20489.1g、二酸化珪素(SiO2、純度99.99質量%)を3413.1g、酸化セリウム(CeO2、純度99.99質量%)を97.8gの混合物を合計で24000g仕込んだ以外は実施例と同様にして単結晶を得た。得られた単結晶は、結晶重量が約19.0kg、コーン部の長さが約80mm、直胴部の長さが約198mm、直胴部の直径が約120mmであった。
(比較例)
比較例では、原料として酸化ガドリニウム(Gd2O3、純度99.99質量%)を20489.1g、二酸化珪素(SiO2、純度99.99質量%)を3413.1g、酸化セリウム(CeO2、純度99.99質量%)を97.8gの混合物を合計で24000g仕込んだ以外は実施例と同様にして単結晶を得た。得られた単結晶は、結晶重量が約19.0kg、コーン部の長さが約80mm、直胴部の長さが約198mm、直胴部の直径が約120mmであった。
実施例と同様にして、結晶中のセリウム濃度およびチタン濃度を測定したところ、結晶中のセリウムの濃度はガドリニウムに対するモル比で結晶上部で約0.35%、結晶下部で約0.6%、結晶中のチタンの濃度はガドリニウムに対するモル比で結晶上部、結晶下部とも検出限界以下(<1ppm)であった。
得られた単結晶から実施例と同様にしてサンプルを切り出し、実施例と同様にして蛍光出力、エネルギ分解能、蛍光減衰時間を測定した。これらの結果を実施例及び比較例についてまとめて図1に示した。
こここ、蛍光出力の値が大きいほど、エネルギ分解能の値が小さいほど、さらに蛍光減衰時間の値が小さいほどシンチレータ性能が良いものである。セリウムを発光中心とするシンチレータにチタンを添加した実施例のシンチレータでは、蛍光出力の値が大きくなり、エネルギ分解能の値が小さくなることが分かった。またチタンを添加することで、蛍光減衰時間を短くすることにも成功した。すなわち、セリウムを発光中心とするシンチレータにチタンを添加することで、シンチレータ性能を向上させることができた。
Claims (8)
- 母材中に、セリウムを発光中心として含むと共にチタンを含むシンチレータ。
- セリウムに対するチタンのモル比が、1/10000〜1/10である請求項1に記載のシンチレータ。
- 前記母材は希土類元素を含む結晶である請求項1又は2に記載のシンチレータ。
- 前記母材は希土類珪酸結晶である請求項3に記載のシンチレータ。
- 前記母材における希土類元素は、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ガドリニウム及びルテチウムからなる群から選択される少なくとも一つの元素である請求項1〜4のいずれかに記載のシンチレータ。
- 前記希土類元素はガドリニウムである請求項5に記載のシンチレータ。
- 前記母材中における希土類元素の一部がセリウムにより置換されて発光中心とされた請求項3〜6のいずれかに記載のシンチレータ。
- 単結晶である請求項1〜7の何れかに記載のシンチレータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004174619A JP2005350608A (ja) | 2004-06-11 | 2004-06-11 | シンチレータ |
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JP2005350608A true JP2005350608A (ja) | 2005-12-22 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2005350608A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8999281B2 (en) | 2007-06-01 | 2015-04-07 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Scintillator single crystal, heat treatment method for production of scintillator single crystal, and method for production of scintillator single crystal |
-
2004
- 2004-06-11 JP JP2004174619A patent/JP2005350608A/ja active Pending
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US8999281B2 (en) | 2007-06-01 | 2015-04-07 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Scintillator single crystal, heat treatment method for production of scintillator single crystal, and method for production of scintillator single crystal |
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