JP2005316274A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示面積を大きくした場合であっても過渡応答特性を向上させつつ装置を小型にすること。
【解決手段】複数の光導波路２０Ｘ₁〜２０Ｘ₄と複数の光導波路２０Ｙ₁〜２０Ｙ₃とがＸＹ直交をなすようにマトリクス状に配置されてなる光導波路マトリクス２０と、複数の光導波路２０Ｘ₁〜２０Ｘ₄を光でそれぞれ走査するＬＥＤ３０Ｘ₁〜３０Ｘ₄と、複数の光導波路２０Ｙ₁〜２０Ｙ₃を光でそれぞれ走査するＬＥＤ３０Ｙ₁〜３０Ｙ₃と、光導波路マトリクス２０における各交点に対応する散乱部２０₁₁〜２０₄₃からしきい値以上のレベルの光が照射された場合、当該交点に対応するドット画像を表示する表示パネル４０とを備えている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、表示装置に関するものであり、特に、表示面積を大きくした場合であっても過渡応答特性を向上させつつ装置を小型にすることができる表示装置に関するものである。

従来より、代表的な直視型の表示装置には、液晶パネル、プラズマ・ディスプレイ・パネル、ＥＬ（Electronic Luminescent）パネル等が用いられている。これらの表示装置では、Ｘ軸、Ｙ軸に走査する二次元の走査手段により、パネル上のいずれかの画素を特定した後、この画素をオン／オフすることにより、画像をドット表示している。

ここで、上記走査手段は、複数のメタル配線（導電線）をストライプ状に配設したものをＸＹ直交させてマトリクス状としたものと、各交点に設けられた複数の画素スイッチとを備え、選択した画素スイッチをオン／オフしている。

また、表示装置における表示面積の大型化に伴って、メタル配線の線路長が長くなるため、インダクタンス成分およびキャパシタンス成分が増大し、過渡応答特性が悪化するという問題があった。そこで、従来では、表示パネルをレーザ光で走査するという光書き込みが可能な表示装置が提案されている（特許文献１参照）。

特開平７−１７５４２０号公報

ところで、従来の表示装置（特許文献１）では、レーザ光で走査する場合、通常、ミラースキャナやポリゴンミラー等によりレーザビームをＸＹ方向に走査し、光書き込みを行う方法が考えられる。しかしながら、従来の表示装置においては、表示面積を大きくした場合でも過渡応答特性が向上する一方、表示パネル全体を走査するためにレーザ発生器と表示パネルとの間の投射距離を長くする必要、すなわち大きな空間が必要であり、おのずと装置が大型化するという問題があった。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、表示面積を大きくした場合であっても過渡応答特性を向上させつつ装置を小型にすることができる表示装置を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、複数の第１光導波路と複数の第２光導波路とが交差するようにマトリクス状に配置されてなる光導波路マトリクスと、前記複数の第１光導波路を光でそれぞれ走査する第１光走査手段と、前記複数の第２光導波路を光でそれぞれ走査する第２光走査手段と、前記光導波路マトリクスにおける各交点からしきい値以上のレベルの光が照射された場合、当該交点に対応するドット画像を表示する表示手段と、を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、複数の第１光導波路と複数の第２光導波路とが交差するようにマトリクス状に配置されてなる光導波路マトリクスを設け、複数の第１光導波路および複数の第２光導波路の双方を光で走査し、光導波路マトリクスにおける各交点からしきい値以上のレベルの光が照射された場合、当該交点に対応するドット画像を表示手段に表示させることとしたので、表示面積を大きくした場合であっても過渡応答特性を向上させつつ装置を小型にすることができるという効果を奏する。

また、本発明は、上記発明において、前記複数の第１光導波路および前記複数の第２光導波路は、光ファイバであることを特徴とする。

本発明によれば、複数の第１光導波路および複数の第２光導波路を光ファイバとしたので、表示面積を大きくした場合であっても過渡応答特性を向上させつつ装置を小型にすることができるとともに、製作を容易にすることができるという効果を奏する。

また、本発明は、上記発明において、前記複数の第１光導波路において前記各交点に対応する部分には、前記表示手段に照射すべき光を取り出すための散乱部が形成されていることを特徴とする。

本発明によれば、複数の第１光導波路において各交点に対応する部分に、表示手段に照射すべき光を取り出すための散乱部が形成することとしたので、表示面積を大きくした場合であっても過渡応答特性を向上させつつ装置を小型にすることができるという効果を奏する。

また、本発明は、上記発明において、前記表示手段は、前記しきい値以上の光により発光するエレクトロ・ルミネッセンス層を有することを特徴とする。

本発明によれば、しきい値以上の光により発光するエレクトロ・ルミネッセンス層を有することとしたので、表示面積を大きくした場合であっても過渡応答特性を向上させつつ装置を小型にすることができるという効果を奏する。

また、本発明は、複数の光導波路と、複数のメタル配線とが交差するようにマトリクス状に配置されてなる光導波路−メタル配線マトリクスと、前記複数の光導波路を光でそれぞれ走査する光走査手段と、前記複数のメタル配線を電圧でそれぞれ走査する電圧走査手段と、前記光導波路−メタル配線マトリクスの各交点に設けられ、前記光および前記電圧に基づいて駆動制御される複数の液晶画素と、を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、複数の光導波路と、複数のメタル配線とが交差するようにマトリクス状に配置されてなる光導波路−メタル配線マトリクスを設け、光および電圧で走査し、液晶画素を駆動することとしたので、表示面積を大きくした場合であっても過渡応答特性を向上させつつ装置を小型にすることができるという効果を奏する。

また、本発明は、上記発明において、前記複数の光導波路と前記複数のメタル配線との各交点に設けられ、前記複数の液晶画素に接続された複数の光検出手段を備え、前記複数の光導波路において各交点に対応する部分には、伝搬光の一部を各光検出手段へ照射するための散乱部が形成されていることを特徴とする。

本発明によれば、複数の光導波路と、複数のメタル配線とが交差するようにマトリクス状に配置されてなる光導波路−メタル配線マトリクス、複数の光検出手段を設け、光および電圧で走査し、液晶画素を駆動することとしたので、表示面積を大きくした場合であっても過渡応答特性を向上させつつ装置を小型にすることができるという効果を奏する。

以下に、本発明にかかる表示装置の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施例によりこの発明が限定されるものではない。

図１は、本発明にかかる実施例１の構成を説明する斜視図である。同図には、Ｘ軸およびＹ軸の双方を光で走査することにより、画像をドット表示させる表示装置１０が図示されている。表示装置１０において、光導波路マトリクス２０は、光書き込みによる走査手段であり、図２に示したように、Ｘ軸に対応する光導波路２０Ｘ₁〜２０Ｘ₄と、Ｙ軸に対応する光導波路２０Ｙ₁〜２０Ｙ₃とがＸＹ直交をなすようにマトリクス状に配置されてなる。また、光導波路２０Ｘ₁〜２０Ｘ₄と光導波路２０Ｙ₁〜２０Ｙ₃との各交点は、表示装置１０における各画素に対応している。これらの光導波路２０Ｘ₁〜２０Ｘ₄および光導波路２０Ｙ₁〜２０Ｙ₃は、ガラス、シリコン等の基板をエッチングして形成された空洞または透明部に対応している。

ＬＥＤ（Light Emitting Diode）３０Ｘ₁〜３０Ｘ₄は、光導波路２０Ｘ₁〜２０Ｘ₄に対応して配設されており、制御部（図示略）の制御に基づいて、光導波路２０Ｘ₁〜２０Ｘ₄の各一端面に向けて走査光を発光する。同様にして、ＬＥＤ３０Ｙ₁〜３０Ｙ₃は、光導波路２０Ｙ₁〜２０Ｙ₃に対応して配設されており、制御部（図示略）の制御に基づいて、光導波路２０Ｙ₁〜２０Ｙ₃の各一端面に向けて走査光を発光する。

また、光導波路２０Ｘ₁〜２０Ｘ₄において、各交点に対応する表面には、略凸形状（または、略凹形状）の散乱部が形成されている。例えば、光導波路２０Ｘ₁においては、光導波路２０Ｙ₁〜２０Ｙ₃との３つの交点に対応する表面に散乱部２０₁₁〜２０₁₃がそれぞれ形成されている。以下同様にして、光導波路２０Ｘ₄においては、光導波路２０Ｙ₁〜２０Ｙ₃との３つの交点に対応する表面に散乱部２０₄₁〜２０₄₃がそれぞれ形成されている。

これらの散乱部は、表面光を取り出す役目をしている。すなわち、図３に示したように、ＬＥＤ３０Ｘ₁で発光された走査光は、光導波路２０Ｘ₁の一端面より入射した後、伝搬光ＰＸ₁として光導波路２０Ｘ₁を伝搬する。一方、ＬＥＤ３０Ｙ₁（図２参照）で発光された走査光は、光導波路２０Ｙ₁の一端面に入射した後、伝搬光として光導波路２０Ｙ₁を伝搬し、表面から光導波路２０Ｘ₁にエバネッセント光ＰＹ₁（近接場光）がしみ出す。これにより、散乱部２０₁₁からは、伝搬光ＰＸ₁の一部とエバネッセント光ＰＹ₁とが合成された表面光Ｐ₁₁が出射する。

図１に戻り、表示パネル４０は、光導波路マトリクス２０と近接した状態で設けられており、各画素（散乱部２０₁₁〜２０₄₃）に応じたドット画像を表示するためのパネルである。具体的には、表示パネル４０は、各散乱部からの光の光量がしきい値以上である場合に、ドット画像として発光する。この表示パネル４０には、電圧Ｖが印加されている。具体的には、表示パネル４０は、図４に示したように、導電率可変層４１、有機ＥＬ層４２および透明電極層４３が、ガラス基板（図示略）上に積層されてなる。

導電率可変層４１は、例えば、アモルファスシリコン、感光性有機膜等から構成されており、照射される光の光量に応じて、導電率が変化するという電気的特性を備えている。例えば、光が照射されない場合、すなわち、光量が０である場合、導電率可変層４１の導電率は、ほぼ０（言い換えれば、抵抗値が無限大）となる。一方、導電率可変層４１に光を照射すると、導電率可変層４１の導電率は、光量に応じて大きくなる（言い換えれば、抵抗値が小さくなる）。このように、導電率可変層４１は、照射される光に応じて抵抗値が変化する可変抵抗と考えることができる。

有機ＥＬ層４２は、図６に示したように発光ダイオードと同様に不感帯を有しており、不感帯に対応するしきい値以上の光が表示パネル４０の各散乱部から照射された場合に発光する機能を備えている。表示パネル４０からの光量をＥとすると、図６に示した特性となる。すなわち、不感帯では、有機ＥＬ層４２は、発光しない。図４に戻り、透明電極層４３は、有機ＥＬ層４２の表面に蒸着して形成した透明な電極層である。図５は、図４に示した表示パネル４０の等価回路を示す図である。同等価回路においては、導電率可変層４１（図４参照）に対応する可変抵抗４１’と、有機ＥＬ層４２（図４参照）に対応する発光ダイオード４２’とが直列接続されており、これらに電圧Ｖが印加されている。

つぎに、実施例１の動作について説明する。以下では、図１に示した散乱部２０₁₁に対応するドット画像を表示パネル４０に表示させる場合について説明する。この場合、制御部（図示略）は、ＬＥＤ３０Ｘ₁およびＬＥＤ３０Ｙ₁を駆動する。これにより、ＬＥＤ３０Ｘ₁で発光された走査光は、光導波路２０Ｘ₁の一端面より入射した後、伝搬光ＰＸ₁として光導波路２０Ｘ₁を伝搬する。

一方、ＬＥＤ３０Ｙ₁で発光された走査光は、光導波路２０Ｙ₁の一端面に入射した後、伝搬光として光導波路２０Ｙ₁を伝搬し、表面から光導波路２０Ｘ₁にエバネッセント光ＰＹ₁（近接場光）がしみ出す。これにより、散乱部２０₁₁からは、伝搬光ＰＸ₁の一部とエバネッセント光ＰＹ₁とが合成された表面光Ｐ₁₁が導電率可変層４１に照射される。なお、表面光Ｐ₁₁は、有機ＥＬ層４２が発光する条件であるしきい値以上の光量を有している。

導電率可変層４１では、表面光Ｐ₁₁により抵抗値が小さくなる。これにより、有機ＥＬ層４２においては、散乱部２０₁₁に対応する画素部分が発光し、光Ｐ₁₁’が照射される。この光Ｐ₁₁’は、ドット画像である。なお、図１に示した光導波路２０Ｘ₁においては、散乱部２０₁₂および散乱部２０₁₃からも表面光が導電率可変層４１に照射される、しかしながら、いすれの表面光も、表面光Ｐ₁₁のようにエバネッセント光の成分が含まれていないため、有機ＥＬ層４２が発光する条件であるしきい値未満の光量とされているため、対応する画素部分が発光しない。

なお、実施例１においては、表示パネル４０の有機ＥＬ層４２が有する不感帯（図６参照）を利用して、ドット画像を表示させる構成例について説明したが、表示パネル４０に代えて、しきい値以上の光が入射された場合に発光する発光素子を散乱部２０₁₁〜２０₄₃に設ける構成例としてもよい。

以上説明したように、実施例１によれば、複数の光導波路２０Ｘ₁〜２０Ｘ₄と複数の光導波路２０Ｙ₁〜２０Ｙ₃とが直交をなすようにマトリクス状に配置されてなる光導波路マトリクス２０を設け、複数の光導波路２０Ｘ₁〜２０Ｘ₄および光導波路２０Ｙ₁〜２０Ｙ₃の双方を光で走査し、光導波路マトリクス２０における各交点からしきい値以上のレベルの光が照射された場合、当該交点に対応するドット画像を表示パネル４０に表示させることとしたので、表示面積を大きくした場合であっても過渡応答特性を向上させつつ装置を小型にすることができる。

さて、前述した実施例１では、図１に示した光導波路マトリクス２０を用いて、Ｘ軸およびＹ軸の双方を光で走査することにより、表示パネル４０で画像をドット表示させる構成例について説明したが、光導波路マトリクス２０に代えて、図７および図１０に示した光ファイバ布５０を用いる構成例としてもよい。以下では、この構成例を実施例２として説明する。

図１０に示した光ファイバ布５０は、略直交する方向に光学繊維である光ファイバ５０Ｘ₁〜５０Ｘ₄と、光ファイバ５０Ｙ₁〜５０Ｙ₃とを、図７に示したように、糸で布を織るように交互に織られてなる。ここで、光ファイバ５０Ｘ₁〜５０Ｘ₄は、光導波路２０Ｘ₁〜２０Ｘ₄（図２参照）に対応しており、光を伝搬させる。光ファイバ５０Ｙ₁〜５０Ｙ₃は、光導波路２０Ｙ₁〜２０Ｙ₃に対応しており、光を伝搬させる。

また、光ファイバ５０Ｘ₁〜５０Ｘ₄と光ファイバ５０Ｙ₁〜５０Ｙ₃との各交点は、各画素に対応している。光ファイバ５０Ｘ₁〜５０Ｘ₄には、ＬＥＤ３０Ｘ₁〜３０Ｘ₄（図２参照）が配設されている。これらのＬＥＤ３０Ｘ₁〜３０Ｘ₄は、実施例１と同様にして、制御部（図示略）の制御に基づいて、光ファイバ５０Ｘ₁〜５０Ｘ₄の各一端面に向けて走査光を発光する。同様にして、光ファイバ５０Ｙ₁〜５０Ｙ₃には、ＬＥＤ３０Ｙ₁〜３０Ｙ₃（図２参照）が配設されている。これらのＬＥＤ３０Ｙ₁〜３０Ｙ₃も、実施例１と同様にして、制御部（図示略）の制御に基づいて、光ファイバ５０Ｙ₁〜５０Ｙ₃の各一端面に向けて走査光を発光する。

また、図１０に示した光ファイバ布５０において、各交点に対応する表面には、マトリクス状に散乱部５０₁₁〜５０₁₃、・・・、５０₄₁〜５０₄₃が形成されている。これらの散乱部５０₁₁〜５０₁₃、・・・、５０₄₁〜５０₄₃は、研磨により形成される。すなわち、図８に示したように散乱部が形成されていない光ファイバ布５０’の全体をブラックコートし、片面を深く研磨してシリンドリカルレンズとした後、図９に示したようにもう片面を浅く研磨し露出させることにより、散乱部５０₁₁、５０₁₂、・・・がそれぞれ形成される。

これらの散乱部５０₁₁〜５０₁₃、・・・、５０₄₁〜５０₄₃は、実施例１で説明した散乱部２０₁₁等（図４参照）と同様にして、表面光を取り出す役目をしている。例えば、図７に示した光ファイバ５０Ｘ₁の伝搬する伝搬光の一部は、エバネッセント光として光ファイバ５０Ｙ₁にしみ出す。これにより、光ファイバ５０Ｙ₁を伝搬する伝搬光の一部と、上記エバネッセント光とが合成された表面光が、散乱部５０₁₁より表示パネル４０（図１参照）の導電率可変層４１に照射され、実施例１と同様にして、散乱部５０₁₁に対応する有機ＥＬ層４２の部分が発光する。

以上説明したように、実施例２によれば、複数の光ファイバ５０Ｘ₁〜５０Ｘ₄と複数の光ファイバ５０Ｙ₁〜５０Ｙ₃からなる光ファイバ布５０を用いたので、実施例１と同様にして、表示面積を大きくした場合であっても過渡応答特性を向上させつつ装置を小型にすることができるとともに、製作を容易にすることができる。

さて、前述した実施例１では、図１に示した光導波路マトリクス２０を用いて、Ｘ軸およびＹ軸の双方を光で走査することにより、有機ＥＬ層４２を有する表示パネル４０で画像をドット表示させる構成例について説明したが、表示パネル４０に代えて、液晶を用いて画像をドット表示させる構成例としてもよい。以下では、この構成例を実施例３として説明する。

図１１は、本発明にかかる実施例３の構成を説明する斜視図である。同図には、Ｘ軸を光で走査する一方、Ｙ軸を電圧印加により走査することにより、液晶に画像をドット表示させる表示装置６０が図示されている。表示装置６０において、光導波路−メタル配線マトリクス７０は、光と電圧とを併用した走査手段であり、図１２に示したように、Ｘ軸に対応する光導波路７０Ｘ₁〜７０Ｘ₄と、Ｙ軸に対応するメタル配線７０Ｙ₁〜７０Ｙ₃とがＸＹ直交をなすようにマトリクス状に配置されてなる。また、光導波路７０Ｘ₁〜７０Ｘ₄とメタル配線７０Ｙ₁〜７０Ｙ₃との各交点は、表示装置６０における各画素に対応している。これらの光導波路７０Ｘ₁〜７０Ｘ₄は、光導波路２０Ｘ₁〜２０Ｘ₄（図２参照）と同様にして、ガラス、シリコン等の基板をエッチングして形成された空洞または透明部に対応している。

ＬＥＤ８０Ｘ₁〜８０Ｘ₄は、光導波路７０Ｘ₁〜７０Ｘ₄に対応して配設されており、制御部（図示略）の制御に基づいて、光導波路７０Ｘ₁〜７０Ｘ₄の各一端面に向けて走査光を発光する。液晶画素７１₁₁〜７１₁₃、・・・、７１₄₁〜７１₄₃は、光導波路７０Ｘ₁〜７０Ｘ₄とメタル配線７０Ｙ₁〜７０Ｙ₃で囲まれた矩形部分にそれぞれ形成されており、印加される電圧に応じてドット画像を表示する素子である。

フォトダイオード７２₁₁〜７２₁₃、・・・、７２₄₁〜７２₄₃は、光導波路７０Ｘ₁〜７０Ｘ₄とメタル配線７０Ｙ₁〜７０Ｙ₃との各交点にそれぞれ形成されており、光導波路７０Ｘ₁〜７０Ｘ₄を伝搬する光に応じてオン／オフされる。なお、光導波路７０Ｘ₁〜７０Ｘ₄の交点に対応する部分には、フォトダイオード７２₁₁〜７２₁₃、・・・、７２₄₁〜７２₄₃へ伝搬光の一部を照射する散乱部等が形成されている。

図１３は、図１２に示した光導波路−メタル配線マトリクス７０の等価回路を示す図である。同図に示したように、液晶画素７１₁₁には、コンデンサ７３₁₁が並列接続されている。また、液晶画素７１₁₁には、フォトダイオード７２₁₁を介して、メタル配線７０Ｙ₁から電圧が印加される。

つぎに、実施例３の動作について説明する。以下では、図１１に示した液晶画素７１₁₁にドット画像を表示させる場合について説明する。この場合、制御部（図示略）は、ＬＥＤ８０Ｘ₁を駆動するとともに、メタル配線７０Ｙ₁に電圧を印加する。これにより、ＬＥＤ８０Ｘ₁で発光された走査光は、図１３に示した光導波路７０Ｘ₁の一端面より入射した後、伝搬光として光導波路７０Ｘ₁を伝搬する。

そして、伝搬光の一部は、漏れ光Ｐ’’としてフォトダイオード７２₁₁に入射される。これにより、フォトダイオード７２₁₁は、オフからオンとされ、メタル配線７０Ｙ₁と液晶画素７１₁₁との間が導通し、液晶画素７１₁₁に電圧が印加される。これにより、液晶画素７１₁₁には、ドット画像が表示される。なお、実施例１〜３においては、走査光として可視光（赤外線を除く）、紫外線を用いることができる。

以上説明したように、実施例３によれば、複数の光導波路７０Ｘ₁〜７０Ｘ₄と、複数のメタル配線７０Ｙ₁〜７０Ｙ₃とが直交をなすようにマトリクス状に配置されてなる光導波路−メタル配線マトリクス７０を設け、光および電圧で走査し、液晶画素７１₁₁〜７１₄₃を駆動することとしたので、表示面積を大きくした場合であっても過渡応答特性を向上させつつ装置を小型にすることができる。

以上のように、本発明にかかる表示装置は、表示面積の大型化と過渡応答特性の向上に対して有用である。

本発明にかかる実施例１の構成を示す斜視図。 図１に示した光導波路マトリクス２０の構成を示す斜視図。 図１に示した光導波路マトリクス２０の光伝搬を説明する側面図。 図１に示した表示パネル４０の構成を示す側面図。 図４に示した表示パネル４０の等価回路図。 図４に示した有機ＥＬ層４２の特性を示す図。 本発明にかかる実施例２における光ファイバ布５０を示す斜視図。 同実施例２における光ファイバ布５０’を示す斜視図。 図８に示した光ファイバ布５０’の研磨状態を示す側面図。 同実施例２における光ファイバ布５０を示す概略平面図。 本発明にかかる実施例３の構成を示す平面図。 図１１に示した光導波路−メタル配線マトリクス７０を示す平面図。 図１１に示した光導波路−メタル配線マトリクス７０の等価回路図。

符号の説明

１０ 表示装置、２０ 光導波路マトリクス、４０ 表示パネル、５０ 光ファイバ布、６０ 表示装置、７０ 光導波路−メタル配線マトリクス

Claims (6)

1. 複数の第１光導波路と複数の第２光導波路とが交差するようにマトリクス状に配置されてなる光導波路マトリクスと、
   前記複数の第１光導波路を光でそれぞれ走査する第１光走査手段と、
   前記複数の第２光導波路を光でそれぞれ走査する第２光走査手段と、
   前記光導波路マトリクスにおける各交点からしきい値以上のレベルの光が照射された場合、当該交点に対応するドット画像を表示する表示手段と、
   を備えたことを特徴とする表示装置。
2. 前記複数の第１光導波路および前記複数の第２光導波路は、光ファイバであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記複数の第１光導波路において前記各交点に対応する部分には、前記表示手段に照射すべき光を取り出すための散乱部が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
4. 前記表示手段は、前記しきい値以上の光により発光するエレクトロ・ルミネッセンス層を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の表示装置。
5. 複数の光導波路と、複数のメタル配線とが交差するようにマトリクス状に配置されてなる光導波路−メタル配線マトリクスと、
   前記複数の光導波路を光でそれぞれ走査する光走査手段と、
   前記複数のメタル配線を電圧でそれぞれ走査する電圧走査手段と、
   前記光導波路−メタル配線マトリクスの各交点に設けられ、前記光および前記電圧に基づいて駆動制御される複数の液晶画素と、
   を備えたことを特徴とする表示装置。
6. 前記複数の光導波路と前記複数のメタル配線との各交点に設けられ、前記複数の液晶画素に接続された複数の光検出手段を備え、前記複数の光導波路において各交点に対応する部分には、伝搬光の一部を各光検出手段へ照射するための散乱部が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。

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