JP2005338040A - Probe - Google Patents
Probe Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005338040A JP2005338040A JP2004161218A JP2004161218A JP2005338040A JP 2005338040 A JP2005338040 A JP 2005338040A JP 2004161218 A JP2004161218 A JP 2004161218A JP 2004161218 A JP2004161218 A JP 2004161218A JP 2005338040 A JP2005338040 A JP 2005338040A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- electrode pad
- tip
- shavings
- inspected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体チップ等のデバイスである被検査物に対して、回路試験等の電気的検査を行うためのプローブ装置において使用するプローブに関するものである。 The present invention relates to a probe used in a probe apparatus for performing an electrical inspection such as a circuit test on an object to be inspected which is a device such as a semiconductor chip.
一般にプローブ装置は、半導体チップ等の電気的検査を実施するにあたり、半導体チップ上に設けられている電極パッド上、あるいは電極パッド上に形成されているバンプに上部からプローブと呼ばれるコンタクトピンを押圧接触させて、半導体チップ等の電気的検査を行う。このとき、半導体チップをテスター等と電気的に接続する際には、プローブが取り付けられたプローブカードと呼ばれる回路基板を介して接続している。 In general, when an electrical inspection of a semiconductor chip or the like is performed, a probe device presses a contact pin called a probe from above on an electrode pad provided on the semiconductor chip or a bump formed on the electrode pad. Then, an electrical inspection of the semiconductor chip or the like is performed. At this time, when the semiconductor chip is electrically connected to a tester or the like, it is connected via a circuit board called a probe card to which a probe is attached.
従来技術によるプローブは、図2に示すように円柱状のプローブ1の先端部にて被検査物(半導体チップ)と接触する接触側面1aの一面を切除して、この接触側面1aと鈍角αをなす傾斜面1bを形成し、この傾斜面1bと接触側面1aとの交差稜線2が被検査物(半導体チップ)の電極パッド面3aへの接触部となる。
As shown in FIG. 2, the probe according to the prior art cuts out one surface of the contact side surface 1a that comes into contact with the object to be inspected (semiconductor chip) at the tip of the
また、図3に示すように、プローブ1は保持リング7により中央に空孔6aを有するプローブカード6に取り付けられており、プローブ1の末端部1eはハンダ5を介して、プローブカード6上に形成された配線(図示せず)に接続されている。プローブカード6には、被検査物4(半導体チップ)の電気的検査を実施するためのテスター8が接続されている。
Further, as shown in FIG. 3, the
被検査物4の電気的検査にあたっては、プローブカード6が被検査物4上方より一定量だけ矢印P方向に下降することにより、プローブ1の先端の交差稜線2が電極パッド面3a上に接触するとともに、プローブ1の先端は電極パッド面3aに対してプローブ1の先端方向、すなわち矢印Sの方向(図2参照)に摺動し、同時にプローブ1の先端は、プローブ1自身の弾性力によって電極パッド3に押圧される。これにより、テスター8はプローブカード6,プローブ1を介して被検査物4と電気的に接続され、電気的検査を実行することができる(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、このような構成のプローブでは、電極パッド面3aが主にアルミニウムから構成される場合、図4に示すように、プローブ1が電極パッド面3a上を矢印Sの方向に摺動すると、交差稜線2により電極パッド面3a上の酸化アルミニウムが削り取られ、削り屑9がプローブ1先端の傾斜面1b、先端部1cと電極パッド面3aに囲まれる空隙部分に堆積するため、電気的検査終了後、プローブカード6が上昇してプローブ1が矢印T方向に移動すると、削り屑9が電極パッド面3a上に大きく隆起した状態で残される。
However, in the probe having such a configuration, when the
そのため、後工程でウェハーレベルバーンイン(WLBI:Wafer Level Burn-In)によってコンタクトピンが電極パッド3上に押圧された際、あるいは電極パッド3上にワイヤボンディング,スタッドバンプ形成が行われた際に、コンタクトピン下降により削り屑9を噛み込んだり、ワイヤ接合もしくはスタッドバンプ形成前のイニシャルボールが削り屑9を噛み込んだりすることによって、削り屑9直下の領域に高い応力が発生し、電極パッド3下の回路構造に物理的ダメージが発生する可能性があった。 Therefore, when a contact pin is pressed onto the electrode pad 3 by wafer level burn-in (WLBI) in a later process, or when wire bonding or stud bump formation is performed on the electrode pad 3, When the contact pin descends to bite the shavings 9, or the initial ball before wire bonding or stud bump formation bites the shavings 9, high stress is generated in the region immediately below the shavings 9, and the electrode pad 3 Physical damage could occur in the underlying circuit structure.
本発明は、前記従来技術の課題を解決することに指向するものであり、プローブの先端部の被検査物に接触する面側と反対面側に、プローブが電極パッド面上を摺動する際に発生した削り屑をプローブの左右に均等に逃がすためのガイド部を設け、削り屑に起因する物理的ダメージを回避するプローブを提供することを目的とする。 The present invention is directed to solving the problems of the prior art, and when the probe slides on the electrode pad surface on the side opposite to the surface side contacting the object to be inspected at the tip of the probe. It is an object of the present invention to provide a probe that is provided with a guide portion for evenly releasing the shavings generated on the right and left sides of the probe to avoid physical damage caused by the shavings.
この目的を達成するために、本発明に係るプローブは、被検査物に対して電気的検査を行うプローブ装置に使用するプローブであって、プローブの先端部が被検査物と接触する側の面と反対側で先端部近傍の上部半分に先端中央部から左右対称、かつ放射状で前記プローブ内側に凸状曲面の切除部を設けたことを特徴とする。 In order to achieve this object, a probe according to the present invention is a probe used in a probe apparatus that performs an electrical inspection on an object to be inspected, and the surface on the side where the tip of the probe comes into contact with the object to be inspected In the upper half near the tip on the opposite side, a cut-out portion having a convex curved surface is provided on the inside of the probe in a symmetric manner radially from the center of the tip.
前記構成によれば、検査時にプローブによって発生する電極パッドの削り屑を、電極パッド面上で低くほぼ均等にすることができる。 According to the said structure, the shavings of the electrode pad which generate | occur | produce with a probe at the time of a test | inspection can be made low and substantially equal on the electrode pad surface.
以上説明したように、本発明によれば、被検査物の検査時にプローブにより発生する電極パッドの削り屑を、電極パッド面上で低くほぼ均等にできるため、削り屑直下に発生する応力は従来よりも抑えることができ、後工程における電極パッド下の回路構造の物理的ダメージの発生を防止することができるという効果を奏する。 As described above, according to the present invention, the electrode pad shavings generated by the probe when inspecting the object to be inspected can be made low and substantially even on the electrode pad surface, so that the stress generated directly under the shavings is conventional. It is possible to suppress the occurrence of physical damage to the circuit structure under the electrode pad in the subsequent process.
以下、図面を参照しながら本発明における実施の形態を詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1は本発明の実施の形態であるプローブを示す(a)は側面図、(b)は(a)の矢印A方向から見た正面図である。ここで、前記従来例を示す図2において説明した構成部材に対応して同等の機能を有するものには同一の符号を付す。 FIG. 1A is a side view showing a probe according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a front view seen from the direction of arrow A in FIG. Here, components having equivalent functions corresponding to the components described in FIG. 2 showing the conventional example are denoted by the same reference numerals.
図1(a)に示すように、プローブ1先端の被検査物に接触する側の面(接触側面1a)の反対側(上面側14)に、プローブ1が電極パッド面3a上を摺動する際に発生する削り屑をプローブ1の摺動する矢印S方向の左右へ均等に逃がすための切除部であるガイド部10を設ける。このガイド部10は、図1(b)に示すように、プローブ1先端を上面側14から見て左右対称である。
As shown in FIG. 1A, the
図1(a),(b)に示すように、ガイド部10は面11、コーナー部12から構成される。コーナー部12は図1(b)のように、プローブ1先端の上面側から見てプローブ1内側に凸状の曲面で先端部から放射状である。プローブ1先端中央の鋭角部分13には、左右のコーナー部12により削り屑を振り分けるため角度βを形成する。
As shown in FIGS. 1A and 1B, the
また、面11として、プローブ1の直径をDとすると、プローブ1先端の部分において、上面側14からの深さHが、D/4以上でD/2以下であることが望ましい。なお、面11はコーナー部12と交差する曲面であってもよい。また、プローブ1の断面形状は四角形をはじめとする多角形でもよい。その際、前記直径Dは側面から見たプローブ1の高さとする。また、プローブ1先端のガイド部10形状は、図1(b)に示すようなホーニング加工が施された形状に限定されない。
Further, assuming that the diameter of the
このようなガイド部10を設けることにより、プローブ1が電極パッド面3a上を摺動することにより発生する削り屑は、プローブ1の摺動とともに左右に均等に振り分けられながらスクラブ部分の外周に高さを低く抑えて堆積することができる。このため、検査後の工程で、電極パッド面上にウェハーレベルバーンイン(WLBI)によるコンタクトピンが押圧されたり、ワイヤボンディングあるいはスタッドバンプ形成のためにイニシャルボールが押圧されても、削り屑直下に発生する応力は従来よりも低く抑えられ、電極パッド下の回路構造の物理的ダメージ発生を防止することができる。
By providing such a
本発明に係るプローブは、半導体チップ等のデバイスである被検査物の検査時に、プローブによって生じる電極パッドの削り屑を電極パッド面上で低くほぼ均等にできるため、後工程における削り屑直下に発生する応力を低く抑えて、電極パッド下の回路構造への物理的ダメージを防ぎ、プローブを用いる回路試験を行う電気的検査等に用いて有用である。 The probe according to the present invention generates the electrode pad shavings generated by the probe low and substantially evenly on the electrode pad surface when inspecting an object to be inspected, such as a semiconductor chip. This is useful for electrical inspection or the like in which a circuit test using a probe is performed by suppressing the stress to be applied to prevent physical damage to the circuit structure under the electrode pad.
1 プローブ
1a 接触側面
1b 傾斜面
1c 先端部
1e 末端部
2 交差稜線
3 電極パッド
3a 電極パッド面
4 被検査物(半導体チップ)
5 ハンダ
6 プローブカード
6a 空孔
7 保持リング
8 テスター
9 削り屑
10 ガイド部
11 面
12 コーナー部
13 鋭角部分
14 上面側
DESCRIPTION OF
5 Solder 6 Probe card 6a Air hole 7 Holding ring 8 Tester 9
Claims (1)
前記プローブの先端部が前記被検査物と接触する側の面と反対側で前記先端部近傍の上部半分に先端中央部から左右対称、かつ放射状で前記プローブ内側に凸状曲面の切除部を設けたことを特徴とするプローブ。 A probe used in a probe apparatus for performing an electrical inspection on an object to be inspected,
The probe tip is opposite to the surface in contact with the object to be inspected, and an upper half near the tip is symmetric with respect to the center of the tip and is radially radiated with a convex curved cutout inside the probe. A probe characterized by that.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004161218A JP2005338040A (en) | 2004-05-31 | 2004-05-31 | Probe |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004161218A JP2005338040A (en) | 2004-05-31 | 2004-05-31 | Probe |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005338040A true JP2005338040A (en) | 2005-12-08 |
Family
ID=35491767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004161218A Pending JP2005338040A (en) | 2004-05-31 | 2004-05-31 | Probe |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005338040A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020030077A (en) * | 2018-08-21 | 2020-02-27 | エイブリック株式会社 | Connection terminal, and inspection method of semiconductor device |
-
2004
- 2004-05-31 JP JP2004161218A patent/JP2005338040A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020030077A (en) * | 2018-08-21 | 2020-02-27 | エイブリック株式会社 | Connection terminal, and inspection method of semiconductor device |
JP7101565B2 (en) | 2018-08-21 | 2022-07-15 | エイブリック株式会社 | Inspection method for connection terminals and semiconductor devices |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100712534B1 (en) | Package having balls and test apparatus for reducing contact resistance and package fabrication method | |
JP2005249693A (en) | Probe and manufacturing method therefor | |
JP2007194187A (en) | Contact pin, and socket for electrical component | |
TWI645626B (en) | Test socket with hook-like pin contact edge | |
JP2009180549A (en) | Contact pin | |
JP2005338040A (en) | Probe | |
JP2006186133A (en) | Device and method for inspecting semiconductor device | |
US20140009182A1 (en) | Electrical Contactor and Contact Method for the Same | |
JP2015203689A (en) | probe and probe card | |
KR20010039971A (en) | Contactor for solder balls | |
KR101398550B1 (en) | A contact probe and method for producting the same | |
JP2010098046A (en) | Probe card and method for manufacturing semiconductor device | |
JP5640760B2 (en) | Test probe card, test apparatus, and method for manufacturing semiconductor device | |
TW546804B (en) | Electric testing method for bumps | |
JP2009115659A (en) | Probe card | |
JP4820602B2 (en) | Semiconductor device | |
JP3650311B2 (en) | Contact pins and probe cards | |
JP2011064664A (en) | Contact probe | |
JPH05164785A (en) | Probe for semiconductor integrated circuit tester | |
TWI640781B (en) | Inspection probe, inspection fixture, and manufacturing method for inspection probe | |
JP2009162634A (en) | Insulation coated probe pin | |
JP2007243013A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
JP2006234482A (en) | Flip-chip element inspection method | |
JP2005129444A (en) | Inspection socket of semiconductor device and inspection method | |
KR100571383B1 (en) | Probe card |