JP2005290442A

JP2005290442A - Ecr sputtering system

Info

Publication number: JP2005290442A
Application number: JP2004105075A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Shimozato; 義博下里
Original assignee: Shimadzu Corp
Current assignee: Shimadzu Corp
Priority date: 2004-03-31
Filing date: 2004-03-31
Publication date: 2005-10-20

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ECR sputtering system enhanced in sputtering efficiency and high in film deposition rate. <P>SOLUTION: The ECR (electron cyclotron resonance) sputtering system 100 is provided with: a plasma generation chamber 10 for generating ECR plasma on an irradiation magnetic field space; and a treatment chamber 20 storing a target 21 sputtered by ions in the ECR plasma and a substrate holder 22 for holding a substrate S. Ring-shaped magnets 25 are arranged at the treatment chamber 20, and a correction magnetic field MF for introducing the flow of the ECR plasma (plasma flow P) introduced into the treatment chamber from the irradiation magnetic field into the surface α of the target 21 is generated. By the correction magnetic field MF, larger ions in the plasma flow P are made incident on the target 21, so as to increase a sputtering rate. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、ＥＣＲプラズマを利用するスパッタリング装置に関する。 The present invention relates to a sputtering apparatus using ECR plasma.

ＥＣＲスパッタリング装置は、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）プラズマを生成し、プラズマ中のイオンによりターゲットをスパッタし、スパッタ粒子を被処理基板の表面に堆積させて成膜する装置である。処理室内に導入されたＥＣＲプラズマの流れ（プラズマ流）は、発散磁場により拡散していくが、プラズマ流は、被処理基板の方向だけではなく処理室の内壁へも拡散し、処理室の内壁に付着した不完全な膜をスパッタしてダストを処理室内に飛散させる。このダストの飛散を防止するために、ターゲットと被処理基板との間にプラズマの拡散を制限する筒を設けたＥＣＲスパッタリング装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。 The ECR sputtering apparatus is an apparatus that generates ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma, sputters a target with ions in the plasma, and deposits sputtered particles on the surface of a substrate to be processed to form a film. The flow of ECR plasma (plasma flow) introduced into the processing chamber is diffused by the divergent magnetic field, but the plasma flow is diffused not only in the direction of the substrate to be processed but also to the inner wall of the processing chamber. Sputter is applied to the incomplete film adhering to the substrate to disperse dust into the processing chamber. In order to prevent the scattering of dust, an ECR sputtering apparatus is known in which a cylinder for limiting the diffusion of plasma is provided between a target and a substrate to be processed (see, for example, Patent Document 1).

特開２００３−１２９２３６号公報（第２頁、図１）JP 2003-129236 A (2nd page, FIG. 1)

特許文献１のＥＣＲスパッタリング装置では、プラズマの拡散を制限する筒により、プラズマ流が処理室の側壁へ拡散するのを防止しているが、同時にスパッタ粒子の飛散をも制限してしまうので、被処理基板への成膜レートが小さくなるという問題がある。 In the ECR sputtering apparatus of Patent Document 1, the plasma flow is prevented from diffusing to the side wall of the processing chamber by the tube that restricts the diffusion of the plasma, but at the same time, the scattering of the sputtered particles is also restricted. There is a problem that the deposition rate on the processing substrate is reduced.

（１）請求項１のＥＣＲスパッタリング装置は、ＥＣＲプラズマを生成させるプラズマ生成室と、プラズマ生成室に隣接して設けられ、発散磁場によりＥＣＲプラズマが導入される処理室と、ＥＣＲプラズマ中のイオンによりスパッタされるターゲットと、ターゲットから飛散するスパッタ粒子が堆積して成膜が行われる被処理基板を保持する基板保持手段と、ターゲット近傍の発散磁場の強度を高め、処理室に導入されたＥＣＲプラズマの流れをターゲットへ近づけるように補正磁場を生成する補正磁場生成手段とを備えることを特徴とする。
（２）請求項１のＥＣＲスパッタリング装置に備えられる補正磁場生成手段は、発散磁場と合成してターゲット周辺にカスプ磁場を形成するように、補正磁場を生成することが好ましい。また、補正磁場生成手段は、ターゲットの外周面を取り囲むリング状磁石であってもよい。 (1) An ECR sputtering apparatus according to a first aspect of the present invention includes a plasma generation chamber for generating ECR plasma, a processing chamber provided adjacent to the plasma generation chamber, into which ECR plasma is introduced by a divergent magnetic field, and ions in the ECR plasma The target to be sputtered by the substrate, the substrate holding means for holding the substrate to be processed on which the sputtered particles scattered from the target are deposited, the strength of the divergent magnetic field in the vicinity of the target is increased, and the ECR introduced into the processing chamber And a correction magnetic field generation means for generating a correction magnetic field so as to bring the plasma flow closer to the target.
(2) Preferably, the correction magnetic field generating means provided in the ECR sputtering apparatus of the first aspect generates a correction magnetic field so as to form a cusp magnetic field around the target by combining with the divergent magnetic field. Further, the correction magnetic field generation means may be a ring magnet surrounding the outer peripheral surface of the target.

本発明によれば、補正磁場生成手段によりＥＣＲプラズマの流れをターゲットへ導くようにしたので、スパッタ効率が高くなり、被処理基板上に形成される膜の成膜レートが大きくなる。 According to the present invention, since the flow of the ECR plasma is guided to the target by the correction magnetic field generating means, the sputtering efficiency is increased and the film formation rate of the film formed on the substrate to be processed is increased.

以下、本発明の実施の形態によるＥＣＲスパッタリング装置について、図１〜３を参照しながら説明する。図１は、第１の実施の形態によるＥＣＲスパッタリング装置の概略を模式的に示す全体構成図である。図２（ａ）は、図１のＥＣＲスパッタリング装置の主要部を模式的に示す構成図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＩ−Ｉ線で切断した部分断面図である。図１と図２では、同じ構成部品には同一符号を付す。 Hereinafter, an ECR sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is an overall configuration diagram schematically showing an outline of the ECR sputtering apparatus according to the first embodiment. 2A is a configuration diagram schematically showing the main part of the ECR sputtering apparatus of FIG. 1, and FIG. 2B is a partial cross-sectional view taken along the line II of FIG. 2A. is there. In FIG. 1 and FIG. 2, the same components are denoted by the same reference numerals.

ＥＣＲスパッタリング装置１００は、ＥＣＲプラズマを生成させるプラズマ生成室１０と基板Ｓの表面に成膜処理する処理室２０とを備えている。プラズマ生成室１０と処理室２０は、いずれも密閉可能な容器であり、ｘ方向に沿って連結されており、開口Ａにより連通している。 The ECR sputtering apparatus 100 includes a plasma generation chamber 10 that generates ECR plasma and a processing chamber 20 that forms a film on the surface of the substrate S. The plasma generation chamber 10 and the processing chamber 20 are both sealable containers, are connected along the x direction, and communicate with each other through the opening A.

プラズマ生成室１０の左側面には、マイクロ波Ｍを導入するための誘電体板１１とプロセスガスＧ１を導入するためのガス導入部１３とが配設され、プラズマ生成室１０の右側面には、開口Ａが形成されている。また、プラズマ生成室１０には、その左右側面を除く外周面を取り囲むように電磁コイル１２が配設されている。プロセスガスＧ１としては、通常、Ａｒガスが用いられる。 A dielectric plate 11 for introducing the microwave M and a gas introduction part 13 for introducing the process gas G1 are disposed on the left side surface of the plasma generation chamber 10. , An opening A is formed. In addition, an electromagnetic coil 12 is disposed in the plasma generation chamber 10 so as to surround the outer peripheral surface except the left and right side surfaces thereof. As the process gas G1, Ar gas is usually used.

処理室２０には、中央に穴が明いたコーン形状のターゲット２１と基板Ｓを保持する基板ホルダー２２とが収納され、ターゲット２１と基板Ｓとは対向配置されている。ターゲット２１には、直流電源２４の負極側が接続されている。なお、直流電源２４の代わりに高周波電源を用い、その正極側を接地し、負極側をターゲット２１に接続してもよい。 In the processing chamber 20, a cone-shaped target 21 having a hole in the center and a substrate holder 22 for holding the substrate S are accommodated, and the target 21 and the substrate S are arranged to face each other. The target 21 is connected to the negative electrode side of the DC power supply 24. Note that a high frequency power supply may be used instead of the DC power supply 24, the positive electrode side may be grounded, and the negative electrode side may be connected to the target 21.

基板ホルダー２２は、アースより電気的にフローティングされており、基板Ｓの法線廻り（ｘ軸廻り）に回転可能である。基板ホルダー２２は、必要に応じて加熱、冷却、電界印加が可能に構成されている。また、処理室２０には、室内を真空排気するための排気口２３が配設され、排気口２３は、高速で高真空に排気することができるターボ分子ポンプ（不図示）に配管接続されている。なお、反応性スパッタリングを行う場合は、Ｏ_２ガス、Ｎ_２ガスのような反応性ガスを導入するためのガス導入部（不図示）が処理室２０に配設される。 The substrate holder 22 is electrically floating from the ground, and can be rotated around the normal line of the substrate S (around the x axis). The substrate holder 22 is configured to be heated, cooled, and applied with an electric field as necessary. Further, the processing chamber 20 is provided with an exhaust port 23 for evacuating the chamber, and the exhaust port 23 is connected to a turbo molecular pump (not shown) capable of exhausting to high vacuum at high speed. Yes. When reactive sputtering is performed, a gas introduction unit (not shown) for introducing a reactive gas such as O ₂ gas or N ₂ gas is disposed in the processing chamber 20.

図２を参照すると、ターゲット２１の外周付近には、ターゲット２１を取り囲むようにリング状磁石２５が配設されている。リング状磁石２５は、ｘ方向にＮ極、Ｓ極を有する永久磁石であり、ターゲット２１の外周部に磁場を形成する。この磁場を補正磁場ＭＦと呼ぶ。リング状磁石２５は、図２（ｂ）に示されるように、円形リング状であるが、多角形のリング状でもよい。なお、リング状磁石２５が永久磁石の場合は、処理室２０の内部でも外部でも配置できるが、電磁石の場合は、通常、処理室２０の外部に配置する。 Referring to FIG. 2, a ring-shaped magnet 25 is disposed near the outer periphery of the target 21 so as to surround the target 21. The ring-shaped magnet 25 is a permanent magnet having an N pole and an S pole in the x direction, and forms a magnetic field on the outer peripheral portion of the target 21. This magnetic field is called a correction magnetic field MF. The ring-shaped magnet 25 is a circular ring shape as shown in FIG. 2B, but may be a polygonal ring shape. In addition, when the ring-shaped magnet 25 is a permanent magnet, it can be arranged inside or outside the processing chamber 20, but when it is an electromagnet, it is usually arranged outside the processing chamber 20.

以下、本実施の形態によるＥＣＲスパッタリング装置１００の作用について図１、図２を参照して説明する。不図示のマイクロ波導波管を伝搬する周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波Ｍは、誘電体板１１を介してプラズマ生成室１０内に導入される。プラズマ生成室１０内は、１×１０^−５Ｐａ程度に真空排気された後、プロセスガスＧ１としてＡｒガスを導入して１０^−１Ｐａ台の真空雰囲気に保持される。導入されたマイクロ波電力により、プラズマ生成室１０内のＡｒガスＧ１が電離してプラズマが形成される。一方、プラズマ生成室１０内には、電磁コイル１２による磁場（発散磁場）が形成されているので、プラズマ中の電子は、その発散磁場からローレンツ力を受け、磁力線を軸とする旋回運動をしながらｘ方向に進む。 Hereinafter, the operation of the ECR sputtering apparatus 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. A microwave M having a frequency of 2.45 GHz propagating through a microwave waveguide (not shown) is introduced into the plasma generation chamber 10 via the dielectric plate 11. The inside of the plasma generation chamber 10 is evacuated to about 1 × 10 ⁻⁵ Pa, and then Ar gas is introduced as the process gas G1 to be maintained in a vacuum atmosphere of 10 ⁻¹ Pa. The introduced microwave power ionizes the Ar gas G1 in the plasma generation chamber 10 to form plasma. On the other hand, since a magnetic field (divergent magnetic field) is formed in the plasma generation chamber 10 by the electromagnetic coil 12, electrons in the plasma receive a Lorentz force from the divergent magnetic field and perform a swiveling motion around the magnetic field lines. Then proceed in the x direction.

このとき、電子の旋回運動の回転周波数がマイクロ波Ｍの周波数に一致すると、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）条件が満たされる。ＥＣＲ条件が成立すると、プラズマの電離効率が上昇し、概略０．０５〜０．５Ｐａのガス圧力下で高密度プラズマ（ＥＣＲプラズマ）を生成できる。このときの磁束密度（磁界強度）は８７５×１０^−４Ｗｂ／ｍ^２となる。磁界強度は、ｘ方向に進むにつれて緩やかに減少する。 At this time, when the rotational frequency of the electron swivel motion matches the frequency of the microwave M, the electron cyclotron resonance (ECR) condition is satisfied. When the ECR condition is satisfied, the ionization efficiency of the plasma is increased, and high density plasma (ECR plasma) can be generated under a gas pressure of approximately 0.05 to 0.5 Pa. The magnetic flux density (magnetic field strength) at this time is 875 × 10 ⁻⁴ Wb / m ² . The magnetic field strength gradually decreases as it proceeds in the x direction.

ＥＣＲプラズマ中で旋回運動する多数の電子は、電磁コイル１２による発散磁場に導かれて開口Ａを通過して処理室２０内へ流入し、ターゲット２１の穴を通過して基板Ｓの方向へ向う。基板ホルダー２２はフローティングされているので、基板Ｓの周辺は負の空間電位となり、この負の空間電位を中和するようにＥＣＲプラズマ中の多数のイオンも開口Ａを通過して処理室２０内へ流入する。つまり、多数の電子とイオン（Ａｒイオン）を含むプラズマ流Ｐがプラズマ生成室１０から処理室２０へ流入する。このプラズマ流Ｐの方向は、電磁コイル１２による発散磁場の磁力線の向きと大体同じである。 A large number of electrons swirling in the ECR plasma are guided by the divergent magnetic field generated by the electromagnetic coil 12, pass through the opening A, flow into the processing chamber 20, pass through the hole of the target 21, and move toward the substrate S. . Since the substrate holder 22 is floating, the periphery of the substrate S has a negative space potential, and many ions in the ECR plasma pass through the opening A so as to neutralize the negative space potential. Flow into. That is, a plasma flow P containing a large number of electrons and ions (Ar ions) flows from the plasma generation chamber 10 into the processing chamber 20. The direction of the plasma flow P is substantially the same as the direction of the magnetic field lines of the divergent magnetic field generated by the electromagnetic coil 12.

ターゲット２１には負の直流電圧が印加されているので、プラズマ流Ｐ中のＡｒイオンの多くは、ターゲット２１に引き付けられ、ターゲット２１に入射する。Ａｒイオンは、ターゲット２１の電場の強さに応じた運動エネルギーをもつので、ターゲット２１表面から粒子を叩き出す。これがスパッタ粒子Ｔであり、スパッタ粒子Ｔの大半はｘ方向へ飛散する。 Since a negative DC voltage is applied to the target 21, most of the Ar ions in the plasma flow P are attracted to the target 21 and enter the target 21. Since Ar ions have a kinetic energy corresponding to the strength of the electric field of the target 21, particles are ejected from the surface of the target 21. This is the sputtered particle T, and most of the sputtered particle T is scattered in the x direction.

図２を参照して、補正磁場ＭＦの作用を説明する。電磁コイル１２による発散磁場の磁力線の向きは、プラズマ流Ｐを示す矢印の方向とほぼ等しい。リング状磁石２５による補正磁場ＭＦの磁力線は、図示のようにＮ極からＳ極へ向かっている。リング状磁石２５をこのように配置することによって、ターゲット２１の外周付近では、発散磁場と補正磁場ＭＦとが合成されてカスプ磁場が形成される。 The operation of the correction magnetic field MF will be described with reference to FIG. The direction of the magnetic field lines of the divergent magnetic field generated by the electromagnetic coil 12 is substantially equal to the direction of the arrow indicating the plasma flow P. The magnetic field lines of the correction magnetic field MF by the ring-shaped magnet 25 are directed from the N pole to the S pole as illustrated. By disposing the ring-shaped magnet 25 in this manner, the divergence magnetic field and the correction magnetic field MF are combined near the outer periphery of the target 21 to form a cusp magnetic field.

そのため、ターゲット２１の穴を通過したプラズマ流は、カスプ磁場により流れの方向を曲げられ、実線で示されるプラズマ流Ｐのようにターゲット２１の基板Ｓ側の表面αに沿って進行する。もし、リング状磁石２５が配設されていない場合は、破線で示されるプラズマ流Ｐ´のように直線的に進行する。プラズマ流Ｐとプラズマ流Ｐ´を比較すると、プラズマ流Ｐの方がターゲット２１の表面αの近くを進行するので、より多くのＡｒイオンがターゲット２１に引き付けられ、ターゲット２１表面をスパッタする。すなわち、スパッタ率が高くなり、多くのスパッタ粒子Ｔがターゲット２１から叩き出され、基板Ｓの方向へ向かう。この結果、基板Ｓ上に堆積する薄膜の成膜レートが上がる。 Therefore, the direction of the flow of the plasma flow that has passed through the hole of the target 21 is bent by the cusp magnetic field, and proceeds along the surface α on the substrate S side of the target 21 like the plasma flow P indicated by a solid line. If the ring-shaped magnet 25 is not disposed, it proceeds linearly like a plasma flow P ′ indicated by a broken line. When the plasma flow P and the plasma flow P ′ are compared, since the plasma flow P travels closer to the surface α of the target 21, more Ar ions are attracted to the target 21 and the surface of the target 21 is sputtered. That is, the sputtering rate increases, and many sputtered particles T are knocked out of the target 21 and travel toward the substrate S. As a result, the film forming rate of the thin film deposited on the substrate S increases.

ターゲット２１に入射しないＡｒイオンは、基板Ｓの方向へ直進するものと処理室２０の内壁に向かうものがある。ターゲット２１に印加されている負のバイアス電圧を高くすることによってもスパッタ率を上昇させることができるが、同時にターゲット２１表面で反射した運動エネルギーの高いＡｒイオンが基板Ｓに到達して、膜質の劣化やアーキング発生の原因となる。従って、単純にターゲット２１のバイアス電圧を高くして成膜レートを上げることは、望ましくない。 Ar ions that are not incident on the target 21 include those that go straight in the direction of the substrate S and those that face the inner wall of the processing chamber 20. The sputtering rate can also be increased by increasing the negative bias voltage applied to the target 21, but at the same time, Ar ions having a high kinetic energy reflected on the surface of the target 21 reach the substrate S and have a film quality. It causes deterioration and arcing. Therefore, it is not desirable to increase the deposition rate by simply increasing the bias voltage of the target 21.

図３は、補正磁場ＭＦが有る場合と無い場合について、ターゲット電流とマイクロ波電力の関係を比較したグラフである。ターゲット電流は、ターゲット２１に入射するＡｒイオンの量に相当し、成膜レートに比例する成膜パラメータであるから、ターゲット電流を測定することによって成膜レートを知ることができる。ターゲット２１のバイアス電圧を−３５０Ｖに固定し、縦軸にターゲット電流、横軸にマイクロ波電力をとる。ターゲット電流とマイクロ波電力は、実測値である。 FIG. 3 is a graph comparing the relationship between the target current and the microwave power with and without the correction magnetic field MF. Since the target current corresponds to the amount of Ar ions incident on the target 21 and is a film formation parameter proportional to the film formation rate, the film formation rate can be known by measuring the target current. The bias voltage of the target 21 is fixed at −350 V, the target current is plotted on the vertical axis, and the microwave power is plotted on the horizontal axis. The target current and the microwave power are actually measured values.

図中、線ａで示される補正磁場ＭＦが有る場合も、線ｂで示される補正磁場ＭＦが無い場合も、ターゲット電流は、マイクロ波電力とほぼ直線関係を有する。また、線ａと線ｂの傾きを比較すると、線ａは、線ｂに対して約１．２倍となっている。すなわち、リング状磁石２５を設けて補正磁場ＭＦを形成することによって、Ａｒイオンの利用効率を向上させ、同じバイアス電圧でも成膜レートを約１．２倍に高めることができる。 In the figure, the target current has a substantially linear relationship with the microwave power both when there is a correction magnetic field MF indicated by a line a and when there is no correction magnetic field MF indicated by a line b. Further, when the inclinations of the line a and the line b are compared, the line a is about 1.2 times the line b. That is, by providing the ring-shaped magnet 25 to form the correction magnetic field MF, the utilization efficiency of Ar ions can be improved, and the film formation rate can be increased by about 1.2 times even with the same bias voltage.

補正磁場ＭＦを形成せずに同じ成膜レートを得ようとすると、ターゲット２１のバイアス電圧を上げなければならないが、上述したように、膜質の劣化やアーキング発生の恐れがある。本実施の形態では、膜質の劣化やアーキング発生を招くことなしに補正磁場ＭＦを形成するだけで成膜レートを高めることができる。また、本実施の形態では、補正磁場ＭＦを形成用のリング状磁石２５を配設するだけなので、スパッタ粒子Ｔの基板Ｓへの飛行を妨げることもない。 If an attempt is made to obtain the same film formation rate without forming the correction magnetic field MF, the bias voltage of the target 21 must be increased. However, as described above, there is a risk of film quality deterioration and arcing. In the present embodiment, the film formation rate can be increased only by forming the correction magnetic field MF without causing deterioration of film quality or occurrence of arcing. Further, in the present embodiment, since the ring-shaped magnet 25 for forming the correction magnetic field MF is only disposed, the flight of the sputtered particles T to the substrate S is not hindered.

以上説明した本実施の形態によるＥＣＲスパッタリング装置１００から分かるように、本発明は、ターゲット２１の外周付近にリング状磁石２５を配設して補正磁場ＭＦを形成し、プラズマ流Ｐの流れを補正することを特徴とする。従って、本発明は、その特徴を損なわない限り、以上説明した実施の形態に何ら限定されない。例えば、本実施の形態では、ターゲット２１の全外周に補正磁場ＭＦを形成するが、複数個の小さい磁石をリング状磁石２５と同じ大きさの円形状または多角形状に所定間隔で配列させてもよい。この場合は、カプス磁場は、ターゲット２１の外周に沿って一様ではなくなる。 As can be seen from the ECR sputtering apparatus 100 according to the present embodiment described above, the present invention corrects the flow of the plasma flow P by disposing the ring-shaped magnet 25 near the outer periphery of the target 21 to form the correction magnetic field MF. It is characterized by doing. Therefore, the present invention is not limited to the above-described embodiment as long as the characteristics are not impaired. For example, in the present embodiment, the correction magnetic field MF is formed on the entire outer periphery of the target 21, but a plurality of small magnets may be arranged in a circular shape or a polygonal shape having the same size as the ring-shaped magnet 25 at a predetermined interval. Good. In this case, the capsule magnetic field is not uniform along the outer periphery of the target 21.

本発明の実施の形態に係るＥＣＲスパッタリング装置の概略を示す全体構成図である。It is a whole lineblock diagram showing the outline of the ECR sputtering device concerning an embodiment of the invention. 図２（ａ）は、図１のＥＣＲスパッタリング装置の主要部を模式的に示す構成図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＩ−Ｉ線で切断した部分断面図である。2A is a configuration diagram schematically showing the main part of the ECR sputtering apparatus of FIG. 1, and FIG. 2B is a partial cross-sectional view taken along the line II of FIG. 2A. is there. 本発明の実施の形態に係るＥＣＲスパッタリング装置を用いて、補正磁場ＭＦが有る場合と無い場合について、ターゲット電流とマイクロ波電力との関係を比較したグラフである。It is the graph which compared the relationship between a target electric current and a microwave electric power about the case where the correction | amendment magnetic field MF exists and the case where it does not exist using the ECR sputtering apparatus which concerns on embodiment of this invention.

Explanation of symbols

１０：プラズマ生成室
１１：誘電体板
１２：電磁コイル
１３：ガス導入部
２０：処理室
２１：ターゲット
２２：基板ホルダー
２５：リング状磁石
１００：ＥＣＲスパッタリング装置
ＭＦ：補正磁場
Ｐ、Ｐ´：プラズマ流
Ｓ：基板
Ｔ：スパッタ粒子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10: Plasma production chamber 11: Dielectric board 12: Electromagnetic coil 13: Gas introduction part 20: Processing chamber 21: Target 22: Substrate holder 25: Ring magnet 100: ECR sputtering apparatus MF: Correction magnetic field P, P ': Plasma Flow S: Substrate T: Sputtered particles

Claims

A plasma generation chamber for generating ECR plasma;
A treatment chamber provided adjacent to the plasma generation chamber and into which the ECR plasma is introduced by a divergent magnetic field;
A target sputtered by ions in the ECR plasma;
Substrate holding means for holding a substrate to be processed on which sputtered particles scattered from the target are deposited to form a film;
An ECR sputtering apparatus comprising: a correction magnetic field generating means for increasing the intensity of the divergent magnetic field in the vicinity of the target and generating a correction magnetic field so that the flow of ECR plasma introduced into the processing chamber approaches the target. .

The ECR sputtering apparatus according to claim 1,
The ECR sputtering apparatus, wherein the correction magnetic field generation unit generates the correction magnetic field so as to combine with the divergent magnetic field to form a cusp magnetic field around the target.

The ECR sputtering apparatus according to claim 1 or 2,
The ECR sputtering apparatus, wherein the correction magnetic field generating means is a ring magnet surrounding the outer peripheral surface of the target.