JP2005325425A - Organic vapor deposition method and organic vapor deposition system - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば、有機EL素子等を製造する際に、基板上に有機化合物の蒸着膜を形成するための技術に関する。 The present invention relates to a technique for forming a vapor deposition film of an organic compound on a substrate, for example, when manufacturing an organic EL element or the like.
図4(a)は、従来の有機蒸着装置の正面側断面図、図4(b)は、同有機蒸着装置の制御系の構成を示すブロック図である。
図4(a)(b)に示すように、この有機蒸着装置101においては、真空槽102内において直線状の蒸発源103を幅方向へ移動させ、マスク104を介して基板105上に有機蒸発材料を蒸着させるように構成されている。
FIG. 4A is a front sectional view of a conventional organic vapor deposition apparatus, and FIG. 4B is a block diagram showing a configuration of a control system of the organic vapor deposition apparatus.
As shown in FIGS. 4A and 4B, in this organic
また、蒸発源103の待機位置の直上には防着部材106を挟んで膜厚センサ107が配設され、蒸発源103から蒸発される蒸気の蒸発レートを孔部108を介して検出するようになっている。
Further, a
従来、この有機蒸着装置101では、以下の方法で蒸発レート(成膜速度)の制御を行っている。
Conventionally, in this organic
まず、蒸発源103の脱ガス後、蒸着温度に到達するまでは、設定温度が一定となるように制御用の熱電対103aで蒸発源103の温度をモニタし、ヒータ103bの制御部110にフィードバックする。
First, after degassing the
次いで、成膜段階では、待機位置において、膜厚センサ107によって検出された結果に基づき蒸発レートが一定となるように蒸発源103の温度を調整し、蒸発レートが安定した(設定したレート安定幅に入った)時点で、その時の温度をキープするようヒータ103bの制御部110にフィードバックしながら、蒸発源103を移動させて蒸着を行う。
Next, in the film formation stage, the temperature of the
蒸発源103を往復動させて待機位置に戻って来た後は、再び、蒸発レートが回復する(安定化幅に入る)まで蒸発源103の温度調整を行い、蒸発源103の温度が安定した時点で、次の成膜を行う。
After reciprocating the
しかしながら、このような従来技術においては、蒸発源103が基板105の下方を移動する際と待機位置に位置する際とにおいて温度条件に差が生じ、蒸発レートが変動するという問題があった。
However, in such a conventional technique, there is a problem that the evaporation rate fluctuates due to a difference in temperature condition between when the
本発明は、このような従来の技術の課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、蒸発源の位置に起因する蒸発レートの変動を防止することによって精確な成膜速度の制御を達成可能な有機蒸着方法及び装置を提供することにある。 The present invention has been made in order to solve the above-described problems of the prior art, and the object of the present invention is to prevent an accurate deposition rate by preventing fluctuations in the evaporation rate due to the position of the evaporation source. It is an object to provide an organic vapor deposition method and apparatus capable of achieving the above control.
本発明者等は上記課題を解決すべく鋭意努力を重ねた結果、以下の知見を得て本発明を完成させるに至った。
すなわち、図4(a)(b)に示す従来技術においては、膜厚センサ107の下方に防着部材106が設置されており、熱的な観点でとらえると、蒸発源103がモニタ(防着部材106)の下方に位置する場合とスキャンして基板105の下方に位置する場合では、外乱の影響によって蒸発源103の上部即ち蒸気放出部分の輻射熱損失が変化し、蒸発材料の温度が微妙に変化していることが原因であると考えられる。
As a result of intensive efforts to solve the above problems, the present inventors have obtained the following knowledge and completed the present invention.
That is, in the prior art shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b), the
まず、蒸発源103が防着部材106の下方に位置する場合は、蒸発源103からの輻射熱により防着部材106の温度が徐々に上がって来るため、蒸発源103上部の輻射熱損失が小さくなっていき、この熱損失が減る分、防着部材106の温度が徐々に上がり、いずれ平衡状態(防着部材106が一番高い温度で安定している状態)に達することになる。
First, when the
一方、平衡状態になった後、蒸発源103がスキャンを始めると、防着部材106の温度より基板105の温度の方が低いため輻射熱損失が防着部材106の下方に位置する場合に比べて大きくなり、このため蒸発源103の上部及び蒸発材料の温度が徐々に下がり、結果として蒸発レートが下がっているものと推定される。
On the other hand, when the
かかる知見に基づいてなされた請求項1記載の発明は、真空中で蒸発源内の有機蒸発材料を蒸発させ、前記蒸発源を待機させながら当該有機蒸発材料の蒸発レートを測定し、その測定結果に基づいて前記蒸発源における蒸発レートを制御しつつ前記蒸発源を移動させながら成膜対象物に対して成膜を行う有機蒸着方法であって、前記蒸発源の蒸気放出部分近傍の輻射熱損失が、待機時と成膜時において同等となるようにしたものである。
また、請求項2記載の発明は、所定の成膜対象物が収容される真空槽と、前記真空槽内において待機位置と成膜位置との間を移動するように構成され、所定の有機蒸発材料を蒸発させるための蒸発源と、前記待機位置において前記蒸発源から蒸発する蒸気の蒸発レートを測定するための蒸発量モニターとを備え、前記蒸発量モニターにおいて得られた結果に基づいて前記蒸発源における蒸発レートを制御しつつ、前記有機蒸発材料を前記成膜対象物に蒸着させるように構成された有機蒸着装置であって、前記蒸発源と前記蒸発量モニターの間に、温度調整手段を有する機構部が設けられているものである。
請求項3記載の発明は、請求項2記載の発明において、前記機構部が、前記成膜対象物のマスクと同等の輻射率の材料からなるものである。
請求項4記載の発明は、請求項3記載の発明において、前記待機位置における前記蒸発源と前記機構部との距離が、前記成膜位置における前記蒸発源と前記マスクとの距離にほぼ等しいものである。
請求項5記載の発明は、請求項2乃至4のいずれか1項記載の発明において、前記温度調整手段が、液冷による冷却部を有するものである。
請求項6記載の発明は、請求項2乃至5のいずれか1項記載の発明において、前記機構部が、当該有機蒸発材料の付着を防止するための防着部材であるものである。
The invention according to
According to a second aspect of the present invention, there is provided a vacuum chamber in which a predetermined film-forming object is accommodated, and a movement between a standby position and a film-forming position in the vacuum chamber. An evaporation source for evaporating the material, and an evaporation amount monitor for measuring an evaporation rate of the vapor evaporated from the evaporation source at the standby position, and the evaporation based on the result obtained in the evaporation amount monitor An organic vapor deposition apparatus configured to deposit the organic evaporation material on the film formation target while controlling an evaporation rate in a source, and a temperature adjusting unit is provided between the evaporation source and the evaporation amount monitor. The mechanism part which has is provided.
According to a third aspect of the present invention, in the second aspect of the present invention, the mechanism portion is made of a material having a radiation rate equivalent to that of the mask of the film formation target.
According to a fourth aspect of the invention, in the third aspect of the invention, the distance between the evaporation source and the mechanism at the standby position is substantially equal to the distance between the evaporation source and the mask at the film formation position. It is.
The invention according to
The invention according to
本発明においては、蒸発源の蒸気放出部分近傍の輻射熱損失が待機時と成膜時において同等となるようにしたことから、成膜の際に蒸発源の蒸気放出部分及び蒸発材料の温度変化が阻止され、その結果、蒸発レートに変動が生じないので、成膜速度の精確な制御が可能になる。 In the present invention, since the radiant heat loss in the vicinity of the vapor discharge portion of the evaporation source is made equal during standby and during film formation, the temperature change of the vapor discharge portion of the evaporation source and the evaporation material during film formation As a result, the evaporation rate does not fluctuate, so that the film forming speed can be accurately controlled.
本発明の場合、蒸発源の蒸気放出部分近傍の輻射熱損失を待機時と成膜時において同等にするためには、例えば、防着部材等の機構部に温度調整手段を持たせるとよい。 In the case of the present invention, in order to make the radiant heat loss in the vicinity of the vapor discharge portion of the evaporation source equal during standby and during film formation, for example, a mechanism such as a deposition preventing member may be provided with temperature adjusting means.
この場合、温度調整手段としては、例えば、水冷等の液冷による冷却部を設けることがあげられる。 In this case, as the temperature adjusting means, for example, a cooling part by liquid cooling such as water cooling may be provided.
また、機構部を成膜対象物のマスクと同等の輻射率の材料からなるものから構成し、待機位置における蒸発源と機構部との距離が、成膜位置における蒸発源とマスクとの距離にほぼ等しくなるように構成することによって、蒸発源の蒸気放出部分近傍の輻射熱損失を待機時と成膜時においてより近づけることが可能になる。 Further, the mechanism part is made of a material having an emissivity equivalent to that of the mask of the film formation target, and the distance between the evaporation source and the mechanism part at the standby position is the distance between the evaporation source and the mask at the film formation position. By configuring to be substantially equal, it is possible to make the radiant heat loss near the vapor discharge portion of the evaporation source closer during standby and during film formation.
本発明によれば、成膜の際に蒸発源の蒸気放出部分及び蒸発材料の温度変化が阻止することができ、これにより蒸発レートの変動を防止して成膜速度の精確な制御を行うことができる。 According to the present invention, it is possible to prevent the temperature change of the vapor discharge portion of the evaporation source and the evaporation material during film formation, thereby preventing the fluctuation of the evaporation rate and accurately controlling the film formation rate. Can do.
以下、本発明の好ましい実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図1(a)は、本発明に係る有機蒸着装置の好ましい実施の形態の正面側断面図、図1(b)は、同実施の形態の制御系の構成を示すブロック図である。
また、図2は、同実施の形態の防着部材の平面図、図3は、同実施の形態の蒸発源の動作を示す説明図である。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1A is a front cross-sectional view of a preferred embodiment of an organic vapor deposition apparatus according to the present invention, and FIG. 1B is a block diagram showing the configuration of a control system of the same embodiment.
FIG. 2 is a plan view of the adhesion-preventing member of the embodiment, and FIG. 3 is an explanatory view showing the operation of the evaporation source of the embodiment.
図1に示すように、本実施の形態の薄膜形成装置1は、図示しない真空排気系に接続された真空槽2を有し、この真空槽2内の下方には蒸発源3が配設されている。
As shown in FIG. 1, a thin
本実施の形態の場合、蒸発源3は、水平方向に延びる細長形状の容器30を有し、この容器30内に図示しない有機系の蒸着材料(例えばAlq3)が収容されている。
In the case of the present embodiment, the
ここで、蒸発源3の容器30には、熱電対31とヒータ32が設けられている。これら熱電対31とヒータ32は制御部20に接続され、熱電対31によって容器30の温度を検出してフィードバックすることによって容器30を一定の温度に調整するようになっている。
Here, the
一方、真空槽2内の上部には、基板ホルダー4が設けられ、この基板ホルダー4に、蒸着膜を形成すべき基板(成膜対象物)5が固定されている。そして、基板5の下方近傍には、マスク6が設けられている。
On the other hand, a substrate holder 4 is provided in the upper part of the
図3に示すように、本実施の形態の場合、マスク6には、基板5上に所定の薄膜を蒸着するための複数の素子パターン60が形成されている。
As shown in FIG. 3, in the case of the present embodiment, a plurality of
そして、蒸発源3は、容器30に形成されたスリット状の蒸発口33の幅方向に水平移動し、基板5及びマスク6の全面に対して相対的に往復動するように構成されている。
The
真空槽2内の上部の基板の近傍には、蒸発源3の蒸発レートを測定するための膜厚センサ(蒸発量モニター)50が設けられている。
In the vicinity of the upper substrate in the
この膜厚センサ50は、基板5の側方で、後述する待機位置に位置する蒸発源3の上方に配設されている。そして、この膜厚センサ50は上記制御部20に接続されている。
The
さらに、蒸発源3と膜厚センサ50との間で基板5及びマスク6の下方近傍には、防着部材(機構部)7が設けられている。
Further, an adhesion preventing member (mechanism) 7 is provided between the
図2に示すように、この防着部材7は、水平に配置される板状の部材からなるもので、その基板5に対応する部分には、蒸着材料を通過させるための開口部70が設けられている。
As shown in FIG. 2, the
また、防着部材7の膜厚センサ50の直下には、蒸着材料を通過させるための孔部71が設けられている。
Further, a
本発明の場合、防着部材7の材料は特に限定されることはないが、蒸発レートを安定させる観点からは、マスク6と同等の輻射率の材料からなるもの、特にエミッシビティを近づける観点からは、マスク6と同一の材料からなるものを採用することが好ましい。
In the case of the present invention, the material of the
このような材料としては、例えば、インバー(Fe−36%Ni)やこれに類するニッケル−コバルト系合金があげられる。 Examples of such materials include invar (Fe-36% Ni) and similar nickel-cobalt alloys.
また、本実施の形態の場合は、防着部材7の高さをマスク6とほぼ同じ高さに配置することによって、待機位置における蒸発源3と防着部材7の距離が、成膜位置における蒸発源3とマスク6の距離とほぼ等しくなるように構成されている。
Further, in the case of the present embodiment, the distance between the
さらに、防着部材7上には、防着部材7の温度を調整するための冷却部8が設けられている。
Furthermore, a
本実施の形態の冷却部8は、防着部材7の表面に例えば金属製のパイプを配置し、このパイプ内を水を循環させることによって防着部材7を冷却するように構成されている。
The
このような構成を有する本実施の形態においては、まず、基板5を真空槽2内に搬入し、図1(a)に示すように、蒸発源3が待機位置に位置している状態でヒータ32への通電を行い、蒸着材料40の蒸発を開始するとともに、冷却部8のパイプ内を水を循環させて防着部材7の冷却を行う。
In the present embodiment having such a configuration, first, the
そして、蒸発源3の蒸発口33から流出する蒸着材料の蒸発レートを膜厚センサ50によって検出し、その値が所定の値に安定した時点で蒸発源3を基板5下方の成膜位置に向って移動させる。
Then, the evaporation rate of the vapor deposition material flowing out from the
この移動の直後に、蒸発源3のヒータ32の温度を制御して蒸着材料の温度を所定の温度に保持し、これにより蒸着材料の蒸発レートを一定の値に制御して成膜を行う。
Immediately after this movement, the temperature of the
そして、蒸発源3の蒸発口33が基板5の全面を横切った後、蒸発源3を待機位置に向って移動させる。この場合、蒸発源3の蒸発口33が基板5の全面を横切るまで上記蒸発源3のヒータ32の温度制御を行う。
Then, after the
そして、蒸発源3の蒸発口33が基板5の全面を横切った後、ヒータ32への通電を停止する。
Then, after the
その後、基板5を真空槽2から搬出し、新たな基板5を真空槽2内へ搬入して上述した工程を繰り返す。
Thereafter, the
以上述べたように本実施の形態においては、マスク6と同等の輻射率の材料からなる防着部材7をマスク6とほぼ同じ高さに配置するとともに、防着部材7を冷却してマスク6の温度に近づけるようにしたことから、蒸発源3の蒸気放出部分近傍の輻射熱損失を待機時と成膜時において容易に同等とすることができる。
その結果、成膜の際に蒸発源3の蒸気放出部分及び蒸発材料の温度変化を阻止することができるので、蒸発レートの変動を防止して成膜速度の精確な制御が行うことができる。
As described above, in the present embodiment, the
As a result, the temperature change of the vapor discharge portion of the
なお、本発明は上述の実施の形態に限られることなく、種々の変更を行うことができる。
例えば、上述の実施の形態においては、防着部材7をマスク6とほぼ同じ高さに配置するようにしたが、待機位置における蒸発源3と防着部材7の距離と成膜位置における蒸発源3とマスク6の距離とがほぼ等しくなるようにすれば、防着部材7の位置を変更することも可能である。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes can be made.
For example, in the above-described embodiment, the
また、上述の実施の形態においては、防着部材7に冷却部のみを設けるようにしたが、本発明はこれに限られず、必要に応じて温度調整用のヒータ等を設けることも可能である。
In the above-described embodiment, only the cooling part is provided in the
さらに、防着部材7のみならず、蒸発源3の輻射熱損失に影響を及ぼす機構部に上記防着部材7と同様の温度調整手段を設けることも可能である。
Furthermore, it is possible to provide not only the
さらにまた、本発明は有機EL素子の有機薄膜を形成するための装置に限られず、種々の蒸着装置に適用することができる。ただし、本発明は有機蒸発材料を用いて有機EL素子の有機薄膜を形成する場合に特に有効なものである。 Furthermore, the present invention is not limited to an apparatus for forming an organic thin film of an organic EL element, and can be applied to various vapor deposition apparatuses. However, the present invention is particularly effective when an organic thin film of an organic EL element is formed using an organic evaporation material.
1…真空蒸着装置 2…真空槽 3…蒸発源 5…基板(成膜対象物) 6…マスク 7…防着部材(機構部) 30…容器 31…熱電対 32…ヒータ 50…膜厚センサ(蒸発量モニター)
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記蒸発源の蒸気放出部分近傍の輻射熱損失が、待機時と成膜時において同等となるようにした有機蒸着方法。 Evaporating the organic evaporation material in the evaporation source in a vacuum, measuring the evaporation rate of the organic evaporation material while waiting for the evaporation source, and controlling the evaporation rate in the evaporation source based on the measurement result, the evaporation source An organic vapor deposition method for performing vapor deposition on a film formation target while moving
An organic vapor deposition method in which radiant heat loss in the vicinity of a vapor discharge portion of the evaporation source is made equal during standby and during film formation.
前記真空槽内において待機位置と成膜位置との間を移動するように構成され、所定の有機蒸発材料を蒸発させるための蒸発源と、
前記待機位置において前記蒸発源から蒸発する蒸気の蒸発レートを測定するための蒸発量モニターとを備え、
前記蒸発量モニターにおいて得られた結果に基づいて前記蒸発源における蒸発レートを制御しつつ、前記有機蒸発材料を前記成膜対象物に蒸着させるように構成された有機蒸着装置であって、
前記蒸発源と前記蒸発量モニターの間に、温度調整手段を有する機構部が設けられている有機蒸着装置。 A vacuum chamber in which a predetermined film formation target is stored;
An evaporation source configured to move between a standby position and a film forming position in the vacuum chamber, and for evaporating a predetermined organic evaporation material;
An evaporation amount monitor for measuring an evaporation rate of vapor evaporated from the evaporation source at the standby position;
An organic vapor deposition apparatus configured to deposit the organic evaporation material on the film formation target while controlling an evaporation rate in the evaporation source based on a result obtained in the evaporation amount monitor,
An organic vapor deposition apparatus in which a mechanism having temperature adjusting means is provided between the evaporation source and the evaporation amount monitor.
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100729096B1 (en) | 2006-03-29 | 2007-06-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | Deposition method for vaporizing organic and the deposition apparatus for the same |
WO2008111398A1 (en) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for controlling deposition apparatus and method for controlling deposition apparatus |
JP2010215994A (en) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacturing device, film deposition method, and light emitting device manufacturing method |
JP2011068980A (en) * | 2009-05-04 | 2011-04-07 | Samsung Mobile Display Co Ltd | Apparatus for depositing organic material and depositing method thereof |
DE112009002374T5 (en) | 2008-09-30 | 2012-11-29 | Tokyo Electron Ltd. | Separator, deposition method and storage medium with program stored therein |
JP2014055342A (en) * | 2012-09-14 | 2014-03-27 | Hitachi High-Technologies Corp | Film deposition apparatus |
US8974858B2 (en) | 2009-05-04 | 2015-03-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of depositing organic material |
TWI486470B (en) * | 2011-03-22 | 2015-06-01 | Au Optronics Corp | Evaporation apparatus |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004091919A (en) * | 2002-07-11 | 2004-03-25 | Ulvac Japan Ltd | Thin film forming apparatus and method |
JP2004107763A (en) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Ulvac Japan Ltd | Thin film-forming apparatus |
-
2004
- 2004-05-17 JP JP2004146182A patent/JP4522141B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004091919A (en) * | 2002-07-11 | 2004-03-25 | Ulvac Japan Ltd | Thin film forming apparatus and method |
JP2004107763A (en) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Ulvac Japan Ltd | Thin film-forming apparatus |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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