JP2005338815A - 偏光板一体型光学補償フィルム、その製造方法、及び液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 偏光板としての機能のみならず、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）型液晶表示装置の視野角特性の改善にも寄与する偏光板一体型光学補償フィルムを提供する。
【解決手段】 長手方向に平行な吸収軸を有する長尺状の偏光膜、長手方向に直交する遅相軸を有し、面内の屈折率ｎｘとｎｙ（ｎｘ≧ｎｙ）、及び厚さ方向の屈折率ｎｚを用いて、Ｎｚ＝（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）で定義されるＮｚ値が０〜０．５であり、且つ層の厚さｄを用いてＲｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄで定義される正面Ｒｅが７０〜３３０ｎｍである、長尺状の第１位相差膜、及び偏光子と第１位相差膜との間に、長尺状の第２位相差膜とを有する長尺状の偏光板一体型光学補償フィルムを提供する。
【選択図】 なし

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、強誘電性液晶表示装置、反強誘電性液晶表示装置及び水平方向に配向したネマチック液晶に横方向の電界を印加することにより表示を行うインプレーンスイッチングモードの液晶表示装置に関する。また、本発明は、液晶表示装置の偏光板として利用可能であるのみならず、視野角の拡大にも寄与する偏光板一体型光学補償フィルム、及びその製造方法にも関する。

液晶表示装置としては、二枚の直交した偏光板の間に、ネマチック液晶をツイスト配列させた液晶層を挟み、電界を基板に対して垂直な方向にかける方式、いわゆるＴＮモードが広く用いられている。この方式では、黒表示時に液晶が基板に対して立ち上がるために、斜めから見ると液晶分子による複屈折が発生し、光漏れが起こる。この問題に対して、液晶性分子がハイブリッド配向したフィルムを用いることで、液晶セルを光学的に補償し、この光漏れを防止する方式が実用化されている。しかし、液晶性分子を用いても液晶セルを問題なく完全に光学的に補償することは非常に難しく、画面下方向での諧調反転が抑えきれないという問題を生じていた。

かかる問題を解決するため、横電界を液晶に対して印加する、いわゆるインプレーンスイッチング（ＩＰＳ）モードによる液晶表示装置や、誘電率異方性が負の液晶を垂直配向してパネル内に形成した突起やスリット電極によって配向分割した垂直配向（ＶＡ）モードが提案され、実用化されている。近年、これらのパネルはモニター用途に留まらず、ＴＶ用途として開発が進められており、それに伴って画面の輝度が大きく向上してきている。このため、これらの動作モードで従来問題とされていなっかった、黒表示時の対角位斜め入射方向での僅かな光漏れが表示品質の低下の原因として顕在化してきた。

この色調や黒表示の視野角を改善する手段の一つとして、液晶層と偏光板の間に複屈折特性を有する光学補償材料を配置することがＩＰＳモードにおいても検討されている。例えば、傾斜時の液晶層のレターデーションの増減を補償する作用を有する光軸を互いに直交した複屈折媒体を基板と偏光板との間に配置することで、白表示又は中間調表示を斜め方向から直視した場合の色付きが改善できることが開示されている（特許文献１参照）。また、負の固有複屈折を有するスチレン系ポリマーやディスコチック液晶性化合物からなる光学補償フィルムを使用した方法（特許文献２、３、４参照）や、光学補償フィルムとして複屈折が正で光学軸がフィルムの面内にある膜と複屈折が正で光学軸がフィルムの法線方向にある膜とを組み合わせる方法（特許文献５参照）、レターデーションが二分の一波長の二軸性の光学補償シートを使用する方法（特許文献６参照）、偏光板の保護膜として負のレターデーションを有する膜を使い、この表面に正のレターデーションを有する光学補償層を設ける方式（特許文献７参照）が提案されている。また、Ｎｚが０．４〜０．６であり、面内位相差が２００〜３５０ｎｍの位相差膜を用いることにより直交偏光板を斜めから見た場合の偏光軸交差角度の直交からのズレに基づく光漏れを抑える発明が開示されている（特許文献８参照）。

特開平９−８０４２４号公報 特開平１０−５４９８２号公報 特開平１１−２０２３２３号公報 特開平９−２９２５２２号公報 特開平１１−１３３４０８号公報 特開平１１−３０５２１７号公報 特開平１０−３０７２９１号公報 特開２００４−４６４２号公報

しかし、提案された方式の多くは、液晶セル中の液晶の複屈折の異方性を打ち消して視野角を改善する方式であるために、直交偏光板を斜めから見た場合の偏光軸交差角度の直交からのズレに基づく光漏れを十分に解決できないという問題がある。また、特許文献８に記載の、この光漏れを補償できるとされる方式でも、ポリマーフィルムを所定の角度にカットして、得られるチップを貼り合わせる必要がある。チップの貼り合わせで位相差板を製造しようとすると、処理が煩雑であり、軸ズレによる品質低下が起きやすく、歩留まりが低下し、コストが増大し、汚染による劣化も起きやすい。歩留まりが悪く液晶セルを問題なく完全に光学的に補償することは非常に難しい。

本発明は前記諸問題に鑑みなされたものであって、簡易な構成で、表示品位のみならず、視野角特性が著しく改善されたＩＰＳ型液晶表示装置を提供することを目的とする。また、本発明はＩＰＳ型液晶表示装置の偏光板として有用であるのみならず、視野角特性の改善にも寄与する偏光板一体型光学補償フィルム、及びその簡易且つ安定的な製造方法を提供することを課題とする。

上記課題を解決するための手段は以下の通りである。
（１） 長手方向に平行な吸収軸を有する長尺状の偏光膜、
長手方向に直交する遅相軸を有し、面内の屈折率ｎｘとｎｙ（ｎｘ≧ｎｙ）、及び厚さ方向の屈折率ｎｚを用いて、Ｎｚ＝（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）で定義されるＮｚ値が０〜０．５であり、且つ層の厚さｄを用いてＲｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄで定義される正面Ｒｅが７０〜３３０ｎｍである、長尺状の第１位相差膜、及び
前記偏光膜と前記第１位相差膜との間に、長尺状の第２位相差膜を有する長尺状の偏光板一体型光学補償フィルム。
（２） 偏光膜の吸収軸と第１位相差膜の遅相軸とのなす角度が８９〜９１度である（１）の偏光板一体型光学補償フィルム。
（３） 第２位相差膜のＲｔｈ＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄで定義される厚み方向の位相差Ｒｔｈが−２０ｎｍ〜１４０ｎｍである（１）又は（２）の偏光板一体型光学補償フィルム。
（４） 第１位相差膜及び第２位相差膜の少なくとも一方の膜厚が、２０〜１００μｍである（１）〜（３）のいずれかの偏光板一体型光学補償フィルム。

（５） 片面または両面に熱収縮フィルムが接着された長尺状の高分子フィルムを加熱処理して、該高分子フィルムを収縮させ長尺状の第１位相差膜を作製する工程と、作製した長尺状の第１位相差膜を、長尺状の第２位相差膜を介して長尺状の偏光膜と貼り合わせる工程とを含む（１）〜（４）のいずれかの偏光板一体型光学補償フィルムの製造方法。
（６） 前記熱収縮フィルムが、一軸性の熱収縮フィルムである（５）の方法。
（７） 前記第１位相差膜を作製する工程において、密ロールを使用する（５）又は（６）の方法。
（８） 前記第１位相差膜を作製する工程において、テンタークリップの長手方向の間隔が、前記高分子フィルムを把持及び搬送している間に狭くなる構造のテンターを用いて幅方向に延伸することを含む（５）〜（７）のいずれかの方法。
（９） 高分子フィルムが正の複屈折性を持つ高分子からなるフィルムである（５）〜（８）のいずれかの方法。

（１０） （１）〜（４）のいずれかの長尺状の偏光板一体型光学補償フィルムを任意の形状に裁断してなる第１偏光板と、一対の基板及びこれに挟持される液晶材料からなる液晶層を有する液晶セルと、第２偏光膜とがこの順序で配置され、且つ黒表示時に該液晶材料の液晶分子が前記一対の基板の表面に対して平行に配向する液晶表示装置であって、
前記第１偏光板が、第１位相差膜を液晶セル側にして配置され、且つ該第１位相差膜の遅相軸が黒表示時の液晶分子の遅相軸方向に平行である液晶表示装置。
（１１） 第１偏光板中の偏光膜及び第２偏光膜の少なくとも一方が一対の保護膜で狭持され、該一対の保護膜のうち液晶層に近い側に配置された保護膜の厚み方向の位相差Ｒｔｈが２０ｎｍ〜−２０ｎｍである（１０）の液晶表示装置。
（１２） 第１偏光板中の偏光膜及び第２偏光膜の少なくとも一方が一対の保護膜で狭持され、該一対の保護膜のうち少なくとも液晶層側に配置される保護膜がセルロースアシレートフィルム又はノルボルネン系フィルムである（１０）又は（１１）の液晶表示装置。

本発明の製造方法によれば、長尺状の位相差膜と長尺状の偏光膜とをロールツーロールで貼合可能であり、軸ズレが極めて小さい偏光板一体型光学補償フィルムを製造できる。本発明の偏光板一体型光学補償フィルムを用いることにより、正面方向の特性を何ら変更させることなく、斜めの方位角方向から見た場合に２枚の偏光板の吸収軸が９０度からずれることから生ずるコントラストの低下、特に４５度の斜め方向からのコントラストの低下や黒表示時の色味の視野角変化を改善することができる。即ち、本発明によれば、簡易な構成で、表示品位のみならず、視野角特性が著しく改善されたＩＰＳ型液晶表示装置を提供することができる。

発明の実施の形態

以下において、本発明の液晶表示装置の一実施形態及びその構成部材について順次説明する。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。

本明細書において、「平行」、「直交」とは、厳密な角度±１０゜未満の範囲内であることを意味する。この範囲は厳密な角度との誤差は、±５゜未満であることが好ましく、±２゜未満であることがより好ましい。また、「遅相軸」は、屈折率が最大となる方向を意味する。さらに屈折率および位相差の測定波長は特別な記述がない限り、可視光域のλ＝５５０ｎｍでの値である。

本明細書において「偏光板」とは、特に断らない限り、長尺の偏光板及び液晶装置に組み込まれる大きさに裁断された（本明細書において、「裁断」には「打ち抜き」及び「切り出し」等も含むものとする）偏光板の両者を含む意味で用いられる。また、本明細書では、「偏光膜」及び「偏光板」を区別して用いるが、「偏光板」は「偏光膜」の少なくとも片面に該偏光膜を保護する透明保護膜を有する積層体を意味するものとする。

以下、図面を用いて本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の液晶表示装置の画素領域例を示す模式図である。図２は、本発明の液晶表示装置の一実施形態の模式図である。
［液晶表示装置］
図２に示す液晶表示装置は、偏光膜８、２０と、第１位相差領域１０と、第２位相差領域１２と、一対の基板１３、１７及びこれに挟持される液晶層１５からなる液晶セルとを有する。偏光膜８及２０は、それぞれ保護膜７ａと７ｂ及び１９ａと１９ｂによって挟持されている。

図２の液晶表示装置では、液晶セルは、一対の基板１３及び１７と、これらに挟持される液晶層１５からなる。液晶層の厚さｄ（μｍ）と屈折率異方性Δｎとの積Δｎ・ｄは透過モードにおいて、ねじれ構造を持たないＩＰＳ型では０．２〜０．４μｍの範囲が最適値となる。この範囲では白表示輝度が高く、黒表示輝度が小さいことから、明るくコントラストの高い表示装置が得られる。基板１３及び１７の液晶層１５に接触する表面には、配向膜（不図示）が形成されていて、液晶分子を基板の表面に対して略平行に配向させるとともに配向膜上に施されたラビング処理方向１４及び１８等により、電圧無印加状態もしくは低印加状態における液晶分子配向方向が制御され、遅相軸１６の方向が決定されている。また、基板１３若しくは１７の内面には、液晶分子に電圧印加可能な電極（図２中不図示）が形成されている。

図１に、液晶層１５の１画素領域中の液晶分子の配向を模式的に示す。図１は、液晶層１５の１画素に相当する程度の極めて小さい面積の領域中の液晶分子の配向を、基板１３及び１７の内面に形成された配向膜のラビング方向４、及び基板１３及び１７の内面に形成された液晶分子に電圧印加可能な電極２及び３とともに示した模式図である。電界効果型液晶として正の誘電異方性を有するネマチック液晶を用いてアクティブ駆動を行った場合の、電圧無印加状態若しくは低印加状態での液晶分子配向方向は５ａ及び５ｂであり、この時に黒表示が得られる。電極２及び３間に印加されると、電圧に応じて液晶分子は６ａ及び６ｂ方向へとその配向方向を変える。通常、この状態で明表示を行なう。
また、本発明に用いられる液晶セルはＩＰＳモードに限定されることなく、黒表示時に液晶分子が前記一対の基板の表面に対して実質的に平行に配向する液晶表示装置であれば、いずれも好適に用いることができる。この例としては強誘電性液晶表示装置、反強誘電性液晶表示装置、ＥＣＢ型液晶表示装置がある。

再び図２において、偏光膜８、偏光膜８の一対の保護膜７ａ及び７ｂ、第２位相差領域１２（第２位相差膜）及び第１位相差領域１０（第１位相差膜）は、一体化された偏光板一体型光学補償フィルムとして、液晶表示装置内に組み込まれている。本発明の液晶表示装置に用いられる偏光板一体型光学補償フィルムは、長尺状の偏光膜、長尺状の第１位相差膜、及び長尺状の第２位相差膜を積層した長尺状の形態であり、液晶表示装置内に組み込まれる前に、適切な大きさに裁断される。偏光板一体型光学補償フィルムの詳細については、後述する。図２の液晶表示装置では、偏光膜８の透過軸９と、偏光膜２０の透過軸２１は直交して配置されている。また、第１位相差領域１０の遅相軸１１は、黒表示時の液晶層１４中の液晶分子の遅相軸方向１５に平行である。さらに、第１位相差領域１０の遅相軸１１は、偏光膜８の吸収軸（図２中不図示）と直交であり、即ち、偏光膜８の透過軸９と平行である。

図２に示す液晶表示装置では、偏光膜８が二枚の保護膜７ａ及び７ｂに挟持された構成を示しているが、保護膜７ｂはなくてもよい。但し、保護膜７ｂを配置しない場合は、第２位相差領域１２は、偏光膜８を保護する機能も兼ね備えている必要がある。保護膜７ｂを配置する場合は、該保護膜の厚み方向の位相差Ｒｔｈは、−２０〜２０ｎｍであり、−１０〜１０ｎｍであることが好ましく、−５〜５ｎｍであることが更に好ましい。また、偏光膜２０も二枚の保護膜１９ａ及び１９ｂに挟持されているが、液晶層１５に近い側の保護膜１９ａはなくてもよい。保護膜１９ａを配置する場合は、該保護膜の厚み方向の位相差Ｒｔｈは、−２０〜２０ｎｍであり、−１０〜１０ｎｍであることが好ましく、−５〜５ｎｍであることが更に好ましい。

第１位相差領域１０及び第２位相差領域１２は、液晶セルの位置を基準にして、液晶セルと視認側の偏光膜との間に配置されていてもよいし、液晶セルと背面側の偏光膜２１との間に配置されていてもよい。いずれの態様においても、第１位相差領域１０が液晶セルにより近くなるように配置する。

本発明の液晶表示装置は、図１及び図２に示す構成に限定されず、他の部材を含んでいてもよい。例えば、液晶層と偏光膜との間にカラーフィルターを配置してもよい。また、偏光膜の保護膜の表面に反射防止処理やハードコートを施しても良い。また、構成部材に導電性を付与したものを使用してもよい。また、透過型として使用する場合は、冷陰極あるいは熱陰極蛍光管、あるいは発光ダイオード、フィールドエミッション素子、エレクトロルミネッセント素子を光源とするバックライトを背面に配置することができる。この場合、バックライトの配置は図２の上側であっても下側であっても良いが、不良品率がやや高い反射防止や帯電防止処理をした偏光板と組み合わせる必要性が低いため、図でバックライトを下にしたほうがより好ましい。また、液晶層とバックライトとの間に、反射型偏光板や拡散板、プリズムシートや導光板を配置することもできる。また、上記した様に、本発明の液晶表示装置は、反射型であってもよく、かかる場合は、偏光板は観察側に１枚配置したのみでよく、液晶セル背面あるいは液晶セルの下側基板の内面に反射膜を配置する。もちろん前記光源を用いたフロントライトを液晶セル観察側に設けることも可能である。

本発明の液晶表示装置には、画像直視型、画像投影型や光変調型が含まれる。本発明は、ＴＦＴやＭＩＭのような３端子又は２端子半導体素子を用いたアクティブマトリックス液晶表示装置に適用した態様が特に有効である。勿論、時分割駆動と呼ばれるパッシブマトリックス液晶表示装置に適用した態様も有効である。

以下、本発明の液晶表示装置に使用可能な種々の部材の好ましい光学特性や部材に用いられる材料、その製造方法等について、詳細に説明する。

［偏光板一体型光学補償フィルム］
本発明の偏光板一体型光学補償フィルムは、長尺状の形態をとる。長尺の偏光膜、特定の光学特性を有する長尺状の第１位相差膜、及び偏光膜と第１位相差膜との間に長尺状の第２位相差膜を有する。第２位相差膜と偏光膜との間に、偏光膜を保護する保護膜を有していてもよいし、又第２位相差膜が偏光膜の保護膜を兼ねていてもよい。さらに、偏光膜の第２位相差膜を有する面と反対の面に、保護膜を有しているのが好ましい。これらの長尺状の複数の膜を、ロールツーロールで接着剤または粘着剤等で貼合することにより長尺状の偏光板一体型光学補償フィルムを得ることができる。長尺の状態で貼合処理を行う事により、それぞれの吸収軸、遅相軸の角度が一定となり、極めて精度のいい貼合が可能となり、生産性が向上する。

［偏光膜］
本発明には、偏光膜として、従来公知の種々の偏光膜を用いることができる。ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）系偏光膜を用いるのが好ましい。本発明の偏光板一体型光学補償フィルムを作製する場合は、長手方向に吸収軸を有する長尺状の偏光膜を用いる。長手方向に吸収軸を有する偏光膜は、長手方向に延伸処理した後又は延伸処理前にＰＶＡフィルムにヨウ素等の二色性分子を吸着させて作製することができる。但し、本発明に用いる偏光膜の作製方法は、これに限定されるものではない。

［第１位相差膜］
本発明に使用可能な第１位相差膜は、長尺状であり、遅相軸を、長手方向に直交する方向に有する。第１位相差膜の光学特性は、面内の屈折率ｎｘとｎｙ（ｎｘ≧ｎｙ）、厚さ方向の屈折率ｎｚ、及びフィルムの厚さｄを用いてＲｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄで定義されるレターデーションＲｅが７０ｎｍ〜３３０ｎｍである。斜め方向の光漏れを効果的に低減するためには、第１位相差膜のＲｅは、１００ｎｍ〜２１０ｎｍであるのがより好ましく、１１０ｎｍ〜１９０ｎｍであるのがさらに好ましい。また、斜め方向の光漏れを効果的に低減するためには、Ｎｚ＝（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）で定義されるＮｚは、好ましくは０．２〜０．４である。０．４を超えるとコントラストを向上させるために必要なＲｅの値が大きくなり、きわめて高精度な偏光板との貼合精度が必要になる。
また、第１位相差膜は、配向ムラや位相差ムラの少ないものが好ましい。その厚さは、位相差等により適宜に決定しうるが、一般には薄型化の点より１〜２００μｍが好ましく、１０〜１５０μｍがより好ましく、２０〜１００μｍであるのがさらに好ましく、２０〜８０μｍであるのがさらにより好ましい。

基本的には、前記第１位相差膜は、必要とされる上記光学特性を有する限り、その材料及び形態については特に制限されない。例えば、複屈折ポリマーフィルムからなる位相差膜、透明支持体上に高分子化合物を塗布後に加熱した膜、及び透明支持体上に低分子あるいは高分子液晶性化合物を塗布もしくは転写することによって形成された位相差層を有する位相差膜など、いずれも使用することができる。また、それぞれを積層して使用することもできる。

複屈折ポリマーフィルムとしては、複屈折特性の制御性や透明性、耐熱性に優れるもの、光弾性が小さいものが好ましい。この場合、用いる高分子材料としては均一な二軸配向が達成できる高分子であれば特に制限はないが、従来公知のもので溶液流延法や押出し成形方式で製膜できるもの好ましく、ノルボルネン系高分子、ポリカーボネート系高分子、ポリアリレート系高分子、ポリエステル系高分子、ポリサルフォン等の芳香族系高分子、ポリプロピレン等のポリオレフィン、セルロースアシレート、または、それらポリマーの２種又は３種以上を混合したポリマーなどがあげられる。

第１位相差膜は、熱収縮性フィルムを用いて製造するのが好ましい。熱収縮性フィルムを利用すると、連続的に長尺状に製造できるので好ましい。具体的には、片面又は両面に熱収縮性フィルムを接着した長尺の高分子フィルムを、加熱処理して、熱収縮性フィルムの収縮力の作用により、上記光学特性を満たす第１位相差膜を製造することができる。加熱処理時に、延伸処理を行ってもよい。例えば、片面又は両面に熱収縮性フィルムを接着した長尺の高分子フィルムを加熱処理する際に、前記熱収縮性フィルムの収縮力の作用下に、ロール速比が１以下のロール延伸機にて処理し、該フィルムを収縮させるとともに、さらに幅方向に延伸することによって、上記光学特性を有する第１位相差膜を連続的に長尺状に製造することができる。
ここで、熱収縮フィルムとしては、一軸性の熱収縮フィルムも好ましく用いることが出来る。一軸性の熱収縮フィルムとは一方の側の収縮度が他方より大きい収縮フィルムである。一軸性の熱収縮フィルムの収縮軸を位相差膜の長手方向と合わせることで、長手方向を幅方向に対してより収縮させる事が出来る。
さらに、図３に示したような多数のロール５１を用いた密ロールも好ましく用いることが出来る。密ロールは、例えば直径１０ｃｍのロールを５ｃｍ間隔で１０〜１００本程度配置することにより、フィルム５２の幅方向への収縮を抑えることで長手方向の収縮を幅方向に対してより強く出来る。また、密ロールの摩擦係数を上げることも有効である。
さらに、テンタークリップの長手方向の間隔が、長尺状のフィルムを把持及び搬送している間に狭くなる構造のテンターを用いて幅方向に延伸することを含む工程により、第１位相差膜を作製するのも有効である。幅方向に延伸すると同時に長手方向に収縮させることができるため、特に好ましい。

処理対象のフィルムとしては、光透過性の適宜なフィルムを用いることができ、特に限定はない。透光性に優れるフィルムが好ましく、具体的には光透過率が７５％以上のフィルムが好ましく、特に８５％以上で配向ムラの少ないフィルムが好ましい。フィルムを形成するポリマーについても特に限定はなく、種々用いることができる。ポリマーは、そのフィルムを延伸処理した場合に示す延伸方向と屈折率の関係による複屈折特性で正負に分類しうるが、本発明では、そのいずれの材料からなるフィルムも用いることができる。中でも、処理効率や耐熱性等の点から、延伸方向の屈折率が高くなる正の複屈折特性を示すポリマーからなるフィルムを用いるのが好ましい。ちなみにそのポリマーの例としては、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、セルロース系ポリマー、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレートの如きポリエステル、ポリアリレート、ポリイミド、ノルボルネン系ポリマー、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンやポリプロピレンの如きポリオレフィンなどがあげられる。非晶質で耐熱性に優れるポリマーを用いるのが好ましい。

フィルムは、例えば流延法等のキャスティング法や押出法などの適宜な方式で形成したものであってよい。キャスティング法等の溶液製膜法が厚さムラや配向歪ムラ等の少ないフィルムを得る点などより好ましい。フィルムの厚さは、目的とする位相差等により適宜に決定しうるが、一般には１０〜５００μｍ、就中２０〜３００μｍとされる。なお透光性フィルムは、連続製造を目的に巻回体等とした長尺体が用いられるが、その長さや幅は任意である。

フィルムの片面又は両面に接着する熱収縮性フィルムは、その加熱による収縮力の伝達で対象のフィルムを収縮させて、その位相差特性、特に厚さ方向の屈折率を制御することなどを目的として使用される。熱収縮性フィルムとしては、例えばポリマーフィルムの延伸処理物などからなる加熱処理にて収縮性を示す適宜なものを用いることができ、特に限定はない。透光性フィルムにおける位相差の制御性などの点よりは、上記に例示した正の複屈折特性を示すポリマーからなる熱収縮性フィルムを好ましく用いうる。

また収縮力の付与性などの点よりは、フィルムのガラス転移温度付近にて熱収縮性を示す熱収縮性フィルムを用いるのが好ましい。熱収縮性フィルムの収縮力は、例えばポリマーの種類や延伸倍率等の延伸条件、フィルム厚などにより制御することができる。加熱による収縮力がフィルム全面で可及的に均一である熱収縮性フィルムを用いると、対象のフィルムに均一な配向を付与できるので好ましい。

熱収縮性フィルムと対象のフィルムとの接着には、良密着による収縮力の伝播性などの点より接着剤を用いることが好ましい。その接着剤としては、熱収縮性フィルムの収縮処理時にはその収縮力をフィルムに良好に伝達し、その処理後にはフィルムの処理物よりその光学特性を可及的に変質させないで処理後の熱収縮性フィルムを分離できるものが好ましく用いられる。

前記の点よりは、粘着層などが好ましく用いられる。その粘着層としては、例えばアクリル系やシリコーン系、ポリエステル系やポリウレタン系、ポリエーテル系やゴム系等の適宜なものを用いることができ、その種類について特に限定はない。なお熱収縮性フィルムは、フィルムの片面又は両面に同種又は異種のものをそれぞれ１層又は２層以上接着することができる。

フィルムに接着した熱収縮性フィルムに対しては、加熱処理によりその収縮力を発現させるが、その加熱処理は適宜な方式で行うことができ、特に限定はない。一般には、ロール延伸機におけるロールを介した加熱方式や雰囲気加熱方式、あるいはそれらを併用した方式などが採られる。

熱収縮性フィルムの収縮力の作用下で、ロール延伸機による処理を安定に行うという観点などから、熱収縮性フィルムの長さ方向（ＭＤ）／幅方向（ＴＤ）に基づく寸法変化率比が１．５以下となる温度条件にて加熱処理を行うことが好ましい。その寸法変化率比が１．５を超える加熱処理では、ロール間を走行する透光性フィルムに張力不足による蛇行が生じやすく、またロールの速比に則した透光性フィルムの変形が生じずにｎｘ＜ｎｚの条件を満足させにくくなる。

前記の寸法変化率比を達成する点よりは、熱収縮性フィルムを形成するポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）に基づきＴｇ±２０℃の温度範囲で加熱処理することが好ましい。なお前記の寸法変化率比は、ＭＤ及びＴＤの収縮前の初期寸法を１として、加熱収縮後のＭＤ寸法／ＴＤ寸法で定義される。

前記においてフィルムの収縮処理に用いるロール延伸機については特に限定はなく、適宜な方式のものを用いうる。処理条件は、フィルムの収縮を達成する点より１以下のロール速比とするのが好ましい。得られる位相差膜の屈折率等の位相差特性は、フィルムの種類や厚さや厚さ変化率、収縮率や処理温度などにより制御することができる。

この様にして作製された長尺状の第１位相差膜は、後述する第２位相差膜を介して長尺状の偏光膜と貼り合わせられる。即ち、長尺状の第１位相差膜に長尺状の第２位相差膜を貼り合わせた後に、長尺状の偏光膜に貼り合わせられるか、又は第２位相差膜が貼り合わされた長尺状偏光膜の、第２位相差膜表面に貼り合わせられる。上記熱収縮フィルムを用いる方法によれば、その遅相軸が、長手方向に直交な方向の長尺状の第１位相差膜を簡易に作製することができ、ロールツウロールで長尺状の偏光膜と貼り合せることができる。なお、第１位相差膜は、液晶表示装置中に用いられる際は、偏光板一体型光学補償フィルムの一部材として、適当な大きさに裁断された後、組み込まれる。液晶表示装置中においては、第１位相差膜を液晶セル側にして、且つ第１位相差膜の遅相軸を、黒表示時の液晶セルの遅相軸と平行にして配置される。

［第２位相差膜］
第２位相差膜の光学特性は、面内の屈折率ｎｘとｎｙ（ｎｘ≧ｎｙ）、厚さ方向の屈折率ｎｚ、及びフィルムの厚さｄを用いてＲｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄで定義される面内のレターデーションＲｅが１００ｎｍ以下であるのが好ましい。５０ｎｍ以下であることがより好ましく、１０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。またＲｔｈ＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄで定義される厚み方向のレターデーションＲｔｈは、−２０ｎｍ〜１４０ｎｍであるのが好ましく、−２０ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、−２０ｎｍ〜８０ｎｍであるのがさらに好ましい。
なお、図２の構成においては偏光膜８を保護する保護膜７ｂに光学的な異方性がある場合、保護膜７ｂは第２位相差膜を構成する層になることから、当該保護膜（例えば図２中の７ｂ）のＲｔｈと他の層（例えば図２中の第２位相差領域１２）のＲｔｈとの合計が、上記範囲であるのが好ましい。

なお、本発明の偏光板一体型光学補償フィルムの作製には、長尺状の第２位相差膜を用いる。本発明では、液晶表示装置中に用いられる際は、偏光板一体型光学補償フィルムの一部材として、適当な大きさに裁断された後、組み込まれる。液晶表示装置中における、第２位相差膜の遅相軸方向の配置については特に制限はないが、第２位相差膜のＲｅが２０ｎｍを超える場合は、より近い位置に配置される偏光膜の透過軸に対して直交であるのが好ましく、そのように配置すると、例えば、第１位相差領域の厚みを薄くできる。
また、第２位相差膜は、配向ムラや位相差ムラの少ないものが好ましい。その厚さは、位相差等により適宜に決定しうるが、一般には薄型化の点より１〜２００μｍが好ましく、１０〜１５０μｍがより好ましく、２０〜１００μｍであるのがさらに好ましく、２０〜８０μｍであるのがさらにより好ましい。

前記第２位相差膜は、前記光学特性を有する限り、その材料について特に制限はない。例えば、複屈折ポリマーフィルムからなる位相差膜、及び透明支持体上に低分子あるいは高分子液晶性化合物を塗布もしくは転写することによって形成された位相差層を有する位相差膜など、いずれも使用することができる。また、それぞれを積層して使用することもできる。

上記光学特性を有する複屈折ポリマーフィルムからなる位相差膜は、高分子フィルムを一軸及び二軸延伸することでも容易に形成できる（例 特開２００２−１３９６２１号公報、特開２００２−１４６０４５号公報）。また、延伸することなしに流延するだけでこの光学特性を発現するセルロースアシレート類を好適に用いることができる。かかるセルロースアシレートとして、特開２０００−２７５４３４号公報、特開２００１−１６６１４４号公報、特開２００２−１６１１４４号公報、特開２００２−９０５４１号公報に記載されているものを用いることができる。高分子フィルムの材料は、一般に合成ポリマー（例、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ノルボルネン樹脂、セルロースアシレート）が用いられる。

上記光学特性を有する液晶性化合物から形成された位相差層は、キラル構造単位を含んだ棒状コレステリック液晶性組成物を、支持体上もしくは仮支持体上に塗布し、その螺旋軸を基板に略垂直に配向させた後、固定化することによって形成することができる。前記位相差層を仮支持体上に形成した場合は、支持体上に転写することで作製することができる。また、複屈折が負のディスコチック液晶性化合物を水平配向（ダイレクターは基板に垂直）させて、固定した位相差層、及びポリイミド高分子を基板上に流延固定した位相差層も、同様に用いることができ。さらに、一枚の位相差層のみならず複数の位相差層を積層して、上記光学特性を示す第２位相差領域を構成することもできる。また、支持体と位相差層との積層体全体で上記光学特性を満たすようにして、第２位相差領域を構成してもよい。

ディスコチック液晶性化合物から形成された位相差層を含む第２位相差領域は、ディスコチック液晶性化合物あるいは重合性開始剤や空気界面水平配向剤（例 特願２００３−３８８３０８号明細書に記載）及び前述の他の添加剤を含む塗布液を、支持体の上に形成された水平配向膜の上に塗布することで形成することができる。ディスコチック液晶層を水平に配向させるための配向膜としては有機酸や塩などの固形分含有量が０．１質量％未満のポリビニルアルコールやポリイミド、ポリアミド、アクリルなどの高分子配向膜を使用できる。配向膜を形成後にラビングは行なってもよいが、行なわなくてもよい。
その他、使用可能なディスコチック液晶性化合物の例、塗布液の調製に用いる溶媒の例、塗布方法の例、重合性開始剤及び重合性モノマー等の他の材料、及び位相差層の形成に用いられる支持体については、特願２００４−３７８３５号明細書に記載を同様に用いることができる。

［偏光膜用保護膜］
偏光膜用保護膜としては、可視光領域に吸収が無く、光透過率が８０％以上であり、複屈折性に基づくレターデーションが小さいものが好ましい。具体的には、面内のＲｅが０〜３０ｎｍが好ましく、０〜１５ｎｍがより好ましく、０〜５ｎｍが最も好ましい。さらに、液晶セル側に配置される保護膜（例えば、図２中の７ｂ及び１９ａ）の厚み方向のレターデーションＲｔｈは−５０ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましく、−３０ｎｍ〜３５ｎｍがより好ましく、−２０ｎｍ〜２０ｎｍであることがさらに好ましい。他方の保護膜（例えば、図２及び図３中の７ａ及び１９ｂ）の光学特性については特に制限はないが、一般的には、Ｒｔｈは０〜１００ｎｍであるのが好ましい。

また、保護膜の厚み、特に液晶セル側に配置される保護膜の厚みは、Ｒｔｈを小さくするという観点から、８０μｍ以下であるのが好ましく、６０μｍ以下であるのがより好ましく、４０μｍ以下があるのがさらに好ましい。但し、保護膜が上記光学特性を満たすために複数の層からなる場合は、厚みの好ましい範囲はこの範囲に限定されない。

この特性を有するフィルムであれば好適に用いることができるが、偏光膜の耐久性の観点からはセルロースアシレートやノルボルネン系のフィルムがより好ましい。
ノルボルネン系高分子としては、ノルボルネン及びその誘導体、テトラシクロドデセン及びその誘導体、ジシクロペンタジエン及びその誘導体、メタノテトラヒドロフルオレンおよびその誘導体などのノルボルネン系モノマーの主成分とするモノマーの重合体であり、ノルボルネン系モノマーの開環重合体、ノルボルネン系モノマーとこれと開環共重合可能なその他のモノマーとの開環共重合体、ノルボルネン系モノマーの付加重合体、ノルボルネン系モノマーとこれと共重合可能なその他のモノマーとの付加共重合体、及びの水素添加物などが挙げられる。これらの中でも、耐熱性、機械的強度等の観点から、ノルボルネン系モノマーの開環重合体水素化物が最も好ましい。ノルボルネン系重合体、単環の環状オレフィンの重合体又は環状共役ジエンの重合体の分子量は、使用目的に応じて適宜選択されるが、シクロヘキサン溶液（重合体樹脂が溶解しない場合はトルエン溶液）のゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーで測定したポリイソプレンまたはポリスチレン換算の重量平均分子量で、通常５，０００〜５００，０００、好ましくは８，０００〜２００，０００、より好ましくは１０，０００〜１００，０００の範囲であるときに、フィルムの機械的強度、及び成形加工性とが高度にバランスされて好適である。

セルロースアシレートとしては、そのアシル基が脂肪族基でもアリル基でもよく特に限定されない。それらは、例えばセルロースのアルキルカルボニルエステル、アルケニルカルボニルエステルあるいは芳香族カルボニルエステル、芳香族アルキルカルボニルエステルなどであり、それぞれさらに置換された基を有していてもよく、総炭素数が２２以下のエステル基が好ましい。これらの好ましいセルロースアシレートとしては、エステル部の総炭素数が２２以下のアシル基（例えば、アセチル、プロピオニル、ブチロイル、バレル、ヘプタノイル、オクタノイル、デカノイル、ドデカノイル、トリデカノイル、ヘキサデカノイル、オクタデカノイルなど）、アリールカルボニル基（アクリル、メタクリルなど）、アリルカルボニルキ（ベンゾイル、ナフタロイルなど）、シンナモイル基を挙げることが出来る。これらの中でも、セルロースアセテート、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートステアレート、セルロースアセテートベンゾエートなどであり、混合エステルの場合はその比率は特に限定されないが、好ましくはアセテートが総エステルの３０モル％以上であることが好ましい。

これらの中でも、セルロースアシレートが好ましく、特に写真用グレードのものが好ましく、市販の写真用グレードのものは粘度平均重合度、置換度等の品質を満足して入手することができる。写真用グレードのセルローストリアセテートのメーカーとしては、ダイセル化学工業（株）（例えばＬＴ−２０，３０，４０，５０，７０，３５，５５，１０５など）、イーストマンコダック社（例えば、ＣＡＢ−５５１−０．０１、ＣＡＢ−５５１−０．０２、ＣＡＢ−５００−５、ＣＡＢ−３８１−０．５、ＣＡＢ−３８１−０２、ＣＡＢ−３８１−２０、ＣＡＢ−３２１−０．２、ＣＡＰ−５０４−０．２、ＣＡＰ−４８２−２０、ＣＡ−３９８−３など）、コートルズ社、ヘキスト社等があり、何れも写真用グレードのセルロースアシレートを使用できる。また、フィルムの機械的特性や光学的な特性を制御する目的で、可塑剤、界面活性剤、レターデーション調節剤、ＵＶ吸収剤などを混合することが出来る（参考資料：特開２００２−２７７６３２号公報、特開２００２−１８２２１５号公報）

透明樹脂をシート又はフィルム状に成形する方法は、例えば、加熱溶融成形法、溶液流延法のいずれも用いることができる。加熱溶融成形法は、さらに詳細に、押出成形法、プレス成形法、インフレーション成形法、射出成形法、ブロー成形法、延伸成形法などに分類できるが、これらの方法の中でも、機械的強度、表面精度等に優れたフィルムを得るためには、押出成形法、インフレーション成形法、及びプレス成形法が好ましく、押出成形法が最も好ましい。成形条件は、使用目的や成形方法により適宜選択されるが、加熱溶融成形法による場合は、シリンダー温度が、好ましくは１００〜４００℃、より好ましくは１５０〜３５０℃の範囲で適宜設定される。上記シート又はフィルムの厚みは、好ましくは１０〜３００μｍ、より好ましくは３０〜２００μｍである。
上記シート又はフィルムの延伸は、該透明樹脂のガラス転移温度をＴｇとするとき、好ましくはＴｇ−３０℃からＴｇ＋６０℃の温度範囲、より好ましくはＴｇ−１０℃からＴｇ＋５０℃の温度範囲にて、少なくとも一方向に好ましくは１．０１〜２倍の延伸倍率で行う。延伸方向は少なくとも一方向であればよいが、その方向は、シートが押出成形で得られたものである場合には、樹脂の機械的流れ方向（押出方向）であることが好ましく、延伸方法は自由収縮一軸延伸法、幅固定一軸延伸法、二軸延伸法などが好ましい。光学特性の制御はこの延伸倍率と加熱温度を制御することによって行なうことが出来る。

セルロースアシレートフィルムのＲｔｈを小さくする方法として、非平面構造性の化合物をフィルムに混合することが有効である。また、特開平１１−２４６７０４号公報、特開２００１−２４７７１７号公報、特願２００３−３７９９７５号明細書に記載の方法などが挙げられる。また、セルロースアシレートフィルムの厚みを小さくすることによっても、Ｒｔｈを小さくすることができる。

以下、偏光膜用保護膜、として好ましい用いられるレターデーションの小さいセルロースアシレートフィルムについて詳細に説明する。
［レターデーションの小さい保護膜］
［セルロースアシレート原料綿］
本発明において、前記偏光膜用保護膜として用いられるセルロースアシレートフィルムの作製に用いられるセルロースアシレート原料のセルロースとしては、綿花リンタや木材パルプ（広葉樹パルプ，針葉樹パルプ）などがあり、何れの原料セルロースから得られるセルロースアシレートでも使用でき、場合により混合して使用してもよい。これらの原料セルロースについての詳細な記載は、例えばプラスチック材料講座（１７）繊維素系樹脂（丸澤、宇田著、日刊工業新聞社、１９７０年発行）や発明協会公開技報２００１−１７４５（７頁〜８頁）に記載のセルロースを用いることができ、前記セルロースアシレートフィルムに対しては特に限定されるものではない。

［セルロースアシレート置換度］
前記セルロースアシレートはセルロースの水酸基がアシル化されたもので、その置換基はアシル基の炭素原子数が２のアセチル基から炭素原子数が２２のものまでいずれも用いることができる。前記セルロースアシレートにおいて、セルロースの水酸基への置換度については特に限定されないが、セルロースの水酸基に置換する酢酸及び／又は炭素原子数３〜２２の脂肪酸の結合度を測定し、計算によって置換度を得ることができる。測定方法としては、ＡＳＴＭのＤ−８１７−９１に準じて実施することが出来る。

前記セルロースアシレートにおいて、セルロースの水酸基への置換度については特に限定されないが、セルロースの水酸基へのアシル置換度が２．５０〜３．００であることがのぞましい。さらには置換度が２．７５〜３．００であることがのぞましく、２．８５〜３．００であることがよりのぞましい。

セルロースの水酸基に置換する酢酸及び／又は炭素原子数３〜２２の脂肪酸のうち、炭素数２〜２２のアシル基としては、脂肪族基でもアリル基でもよく特に限定されず、単一でも２種類以上の混合物でもよい。それらは、例えばセルロースのアルキルカルボニルエステル、アルケニルカルボニルエステルあるいは芳香族カルボニルエステル、芳香族アルキルカルボニルエステルなどであり、それぞれさらに置換された基を有していてもよい。これらの好ましいアシル基としては、アセチル、プロピオニル、ブタノイル、へプタノイル、ヘキサノイル、オクタノイル、デカノイル、ドデカノイル、トリデカノイル、テトラデカノイル、ヘキサデカノイル、オクタデカノイル、ｉｓｏ−ブタノイル、ｔ−ブタノイル、シクロヘキサンカルボニル、オレオイル、ベンゾイル、ナフチルカルボニル、シンナモイル基などを挙げることが出来る。これらの中でも、アセチル、プロピオニル、ブタノイル、ドデカノイル、オクタデカノイル、ｔ−ブタノイル、オレオイル、ベンゾイル、ナフチルカルボニル、シンナモイルなどが好ましく、アセチル、プロピオニル、ブタノイルがより好ましい。

上述のセルロースの水酸基に置換するアシル置換基のうちで、実質的にアセチル基／プロピオニル基／ブタノイル基の少なくとも２種類からなる場合においては、その全置換度が２．５０〜３．００の場合に、セルロースアシレートフィルムの光学異方性が低下できるので好ましい。より好ましいアシル置換度は２．６０〜３．００であり、さらにのぞましくは２．６５〜３．００である。

［セルロースアシレートの重合度］
本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの重合度は、粘度平均重合度で１８０〜７００であり、セルロースアセテートにおいては、１８０〜５５０がより好ましく、１８０〜４００が更に好ましく、１８０〜３５０が特に好ましい。重合度が高すぎるとセルロースアシレートのドープ溶液の粘度が高くなり、流延によりフィルム作製が困難になる。重合度が低すぎると作製したフィルムの強度が低下してしまう。平均重合度は、宇田らの極限粘度法（宇田和夫、斉藤秀夫、繊維学会誌、第１８巻第１号、１０５〜１２０頁、１９６２年）により測定できる。特開平９−９５５３８に詳細に記載されている。
また、本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの分子量分布はゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって評価され、その多分散性指数Ｍｗ／Ｍｎ（Ｍｗは質量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）が小さく、分子量分布が狭いことが好ましい。具体的なＭｗ／Ｍｎの値としては、１．０〜３．０であることが好ましく、１．０〜２．０であることがさらに好ましく、１．０〜１．６であることが最も好ましい。

低分子成分が除去されると、平均分子量（重合度）が高くなるが、粘度は通常のセルロースアシレートよりも低くなるため有用である。低分子成分の少ないセルロースアシレートは、通常の方法で合成したセルロースアシレートから低分子成分を除去することにより得ることができる。低分子成分の除去は、セルロースアシレートを適当な有機溶媒で洗浄することにより実施できる。なお、低分子成分の少ないセルロースアシレートを製造する場合、酢化反応における硫酸触媒量を、セルロース１００質量部に対して０．５〜２５質量部に調整することが好ましい。硫酸触媒の量を上記範囲にすると、分子量部分布の点でも好ましい（分子量分布の均一な）セルロースアシレートを合成することができる。前記セルロースアシレートの製造時に使用される際には、その含水率は２質量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは１質量％以下であり、特には０．７質量％以下の含水率を有するセルロースアシレートである。一般に、セルロースアシレートは、水を含有しており２．５〜５質量％が知られている。本発明でこのセルロースアシレートの含水率にするためには、乾燥することが必要であり、その方法は目的とする含水率になれば特に限定されない。これらのセルロースアシレートについての詳細、例えば、その原料綿や合成方法は、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）の７頁〜１２頁に詳細に記載されている。

前記セルロースアシレートは置換基、置換度、重合度、分子量分布など前述した範囲であれば、単一あるいは異なる２種類以上のセルロースアシレートを混合して用いることができる。

［セルロースアシレートへの添加剤］
前記セルロースアシレート溶液には、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、光学的異方性を低下する化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、光学特性調整剤など）を加えることができ、これらについて以下に説明する。またその添加する時期はドープ作製工程において何れでも添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。
前記セルロースアシレートフィルムの光学的異方性、とくに下記式（ｉ）で表されるフィルム膜厚方向のレターデーションＲｔｈを低下させる化合物を、下記式（ｉｉ）、（ｉｉｉ）をみたす範囲で少なくとも一種含有することがのぞましい。
（ｉ）Ｒｔｈ＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ
（ｉｉ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−１．０
（ｉｉｉ）０．０１≦Ａ≦３０
上記式（ｉｉ）、（ｉｉｉ）は
（ｉｉ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−２．０
（ｉｉｉ）０．０５≦Ａ≦２５
であることがよりのぞましく、
（ｉｉ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−３．０
（ｉｉｉ）０．１≦Ａ≦２０
であることがさらにのぞましい。

［セルロースアシレートフィルムの光学的異方性を低下させる化合物の構造的特徴］
セルロースアシレートフィルムの光学的異方性を低下させる化合物について説明する。フィルム中のセルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向するのを抑制する化合物を用いると、光学的異方性を十分に低下させ、ＲｅがゼロかつＲｔｈがゼロに近くなるようにできる。このためには光学的異方性を低下させる化合物はセルロースアシレートに十分に相溶し、化合物自身が棒状の構造や平面性の構造を持たないことが有利である。具体的には芳香族基のような平面性の官能基を複数持っている場合、それらの官能基を同一平面ではなく、非平面に持つような構造が有利である。

（ＬｏｇＰ値）
前記セルロースアシレートフィルムを作製するにあたっては、上述のようにフィルム中のセルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向するのを抑制して光学異方性を低下させる化合物のうち、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）が０ないし７である化合物が好ましい。ｌｏｇＰ値が７を超える化合物は、セルロースアシレートとの相溶性に乏しく、フィルムの白濁や粉吹きを生じやすい。また、ｌｏｇＰ値が０よりも小さな化合物は親水性が高いために、セルロースアセテートフィルムの耐水性を悪化させる場合がある。ｌｏｇＰ値としてさらに好ましい範囲は１〜６であり、特に好ましい範囲は１．５〜５である。
オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）の測定は、ＪＩＳ日本工業規格Ｚ７２６０−１０７（２０００）に記載のフラスコ浸とう法により実施することができる。また、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）は実測に代わって、計算化学的手法あるいは経験的方法により見積もることも可能である。計算方法としては、Ｃｒｉｐｐｅｎ'ｓ ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２７，２１（１９８７）．）、Ｖｉｓｗａｎａｄｈａｎ'ｓ ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２９，１６３（１９８９）．）、Ｂｒｏｔｏ'ｓ ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｅｕｒ．Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．− Ｃｈｉｍ．Ｔｈｅｏｒ．，１９，７１（１９８４）．）などが好ましく用いられるが、Ｃｒｉｐｐｅｎ'ｓ ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２７，２１（１９８７）．）がより好ましい。ある化合物のｌｏｇＰの値が測定方法あるいは計算方法により異なる場合に、該化合物が好ましい範囲内であるかどうかは、Ｃｒｉｐｐｅｎ'ｓ ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法により判断することが好ましい。

［光学的異方性を低下する化合物の物性］
光学異方性を低下させる化合物は、芳香族基を含有しても良いし、含有しなくても良い。また光学異方性を低下させる化合物は、分子量が１５０以上３０００以下であることが好ましく、１７０以上２０００以下であることが好ましく、２００以上１０００以下であることが特に好ましい。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でも良い。
光学異方性を低下させる化合物は、好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２５０℃の固体であり、さらに好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２００℃の固体である。また光学異方性を低下させる化合物は、セルロースアシレートフィルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。
光学異方性を低下させる化合物の添加量は、セルロースアシレートの０．０１〜３０質量％であることが好ましく、１〜２５質量％であることがより好ましく、５〜２０質量％であることが特に好ましい。
光学異方性を低下させる化合物は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
光学異方性を低下させる化合物を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。

光学異方性を低下させる化合物は、少なくとも一方の側の表面から全膜厚の１０％までの部分における該化合物の平均含有率が、該セルロースアシレートフィルムの中央部における該化合物の平均含有率の８０−９９％である。光学異方性を低下させる化合物の存在量は、例えば、特開平８−５７８７９号公報に記載の赤外吸収スペクトルを用いる方法などにより表面および中心部の化合物量を測定して求めることができる。

以下に本発明で好ましく用いられる、セルロースアシレートフィルムの光学異方性を低下させる化合物の具体例を示すが、本発明はこれら化合物に限定されない。

本発明に記載のｌｏｇＰの値は、Ｃｒｉｐｐｅｎ'ｓ ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２７，２１（１９８７）．）により求めたものである。

光学異方性を低下させる化合物としては、例えば、下記一般式（１３）で表される化合物が挙げられる。

上記一般式（１３）において、Ｒ¹はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。また、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³の炭素原子数の総和が１０以上であることが特に好ましい。置換基としてはフッ素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が好ましく、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が特に好ましい。また、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数１乃至２５のものが好ましく、６乃至２５のものがより好ましく、６乃至２０のもの（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、アミル、イソアミル、ｔ−アミル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、オクチル、ビシクロオクチル、ノニル、アダマンチル、デシル、ｔ−オクチル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、ジデシル）が特に好ましい。アリール基としては炭素原子数が６乃至３０のものが好ましく、６乃至２４のもの（例えば、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル、ビナフチル、トリフェニルフェニル）が特に好ましい。一般式（１３）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。

また、光学異方性を低下させる化合物としては、例えば、下記一般式（１８）及び一般式（１９）で表される化合物も好ましい。

一般式（１８）中、Ｒ¹はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ²およびＲ³はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。

上記一般式（１９）中、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶はそれぞれ独立にアルキル基またはアリール基を表す。

上記のアルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよく、置換基としてはハロゲン原子（例えば、塩素、臭素、フッ素およびヨウ素）、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ基、シアノ基、アミノ基およびアシルアミノ基が好ましく、より好ましくはハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、スルホニルアミノ基およびアシルアミノ基であり、特に好ましくはアルキル基、アリール基、スルホニルアミノ基およびアシルアミノ基である。

以下に、一般式（１８）または一般式（１９）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。

［波長分散調整剤］
セルロースアシレートフィルムの波長分散を低下させる化合物（以下波長分散調整剤ともいう）について説明する。前記セルロースアシレートフィルムのＲｔｈの波長分散を良化させるためには、下記式（ｉｖ）で表されるＲｔｈの波長分散ΔＲｔｈ＝｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜を低下させる化合物を、下記式（ｖ）、（ｖｉ）をみたす範囲で少なくとも一種含有することがのぞましい。
（ｉｖ）ΔＲｔｈ＝｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜
（ｖ）（ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−２．０
（ｖｉ）０．０１≦Ｂ≦３０
上記式（ｖ）、（ｖｉ）は
（ｖ）（ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−３．０
（ｖｉ）０．０５≦Ｂ≦２５
であることがよりのぞましく、
（ｖ）（ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−４．０
（ｖｉ）０．１≦Ｂ≦２０
であることがさらにのぞましい。
上記の波長分散調整剤は、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、フィルムの｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜および｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜を低下させる化合物を少なくとも１種、セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０重量％含むことによってセルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調整した。添加量としては０．１〜３０重量％含むことによってセルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調整した。

セルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの値は一般に短波長側よりも長波長側が大きい波長分散特性となる。したがって相対的に小さい短波長側のＲｅ、Ｒｔｈを大きくすることによって波長分散を平滑にすることが要求される。一方２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持つ化合物は短波長側よりも長波長側の吸光度が大きい波長分散特性をもつ。この化合物自身がセルロースアシレートフィルム内部で等方的に存在していれば、化合物自身の複屈折性、ひいてはＲｅ、Ｒｔｈの波長分散は吸光度の波長分散と同様に短波長側が大きいと想定される。

したがって上述したような、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、化合物自身のＲｅ、Ｒｔｈの波長分散が短波長側が大きいと想定されるものを用いることによって、セルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調製することができる。このためには波長分散を調整する化合物はセルロースアシレートに十分均一に相溶することが要求される。このような化合物の紫外領域の吸収帯範囲は２００〜４００ｎｍが好ましいが、２２０〜３９５ｎｍがより好ましく、２４０〜３９０ｎｍがさらに好ましい。

また、近年テレビやノートパソコン、モバイル型携帯端末などの液晶表示装置ではより少ない電力で輝度を高めるに、液晶表示装置に用いられる光学部材の透過率が優れたものが要求されている。その点においては、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、フィルムの｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜および｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜を低下させる化合物をセルロースアシレートフィルムに添加する場合、分光透過率が優れている要求される。前記セルロースアシレートフィルムにおいては、波長３８０ｎｍにおける分光透過率が４５％以上９５％以下であり、かつ波長３５０ｎｍにおける分光透過率が１０％以下であることがのぞましい。

上述のような、本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤は揮散性の観点から分子量が２５０〜１０００であることが好ましい。より好ましくは２６０〜８００であり、更に好ましくは２７０〜８００であり、特に好ましくは３００〜８００である。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でも良い。

波長分散調整剤は、セルロースアシレートフィルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。

（化合物添加量）
上述した本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤の添加量は、セルロースアシレートの０．０１ないし３０重量％であることが好ましく、０．１ないし２０重量％であることがより好ましく、０．２ないし１０重量％であることが特に好ましい。

（化合物添加の方法）
またこれら波長分散調整剤は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
またこれら波長分散調整剤を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。

本発明に好ましく用いられる波長分散調整剤の具体例としては、例えばベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノ基を含む化合物、オキシベンゾフェノン系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが挙げられるが、本発明はこれら化合物だけに限定されるものではない。

ベンゾトリアゾール系化合物としては一般式（１０１）で示されるものが波長分散調整剤として好ましく用いられる。

一般式（１０１） Ｑ¹−Ｑ²−ＯＨ
式中、Ｑ¹は含窒素芳香族ヘテロ環Ｑ²は芳香族環を表す。

Ｑ¹は含窒素方向芳香族へテロ環をあらわし、好ましくは５乃至７員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは５ないし６員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、例えば、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、セレナゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、ベンズオキサゾール、ベンゾセレナゾール、チアジアゾール、オキサジアゾール、ナフトチアゾール、ナフトオキサゾール、アザベンズイミダゾール、プリン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、トリアザインデン、テトラザインデン等があげられ、更に好ましくは、５員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、具体的にはイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、ベンズオキサゾール、チアジアゾール、オキサジアゾールが好ましく、特に好ましくは、ベンゾトリアゾールである。
Ｑ¹で表される含窒素芳香族ヘテロ環は更に置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。また、置換基が複数ある場合にはそれぞれが縮環して更に環を形成してもよい。

Ｑ²で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。
芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。
芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。

Ｑ²であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはナフタレン環、ベンゼン環であり、特に好ましくはベンゼン環である。Ｑ²は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましい。
置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

一般式（１０１）として好ましくは下記一般式（１０１−Ａ）で表される化合物である。

式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、およびＲ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
Ｒ¹およびＲ³として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、またはハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、またはハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、または炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基（好ましくは炭素数４〜１２）である。

Ｒ²およびＲ⁴として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、またはハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、またはハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、または炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、またはメチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ⁵およびＲ⁸として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、またはハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、またはハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、または炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、またはメチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ⁶およびＲ⁷として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、またはハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、またはハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、またはハロゲン原子であり、特に好ましくは水素原子、または塩素原子である。

前記一般式（１０１）で表される化合物の中でも、下記一般式（１０１−Ｂ）で表される化合物が好ましい。

式中、Ｒ¹、Ｒ³、Ｒ⁶およびＲ⁷は前記一般式（１０１−Ａ）中のそれらとそれぞれ同義であり、また好ましい範囲も同様である。

以下に前記一般式（１０１）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

以上例にあげたベンゾトリアゾール系化合物の中でも、分子量が３２０以下のものを含まずに前記セルロースアシレートフィルムを作製した場合、保留性の点で有利であることが確認された。

またベンゾフェノン系化合物の波長分散調整剤としては、下記一般式（１０２）で表される化合物が好ましく用いられる。

式中、Ｑ¹およびＱ²はそれぞれ独立に芳香族環の基を表す。ＸはＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す）、酸素原子または硫黄原子を表す。

Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族環の基は芳香族炭化水素環及び芳香族ヘテロ環のいずれの基であってもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。
Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族炭化水素環の基として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）の基であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環の基、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環の基である。更に好ましくはベンゼン環の基である。
Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族ヘテロ環の基として好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のいずれか少なくとも一種を少なくとも１つ含む芳香族ヘテロ環の基である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。
Ｑ¹およびＱ²であらわされる芳香族環の基として好ましくは芳香族炭化水素環の基であり、より好ましくは炭素数６〜１０の芳香族炭化水素環の基であり、更に好ましくは置換または無置換のベンゼン環の基である。
Ｑ¹およびＱ²は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましいが、置換基にカルボン酸やスルホン酸、４級アンモニウム塩を含むことはない。また、可能な場合には置換基同士が連結して環構造を形成してもよい。

ＸはＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す。置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。）、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｘとして好ましくは、ＮＲ（Ｒとして好ましくはアシル基、スルホニル基であり、これらの置換基は更に置換してもよい。）、またはＯであり、特に好ましくはＯである。

置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

前記一般式（１０２）で表される化合物の中でも、下記一般式（１０２−Ａ）で表される化合物が好ましい。

式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。

Ｒ¹、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁸およびＲ⁹として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、またはハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、またはハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、または炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、またはメチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ²として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、またはハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、またはヒドロキシ基であり、更に好ましくは炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルコキシ基である。

Ｒ⁷として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、またはハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、またはヒドロキシ基であり、更に好ましくは水素原子、または炭素数１〜２０のアルキル基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくはメチル基）であり、特に好ましくはメチル基、または水素原子である。

前記一般式（１０２）で表される化合物の中でも、下記一般式（１０２−Ｂ）で表される化合物が好ましい。

式中、Ｒ¹⁰は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基を表す。

Ｒ¹⁰は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。
Ｒ¹⁰として好ましくは置換または無置換のアルキル基であり、より好ましくは炭素数５〜２０の置換または無置換のアルキル基であり、更に好ましくは炭素数５〜１２の置換または無置換のアルキル基（ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ベンジル基、などが挙げられる。）であり、特に好ましくは、炭素数６〜１２の置換または無置換のアルキル基（２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ベンジル基）である。

一般式（１０２）であらわされる化合物は特開平１１−１２２１９号公報記載の公知の方法により合成できる。
以下に一般式（１０２）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるシアノ基等を含む化合物としては一般式（１０３）で示されるものが好ましく用いられる。

式中、Ｑ¹およびＱ²はそれぞれ独立に芳香族環の基を表す。Ｘ¹およびＸ²は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。Ｑ¹およびＱ²であらわされる芳香族環の基は、芳香族炭化水素環及び芳香族ヘテロ環のいずれの基であってもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。

芳香族炭化水素環の基として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）の基であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環の基、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環の基である。更に好ましくはベンゼン環の基である。

芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。

Ｑ¹およびＱ²であらわされる芳香族環の基として好ましくは芳香族炭化水素環の基であり、より好ましくはベンゼン環の基である。 Ｑ¹およびＱ²は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましい。置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

Ｘ¹およびＸ²は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基または芳香族ヘテロ環を表す。Ｘ¹およびＸ²で表される置換基は前述の置換基Ｔを適用することができる。また、Ｘ¹およびＸ²はで表される置換基は更に他の置換基によって置換されてもよく、Ｘ¹およびＸ²はそれぞれが縮環して環構造を形成してもよい。

Ｘ¹およびＸ²として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基または芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基または芳香族ヘテロ環であり、更に好ましくはシアノ基またはカルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、またはアルコキシカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ（Ｒは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。

前記一般式（１０３）で表される化合物の中でも、下記一般式（１０３−Ａ）で表される化合物が好ましい。

式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ¹⁰はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｘ¹およびＸ²は前記一般式（１０３）中のそれらとそれぞれ同義であり、また好ましい範囲も同様である。

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ¹⁰はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁹、およびＲ¹⁰として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基またはハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、またはハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、または炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、またはメチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ³およびＲ⁸として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、またはハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、またはヒドロキシ基であり、更に好ましくは水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、または炭素数１〜１２アルコキシ基であり、特に好ましくは水素原子である。

前記一般式（１０３）で表される化合物の中でも、下記一般式（１０３−Ｂ）で表される化合物が好ましい。

式中、Ｒ³およびＲ⁸は、前記一般式（１０３−Ａ）中におけるそれらとそれぞれ同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｘ³は水素原子、または置換基を表す。

Ｘ³は水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用でき、また、可能な場合は更に他の置換基で置換されてもよい。Ｘ³として好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基または芳香族ヘテロ環の基であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、または芳香族ヘテロ環の基であり、更に好ましくはシアノ基、またはカルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、またはアルコキシカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ（Ｒは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。

前記一般式（１０３）で表される化合物の中でも、下記一般式（１０３−Ｃ）で表される化合物が更に好ましい。

式中、Ｒ³およびＲ⁸は、前記一般式（１０３−Ａ）中のそれらとそれぞれ同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｒ²¹は炭素数１〜２０のアルキル基を表す。

Ｒ²¹として好ましくはＲ³およびＲ⁸が両方水素の場合には、炭素数２〜１２のアルキル基であり、より好ましくは炭素数４〜１２のアルキル基であり、更に好ましくは、炭素数６〜１２のアルキル基であり、特に好ましくは、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、２−エチルへキシル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基であり、最も好ましくは２−エチルへキシル基である。

Ｒ²¹として好ましくはＲ³およびＲ⁸が水素以外の場合には、一般式（１０３−Ｃ）で表される化合物の分子量が３００以上になり、かつ炭素数２０以下の炭素数のアルキル基が好ましい。

本発明一般式（１０３）で表される化合物はＪｏｕｎａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ６３巻 ３４５２頁（１９４１）記載の方法によって合成できる。

以下に一般式（１０３）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

［マット剤微粒子］
前記セルロースアシレートフィルムには、マット剤として微粒子を加えることが好ましい。本発明に使用される微粒子としては、二酸化珪素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸カルシウム、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成珪酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム及びリン酸カルシウムを挙げることができる。微粒子はケイ素を含むものが濁度が低くなる点で好ましく、特に二酸化珪素が好ましい。二酸化珪素の微粒子は、１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上であるものが好ましい。１次粒子の平均径が５〜１６ｎｍと小さいものがフィルムのヘイズを下げることができより好ましい。見かけ比重は９０〜２００ｇ／リットル以上が好ましく、１００〜２００ｇ／リットル以上がさらに好ましい。見かけ比重が大きい程、高濃度の分散液を作ることが可能になり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。

これらの微粒子は、通常平均粒子径が０．１〜３．０μｍの２次粒子を形成し、これらの微粒子はフィルム中では、１次粒子の凝集体として存在し、フィルム表面に０．１〜３．０μｍの凹凸を形成させる。２次平均粒子径は０．２μｍ以上１．５μｍ以下が好ましく、０．４μｍ以上１．２μｍ以下がさらに好ましく、０．６μｍ以上１．１μｍ以下が最も好ましい。１次、２次粒子径はフィルム中の粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、粒子に外接する円の直径をもって粒径とした。また、場所を変えて粒子２００個を観察し、その平均値をもって平均粒子径とした。

二酸化珪素の微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上日本アエロジル（株）製）などの市販品を使用することができる。酸化ジルコニウムの微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７６及びＲ８１１（以上日本アエロジル（株）製）の商品名で市販されており、使用することができる。

これらの中でアエロジル２００Ｖ、アエロジルＲ９７２Ｖが１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上である二酸化珪素の微粒子であり、光学フィルムの濁度を低く保ちながら、摩擦係数をさげる効果が大きいため特に好ましい。

本発明において２次平均粒子径の小さな粒子を有するセルロースアシレートフィルムを得るために、微粒子の分散液を調製する際にいくつかの手法が考えられる。例えば、溶剤と微粒子を撹拌混合した微粒子分散液をあらかじめ作成し、この微粒子分散液を別途用意した少量のセルロースアシレート溶液に加えて撹拌溶解し、さらにメインのセルロースアシレートドープ液と混合する方法がある。この方法は二酸化珪素微粒子の分散性がよく、二酸化珪素微粒子が更に再凝集しにくい点で好ましい調製方法である。ほかにも、溶剤に少量のセルロースエステルを加え、撹拌溶解した後、これに微粒子を加えて分散機で分散を行いこれを微粒子添加液とし、この微粒子添加液をインラインミキサーでドープ液と十分混合する方法もある。本発明はこれらの方法に限定されないが、二酸化珪素微粒子を溶剤などと混合して分散するときの二酸化珪素の濃度は５〜３０質量％が好ましく、１０〜２５質量％が更に好ましく、１５〜２０質量％が最も好ましい。分散濃度が高い方が添加量に対する液濁度は低くなり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。最終的なセルロースアシレートのドープ溶液中でのマット剤の添加量は１ｍ²あたり０．０１〜１．０ｇが好ましく、０．０３〜０．３ｇが更に好ましく、０．０８〜０．１６ｇが最も好ましい。

使用される溶剤は低級アルコール類としては、好ましくはメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等が挙げられる。低級アルコール以外の溶媒としては特に限定されないが、セルロースエステルの製膜時に用いられる溶剤を用いることが好ましい。

［可塑剤、劣化防止剤、剥離剤］
上記の光学的に異方性を低下する化合物、波長分散調整剤の他に、前記セルロースアシレートフィルムには、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、可塑剤、紫外線防止剤、劣化防止剤、剥離剤、赤外吸収剤、など）を加えることができ、それらは固体でもよく油状物でもよい。すなわち、その融点や沸点において特に限定されるものではない。例えば２０℃以下と２０℃以上の紫外線吸収材料の混合や、同様に可塑剤の混合などであり、例えば特開２００１−１５１９０１号などに記載されている。さらにまた、赤外吸収染料としては例えば特開２００１−１９４５２２号に記載されている。またその添加する時期はドープ作製工程において何れで添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。更にまた、各素材の添加量は機能が発現する限りにおいて特に限定されない。また、セルロースアシレートフィルムが多層から形成される場合、各層の添加物の種類や添加量が異なってもよい。例えば特開２００１−１５１９０２号などに記載されているが、これらは従来から知られている技術である。これらの詳細は、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて１６頁〜２２頁に詳細に記載されている素材が好ましく用いられる。

［化合物添加の比率］
前記セルロースアシレートフィルムにおいては、分子量が３０００以下の化合物の総量は、セルロースアシレート重量に対して５〜４５％であることがのぞましい。より好ましくは１０〜４０％であり、さらにのぞましくは１５〜３０％である。これらの化合物としては上述したように、光学異方性を低下する化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、剥離剤、赤外吸収剤などであり、分子量としては３０００以下がのぞましく、２０００以下がよりのぞましく、１０００以下がさらにのぞましい。これら化合物の総量が５％以下であると、セルロースアシレート単体の性質が出やすくなり、例えば、温度や湿度の変化に対して光学性能や物理的強度が変動しやすくなるなどの問題がある。またこれら化合物の総量が４５％以上であると、セルロースアシレートフィルム中に化合物が相溶する限界を超え、フィルム表面に析出してフィルムが白濁する（フィルムからの泣き出し）などの問題が生じやすくなる。

［セルロースアシレート溶液の有機溶媒］
本発明では、ソルベントキャスト法によりセルロースアシレートフィルムを製造することが好ましく、セルロースアシレートを有機溶媒に溶解した溶液（ドープ）を用いてフィルムは製造される。製造時に主溶媒として好ましく用いられる有機溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエステル、ケトン、エーテル、および炭素原子数が１〜７のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒が好ましい。エステル、ケトンおよび、エーテルは、環状構造を有していてもよい。エステル、ケトンおよびエーテルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、主溶媒として用いることができ、たとえばアルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。二種類以上の官能基を有する主溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。

前記セルロースアシレートフィルムに対しては塩素系のハロゲン化炭化水素を主溶媒としても良いし、発明協会公開技報２００１−１７４５（１２頁〜１６頁）に記載されているように、非塩素系溶媒を主溶媒としても良く、前記セルロースアシレートフィルムに対しては特に限定されるものではない。

その他、前記セルロースアシレート溶液及びフィルムについての溶媒は、その溶解方法も含め以下の特許に開示されており、好ましい態様である。それらは、例えば、特開２０００−９５８７６、特開平１２−９５８７７、特開平１０−３２４７７４、特開平８−１５２５１４、特開平１０−３３０５３８、特開平９−９５５３８、特開平９−９５５５７、特開平１０−２３５６６４、特開平１２−６３５３４、特開平１１−２１３７９、特開平１０−１８２８５３、特開平１０−２７８０５６、特開平１０−２７９７０２、特開平１０−３２３８５３、特開平１０−２３７１８６、特開平１１−６０８０７、特開平１１−１５２３４２、特開平１１−２９２９８８、特開平１１−６０７５２、特開平１１−６０７５２などに記載されている。これらの各公報によると、前記セルロースアシレートに好ましい溶媒だけでなく、その溶液物性や共存させる共存物質についても記載があり、本発明においても好ましい態様である。

［セルロースアシレートフィルムの製造工程］
［溶解工程］
前記セルロースアシレート溶液（ドープ）の調製は、その溶解方法は特に限定されず、室温でもよくさらには冷却溶解法あるいは高温溶解方法、さらにはこれらの組み合わせで実施される。本発明におけるセルロースアシレート溶液の調製、さらには溶解工程に伴う溶液濃縮、ろ過の各工程に関しては、発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２２頁〜２５頁に詳細に記載されている製造工程が好ましく用いられる。

（ドープ溶液の透明度）
前記セルロースアシレート溶液のドープ透明度としては８５％以上であることがのぞましい。より好ましくは８８％以上であり、さらに好ましくは９０％以上であることがのぞましい。本発明においてはセルロースアシレートドープ溶液に各種の添加剤が十分に溶解していることを確認した。具体的なドープ透明度の算出方法としては、ドープ溶液を１ｃｍ角のガラスセルに注入し、分光光度計（ＵＶ−３１５０、島津製作所）で５５０ｎｍの吸光度を測定した。溶媒のみをあらかじめブランクとして測定しておき、ブランクの吸光度との比からセルロースアシレート溶液の透明度を算出した。

［流延、乾燥、巻き取り工程］
次に、前記セルロースアシレート溶液を用いたフィルムの製造方法について述べる。前記セルロースアシレートフィルムを製造する方法及び設備は、従来セルローストリアセテートフィルム製造に供する溶液流延製膜方法及び溶液流延製膜装置が用いられる。溶解機（釜）から調製されたドープ（セルロースアシレート溶液）を貯蔵釜で一旦貯蔵し、ドープに含まれている泡を脱泡して最終調製をする。ドープをドープ排出口から、例えば回転数によって高精度に定量送液できる加圧型定量ギヤポンプを通して加圧型ダイに送り、ドープを加圧型ダイの口金（スリット）からエンドレスに走行している流延部の金属支持体の上に均一に流延され、金属支持体がほぼ一周した剥離点で、生乾きのドープ膜（ウェブとも呼ぶ）を金属支持体から剥離する。得られるウェブの両端をクリップで挟み、幅保持しながらテンターで搬送して乾燥し、続いて得られたフィルムを乾燥装置のロール群で機械的に搬送し乾燥を終了して巻き取り機でロール状に所定の長さに巻き取る。テンターとロール群の乾燥装置との組み合わせはその目的により変わる。前記セルロースアシレートフィルムの主な用途である、電子ディスプレイ用の光学部材である機能性保護膜やハロゲン化銀写真感光材料に用いる溶液流延製膜方法においては、溶液流延製膜装置の他に、下引層、帯電防止層、ハレーション防止層、保護層等のフィルムへの表面加工のために、塗布装置が付加されることが多い。これらについては、発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２５頁〜３０頁に詳細に記載されており、流延（共流延を含む），金属支持体，乾燥，剥離などに分類され、本発明において好ましく用いることができる。
また、セルロースアシレートフィルムの厚さは１０〜１２０μｍが好ましく、２０〜１００μｍがより好ましく、３０〜９０μｍがさらに好ましい。

Ｒｔｈが負の光学特性を有する偏光板保護膜は、高分子フィルムを膜の厚さ方向に延伸する方法や（例 特開２０００−１６２４３６号公報）、ビニルカルバゾール系高分子を塗布して乾燥させる方法（例 特開２００１−０９１７４６号公報）で容易に形成できる。また、保護膜は、液晶材料を含んでいてもよく、例えば、Ｒｔｈが負の光学特性を有する液晶性化合物から形成された位相差層を含んでいてもよい。該位相差層としては、キラル構造単位を含んだコレステリックディスコチック液晶化合物や組成物を、その螺旋軸を基板に略垂直に配向させたのち固定化して形成した層、屈折率異方性が正の棒状液晶化合物や組成物を基板に略垂直に配向させたのち固定化して形成した層などを例示することができる（例えば、特開平６−３３１８２６号公報や特許第２８５３０６４号等参照）。棒状液晶化合物は低分子化合物であってもよく、高分子化合物であってもよい。さらに、一の位相差層のみならず複数の位相差層を積層して、Ｒｔｈが負の光学特性を示す保護膜を構成することもできる。また、支持体と位相差層との積層体全体でＲｔｈが負の光学特性を満たすようにして、保護層を構成してもよい。用いる棒状液晶化合物としては、配向固定させる温度範囲で、ネマチック液晶相、スメクチック液晶相、リオトロピック液晶相状態をとるものが好適に用いられる。揺らぎの無い均一な垂直配向が得られるスメクチックＡ相、Ｂ相を示す液晶が好ましい。特にまた、添加剤の存在下において、適切な配向温度範囲で、上記液晶状態となる棒状液晶性化合物については、該添加剤と棒状液晶性化合物を含有する組成物を用いて層を形成するのも好ましい。

保護膜とその上に設けられる層（接着層、配向膜あるいは位相差層）との接着を改善するため、フィルムに表面処理（例、グロー放電処理、コロナ放電処理、紫外線（ＵＶ）処理、火炎処理）を実施してもよい。透明支持体の上に、接着層（下塗り層）を設けてもよい。また、透明支持体や長尺の透明支持体には、搬送工程でのすべり性を付与したり、巻き取った後の裏面と表面の貼り付きを防止するために、平均粒径が１０〜１００ｎｍ程度の無機粒子を固形分重量比で５％〜４０％混合したポリマー層を支持体の片側に塗布や支持体との共流延によって形成したものを用いることが好ましい。

以下に実施例と比較例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。

＜ＩＰＳモード液晶セル１の作製＞
一枚のガラス基板上に、図１に示す様に、隣接する電極間の距離が２０μｍとなるように電極（図１中２及び３）を配設し、その上にポリイミド膜を配向膜として設け、ラビング処理を行なった。図１中に示す方向４に、ラビング処理を行なった。別に用意した一枚のガラス基板の一方の表面にポリイミド膜を設け、ラビング処理を行なって配向膜とした。二枚のガラス基板を、配向膜同士を対向させて、基板の間隔（ギャップ；ｄ）を３．９μｍとし、二枚のガラス基板のラビング方向が平行となるようにして重ねて貼り合わせ、次いで屈折率異方性（Δｎ）が０．０７６９及び誘電率異方性（Δε）が正の４．５であるネマチック液晶組成物を封入した。液晶層のｄ・Δｎの値は３００ｎｍであった。

＜第１位相差膜１作製＞
長さ１００ｍ、幅１８０ｍｍ、厚さ８０μｍでＲｅが０ｎｍであるポリカーボネートの両面に１６５度での寸法変化率（ＭＤ／ＴＤ）が１．１５のポリエステルフィルム（一軸性の熱収縮フィルム）をアクリル系粘着層を介し接着し、ロール延伸機にてロール速比０．９７の条件で、かつロールの温度を１６５度とした常温雰囲気で処理してポリカーボネートを収縮させた後、ポリエステルフィルムを剥離した。この位相差板を１６３度の雰囲気下で幅方向に１．０９倍に延伸し第１位相差膜１を得た。
自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）社製）を用いて、Ｒｅの光入射角度依存性を測定し、これらの光学特性を算出したところ、Ｒｅが１７０ｎｍ、Ｎｚが０．３であり、遅相軸が長手方向とは直交方向にあることを確認した。

＜第１位相差膜２作製＞
長さ１００ｍ、幅１８０ｍｍ、厚さ８０μｍでＲｅが０ｎｍであるポリカーボネートの両面に１６５度での寸法変化率（ＭＤ／ＴＤ）が１．１５のポリエステルフィルム（一軸性の熱収縮フィルム）をアクリル系粘着層を介し接着し、ロール延伸機にてロール速比０．９６とし、さらに、直径１０ｃｍのロールを５ｃｍ間隔で５０本配置した密ロールを用い、かつロールの温度を１６５度とした常温雰囲気で処理してポリカーボネートを収縮させた後、ポリエステルフィルムを剥離した。この位相差板を１６３度の雰囲気下で幅方向に１．０６倍に延伸し第１位相差膜２を得た。
自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）社製）を用いて、Ｒｅの光入射角度依存性を測定し、これらの光学特性を算出したところ、Ｒｅが１８０ｎｍ、Ｎｚが０．４であり、遅相軸が長手方向とは直交方向にあることを確認した。

＜第１位相差膜３作製＞
長さ１００ｍ、幅１８０ｍｍ、厚さ８０μｍでＲｅが０ｎｍであるポリカーボネートの両面に１６５度での寸法変化率（ＭＤ／ＴＤ）が１．１５のポリエステルフィルム（一軸性の熱収縮フィルム）をアクリル系粘着層を介し接着し、１６５度の雰囲気中で搬送に従いピン間隔が収縮するピンテンターを用いポリカーボネートの幅方向に１．１５倍に延伸しながら搬送方向への収縮を行った後、ポリエステルフィルムを剥離し、第１位相差膜３を得た。
自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）社製）を用いて、Ｒｅの光入射角度依存性を測定し、これらの光学特性を算出したところ、Ｒｅが２５０ｎｍ、Ｎｚが０．５であり、遅相軸が長手方向とは直交方向にあることを確認した。

＜位相差膜４の作製＞
長さ１００ｍ、厚さ８０μｍ、Ｒｅが１２０ｎｍのポリカーボネートフィルムの両面に一軸延伸ポリエステルフィルム製の熱収縮性フィルムをその遅相軸が直交するようにアクリル系粘着層を介して接着し、これを１６０℃に過熱して熱収縮性フィルムを収縮させながら延伸装置を用いて、幅方向の長さをそれぞれ収縮前の９１％にした後に、熱収縮性のフィルムを剥がして、位相差膜４を得た。
自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）社製）を用いて、Ｒｅの光入射角度依存性を測定し、これらの光学特性を算出したところＲｅが１７０ｎｍ、Ｎｚが０．３あり、遅相軸が長手方向にあることを確認した。

＜第２位相差膜１の作製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、下記の組成を有するセルロースアセテート溶液を調製した。
セルロースアセテート溶液の組成
酢化度６０．９％のセルロースアセテート １００質量部
トリフェニルホスフェート（可塑剤） ７．８質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤） ３．９質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ３００質量部
メタノール（第２溶媒） ５４質量部
１−ブタノール（第３溶媒） １１質量部
別のミキシングタンクに、下記のレターデーション上昇剤１６質量部、メチレンクロライド８０質量部及びメタノール２０質量部を投入し、加熱しながら攪拌して、レターデーション上昇剤溶液を調製した。セルロースアセテート溶液４８７質量部にレターデーション上昇剤溶液６質量部を混合し、十分に攪拌してドープを調製した。

得られたドープを、バンド流延機を用いて流延した。バンド上での膜面温度が４０℃となってから、６０℃の温風で１分間乾燥し、フィルムをバンドから剥ぎ取った。次にフィルムを１４０℃の乾燥風で１０分間乾燥し、長さ５００ｍ、厚さ８０μｍのフィルムを作製した。
このフィルムの光学特性は自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）製）を用いて、Ｒｅの光入射角度依存性を測定することにより求めたところ、Ｒｅ＝５ｎｍ、Ｒｔｈ＝６０ｎｍであった。このフィルムを第２位相差膜１とした。

＜偏光板保護膜１作製＞
（セルロースアセテート溶液Ａの調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌して各成分を溶解した。シリカ粒子はあらかじめ溶媒に分散した後に投入した。
平均酢化度６１．７のセルロースアセテート １００．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ５１７．６質量部
メタノール（第２溶媒） ７７．３質量部
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子 ０．１３質量部
（ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２、日本アエロジル（株）製）
光学的異方性を低下する化合物 （Ａ−１９） １１．７質量部
波長分散調整剤 （ＵＶ−１０２） １．２質量部
クエン酸エステル ０．０１質量部

（偏光板保護膜１の作製）
上記セルロースアセテート溶液Ｂをバンド流延機を用いて流延した。残留溶剤量約６０％でフィルムをバンドから剥離し、１３５℃で２０分間乾燥させセルロースアセテートフィルムを製造した。出来あがったセルロースアセテートフィルムの残留溶剤量は０．１５％であり、膜厚は８０μｍであった。
このフィルムの光学特性は自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）製）を用いて、Ｒｅの光入射角度依存性を測定することにより求めたところ、Ｒｅ＝１ｎｍ、Ｒｔｈ＝−２ｎｍであった。

＜偏光板一体型光学補償フィルム１の作製＞
延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を製作し、市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製、Ｒｅ＝２ｎｍ、Ｒｔｈ＝４８ｎｍ）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の片面に貼り付け、１００ｍの長尺状の偏光膜（吸収軸は長手方向に平行）を得た。さらに偏光膜のもう片側にケン化処理を行った１００ｍの第２位相差膜１をポリビニルアルコール系接着剤を用いてロールツーロールで貼り付けた。さらに、この偏光板の第２位相差膜１の面に第１位相差膜１を粘着剤を用いてロールツーロールで貼り付け、１００ｍの長尺の偏光板一体型光学補償フィルム１を得た。

＜偏光板一体型光学補償フィルム２の作製＞
延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を製作し、市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製、Ｒｅ＝２ｎｍ、Ｒｔｈ＝４８ｎｍ）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の両面に貼り付け、１００ｍの長尺状の偏光板（吸収軸は長手方向に平行）を得た。さらに、この偏光板の片面に第１位相差膜２を粘着剤を用いてロールツーロールで貼り付け、１００ｍの長尺の偏光板一体型光学補償フィルム２を得た。

＜偏光板一体型光学補償フィルム３の作製＞
延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を製作し、市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製、Ｒｅ＝２ｎｍ、Ｒｔｈ＝４８ｎｍ）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の片面に貼り付け、１００ｍの長尺状の偏光膜（吸収軸は長手方向に平行）を得た。さらに偏光膜のもう片側にケン化処理を行った１００ｍの偏光板保護膜１をポリビニルアルコール系接着剤を用いてロールツーロールで貼り付けた。さらに、この偏光板の偏光板保護膜１の面に第１位相差膜３を粘着剤を用いてロールツーロールで貼り付け、１００ｍの長尺の偏光板一体型光学補償フィルム３を得た。

＜偏光板一体型光学補償フィルム４の作製＞
延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を製作し、市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製、Ｒｅ＝２ｎｍ、Ｒｔｈ＝４８ｎｍ）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の片面に貼り付け、１００ｍの長尺状の偏光膜（吸収軸は長手方向に平行）を得た。さらに偏光膜のもう片側にケン化処理を行った１００ｍの第２位相差膜１をポリビニルアルコール系接着剤を用いてロールツーロールで貼り付けた。さらに、この偏光板の第２位相差膜１の面に位相差膜４を粘着剤を用いてロールツーロールで貼り付け、１００ｍの長尺の偏光板一体型光学補償フィルム４を得た。

＜偏光板一体型光学補償フィルム５の作製＞
延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を製作し、市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製、Ｒｅ＝２ｎｍ、Ｒｔｈ＝４８ｎｍ）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の片面に貼り付け偏光膜を得た。さらに偏光膜（吸収軸は長手方向に平行）のもう片側にケン化処理を行った第２位相差膜１をポリビニルアルコール系接着剤を用いて貼り付けた。さらに、この偏光板の第２位相差膜１の面に位相差膜４を粘着剤を用いて、偏光膜の吸収軸と位相差膜４の遅相軸が直交するようバッチ貼りで貼り付け、幅１８ｃｍ、長さ３０ｃｍの偏光板一体型光学補償フィルム５を１００枚作製した。

作製された偏光板一体型光学補償フィルム１〜３よりそれぞれ無作為に１００ヶ所サンプリングを行いそれぞれの層を分解することにより、偏光膜の吸収軸と第１位相差膜１〜３の遅相軸の軸角度を自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）製）を用いて測定した。いずれも、軸角度は８９〜９１度であることが分かった。また、同様に、偏光板一体型光学補償フィルム５の１００枚のサンプルについて軸角度を測定したところ、８７〜９３度であることが分かった。従って、長尺状に作製した偏光板一体型光学補償フィルム１〜３は、バッチ貼りで作製した偏光板一体型光学補償フィルム５と比較して、軸角度のズレが小さくなることがわかった。

＜偏光板Ａの作製＞
次に延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を製作し、市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製、Ｒｅ＝２ｎｍ、Ｒｔｈ＝４８ｎｍ）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の片面に貼り付けた。さらに偏光膜のもう片側にケン化した偏光板保護膜１をポリビニルアルコール系接着剤を用いて貼り付け、偏光板Ａを形成した。

＜偏光板Ｂの作製＞
同様にして偏光膜を製作し、市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の両面に貼り付け偏光板Ｂを形成した。

［実施例１］
前記で作製したＩＰＳモード液晶セル１の一方に、偏光膜の吸収軸と第１位相差膜の遅相軸の軸角度が９０度であったサンプルの場所から偏光板一体型光学補償フィルム１を切り出し、透過軸が液晶セルのラビング方向と平行になるように、且つ第１の位相差膜１面側が液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、このＩＰＳモード液晶セル１のもう一方の側（対向偏光板）に偏光板Ａを偏光板保護膜１が液晶セル側になるように、且つ、偏光板一体型光学補償フィルム１とはクロスニコルの配置になるように貼り付け、液晶表示装置を作製した。
このように作製した液晶表示装置の漏れ光を測定した。４つの斜め方向（方位角：４５度、１３５度、２２５度、３１５度、極角：６０°）から観察した際の漏れ光の平均値は０．１３％であった。
漏れ光の測定は輝度測定器（ＳＲ−３（トプコン製））を用い、白画像の輝度（Ｌｗ）と黒画像の輝度（Ｌｂ）を測定し、Ｌｂ／Ｌｗを漏れ光（％）として示した。

［実施例２〜１６及び比較例１〜４］
用いた偏光板一体型光学補償フィルム及び対向偏光板を、表１中に示したものにそれぞれ変更した以外は、実施例１と同様にして、液晶表示装置をそれぞれ作製した。なお、比較例２、３及び４では、１００枚作製した偏光板一体型光学補償フィルム５から無作為に３種のサンプル（位相差膜４の遅相軸と偏光膜の吸収軸との角度がそれぞれ８７度、９０度及び９３度であった３種のサンプル）を採取して、それぞれ用いた。実施例１と同様にして、漏れ光量を測定した。
表１に、測定した漏れ光量、偏光板一体型光学補償フィルムの軸角度、対向偏光板、黒輝度の測定値を示した。

表１に示した結果から、長尺状に形成した偏光板一体型光学補償フィルムを裁断したサンプルを用いた液晶表示装置は、漏れ光量が少ないことがわかった。これは、長尺状で形成した偏光板一体型光学補償フィルムは、軸角度のズレが小さく、偏光膜と軸角度がいずれもほぼ９０度に近いので、正確に液晶セルを光学補償することができるからと考えられる。一方、バッチ貼りにより作製したサンプルを用いた比較例２〜４では、軸角度が９０度であるサンプルを用いた比較例３では、漏れ光量が少ないが、バッチ貼りであるため軸角度のズレが大きいサンプルも存在し、実際、軸角度のズレがあるサンプルを用いた比較例２及び４では、光漏れ量が非常に大きかった。

本発明の液晶表示装置の画素領域例を示す概略図である。 本発明の液晶表示装置の一例を示す概略図である。 第一位相差膜の製造に使用可能な密ロールの一例の断面模式図である。

符号の説明

１ 液晶素子画素領域
２ 画素電極
３ 表示電極
４ ラビング方向
５ａ、５ｂ 黒表示時の液晶化合物のダイレクター
６ａ、６ｂ 白表示時の液晶化合物のダイレクター
７ａ，７ｂ、１９ａ，１９ｂ 偏光膜用保護膜
８、２０ 偏光膜
９、２１ 偏光膜の偏光透過軸
１０ 第１位相差領域
１１ 第１位相差領域の遅相軸
１２ 第２位相差領域
１３、１７ セル基板
１４、１８ セル基板ラビング方向
１５ 液晶層
１６ 液晶層の遅相軸方向
５１ ロール
５２ フィルム

Claims (12)

1. 長手方向に平行な吸収軸を有する長尺状の偏光膜、
   長手方向に直交する遅相軸を有し、面内の屈折率ｎｘとｎｙ（ｎｘ≧ｎｙ）、及び厚さ方向の屈折率ｎｚを用いて、Ｎｚ＝（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）で定義されるＮｚ値が０〜０．５であり、且つ層の厚さｄを用いてＲｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄで定義される正面Ｒｅが７０〜３３０ｎｍである、長尺状の第１位相差膜、及び
   前記偏光膜と前記第１位相差膜との間に、長尺状の第２位相差膜を有する長尺状の偏光板一体型光学補償フィルム。
2. 偏光膜の吸収軸と第１位相差膜の遅相軸とのなす角度が８９〜９１度である請求項１に記載の偏光板一体型光学補償フィルム。
3. 第２位相差膜のＲｔｈ＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄで定義される厚み方向の位相差Ｒｔｈが−２０ｎｍ〜１４０ｎｍである請求項１又は２に記載の偏光板一体型光学補償フィルム。
4. 第１位相差膜及び第２位相差膜の少なくとも一方の膜厚が、２０〜１００μｍである請求項１〜３のいずれか１項に記載の偏光板一体型光学補償フィルム。
5. 片面または両面に熱収縮フィルムが接着された長尺状の高分子フィルムを加熱処理して、該高分子フィルムを収縮させ長尺状の第１位相差膜を作製する工程と、作製した長尺状の第１位相差膜を、長尺状の第２位相差膜を介して長尺状の偏光膜と貼り合わせる工程とを含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の偏光板一体型光学補償フィルムの製造方法。
6. 前記熱収縮フィルムが、一軸性の熱収縮フィルムである請求項５に記載の方法。
7. 前記第１位相差膜を作製する工程において、密ロールを使用する請求項５又は６に記載する方法。
8. 前記第１位相差膜を作製する工程において、テンタークリップの長手方向の間隔が、前記高分子フィルムを把持及び搬送している間に狭くなる構造のテンターを用いて幅方向に延伸することを含む請求項５〜７のいずれか１項に記載の方法。
9. 高分子フィルムが正の複屈折性を持つ高分子からなるフィルムである請求項５〜８のいずれか１項に記載の方法。
10. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の長尺状の偏光板一体型光学補償フィルムを任意の形状に裁断してなる第１偏光板と、一対の基板及びこれに挟持される液晶材料からなる液晶層を有する液晶セルと、第２偏光膜とがこの順序で配置され、且つ黒表示時に該液晶材料の液晶分子が前記一対の基板の表面に対して平行に配向する液晶表示装置であって、
    前記第１偏光板が、第１位相差膜を液晶セル側にして配置され、且つ該第１位相差膜の遅相軸が黒表示時の液晶分子の遅相軸方向に平行である液晶表示装置。
11. 第１偏光板中の偏光膜及び第２偏光膜の少なくとも一方が一対の保護膜で狭持され、該一対の保護膜のうち液晶層に近い側に配置された保護膜の厚み方向の位相差Ｒｔｈが２０ｎｍ〜−２０ｎｍである請求項１０に記載の液晶表示装置。
12. 第１偏光板中の偏光膜及び第２偏光膜の少なくとも一方が一対の保護膜で狭持され、該一対の保護膜のうち少なくとも液晶層側に配置される保護膜がセルロースアシレートフィルム又はノルボルネン系フィルムである請求項１０又は１１に記載の液晶表示装置。

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