JP2005302764A - Wiring board processing method and apparatus thereof - Google Patents

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JP2005302764A JP2004112044A JP2004112044A JP2005302764A JP 2005302764 A JP2005302764 A JP 2005302764A JP 2004112044 A JP2004112044 A JP 2004112044A JP 2004112044 A JP2004112044 A JP 2004112044A JP 2005302764 A JP2005302764 A JP 2005302764A
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正好 斎藤
Hiroyuki Ueno
博之 上野
Ryo Ishikawa
涼 石川
Yutaka Hoshikawa
裕 星川
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress a change in pulse irradiation pitch of a laser beam to be used for processing a wiring board. <P>SOLUTION: The wiring board 10 is scanned along a processing line L containing a straight line and a curved line by pulse irradiation of the laser beam B. The processing line L consists of a plurality of zones L<SB>1</SB>to L<SB>n</SB>. During the pulse irradiation of the laser beam B, the scanning velocity and the scanning position of the laser beam B are detected. The detected scanning velocity V (scanning velocity detected) is compared with a reference scanning velocity V<SB>x</SB>(set scanning velocity in either of the zones L<SB>1</SB>to L<SB>n</SB>which corresponds to the detected scanning position). When the detected scanning velocity V is larger than the reference scanning velocity V<SB>x</SB>, the pulse irradiation pitch P<SB>1</SB>of the laser beam B is reduced. When the detected scanning velocity V is smaller than the reference scanning velocity V<SB>x</SB>, the pulse irradiation pitch P<SB>2</SB>of the laser beam B is increased. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、配線基板の加工方法及び加工装置に関する。   The present invention relates to a wiring board processing method and a processing apparatus.

レーザを使用した配線基板の加工方法が知られている。特許文献1の技術では、同じ印加パワーでマスクを使用してレーザ加工を行うので、異なる印加パワーがそれぞれ要求される複数領域を連続的に加工することが困難であった。一般的に、樹脂部分よりも金属部分に対して大きな印加パワーが要求される。また、同じ条件でレーザ加工が行われるべき領域では、レーザビームを均一ピッチでパルス照射することが要求される。しかし、特許文献2の技術では、外乱によって加工速度が変化した場合にパルス照射ピッチも変動してしまい、均一な品質でレーザ加工を行うことが難しかった。
特開平5−353561号公報 特開平11−167147号公報
A method of processing a wiring board using a laser is known. In the technique of Patent Document 1, since laser processing is performed using a mask with the same applied power, it is difficult to continuously process a plurality of regions that require different applied powers. In general, a larger applied power is required for the metal portion than for the resin portion. Further, in a region where laser processing is to be performed under the same conditions, it is required to irradiate the laser beam with pulses at a uniform pitch. However, in the technique of Patent Document 2, when the processing speed is changed due to disturbance, the pulse irradiation pitch also changes, and it is difficult to perform laser processing with uniform quality.
JP-A-5-353561 Japanese Patent Laid-Open No. 11-167147

本発明の目的は、配線基板を加工するときに使用するレーザビームのパルス照射ピッチの変動を抑制することにある。   An object of the present invention is to suppress fluctuations in the pulse irradiation pitch of a laser beam used when processing a wiring board.

(1)本発明に係る配線基板の加工方法は、樹脂からなる基板と、前記基板に形成されている金属からなる配線パターンと、を有する配線基板に、レーザビームを、直線及び曲線を含む加工ラインに沿って走査してパルス照射することを含む配線基板の加工方法であって、
前記加工ラインは、複数の区間からなり、
それぞれの前記区間での前記レーザビームの設定走査速度は、他の少なくとも1つの前記区間での設定走査速度とは異なるように予め決められ、
それぞれの前記区間での前記レーザビームのパルス照射の設定ピッチは、他の少なくとも1つの前記区間での設定ピッチとは異なるように予め決められ、
前記レーザビームのパルス照射中に、前記レーザビームの走査速度及び走査位置を検出すること、
検出された前記走査位置に対応するいずれかの前記区間での前記設定走査速度を基準走査速度とし、検出された前記走査速度を検出走査速度として、前記基準走査速度と前記検出走査速度を比較すること、及び、
前記検出走査速度が前記基準走査速度よりも速い場合に前記レーザビームのパルス照射ピッチを小さくし、前記検出走査速度が前記基準走査速度よりも遅い場合に前記レーザビームのパルス照射ピッチを大きくすること、
を含む。本発明によれば、外乱によってレーザビームの走査速度が設定走査速度からずれても、パルス照射ピッチが調整されるので、その変動を抑制することができる。
(2)この配線基板の加工方法において、
それぞれの前記区間での前記レーザビームの設定パワーは、他の少なくとも1つの前記区間での設定パワーとは異なるように予め決められていてもよい。
(3)本発明に係る配線基板の加工装置は、樹脂からなる基板と、前記基板に形成されている金属からなる配線パターンと、を有する配線基板の加工装置であって、
レーザビームを発するレーザと、
前記レーザを駆動するレーザドライバと、
前記レーザビームをパルス照射するためのトリガーパルスを前記レーザドライバに出力するトリガーパルス発生器と、
前記配線基板を載せて、前記レーザビームが直線及び曲線を含んで複数の区間からなる加工ラインに沿って走査するように、前記レーザに対して相対的に移動するステージと、
前記加工ラインのそれぞれの前記区間での前記レーザビームの設定走査速度であって他の少なくとも1つの前記区間での設定走査速度とは異なるように予め決められた設定走査速度を含むステージ動作情報を記憶する第1のメモリと、
前記ステージ動作情報に従って、前記レーザビームの走査のために、前記レーザに対して前記ステージを相対的に移動するための駆動を行うステージドライバと、
前記加工ラインのそれぞれの前記区間で前記レーザビームをパルス照射するための設定トリガーパルスの発生間隔であって他の少なくとも1つの前記区間での設定トリガーパルスの発生間隔とは異なるように予め決められた設定トリガーパルスの発生間隔を含むレーザ制御情報を記憶する第2のメモリと、
前記レーザビームのパルス照射中に、前記ステージの走査速度及び走査位置を検出する検出器と、
検出された前記走査位置に対応するいずれかの前記区間での前記設定走査速度を基準走査速度とし、検出された前記走査速度を検出走査速度として、前記基準走査速度と前記検出走査速度を比較する比較器と、
前記検出走査速度が前記基準走査速度よりも速い場合に、前記トリガーパルスの発生間隔を前記設定トリガーパルスの発生間隔よりも小さくするように前記トリガーパルス発生器を制御し、前記検出走査速度が前記基準走査速度よりも遅い場合に、前記トリガーパルスの発生間隔を前記設定トリガーパルスの発生間隔よりも大きくするように前記トリガーパルス発生器を制御する制御部と、
を有する。本発明によれば、外乱によってレーザビームの走査速度が設定走査速度からずれても、トリガーパルスの発生間隔が調整されるので、レーザビームのパルス照射ピッチの変動を抑制することができる。
(4)この配線基板の加工装置において、
前記レーザビームのパワー制御信号を前記レーザドライバに出力するパワー制御信号発生器をさらに有し、
前記レーザ制御情報は、それぞれの前記区間での前記レーザビームの設定パワーであって他の少なくとも1つの前記区間での出力とは異なるように予め決められた前記レーザビームの設定パワーの値を含んでもよい。
(1) A method for processing a wiring board according to the present invention is a processing that includes a laser beam on a wiring board having a resin substrate and a metal wiring pattern formed on the substrate, including a straight line and a curve. A method of processing a wiring board including scanning along a line and irradiating a pulse,
The processing line consists of a plurality of sections,
The set scanning speed of the laser beam in each of the sections is determined in advance to be different from the set scanning speed of at least one other section,
The set pitch of the pulse irradiation of the laser beam in each of the sections is determined in advance to be different from the set pitch in the other at least one of the sections,
Detecting a scanning speed and a scanning position of the laser beam during pulse irradiation of the laser beam;
The reference scanning speed is compared with the detected scanning speed with the set scanning speed in any one of the sections corresponding to the detected scanning position as a reference scanning speed, and the detected scanning speed as a detected scanning speed. And
When the detection scanning speed is faster than the reference scanning speed, the pulse irradiation pitch of the laser beam is reduced, and when the detection scanning speed is slower than the reference scanning speed, the pulse irradiation pitch of the laser beam is increased. ,
including. According to the present invention, even if the scanning speed of the laser beam deviates from the set scanning speed due to disturbance, the pulse irradiation pitch is adjusted, so that fluctuations can be suppressed.
(2) In this wiring board processing method,
The set power of the laser beam in each of the sections may be determined in advance so as to be different from the set power in the other at least one of the sections.
(3) A wiring board processing apparatus according to the present invention is a wiring board processing apparatus having a substrate made of a resin and a wiring pattern made of a metal formed on the substrate,
A laser emitting a laser beam;
A laser driver for driving the laser;
A trigger pulse generator for outputting a trigger pulse for irradiating the laser beam to the laser driver;
A stage that moves relative to the laser so that the laser beam is scanned along a processing line including a plurality of sections including a straight line and a curve, with the wiring board mounted thereon;
Stage operation information including a set scanning speed that is set in advance so as to be different from a set scanning speed of the laser beam in each of the sections of the processing line that is set in the at least one other section. A first memory for storing;
A stage driver for driving to move the stage relative to the laser for scanning the laser beam according to the stage operation information;
A predetermined trigger pulse generation interval for irradiating the laser beam in each section of the processing line, which is different from a generation trigger pulse generation interval in at least one other section. A second memory for storing laser control information including a generation interval of the set trigger pulse;
A detector for detecting a scanning speed and a scanning position of the stage during pulse irradiation of the laser beam;
The reference scanning speed and the detected scanning speed are compared with the set scanning speed in any one of the sections corresponding to the detected scanning position as the reference scanning speed, and the detected scanning speed as the detected scanning speed. A comparator;
When the detection scanning speed is faster than the reference scanning speed, the trigger pulse generator is controlled so that the generation interval of the trigger pulse is smaller than the generation interval of the set trigger pulse, and the detection scanning speed is A control unit that controls the trigger pulse generator so as to make the generation interval of the trigger pulse larger than the generation interval of the set trigger pulse when slower than a reference scanning speed;
Have According to the present invention, even if the scanning speed of the laser beam deviates from the set scanning speed due to disturbance, the generation interval of the trigger pulse is adjusted, so that fluctuations in the pulse irradiation pitch of the laser beam can be suppressed.
(4) In this wiring board processing apparatus,
A power control signal generator for outputting a power control signal of the laser beam to the laser driver;
The laser control information includes a set power value of the laser beam determined in advance so as to be a set power of the laser beam in each section and different from an output in at least one other section. But you can.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1は、本実施の形態に係る配線基板の加工方法で加工の対象となる配線基板の一部拡大図である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a partially enlarged view of a wiring board to be processed by the wiring board processing method according to the present embodiment.

配線基板10は、樹脂(例えばポリイミド樹脂)からなる基板12と、基板12に形成されている金属(例えば銅)からなる配線パターン20と、を有する。配線パターン20は、第1、第2及び第3(すなわち複数)の配線21,22,23を含み、これらは幅が異なり、第1の配線21の幅が最も狭くなっている。複数の第1の配線21が、平行に密集するように配置されている。配線パターン20は、第1、第2及び第3(すなわち複数)の配線21,22,23の連結部24を含む。第1、第2及び第3の配線21,22,23は、連結部24を介して相互に電気的に接続されている。   The wiring substrate 10 includes a substrate 12 made of resin (for example, polyimide resin) and a wiring pattern 20 made of metal (for example, copper) formed on the substrate 12. The wiring pattern 20 includes first, second, and third (that is, plural) wirings 21, 22, and 23, which have different widths, and the width of the first wiring 21 is the narrowest. A plurality of first wirings 21 are arranged so as to be densely packed in parallel. The wiring pattern 20 includes a connecting portion 24 of first, second, and third (ie, plural) wirings 21, 22, and 23. The first, second, and third wirings 21, 22, and 23 are electrically connected to each other through the connecting portion 24.

本実施の形態に係る配線基板の加工方法では、配線基板10を加工ラインLに沿って切断する。加工ラインLは、直線及び曲線を含む。加工ラインLは、基板12のみからなる部分と、配線パターン20のみからなる部分と、基板12及び配線パターン20の両方が重なる部分と、を通る。基板12及び配線パターン20の両方が重なる部分では、その両方を切断してもよいし、その一方のみを切断してもよい。加工ラインLが配線基板10の一部(例えば連結部24)の領域を囲む場合には、加工後に穴26(図2参照)が形成される。加工ラインLが配線基板10のいずれかの端から他の端に至る場合には、配線基板10は複数片に分断される。なお、配線パターン20上にソルダレジスト等の絶縁膜(樹脂膜)が形成されている場合、これも併せて切断してもよい。   In the wiring board processing method according to the present embodiment, the wiring board 10 is cut along the processing line L. The processing line L includes a straight line and a curved line. The processing line L passes through a portion consisting only of the substrate 12, a portion consisting only of the wiring pattern 20, and a portion where both the substrate 12 and the wiring pattern 20 overlap. In a portion where both the substrate 12 and the wiring pattern 20 overlap, both of them may be cut, or only one of them may be cut. When the processing line L encloses a part of the wiring substrate 10 (for example, the connecting portion 24), a hole 26 (see FIG. 2) is formed after processing. When the processing line L reaches from one end of the wiring board 10 to the other end, the wiring board 10 is divided into a plurality of pieces. If an insulating film (resin film) such as a solder resist is formed on the wiring pattern 20, it may be cut together.

図2は、加工後の配線基板を示す図である。配線基板10には穴26が形成されている。穴26は、加工ラインLに沿った配線基板10の切断によって形成される。本実施の形態では、加工ラインLが連結部24を囲むので、加工によって連結部24が除去され、第1、第2及び第3の配線21,22,23は、相互に電気的に絶縁される。このような処理は、例えば、配線パターン20に対して電解メッキを行った後になされる。   FIG. 2 is a diagram showing the processed wiring board. Holes 26 are formed in the wiring board 10. The hole 26 is formed by cutting the wiring board 10 along the processing line L. In the present embodiment, since the processing line L surrounds the connecting portion 24, the connecting portion 24 is removed by processing, and the first, second, and third wirings 21, 22, and 23 are electrically insulated from each other. The Such a process is performed, for example, after electrolytic plating is performed on the wiring pattern 20.

図3及び図4は、本実施の形態に係る配線基板の加工方法を説明する図である。本実施の形態では、図3に示すように、レーザビームBを加工ラインLに沿って走査してパルス照射する。パルス照射の設定ピッチPは予め決められている。   3 and 4 are diagrams for explaining a method of processing a wiring board according to the present embodiment. In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the laser beam B is scanned along the processing line L and irradiated with pulses. The set pitch P for pulse irradiation is determined in advance.

図4に示すように、加工ラインLは、複数の区間L〜Lからなる。それぞれの区間L〜LでのレーザビームBの設定走査速度は、他の少なくとも1つの区間L〜Lでの設定走査速度とは異なるように予め決められている。また、区間L〜Lのそれぞれにおいて、レーザビームBの設定走査速度は均一になるように予め決められている。 As shown in FIG. 4, the processing line L includes a plurality of sections L 1 to L n . The set scanning speed of the laser beam B in each of the sections L 1 to L n is determined in advance so as to be different from the set scanning speed in at least one other section L 1 to L n . In each of the sections L 1 to L n , the set scanning speed of the laser beam B is determined in advance so as to be uniform.

それぞれの区間L〜LでのレーザビームBのパルス照射の設定ピッチは、他の少なくとも1つの区間L〜Lでの設定ピッチとは異なるように予め決められている。また、区間L〜Lのそれぞれにおいて、レーザビームBのパルス照射の設定ピッチは均一になるように予め決められている。 The set pitch of pulse irradiation of the laser beam B in each of the sections L 1 to L n is determined in advance so as to be different from the set pitch in at least one other section L 1 to L n . Further, in each of the sections L 1 to L n , the setting pitch of the pulse irradiation of the laser beam B is predetermined so as to be uniform.

それぞれの区間L〜LでのレーザビームBの設定パワーは、他の少なくとも1つの区間L〜Lでの設定パワーとは異なるように予め決められている。なお、設定走査速度、設定ピッチ及び設定パワーの値は、加工対象の材質(樹脂及び金属の少なくとも一方)や加工形状(直線又は曲線)によって相対的に決定してもよい。 Setting power of the laser beam B at each section L 1 ~L n is predetermined to be different from the other of the at least one setting the power of the section L 1 ~L n. Note that the values of the set scanning speed, the set pitch, and the set power may be determined relatively depending on the material to be processed (at least one of resin and metal) and the processing shape (straight line or curve).

図5は、本実施の形態に係る配線基板の加工方法の一部の流れを説明する図である。本実施の形態では、レーザビームBのパルス照射中に、レーザビームBの走査速度及び走査位置を検出する。そして、基準走査速度V(検出された走査位置に対応するいずれかの区間L〜Lでの設定走査速度)と検出走査速度V(検出された走査速度)を比較する。例えば、検出走査速度Vと基準走査速度Vが同じであるか否かを判定する(S101)。判定結果がYES(V=V)であれば、再び、S101に戻る。判定結果がNO(V≠V)であれば、基準走査速度Vが検出走査速度Vよりも速いか否かを判定する(S102)。 FIG. 5 is a diagram for explaining a partial flow of the method for processing a wiring board according to the present embodiment. In this embodiment, the scanning speed and scanning position of the laser beam B are detected during the pulse irradiation of the laser beam B. Then, the reference scanning speed V x (set scanning speed in any one of the sections L 1 to L n corresponding to the detected scanning position) is compared with the detected scanning speed V (detected scanning speed). For example, it determines detection scanning velocity V and the reference scanning speed V x is whether the same (S101). Determination result if YES (V = V x), again, the flow returns to S101. If the determination result is NO (V ≠ V x ), it is determined whether or not the reference scanning speed V x is faster than the detected scanning speed V (S102).

ステップS102の判定の結果がNO(V<V)である場合、予め設定された値よりも速く走査が行われているので、図6(A)に示すように、レーザビームBのパルス照射ピッチPが設定ピッチP(図3参照)よりも広くなる。そこで、この場合には、レーザビームBのパルス照射ピッチPを小さくする。具体的には、レーザビームBをパルス照射するためのトリガーパルスの発生間隔を縮小させる(S201)。 When the result of the determination in step S102 is NO (V x <V), scanning is performed faster than a preset value, so that the pulse irradiation of the laser beam B is performed as shown in FIG. pitch P 1 is larger than the set pitch P (see FIG. 3). Therefore, in this case, to reduce the pulse irradiation pitch P 1 of the laser beam B. Specifically, the generation interval of the trigger pulse for irradiating the laser beam B with a pulse is reduced (S201).

ステップS102の判定の結果がYES(V<V)である場合、予め設定された値よりも遅く走査が行われているので、図6(B)に示すように、レーザビームBのパルス照射ピッチPが設定ピッチP(図3参照)よりも狭くなる。そこで、この場合には、レーザビームBのパルス照射ピッチPを小さくする。具体的には、レーザビームBをパルス照射するためのトリガーパルスの発生間隔を拡大する(S202)。 When the result of determination in step S102 is YES (V <V x ), scanning is performed later than a preset value, so that the pulse irradiation of the laser beam B is performed as shown in FIG. pitch P 2 is smaller than the set pitch P (see FIG. 3). Therefore, in this case, to reduce the pulse irradiation pitch P 2 of the laser beam B. Specifically, the generation interval of the trigger pulse for irradiating the laser beam B with a pulse is expanded (S202).

本実施の形態によれば、外乱によってレーザビームBの走査速度が設定走査速度からずれても、パルス照射ピッチP,Pが調整されるので、その変動を抑制することができる。 According to the present embodiment, even if the scanning speed of the laser beam B deviates from the set scanning speed due to disturbance, the pulse irradiation pitches P 1 and P 2 are adjusted, so that fluctuations can be suppressed.

図7は、本実施の形態に係る配線基板の加工装置を示す図である。この加工装置は、上述したプロセスを行うことができる。   FIG. 7 is a diagram showing a wiring board processing apparatus according to the present embodiment. This processing apparatus can perform the process described above.

加工装置は、レーザビームを発するレーザ(例えばYAGレーザ)30を有する。紫外領域の波長のレーザビーム(YAGレーザの3倍波又は4倍波)を加工に使用してもよい。なお、紫外領域のように短波長のレーザビームは樹脂の加工(切断・除去)に適しており、長波長のレーザビームは金属の加工(切断・除去)に適しており、樹脂及び金属の積層部分を加工(切断・除去)するには、紫外領域のように短波長のレーザビームが適している。レーザ30として、パルス照射ピッチを変化させても、均一なパワーでレーザビームを発することができるもの(例えば、コヒレント社AVIA−X)を使用する。   The processing apparatus includes a laser (for example, a YAG laser) 30 that emits a laser beam. A laser beam having a wavelength in the ultraviolet region (third or fourth harmonic of a YAG laser) may be used for processing. In addition, a short wavelength laser beam is suitable for resin processing (cutting / removing) as in the ultraviolet region, and a long wavelength laser beam is suitable for metal processing (cutting / removing). For processing (cutting / removing) the portion, a laser beam with a short wavelength such as the ultraviolet region is suitable. As the laser 30, a laser capable of emitting a laser beam with a uniform power even when the pulse irradiation pitch is changed (for example, Coherent AVIA-X) is used.

レーザ30は、レーザドライバ32によって駆動される。レーザドライバ32には、トリガーパルス発生器34から、レーザビームをパルス照射するためのトリガーパルスが出力される。トリガーパルスがレーザドライバ32に入力されると、レーザドライバ32は、レーザビームがパルス照射されるように、レーザ30を駆動する。   The laser 30 is driven by a laser driver 32. A trigger pulse for irradiating the laser beam with a pulse is output from the trigger pulse generator 34 to the laser driver 32. When the trigger pulse is input to the laser driver 32, the laser driver 32 drives the laser 30 so that the laser beam is irradiated with pulses.

また、レーザドライバ32には、パワー制御信号発生器36から、レーザビームのパワー制御信号が出力される。パワー制御信号はレーザビームのパワーを決定するもので、レーザドライバ32に入力されたパワー制御信号に従って、レーザドライバ32はレーザ30を駆動する。   Further, a laser beam power control signal is output from the power control signal generator 36 to the laser driver 32. The power control signal determines the power of the laser beam, and the laser driver 32 drives the laser 30 in accordance with the power control signal input to the laser driver 32.

加工装置は、配線基板10を載せるためのステージ40を有する。ステージ40は、図4に示すように、レーザビームが直線及び曲線を含んで複数の区間L〜Lからなる加工ラインLに沿って走査するように、レーザ30に対して相対的に移動する。例えば、ステージ40は、二次元方向(XY方向)に移動する。移動は、アクチュエータ42,44によって行われてもよい。なお、ステージ40には、配線基板10を載せる代わりにレーザ30の光学系を載せて、配線基板10を固定された位置に配置してもよい。この場合、レーザビームを走査して加工を行う。 The processing apparatus includes a stage 40 on which the wiring board 10 is placed. As shown in FIG. 4, the stage 40 moves relative to the laser 30 so that the laser beam scans along a processing line L including a plurality of sections L 1 to L n including straight lines and curves. To do. For example, the stage 40 moves in a two-dimensional direction (XY direction). The movement may be performed by the actuators 42 and 44. Note that the optical system of the laser 30 may be placed on the stage 40 instead of placing the wiring substrate 10, and the wiring substrate 10 may be disposed at a fixed position. In this case, the laser beam is scanned for processing.

ステージ40(アクチュエータ42,44)は、ステージドライバ46によって駆動される。ステージドライバ46によるステージ40の駆動は、ステージ動作情報52に従って行う。   The stage 40 (actuators 42 and 44) is driven by a stage driver 46. The stage 40 is driven by the stage driver 46 according to the stage operation information 52.

ステージ動作情報52は、メモリ50(例えばその一部である第1のメモリ)に記憶されている。ステージ動作情報52は、加工ラインL(図4参照)のそれぞれの区間L〜Lでのレーザビームの予め決められた設定走査速度を含む。それぞれの区間L〜Lでの設定走査速度は、他の少なくとも1つの区間L〜Lでの設定走査速度とは異なるように予め決められている。区間L〜Lのそれぞれにおいて、レーザビームの設定走査速度は均一になるように予め決められている。 The stage operation information 52 is stored in the memory 50 (for example, a first memory that is a part thereof). The stage operation information 52 includes a predetermined set scanning speed of the laser beam in each section L 1 to L n of the processing line L (see FIG. 4). The set scanning speed in each of the sections L 1 to L n is determined in advance so as to be different from the set scanning speed in the other at least one section L 1 to L n . In each of the sections L 1 to L n , the set scanning speed of the laser beam is predetermined so as to be uniform.

メモリ50(例えばその一部である第2のメモリ)には、レーザ制御情報54が記憶されている。レーザ制御情報54は、加工ラインL(図4参照)のそれぞれの区間L〜Lでレーザビームをパルス照射するための設定トリガーパルスの予め決められた発生間隔を含む。それぞれの区間L〜Lでの設定トリガーパルスの発生間隔は、他の少なくとも1つの区間L〜Lでの設定トリガーパルスの発生間隔とは異なるように予め決められている。区間L〜Lのそれぞれにおいて、設定トリガーパルスの発生間隔は均一になるように予め決められている。レーザ制御情報54は、それぞれの区間L〜Lでのレーザビームの設定パワーの値を含む。それぞれの区間L〜Lでのレーザビームの設定パワーは、他の少なくとも1つの区間L〜Lでの出力とは異なるように予め決められている。 Laser control information 54 is stored in the memory 50 (for example, a second memory that is a part thereof). The laser control information 54 includes a predetermined generation interval of a set trigger pulse for pulse-irradiating a laser beam in each section L 1 to L n of the processing line L (see FIG. 4). Generation interval setting trigger pulse in each section L 1 ~L n is predetermined to be different from the interval of generation of set trigger pulse in at least one other segment L 1 ~L n. In each of the sections L 1 to L n , the set trigger pulse generation intervals are determined in advance to be uniform. The laser control information 54 includes the value of the set power of the laser beam in each section L 1 to L n . The set power of the laser beam in each section L 1 to L n is determined in advance so as to be different from the output in at least one other section L 1 to L n .

加工装置は、レーザビームのパルス照射中に、ステージ40の走査速度及び走査位置を検出する検出器56,58を有する。   The processing apparatus includes detectors 56 and 58 that detect the scanning speed and scanning position of the stage 40 during the pulse irradiation of the laser beam.

加工装置は、比較器62を有する。比較器62は処理部60の一部であってもよい。比較器62には、検出器56,58で検出された走査速度及び走査位置が入力される。また、比較器62には、ステージ動作情報52(少なくとも設定走査速度)が入力される。そして、比較器62では、図5に示すように、基準走査速度V(検出された走査位置に対応するいずれかの区間L〜Lでの設定走査速度)と検出走査速度V(検出された走査速度)を比較する(S101,102参照)。 The processing apparatus has a comparator 62. The comparator 62 may be a part of the processing unit 60. The comparator 62 receives the scanning speed and scanning position detected by the detectors 56 and 58. Further, the stage operation information 52 (at least the set scanning speed) is input to the comparator 62. Then, in the comparator 62, as shown in FIG. 5, the reference scanning speed V x (set scanning speed in any one of the sections L 1 to L n corresponding to the detected scanning position) and the detection scanning speed V (detection). Are compared) (refer to S101 and S102).

加工装置は、制御部64を有する。制御部64は処理部60の一部であってもよい。制御部64には、比較器62での比較結果が入力される。   The processing apparatus has a control unit 64. The control unit 64 may be a part of the processing unit 60. The control unit 64 receives the comparison result from the comparator 62.

制御部64は、図5のステップS201に示すように、検出走査速度Vが基準走査速度Vよりも速い場合(図6(A)に示す状態)に、トリガーパルスの発生間隔を設定トリガーパルスの発生間隔よりも小さくするようにトリガーパルス発生器34を制御する(制御のための信号を出力する)。その結果、図6(A)に示すように、レーザビームBのパルス照射ピッチPを小さくすることができる。 Control unit 64, as shown in step S201 in FIG. 5, if the detected scanning speed V is higher than the reference scanning speed V x (the state shown in FIG. 6 (A)), sets the generation interval of the trigger pulse trigger pulse The trigger pulse generator 34 is controlled so as to be smaller than the generation interval (outputs a signal for control). As a result, as shown in FIG. 6 (A), it is possible to reduce the pulse irradiation pitch P 1 of the laser beam B.

あるいは、制御部64は、図5のステップS202に示すように、検出走査速度Vが基準走査速度Vよりも遅い場合(図6(B)に示す状態)に、トリガーパルスの発生間隔を設定トリガーパルスの発生間隔よりも大きくするようにトリガーパルス発生器34を制御する(制御のための信号を出力する)。その結果、図6(B)に示すように、レーザビームBのパルス照射ピッチPを大きくすることができる。 Alternatively, the control unit 64, as shown in step S202 of FIG. 5, if the detected scan velocity V is slower than the reference scanning speed V x (the state shown in FIG. 6 (B)), sets the generation interval of the trigger pulse The trigger pulse generator 34 is controlled so as to be larger than the generation interval of the trigger pulse (a signal for control is output). As a result, as shown in FIG. 6 (B), it is possible to increase the pulse irradiation pitch P 2 of the laser beam B.

本実施の形態によれば、外乱によってレーザビームの走査速度(実際の速度)が設定走査速度(予め決めた速度)からずれても、トリガーパルスの発生間隔が調整されるので、レーザビームのパルス照射ピッチの変動を抑制することができる。   According to the present embodiment, even if the scanning speed (actual speed) of the laser beam deviates from the set scanning speed (predetermined speed) due to disturbance, the trigger pulse generation interval is adjusted. Variation in irradiation pitch can be suppressed.

本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。さらに、本発明は、実施の形態で説明した技術的事項のいずれかを限定的に除外したものであってもよい。あるいは、本発明は、上述した実施の形態から公知技術を限定的に除外したものであってもよい。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made. For example, the present invention includes configurations that are substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, configurations that have the same functions, methods, and results, or configurations that have the same purposes and results). In addition, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the present invention includes a configuration that exhibits the same operational effects as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. Further, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment. Furthermore, the present invention may be one that excludes any of the technical matters described in the embodiments in a limited manner. Alternatively, the present invention may be one in which known techniques are limitedly excluded from the above-described embodiments.

図1は、本実施の形態に係る配線基板の加工方法で加工の対象となる配線基板の一部拡大図である。FIG. 1 is a partially enlarged view of a wiring board to be processed by the wiring board processing method according to the present embodiment. 図2は、加工後の配線基板を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing the processed wiring board. 図3は、本実施の形態に係る配線基板の加工方法を説明する図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a method of processing a wiring board according to the present embodiment. 図4は、本実施の形態に係る配線基板の加工方法を説明する図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a method of processing a wiring board according to the present embodiment. 図5は、本実施の形態に係る配線基板の加工方法の一部の流れを説明する図である。FIG. 5 is a diagram for explaining a partial flow of the method for processing a wiring board according to the present embodiment. 図6(A)及び図6(B)は、本実施の形態に係る配線基板の加工方法の一部を説明する図である。6A and 6B are diagrams illustrating a part of the method for processing a wiring board according to this embodiment. 図7は、本実施の形態に係る配線基板の加工装置を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a wiring board processing apparatus according to the present embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10…配線基板 12…基板 20…配線パターン 21…第1の配線 22…第2の配線 23…第3の配線 24…連結部 26…穴 30…レーザ 32…レーザドライバ 34…トリガーパルス発生器 36…パワー制御信号発生器 40…ステージ 42…アクチュエータ 44…アクチュエータ 46…ステージドライバ 50…メモリ 52…ステージ動作情報 54…レーザ制御情報 56…検出器 58…検出器 60…処理部 62…比較器 64…制御部   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Wiring board 12 ... Board 20 ... Wiring pattern 21 ... 1st wiring 22 ... 2nd wiring 23 ... 3rd wiring 24 ... Connection part 26 ... Hole 30 ... Laser 32 ... Laser driver 34 ... Trigger pulse generator 36 ... Power control signal generator 40 ... Stage 42 ... Actuator 44 ... Actuator 46 ... Stage driver 50 ... Memory 52 ... Stage operation information 54 ... Laser control information 56 ... Detector 58 ... Detector 60 ... Processor 62 ... Comparator 64 ... Control unit

Claims (4)

樹脂からなる基板と、前記基板に形成されている金属からなる配線パターンと、を有する配線基板に、レーザビームを、直線及び曲線を含む加工ラインに沿って走査してパルス照射することを含む配線基板の加工方法であって、
前記加工ラインは、複数の区間からなり、
それぞれの前記区間での前記レーザビームの設定走査速度は、他の少なくとも1つの前記区間での設定走査速度とは異なるように予め決められ、
それぞれの前記区間での前記レーザビームのパルス照射の設定ピッチは、他の少なくとも1つの前記区間での設定ピッチとは異なるように予め決められ、
前記レーザビームのパルス照射中に、前記レーザビームの走査速度及び走査位置を検出すること、
検出された前記走査位置に対応するいずれかの前記区間での前記設定走査速度を基準走査速度とし、検出された前記走査速度を検出走査速度として、前記基準走査速度と前記検出走査速度を比較すること、及び、
前記検出走査速度が前記基準走査速度よりも速い場合に前記レーザビームのパルス照射ピッチを小さくし、前記検出走査速度が前記基準走査速度よりも遅い場合に前記レーザビームのパルス照射ピッチを大きくすること、
を含む配線基板の加工方法。
Wiring including scanning and irradiating a laser beam along a processing line including straight lines and curves onto a wiring board having a substrate made of resin and a wiring pattern made of metal formed on the substrate. A method for processing a substrate,
The processing line consists of a plurality of sections,
The set scanning speed of the laser beam in each of the sections is determined in advance to be different from the set scanning speed of at least one other section,
The set pitch of the pulse irradiation of the laser beam in each of the sections is determined in advance to be different from the set pitch in the other at least one of the sections,
Detecting a scanning speed and a scanning position of the laser beam during pulse irradiation of the laser beam;
The reference scanning speed is compared with the detected scanning speed with the set scanning speed in any one of the sections corresponding to the detected scanning position as a reference scanning speed, and the detected scanning speed as a detected scanning speed. And
When the detection scanning speed is faster than the reference scanning speed, the pulse irradiation pitch of the laser beam is reduced, and when the detection scanning speed is slower than the reference scanning speed, the pulse irradiation pitch of the laser beam is increased. ,
A method for processing a wiring board including:
請求項1記載の配線基板の加工方法において、
それぞれの前記区間での前記レーザビームの設定パワーは、他の少なくとも1つの前記区間での設定パワーとは異なるように予め決められている配線基板の加工方法。
In the processing method of the wiring board according to claim 1,
A method of processing a wiring board, wherein the set power of the laser beam in each of the sections is determined in advance to be different from the set power of at least one other section.
樹脂からなる基板と、前記基板に形成されている金属からなる配線パターンと、を有する配線基板の加工装置であって、
レーザビームを発するレーザと、
前記レーザを駆動するレーザドライバと、
前記レーザビームをパルス照射するためのトリガーパルスを前記レーザドライバに出力するトリガーパルス発生器と、
前記配線基板を載せて、前記レーザビームが直線及び曲線を含んで複数の区間からなる加工ラインに沿って走査するように、前記レーザに対して相対的に移動するステージと、
前記加工ラインのそれぞれの前記区間での前記レーザビームの設定走査速度であって他の少なくとも1つの前記区間での設定走査速度とは異なるように予め決められた設定走査速度を含むステージ動作情報を記憶する第1のメモリと、
前記ステージ動作情報に従って、前記レーザビームの走査のために、前記レーザに対して前記ステージを相対的に移動するための駆動を行うステージドライバと、
前記加工ラインのそれぞれの前記区間で前記レーザビームをパルス照射するための設定トリガーパルスの発生間隔であって他の少なくとも1つの前記区間での設定トリガーパルスの発生間隔とは異なるように予め決められた設定トリガーパルスの発生間隔を含むレーザ制御情報を記憶する第2のメモリと、
前記レーザビームのパルス照射中に、前記ステージの走査速度及び走査位置を検出する検出器と、
検出された前記走査位置に対応するいずれかの前記区間での前記設定走査速度を基準走査速度とし、検出された前記走査速度を検出走査速度として、前記基準走査速度と前記検出走査速度を比較する比較器と、
前記検出走査速度が前記基準走査速度よりも速い場合に、前記トリガーパルスの発生間隔を前記設定トリガーパルスの発生間隔よりも小さくするように前記トリガーパルス発生器を制御し、前記検出走査速度が前記基準走査速度よりも遅い場合に、前記トリガーパルスの発生間隔を前記設定トリガーパルスの発生間隔よりも大きくするように前記トリガーパルス発生器を制御する制御部と、
を有する配線基板の加工装置。
A wiring board processing apparatus having a substrate made of resin and a wiring pattern made of metal formed on the substrate,
A laser emitting a laser beam;
A laser driver for driving the laser;
A trigger pulse generator for outputting a trigger pulse for irradiating the laser beam to the laser driver;
A stage that moves relative to the laser so that the laser beam scans along a processing line that includes a plurality of sections including straight lines and curves, with the wiring board mounted thereon;
Stage operation information including a set scanning speed that is set in advance so as to be different from a set scanning speed of the laser beam in each of the sections of the processing line and in the at least one other section. A first memory for storing;
A stage driver for driving to move the stage relative to the laser for scanning the laser beam according to the stage operation information;
A predetermined trigger pulse generation interval for irradiating the laser beam in each section of the processing line, which is different from a generation trigger pulse generation interval in at least one other section. A second memory for storing laser control information including a generation interval of the set trigger pulse;
A detector for detecting a scanning speed and a scanning position of the stage during pulse irradiation of the laser beam;
The reference scanning speed is compared with the detected scanning speed with the set scanning speed in any one of the sections corresponding to the detected scanning position as a reference scanning speed, and the detected scanning speed as a detected scanning speed. A comparator;
When the detected scanning speed is faster than the reference scanning speed, the trigger pulse generator is controlled to make the generation interval of the trigger pulse smaller than the generation interval of the set trigger pulse, and the detected scanning speed is A control unit that controls the trigger pulse generator so as to make the generation interval of the trigger pulse larger than the generation interval of the set trigger pulse when it is slower than a reference scanning speed;
An apparatus for processing a wiring board.
請求項3記載の配線基板の加工装置において、
前記レーザビームのパワー制御信号を前記レーザドライバに出力するパワー制御信号発生器をさらに有し、
前記レーザ制御情報は、それぞれの前記区間での前記レーザビームの設定パワーであって他の少なくとも1つの前記区間での出力とは異なるように予め決められた前記レーザビームの設定パワーの値を含む配線基板の加工装置。
In the processing apparatus of the wiring board according to claim 3,
A power control signal generator for outputting a power control signal of the laser beam to the laser driver;
The laser control information includes a set power value of the laser beam that is set in advance so as to be different from the output in the at least one other section, which is the set power of the laser beam in each of the sections. Wiring board processing equipment.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010056171A (en) * 2008-08-26 2010-03-11 Panasonic Electric Works Co Ltd Device and method for manufacturing circuit board
JPWO2014080672A1 (en) * 2012-11-26 2017-01-05 ビアメカニクス株式会社 Laser processing apparatus and laser processing method

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