JP2005340556A - Substrate treatment device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus.
半導体装置に用いるウェハ上に配線形成をする場合には、一般に、アルミ等の金属膜上にレジスト膜を形成(以降塗布処理と称す)した後、縮小投影露光装置にて配線パターンを露光し、薬液処理(以降現像処理と称す)にて露光部分のレジストを除去して、剥き出しにした金属をエッチングする。 When wiring is formed on a wafer used for a semiconductor device, generally, after forming a resist film on a metal film such as aluminum (hereinafter referred to as coating treatment), the wiring pattern is exposed by a reduction projection exposure apparatus, The exposed portion of the resist is removed by chemical treatment (hereinafter referred to as development processing), and the exposed metal is etched.
このとき、ウェハを回転させる機構を兼ね備えた基板処理装置は、主に塗布処理および現像処理で使用するが、処理中に発生するミストが処理部外部に飛散しやすい。この処理部外部に飛散したミストは、処理前のウェハに付着する場合がある。または、この処理部外部に飛散したミストは、処理部内で処理終了後のウェハに付着する場合もある。そして、このミストが付着した部分は、配線ショートや配線細り等の欠陥となり、半導体装置の歩留まり低下を引き起こしやすい。 At this time, the substrate processing apparatus having a mechanism for rotating the wafer is mainly used in the coating process and the developing process, but mist generated during the process is likely to be scattered outside the processing unit. The mist scattered outside the processing unit may adhere to the wafer before processing. Alternatively, the mist scattered outside the processing unit may adhere to the wafer after processing ends in the processing unit. The portion to which this mist adheres becomes a defect such as a wiring short circuit or wiring thinning, and tends to cause a decrease in the yield of the semiconductor device.
そのため、処理部外部へのミストの飛散を抑制することを目的として、多様な構造の基板処理装置が開発されている。このような従来の基板処理装置としては、例えば特許文献1に記載されたものがある。同文献に記載された基板処理装置を図4に示す。この基板処理装置は、処理カップ30の上部に処理液ミストの流れを制御する整流板42を備える。
Therefore, substrate processing apparatuses having various structures have been developed for the purpose of suppressing mist scattering to the outside of the processing unit. An example of such a conventional substrate processing apparatus is described in
より具体的には、この基板処理装置は、ウェハWを水平に保持した状態で回転するスピンチャック20と、側壁32および底壁31で構成され回転体形状の内壁面を有する処理カップ30と、を備え、処理カップ30は上方に開口している。
More specifically, the substrate processing apparatus includes a
さらに、その上方には、ウェハWからの処理液飛散を抑制する円筒状のスプラッシュガード40を備えており、円筒状の本体部41の上端縁には、内方に向かってほぼ直線状に突出するように結合された整流板42を有している。
Further, a
整流板42は、内方に向かうに従って下方に向かう逆円錐面に沿う板状体であり、平面視において円環状に構成される。整流板42の内縁部42aは、スピンチャック20によって保持されたウェハWの縁部よりも内方に対応する位置にまでせり出している。よって、内縁部42aが形成する円は、ウェハWの開口領域よりも小さなダウンフロー導入のための開口43となる。
The rectifying
さらに、底壁31には、排気口33が形成され、工場側ユーティリティやポンプ等の負圧源37により、処理カップ内に取り込むダウンフローの風量を増加させている。クリーンルーム内のダウンフロー90は、開口43を通ってウェハWの上面に向けて導かれるが、ウェハWの上面の近傍では、ウェハWの回転に伴って空気に遠心力が与えられるため、ウェハWの中心から処理カップ30の側壁32に向かう外向き気流が発生する。
Further, an
また、スピンベース22の下方では、スピンベース22自身の回転により、空気に遠心力が与えられ、回転中心から処理カップ30の側壁32に向かう外向き気流が発生する。これらの外向き気流は側壁32に沿い、さらにスプラッシュガード本体部41の内壁面に沿って上昇する上昇気流91を生じさせる。
Further, below the
上昇気流91は、スプラッシュガード40の上端縁にある整流板42の下面によって内下方に向けて経路を変えられ、内向き気流92を生じる。また、ダウンフロー90も、整流板42の上面で開口部43の内下方に向かう内向き気流に変換される。そして、これら上面、下面の気流が上方からのダウンフロー90に合流して、ウェハWの上面に向けて導かれる。
The path of the rising
この基板処理装置では、処理カップ30の上部に設けられている整流板42の上述のような作用により、処理チャンバ50の外部への処理液ミストの飛散を抑制できる。
In this substrate processing apparatus, scattering of the processing liquid mist to the outside of the
また、従来の液処理装置としては、特許文献2に記載されたものもある。特許文献2には、ケース側面に液振り切りのため、多数の排出口およびその流路を設けている液処理装置が開示されている。
Moreover, as a conventional liquid processing apparatus, there is one described in
また、従来の薄膜塗布装置としては、特許文献3に記載されたものもある。特許文献3には、ケース内壁に複数個の孔を設けた遮蔽板を多層構造に配設している薄膜塗布装置が開示されている。
しかしながら、上記文献記載の従来技術では、半導体基板の表面よりも上方の位置に処理液ミストが舞い上がりやすいため、処理液ミストが半導体基板の表面に付着する可能性が高い。近年では、半導体基板上の配線寸法がサブミクロンサイズへと微細化しており、ミクロンサイズの処理液ミストが半導体基板表面に付着すると、半導体装置の配線欠陥や歩留まり低下を引き起こしやすい。 However, in the prior art described in the above document, since the processing liquid mist is likely to rise to a position above the surface of the semiconductor substrate, the processing liquid mist is likely to adhere to the surface of the semiconductor substrate. In recent years, the wiring dimension on a semiconductor substrate has been miniaturized to a sub-micron size, and when a micron-sized processing liquid mist adheres to the surface of a semiconductor substrate, it tends to cause a wiring defect or a yield reduction of the semiconductor device.
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、基板上への処理液ミストの付着が抑制された基板処理装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus in which adhesion of processing liquid mist on the substrate is suppressed.
本発明によれば、基板を保持して回転させる基板保持手段と、基板上に処理液を供給する処理液供給手段と、基板の側方および下方を取り囲むように設けられている容器と、を備え、容器の内壁が基板の回転により発生する上昇気流を抑制する形状に加工されている、基板処理装置が提供される。 According to the present invention, the substrate holding means for holding and rotating the substrate, the processing liquid supply means for supplying the processing liquid onto the substrate, and the container provided so as to surround the side and the lower side of the substrate, Provided is a substrate processing apparatus in which an inner wall of a container is processed into a shape that suppresses an upward air flow generated by the rotation of the substrate.
この構成によれば、基板の回転により発生する上昇気流が容器の内壁の形状により抑制されるので、処理液ミストが基板表面位置よりも上部へ舞い上がることを抑制できる。このため、基板に処理液ミストが付着することを抑制できる。 According to this configuration, the rising air flow generated by the rotation of the substrate is suppressed by the shape of the inner wall of the container, so that it is possible to suppress the processing liquid mist from rising above the substrate surface position. For this reason, it can suppress that process liquid mist adheres to a board | substrate.
また、本発明によれば、基板を保持して回転させる基板保持手段と、基板上に対して処理液を供給する処理液供給手段と、基板の側方および下方を取り囲むように設けられている容器と、容器の内壁に、並行して設けられている複数段の溝部と、を備える基板処理装置が提供される。 Further, according to the present invention, the substrate holding means for holding and rotating the substrate, the processing liquid supply means for supplying the processing liquid onto the substrate, and the side and lower sides of the substrate are provided. There is provided a substrate processing apparatus including a container and a plurality of stages of grooves provided in parallel on the inner wall of the container.
この構成によれば、容器の内壁に並行して設けられている複数段の溝部により、基板の回転により発生する上昇気流が抑制される。このため、処理液ミストが基板表面位置よりも上部へ舞い上がることを抑制できるので、基板に処理液ミストが付着することを抑制できる。 According to this structure, the rising airflow which generate | occur | produces by rotation of a board | substrate is suppressed by the multistage groove part provided in parallel with the inner wall of a container. For this reason, since it can suppress that process liquid mist soars upwards rather than a substrate surface position, it can suppress that process liquid mist adheres to a board | substrate.
本発明によれば、上昇気流を抑制する構成を備えるため、基板に処理液ミストが付着することを抑制できる。 According to the present invention, since the configuration for suppressing the rising airflow is provided, it is possible to suppress the treatment liquid mist from adhering to the substrate.
本発明において、上記の複数段の溝部とは、容器の内壁に基板に対して斜め方向に設けられている溝部であってもよい。この構成によれば、基板の回転により発生する上昇気流が効率よく抑制される。なお、基板に対して溝部を斜めにする角度は、容器の形状、基板のサイズ、基板の回転方向、基板の回転スピードなどに応じて、適宜設定可能である。 In the present invention, the above-mentioned plurality of groove portions may be groove portions provided in an oblique direction with respect to the substrate on the inner wall of the container. According to this configuration, the upward air flow generated by the rotation of the substrate is efficiently suppressed. The angle at which the groove is inclined with respect to the substrate can be set as appropriate according to the shape of the container, the size of the substrate, the rotation direction of the substrate, the rotation speed of the substrate, and the like.
本発明において、上記の複数段の溝部とは、容器の内壁に螺旋状に設けられている溝部であってもよい。この構成によれば、容器の内壁には複数段の溝部が形成されることになるため、基板の回転により発生する上昇気流が抑制される。なお、螺旋状の溝部は、1本の螺旋状の溝部から構成されてもよく、複数の螺旋状の溝部が並行していてもよい。 In the present invention, the above-mentioned plurality of groove portions may be groove portions provided spirally on the inner wall of the container. According to this configuration, a plurality of groove portions are formed on the inner wall of the container, so that an upward air flow generated by the rotation of the substrate is suppressed. In addition, the spiral groove part may be comprised from one spiral groove part, and the several spiral groove part may be parallel.
また、上記の溝部は、基板の周縁部の進行方向に対して、下向きの傾きを有してもよい。 The groove may have a downward inclination with respect to the traveling direction of the peripheral edge of the substrate.
この構成によれば、基板の回転により生じる外向き気流が内壁に沿う上昇気流に転換すると、基板の周縁部の進行方向に対して下方へ傾斜の付いた複数段の溝部を鉛直方向に横断することとなる。その結果、上昇気流に及ぶ抵抗力の増加に伴って、上昇気流の上昇力が減衰する。 According to this configuration, when the outward airflow generated by the rotation of the substrate is converted into the rising airflow along the inner wall, the plurality of groove portions inclined downward with respect to the traveling direction of the peripheral edge of the substrate are traversed in the vertical direction. It will be. As a result, the ascending force of the updraft is attenuated as the resistance force on the updraft increases.
また、上記の基板処理装置は、容器内の処理液を排出する排液手段をさらに備え、溝部は廃液手段の近傍まで設けられていてもよい。 The substrate processing apparatus may further include a drainage unit that discharges the processing liquid in the container, and the groove may be provided up to the vicinity of the waste liquid unit.
この構成によれば、溝部に溜まる処理液は、溝部の下端の近傍にある廃液手段を通して容器内から排出される。このため、容器内に残存する処理液の量が低減され、基板に処理液ミストが付着することを抑制できる。 According to this configuration, the processing liquid that accumulates in the groove is discharged from the container through the waste liquid means in the vicinity of the lower end of the groove. For this reason, the amount of the processing liquid remaining in the container is reduced, and it is possible to suppress the processing liquid mist from adhering to the substrate.
また、上記の複数段の溝部とは、容器の内壁に設けられている線状の凹部であってもよい。あるいは、容器の内壁に設けられている線状の凸部と凸部との間の領域であってもよい。それぞれの溝部は、一定の幅を持っていてもよい。 Further, the above-mentioned plurality of groove portions may be linear concave portions provided on the inner wall of the container. Or the area | region between the linear convex part provided in the inner wall of a container and a convex part may be sufficient. Each groove may have a certain width.
また、溝部の断面形状は、任意の形状を採用でき、角形であってもよく、半円状であってもよく、くさび形であってもよい。このような溝部は、容器の内壁を機械的に削り取ることにより形成可能である。また、容器の内壁に設けられる溝部の段数は特に限定されない。上記の複数段の溝部とは、容器の内壁に、複数の独立した溝部として設けられている溝部であってもよい。また、上記の溝部は連続している必要はなく、断続的に設けられていてもよい。 Moreover, arbitrary shapes can be employ | adopted for the cross-sectional shape of a groove part, a square shape may be sufficient, a semicircle shape may be sufficient, and a wedge shape may be sufficient. Such a groove can be formed by mechanically scraping the inner wall of the container. Moreover, the number of steps of the groove provided on the inner wall of the container is not particularly limited. The plurality of groove portions may be groove portions provided as a plurality of independent groove portions on the inner wall of the container. In addition, the groove portion does not need to be continuous and may be provided intermittently.
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.
図1は、実施の形態に係る基板処理装置の一部を模式的に示した断面図である。また、図2は、実施の形態に係る基板処理装置の一部を模式的に示した上面図である。図1は、図2の上面図のB−B’線に沿った断面図である。本実施形態に係る基板処理装置は、図1、図2に示す様に、処理カップ1の内壁に螺旋状の切り込み構造4が付加されている。
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a part of a substrate processing apparatus according to an embodiment. FIG. 2 is a top view schematically showing a part of the substrate processing apparatus according to the embodiment. FIG. 1 is a cross-sectional view taken along line B-B ′ of the top view of FIG. 2. In the substrate processing apparatus according to this embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, a
すなわち、本実施形態に係る基板処理装置は、ウェハ2(基板)を保持して回転させるスピンチャック3(基板保持手段)と、ウェハ2上に処理液を供給する薬液吐出ノズル5(処理液供給手段)と、ウェハ2の側方および下方を取り囲むように設けられている処理カップ1(容器)と、を備える。ウェハ2は、スピンチャック3により、真空吸引法を用いて、略水平に保持されている。
That is, the substrate processing apparatus according to this embodiment includes a spin chuck 3 (substrate holding means) that holds and rotates the wafer 2 (substrate), and a chemical solution discharge nozzle 5 (processing solution supply) that supplies the processing liquid onto the
そして、処理カップ1の内壁には、螺旋状の切り込み構造4(螺旋状の溝部)が設けられている。あるいは、処理カップ1の内壁には、ウェハ2に対して斜め方向に並行して複数の切り込み構造4(複数の溝部)が設けられていてもよい。あるいは、ウェハ2に対して水平方向に複数の切り込み構造4を設けてもよい。処理カップ1の内壁に設けられたこのような切り込み構造4は、ウェハ2の回転により発生する上昇気流を抑制する手段として機能する。
The inner wall of the
これにより、ウェハ2の回転に伴って発生する、ウェハ2上面近傍およびウェハ2下面のスピンチャック3回転中心から処理カップ1の内壁に向かう外向き気流9が、内壁に沿う上昇気流10に転換すると、円筒形の内壁形状に沿うように下方へ傾斜の付いた切り込み構造4を鉛直方向に複数回横断することとなる。このため、上昇気流10が持つ上昇力が減衰されてウェハ2表面位置よりも上部へ舞い上がることを抑制できるため、処理カップ1内に待機中のウェハ2に対して処理液ミストが付着することを抑制できる。
As a result, when the
また、気流に含まれる処理液ミストは、螺旋状の切り込み構造4の隙間に溜まり、傾斜に沿って下方に流れる。よって、この螺旋状の切り込み構造4は、気流中における処理液ミストの含有率を減少する効果も有する。
Further, the treatment liquid mist contained in the airflow is accumulated in the gaps of the spiral cut
その結果、処理カップ1内でウェハ2を真空吸着し、回転させながら薬液処理を行うと、薬液処理時に発生する処理液ミストが、処理終了後に処理カップ1内で待機しているウェハ2に付着することが抑制される。また、処理カップ1の外部に位置する別のウェハ2への処理液ミストの付着も抑制できる。このため、この基板処理装置を用いて、ウェハ2を薬液で処理すると、そのウェハ2上の配線欠陥が減少するので、ウェハ2を用いる半導体装置の歩留まりが向上する効果を奏する。
As a result, when the
以下、本実施形態に係る半導体装置の構成についてより詳細に説明する。 Hereinafter, the configuration of the semiconductor device according to the present embodiment will be described in more detail.
図1、図2に示すように、処理カップ1の内壁には、上端部から下向きの傾斜を持った螺旋状の切り込み構造4を有する。切り込みの加工は、処理カップ1の内壁の垂直部分全域に対して、処理カップ1の上端部から下向きの傾斜で進行し、ウェハ2の周縁部の進行方向(ウェハ2の回転方向)に対しては下向きの螺旋状に施されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the inner wall of the
また、図3は、実施の形態に係る基板処理装置の処理カップ内壁の螺旋状の切り込み構造を模式的に示した拡大図である。図3は、図2の上面図のA部を拡大した斜視図である。 FIG. 3 is an enlarged view schematically showing a spiral cut structure of the inner wall of the processing cup of the substrate processing apparatus according to the embodiment. 3 is an enlarged perspective view of a portion A in the top view of FIG.
処理カップ1の円筒形の内壁に螺旋状の切り込み構造4が施された基板処理装置において、スピンチャック3に真空吸着されたウェハ2は、薬液吐出ノズル5から薬液が吐出された後に回転することにより表面が薬液処理される。そして、回転と同時に、ウェハ2上面近傍およびウェハ2下面近傍の空気に遠心力が発生し、スピンチャック3の回転中心から処理カップ1の内壁に向かう外向き気流9が発生する。
In a substrate processing apparatus in which a
この外向き気流9が内壁に沿う上昇気流10に転換すると、円筒状の内壁形状に沿うように(ウェハ2の回転方向に対して)下方へ傾斜の付いた切り込み構造4を鉛直方向に横断することとなる。その結果、上昇気流10に及ぶ抵抗力の増加に伴って、上昇気流10の上昇力が減衰する。切り込み構造4は螺旋状に施されているため、円筒状の内壁には底壁から上面に至るまで複数段の切り込み構造4を有することとなる。そのため、上昇気流10は凹凸の横断を複数回繰り返すこととなり、上昇気流10の上昇力は大きく減衰する。
When the
また、処理カップ1の底壁には排気口7が設けられており、工場側ユーティリティやポンプ等の負圧源によって、処理カップ1の上部開口部からクリーンルーム雰囲気を取り込みながら下向きに流れる気流が常に存在する。そのため、処理カップ1の内壁に施された螺旋状の切り込み構造4にも下向きの気流が存在する。よって、ウェハ2の回転により発生した、処理カップ1の内壁に沿う処理液ミストを含んだ上昇気流10は、螺旋状の切り込み構造4の横断を複数回繰り返すことによる上昇力の減衰に併せて下向き気流と合流する。その結果、この気流は、ウェハ2表面位置より上方に舞い上がる事なく、排気口7から排出される。
Further, an exhaust port 7 is provided in the bottom wall of the
ウェハ2の回転方向が時計回りである場合に切り込み構造4(螺旋状のノコギリ歯)は右下方向に向けて形成される(すなわち、ウェハ2の回転方向に対しては下向きの螺旋状に施される)。
When the rotation direction of the
そのため、図1に示すように、ウェハ2の回転により生じる外向きの気流9に含まれる処理液ミストは、螺旋状の切り込み構造4の隙間に存在する液溜まり8に吸収される。そして、液溜まり8に吸収された処理液ミストは、液溜まり8の傾斜に沿って下方に流れ廃液口6から排出される。こうすることにより、気流中における処理液ミストの含有率は減少する。
Therefore, as shown in FIG. 1, the processing liquid mist contained in the
また、液溜まり8の下端は廃液口6の近傍に設けておくことが廃液効率の面からは有効である。すなわち、液溜まり8を通じて下降してきた処理液を廃液口6に導くように構成することができる。こうすることにより、液溜まり8の下端に達した処理液は廃液口6に流れ込みやすくなり、処理カップ1内に残存する処理液の量が低減するため、処理カップ1の底に溜まった処理液が跳ね上がってウェハ2上に付着することを抑制できる。また、液溜まり8は、図1に示すように、奥に行くほど下向きに形成されている方が、処理液ミストを吸収しやすくなる。
Further, it is effective from the viewpoint of waste liquid efficiency to provide the lower end of the
このように、処理カップ1内でウェハ2が薬液処理される際に発生する処理液ミストを含んだ気流は、ウェハ2の表面位置よりも上方まで舞い上がることなく流れ方向を下向きに転換される為、処理部外部への処理液ミストの飛散を防止できるだけではなく、薬液処理が終了し処理カップ1内で待機しているウェハ2への処理液ミスト付着を防止することができる。
As described above, the airflow including the processing liquid mist generated when the
さらに、処理カップ1上部には、ウェハ2の縁部よりも内方に対応する位置にまでせり出した整流板の様な突起物が存在しない為、突起物などに蓄積した処理液が落下する危険も少ない。また、気流に含まれる処理液ミストは、螺旋状の切り込み構造4の隙間に溜まり、切り込み構造4の傾斜に沿って下方に流れる為、気流中における処理液ミストの含有率は減少する。
Further, since there is no protrusion such as a rectifying plate protruding to the position corresponding to the inner side of the edge of the
以下、本実施形態に係る半導体装置の作用効果について、従来技術と対比して説明する。 Hereinafter, the operation and effect of the semiconductor device according to the present embodiment will be described in comparison with the prior art.
本実施形態では、処理カップ1内でウェハ2をスピンチャック3により真空吸着し、回転させながら薬液処理を行う基板処理装置において、処理時に発生する処理液ミストが、処理終了後に処理カップ1内で待機しているウェハに付着することがない。また、処理カップ1の外部に位置する別のウェハ2への処理液ミストの付着も抑制できるので、ウェハ2上に形成される配線欠陥を減少させて、ウェハ2を用いる半導体装置の歩留まりが向上する効果を奏する。
In the present embodiment, in a substrate processing apparatus that performs vacuum processing while the
一方、特許文献1においては、図4に示すように、上昇気流91となってウェハW位置よりも上方位置に舞い上がった処理液ミストを、内向き気流92に変換して処理カップ30下方に排出することを目的としているために、処理液ミストを含んだ気流がウェハ表面に衝突しやすい。
On the other hand, in
加えて、スプラッシュガード40の上端縁にある整流板42の内縁部42aは、スピンチャック20によって保持されたウェハWの縁部よりも内方に対応する位置にまでせり出しているので、経時的に内縁部42a先端に溜まった処理液がウェハW上に落下しやすい。
In addition, since the inner edge portion 42a of the rectifying
そのため、処理カップ30内で薬液処理が終了し、処理カップ30から搬出されるまで待機しているウェハWに対して、残存する処理液ミストが付着する場合がある。近年では、ウェハW上の配線寸法がサブミクロンサイズへと微細化しており、ミクロンサイズのミストがウェハW表面に付着すると配線欠陥となり歩留まり低下を引き起こしやすい。
Therefore, the remaining processing liquid mist may adhere to the wafer W that is waiting until the chemical processing is completed in the
また、特許文献2および特許文献3ともに、処理液滴下後の回転によって生じる処理液ミストが、その構造からスピンチャックに保持された半導体基板の表面よりも上方の位置に舞い上がりやすいため、処理液ミストが半導体基板の表面に落下する可能性が高い。
Further, in both
特に、特許文献2の液処理装置は、処理液ミストがフィンから跳ね返る可能性がある。また、特許文献3の薄膜塗布装置は、多段構成の遮蔽板が処理カップ内に存在することから、処理液滴下後の回転によって生じる外向きの気流が乱流となり、半導体基板の裏面にも処理液ミストが付着する可能性がある。
In particular, the liquid processing apparatus of
このため、特許文献2および特許文献3においても、ミクロンサイズのミストが半導体基板表面に付着すると配線欠陥となり歩留まり低下を引き起こしやすい。
For this reason, also in
これに対して、本実施形態に係る基板処理装置は、処理カップ1を備える。また、この基板処理装置は、その処理カップ1の内部において、基板(以降、適宜ウェハ2と称す)上に薬液を滴下させる薬液吐出ノズル5と、ウェハ2を回転させるスピンチャック3と、を備える。そして、ウェハ2の回転方向が時計回りである場合に切り込み構造4(螺旋状のノコギリ歯)を右下方向に向けて形成してある(すなわち、ウェハ2の回転方向に対しては下向きの螺旋状に施されている)。
On the other hand, the substrate processing apparatus according to this embodiment includes a
この基板処理装置では、処理カップ1内でウェハ2をスピンチャック3により真空吸着し、回転させながら薬液処理を行う。このため、処理液滴下後の回転によって生じる外向きの気流9が、切り込み構造4の溝に沿って斜め下方向に向けさせられるために、ウェハ2の表面よりも上方の位置に処理液ミストが上昇しにくい。また、処理カップ1上部からのダウンフローの作用により、処理カップ1底壁から側壁を上昇する気流10は、螺旋状切り込み構造4を数段階に渡って乗り越えることになり、ウェハ2の表面位置に達する前にほとんど消滅する。
In this substrate processing apparatus, a
このように、この基板処理装置は、処理カップ1の外下向き側に螺旋状のノコギリ歯(切り込み構造4)を設置しているため、この基板処理装置では、薬液によるウェハ2の処理時に発生する処理液ミストが、処理終了後に処理カップ1内で待機しているウェハ2に付着することが抑制される。また、処理カップ1の外部に位置する別のウェハ2への処理液ミストの付着も、同様に抑制される。
Thus, since this substrate processing apparatus is provided with a helical saw tooth (cut structure 4) on the outwardly downward side of the
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described with reference to drawings, these are the illustrations of this invention, Various structures other than the above are also employable.
例えば、上記実施形態では、処理液として、ウェハ2上に設けられるレジスト膜の原料液を用いることができるが、特にこれに限定されない。他にも、洗浄液またはエッチング液などの任意の液体を用いることができる。
For example, in the above-described embodiment, a raw material liquid for a resist film provided on the
また、上記実施形態では、処理カップ1の内壁には、ウェハ2に対して斜め方向に並行して複数の切り込み構造4が設けられている構造としたが、特にこれに限定されない。他にも、ウェハ2に対して水平方向に複数の切り込み構造4を設けてもよい。このような構造であっても、ウェハ2の回転により生じる上昇気流10を抑制することができる。
In the above-described embodiment, the inner wall of the
1 処理カップ
2 ウェハ
3 スピンチャック
4 切り込み構造
5 薬液吐出ノズル
6 廃液口
7 排気口
8 液溜まり
9 外向き気流
10 上昇気流
20 スピンチャック
30 処理カップ
31 底壁
32 側壁
33 排気口
37 負圧源
40 スプラッシュガード
41 本体部
42 整流板
42a 内縁部
43 開口
50 処理チャンバ
90 ダウンフロー
91 上昇気流
92 内向き気流
W ウェハ
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記基板上に処理液を供給する処理液供給手段と、
前記基板の側方および下方を取り囲むように設けられている容器と、
を備え、
前記容器の内壁が前記基板の回転により発生する上昇気流を抑制する形状に加工されていることを特徴とする基板処理装置。 A substrate holding means for holding and rotating the substrate;
Treatment liquid supply means for supplying a treatment liquid onto the substrate;
A container provided so as to surround a side and a lower side of the substrate;
With
The substrate processing apparatus, wherein an inner wall of the container is processed into a shape that suppresses an upward air flow generated by the rotation of the substrate.
前記基板上に対して処理液を供給する処理液供給手段と、
前記基板の側方および下方を取り囲むように設けられている容器と、
前記容器の内壁に、並行して設けられている複数段の溝部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 A substrate holding means for holding and rotating the substrate;
Treatment liquid supply means for supplying a treatment liquid onto the substrate;
A container provided so as to surround a side and a lower side of the substrate;
A plurality of grooves provided in parallel on the inner wall of the container;
A substrate processing apparatus comprising:
前記溝部は、前記容器の内壁に、前記基板に対して斜め方向に設けられていることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2,
The substrate processing apparatus, wherein the groove is provided on the inner wall of the container in an oblique direction with respect to the substrate.
前記溝部は、前記容器の内壁に、螺旋状に設けられていることを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus of Claim 2 or 3,
The substrate processing apparatus, wherein the groove is spirally provided on the inner wall of the container.
前記溝部は、前記基板の周縁部の進行方向に対して、下向きの傾きを有することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 2 to 4,
The substrate processing apparatus, wherein the groove portion has a downward inclination with respect to a traveling direction of a peripheral portion of the substrate.
容器内の処理液を排出する排液手段をさらに備え、
前記溝部は、前記廃液手段の近傍まで設けられていることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 2 to 5,
A drainage means for discharging the processing liquid in the container;
The substrate processing apparatus, wherein the groove is provided to the vicinity of the waste liquid means.
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