JP2005340365A - 発光モジュールおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 可視光が透過するかまたは反射することのできる発光モジュールと、このような発光モジュールを簡単に製造することのできる製造方法とを提供する。
【解決手段】 発光モジュールは、第1透光性絶縁基板1(透明ガラス板)の上に、光吸収層2(酸化錫)、金属膜層3(銀)、発光素子7(チップLED)と抵抗素子8(チップ抵抗)とからなる複数の発光素子群4、透明接着層5(EVAフィルム)、および第2透光性絶縁基板6(透明ガラス板)が順次積層された構造からなる。金属膜層3は、光吸収層2の上に部分的に形成された、発光素子群4を発光させるための回路パターンからなっている。
【選択図】 図1
【解決手段】 発光モジュールは、第1透光性絶縁基板1(透明ガラス板)の上に、光吸収層2(酸化錫)、金属膜層3(銀)、発光素子7(チップLED)と抵抗素子8(チップ抵抗)とからなる複数の発光素子群4、透明接着層5(EVAフィルム)、および第2透光性絶縁基板6(透明ガラス板)が順次積層された構造からなる。金属膜層3は、光吸収層2の上に部分的に形成された、発光素子群4を発光させるための回路パターンからなっている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、太陽電池やその他の電池と組み合わせて小型照明や案内標識などに使用することのできる発光モジュールおよびその製造方法に関するものである。
従来、照明器具と太陽電池とを組み合わせたさまざまな照明装置が提案されてきた。このような照明装置としては例えば、特許文献1のように、透光性基板上に透光性発光部と太陽電池とがこの順で積層されたもの、特許文献2のように、発光面と受光面とが同一面上になるように、発光面を有するパネル状発光体の近傍に太陽電池の受光面が配置されたもの、特許文献3のようにように、太陽光発電部とその起電力により発光する発光部とが1枚の平板状基板に実装されたものなどがあった。
しかしながら、特許文献1や特許文献2に記載された装置によれば、発光部が可視光透過型のものであっても、太陽電池などが積層されてモジュール構造にされると可視光は透過することができず、そのために用途が限られるという欠点があった。また、特許文献3に記載された装置によれば、表面に太陽光発電部を、裏面に該太陽光発電部の起電力により発光する発光部を、それぞれ実装する1枚の平板状基板に、スルーホールを形成し、裏面にプリント配線と太陽電池モジュールの起電力を利用する回路・素子群とを実装するものであるため、これも可視光は透過することができず、用途が限られるという欠点があった。
本発明の目的は、このような従来技術の課題を解決し、可視光を透過させるかまたは反射させることのできる、広い用途範囲を備えた発光モジュールと、このような発光モジュールを簡単に製造することのできる製造方法とを提供することにある。
本発明の1つの観点によれば、第1透光性絶縁基板または第1反射性絶縁基板の上に、光吸収層、金属膜層、所定個数の発光素子群、透明接着層および第2透光性絶縁基板または第2反射性絶縁基板が順次積層された構造を備えてなり、金属膜層が、発光素子群を発光させるための回路パターンを有していることを特徴とする発光モジュールが提供される。
すなわち、本発明に係る発光モジュールは、発光素子群(発光素子と抵抗素子とからなるもの)とこの発光素子群を発光させるための機能が備わった部分(回路パターン)とを上下2枚の透光性絶縁基板または反射性絶縁基板で一体化した可視光透過型または可視光反射型の発光モジュールである。
本発明の他の観点によれば、本発明の1つの観点による発光モジュールを製造するに際し、第1透光性絶縁基板または第1反射性絶縁基板の上に光吸収層を形成し、この光吸収層に、直列接続される発光素子と抵抗素子とからなる発光素子群どうしを分離するためのパターニングを行い、光吸収層の上に所定のマスクパターンで金属膜層を形成し、光吸収層および金属膜層に、発光素子群における発光素子と抵抗素子とを分離するためのパターニングを行って、金属膜層に前記回路パターンを得ることを特徴とする発光モジュールの製造方法が提供される。
すなわち、本発明に係る発光モジュールの製造方法は、第1透光性絶縁基板または第1反射性絶縁基板の上に、光吸収層、金属膜層、所定個数の発光素子群、透明接着層および第2透光性絶縁基板を順次積層するとともに、前記金属膜層には、前記発光素子群を発光させるための所定の回路パターンを光吸収層の利用による特定の技術によって形成するものである。
本発明に係る発光モジュールにあっては、第1透光性絶縁基板または第1反射性絶縁基板の上に、光吸収層、金属膜層、発光素子群、透明接着層および第2透光性絶縁基板または第2反射性絶縁基板が順次積層された構造を備えてなり、発光素子群とこの発光素子群を発光させるための機能が備わった部分とを上下2枚の透光性絶縁基板または反射性絶縁基板で一体化したものである。したがって、可視光は透過するかまたは反射することができるようになり、従来のものに比べて広い用途範囲を備えている。また、バッライトを使ったものよりも薄い上、微小な点光源であるので新しいタイプの照明デザインが可能であり、直流低電圧で発光できるので電池駆動しやすく、モバイル型として持ち運びしやすい。さらに、エポキシの回路基板を用いていないのでデザイン性に優れ、基板を被覆する必要がないのでコンパクトにすることができ、しかも、ガラス基板などでLEDや回路パターンを完全に封止することができるので、屋外での使用に長期間耐えることができる。
本発明に係る発光モジュールの製造方法にあっては、第1透光性絶縁基板または第1反射性絶縁基板の上に、光吸収層、金属膜層、発光素子群、接着層および第2透光性絶縁基板または第2反射性絶縁基板を順次積層し、金属膜層に、発光素子群を発光させるための回路パターンを形成するものであるので、可視光が透過するかまたは反射する発光モジュールを簡単に製造することができる。
本発明に係る発光モジュールは、第1透光性絶縁基板または第1反射性絶縁基板の上に、光吸収層、金属膜層、所定個数の発光素子群、透明接着層および第2透光性絶縁基板または第2反射性絶縁基板が順次積層された構造からなる(図1参照)。第1透光性絶縁基板および第2透光性絶縁基板は、厚さが例えば0.1〜10mm程度であって、透明なガラス板またはプラスチック板からなるのが好ましい。この場合には、入手が容易でコスト的にも有利な材料を用いて可視光を確実に透過させることができる。また、第1反射性絶縁基板および第2反射性絶縁基板は、厚さが例えば0.1〜10mm程度であって、全面に金属反射層の設けられたものであるのが好ましい。この場合には、可視光を確実に反射させることができる。1
光吸収層は、酸化錫(SnO2)、錫添加酸化インジウム(ITO)、酸化亜鉛(ZnO)などからなる透明電極で構成することが好ましい。この場合には、透明電極のエネルギーギャップに相当する波長よりも大きい波長の可視光を透過させることができる。金属膜層は、光吸収層の上に部分的に形成することが好ましい。この場合には、金属膜層が形成されていない部分では、光吸収層(場合によっては透明電極)のエネルギーギャップに相当する波長よりも大きい波長の可視光を透過させることができる。
本発明に係る発光モジュールには金属膜層(導電膜)が形成されるが、その膜厚は例えば0.01〜100μm程度である。金属膜層の材質としては、導電性を示すものであればよく、例えば金、銀、銅、白金、ニッケル、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウムなどが挙げられるが、銀が好ましい。この金属膜層は、例えばスパッタリング法、電着法、無電解メッキ法、ディップコート法、CVD法などにより形成される。
本発明に係る発光モジュールは、発光素子群のそれぞれの例として、直列接続された(例えば2個の)発光素子と、(例えば1個の)抵抗素子とからなるものが挙げられる(図3参照)。ここで、発光素子としては例えばチップLEDが、抵抗素子としては例えばチップ抵抗が、それぞれ挙げられる。この場合には、例えばリフロープロセスを用いることで、金属膜層がはんだに「食われる」ことなく、チップLEDとチップ抵抗とを簡単に実装することができる。
本発明に係る発光モジュールは、回路パターンが、所定個数(例えば24個)の発光素子群を並列接続するためのものであるのが好ましい(図2参照)。この場合には、前記発光素子群をいっそう簡単かつ確実に発光させることができる。
本発明に係る発光モジュールは、透明接着層として、例えば、約100℃〜約120℃で架橋可能なエチレン−酢酸ビニル(EVA)フィルムからなるものが用いられる。この場合には、このようなEVAフィルムを用いることで、チップLEDおよびチップ抵抗を破損することなく確実にラミネートすることができる。
本発明に係る発光モジュールの製造方法は、第1透光性絶縁基板または第1反射性絶縁基板の上に、光吸収層、金属膜層、所定個数の発光素子群、透明接着層および第2透光性絶縁基板または第2反射性絶縁基板が順次積層された構造を備えてなり、金属膜層が、発光素子群を発光させるための回路パターンを有している発光モジュールを製造するに際し、第1透光性絶縁基板または第1反射性絶縁基板の上に光吸収層を形成し、この光吸収層に、直列接続される発光素子と抵抗素子とからなる発光素子群どうしを分離するためのパターニングを行い、光吸収層の上に所定のマスクパターンで金属膜層を形成し、光吸収層および金属膜層に、発光素子群における発光素子と抵抗素子とを分離するためのパターニングを行って、金属膜層に前記回路パターンを得るものである。
発光素子群どうしを分離するためのパターニングおよび発光素子群における発光素子と抵抗素子とを分離するためのパターニングは、光吸収層に吸収される波長のレーザ光を第1透光性絶縁基板側から入射させることで行うのが好ましい。この場合には、これらのパターニングを簡単かつ確実に行うことができる。
金属膜層の回路パターンは、レーザパターニングおよび/またはエッチングによって形成するのが好ましい。この場合には、金属膜層のレーザパターニング部および/またはエッチング除去部で、光吸収層(場合によっては透明電極)のエネルギーギャップに相当する波長よりも大きい波長の可視光を透過させることができる。
以下、例示としての目的だけで、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。図1において、発光モジュールは、第1透光性絶縁基板1の上に、光吸収層2、金属膜層3、所定個数の発光素子群4、透明接着層5および第2透光性絶縁基板6が順次積層された構造からなる。
まず、発光部の作製に当たり、予め光吸収層2が形成された第1透光性絶縁基板1を用いる。すなわち、この第1透光性基板1の片側表面と全周囲端面とには、光吸収層2が部分的に形成されている。ここでは、第1透光性絶縁基板1には透明ガラス板を用いる。また、光吸収層2には酸化錫(SnO2)からなる透明電極を用いる。
次に、図2に示すような回路パターンを形成するため、以下に示す工程1〜6を実施する。この回路パターンは、図3に示すような2個の発光素子(チップLED)7と1個の抵抗素子(チップ抵抗)8とが直列状に接続されてなる発光素子群4を24個、並列接続することができるような回路パターンである。
(工程1) 24個の発光素子群4を並列接続する際に、隣り合う発光素子群4どうしを分離するための、光吸収層2のパターニングを、レーザ光によって行う。この際、光吸収層2によく吸収される波長のレーザ光を第1透光性絶縁基板1の側から入射させることにより、光吸収層2が短冊状に分離されて分離ライン9(図4)が形成される。ここでは、光吸収層2に酸化錫を用いているため、YAG基本波レーザを用い、幅100μmの分離ライン9を11本形成する。図4は、そのレーザ加工パターンである。
(工程2) 光吸収層2の上に金属膜層3を形成する。ここでは、RFマグネトロンスパッタリング法により銀を約3000Åの膜厚で形成して金属膜層3とするが、この金属膜層3は、導電性を示すものであれば、製法、膜厚に限らず何でもよい。
(工程3) 金属膜層3の上に、図5に示すマスクパターンで保護層を形成する。図5のマスクパターンは、縦方向に延びる1001〜1012に示す12個の帯状長方形パターンと、横方向に延びる1013〜1015に示す3個の帯状長方形パターンとで構成されている。1001〜1012の長方形パターンはそれぞれ、1013〜1015の長方形パターンと3箇所で交わるか、あるいは接触している。この際、1001〜1012の長方形マスクパターンは、図4に示す分離ライン9で分離された光吸収層2の短冊どうしが導通されない位置に形成する必要がある。一方、1013〜1015の長方形マスクパターンは、12個に分離された光吸収層2の短冊がすべて導通される位置に形成する必要がある。
(工程4) エッチング液を用いて金属膜層3をエッチングする。ここでは、金属膜層3に銀を用いているため、硫酸鉄系のエッチング液を用いる。これにより、図5のマスクパターンで、金属膜層3および保護層が残る。
(工程5) 保護層を除去する。ここでは、保護層にレジスト膜を用いているため、レジスト膜の除去にはレジスト膜除去用の溶剤を用いる。これにより、金属膜層3が図5のマスクパターンで形成される。
(工程6) 発光素子群4を構成する2個の発光素子7と1個の抵抗素子8との電極部を分割するための、光吸収層2および金属膜層3のパターニングをレーザ光によって行う。この際、光吸収層2によく吸収される波長のレーザ光を第1透光性絶縁基板1の側から入射させることにより、光吸収層2および金属膜層3が図4の加工パターンに対して垂直な方向に短冊状に分離された分離ライン1101〜1106(図6)が形成される。ここでは、光吸収層2に酸化錫を用いているため、YAG基本波レーザを用い、幅100μmの分離ライン1101〜1103を、図5における1014の長方形金属膜層3と1015の長方形金属膜層3との間に、また、分離ライン1101〜1103と同じ幅の分離ライン1104〜1106を、1013の長方形金属膜層3と1014の長方形金属膜層3との間に形成する。図6はそのレーザ加工パターンである。
以上の工程1〜6を経て、図2に示す2個の発光素子7と1個の抵抗素子8とが直列状に接続された発光素子群4を24個、並列接続できるような回路パターン(図3)を形成することができる。
次に、図5に示すマスクパターンの形状に形成された金属膜層3における1001〜1012の長方形パターン上のそれぞれに、4個の発光素子7と2個の抵抗素子8とを、分離ライン1101、1106の両端の金属膜層3上に抵抗素子8の両極が接続されるように、また、1102、1103、1104、1105の両端の金属膜層3上に発光素子7の両極が接続されるように、ソルダーはんだを用いてマウントする。
この際、金属膜層3における1013、1015の長方形パターンの部分がすべての発光素子群4の共通陽極となるように、また、金属膜層3における1014の長方形パターンの部分がすべての発光素子群4の共通陰極となるように、マウントする。ここでは、発光素子7には白色チップLED、抵抗素子8には抵抗値が180Ωのチップ抵抗を用いる。また、これらの共通陽極および共通陰極は逆であってもよい。
次に、ソルダーはんだをリフロー炉で溶かして、電気的接続を行う。最後に、第2透光性絶縁基板6との間に透明接着層5を挟んでラミネートする。ここでは、第2透光性絶縁基板6に透明ガラス板を用い、透明接着層5に約100℃〜約120℃で架橋可能なEVAフィルムを用いて、ラミネートする。
以上で、発光素子7と抵抗素子8と発光素子7を発光させるための回路パターンとを2枚の透光性絶縁基板1、6で一体化した可視光透過型の発光モジュールが完成する。
この発光モジュール(モジュールサイズが186mm×300mm)の仕様は、入力電圧10Vで、消費電流が約373mA、最大消費電力が3.73W(100mW/cm2 )である。また、試作した発光モジュールによれば、可視光を透過させることができた。
本発明は、太陽電池やその他の電池と組み合わせて小型照明や案内標識などに広く適用することができる。
1:第1透光性絶縁基板子
2:光吸収層
3:金属膜層
4:発光素子群
5:透明接着層
6:第2透光性絶縁基板子
7:発光素子(チップLED)
8:抵抗素子(チップ抵抗)
9:分離ライン
2:光吸収層
3:金属膜層
4:発光素子群
5:透明接着層
6:第2透光性絶縁基板子
7:発光素子(チップLED)
8:抵抗素子(チップ抵抗)
9:分離ライン
Claims (10)
- 第1透光性絶縁基板または第1反射性絶縁基板の上に、光吸収層、金属膜層、所定個数の発光素子群、透明接着層および第2透光性絶縁基板または第2反射性絶縁基板が順次積層された構造を備えてなり、金属膜層が、発光素子群を発光させるための回路パターンを有していることを特徴とする発光モジュール。
- 第1透光性絶縁基板および第2透光性絶縁基板が、透明なガラス板またはプラスチック板からなる請求項1に記載の発光モジュール。
- 第1反射性絶縁基板および第2反射性絶縁基板が、全面に金属反射層の設けられたものである請求項1に記載の発光モジュール。
- 光吸収層が、透明電極からなり、金属膜層が、透明導電膜からなる請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光モジュール。
- 発光素子群のそれぞれが、直列接続された発光素子と抵抗素子とからなる請求項1〜4のいずれか1つに記載の発光モジュール。
- 回路パターンが、所定個数の発光素子群を並列接続するためのものである請求項1〜5のいずれか1つに記載の発光モジュール。
- 透明接着層が、約100℃〜約120℃で架橋可能なEVAフィルムからなる請求項1〜6のいずれか1つに記載の発光モジュール。
- 第1透光性絶縁基板または第1反射性絶縁基板の上に、光吸収層、金属膜層、所定個数の発光素子群、透明接着層および第2透光性絶縁基板または第2反射性絶縁基板が順次積層された構造を備えてなり、金属膜層が、発光素子群を発光させるための回路パターンを有している発光モジュールを製造するに際し、第1透光性絶縁基板または第1反射性絶縁基板の上に光吸収層を形成し、この光吸収層に、直列接続される発光素子と抵抗素子とからなる発光素子群どうしを分離するためのパターニングを行い、光吸収層の上に所定のマスクパターンで金属膜層を形成し、光吸収層および金属膜層に、発光素子群における発光素子と抵抗素子とを分離するためのパターニングを行って、金属膜層に前記回路パターンを得ることを特徴とする発光モジュールの製造方法。
- 発光素子群どうしを分離するためのパターニングおよび発光素子群における発光素子と抵抗素子とを分離するためのパターニングを、光吸収層に吸収される波長のレーザ光を第1透光性絶縁基板側から入射させることで行う請求項8に記載の発光モジュールの製造方法。
- 金属膜層の回路パターンを、レーザパターニングおよび/またはエッチングによって形成する請求項8または9に記載の発光モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004154884A JP2005340365A (ja) | 2004-05-25 | 2004-05-25 | 発光モジュールおよびその製造方法 |
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JP2004154884A JP2005340365A (ja) | 2004-05-25 | 2004-05-25 | 発光モジュールおよびその製造方法 |
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JP2005340365A true JP2005340365A (ja) | 2005-12-08 |
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JP2004154884A Pending JP2005340365A (ja) | 2004-05-25 | 2004-05-25 | 発光モジュールおよびその製造方法 |
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2004
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