JP2005290401A - 金属抵抗体材料、スパッタリングターゲットおよび抵抗薄膜 - Google Patents
金属抵抗体材料、スパッタリングターゲットおよび抵抗薄膜 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 Al:5〜15質量%、Si:0.2〜5.0質量%、希土類元素:0.01〜0.5質量%を含み、残部がCrおよびNiからなり、Cr/Ni比が質量で0.75〜1.1である金属抵抗体材料をスパッタリングターゲットに用いて、基板上に抵抗薄膜を成膜し、さらに、該抵抗薄膜に熱処理を行なうことにより、高い高温安定性と良好な抵抗温度特性を有する金属抵抗体材料を得る。
【選択図】 図1
Description
まず、電気ニッケル、電解クロム、アルミニウムメタルショット、金属シリコン、Yメタル塊(試薬)、ランタンメタル(試薬)、セリウムメタル(試薬)、ミッシュメタル(試薬)を原料とし、表1に示す組成となるようにそれぞれ秤量して、真空溶解炉により、約2kgのNi−Cr−Al−Si合金またはNi−Cr−Al−Si−希土類元素合金のインゴットを作製し、金属抵抗体材料とした。
Claims (3)
- Al:5〜15質量%、Si:0.2〜5.0質量%、希土類元素:0.01〜0.5質量%を含み、残部がCrおよびNiからなり、Cr/Ni比が質量で0.75〜1.1である金属抵抗体材料。
- Al:5〜15質量%、Si:0.2〜5.0質量%、希土類元素:0.01〜0.5質量%を含み、残部がCrおよびNiからなり、Cr/Ni比が質量で0.75〜1.1であり、請求項1に記載の金属抵抗体材料を用いた薄膜形成用のスパッタリングターゲット。
- Al:5〜15質量%、Si:0.2〜5.0質量%、希土類元素:0.01〜0.5質量%を含み、残部がCrおよびNiからなり、Cr/Ni比が質量で0.75〜1.1であり、かつ、抵抗温度係数が±15ppm/℃以内の範囲にあり、175℃×2000時間保持した場合の抵抗変化率が0.10%以下であることを特徴とする抵抗薄膜。
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JP4622946B2 (ja) * | 2006-06-29 | 2011-02-02 | 住友金属鉱山株式会社 | 抵抗薄膜材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器およびその製造方法。 |
JP2011119234A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-06-16 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 抵抗体材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器、およびこれらの製造方法。 |
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