JP2005328031A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005328031A JP2005328031A JP2005037794A JP2005037794A JP2005328031A JP 2005328031 A JP2005328031 A JP 2005328031A JP 2005037794 A JP2005037794 A JP 2005037794A JP 2005037794 A JP2005037794 A JP 2005037794A JP 2005328031 A JP2005328031 A JP 2005328031A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- copper
- insulating film
- film
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
- H01L21/02074—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a planarization of conductive layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、基板上の絶縁膜に配線溝を形成した後に、絶縁膜の上に配線溝を埋め込むように銅膜を形成する。続いて、銅膜における配線溝の外部に存在する部分を研磨して配線を形成した後に、基板に対して洗浄処理を施す。その後に、真空中にて絶縁膜における配線間に露出している部分の近傍に残留する水分を除去する。
【選択図】 図1
Description
本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。具体的には、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図1における本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフロー図に沿って、図2における本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法に用いられる半導体製造装置の概略構成図を参照しながら、以下に説明する。
本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。具体的には、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図4における本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフロー図に沿って、図5における本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法に用いられる半導体製造装置の概略構成図を参照しながら、以下に説明する。但し、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法と、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法とは、図4に示すように、図1に示すフローに工程S11が追加された点で異なり、その他は同様であるので、以下では、その異なる点を中心に説明する。また、その異なる点に伴って、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法に用いる半導体製造装置は、図2に示した本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法に用いる半導体製造装置を構成する水分除去部4の代わりに、図5に示すように、防食剤塗布部4aを備えており、防食剤塗布部4aは、防食剤塗布ロボット16a、真空チャンバー17a、及び防食剤塗布槽19を備えている。
2 化学機械研磨部
3 洗浄部
4 水分除去部
4a 防食剤塗布部
11 ロードポート
12 ドライロボット
13 研磨ヘッド
14 ウェットロボット
15 洗浄槽
16 水分除去部ロボット
16a 防食剤塗布ロボット
17、17a 真空チャンバー
18、18a 水分濃度測定器
19 防食剤塗布槽
21 銅膜研磨部
22 バリア膜研磨部
100 層間絶縁膜
101 銅配線
102 水分
103 銅マイグレーション
104 配線ショート不良
Claims (4)
- 基板上の絶縁膜に配線溝を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に前記配線溝を埋め込むように銅膜を形成する工程と、
前記銅膜における前記配線溝の外部に存在する部分を研磨して配線を形成する工程と、
前記配線を形成した後の前記基板に対して洗浄処理を施す工程と、
前記洗浄処理後に、前記絶縁膜における前記配線間に露出している部分の近傍に残留する水分を除去する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記水分を除去する工程は、真空中において、前記絶縁膜に吸着した水分子を脱離させる工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記水分を除去する工程の後に、前記配線の表面に防食剤を塗布する工程をさらに備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記防食剤を塗布する工程の後に、真空中において、前記絶縁膜における前記配線間に露出している部分の近傍に残留する水分を除去する工程をさらに備えることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005037794A JP3962409B2 (ja) | 2004-02-24 | 2005-02-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004047284 | 2004-02-24 | ||
JP2004121582 | 2004-04-16 | ||
JP2005037794A JP3962409B2 (ja) | 2004-02-24 | 2005-02-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005328031A true JP2005328031A (ja) | 2005-11-24 |
JP3962409B2 JP3962409B2 (ja) | 2007-08-22 |
Family
ID=35474096
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005037794A Expired - Fee Related JP3962409B2 (ja) | 2004-02-24 | 2005-02-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3962409B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100796513B1 (ko) * | 2006-08-22 | 2008-01-21 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
-
2005
- 2005-02-15 JP JP2005037794A patent/JP3962409B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100796513B1 (ko) * | 2006-08-22 | 2008-01-21 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3962409B2 (ja) | 2007-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7559823B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
US6099662A (en) | Process for cleaning a semiconductor substrate after chemical-mechanical polishing | |
KR20110106880A (ko) | 화학적 기계적 연마 후 세정을 위한 조성물 | |
US8420529B2 (en) | Copper wiring surface protective liquid and method for manufacturing semiconductor circuit | |
KR102113995B1 (ko) | 화학적 기계적 연마 후 반도체 디바이스 기판 세정용 세정 조성물 및 방법 | |
US7700477B2 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
US7067015B2 (en) | Modified clean chemistry and megasonic nozzle for removing backside CMP slurries | |
JP3705724B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3962409B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100554515B1 (ko) | 세정액 및 이를 이용한 기판의 세정방법 | |
JP2010087338A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
US7368383B2 (en) | Hillock reduction in copper films | |
Kim et al. | Effect of brush cleaning on defect generation in post copper CMP | |
KR101576701B1 (ko) | 구리 배선 표면 보호액 및 반도체 회로 소자의 제조 방법 | |
JP2008541467A (ja) | 選択エッチング後の表面処理 | |
JP2008004615A (ja) | 配線形成方法及び配線形成装置 | |
JP5789614B2 (ja) | めっき処理中の基板表面をウェットに維持するプロセス | |
US6589356B1 (en) | Method for cleaning a silicon-based substrate without NH4OH vapor damage | |
US20070017902A1 (en) | Method for the chemical treatment of copper surfaces for the removal of carbonaceous residues | |
JP2006147655A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2006278587A (ja) | 半導体装置の製造方法および製造装置 | |
KR100861360B1 (ko) | 질화막이 노출된 반도체웨이퍼에 대한 습식세정방법 | |
KR20240090981A (ko) | 반도체 웨이퍼 세정 방법 | |
JP2009140978A (ja) | フラックスの洗浄方法 | |
JP2007123779A (ja) | Cu配線膜構造およびCu配線膜構造の形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070206 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070330 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070424 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070518 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110525 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110525 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120525 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120525 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130525 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130525 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |