JP2005317689A - Metallized film for electromagnetic wave shield material - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、金属化フイルムに関するものであり、詳細には、電磁波を遮蔽する電磁波シールド材に使用できる電磁波シールド材用金属化フイルムに係るものである。 The present invention relates to a metallized film, and more particularly to a metallized film for an electromagnetic wave shielding material that can be used as an electromagnetic wave shielding material for shielding electromagnetic waves.
電磁波シールド材用金属化フイルムとして従来、電気絶縁性フィルムの片面に銀蒸着層とヒートシール性を有するニッケルフィラー含有接着性樹脂層とを順次設けたシールドテープが知られている（特許文献１参照）。
そして、上記従来のものは具体的には、電気絶縁性フィルムの厚さが９μｍ（特許文献１の４頁左欄「実施例」参照）、銀蒸着層の厚さが０．０３〜０．３μｍ（特許文献１の３頁右欄段落「００１９」参照）、ニッケルフィラー含有接着性樹脂層の厚さが１０〜４０μｍ（特許文献１の３頁右欄段落「００１７」参照）、というものであり、全体の厚さは１９．０３〜４９．３μｍとかなり厚いものであった。
Specifically, in the above-described conventional one, the thickness of the electrically insulating film is 9 μm (see “Example” on page 4, left column of Patent Document 1), and the thickness of the silver vapor deposition layer is 0.03 to 0.3 mm. 3 μm (see paragraph “0019” on page 3, right column of Patent Document 1), and the thickness of the nickel filler-containing adhesive resin layer is 10 to 40 μm (see paragraph “0017” on page 3, right column of Patent Document 1). And the overall thickness was considerably thick as 19.03 to 49.3 μm.
（１）従来のシールドテープは全体の厚さが１９．０３〜４９．３μｍとかなり厚いので、柔軟性に劣るものであった。
（２）また、柔軟性に劣ることから、被シールド物の微細な凹凸や微細な曲面に使用する場合には、シールドテープが被シールド物に隙間なく十分に密着し難かった。
（３）そして、隙間なく十分に密着させようとして加熱加圧又は加圧すると、電気絶縁性フィルムが変形したり傷ついたりして、その結果、銀蒸着層が変形したり傷ついたりした。
（４）さらに、被シールド物がフレキシブルで柔軟性に富んだものである場合には、柔軟性に劣るシールドテープが、被シールド物の柔軟性を阻害した。
（５）厚さ０．０３〜０．３μmの銀蒸着層を使用しているので、５．２ギガ以上の高い周波数の電磁波をシールドすることができなかった。
（６）従来のシールドテープを配線回路シート（配線回路基板）の配線回路部分のシールドに使用する場合には、シールドテープをシールドする配線回路部分の大きさに合わせてカットして、そのカットしたシールドテープを一個づつ手作業によりシールドする配線回路部分に貼り合わせていたので、作業性がよくなかった。
本発明は、上記の多くの欠点を除去するものである。
(1) The conventional shield tape is inferior in flexibility because the total thickness is as large as 19.03 to 49.3 μm.
(2) Moreover, since it is inferior in a softness | flexibility, when using for the fine unevenness | corrugation and fine curved surface of a to-be-shielded object, it was difficult to fully adhere | attach a shield tape on a to-be-shielded object without a gap.
(3) Then, when heat-pressing or pressurizing in an attempt to sufficiently adhere with no gap, the electrically insulating film was deformed or damaged, and as a result, the silver deposited layer was deformed or damaged.
(4) Further, when the object to be shielded is flexible and flexible, the shielding tape having poor flexibility hindered the flexibility of the object to be shielded.
(5) Since a silver vapor-deposited layer having a thickness of 0.03 to 0.3 μm is used, electromagnetic waves having a high frequency of 5.2 giga or more could not be shielded.
(6) When the conventional shield tape is used for shielding the wiring circuit portion of the wiring circuit sheet (wiring circuit board), the shield tape is cut in accordance with the size of the wiring circuit portion to be shielded, and the cut is made. The workability was not good because the shield tape was attached to the wiring circuit part to be shielded manually one by one.
The present invention eliminates many of the disadvantages described above.
本発明は、従来の厚さ０．０３〜０．３μmの銀蒸着層にかえて、金属蒸着層及び金属メッキ層を順次形成した厚さ０．３２〜５．０μｍの金属薄膜層を使用し、また、従来の厚さ９μｍ電気絶縁性フイルムにかえて、厚さ０．５〜５μｍの耐熱性かつ絶縁性の樹脂層を使用することにより、全体で薄い電磁波シールド材を得ることを可能にしたものである。
（１）本発明は、厚さ１０〜１００μｍのプラスチックフイルムの片面に、剥離層を形成し、該剥離層上に厚さ０．５〜５μｍの耐熱性かつ絶縁性の樹脂層を形成し、該樹脂層上に厚さ０．３２〜５．０μｍの金属薄膜層を形成し、該金属薄膜層上に厚さ２〜１５μｍの接着層を形成したことを特徴とする、電磁波シールド材用金属化フイルムである。
かかる本発明は、耐熱性かつ絶縁性の樹脂層、金属薄膜層及び接着層の三層の合計厚さを１９μｍ以下とする必要がある。該三層の厚さの合計が１９μｍを超えると、後述する本発明の効果を十分に得ることができない。
（２）本発明は、厚さ１０〜１００μｍのプラスチックフイルムの片面に、剥離層を形成し、該剥離層上に厚さ０．５〜５μｍの耐熱性かつ絶縁性の樹脂層を形成し、該樹脂層上に厚さ０．３２〜５．０μｍの金属薄膜層を形成したことを特徴とする、電磁波シールド材用金属化フイルムである。
かかる本発明は、後述するように、金属薄膜層上に接着層を形成するか又は被シールド物上に接着層を形成するかして使用するものであるが、耐熱性かつ絶縁性の樹脂層、金属薄膜層及び接着層の三層の合計厚さを１９μｍ以下とする必要がある。該三層の厚さの合計が１９μｍを超えると、後述する本発明の効果を十分に得ることができない。
従って、本発明を使用する場合には、接着層の厚さは、該三層の厚さの合計が１９μｍ以下となるような接着層の厚さとする。
The present invention uses a metal thin film layer having a thickness of 0.32 to 5.0 μm in which a metal vapor deposition layer and a metal plating layer are sequentially formed in place of the conventional silver vapor deposition layer having a thickness of 0.03 to 0.3 μm. In addition, by using a heat-resistant and insulating resin layer having a thickness of 0.5 to 5 μm instead of the conventional 9 μm-thick electric insulating film, it is possible to obtain a thin electromagnetic shielding material as a whole. It is a thing.
(1) In the present invention, a release layer is formed on one surface of a plastic film having a thickness of 10 to 100 μm, and a heat-resistant and insulating resin layer having a thickness of 0.5 to 5 μm is formed on the release layer. A metal for electromagnetic wave shielding material, wherein a metal thin film layer having a thickness of 0.32 to 5.0 μm is formed on the resin layer, and an adhesive layer having a thickness of 2 to 15 μm is formed on the metal thin film layer. It is a chemical film.
In the present invention, the total thickness of the three layers of the heat-resistant and insulating resin layer, the metal thin film layer, and the adhesive layer needs to be 19 μm or less. When the total thickness of the three layers exceeds 19 μm, the effects of the present invention described later cannot be sufficiently obtained.
(2) In the present invention, a release layer is formed on one side of a plastic film having a thickness of 10 to 100 μm, and a heat-resistant and insulating resin layer having a thickness of 0.5 to 5 μm is formed on the release layer. A metallized film for an electromagnetic wave shielding material, wherein a metal thin film layer having a thickness of 0.32 to 5.0 μm is formed on the resin layer.
As described later, the present invention is used by forming an adhesive layer on a metal thin film layer or forming an adhesive layer on an object to be shielded. The total thickness of the three layers of the metal thin film layer and the adhesive layer needs to be 19 μm or less. When the total thickness of the three layers exceeds 19 μm, the effects of the present invention described later cannot be sufficiently obtained.
Therefore, when the present invention is used, the thickness of the adhesive layer is set such that the total thickness of the three layers is 19 μm or less.
本発明に係る電磁波シールド材用金属化フイルムは、例えば該金属化フイルムが、プラスチックフイルム、剥離層、耐熱性かつ絶縁性の樹脂層、金属薄膜層、接着層を順次形成したものである場合には、該金属化フイルムのプラスチックフイルムを外側とし接着層を内側として被シールド物に貼り付け、その後プラスチックフイルム及び剥離層を剥離することにより、耐熱性かつ絶縁性の樹脂層と金属薄膜層と接着層とからなる薄い電磁波シールド材を得ることができる。すなわち、このようにして、耐熱性かつ絶縁性の樹脂層、金属薄膜層及び接着層が順次積層形成された薄い電磁波シールド材を得ることができる。
このようにすることにより本発明は、電磁波シールド材用金属化フイルムとして使用することができる。
The metallized film for electromagnetic wave shielding material according to the present invention is, for example, when the metallized film is formed by sequentially forming a plastic film, a release layer, a heat-resistant and insulating resin layer, a metal thin film layer, and an adhesive layer. Adhere the heat-resistant and insulating resin layer to the metal thin film layer by attaching the metallized film to the shielded object with the plastic film on the outside and the adhesive layer on the inside, and then peeling the plastic film and the release layer. A thin electromagnetic shielding material comprising a layer can be obtained. That is, in this way, a thin electromagnetic shielding material in which a heat-resistant and insulating resin layer, a metal thin film layer, and an adhesive layer are sequentially laminated can be obtained.
By doing in this way, this invention can be used as a metallized film for electromagnetic wave shielding materials.
また、本発明に係る電磁波シールド材用金属化フイルムは、例えば該金属化フイルムが、プラスチックフイルム、剥離層、耐熱性かつ絶縁性の樹脂層、金属薄膜層を順次形成したものである場合には、金属薄膜層上に接着層を形成するか又は被シールド物上に接着層を形成するかして、該金属化フイルムをプラスチックフイルムを外側として被シールド物に貼り付け、その後プラスチックフイルム及び剥離層を剥離することにより、耐熱性かつ絶縁性の樹脂層と金属薄膜層と接着層とからなる薄い電磁波シールド材を得ることができる。すなわち、このようにして、耐熱性かつ絶縁性の樹脂層、金属薄膜層及び接着層が順次積層形成された薄い電磁波シールド材を得ることができる。
このようにすることにより本発明は、電磁波シールド材用金属化フイルムとして使用することができる。
The metallized film for electromagnetic wave shielding material according to the present invention is, for example, when the metallized film is formed by sequentially forming a plastic film, a release layer, a heat-resistant and insulating resin layer, and a metal thin film layer. An adhesive layer is formed on the metal thin film layer or an adhesive layer is formed on the shielded object, and the metallized film is attached to the shielded object with the plastic film as the outside, and then the plastic film and the release layer By peeling off, a thin electromagnetic wave shielding material comprising a heat-resistant and insulating resin layer, a metal thin film layer, and an adhesive layer can be obtained. That is, in this way, a thin electromagnetic shielding material in which a heat-resistant and insulating resin layer, a metal thin film layer, and an adhesive layer are sequentially laminated can be obtained.
By doing in this way, this invention can be used as a metallized film for electromagnetic wave shielding materials.
本発明は、前記のいずれの使用方法の場合でも、本発明の電磁波シールド材用金属化フイルムを被シールド物に合わせてカットして、このカットしたものを貼り合わせて使用することもできるが、機械で連続的に被シールド物をシールドすることもできる。
すなわち、例えば、本発明は、耐熱性かつ絶縁性の樹脂層と金属薄膜層と接着層とが積層された又は耐熱性かつ絶縁性の樹脂層と金属薄膜層とが積層された部分のうちの不要な積層部分を、予め機械で連続的にハーフカットにより除去し、その後、積層部分の残部を機械で連続的に被シールド物のシールドが必要な部分に貼り付けることにより、連続生産ができる。
従って、例えば、本発明を配線回路シート（配線回路基板）の配線回路部分のシールドに使用する場合には、機械で連続的に配線回路部分のシールドができ、作業性が非常に良い。
In the case of any of the above usage methods, the present invention can be used by cutting the metallized film for an electromagnetic wave shielding material of the present invention according to the object to be shielded, and bonding the cut ones. It is also possible to shield the object to be shielded continuously with a machine.
That is, for example, in the present invention, the heat-resistant and insulating resin layer, the metal thin film layer, and the adhesive layer are laminated, or the heat-resistant and insulating resin layer and the metal thin film layer are laminated. Unnecessary layered portions are removed in advance by half-cutting with a machine in advance, and then the remaining portion of the layered portions is continuously pasted on a portion where the shield of the shielded object is necessary with a machine.
Therefore, for example, when the present invention is used for shielding a wiring circuit portion of a wiring circuit sheet (wiring circuit board), the wiring circuit portion can be shielded continuously by a machine, and workability is very good.
プラスチックフイルムの厚さは、１０〜１００μｍが好ましく、望ましくは１２〜５０μｍである。
プラスチックフイルムと耐熱性かつ絶縁性の樹脂層との剥離性を向上させるために、プラスチックフイルム上に前処理として予め適宜の樹脂により剥離層を形成しておき、該剥離層上に耐熱性かつ絶縁性の樹脂層を形成するのが好ましい。剥離層は後にプラスチックフイルムと共に樹脂層から剥離されるものである。
剥離層の厚さは、０．０１〜３μｍ好ましくは０．０５〜１μｍである。
なお、プラスチックフイルムが剥離性を有するものである場合には、該プラスチックフイルムが剥離層を兼ねることができ、該プラスチックフイルムを使用して別途剥離層の形成を省略した場合も、もちろん本発明に含まれる。
The thickness of the plastic film is preferably 10 to 100 μm, and desirably 12 to 50 μm.
In order to improve the peelability between the plastic film and the heat-resistant and insulating resin layer, a release layer is previously formed on the plastic film with an appropriate resin as a pretreatment, and the heat-resistant and insulating layer is formed on the release layer. It is preferable to form a conductive resin layer. The release layer is later peeled off from the resin layer together with the plastic film.
The thickness of the release layer is 0.01 to 3 μm, preferably 0.05 to 1 μm.
In the case where the plastic film has peelability, the plastic film can also serve as a release layer, and of course, the present invention also includes the case where the formation of the release layer is omitted by using the plastic film. included.
耐熱性かつ絶縁性の樹脂層は、耐熱性及び絶縁性を備えている樹脂により形成した樹脂層である。
該樹脂層の耐熱性は、本発明の製造工程中及び本発明を被シールド物に貼り付ける場合に耐えることができる耐熱性であり、例えば、加熱加圧下で貼り付けをする場合には１８０℃程度の温度が２０〜３０分間かかる場合があるので、これに耐える必要がある。具体的には２６０〜２８０℃に耐える耐熱性である。
The heat-resistant and insulating resin layer is a resin layer formed of a resin having heat resistance and insulating properties.
The heat resistance of the resin layer is heat resistance that can be withstood during the manufacturing process of the present invention and when the present invention is attached to a shielded object. Some degree of temperature may take 20-30 minutes, so it is necessary to withstand this. Specifically, it is heat resistant to withstand 260 to 280 ° C.
耐熱性かつ絶縁性の樹脂層に使用できる樹脂としては例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂が挙げられる。
該樹脂層の厚さは、０．５〜５μｍ好ましくは１〜３μｍである。
Examples of the resin that can be used for the heat-resistant and insulating resin layer include a polyimide resin and a polyamide-imide resin.
The thickness of the resin layer is 0.5 to 5 μm, preferably 1 to 3 μm.
耐熱性かつ絶縁性の樹脂層上に形成する金属薄膜層は、０・３２〜５．０μｍの厚さに形成する。
金属薄膜層の形成手段は問わないが、例えば、最初にプラスチックフイルム上に金属蒸着層を形成しておき、該金属蒸着層上に金属メッキ層を形成することにより、金属薄膜層は容易に形成できる。
この場合、金属蒸着層と金属メッキ層に使用する金属の種類は同種でも異種でもかまわないが、密着性の観点からは、できれば金属蒸着層と金属メッキ層に使用する金属の種類は同種のものが好ましい。
The metal thin film layer formed on the heat-resistant and insulating resin layer is formed to a thickness of 0 · 32 to 5.0 μm.
Any method can be used to form the metal thin film layer. For example, the metal thin film layer can be easily formed by first forming a metal vapor deposition layer on a plastic film and then forming a metal plating layer on the metal vapor deposition layer. it can.
In this case, the type of metal used for the metal vapor deposition layer and the metal plating layer may be the same or different, but from the viewpoint of adhesion, the type of metal used for the metal vapor deposition layer and the metal plating layer is preferably the same. Is preferred.
金属蒸着層の厚さは、２０〜５００ｎｍ（０．０２〜０．５μｍ）好ましくは３０〜３００ｎｍ（０．０３〜０．３μｍ）である。
金属メッキ層の厚さは、０．３〜１０μｍ好ましくは０．５〜７μｍである。
The thickness of the metal vapor deposition layer is 20 to 500 nm (0.02 to 0.5 μm), preferably 30 to 300 nm (0.03 to 0.3 μm).
The thickness of the metal plating layer is 0.3 to 10 μm, preferably 0.5 to 7 μm.
接着層は、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂等の従来公知の適宜の樹脂により形成することができる。
接着層の厚さは、２〜１５μｍ好ましくは５〜１０μｍである。
接着層は、金属粉を混入した樹脂等の従来公知の導電性樹脂等で形成することにより、導電性接着層とすることもできる。
接着層が導電性接着層である場合には、電磁波シールド効果がより一層向上するものである。
The adhesive layer can be formed of a conventionally known appropriate resin such as an epoxy resin or a urethane resin.
The thickness of the adhesive layer is 2 to 15 μm, preferably 5 to 10 μm.
The adhesive layer can be formed as a conductive adhesive layer by forming it with a conventionally known conductive resin such as a resin mixed with metal powder.
When the adhesive layer is a conductive adhesive layer, the electromagnetic wave shielding effect is further improved.
本発明は、上記のように構成したから、次のように多くの効果がある。
（１）プラスチックフイルム及び剥離層を剥離した後の電磁波シールド材は、接着層を含めた電磁波シールド材全体の厚さが１９μｍ以下と薄いので、柔軟性に優れている。
（２）また、柔軟性に優れているので、被シールド物の微細な凹凸や微細な曲面に使用する場合に、シールドテープが被シールド物に隙間なく十分に密着する。
（３）そして、より隙間なく十分に密着させようとしてプラスチックフイルム上から加熱加圧又は加圧して、仮にプラスチックフイルムが変形したり傷ついたりしても、耐熱性かつ絶縁性の樹脂層があるので、金属薄膜層が変形したり傷ついたりすることがない。
なお、プラスチックフイルム自体は後に剥離するので、電磁波シールド材を構成するものではない。
（４）さらに、被シールド物がフレキシブルで柔軟性に富んだものである場合に、本発明で得られる電磁波シールド材は柔軟性に優れているので、被シールド物の柔軟性を阻害することがない。
（５）厚さ０．３２〜５．０μmの金属薄膜層を使用しているので、５．２ギガ以上の高い周波数の電磁波をシールドすることができる。
（６）プラスチックフイルムは１０〜１００μｍと比較的厚いので、メッキ層形成時にメッキ浴を通した場合でもプラスチックフイルムにシワが入ることがなく、従って、メッキ層の厚さが不均一にならなく、金属薄膜層の厚さも不均一にならない。
（７）本発明は、耐熱性かつ絶縁性の樹脂層と金属薄膜層と接着層とが積層された又は耐熱性かつ絶縁性の樹脂層と金属薄膜層とが積層された部分のうちの不要な積層部分を、予め機械で連続的にハーフカットにより除去し、その後、積層部分の残部を機械で連続的に被シールド物のシールドが必要な部分に貼り付けることにより、連続生産ができる。
従って、本発明を配線回路シート（配線回路基板）の配線回路部分のシールドに使用する場合には、機械で連続的に配線回路部分のシールドができ、作業性が非常に良い。
この点、従来のシールドテープは前記したとおり、シールドテープをシールドする配線回路部分の大きさに合わせてカットして、そのカットしたシールドテープを一個づつ手作業によりシールドする配線回路部分に貼り合わせていたので、作業性がよくなかったのとは全く異なるものである。
Since the present invention is configured as described above, it has many effects as follows.
(1) The electromagnetic wave shielding material after peeling off the plastic film and the peeling layer is excellent in flexibility because the entire thickness of the electromagnetic wave shielding material including the adhesive layer is as thin as 19 μm or less.
(2) Moreover, since it is excellent in flexibility, when used for fine irregularities and fine curved surfaces of the shielded object, the shield tape is sufficiently adhered to the shielded object without a gap.
(3) Since there is a heat-resistant and insulating resin layer even if the plastic film is deformed or damaged by heating or pressurizing or pressurizing from above the plastic film in an attempt to make it adhere more closely without gaps The metal thin film layer is not deformed or damaged.
In addition, since the plastic film itself peels later, it does not constitute an electromagnetic wave shielding material.
(4) Furthermore, when the object to be shielded is flexible and flexible, the electromagnetic wave shielding material obtained by the present invention is excellent in flexibility, so that the flexibility of the object to be shielded may be hindered. Absent.
(5) Since a metal thin film layer having a thickness of 0.32 to 5.0 μm is used, it is possible to shield an electromagnetic wave having a high frequency of 5.2 giga or more.
(6) Since the plastic film is relatively thick as 10 to 100 μm, the plastic film does not wrinkle even when it is passed through a plating bath when forming the plating layer. Therefore, the thickness of the plating layer does not become uneven. The thickness of the metal thin film layer does not become uneven.
(7) The present invention is unnecessary in the portion where the heat-resistant and insulating resin layer, the metal thin film layer and the adhesive layer are laminated or the heat-resistant and insulating resin layer and the metal thin film layer are laminated. Such a laminated portion is removed in advance by a half-cut with a machine in advance, and then the remaining portion of the laminated portion is continuously attached to a portion where a shield of an object to be shielded is required with a machine.
Therefore, when the present invention is used for shielding a wiring circuit portion of a wiring circuit sheet (wiring circuit board), the wiring circuit portion can be shielded continuously by a machine, and workability is very good.
In this regard, as described above, the conventional shield tape is cut according to the size of the wiring circuit portion that shields the shield tape, and the cut shield tape is bonded to the wiring circuit portion that is shielded manually one by one. Therefore, it is completely different from the poor workability.
本発明のプラスチックフイルムとしては、耐熱性があり寸法安定性に優れているプラスチックフイルムであればすべて使用でき、例えば、ポリエチレンテレフタレートフイルムム等のポリエステルフイルム、ポリイミドフイルム、ポリフェニレンサルファイトフイルム等々が挙げられる。
プラスチックフイルムの厚さは１０〜１００μｍでよく、好ましくは１２〜５０μｍである。
As the plastic film of the present invention, any plastic film having heat resistance and excellent dimensional stability can be used, and examples thereof include polyester films such as polyethylene terephthalate film, polyimide films, polyphenylene sulfite films, and the like. .
The thickness of the plastic film may be 10 to 100 μm, and preferably 12 to 50 μm.
剥離層は、プラスチックフイルムと耐熱性かつ絶縁性の樹脂層との剥離性向上のために使用するものである。
剥離層は、アクリル系樹脂、メラミン系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂等の適宜の樹脂をプラスチックフイルム上にグラビアコート法、リバースコート法等の適宜の方法によりコーティングすることで形成できる。
剥離層の厚さは０．０１〜３μｍ程度でよく、０．０５〜１μｍの厚さであればより好ましい。
なお、前記した通り、プラスチックフイルムが剥離性を有するものである場合には、該プラスチックフイルムが剥離層を兼ねることができ、該プラスチックフイルムを使用して別途剥離層の形成を省略した場合も、もちろん本発明に含まれる。
The release layer is used for improving the peelability between the plastic film and the heat-resistant and insulating resin layer.
The release layer can be formed by coating an appropriate resin such as an acrylic resin, a melamine resin, a silicone resin, or a fluorine resin on the plastic film by an appropriate method such as a gravure coating method or a reverse coating method.
The thickness of the release layer may be about 0.01 to 3 μm, and more preferably 0.05 to 1 μm.
In addition, as described above, when the plastic film has peelability, the plastic film can also serve as a release layer, and even when the formation of a separate release layer is omitted using the plastic film, Of course, it is included in the present invention.
プラスチックフイルム上又は剥離層上に形成する耐熱性かつ絶縁性の樹脂層は、前記した通り、耐熱性及び絶縁性を備えている樹脂により形成した樹脂層である。
該樹脂層に使用できる樹脂としては例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂が挙げられるが、もちろんこれらに限られるものではなく、耐熱性及び絶縁性がある樹脂であれば使用できる。
耐熱性かつ絶縁性の樹脂層の耐熱性は、前記したとおり２６０〜２８０℃に耐える耐熱性である。
The heat-resistant and insulating resin layer formed on the plastic film or the release layer is a resin layer formed of a resin having heat resistance and insulating properties as described above.
Examples of the resin that can be used for the resin layer include a polyimide resin and a polyamide-imide resin. Of course, the resin layer is not limited to these resins, and any resin having heat resistance and insulating properties can be used.
The heat resistance of the heat-resistant and insulating resin layer is heat resistance that can withstand 260 to 280 ° C. as described above.
耐熱性かつ絶縁性の樹脂層は、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等の樹脂をグラビアコート法、リバースコート法等の適宜の方法によりコーティングすることで容易に形成できるものである。
該樹脂層の厚さは、０．５〜５μｍ好ましくは１〜３μｍである。
The heat-resistant and insulating resin layer can be easily formed by coating a resin such as a polyimide resin or a polyamide-imide resin by an appropriate method such as a gravure coating method or a reverse coating method.
The thickness of the resin layer is 0.5 to 5 μm, preferably 1 to 3 μm.
耐熱性かつ絶縁性の樹脂層上に形成する金属薄膜層は、０・３２〜５．０μｍの厚さに形成する。
金属薄膜層の形成手段は問わないが、例えば前記したとおり、最初にプラスチックフイルム上に金属蒸着層を形成しておき、該金属蒸着層上に金属メッキ層を形成することにより、金属薄膜層は容易に形成できる。
この場合、金属蒸着層と金属メッキ層に使用する金属の種類は同種でも異種でもかまわないが、密着性の観点からは、できれば金属蒸着層と金属メッキ層に使用する金属の種類は同種のものが好ましい。
The metal thin film layer formed on the heat-resistant and insulating resin layer is formed to a thickness of 0 · 32 to 5.0 μm.
The metal thin film layer may be formed by any means. For example, as described above, a metal vapor deposition layer is first formed on a plastic film, and a metal plating layer is formed on the metal vapor deposition layer. Can be easily formed.
In this case, the type of metal used for the metal vapor deposition layer and the metal plating layer may be the same or different, but from the viewpoint of adhesion, the types of metal used for the metal vapor deposition layer and the metal plating layer are preferably the same. Is preferred.
金属蒸着層は、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の従来公知の薄膜形成法により形成できる。
金属蒸着層の厚さは、２０〜５００ｎｍ（０．０２〜０．５μｍ）好ましくは３０〜３００ｎｍ（０．０３〜０．３μｍ）である。
金属蒸着層には、従来金属蒸着層に使用されている各種の金属が使用できるが、導電性を考慮するとＣｕ、Ａｇは特に好ましい。
金属蒸着層を形成するに先立ち、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｒ等の適宜の金属により予めいわゆる核付け蒸着をし、その後金属蒸着層を形成してもよく、このようにして形成したものももちろん本発明に含まれる。ＩｎやＳｎ等を核付け蒸着に使用した場合には、金属蒸着層及び金属メッキ層を順次形成した金属薄膜層の耐食性が向上し、しかも金属薄膜層の導電性は保たれる。
The metal vapor deposition layer can be formed by a conventionally known thin film forming method such as vacuum vapor deposition, sputtering, or ion plating.
The thickness of the metal vapor deposition layer is 20 to 500 nm (0.02 to 0.5 μm), preferably 30 to 300 nm (0.03 to 0.3 μm).
Although various metals conventionally used for the metal vapor deposition layer can be used for the metal vapor deposition layer, Cu and Ag are particularly preferable in consideration of conductivity.
Prior to the formation of the metal vapor deposition layer, so-called nucleation vapor deposition may be performed in advance with an appropriate metal such as In, Sn, Ni, Cr, etc., and then the metal vapor deposition layer may be formed. It is included in the present invention. When In, Sn, or the like is used for nucleation deposition, the corrosion resistance of the metal thin film layer in which the metal vapor deposition layer and the metal plating layer are sequentially formed is improved, and the conductivity of the metal thin film layer is maintained.
金属蒸着層上に形成する金属メッキ層は、Ｃｕ、Ａｇ等の金属を使用する。メッキ方法は電解メッキ等適宜選択できる。
金属メッキ層の厚さは、０．３〜４．５μｍ好ましくは０．５〜４．０μｍである。
The metal plating layer formed on the metal vapor deposition layer uses a metal such as Cu or Ag. The plating method can be appropriately selected such as electrolytic plating.
The thickness of the metal plating layer is 0.3 to 4.5 μm, preferably 0.5 to 4.0 μm.
金属蒸着層及び金属メッキ層を順次形成したものは金属薄膜層となるが、この金属薄膜層の片面又は両面に、Ｉｎ又はＳｎからなる０．５〜７ｎｍ好ましくは０．５〜４ｎｍ程度の厚さの金属層を、真空蒸着等により形成することができる。
金属薄膜層の片面又は両面に直接に接して０．５〜７ｎｍの厚さのＩｎ又はＳｎからなる金属層を形成することにより、金属薄膜層の耐食性が向上して金属薄膜層の腐食を防止することができる。しかもこの場合、金属薄膜層の導電性は良好に保たれる。
なお、金属薄膜層の金属蒸着層とプラスチックフイルムとの間にＩｎ又はＳｎからなる金属層を形成する場合には、この金属層が核付け蒸着を兼ねることができるのは、前記したとおりである。
The metal vapor deposition layer and the metal plating layer formed in sequence are metal thin film layers. On one or both surfaces of the metal thin film layer, a thickness of 0.5 to 7 nm, preferably about 0.5 to 4 nm, made of In or Sn. The metal layer can be formed by vacuum deposition or the like.
By forming a metal layer made of In or Sn having a thickness of 0.5 to 7 nm in direct contact with one or both surfaces of the metal thin film layer, the corrosion resistance of the metal thin film layer is improved and corrosion of the metal thin film layer is prevented. can do. Moreover, in this case, the conductivity of the metal thin film layer is kept good.
In addition, when forming the metal layer which consists of In or Sn between the metal vapor deposition layer of a metal thin film layer, and a plastic film, as above-mentioned, this metal layer can also serve as nucleation vapor deposition. .
接着層は、前記したとおり、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂等の従来公知の適宜の樹脂により形成することができ、接着層の厚さは、２〜１５μｍ好ましくは５〜１０μｍである。
そして接着層は、金属粉を混入した樹脂等の従来公知の導電性樹脂等で形成することにより、導電性接着層とすることもできる。
接着層が導電性接着層である場合には、電磁波シールド効果がより一層向上するものである。
As described above, the adhesive layer can be formed of a conventionally known appropriate resin such as an epoxy resin or a urethane resin, and the thickness of the adhesive layer is 2 to 15 μm, preferably 5 to 10 μm.
The adhesive layer can be formed as a conductive adhesive layer by forming it with a conventionally known conductive resin such as a resin mixed with metal powder.
When the adhesive layer is a conductive adhesive layer, the electromagnetic wave shielding effect is further improved.
本発明に係る電磁波シールド材用金属化フイルムは、前記したとおり、例えば該金属化フイルムが、プラスチックフイルム、剥離層、耐熱性かつ絶縁性の樹脂層、金属薄膜層、接着層を順次形成したものである場合には、該金属化フイルムのプラスチックフイルムを外側とし接着層を内側として被シールド物に貼り付け、その後プラスチックフイルム及び剥離層を剥離することにより、耐熱性かつ絶縁性の樹脂層と金属薄膜層と接着層とからなる薄い電磁波シールド材を得ることができる。すなわち、このようにして、耐熱性かつ絶縁性の樹脂層、金属薄膜層及び接着層が順次積層形成された薄い電磁波シールド材を得ることができる。
このようにすることにより本発明は、電磁波シールド材用金属化フイルムとして使用することができる。
As described above, the metallized film for an electromagnetic wave shielding material according to the present invention is formed, for example, by sequentially forming a plastic film, a release layer, a heat-resistant and insulating resin layer, a metal thin film layer, and an adhesive layer. In this case, the metallized film is attached to a shielded object with the plastic film on the outside and the adhesive layer on the inside, and then the plastic film and the release layer are peeled off, so that the heat-resistant and insulating resin layer and metal A thin electromagnetic shielding material comprising a thin film layer and an adhesive layer can be obtained. That is, in this way, a thin electromagnetic shielding material in which a heat-resistant and insulating resin layer, a metal thin film layer, and an adhesive layer are sequentially laminated can be obtained.
By doing in this way, this invention can be used as a metallized film for electromagnetic wave shielding materials.
また、本発明に係る電磁波シールド材用金属化フイルムは、例えば該金属化フイルムが、プラスチックフイルム、剥離層、耐熱性かつ絶縁性の樹脂層、金属薄膜層を順次形成したものである場合には、金属薄膜層上に接着層を形成するか又は被シールド物上に接着層を形成するかして、該金属化フイルムをプラスチックフイルムを外側として被シールド物に貼り付け、その後プラスチックフイルム及び剥離層を剥離することにより、耐熱性かつ絶縁性の樹脂層と金属薄膜層と接着層とからなる薄い電磁波シールド材を得ることができる。すなわち、このようにして、耐熱性かつ絶縁性の樹脂層、金属薄膜層及び接着層が順次積層形成された薄い電磁波シールド材を得ることができる。
このようにすることにより本発明は、電磁波シールド材用金属化フイルムとして使用することができる。
The metallized film for electromagnetic wave shielding material according to the present invention is, for example, when the metallized film is formed by sequentially forming a plastic film, a release layer, a heat-resistant and insulating resin layer, and a metal thin film layer. An adhesive layer is formed on the metal thin film layer or an adhesive layer is formed on the shielded object, and the metallized film is attached to the shielded object with the plastic film as the outside, and then the plastic film and the release layer By peeling off, a thin electromagnetic wave shielding material comprising a heat-resistant and insulating resin layer, a metal thin film layer, and an adhesive layer can be obtained. That is, in this way, a thin electromagnetic shielding material in which a heat-resistant and insulating resin layer, a metal thin film layer, and an adhesive layer are sequentially laminated can be obtained.
By doing in this way, this invention can be used as a metallized film for electromagnetic wave shielding materials.
広幅長尺な厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートフイルムの片面に、メラミン系樹脂をグラビアコートすることにより厚さ０．１μｍの剥離層を形成し、該剥離層上にポリイミド樹脂を使用してリバースコートにより厚さ３μｍの耐熱性の樹脂層を形成した。
その後、該樹脂層上に真空蒸着により厚さ１００ｎｍ（０．１μｍ）のＣｕ蒸着層を形成し、該Ｃｕ蒸着層上に電解メッキにより厚さ３μｍＣｕメッキ層を形成して、厚さ３．１μｍの金属薄膜層を形成し、該金属薄膜層上にエポキシ樹脂により厚さ３μｍの接着層を形成して、本発明の電磁波シールド材用金属化フイルムを得た。
得られた電磁波シールド材用金属化フイルム全体の厚さは、３４．２μｍであった。
その後、得られた電磁波シールド材用金属化フイルムを、ポリエチレンテレフタレートフイルムを外側とし接着層を内側として被電磁波シールド物である配線回路シート（ＦＰＣ）に加熱加圧により貼り合わせて後、ポリエチレンテレフタレートフイルム及び剥離層を剥離した。
得られた電磁波シールド材の厚さは、９．１μｍであり、これが被電磁波シールド物に接着層で貼り合わされていた。
A release layer with a thickness of 0.1 μm is formed by gravure coating a melamine resin on one side of a 25 μm wide polyethylene terephthalate film, and a reverse coating is performed using a polyimide resin on the release layer. A heat-resistant resin layer having a thickness of 3 μm was formed.
Thereafter, a Cu vapor deposition layer having a thickness of 100 nm (0.1 μm) is formed on the resin layer by vacuum vapor deposition, and a Cu plating layer having a thickness of 3 μm is formed on the Cu vapor deposition layer by electrolytic plating to obtain a thickness of 3.1 μm. The metal thin film layer was formed, and an adhesive layer having a thickness of 3 μm was formed on the metal thin film layer with an epoxy resin to obtain a metallized film for electromagnetic wave shielding material of the present invention.
The total thickness of the obtained metallized film for electromagnetic wave shielding material was 34.2 μm.
After that, the obtained metallized film for electromagnetic wave shielding material is bonded to a wiring circuit sheet (FPC) which is an electromagnetic wave shielding object with a polyethylene terephthalate film on the outside and an adhesive layer on the inside by heat and pressure, and then a polyethylene terephthalate film And the release layer was peeled off.
The thickness of the obtained electromagnetic wave shielding material was 9.1 μm, and this was bonded to the electromagnetic wave shield with an adhesive layer.
広幅長尺な厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートフイルムの片面に、メラミン系樹脂をグラビアコートすることにより厚さ０．１μｍの剥離層を形成し、該剥離層上にポリアミドイミド樹脂を使用してリバースコートにより厚さ３μｍの耐熱性の樹脂層を形成した。
その後、該樹脂層上に真空蒸着により厚さ１００ｎｍ（０．１μｍ）のＣｕ蒸着層を形成し、該Ｃｕ蒸着層上に電解メッキにより厚さ３μｍＣｕメッキ層を形成して、厚さ３．１μｍの金属薄膜層を形成し、該金属薄膜層上に導電性接着剤を使用してリバースコーティングにより厚さ３μｍの導電性接着層を形成して、電磁波シールド材用金属化フイルムを得た。
得られた電磁波シールド材用金属化フイルム全体の厚さは、３４．２μｍであった。
その後、得られた電磁波シールド材用金属化フイルムを、ポリエチレンテレフタレートフイルムを外側とし導電性接着層を内側として被電磁波シールド物である配線回路シート（ＦＰＣ）に加熱加圧により貼り合わせて後、ポリエチレンテレフタレートフイルムを剥離した。
得られた電磁波シールド材の厚さは、９．１μｍであり、これが被電磁波シールド物に導電性接着層で貼り合わされていた。
A release layer with a thickness of 0.1 μm is formed by gravure coating a melamine resin on one side of a wide and long polyethylene terephthalate film with a thickness of 25 μm, and reverse coating is performed using a polyamideimide resin on the release layer. Thus, a heat-resistant resin layer having a thickness of 3 μm was formed.
Thereafter, a Cu vapor deposition layer having a thickness of 100 nm (0.1 μm) is formed on the resin layer by vacuum vapor deposition, and a Cu plating layer having a thickness of 3 μm is formed on the Cu vapor deposition layer by electrolytic plating to obtain a thickness of 3.1 μm. The metal thin film layer was formed, and a conductive adhesive layer having a thickness of 3 μm was formed on the metal thin film layer by reverse coating using a conductive adhesive to obtain a metallized film for an electromagnetic wave shielding material.
The total thickness of the obtained metallized film for electromagnetic wave shielding material was 34.2 μm.
After that, the obtained metallized film for electromagnetic wave shielding material is bonded to a wiring circuit sheet (FPC) which is an electromagnetic wave shield object by heating and pressing with polyethylene terephthalate film on the outside and the conductive adhesive layer on the inside, and then polyethylene The terephthalate film was peeled off.
The thickness of the obtained electromagnetic wave shielding material was 9.1 μm, and this was bonded to the electromagnetic wave shield with a conductive adhesive layer.
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|---|---|---|---|---|
| JP2009283901A (en) * | 2008-04-21 | 2009-12-03 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | Cover lay film and flexible printed wiring board |
| JP2010153534A (en) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | Cover ray film, method of manufacturing the same, and flexible printed wiring board |
| JP2018074032A (en) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 信越ポリマー株式会社 | Electromagnetic wave shielding film and manufacturing method of the same, and printed wiring board with electromagnetic wave shielding film |
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