JP2005324435A - Transparent conductive laminated film and optical action electrode for photochemical cell - Google Patents

Transparent conductive laminated film and optical action electrode for photochemical cell Download PDF

Info

Publication number
JP2005324435A
JP2005324435A JP2004144608A JP2004144608A JP2005324435A JP 2005324435 A JP2005324435 A JP 2005324435A JP 2004144608 A JP2004144608 A JP 2004144608A JP 2004144608 A JP2004144608 A JP 2004144608A JP 2005324435 A JP2005324435 A JP 2005324435A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transparent conductive
layer
transparent
laminated film
barrier layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004144608A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Naotomi Yamada
直臣 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyobo Film Solutions Ltd
Original Assignee
Teijin DuPont Films Japan Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Teijin DuPont Films Japan Ltd filed Critical Teijin DuPont Films Japan Ltd
Priority to JP2004144608A priority Critical patent/JP2005324435A/en
Publication of JP2005324435A publication Critical patent/JP2005324435A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542Dye sensitized solar cells

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transparent conductive laminated film which is good in coating properties and adhesion in relation to a porous titanium dioxide layer used as the semiconductor layer of a photogalvanic cell optical action electrode and makes a transparent conductive layer resistant to corrosion by iodine ions contained in an electrolytic solution and an optical action electrode using the film. <P>SOLUTION: In the transparent conductive laminated film, the transparent conductive layer is formed on one side of a transparent plastic substrate. In the transparent conductive laminated film for an optical action electrode, a transparent barrier layer having a contact angle with water of 45° or below and a thickness of 1-50 nm is formed on the surface of the transparent conductive layer of the transparent conductive laminated film. The laminated film is used in the optical action electrode. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は透明導電性積層フィルムに関し、特に光化学電池の光作用電極として用いる透明導電性積層フィルムおよびそれを用いた光作用電極に関する。   The present invention relates to a transparent conductive laminated film, and more particularly to a transparent conductive laminated film used as a photoworking electrode of a photochemical battery and a photoworking electrode using the same.

光エネルギーを電気エネルギーに変換する太陽電池にはいくつかの種類があるが、実用化されているものはシリコン半導体のものが主流である。これらの太陽電池は現状では製造コストが高く普及を妨げる要因となっている。低コストな太陽電池としては光化学電池が知られており、B.O’ReganとGraetzelが1991年に発表した色素増感型太陽電池が注目されている[B.O’Regan and Graetzel,Nature, 353, 737 (1991)]。この電池は、シリコン太陽電池に匹敵する変換効率と製造コストが安価なために実用化への期待が高まっている。色素増感 型太陽電池の基本構造は、透明導電性基材上に多孔質半導体層を形成した光作用電極と、その表面に吸着したルテニウム錯体などの光増感色素と、酸化還元対としての電解質および対向電極で構成されている。多孔質半導体層の材料としては二酸化チタンが一般的に用いられる。   There are several types of solar cells that convert light energy into electrical energy, but silicon semiconductors are the mainstream. Currently, these solar cells are expensive to manufacture and are a factor that hinders their spread. A photochemical battery is known as a low-cost solar battery. Dye-sensitized solar cells announced in 1991 by O'Regan and Graetzel are attracting attention [B. O'Regan and Graetzel, Nature, 353, 737 (1991)]. This battery is expected to be put to practical use because of its low conversion efficiency and manufacturing cost comparable to silicon solar batteries. The basic structure of a dye-sensitized solar cell consists of a photoactive electrode in which a porous semiconductor layer is formed on a transparent conductive substrate, a photosensitizing dye such as ruthenium complex adsorbed on the surface, and a redox pair. It consists of an electrolyte and a counter electrode. Titanium dioxide is generally used as a material for the porous semiconductor layer.

多孔質二酸化チタン層の形成方法としては、前記B.O' ReganとGraetzelが考案した手法が一般的に用いられるが、多孔質二酸化チタン層を形成する過程で400℃以上の温度で焼成する必要がある。したがって基材には透明導電性ガラスなどの耐熱性のあるものに限られ、透明導電性フィルムなどの耐熱性の低い基材を使用することができなかった。   As a method for forming the porous titanium dioxide layer, the above-mentioned B.I. The method devised by O'Regan and Graetzel is generally used, but it is necessary to calcinate at a temperature of 400 ° C. or higher in the process of forming the porous titanium dioxide layer. Accordingly, the substrate is limited to those having heat resistance such as transparent conductive glass, and a substrate having low heat resistance such as a transparent conductive film cannot be used.

しかし、最近になって多孔質二酸化チタン層の低温形成の手法が発明され、提案されている。特開2003−282160号公報では、チタニアゾル溶液、チタニアゲル体及びチタニアゾルゲル混合体のいずれかを塗布液として基材上に塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜を密閉容器内で加熱処理すると同時に加圧処理し結晶化させることにより、二酸化チタン膜を得ることを特徴とする薄膜形成方法が提案されており、透明導電性フィルムを基材に用いることが可能となった。また、D.Zhangらは、チタン無機塩(四塩化チタンあるいは硫酸チタニル)の水溶液、或は、チタンアルコキシド(チタンテトライソプロポキシド)のエタノール溶液に結晶性二酸化チタン微粒子を分散させた分散液を塗布液として透明導電性基材上に塗布し、オートクレーブ中で100℃にて水熱反応させることにより優れた光電極機能を有する多孔質二酸化チタン層の形成が可能であることを報告しており[D.Zhang,T.Yoshida and H.Minoura, Chemistry Letters,874−875 (2002)]、この手法を用いれば基材として耐熱性のない透明導電性フィルムを用いた色素増感型太陽電池を製造することが可能となっている。さらに最近では、多孔質二酸化チタン層の低温形成用のペーストも市販されるようになり、フィルム型の軽量かつフレキシブルな色素増感型太陽電池の期待が高まっている。   However, recently, a technique for forming a porous titanium dioxide layer at a low temperature has been invented and proposed. In JP-A-2003-282160, when a titania sol solution, a titania gel body, or a titania sol-gel mixture is applied as a coating liquid on a substrate to form a coating film, and the coating film is heated in a sealed container A thin film forming method characterized by obtaining a titanium dioxide film by simultaneously performing pressure treatment and crystallization has been proposed, and a transparent conductive film can be used as a substrate. D. Zhang et al. Used an aqueous solution of titanium inorganic salt (titanium tetrachloride or titanyl sulfate) or an aqueous solution of titanium alkoxide (titanium tetraisopropoxide) dispersed in crystalline titanium dioxide as a coating solution. It has been reported that a porous titanium dioxide layer having an excellent photoelectrode function can be formed by applying a hydrothermal reaction at 100 ° C. in an autoclave [D. Zhang, T .; Yoshida and H.K. Minoura, Chemistry Letters, 874-875 (2002)], it is possible to produce a dye-sensitized solar cell using a transparent conductive film having no heat resistance as a substrate. More recently, pastes for forming a porous titanium dioxide layer at a low temperature have come to the market, and the expectation of a film-type lightweight and flexible dye-sensitized solar cell is increasing.

上述のように、多孔質二酸化チタン層が低温にて形成可能となったが、基材として透明プラスチックフィルム上に錫ドープ酸化インジウム(以下、ITO)が形成された透明導電性フィルムを用いる場合、ITO層表面の表面エネルギーが低いため、塗布液を弾きやすく大面積に均一な多孔質二酸化チタン層が形成しにくい、多孔質二酸化チタン層とITOとの密着性が弱い等の問題がある。さらに、色素増感太陽電池は光作用電極と対向電極の間はヨウ素イオンを含んだ電解質溶液で満たされ、ITO層は多孔質二酸化チタン層を通り抜けたヨウ素イオンと接触すると簡単に腐蝕してしまい、短時間で電池特性が劣化してしまう問題もある。ITO以外の材料を使用することも考えられるが、他の材料ではITOに匹敵する低抵抗な材料はなく、良好な電池特性は期待できない。   As described above, the porous titanium dioxide layer can be formed at a low temperature, but when using a transparent conductive film in which tin-doped indium oxide (hereinafter, ITO) is formed on a transparent plastic film as a base material, Since the surface energy on the surface of the ITO layer is low, there are problems such that it is easy to repel the coating liquid and it is difficult to form a uniform porous titanium dioxide layer over a large area, and the adhesion between the porous titanium dioxide layer and ITO is weak. Furthermore, the dye-sensitized solar cell is filled with an electrolyte solution containing iodine ions between the photoactive electrode and the counter electrode, and the ITO layer is easily corroded when it comes into contact with iodine ions that have passed through the porous titanium dioxide layer. There is also a problem that the battery characteristics deteriorate in a short time. Although it is conceivable to use materials other than ITO, there is no low resistance material comparable to ITO in other materials, and good battery characteristics cannot be expected.

特開2003−282160号公報JP 2003-282160 A B.O’Regan and Graetzel,Nature, 353, 737 (1991)B. O'Regan and Graetzel, Nature, 353, 737 (1991) D.Zhang,T.Yoshida and H.Minoura, Chemistry Letters,874−875 (2002)D. Zhang, T .; Yoshida and H.K. Minoura, Chemistry Letters, 874-875 (2002)

本発明は、上述のような従来技術の問題を解決し、色素増感型太陽電池の光作用電極として用いたときに、光電変換効率を下げることなく、半導体層として用いられる多孔質化チタン層を形成する際の塗工性および形成された後の多孔質二酸化チタン層との密着性が良好で、しかも、電解質溶液に含有されるヨウ素イオンによって透明導電層が腐蝕されにくい透明導電性積層フィルムを提供することにある。   The present invention solves the problems of the prior art as described above, and when used as a photoactive electrode of a dye-sensitized solar cell, a porous titanium layer used as a semiconductor layer without lowering the photoelectric conversion efficiency Transparent conductive laminated film that has good coating properties when forming and adhesion with the porous titanium dioxide layer after being formed, and that the transparent conductive layer is less likely to be corroded by iodine ions contained in the electrolyte solution Is to provide.

上記課題を解決するために、鋭意検討した結果、透明プラスチック基材上にITO薄膜からなる透明導電層を形成し、さらにその上に極めて薄い水の接触角が45°以下の透明バリア層を設けることによって、多孔質二酸化チタン層形成の塗工性と該多孔質二酸化チタン層と透明導電性フィルムの密着性とを高度に向上させつつ、ヨウ素イオンによる該透明導電層の耐腐蝕性をも向上できることを見出し、本発明に到達した。   As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, a transparent conductive layer made of an ITO thin film is formed on a transparent plastic substrate, and a transparent barrier layer having an extremely thin water contact angle of 45 ° or less is further formed thereon. This improves the corrosion resistance of the transparent conductive layer by iodine ions while improving the coating properties for forming the porous titanium dioxide layer and the adhesion between the porous titanium dioxide layer and the transparent conductive film. We have found out that we can do it and have reached the present invention.

かくして本発明によれば、本発明の目的は、透明プラスチック基材の片面に透明導電層を形成した透明導電性積層フィルムであって、該透明導電性積層フィルムの透明導電層の表面に、水の接触角が45°以下でかつ膜厚(tb)が1〜50nmの透明バリア層を設けた光作用電極用透明導電性積層フィルムによって達成される。   Thus, according to the present invention, an object of the present invention is a transparent conductive laminated film in which a transparent conductive layer is formed on one side of a transparent plastic substrate, and water is applied to the surface of the transparent conductive layer of the transparent conductive laminated film. Is achieved by a transparent conductive laminated film for a photoactive electrode provided with a transparent barrier layer having a contact angle of 45 ° or less and a film thickness (tb) of 1 to 50 nm.

また、本発明によれば、本発明の光作用電極用透明導電性積層フィルムの好ましい態様として、透明バリア層を形成する前の透明導伝層の表面抵抗をR、透明バリア層を形成した後の透明バリア層の表面抵抗をRとしたとき、R/Rが高々1.5であること、透明導電層が錫ドープ酸化インジウムからなること、透明バリア層が酸化チタンからなる薄膜であること、透明バリア層が物理的気相法もしくは化学的気相法に代表される気相法にて形成されたか、透明バリア層がチタンアルコキシドの単量体から4量体の溶液もしくはチタンの無機塩の溶液を塗布し、加水分解する塗布法により形成されたこと、透明プラスチック基材と透明導電層とが、透明プラスチック基材側からハードコート層およびアンカー層をこの順で介して積層されていること、透明プラスチックフィルム基材の透明導電層と接していない側の表面に反射防止層が形成されているか反射防止フィルムが貼合されていること、および光化学電池の光作用電極として用いることの少なくともいずれか一つを具備する光作用電極透明導電性積層フィルムも提供される。特に、透明プラスチック基材と透明導電層の間に、透明プラスチック基材側からハードコート、アンカー層を順次積層することで、透明導電層の密着性を向上させることができることができ、また、透明導電層が形成されている面とは反対の面に反射防止層を形成するか、あるいは反射防止フィルムを貼合することことで外光の反射を抑制し、電池特性をより向上させることができる。 Further, according to the present invention, as a preferred embodiment of the transparent conductive laminated film for photoactive electrodes of the present invention, the surface resistance of the transparent conductive layer before forming the transparent barrier layer is R 0 , and the transparent barrier layer is formed. When the surface resistance of the subsequent transparent barrier layer is R 1 , R 1 / R 0 is 1.5 at most, the transparent conductive layer is made of tin-doped indium oxide, and the transparent barrier layer is a thin film made of titanium oxide. The transparent barrier layer is formed by a vapor phase method typified by a physical vapor phase method or a chemical vapor phase method, or the transparent barrier layer is a tetramer solution or titanium from a monomer of titanium alkoxide. The transparent plastic base material and the transparent conductive layer are stacked from the transparent plastic base material side through the hard coat layer and the anchor layer in this order. As a photo-working electrode of a photochemical cell, that an anti-reflection layer is formed on the surface of the transparent plastic film substrate that is not in contact with the transparent conductive layer or that an anti-reflection film is bonded. There is also provided a photoconductive electrode transparent conductive laminated film comprising at least one of the above. In particular, the adhesion of the transparent conductive layer can be improved by laminating a hard coat and an anchor layer sequentially from the transparent plastic substrate side between the transparent plastic substrate and the transparent conductive layer. By forming an antireflection layer on the surface opposite to the surface on which the conductive layer is formed, or by sticking an antireflection film, reflection of external light can be suppressed and battery characteristics can be further improved. .

さらにまた、本発明によれば、本発明の透明導電性積層フィルムとその透明バリア層の表面に形成された多孔質半導体層とからなる光化学電池用光作用電極も提供される。   Furthermore, according to this invention, the photoworking electrode for photochemical cells which consists of the transparent conductive laminated film of this invention and the porous semiconductor layer formed in the surface of the transparent barrier layer is also provided.

本発明によって、色素増感型太陽電池光作用電極の半導体層として用いられる多孔質二酸化チタン層を形成する際に、塗工性が良好で、多孔質二酸化チタン層との密着性が良好かつ、電解質溶液に含有されるヨウ素イオンによって透明導電層が腐蝕されにくい色素増感型太陽電池の光作用電極用透明導電性積層フィルムを提供することができる。   According to the present invention, when forming a porous titanium dioxide layer used as a semiconductor layer of a dye-sensitized solar cell photoactive electrode, the coating property is good, the adhesion with the porous titanium dioxide layer is good, and It is possible to provide a transparent conductive laminated film for a photoactive electrode of a dye-sensitized solar cell in which the transparent conductive layer is hardly corroded by iodine ions contained in the electrolyte solution.

本発明の透明導電性積層フィルムの層構造の好ましい一例を図1に示す。なお、本発明はこの図の透明導電性積層フィルムに限定されるものではない。図1中の符号1は、透明プラスチック基材、符号2はハードコート層、符号3はアンカー層、符号4は透明導電層、符号5は透明バリア層、符号6は反射防止フィルムおよび符号7は反射防止機能付き透明導電性積層フィルムを示す。図1に示される本発明の透明導電性積層フィルムは、透明プラスチック基材1の一方の面に、ハードコート層2、アンカー層3、透明導電層4、透明バリア層5がこの順で積層され、透明プラスチック基材1の他方の面に、反射防止フィルム6が貼り合わされた反射防止機能付き透明導電性積層フィルムである。   A preferred example of the layer structure of the transparent conductive laminated film of the present invention is shown in FIG. In addition, this invention is not limited to the transparent conductive laminated film of this figure. 1, reference numeral 1 is a transparent plastic substrate, reference numeral 2 is a hard coat layer, reference numeral 3 is an anchor layer, reference numeral 4 is a transparent conductive layer, reference numeral 5 is a transparent barrier layer, reference numeral 6 is an antireflection film, and reference numeral 7 is The transparent conductive laminated film with an antireflection function is shown. In the transparent conductive laminated film of the present invention shown in FIG. 1, a hard coat layer 2, an anchor layer 3, a transparent conductive layer 4, and a transparent barrier layer 5 are laminated in this order on one surface of a transparent plastic substrate 1. A transparent conductive laminated film with an antireflection function in which an antireflection film 6 is bonded to the other surface of the transparent plastic substrate 1.

また、本発明の光作用電極を用いた色素増感型太陽電池の断面図を図2に示す。なお、本発明はこの図の色素増感型太陽電池に限定されるものではない。図2中の符号8は色素吸着多孔質二酸化チタン層、符号9は対向電極、符号10はスペーサー、符号11は電解質溶液および符号12は反射防止機能付き透明導電性積層フィルムを示す。図2に示される色素増感型太陽電池は、反射防止機能付き透明導電性積層フィルム12と対向電極9とをそれぞれの電極が内側になるように向かい合わせ、両者の間にスペーサー10を介在させ、反射防止機能付き透明導電性積層フィルム12、対向電極9およびスペーサー10によって囲まれた空間に、反射防止機能付き透明導電性積層フィルム12側に色素吸着多孔質二酸化チタン層8を、対向電極9側に電解質溶液11を配置した構造になっている。   Moreover, sectional drawing of the dye-sensitized solar cell using the photoactive electrode of this invention is shown in FIG. In addition, this invention is not limited to the dye-sensitized solar cell of this figure. In FIG. 2, reference numeral 8 denotes a dye-adsorbing porous titanium dioxide layer, reference numeral 9 denotes a counter electrode, reference numeral 10 denotes a spacer, reference numeral 11 denotes an electrolyte solution, and reference numeral 12 denotes a transparent conductive laminated film with an antireflection function. In the dye-sensitized solar cell shown in FIG. 2, the transparent conductive laminated film 12 with antireflection function and the counter electrode 9 face each other so that the respective electrodes are inside, and a spacer 10 is interposed therebetween. In the space surrounded by the transparent conductive laminated film 12 with antireflection function, the counter electrode 9 and the spacer 10, the dye-adsorbing porous titanium dioxide layer 8 is placed on the transparent conductive laminated film 12 side with antireflection function on the side of the counter electrode 9 The electrolyte solution 11 is arranged on the side.

本発明の透明導電性積層フィルムを構成する透明プラスチック基材は、可視光線の透過率が高いものほど好ましい。ここでいう可視光線とは、波長380〜780nmの光線を意味し、透過率は該波長領域における平均透過率を意味する。透明プラスチック基材の可視光線の透過率は、好ましくは50%以上、特に好ましくは75%以上である。また、本発明における透明プラスチック基材は、工業生産性に優れた有機高分子フィルムが好ましい。この有機高分子としては、ポリエステル(例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート等)、ポリ(メタ)アクリル(例えば、ポリメチルメタクリレート(PMMA)等)、ポリカーボネート(PC)、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリウレタン、トリアセテート、セロファン等を例示することが出来る。これら中、PET、PC、PMMAが好ましい。   The transparent plastic base material which comprises the transparent conductive laminated film of this invention is so preferable that the transmittance | permeability of visible light is high. Visible light as used herein means light having a wavelength of 380 to 780 nm, and the transmittance means an average transmittance in the wavelength region. The visible light transmittance of the transparent plastic substrate is preferably 50% or more, particularly preferably 75% or more. The transparent plastic substrate in the present invention is preferably an organic polymer film excellent in industrial productivity. Examples of the organic polymer include polyester (for example, polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate), poly (meth) acryl (for example, polymethyl methacrylate (PMMA)), polycarbonate (PC), polystyrene, polyvinyl alcohol, Examples include polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, polyurethane, triacetate, cellophane and the like. Among these, PET, PC, and PMMA are preferable.

透明プラスチック基材はポリマーの種類によって無延伸フィルムであったり、延伸フィルムであったりする。例えば、ポリエステルフィルム例えばPETフィルムは、通常、二軸延伸フィルムであり、またPCフィルム、トリアセテートフィルム、セロファンフィルム等は、通常、無延伸フィルムである。透明プラスチック基材の厚さは、通常10〜500μmであることが好ましい。また、透明プラスチック基材には、他の機能層との密着性を高めるために、易接着処理を施すことも可能であり、これら易接着処理はフィルムの製膜時に行ってもよいし、製膜後に行っても良い。   The transparent plastic substrate may be an unstretched film or a stretched film depending on the type of polymer. For example, a polyester film such as a PET film is usually a biaxially stretched film, and a PC film, a triacetate film, a cellophane film and the like are usually unstretched films. The thickness of the transparent plastic substrate is usually preferably 10 to 500 μm. In addition, the transparent plastic substrate can be subjected to an easy adhesion treatment in order to enhance the adhesion to other functional layers. These easy adhesion treatments may be performed at the time of film formation, You may carry out after a film | membrane.

本発明における透明導電層はITO薄膜が好ましく、その錫濃度はインジウム原子に対して5原子%から10原子%の範囲が好ましい。錫の濃度がこの範囲よりも高くても低くても、光作用電極として十分な導電性を得ることが困難になる。透明導電層の厚みは、目標とする透明導電性積層フィルムの表面抵抗と光線透過率によるが、一般的に100nmから500nmの範囲が好ましい。さらに好ましい透明導電層の厚みは、250〜450nmの範囲である。透明導電層の厚みが、下限よりも薄い場合には十分に低い表面抵抗を得ることが困難になり、一方上限よりも膜厚が厚い場合には、透明導電層が割れやすくなったり、さらに光線透過率を低下したりする。   The transparent conductive layer in the present invention is preferably an ITO thin film, and the tin concentration is preferably in the range of 5 atomic% to 10 atomic% with respect to indium atoms. Even if the concentration of tin is higher or lower than this range, it becomes difficult to obtain sufficient conductivity as a photoactive electrode. The thickness of the transparent conductive layer depends on the surface resistance and light transmittance of the target transparent conductive laminated film, but is generally preferably in the range of 100 nm to 500 nm. A more preferable thickness of the transparent conductive layer is in the range of 250 to 450 nm. When the thickness of the transparent conductive layer is thinner than the lower limit, it becomes difficult to obtain a sufficiently low surface resistance. On the other hand, when the film thickness is thicker than the upper limit, the transparent conductive layer is liable to break or light rays. Or decrease the transmittance.

透明導電層の形成は、物理的気相法によって行うことが好ましい。物理的気相法のなかでもスパッタリング法が最も好ましい。スパッタリング法は、ターゲットを大型化するだけで、大面積の基材に均一な膜厚を形成することに対応可能となり、さらに、他の物理的気相法と比較して、形成した膜と基材との密着力が優れているといった特徴がある。スパッタリング法にてITO薄膜を形成する際の放電方式に得に制限はないが、放電の安定性の観点から直流放電が好ましい。使用するターゲットはITOターゲットが好ましく、ターゲット中の錫の濃度は、ITO薄膜の中の錫濃度と同じく、インジウムに対して5原子%から10原子%が好ましい。インジウムと錫の合金をターゲットに用いて、スパッタリング中に微量の酸素を導入しながらITO薄膜を形成する、反応性スパッタリング法も用いることができるが、酸素導入量の微妙な制御が必要となり、生産性の観点からは好ましくない。   The formation of the transparent conductive layer is preferably performed by a physical vapor phase method. Of the physical vapor phase methods, the sputtering method is most preferable. The sputtering method can cope with the formation of a uniform film thickness on a large-area substrate simply by increasing the size of the target, and further, compared with other physical vapor phase methods, the formed film and substrate It is characterized by excellent adhesion to the material. Although there is no restriction | limiting in the acquisition method at the time of forming an ITO thin film by sputtering method, DC discharge is preferable from a viewpoint of discharge stability. The target to be used is preferably an ITO target, and the concentration of tin in the target is preferably 5 atomic percent to 10 atomic percent with respect to indium, like the tin concentration in the ITO thin film. A reactive sputtering method can be used, in which an ITO thin film is formed while introducing a small amount of oxygen during sputtering using an alloy of indium and tin as a target. It is not preferable from the viewpoint of sex.

本発明における透明導電層上に設ける透明バリア層は、透明でかつ表面の水の接触角45℃以下であることが必要である。ここでいう透明とは、波長380〜780nmの光線の全光線平均透過率が、透明導電性積層フィルム全体で見て、60%以上、好ましくは70%以上あることを意味する。透明バリア層としては、透明でかつ表面の水の接触角が45°以下で、かつヨウ素イオンに対して耐腐蝕性も十分に有するものであればそれ自体公知のものを採用できる。このような特性を有する透明バリア層としては、好ましくは酸化硅素や酸化チタンを主成分としたバリア層が例示できる。また、多孔質半導体層として、二酸化チタンからなる多孔質半導体層が好ましく使用されることから、密着性の観点から、特に酸化チタンを主成分とした層をバリア層が好ましい。酸化チタンを主成分とするバリア層は、文字通り酸化チタンを主成分としていれば良く、例えば酸化チタンと30モル%以下の酸化硅素との混合物でも、チタンアルコキシドが加水分解して酸化チタンへ変化する途中の中間体でも構わない。   The transparent barrier layer provided on the transparent conductive layer in the present invention needs to be transparent and have a surface water contact angle of 45 ° C. or less. The term “transparent” as used herein means that the total light average transmittance of light having a wavelength of 380 to 780 nm is 60% or more, preferably 70% or more, as viewed in the entire transparent conductive laminated film. As the transparent barrier layer, a known material can be used as long as it is transparent, has a water contact angle of 45 ° or less, and has sufficient corrosion resistance against iodine ions. As the transparent barrier layer having such characteristics, a barrier layer mainly composed of silicon oxide or titanium oxide can be exemplified. In addition, since a porous semiconductor layer made of titanium dioxide is preferably used as the porous semiconductor layer, a barrier layer is particularly preferable from the viewpoint of adhesion. The barrier layer containing titanium oxide as a main component only needs to contain titanium oxide as a main component. For example, even in a mixture of titanium oxide and silicon oxide of 30 mol% or less, the titanium alkoxide is hydrolyzed to change into titanium oxide. An intermediate may be used.

透明バリア層の表面の水の接触角が45°を超えると、色素増感型太陽電池の多孔質半導体層を形成するために、多孔質半導体を形成する微粒子を水やアルコールに分散させた塗布液を塗布しようとしたとき、塗布液が均一に塗れなかったり、形成された多孔質半導体層が剥離、すなわち密着性が損なわれたりする。また、これらの問題を解決するために、塗布液に界面活性剤などを添加すると、塗工性や密着性は向上するものの、光電変換効率が損なわれたりする。   When the contact angle of water on the surface of the transparent barrier layer exceeds 45 °, in order to form a porous semiconductor layer of a dye-sensitized solar cell, a coating in which fine particles forming the porous semiconductor are dispersed in water or alcohol When applying the liquid, the coating liquid cannot be applied uniformly, or the formed porous semiconductor layer is peeled off, that is, the adhesion is impaired. Moreover, in order to solve these problems, when surfactant etc. are added to a coating liquid, although a coating property and adhesiveness will improve, photoelectric conversion efficiency will be impaired.

透明バリア層の厚みは、1〜50nmの範囲にあることが必要であり、好ましくは5〜30nmの範囲である。透明バリア層の厚みが下限よりも薄いときには、色素増感型太陽電池を組み上げた後に、ITO薄膜からなる透明導電層がヨウ素イオンによって腐蝕されてしまう。一方、透明バリア層の厚みが上限よりも厚いと、透明バリア層が絶縁性であるために、十分な表面の導電性を得ることができなくなったり、光の干渉によって透過率の低下を招いたりして、光電変換効率が損なわれる。また、透明バリア層を形成する前の表面抵抗をR、透明バリア層を形成した後の表面抵抗をR1としたときに、R/Rは1.5以下であることが好ましい。R/Rの下限は特に制限されず、1に近づくほど好ましい、このような透明バリア層による表面抵抗の上昇を抑えるには、前述の透明バリア層の厚みを50nm以下にすることが挙げられる。また、透明導電層の厚みをtc、透明バリア層の厚みをtbとしたとき、tb/tcを0.3以下にすることも好ましく挙げられる。好ましいtb/tcは、0.01〜0.2の範囲である。 The thickness of the transparent barrier layer needs to be in the range of 1 to 50 nm, and preferably in the range of 5 to 30 nm. When the thickness of the transparent barrier layer is thinner than the lower limit, the transparent conductive layer made of the ITO thin film is corroded by iodine ions after assembling the dye-sensitized solar cell. On the other hand, if the thickness of the transparent barrier layer is larger than the upper limit, the transparent barrier layer is insulative, so that sufficient surface conductivity cannot be obtained, or the transmittance decreases due to light interference. Thus, the photoelectric conversion efficiency is impaired. Further, when R 0 is the surface resistance before forming the transparent barrier layer and R 1 is the surface resistance after forming the transparent barrier layer, R 1 / R 0 is preferably 1.5 or less. The lower limit of R 1 / R 0 is not particularly limited, and is preferably as close to 1 as possible. To suppress the increase in surface resistance due to such a transparent barrier layer, the thickness of the transparent barrier layer described above is 50 nm or less. It is done. Moreover, when the thickness of the transparent conductive layer is tc and the thickness of the transparent barrier layer is tb, it is also preferable to set tb / tc to 0.3 or less. Preferred tb / tc is in the range of 0.01 to 0.2.

透明バリア層の形成方法は気相法でも塗布法でも構わない。気相法としては物理的気相法と化学的気相法に別けることができる。さらに、物理的気相法としては真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法が挙げられ、化学的気相法としてはCVD法やスプレー熱分解法を挙げることができる。一方、塗布法とはチタンアルコキシドの単量体から4量体の溶液もしくはチタンの無機塩の溶液を塗布し、加水分解する方法を挙げることができ、塗布の方法としては、通常のコーティング作業で用いられる方法を用いることができ、例えば、スピンコート法、ディップ法、スプレー法、ロールコーター法、メニスカスコーター法、フレキソ印刷法、スクリーン印刷法、ビートコーター法、マイクログラビアコーター法等を挙げることができる。   The method for forming the transparent barrier layer may be a vapor phase method or a coating method. The vapor phase method can be divided into a physical vapor phase method and a chemical vapor phase method. Furthermore, examples of the physical vapor phase method include a vacuum vapor deposition method, an ion plating method, and a sputtering method, and examples of the chemical vapor phase method include a CVD method and a spray pyrolysis method. On the other hand, the coating method can include a method of applying a tetramer solution or a titanium inorganic salt solution from a monomer of titanium alkoxide and hydrolyzing it. The method used can be used, for example, spin coating method, dip method, spray method, roll coater method, meniscus coater method, flexographic printing method, screen printing method, beat coater method, micro gravure coater method, etc. it can.

上記のチタンアルコキシドとしてはチタンテトラエトキシド、チタンテトラ−n−プロポキシド、チタンテトラ−i−プロポキシド、チタンテトラ−n−ブトキシド、チタンテトラ−sec−ブトキシド、チタンテトラ−tert−ブトキシドを挙げることができ、さらにはジエトキシチタニウムビスアセチルアセトネート、ジプロポキシチタニウムビスアセチルアセトネート、ジブトキシチタニウムビスアセチルアセトネート等のキレート化合物も挙げることができる。チタンの無機塩としては四塩化チタン、三塩化チタン、硫酸チタニル等を挙げることができる。   Examples of the titanium alkoxide include titanium tetraethoxide, titanium tetra-n-propoxide, titanium tetra-i-propoxide, titanium tetra-n-butoxide, titanium tetra-sec-butoxide, titanium tetra-tert-butoxide. Furthermore, chelate compounds such as diethoxytitanium bisacetylacetonate, dipropoxytitanium bisacetylacetonate, and dibutoxytitanium bisacetylacetonate can also be mentioned. Examples of the titanium inorganic salt include titanium tetrachloride, titanium trichloride, titanyl sulfate, and the like.

本発明の透明導電性積層フィルムでは、透明プラスチック基材と透明導電層の間に他の層を設けても良い。好ましくは、透明プラスチック基材側からハードコート、アンカー層を設けることが好ましい。光化学電池を組み上げる際に光作用電極と対向電極を向かい合わせて張り合わせる工程で、短絡防止するためにギャップ調整の目的で粒子径が数十ミクロンのシリカビーズなどの硬いギャップスペーサーを光作用電極と対向電極の間に挿入することがある。そして、ハードコート層がないと、電池を使用している際に圧縮力がかかった場合に、硬いシリカビーズによって透明導電層が割れたり、傷ついてしまったりして、電池の特性が劣化することがあるためである。アンカー層を設ける理由は透明導電層の透明プラスチック基材との密着性を向上させるためである。   In the transparent conductive laminated film of the present invention, another layer may be provided between the transparent plastic substrate and the transparent conductive layer. It is preferable to provide a hard coat and an anchor layer from the transparent plastic substrate side. In the process of assembling the photochemical battery, the photoactive electrode and the counter electrode face each other, and a hard gap spacer such as silica beads with a particle size of several tens of microns is used as the photoactive electrode for the purpose of gap adjustment to prevent a short circuit. It may be inserted between the counter electrodes. Without a hard coat layer, when a compressive force is applied while using the battery, the transparent conductive layer is cracked or damaged by hard silica beads, and the battery characteristics deteriorate. Because there is. The reason for providing the anchor layer is to improve the adhesion of the transparent conductive layer to the transparent plastic substrate.

上記ハードコート層としては透明性を有し、適度な硬度を有する層を形成することが好ましい。その形成材料には特に限定はなく、例えば電離放射線や紫外線照射による硬化樹脂や熱硬化性樹脂を使用できる。特に、紫外線照射硬化型のアクリル系や有機珪素の樹脂や、熱硬化型のポリシロキサン樹脂が好適である。これらの樹脂は公知のものを用いることができる。さらに、このハードコート層は透明フィルム基材と屈折率が同等もしくは近似していることがより好ましいが、膜厚が3μm以上の場合には特にこの点も必要ない。上記アンカー層としては硅素、アルミニウム、チタンからなる群より選ばれる1種以上の金属の酸化物あるいは窒化物あるいは酸窒化物であることが好ましい。アンカー層およびその形成方法には特に限定は無く、それ自体公知のアンカー層および形成方法を用いることができる。具体的なアンカー層としては、例えば 二酸化珪素薄膜を例示できる。アンカー層の厚みに限定は無いが、10nmから50nmの範囲にあることが好ましい。   It is preferable to form a layer having transparency and appropriate hardness as the hard coat layer. The forming material is not particularly limited, and for example, a curable resin or a thermosetting resin by ionizing radiation or ultraviolet irradiation can be used. In particular, an ultraviolet irradiation curable acrylic or organic silicon resin or a thermosetting polysiloxane resin is suitable. Known resins can be used for these resins. Furthermore, it is more preferable that the refractive index of the hard coat layer is equal to or close to that of the transparent film substrate, but this point is not particularly necessary when the film thickness is 3 μm or more. The anchor layer is preferably an oxide or nitride or oxynitride of one or more metals selected from the group consisting of silicon, aluminum, and titanium. There are no particular limitations on the anchor layer and the method of forming the anchor layer, and anchor layers and methods of formation known per se can be used. Specific examples of the anchor layer include a silicon dioxide thin film. The thickness of the anchor layer is not limited, but is preferably in the range of 10 nm to 50 nm.

本発明の透明導電性積層フィルムでは、透明導電層が形成されている面とは反対の面に反射防止層を形成するか、或は反射防止フィルムを貼合して、外光の反射を防止することができる。外光の反射を防止することで、太陽光を効率的に太陽電池の内部に導入することができるようになる。反射防止層の材料や形成方法には特に限定は無く、それ自体公知の材料や方法、例えば特開2002−264242号公報に記載の材料や方法等を用いることができる。   In the transparent conductive laminated film of the present invention, an antireflection layer is formed on the surface opposite to the surface on which the transparent conductive layer is formed, or an antireflection film is bonded to prevent reflection of external light. can do. By preventing reflection of external light, sunlight can be efficiently introduced into the solar cell. There are no particular limitations on the material and formation method of the antireflection layer, and materials and methods known per se, for example, the materials and methods described in JP-A-2002-264242 can be used.

以下、実施例により本発明を説明する。なお、実施例中の評価項目および評価方法は以下のようにして行った。   Hereinafter, the present invention will be described by way of examples. In addition, the evaluation item and the evaluation method in an Example were performed as follows.

(1)表面抵抗値:4探針式表面抵抗率測定装置[三菱化学(株)製、ロレスタGP]を用いて任意の5点を測定し、その平均値を代表値として用いた。  (1) Surface resistance value: An arbitrary five points were measured using a 4-probe type surface resistivity measuring device [Mitsubishi Chemical Corporation, Loresta GP], and the average value was used as a representative value.

(2)水の接触角:蒸留水をマイクロシリンジにて0.05ml滴下し30秒静置後CCDカメラにて表面の液滴を撮影し、写真から直接読み取った。  (2) Contact angle of water: 0.05 ml of distilled water was dropped with a microsyringe and allowed to stand for 30 seconds, and then a surface droplet was photographed with a CCD camera and directly read from a photograph.

(3)腐蝕性: 透明導電性積層フィルムを10mm×10mmの大きさに切り出し、この透明導電層側最表面の中心に5mm×5mmに多孔質二酸化チタン層を形成して光作用電極を作成する。この多孔質半導体層に、0.5Mのヨウ化リチウムと0.05Mのヨウ素を含む3−メトキシプロピオニトリル溶液を滴下し30分間室温にて放置する。その後、図3に示すように、多孔質半導体層が形成されていない10mmは離れた、向かい合う2辺にデジタルマルチメータ13(横河電機株式会社製、753501型)のプラス極とマイナス極を接触させて抵抗を測定した。上記溶液を滴下する前の電気抵抗をRb、上記溶液滴下して30分後の電気抵抗をRaとしたとき、次式で表される電気抵抗の変化率、(Ra-Rb)/Rb、が0.3より小さい場合を○、0.3以上である場合を×とした。  (3) Corrosiveness: A transparent conductive laminated film is cut into a size of 10 mm × 10 mm, and a porous titanium dioxide layer is formed in the center of the outermost surface on the transparent conductive layer side so as to form a photoactive electrode. . To this porous semiconductor layer, a 3-methoxypropionitrile solution containing 0.5 M lithium iodide and 0.05 M iodine is dropped and left at room temperature for 30 minutes. After that, as shown in FIG. 3, the positive and negative poles of the digital multimeter 13 (Yokogawa Electric Co., Ltd., model 753501) are brought into contact with two opposite sides 10 mm apart where the porous semiconductor layer is not formed. The resistance was measured. When the electrical resistance before dropping the solution is Rb, and the electrical resistance 30 minutes after dropping the solution is Ra, the change rate of the electrical resistance represented by the following formula, (Ra−Rb) / Rb is: The case where it was smaller than 0.3 was marked with ◯, and the case where it was 0.3 or larger was marked with ×.

(4)多孔質二酸化チタン層の密着性:JIS D0202−1988に準拠して碁盤目テープ剥離試験にて評価した。碁盤目大きさは1mm×1mm角とし、碁盤目の数は100個とした。セロハン粘着テープはニチバン株式会社性CT405A−18を使用した。剥離した碁盤目の数が10個以下の場合を○、剥離した碁盤目の数が10個を超えていた場合を×とした。  (4) Adhesiveness of porous titanium dioxide layer: evaluated by a cross-cut tape peeling test in accordance with JIS D0202-1988. The grid size was 1 mm × 1 mm square, and the number of grids was 100. Cellophane adhesive tape used Nichiban Co., Ltd. CT405A-18. The case where the number of peeled grids was 10 or less was marked with ◯, and the case where the number of peeled grids exceeded 10 was marked with x.

(5)電池特性:得られた25mm大の色素増感太陽電池を、AM1.5疑似太陽光100mW/cm照射下でのI−V測定により、開放電圧、短絡電流密度、曲線因子、変換効率をもとめた。なお、測定には分光計器製CEP−2000型分光感度測定装置を用いた。 (5) Battery characteristics: The obtained 25 mm 2 large dye-sensitized solar cell was subjected to IV measurement under irradiation of AM 1.5 pseudo-sunlight 100 mW / cm 2 , and the open circuit voltage, short-circuit current density, fill factor, The conversion efficiency was calculated. In addition, the spectrophotometer CEP-2000 type | mold spectral sensitivity measuring apparatus was used for the measurement.

[参考例1] 反射防止フィルムの作成
透明フィルム基材として易接着処理二軸配向PETフィルム(帝人デュポンフィルム製 OPFW−188μm)を用い、この片面の上にUV硬化性ハードコート剤(JSR製 デソライトR7501)を厚さ約5μmになるよう塗布し、UV硬化させてハードコート層を形成した。
[Reference Example 1] Preparation of antireflection film An easy-adhesion-treated biaxially oriented PET film (OPFW-188 μm, manufactured by Teijin DuPont Film) was used as a transparent film substrate, and a UV curable hard coating agent (Desolite manufactured by JSR) was formed on one side R7501) was applied to a thickness of about 5 μm and UV cured to form a hard coat layer.

次いでハードコート層の上にテトラブチルチタネートの4量体(日本曹達製 TBT B−4 )のリグロイン/n−ブタノール(3/1)溶液に、SiO2粒子(日本エアロジル製 AEROSIL R972 平均粒径20nm)をアルコキシドに対し0.5重量%添加し分散させたものをマイクログラビアコーティングにより塗工、150℃2分間乾燥し、厚さ約80nmになる膜(屈折率1.85)を形成した。さらにこの上に、スパッタによりTiO2層(屈折率2.2)を厚さ65nm形成した。こうして屈折率の異なる2つ以上の層からなる反射防止層を形成した。 Next, a tetrabutyl titanate tetramer (manufactured by Nippon Soda TBT B-4) in a ligroin / n-butanol (3/1) solution is added to a SiO 2 particle (AEROSIL R972 manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., average particle size 20 nm). ) Was added by 0.5% by weight to the alkoxide and dispersed by coating with microgravure coating and dried at 150 ° C. for 2 minutes to form a film (refractive index of 1.85) having a thickness of about 80 nm. Further on this, a TiO 2 layer (refractive index 2.2) was formed to a thickness of 65 nm by sputtering. Thus, an antireflection layer composed of two or more layers having different refractive indexes was formed.

最後にテトラエチルシリケートをエタノールに溶解し、水および塩酸を加えて加水分解して得られたSiO2ゾルを塗布し、100℃で2分間熱処理し、汚染防止撥水層としてのゲル膜(屈折率1.45)を形成した。 Finally, tetraethyl silicate is dissolved in ethanol, water and hydrochloric acid are added to hydrolyze it, and the SiO 2 sol is applied and heat treated at 100 ° C. for 2 minutes to form a gel film (refractive index as an antifouling water repellent layer). 1.45) was formed.

[実施例1]
透明フィルム基材として易接着処理二軸配向PETフィルム(帝人デュポンフィルム製O3PF8W−100μm、図1の1)を用い、この片面にUV硬化性ハードコート剤(JSR製 デソライトR7501)を厚さ約5μmになるよう塗布し、UV硬化させてハードコート層(図1の2)を形成した。
[Example 1]
An easy-adhesion-treated biaxially oriented PET film (O3PF8W-100 μm, Teijin DuPont Film, 1 in FIG. 1) is used as a transparent film substrate, and a UV curable hard coat agent (Desolite R7501 from JSR) is about 5 μm thick on one side. And hardened by UV curing to form a hard coat layer (2 in FIG. 1).

ハードコート層(図1の2)が形成された片面に、二酸化硅素ターゲットを用いた高周波マグネトロンスパッタリング法により、膜厚30nmの二酸化硅素からなるアンカー層(図1の3)を設けた。アンカー層(図1の3)のスパッタリング法による形成は、プラズマの放電前にチャンバー内を5×10−4Paまで排気した後、チャンバー内にアルゴンガスを導入して圧力を0.3Paとし、二酸化硅素ターゲットに1000W高周波を印加して行った。 An anchor layer (3 in FIG. 1) made of silicon dioxide having a thickness of 30 nm was provided on one surface on which the hard coat layer (2 in FIG. 1) was formed by high-frequency magnetron sputtering using a silicon dioxide target. The formation of the anchor layer (3 in FIG. 1) by sputtering is performed by evacuating the chamber to 5 × 10 −4 Pa before plasma discharge, and then introducing argon gas into the chamber to a pressure of 0.3 Pa. This was performed by applying a 1000 W high frequency to the silicon dioxide target.

上述のアンカー層(図1の3)の上にITOターゲット(錫濃度は二酸化錫換算で10重量%)を用いた直流マグネトロンスパッタリング法により、膜厚450nmのITOからなる透明導電層(図1の4)を形成した。透明導電層(図1の4)のスパッタリング法による形成は、プラズマの放電前にチャンバー内を5×10−4Paまで排気した後、チャンバー内にアルゴンと酸素の混合ガス(酸素濃度は0.5体積%)を導入して圧力を0.3Paとし、ITOターゲットに1000W印加して行った。このように透明導電層(図1の4)まで形成したときの表面抵抗値Rは14Ω/□であった。また、透明導電層表面の水の接触角は87°であった。ヨウ素イオンによる腐蝕性に関しては、透明導電層(図1の4)は完全に溶解し、評価は×であった。 A transparent conductive layer made of ITO having a film thickness of 450 nm (FIG. 1) is formed by DC magnetron sputtering using an ITO target (tin concentration is 10% by weight in terms of tin dioxide) on the anchor layer (3 in FIG. 1). 4) was formed. Formation of the transparent conductive layer (4 in FIG. 1) by sputtering is performed by evacuating the chamber to 5 × 10 −4 Pa before plasma discharge, and then mixing a mixed gas of argon and oxygen (the oxygen concentration is 0. 0). 5 vol%) was introduced to a pressure of 0.3 Pa, and 1000 W was applied to the ITO target. Thus, the surface resistance value R0 when the transparent conductive layer (4 in FIG. 1) was formed was 14Ω / □. Moreover, the contact angle of water on the surface of the transparent conductive layer was 87 °. Regarding the corrosivity due to iodine ions, the transparent conductive layer (4 in FIG. 1) was completely dissolved, and the evaluation was x.

次いで、透明導電層(図1の4)の上に二酸化チタンターゲットを用いた高周波マグネトロンスパッタリング法により、膜厚30nmの二酸チタンからなる透明バリア層(図1の5)を形成して透明導電性積層フィルムを作成した。tb/tcは0.07である。は透明バリア層(図1のE)のスパッタリング法による形成は、プラズマの放電前にチャンバー内を5×10−4Paまで排気した後、チャンバー内にチャンバー内にアルゴンと酸素の混合ガス(酸素濃度は1.0体積%)を導入して圧力を0.3Paとし、二酸化チタンターゲットに1000W高周波を印加して行った。このように透明バリア層(図1の5)まで形成したときの表面抵抗値Rは16Ω/□であり、R/Rは1.14で表面抵抗はほとんど変化しなかった。透明バリア層表面の水の接触角は32°であり、透明バリア層の形成により表面抵抗の上昇をほとんどさせること無く、表面エネルギーを高くできた。 Next, a transparent barrier layer (5 in FIG. 1) made of titanium dioxide with a thickness of 30 nm is formed on the transparent conductive layer (4 in FIG. 1) by high-frequency magnetron sputtering using a titanium dioxide target. The laminated film was made. tb / tc is 0.07. In the formation of the transparent barrier layer (E in FIG. 1) by sputtering, the inside of the chamber is evacuated to 5 × 10 −4 Pa before plasma discharge, and then a mixed gas (oxygen) of argon and oxygen is placed in the chamber. The concentration was 1.0 vol%), the pressure was 0.3 Pa, and a 1000 W high frequency was applied to the titanium dioxide target. When the transparent barrier layer (5 in FIG. 1) was formed as described above, the surface resistance value R 1 was 16Ω / □, R 1 / R 0 was 1.14, and the surface resistance hardly changed. The contact angle of water on the surface of the transparent barrier layer was 32 °, and the surface energy could be increased without almost increasing the surface resistance by forming the transparent barrier layer.

さらに、参考例1にて作成した反射防止フィルム(図1の6)を、反射防止フィルム(図1の6)の反射防止層が設けられていない面と前記透明導電性積層フィルムの透明バリア層(図1の5)が形成されていない側の面を貼合し、反射防止機能付の透明導電性積層フィルム(図1の7)を作成した。   Furthermore, the antireflection film (6 in FIG. 1) prepared in Reference Example 1 was applied to the surface of the antireflection film (6 in FIG. 1) on which the antireflection layer was not provided and the transparent barrier layer of the transparent conductive laminated film. The surface on the side where (5 in FIG. 1) is not formed was bonded to create a transparent conductive laminated film (7 in FIG. 1) with an antireflection function.

このようにして作成した反射防止機能付の透明導電性積層フィルムの透明バリア層(図1の5)の上に、市販されている低温形成型多孔質二酸化チタン層形成用ペースト(昭和電工製SP−200)をバーコーターにて塗布し、大気中120℃で30分間の熱処理を行って厚み3μmになるように多孔質二酸化チタン層(図2の8)を形成し、色素増感太陽電池の光作用電極を作成した。腐食性の評価をおこなったところRb、Raは共に16Ωで、電気抵抗の変化率は0であった。透明導電層の腐蝕による電気抵抗上昇はなく、腐食性の評価は○であった。密着性の評価を行ったところ、剥離した碁盤目の数は3つであり、評価は○であった。バリア層の形成により、多孔質二酸化チタン層の密着性と透明導電層の耐腐食性が向上していることが確認できた。   On the transparent barrier layer (5 in FIG. 1) of the transparent conductive laminated film with antireflection function prepared in this way, a commercially available paste for forming a low temperature forming porous titanium dioxide layer (SP made by Showa Denko) -200) was applied with a bar coater and heat-treated at 120 ° C. for 30 minutes in the atmosphere to form a porous titanium dioxide layer (8 in FIG. 2) to a thickness of 3 μm. A photoactive electrode was prepared. When the corrosivity was evaluated, Rb and Ra were both 16Ω and the rate of change in electrical resistance was 0. There was no increase in electrical resistance due to corrosion of the transparent conductive layer, and the evaluation of corrosiveness was good. When the adhesion was evaluated, the number of peeled grids was 3, and the evaluation was good. It was confirmed that the adhesion of the porous titanium dioxide layer and the corrosion resistance of the transparent conductive layer were improved by forming the barrier layer.

こうして作成した光作用電極を使用して色素増感型太陽電池を作成した(図2)。作成の手順は次のとおりである。上述の光作用電極をルテニウム錯体(Ru535bisTBA、Solaronix製)の300μMエタノール溶液中に24時間浸漬し、光作用電極表面にルテニウム錯体を吸着させた。また、表面抵抗が10Ω/□のITO膜付ガラス基板上にスパッタリング法によりPt膜を堆積して対向電極(図2の9)を作成した。これらの光作用電極と対向電極の両基板をスペーサー(図2の10)を介して重ね合わせ、電解質溶液(0.5Mのヨウ化リチウムと0.05Mのヨウ素と0.5Mのtert−ブチルピリジンを含む3−メトキシプロピオニトリル溶液、図2の11)を注入した後、接着剤でシールした。完成した色素増感型太陽電池 のI−V測定を行った結果、開放電圧、短絡電流密度、曲線因子はそれぞれ、0.69V、4.6mA/cm、0.76であり、その結果、変換効率は2.4%であった。 A dye-sensitized solar cell was prepared using the photoactive electrode thus prepared (FIG. 2). The creation procedure is as follows. The above-described photoactive electrode was immersed in a 300 μM ethanol solution of a ruthenium complex (Ru535bisTBA, manufactured by Solaronix) for 24 hours to adsorb the ruthenium complex on the surface of the photoactive electrode. A counter electrode (9 in FIG. 2) was prepared by depositing a Pt film on a glass substrate with an ITO film having a surface resistance of 10Ω / □ by sputtering. Both substrates of these photoactive electrode and counter electrode are overlapped via a spacer (10 in FIG. 2), and an electrolyte solution (0.5M lithium iodide, 0.05M iodine and 0.5M tert-butylpyridine) is used. After injecting 3-methoxypropionitrile solution containing 11) in FIG. 2, it was sealed with an adhesive. As a result of performing IV measurement of the completed dye-sensitized solar cell, the open circuit voltage, the short circuit current density, and the fill factor were 0.69 V, 4.6 mA / cm 2 and 0.76, respectively. The conversion efficiency was 2.4%.

[実施例2]
透明バリア層を以下の塗布法にて形成した以外は実施例1と同様な操作を繰り返して、透明導電性積層フィルム、光作用電極および色素増感型太陽電池を作成した。透明バリア層形成の手順は次の通りである。tert−ブタノールと2−ブタノールが体積比で3:1の混合溶媒にテトラブチルチタネート4量体を加えて0.1Mとなるように塗布液を調整し、バーコーターにて透明導電層(図1のD)上に塗布し、大気中150℃で1分間熱処理することで加水分解して酸化チタンを主成分とする透明バリア層を膜厚30nmとなるように形成した。tb/tcは0.07である。透明バリア層を形成する前の表面抵抗Rは実施例1と同じく14Ω/□、透明バリア層形成後の表面抵抗Rは15Ω/□であり、R/Rは1.07となった。透明バリア層形成前における透明導電層表面の水の接触角は実施例1と同じく87°、透明バリア層表面の水の接触角は41°であった。透明バリア層を塗布法にて形成した場合でも、実施例1と同じく表面抵抗の上昇をほとんどさせること無く、表面エネルギーを高くできることができた。
[Example 2]
Except that the transparent barrier layer was formed by the following coating method, the same operation as in Example 1 was repeated to produce a transparent conductive laminated film, a photoactive electrode, and a dye-sensitized solar cell. The procedure for forming the transparent barrier layer is as follows. The coating solution was adjusted by adding tetrabutyl titanate tetramer to a mixed solvent of tert-butanol and 2-butanol in a volume ratio of 3: 1 to 0.1 M, and a transparent conductive layer (FIG. 1) was prepared using a bar coater. A transparent barrier layer mainly composed of titanium oxide was formed so as to have a film thickness of 30 nm by being heat-treated at 150 ° C. for 1 minute in the atmosphere and then hydrolyzing. tb / tc is 0.07. The surface resistance R 0 before forming the transparent barrier layer is 14 Ω / □ as in Example 1, the surface resistance R 1 after forming the transparent barrier layer is 15 Ω / □, and R 0 / R 1 is 1.07. It was. The contact angle of water on the surface of the transparent conductive layer before the formation of the transparent barrier layer was 87 ° as in Example 1, and the contact angle of water on the surface of the transparent barrier layer was 41 °. Even when the transparent barrier layer was formed by a coating method, the surface energy could be increased with almost no increase in surface resistance as in Example 1.

多孔質二酸化チタン層の密着性評価は,剥離した碁盤目の数は0であり、評価は○であった。光作用電極の腐食性評価をおこなったところRbは15Ω、Raは17Ωで、電気抵抗の変化率は0.13であり、評価は○となった。透明導電層の腐蝕による電気抵抗上昇はほとんどなく、腐食性の評価は○であった。バリア層の形成により、多孔質二酸化チタン層の密着性と透明導電層の耐腐食性が向上していることが確認できた。色素増感型太陽電池を作成し、I−V測定を行った結果は、開放電圧0.68V、短絡電流密度4.2mA/cm、曲線因子0.77、変換効率2.2%であった。 In the evaluation of adhesion of the porous titanium dioxide layer, the number of peeled grids was 0, and the evaluation was ○. When the corrosive evaluation of the photoactive electrode was performed, Rb was 15Ω, Ra was 17Ω, the rate of change in electrical resistance was 0.13, and the evaluation was good. There was almost no increase in electrical resistance due to corrosion of the transparent conductive layer, and the evaluation of corrosivity was ○. It was confirmed that the adhesion of the porous titanium dioxide layer and the corrosion resistance of the transparent conductive layer were improved by forming the barrier layer. A dye-sensitized solar cell was prepared and subjected to IV measurement. The result was an open circuit voltage of 0.68 V, a short-circuit current density of 4.2 mA / cm 2 , a fill factor of 0.77, and a conversion efficiency of 2.2%. It was.

[比較例1]
透明バリア層を形成しないこと以外は実施例1と同様な操作を繰り返して、透明導電性積層フィルム、光作用電極を作成した。このときの表面抵抗値、透明導電層表面の水の接触角は実施例1と同じく、それぞれ、14Ω/□、87°であった。ヨウ素イオンによる腐蝕性に関しては、透明導電層(図1の4)は完全に溶解し、評価は×であった。
[Comparative Example 1]
Except not forming a transparent barrier layer, the same operation as Example 1 was repeated, and the transparent conductive laminated film and the photoactive electrode were created. The surface resistance value at this time and the contact angle of water on the surface of the transparent conductive layer were 14Ω / □ and 87 °, respectively, as in Example 1. Regarding the corrosivity due to iodine ions, the transparent conductive layer (4 in FIG. 1) was completely dissolved, and the evaluation was x.

透明バリア層が形成されていない透明導電層の上に市販の低温形成型多孔質二酸化チタン層形成用ペースト(昭和電工製SP−200)をバーコーターにて塗布したが、ペーストを弾いてしまい均一に塗布することが不可能であった。密着性の評価は剥離した碁盤目の数が43個となり、評価は×であった。光作用電極の腐食性評価をおこなったところRbは16Ω、Raは140Ωで、電気抵抗の変化率は7.75であり、評価は×となった。バリア層を形成していないためにそれ以上の評価は行わなかった。   A commercially available paste for forming a low temperature forming porous titanium dioxide layer (SP-200 manufactured by Showa Denko) was applied on a transparent conductive layer on which a transparent barrier layer was not formed with a bar coater. It was impossible to apply to. In the evaluation of adhesion, the number of peeled grids was 43, and the evaluation was x. When the corrosive evaluation of the photoactive electrode was performed, Rb was 16Ω, Ra was 140Ω, the rate of change in electrical resistance was 7.75, and the evaluation was x. Since no barrier layer was formed, no further evaluation was performed.

[比較例2]
透明導電層層(図1のE)の上に、市販されている低温形成型多孔質二酸化チタン層形成用ペースト(昭和電工製SP−200)をバーコーターにて塗布する際に、このペーストに界面活性剤であるトリトン(アルドリッジ製)を1.0%添加した以外は比較例1と同様な操作を繰り返して、透明導電性積層フィルムおよび光作用電極を作成した。光作用電極の腐食性評価をおこなったところRbは15Ω、Raは共に16Ωで、電気抵抗の変化率は0.07であった。透明導電層の腐蝕による電気抵抗上昇はほとんどなく、腐食性の評価は○であった。また、得られた光作用電極を用いて、実施例1と同様な操作を繰り返して色素増感型太陽電池を作成した。低温形成型多孔質二酸化チタン層形成用ペーストに界面活性剤であるトリトン(アルドリッジ製)を1.0%添加することにより塗工は可能となり、膜厚3μmとなるように多孔質二酸化チタンが形成されたて光作用電極を作成した。密着性の評価は○であった。この光作用電極を使用して色素増感型太陽電池を作成し、I−V測定を行った結果は、開放電圧、短絡電流密度、曲線因子、変換効率はそれぞれ、0.60V、1.7mA/cm、0.70、0.71%であった。透明バリア層を形成しなくても、界面活性剤をペーストに添加することで、塗工性および密着性は向上できるが、この添加によって変換効率が低下してしまう。
[Comparative Example 2]
When a commercially available paste for forming a low temperature forming porous titanium dioxide layer (SP-200 made by Showa Denko) is applied on the transparent conductive layer (E in FIG. 1) with a bar coater, A transparent conductive laminated film and a photoactive electrode were prepared by repeating the same operation as in Comparative Example 1 except that 1.0% of Triton (manufactured by Aldridge) as a surfactant was added. When the corrosive evaluation of the photoactive electrode was performed, Rb was 15Ω, Ra was 16Ω, and the rate of change in electrical resistance was 0.07. There was almost no increase in electrical resistance due to corrosion of the transparent conductive layer, and the evaluation of corrosivity was ○. In addition, using the obtained photoactive electrode, the same operation as in Example 1 was repeated to prepare a dye-sensitized solar cell. Coating is possible by adding 1.0% of Triton (manufactured by Aldridge) as a surfactant to the paste for forming a low temperature forming porous titanium dioxide layer, and the porous titanium dioxide is formed to a film thickness of 3 μm. A photoworking electrode was prepared. The evaluation of adhesion was ○. A dye-sensitized solar cell was prepared using this photoactive electrode, and the results of IV measurement were as follows: open circuit voltage, short circuit current density, fill factor, and conversion efficiency were 0.60 V and 1.7 mA, respectively. / Cm 2 , 0.70, and 0.71%. Even if a transparent barrier layer is not formed, the coating property and adhesion can be improved by adding a surfactant to the paste, but this addition reduces the conversion efficiency.

本発明の透明導電性積層フィルムの層構造の一例。An example of the layer structure of the transparent conductive laminated film of this invention. 色素増感型太陽電池の断面図。Sectional drawing of a dye-sensitized solar cell. 電気抵抗の測定装置。Electrical resistance measuring device.

符号の説明Explanation of symbols

1 透明プラスチック基材
2 ハードコート層
3 アンカー層
4 透明導電層
5 透明バリア層
6 反射防止フィルム
7 反射防止機能付き透明導電性積層フィルム
8 色素吸着多孔質二酸化チタン層
9 対向電極
10 スペーサー
11 電解質溶液
12 反射防止機能付き透明導電性積層フィルム
13 デジタルマルチメータ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transparent plastic base material 2 Hard-coat layer 3 Anchor layer 4 Transparent conductive layer 5 Transparent barrier layer 6 Antireflection film 7 Transparent electroconductive laminated film with an antireflection function 8 Dye adsorption | suction porous titanium dioxide layer 9 Counter electrode 10 Spacer 11 Electrolyte solution 12 Transparent conductive laminated film with antireflection function 13 Digital Multimeter

Claims (10)

透明プラスチック基材の片面に透明導電層を形成した透明導電性積層フィルムであって、該透明導電性積層フィルムの透明導電層の表面に、水の接触角が45°以下でかつ膜厚(tb)が1〜50nmの透明バリア層を設けたことを特徴とする光作用電極用透明導電性積層フィルム。   A transparent conductive laminated film in which a transparent conductive layer is formed on one side of a transparent plastic substrate, and the surface of the transparent conductive layer of the transparent conductive laminated film has a water contact angle of 45 ° or less and a film thickness (tb ) Is provided with a transparent barrier layer having a thickness of 1 to 50 nm. 透明バリア層を形成する前の透明導伝層の表面抵抗をR、透明バリア層を形成した後の透明バリア層の表面抵抗をRとしたとき、R/Rが高々1.5である請求項1記載の透明導電性積層フィルム。 When the surface resistance of the transparent conductive layer before forming the transparent barrier layer is R 0 and the surface resistance of the transparent barrier layer after forming the transparent barrier layer is R 1 , R 1 / R 0 is at most 1.5. The transparent conductive laminated film according to claim 1. 透明導電層が錫ドープ酸化インジウムからなる請求項1記載の透明導電性積層フィルム。   The transparent conductive laminated film according to claim 1, wherein the transparent conductive layer is made of tin-doped indium oxide. 透明バリア層が酸化チタンからなる薄膜である請求項1記載の透明導電性積層フィルム。   The transparent conductive laminated film according to claim 1, wherein the transparent barrier layer is a thin film made of titanium oxide. 透明バリア層が物理的気相法もしくは化学的気相法に代表される気相法にて形成された請求項1記載の透明導電性積層フィルム。   The transparent conductive laminated film according to claim 1, wherein the transparent barrier layer is formed by a vapor phase method typified by a physical vapor phase method or a chemical vapor phase method. 透明バリア層がチタンアルコキシドの単量体から4量体の溶液もしくはチタンの無機塩の溶液を塗布し、加水分解する塗布法により形成された請求項4記載の透明導電性積層フィルム。   The transparent conductive laminated film according to claim 4, wherein the transparent barrier layer is formed by a coating method in which a tetramer solution or a titanium inorganic salt solution is coated from a titanium alkoxide monomer and hydrolyzed. 透明プラスチック基材と透明導電層とが、透明プラスチック基材側からハードコート層およびアンカー層をこの順で介して積層されている請求項1〜6のいずれかに記載の透明導電性フィルム。   The transparent conductive film according to claim 1, wherein the transparent plastic substrate and the transparent conductive layer are laminated from the transparent plastic substrate side through a hard coat layer and an anchor layer in this order. 透明プラスチックフィルム基材の透明導電層と接していない側の表面に反射防止層が形成されているか反射防止フィルムが貼合されている請求項1記載の透明導電性積層フィルム。   The transparent conductive laminated film according to claim 1, wherein an antireflection layer is formed on the surface of the transparent plastic film substrate that is not in contact with the transparent conductive layer, or an antireflection film is bonded. 光化学電池の光作用電極として用いる請求項1から8のいずれかに記載の透明導電性積層フィルム。   The transparent conductive laminated film according to any one of claims 1 to 8, which is used as a photoactive electrode of a photochemical battery. 請求項1〜8のいずれかに記載の透明導電性積層フィルムとその透明バリア層の表面に形成された多孔質半導体層とからなる光化学電池用光作用電極。   The photoactive electrode for photochemical cells which consists of the transparent conductive laminated film in any one of Claims 1-8, and the porous semiconductor layer formed in the surface of the transparent barrier layer.
JP2004144608A 2004-05-14 2004-05-14 Transparent conductive laminated film and optical action electrode for photochemical cell Pending JP2005324435A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004144608A JP2005324435A (en) 2004-05-14 2004-05-14 Transparent conductive laminated film and optical action electrode for photochemical cell

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004144608A JP2005324435A (en) 2004-05-14 2004-05-14 Transparent conductive laminated film and optical action electrode for photochemical cell

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005324435A true JP2005324435A (en) 2005-11-24

Family

ID=35471169

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004144608A Pending JP2005324435A (en) 2004-05-14 2004-05-14 Transparent conductive laminated film and optical action electrode for photochemical cell

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005324435A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008168488A (en) * 2007-01-10 2008-07-24 Teijin Dupont Films Japan Ltd Reflection-proof electroconductive film
WO2009044791A1 (en) * 2007-10-04 2009-04-09 Shimane Prefectural Government Electrode having short-circuit prevention layer, and dye-sensitized solar cell having such electrode

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63102108A (en) * 1986-10-17 1988-05-07 旭硝子株式会社 Transparent conducting film
JPS63252304A (en) * 1987-04-08 1988-10-19 グンゼ株式会社 Transparent conducting substrate
JPH06238807A (en) * 1993-02-19 1994-08-30 Toray Ind Inc Plastic optical article
JPH10728A (en) * 1996-06-17 1998-01-06 Dainippon Printing Co Ltd Reflection preventive film and manufacture thereof
JP2000231450A (en) * 1999-02-10 2000-08-22 Toyobo Co Ltd Transparent conductive film, touch panel and liquid crystal display element
JP2001110238A (en) * 1999-06-02 2001-04-20 Fuji Photo Film Co Ltd Low reflectance transparent conductive laminated film

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63102108A (en) * 1986-10-17 1988-05-07 旭硝子株式会社 Transparent conducting film
JPS63252304A (en) * 1987-04-08 1988-10-19 グンゼ株式会社 Transparent conducting substrate
JPH06238807A (en) * 1993-02-19 1994-08-30 Toray Ind Inc Plastic optical article
JPH10728A (en) * 1996-06-17 1998-01-06 Dainippon Printing Co Ltd Reflection preventive film and manufacture thereof
JP2000231450A (en) * 1999-02-10 2000-08-22 Toyobo Co Ltd Transparent conductive film, touch panel and liquid crystal display element
JP2001110238A (en) * 1999-06-02 2001-04-20 Fuji Photo Film Co Ltd Low reflectance transparent conductive laminated film

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008168488A (en) * 2007-01-10 2008-07-24 Teijin Dupont Films Japan Ltd Reflection-proof electroconductive film
WO2009044791A1 (en) * 2007-10-04 2009-04-09 Shimane Prefectural Government Electrode having short-circuit prevention layer, and dye-sensitized solar cell having such electrode
JP2009093844A (en) * 2007-10-04 2009-04-30 Shimane Pref Gov Electrode equipped with short-circuit preventing layer and dye-sensitized solar battery equipped with the electrode

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI390743B (en) Pigment for a dye-sensitized solar cell, an electrode for a dye-sensitized solar cell, and a method of manufacturing the same
US9645454B2 (en) Transparent conductive film and electric device
Chen et al. Fabrication and characterization of anodic titanium oxide nanotube arrays of controlled length for highly efficient dye-sensitized solar cells
JP4438381B2 (en) Crystalline ITO film, method for crystallizing ITO film, transparent conductive film, touch panel, and dye-sensitized solar cell
JP2003123859A (en) Organic dye sensitized metal oxide semiconductor electrode, and solar battery having the semiconductor electrode
JPH11312541A (en) Solar cell
US20110174368A1 (en) Composite electrolyte and the preparation method thereof, and dye-sensitized solar cell using the same
JP2011165469A (en) Semiconductor electrode layer, method of manufacturing the same, and electrochemical device
EP1753000A2 (en) Photoelectrode substrate of dye sensitizing solar cell, and method for producing same
JP5084170B2 (en) Method for producing transparent electrode substrate for dye-sensitized solar cell
Zhang et al. A Self‐Assembled Vertical‐Gradient and Well‐Dispersed MXene Structure for Flexible Large‐Area Perovskite Modules
EP1596462A1 (en) Photoelectrode substrate of dye sensitizing solar battery, and method for producing same
JP2005324435A (en) Transparent conductive laminated film and optical action electrode for photochemical cell
JP5135520B2 (en) Dye-sensitized solar cell
Lee et al. Thickness-controllable textured TiO2 underlayer for a flexible dye-sensitized solar cell sub-module
CN101834275B (en) Intermediate electrode layer used in inversed laminated organic solar cell and preparation method
JP2006012517A (en) Metal oxide structure, and dye sensitized solar battery
JP2007207709A (en) Counter electrode for dye-sensitized solar battery and dye-sensitized solar battery
JP2004119129A (en) Manufacturing method of dye-sensitized solar cell, and dye-sensitized solar cell obtained by it
JP2010080315A (en) Dye-sensitized type solar cell
JP2006302805A (en) Electrode for dye-sensitized solar cell and its manufacturing method
KR101091779B1 (en) A method for manufacturing transparent conducting layer, transparent conducting layer manufactured by the same, and dye sensitized solar cell comprising the same
KR20010069499A (en) SnO2/TiO2 coupled oxide semiconductor and dye-sensitized solar cell
JP2006127825A (en) Laminate for dye-sensitized solar battery, electrode for dye-sensitized solar battery and manufacturing method of the same
KR101066511B1 (en) Dye-sensitized solar cell and its fabrication method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070312

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090826

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090901

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091030

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100323

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20110711

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20110711