JP2005288851A - Transparent gas barrier film, display substrate using the same and display - Google Patents
Transparent gas barrier film, display substrate using the same and display Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005288851A JP2005288851A JP2004106532A JP2004106532A JP2005288851A JP 2005288851 A JP2005288851 A JP 2005288851A JP 2004106532 A JP2004106532 A JP 2004106532A JP 2004106532 A JP2004106532 A JP 2004106532A JP 2005288851 A JP2005288851 A JP 2005288851A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent
- gas barrier
- layer
- inorganic compound
- compound layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 110
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 89
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 86
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 54
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims abstract description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 9
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000004103 aminoalkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 3
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 164
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 20
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 136
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 16
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- -1 silane compound Chemical class 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 4
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910017105 AlOxNy Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000019901 Anxiety disease Diseases 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHDVXKLFZBWKEN-UHFFFAOYSA-N C=C.F.F.F.Cl Chemical compound C=C.F.F.F.Cl CHDVXKLFZBWKEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 229920008285 Poly(ether ketone) PEK Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010303 TiOxNy Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000036506 anxiety Effects 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007720 emulsion polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N fluoroethene Chemical compound FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は、透明ガス遮断性フィルムに関し、さらに詳しくは、フレキシブル性、透明性、耐熱性、耐溶剤性、ガス遮断性および層間密着性に優れた透明ガス遮断性フィルム、並びにそれを用いるディスプレイ基板及びディスプレイに関するものである。主な用途としてディスプレイ用フィルム基板、照明用フィルム基板、太陽電池用フィルム基板、サーキットボード用フィルム基板、電子ペーパー等、従来ガラスを支持基材として利用していたものに代替できる、軽くて割れない、曲げられる支持基材に関する。 The present invention relates to a transparent gas barrier film, and more specifically, a transparent gas barrier film excellent in flexibility, transparency, heat resistance, solvent resistance, gas barrier properties and interlayer adhesion, and a display substrate using the same. And a display. The main applications are light and unbreakable, which can be used to replace conventional glass substrates as supporting substrates such as display film substrates, lighting film substrates, solar cell film substrates, circuit board film substrates, and electronic paper. And a support substrate to be bent.
本明細書において、配合を示す「比」、「部」、「％」などは特に断わらない限り質量基準であり、「／」印は一体的に積層されていることを示す。
また、「遮断性」は「バリア性」、「ＥＬ」は「エレクトロルミネッセンス」、「ＬＣＤ」は「液晶ディスプレイ」、「パネル」は「素子」、及び「（メタ）アクリレ−ト」は「アリレ−ト及びメタアリレ−トの総称」の略語、機能的表現、通称、又は業界用語である。
フィルムとシートのＪＩＳ−Ｋ６９００での定義では、シートとは薄く一般にその厚さが長さと幅の割りには小さい平らな製品をいい、フィルムとは長さ及び幅に比べて厚さが極めて小さく、最大厚さが任意に限定されている薄い平らな製品で、通例、ロールの形で供給されるものをいう。従って、シートの中でも厚さの特に薄いものがフィルムであるといえるが、シートとフィルムの境界は定かではなく、明確に区別しにくいので、本明細書ではシートとフィルムの両方を含めて「フィルム」と定義する。
In the present specification, “ratio”, “part”, “%” and the like indicating the composition are based on mass unless otherwise specified, and the “/” mark indicates that they are integrally laminated.
In addition, “barrier” is “barrier”, “EL” is “electroluminescence”, “LCD” is “liquid crystal display”, “panel” is “element”, and “(meth) acrylate” is “aryre”. Abbreviations, functional expressions, common names, or industry terms.
According to the definition of film and sheet in JIS-K6900, a sheet is thin and generally refers to a flat product whose thickness is small relative to the length and width, and the film is extremely small compared to the length and width. , A thin flat product with an arbitrarily limited maximum thickness, usually supplied in the form of a roll. Therefore, it can be said that a sheet having a particularly thin thickness is a film, but the boundary between the sheet and the film is not clear and is difficult to distinguish clearly. Therefore, in this specification, the term “film” includes both the sheet and the film. Is defined.
（背景技術）ディスプレイ用、照明用、太陽電池用、サーキットボード用などの電子デバイスの分野における基板としては、ガス遮断（ガスバリア）性、フレキシブル性、透明性、耐熱性、耐溶剤性、層間密着性など多くの過酷な物性が求めれている。
このために、電子デバイス用基板としては、従来、Ｓｉウエハやガラスなどの無機材料の基板しか使用することができなかった。ところが、近年、製品の軽量化、基板のフレキシブル化、低コスト化、ハンドリング特性などを有し、軽くて、割れず、曲げられるような高分子材料の基板（以下、高分子基板という）が望まれ、従来のディスプレイを構成していたガラス基板に代わって、合成樹脂シート、もしくは合成樹脂フィルムを用いることが検討されている。特に、有機ＥＬやフィルム液晶といったディスプレイ用途では、透明かつ耐熱性を有した高分子基板が望まれている。しかしながら、高分子基板は、ガラスなどの無機材料からなる基板と比較した場合、一般的にガスの透過性が著しく大きい。このため、高分子基板を用いた電子デバイスは、電子デバイス内の必要な真空度を維持できないため、気体が高分子基板を透過して電子デバイス内に侵入、拡散した酸素によりデバイスが酸化して劣化してしまう等の問題があり、ディスプレイの寿命を伸ばす目的で、外界からの酸素や水蒸気の超遮断性が求められている。
そこで、ガス遮断性に優れ、軽く、割れず、曲げられ、かつガラス基板に代替できるトータルな物性を有する高分子基板に使用することのできる透明ガス遮断性フィルムは、フレキシブル性、透明性、耐熱性、耐溶剤性及び層間密着性や、特に、水蒸気や酸素などのガス遮断性など多くの過酷な物性がが求められている。
(Background) Substrates in the field of electronic devices such as displays, lighting, solar cells, circuit boards, etc. include gas barrier properties, flexibility, transparency, heat resistance, solvent resistance, and interlayer adhesion. Many harsh physical properties are required.
For this reason, conventionally, only a substrate made of an inorganic material such as a Si wafer or glass could be used as the electronic device substrate. However, in recent years, a substrate made of a polymer material (hereinafter referred to as a polymer substrate) that has a light weight, a flexible substrate, low cost, handling characteristics, etc. and is light, does not crack, and can be bent is desired. In rare cases, the use of a synthetic resin sheet or a synthetic resin film in place of a glass substrate constituting a conventional display has been studied. In particular, for display applications such as organic EL and film liquid crystal, a transparent and heat-resistant polymer substrate is desired. However, the polymer substrate generally has a significantly high gas permeability when compared with a substrate made of an inorganic material such as glass. For this reason, an electronic device using a polymer substrate cannot maintain the required degree of vacuum in the electronic device, so that gas penetrates the polymer substrate and enters the electronic device, and the device is oxidized by the diffused oxygen. There is a problem such as deterioration, and for the purpose of extending the life of the display, a super barrier property of oxygen and water vapor from the outside is required.
Therefore, a transparent gas barrier film that has excellent gas barrier properties, is light, does not crack, is bent, and can be used for polymer substrates with total physical properties that can be replaced by glass substrates is flexible, transparent, heat resistant Many harsh physical properties such as properties, solvent resistance and interlayer adhesion, and particularly gas barrier properties such as water vapor and oxygen are required.
（先行技術）従来、有機エレクトロルミネッセンス素子の基板として透明樹脂フィルムが知られている（例えば、特許文献１〜２参照。）。しかしながら、これらの有機ＥＬ素子の場合は、透明樹脂フィルムを透過して有機ＥＬ素子内に侵入する酸素や水蒸気により有機膜が劣化してしまうため、発光特性が不十分となり、また、耐久性に不安がある、等の問題が指摘されている。すなわち、ディスプレイ等の電子デバイスの分野において十分なガス遮断性を有し、そのガス遮断性によりガス遮断対象物の良好な品質を確保することが可能な、高度なガス遮断性能を備えた透明樹脂フィルムは確立されていない。
また、これらの欠点を克服するため、透明性耐熱性基材上にスパッタ法を用いてガス遮断層を形成するものが知られている（例えば、特許文献３参照。）。しかしながら、その実施例に記載されているように酸素透過度が１ｃｍ3／ｍ2 程度の低いガス遮断性しか得ることはできない。
さらにまた、樹脂フィルムとガス遮断層の密着性を改善するために、接着層を狭持させているものが知られている（例えば、特許文献４参照。）。しかしながら、が、樹脂フィルム表面に存在する突起に起因するガス遮断層におけるピンホ−ルの抑制については考慮されていない。そのため、該公報の実施例には水蒸気透過度が０．１ｇ／ｍ2 と未だ電子デバイス用途のガス遮断性フィルムには不十分なガス遮断性であるという欠点がある。
さらにまた、シラン化合物成分に加え、１種以上の重合性単量体を水中で乳化重合して得られた水分散重合体をガス遮断性層とするものが知られている（例えば、特許文献５〜６参照。）。しかしながら、酸素透過度の抑制については記載されているが、水蒸気透過度の具体的な数値については言及されていない。
(Prior Art) Conventionally, a transparent resin film is known as a substrate of an organic electroluminescence element (for example, see Patent Documents 1 and 2). However, in the case of these organic EL elements, the organic film deteriorates due to oxygen or water vapor that permeates the organic EL element through the transparent resin film, resulting in insufficient light emission characteristics and durability. Problems such as anxiety have been pointed out. That is, a transparent resin having a high gas barrier property that has a sufficient gas barrier property in the field of electronic devices such as displays and can ensure a good quality of the gas barrier target due to the gas barrier property. The film has not been established.
In addition, in order to overcome these drawbacks, there is known a method in which a gas barrier layer is formed on a transparent heat-resistant substrate using a sputtering method (for example, see Patent Document 3). However, as described in the examples, only a low gas barrier property with an oxygen permeability of about 1 cm 3 / m 2 can be obtained.
Furthermore, in order to improve the adhesion between the resin film and the gas barrier layer, there is known one in which an adhesive layer is sandwiched (see, for example, Patent Document 4). However, no consideration is given to the suppression of pinholes in the gas barrier layer due to protrusions present on the surface of the resin film. For this reason, the examples of the publication have a disadvantage that the water vapor permeability is 0.1 g / m 2, which is still insufficient for the gas barrier film for electronic devices.
Furthermore, in addition to the silane compound component, there are known those in which a water-dispersed polymer obtained by emulsion polymerization of one or more polymerizable monomers in water is used as a gas barrier layer (for example, Patent Documents). See 5-6.) However, although suppression of oxygen permeability is described, no specific numerical value of water vapor permeability is mentioned.
そこで、本発明はこのような問題点を解消するためになされたものである。
その目的は、透明樹脂基材フィルムに第１透明無機化合物層、ゾルゲルコート層、第２透明無機化合物層を順次積層することにより、超高度にガス遮断性を有する透明フィルムを提供する、さらに透明樹脂基材フィルムの耐熱温度（線膨張係数、ガラス転移温度Ｔｇ）と、ゾルゲルコート層の材料を指定することにより、高度に耐熱性を有したフレキシブルな透明ガス遮断性フィルムを提供することである。
Accordingly, the present invention has been made to solve such problems.
The purpose is to provide a transparent film having an extremely high gas barrier property by sequentially laminating a first transparent inorganic compound layer, a sol-gel coat layer, and a second transparent inorganic compound layer on a transparent resin substrate film. By specifying the heat resistance temperature (linear expansion coefficient, glass transition temperature Tg) of the resin base film and the material of the sol-gel coating layer, it is to provide a flexible transparent gas barrier film having high heat resistance. .
上記の課題を解決するために、
請求項１の発明に係わる透明ガス遮断性フィルムは、線膨張係数が１５〜１００ｐｐｍ／Ｋで、かつガラス転移温度Ｔｇが１５０〜３００℃の透明樹脂基材フィルムと、該透明樹脂基材フィルムの少なくとも一方の面に、第１透明無機化合物層が形成され、該第１透明無機化合物層の面にゾルゲルコート層、該ゾルゲルコート層の面に第２透明無機化合物層が順次形成された透明ガス遮断性フィルムにおいて、第２透明無機化合物層のＲａ（平均粗さ）が５ｎｍ以下、かつＲｍａｘ（最大粗さ）が８０ｎｍ以下となるように、したものである。
請求項２の発明に係わる透明ガス遮断性フィルムは、上記第１透明無機化合物層及び／又は第２透明無機化合物層が、酸化珪素、窒化珪素、炭化珪素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化インジウム、およびこれらの化合物を主成分とした複合体から選ばれたものであり、前記第１透明無機化合物層及び／又は第２透明無機化合物層がガス遮断性の層であるように、したものである。
請求項３の発明に係わる透明ガス遮断性フィルムは、上記ゾルゲルコート層の材料がアミノアルキルジアルコキシシラン、アミノアルキルトリアルコキシシラン、およびこれらの化合物を主成分とした複合体から選ばれたものであり、上記ゾルゲルコート層が前記複合体の加水分解を主とする化学反応により得られた反応生成物であり、該ゾルゲルコート層が表面平坦化機能の層であるように、したものである。
請求項４の発明に係わる透明ガス遮断性フィルムは、上記第１無機化合物側とは反対側の透明樹脂基材フィルムの表面に、透明無機化合物の層及びゾルゲルコート層を、透明ガス遮断性フィルム全体として応力を相殺するように、形成するように、したものである。
請求項５の発明に係わるディスプレイ基板は、請求項１〜４のいずれかに記載の透明ガスバリアフィルムが、ディスプレイ基板の少なくとも一方の面に積層されているように、したものである。
請求項６の発明に係わるディスプレイは、請求項５に記載のディスプレイ基板がディスプレイパネルの少なくとも観察側の基板を構成し、ディスプレイパネルが液晶ディスプレイパネル又は有機ＥＬパネルであるように、したものである。
To solve the above problem,
The transparent gas barrier film according to the invention of claim 1 is a transparent resin substrate film having a linear expansion coefficient of 15 to 100 ppm / K and a glass transition temperature Tg of 150 to 300 ° C., and the transparent resin substrate film. A transparent gas in which a first transparent inorganic compound layer is formed on at least one surface, a sol-gel coat layer is formed on the surface of the first transparent inorganic compound layer, and a second transparent inorganic compound layer is formed on the surface of the sol-gel coat layer. In the barrier film, Ra (average roughness) of the second transparent inorganic compound layer is 5 nm or less and Rmax (maximum roughness) is 80 nm or less.
In the transparent gas barrier film according to the invention of claim 2, the first transparent inorganic compound layer and / or the second transparent inorganic compound layer is composed of silicon oxide, silicon nitride, silicon carbide, aluminum oxide, magnesium oxide, indium oxide, And a composite composed mainly of these compounds, wherein the first transparent inorganic compound layer and / or the second transparent inorganic compound layer is a gas barrier layer. .
The transparent gas barrier film according to the invention of claim 3 is such that the material of the sol-gel coat layer is selected from aminoalkyl dialkoxysilane, aminoalkyltrialkoxysilane, and a composite mainly composed of these compounds. The sol-gel coat layer is a reaction product obtained by a chemical reaction mainly including hydrolysis of the composite, and the sol-gel coat layer is a layer having a surface flattening function.
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a transparent gas barrier film comprising a transparent inorganic compound layer and a sol-gel coat layer on the surface of a transparent resin substrate film opposite to the first inorganic compound side. It is formed so as to cancel the stress as a whole.
A display substrate according to a fifth aspect of the invention is such that the transparent gas barrier film according to any one of the first to fourth aspects is laminated on at least one surface of the display substrate.
A display according to the invention of claim 6 is such that the display substrate according to claim 5 constitutes at least the substrate on the observation side of the display panel, and the display panel is a liquid crystal display panel or an organic EL panel. .
（発明のポイント）本発明者は、高度なガス遮断性を有する透明ガス遮断性フィルムについて鋭意検討したところ、透明樹脂フィルムを基材フィルムとして採用した透明ガス遮断性フィルムの低いガス遮断性の原因には、次の点が考えられることに着目した。即ち、一般に樹脂フィルム等の高分子の表面はＲａ（平均粗さ）が２ｎｍ以上、Ｒｍａｘ（最大高低差）が８０ｎｍ以上であり、所々に５００ｎｍ（０．５μｍ）程度の高さの突起が生じており、微視的にみれば荒れた状態になっている。このような樹脂フィルム上に膜厚が２０ｎｍ程度の薄膜のガス遮断層を形成した場合、樹脂フィルム表面に存在する突起によりガス遮断層にピンホ−ルが発生し、それによりガス遮断性能を劣化させることが原因として考えられる点に着目し、本発明に至った。 (Points of the Invention) The present inventors diligently studied a transparent gas barrier film having a high gas barrier property, and found that the transparent gas barrier film adopting a transparent resin film as a base film causes a low gas barrier property. We focused on the following points. That is, in general, the surface of a polymer such as a resin film has Ra (average roughness) of 2 nm or more, Rmax (maximum height difference) of 80 nm or more, and protrusions having a height of about 500 nm (0.5 μm) are generated in some places. It is in a rough state when viewed microscopically. When a thin gas barrier layer having a thickness of about 20 nm is formed on such a resin film, pinholes are generated in the gas barrier layer due to protrusions existing on the surface of the resin film, thereby deteriorating the gas barrier performance. Focusing on the point that this is considered as a cause, the present invention has been achieved.
請求項１〜３の本発明によれば、透明樹脂基材フィルムに第１透明無機化合物層、ゾルゲルコート層、第２透明無機化合物層を順次積層することにより、超高度にガス遮断性を有し、基材の耐熱温度（線膨張係数）とゾルゲルの材料を指定することにより、高度に耐熱性を有したフレキシブルで、ガラス基板に代替できる透明ガス遮断性フィルムが提供される。
請求項４の本発明によれば、上記第１無機化合物側とは反対側の透明樹脂基材フィルムの面に、第３の透明無機化合物の層及び第２のゾルゲルコート層を形成することで、全体として応力が相殺されているので、製造作業では割れにくく、実使用にあたっては耐久性に優れた透明ガス遮断性フィルムが提供される。
請求項５の本発明によれば、フレキシブル性、透明性、耐熱性、耐溶剤性、層間密着性、特にガスバリア性に極めて優れ、ガラス基板に代替できるディスプレイ基板が提供される。
請求項６の本発明によれば、軽く、割れず、曲げられるディスプレイが提供される。
According to the first to third aspects of the present invention, the first transparent inorganic compound layer, the sol-gel coat layer, and the second transparent inorganic compound layer are sequentially laminated on the transparent resin base film, thereby having an extremely high gas barrier property. By specifying the heat resistant temperature (linear expansion coefficient) of the base material and the sol-gel material, a transparent gas barrier film that is highly heat resistant and can be substituted for a glass substrate is provided.
According to the fourth aspect of the present invention, the third transparent inorganic compound layer and the second sol-gel coat layer are formed on the surface of the transparent resin substrate film opposite to the first inorganic compound side. Since the stress is offset as a whole, a transparent gas barrier film that is difficult to break in manufacturing operations and excellent in durability in actual use is provided.
According to the present invention of claim 5, there is provided a display substrate that is extremely excellent in flexibility, transparency, heat resistance, solvent resistance, interlayer adhesion, particularly gas barrier properties, and can be substituted for a glass substrate.
According to the present invention of claim 6, there is provided a display that is light, not broken, and bent.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら、詳細に説明する。
図１は、本発明の透明ガス遮断性フィルムの１実施例を示す断面図である。
図２は、本発明の透明ガス遮断性フィルムの１実施例を示す断面図である。
図３は、本発明の透明ガス遮断性フィルムを用いたディスプレイ基板を示す断面図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing one embodiment of the transparent gas barrier film of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing one embodiment of the transparent gas barrier film of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a display substrate using the transparent gas barrier film of the present invention.
（物の発明）本発明の透明ガス遮断性フィルム１０は、透明樹脂基材フィルム１１と、該透明樹脂基材フィルム１１の少なくとも一方の面へ、第１透明無機化合物層１３Ａ、ゾルゲルコート層１５及び第２透明無機化合物層１３Ｂが順次形成され、即ち、透明樹脂基材フィルム１１／第１透明無機化合物層１３Ａ／ゾルゲルコート層１５／第２透明無機化合物層１３Ｂの層構成である。
また、応力を相殺するように、表裏が対称又は対称に近い層構成とすることが好ましい。即ち、（近似対称）第２ゾルゲルコート層１５Ｂ／第３透明無機化合物層１３Ｃ／透明樹脂基材フィルム１１／第１透明無機化合物層１３Ａ／ゾルゲルコート層１５／第２透明無機化合物層１３Ｂ、（表裏対称）第４透明無機化合物層１３Ｄ／第２ゾルゲルコート層１５Ｂ／第３透明無機化合物層１３Ｃ／透明樹脂基材フィルム１１／第１透明無機化合物層１３Ａ／ゾルゲルコート層１５／第２透明無機化合物層１３Ｂ、などの層構成である。
ここで、透明樹脂基材フィルム１１の線膨張係数が１５〜１００ｐｐｍ／Ｋで、Ｔｇが１５０〜３００℃で、第２透明無機化合物層の表面粗さＲａが５ｎｍ以下、かつＲｍａｘ（最大粗さ）が８０ｎｍ以下とし、なお、光線透過率としては８０％以上が好ましい。
(Invention of product) The transparent
Moreover, it is preferable that the front and back be symmetrical or close to symmetrical so as to cancel the stress. That is, (approximate symmetry) second sol-gel coat layer 15B / third transparent inorganic compound layer 13C / transparent resin substrate film 11 / first transparent inorganic compound layer 13A / sol-gel coat layer 15 / second transparent inorganic compound layer 13B ( Front / back symmetry) Fourth transparent inorganic compound layer 13D / second sol-gel coat layer 15B / third transparent inorganic compound layer 13C / transparent resin substrate film 11 / first transparent inorganic compound layer 13A / sol-gel coat layer 15 / second transparent inorganic It is a layer structure such as a compound layer 13B.
Here, the linear expansion coefficient of the transparent resin base film 11 is 15 to 100 ppm / K, the Tg is 150 to 300 ° C., the surface roughness Ra of the second transparent inorganic compound layer is 5 nm or less, and Rmax (maximum roughness) ) Is 80 nm or less, and the light transmittance is preferably 80% or more.
（透明樹脂基材フィルム）本発明の透明ガス遮断性フィルム１０は、透明樹脂基材フィルム１１として、線膨張係数が１５ｐｐｍ／Ｋ以上１００ｐｐｍ／Ｋ以下で、かつＴｇが１５０℃以上、３００℃以下の透明樹脂基材フィルムが使用される。該透明樹脂基材フィルム１１は、電子部品用途、ディスプレイ用積層フィルムとしての必要条件を満たしている。即ち、これらの用途に本発明の透明ガス遮断性フィルム１０を用いる場合、透明ガス遮断性フィルム１０は、１５０℃以上の工程に曝されることがある。この場合、透明ガス遮断性フィルム１０における透明樹脂基材フィルム１１の線膨張係数が１００ｐｐｍ／Ｋを超えると、透明ガス遮断性フィルム１０を前記温度の工程に流す際に基板寸法が安定せず、熱膨張および収縮に伴い、遮断性性能が劣化する不都合や、或いは、熱工程に耐えられないという不具合が生じやすくなる。１５ｐｐｍ／Ｋ以下では、フィルムがガラスのように割れてしまいフレキシビリティが劣化する。
(Transparent resin base film) The transparent
本発明で使用される透明樹脂基材フィルム１１は、Ｔｇが１５０℃以上３００℃以下であることを特徴とする。１５０℃以下ではガス遮断性フィルムを前記温度の工程に流す際に基板寸法が安定せず、熱膨張および収縮に伴い、遮断性性能が劣化する不都合や、或いは、熱工程に耐えられないという不具合が生じやすくなる。３００℃以上ではフィルムがガラスのように割れやすくなりフレキシビリティが劣化する。またＴｇが存在しない透明樹脂基材フィルム１１に関しては、線膨張係数がフレキシビリティに与える効果が大きいため問うに値しない。 The transparent resin base film 11 used in the present invention is characterized in that Tg is 150 ° C. or higher and 300 ° C. or lower. Below 150 ° C, the substrate dimensions are not stable when the gas barrier film is allowed to flow through the process at the above temperature, and the disadvantage that the barrier performance deteriorates due to thermal expansion and contraction, or the problem that the thermal process cannot withstand. Is likely to occur. Above 300 ° C., the film is easily broken like glass and the flexibility is deteriorated. Further, the transparent resin base film 11 having no Tg is not worthy of question because the effect of the linear expansion coefficient on the flexibility is great.
本発明で使用する透明樹脂基材フィルム１１の材料としては、ポリ（メタ）アリレート（ＰＡＲ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、環状ポリオレフィン共重合体であるポリノルボルネン、環状ポリオレフィン樹脂、ポリシクロヘキセン、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリシロキサン系、エチレン−四フッ化エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、三フッ化塩化エチレン（ＰＦＡ）、四フッ化エチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＦＥＰ）、フッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、フッ化ビニル（ＰＶＦ）、パーフルオロエチレン−パーフロロプロピレン−パーフロロビニルエーテル−共重合体（ＥＰＡ）等のフッ素系樹脂等を挙げることができる。
好ましい環状ポリオレフィンとしては、シクロオレフィンポリマー（日本ゼオン（株）製、商品名；「ゼオノア」）、ノルボルネン系樹脂（ＪＳＲ（株）製、商品名：「アートン」）などが例示できる。さらに好ましくは、特開平１１−２２２５０８号公報に示されるシクロアルキル骨格を有した（メタ）アクリレ−ト化合物及びその誘導体を含む樹脂組成物を挙げることができる。
As a material of the transparent resin base film 11 used in the present invention, poly (meth) arylate (PAR), polyimide (PI), polyamideimide (PAI), polyethersulfone (PES), polycarbonate (PC), cyclic Polyolefin, polynorbornene, cyclic polyolefin resin, polycyclohexene, polyetherketone (PEK), polyetheretherketone (PEEK), polyetherimide (PEI), polysiloxane, ethylene-tetrafluoroethylene copolymer Copolymer (ETFE), ethylene trifluoride chloride (PFA), tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (FEP), vinylidene fluoride (PVDF), vinyl fluoride (PVF), perfluoroethylene-perfluoro Propylene-perflo Vinyl - can be mentioned fluorine-based resin such as copolymer (EPA).
Examples of preferable cyclic polyolefin include cycloolefin polymer (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., trade name: “Zeonor”), norbornene resin (manufactured by JSR Corporation, trade name: “Arton”) and the like. More preferable examples include a resin composition containing a (meth) acrylate compound having a cycloalkyl skeleton and a derivative thereof described in JP-A-11-222508.
また、透明樹脂基材フィルム１１の材料としては、樹脂を主体とするものでもよく、例えば、ポリエポキシド含浸ガラスクロスのような、強化材へ樹脂含浸したものも含む、この場合のＴｇは含浸樹脂のＴｇである。 Further, the material of the transparent resin base film 11 may be a resin-based material, for example, a resin material impregnated into a reinforcing material such as a polyepoxide-impregnated glass cloth. Tg.
（第１透明無機化合物層）第１透明無機化合物層１３Ａを設ける目的は、透明ガス遮断性フィルム１０における、水蒸気の透過や酸素の透過を遮断する機能に加え、その上に形成されるゾルゲルコート層１５、第２透明無機化合物層１３Ｂの積層体の応力による膜剥がれを防止させるために、透明樹脂基材フィルム１１との間に挟持させ強固に密着させるための層である。また基材からの脱ガスを防止させるための層でもある。
また、第２透明無機化合物１３Ｂなどの薄膜は高真空条件下で成膜するので、高真空下で透明樹脂基材フィルム１１からの脱ガスすると、成膜が阻害され、緻密な膜が成膜できないので、脱ガスを防止し、安定した成膜をすることができる。
(First Transparent Inorganic Compound Layer) The purpose of providing the first transparent inorganic compound layer 13A is the sol-gel coat formed on the transparent
In addition, since the thin film such as the second transparent inorganic compound 13B is formed under a high vacuum condition, if the degassing from the transparent resin base film 11 is performed under a high vacuum, the film formation is inhibited and a dense film is formed. Therefore, degassing can be prevented and stable film formation can be performed.
第１透明無機化合物層１３Ａとしては、ガスバリア性を有するもの、例えば酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化インジウム、酸化カルシウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ホウ素、酸化ハフニウム、酸化バリウム等の酸化物；窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化マグネシウム等の窒化物；炭化珪素等の炭化物、硫化物等が適用できる。
また、それらから選ばれた二種以上の複合体である、酸化窒化物や、さらに炭素を含有してなる酸化炭化物層、無機窒化炭化物層、無機酸化窒化炭化物等も適用できる。
即ち、無機酸化物（ＭＯｘ）、無機窒化物（ＭＮｙ）、無機炭化物（ＭＣｚ）、無機酸化炭化物（ＭＯｘＣｚ）、無機窒化炭化物（ＭＮｙＣｚ）、無機酸化窒化物（ＭＯｘＮｙ）、無機酸化窒化炭化物（ＭＯｘＮｙＣｚ）で、好ましいＭは、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉなどの金属元素である。
As the first transparent inorganic compound layer 13A, those having gas barrier properties, for example, oxides such as silicon oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, indium oxide, calcium oxide, zirconium oxide, titanium oxide, boron oxide, hafnium oxide, barium oxide, etc. A nitride such as silicon nitride, aluminum nitride, boron nitride, and magnesium nitride; a carbide such as silicon carbide, a sulfide, and the like are applicable.
Further, an oxynitride, an oxycarbide layer further containing carbon, an inorganic nitride carbide layer, an inorganic oxynitride carbide, or the like, which is a composite of two or more selected from them, can also be applied.
That is, inorganic oxide (MOx), inorganic nitride (MNy), inorganic carbide (MCz), inorganic oxide carbide (MOxCz), inorganic nitride carbide (MNyCz), inorganic oxynitride (MOxNy), inorganic oxynitride carbide (MOxNyCz) And M is preferably a metal element such as Si, Al, Ti.
（無機酸化窒化物膜）該無機酸化窒化物膜としては、基本的に金属の酸化窒化物を蒸着した薄膜であれば使用可能であり、例えば、ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、カリウム（Ｋ）、スズ（Ｓｎ）、ナトリウム（Ｎａ）、ホウ素（Ｂ）、チタン（Ｔｉ）、鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、イットリウム（Ｙ）等の金属の酸化窒化物の無機酸化窒化物膜を使用することができ、好ましくは、ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）等の金属の酸化窒化物である。無機酸化窒化物膜は、ケイ素酸化窒化物、アルミニウム酸化窒化物、チタン酸化窒化物等のように金属酸化窒化物として呼ぶことができ、その表記は、例えば、ＳｉＯｘＮｙ、ＡｌＯｘＮｙ、ＴｉＯｘＮｙ等のようにＭＯｘＮｙ（ただし、式中、Ｍは、金属元素を表し、Ｘ及びｙの値は、金属元素によってそれぞれ範囲がことなる。）で表される。また、上記のｘ及びｙの値の範囲としては、ケイ素（Ｓｉ）はｘ＝１．０〜２．０、ｙ＝０．１〜１．３、アルミニウム（Ａｌ）はｘ＝０．５〜１．０、ｙ＝０．１〜１．０、マグネシウム（Ｍｇ）はｘ＝０．１〜１．０、ｙ＝０．１〜０．６、カルシウム（Ｃａ）はｘ＝０．１〜１．０、ｙ＝０．１〜０．５、カリウム（Ｋ）はｘ＝０．１〜０．５、ｙ＝０．１〜０．２、スズ（Ｓｎ）はｘ＝０．１〜２．０、ｙ＝０．１〜１．３、ナトリウム（Ｎａ）はｘ＝０．１〜０．５、ｙ＝０．１〜０．２、ホウ素（Ｂ）はｘ＝０．１〜１．０、ｙ＝０．１〜０．５、チタン（Ｔｉ）はｘ＝０．１〜２．０、ｙ＝０．１〜１．３、鉛（Ｐｂ）はｘ＝０．１〜１．０、ｙ＝０．１〜０．５、ジルコニウム（Ｚｒ）はｘ＝０．１〜２．０、ｙ＝０．１〜１．０、イットリウム（Ｙ）はｘ＝０．１〜１．５、ｙ＝０．１〜１．０の範囲の値をとることができる。なお、上記式において、ｘ＝０の場合は完全な金属であり、透明ではなく使用することができない、好ましい本発明の金属窒化物としては、ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、スズ（Ｓｎ）の酸化物が好ましく、ｘ及びｙの値としては、例えばケイ素（Ｓｉ）であればｘ＝１．０〜２．０、ｙ＝０．１〜１．３、アルミニウム（Ａｌ）であればｘ＝０．５〜１．０、ｙ＝０．１〜１．０、チタン（Ｔｉ）であればｘ＝１．０〜２．０、ｙ＝０．１〜１．３の範囲のものを使用することができる。 (Inorganic oxynitride film) As the inorganic oxynitride film, a thin film in which a metal oxynitride is basically deposited can be used. For example, silicon (Si), aluminum (Al), magnesium ( Metals such as Mg), calcium (Ca), potassium (K), tin (Sn), sodium (Na), boron (B), titanium (Ti), lead (Pb), zirconium (Zr), yttrium (Y) An inorganic oxynitride film of oxynitride can be used, and a metal oxynitride such as silicon (Si), aluminum (Al), titanium (Ti), or the like is preferable. The inorganic oxynitride film can be referred to as a metal oxynitride such as silicon oxynitride, aluminum oxynitride, titanium oxynitride, etc., and its notation is, for example, SiOxNy, AlOxNy, TiOxNy, etc. MOxNy (where, M represents a metal element, and the values of X and y are different depending on the metal element). Moreover, as a range of said value of x and y, silicon (Si) x = 1.0-2.0, y = 0.1-1.3, aluminum (Al) x = 0.5- 1.0, y = 0.1-1.0, magnesium (Mg) is x = 0.1-1.0, y = 0.1-0.6, calcium (Ca) is x = 0.1 1.0, y = 0.1-0.5, potassium (K) is x = 0.1-0.5, y = 0.1-0.2, tin (Sn) is x = 0.1 2.0, y = 0.1 to 1.3, sodium (Na) x = 0.1 to 0.5, y = 0.1 to 0.2, boron (B) x = 0.1 1.0, y = 0.1-0.5, titanium (Ti) x = 0.1-2.0, y = 0.1-1.3, lead (Pb) x = 0.1 1.0, y = 0.1 to 0.5, zirconium (Zr) is x = 0.1 to 2.0, y = 0.1 .0, yttrium (Y) may have a value in the range of x = 0.1~1.5, y = 0.1~1.0. In the above formula, when x = 0, it is a complete metal and is not transparent and cannot be used. Preferred metal nitrides of the present invention include silicon (Si), aluminum (Al), titanium (Ti ) And tin (Sn) oxides are preferred, and the values of x and y are, for example, silicon (Si) x = 1.0 to 2.0, y = 0.1 to 1.3, aluminum ( Al) for x = 0.5 to 1.0, y = 0.1 to 1.0, and titanium (Ti) for x = 1.0 to 2.0, y = 0.1 to 1. Those in the range of 3 can be used.
なかでも、酸化珪素からなる膜は、透明性の高いガス遮断性性を発揮し、一方、窒化珪素はさらに高いガス遮断性を発揮するので好ましく用いられる。特に好ましくは、酸化珪素と窒化珪素の複合体が好ましく、酸化珪素の含有量が多いと透明性が増し、窒化珪素の含有量が多いとガス遮断性性が増大する。 Among these, a film made of silicon oxide is preferably used because it exhibits highly transparent gas barrier properties, while silicon nitride exhibits even higher gas barrier properties. Particularly preferably, a composite of silicon oxide and silicon nitride is preferable. When the content of silicon oxide is large, the transparency is increased, and when the content of silicon nitride is large, the gas barrier property is increased.
透明無機化合物層１３Ａは、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の方法や、熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法を適用して形成される。これらの方法は、基材や透明無機化合物層１３Ａ（機能的には平坦化のための平坦化促進層である）の種類、成膜材料の種類、成膜のし易さ、工程効率等を考慮して選択される。 The transparent inorganic compound layer 13A is formed by applying a method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a thermal CVD method or a plasma CVD method. These methods include the type of base material and transparent inorganic compound layer 13A (functionally a flattening promoting layer for flattening), the type of film forming material, the ease of film forming, the process efficiency, etc. Selected in consideration.
透明無機化合物層１３Ａは、その厚さは、１０〜５００ｎｍが望ましい。１０ｎｍ未満では、ディスプレイ用基板としてのガス遮断性が十分でなく、５００ｎｍを超えると、それ自身の応力が大きくなり、フレキシビリティが損なわれる。また異常粒成長から突起が形成されＲｍａｘが増加する傾向があるので好ましくない。 The thickness of the transparent inorganic compound layer 13A is preferably 10 to 500 nm. If it is less than 10 nm, the gas barrier property as a display substrate is not sufficient, and if it exceeds 500 nm, its own stress increases and flexibility is impaired. Further, it is not preferable because protrusions are formed due to abnormal grain growth and Rmax tends to increase.
（ゾルゲルコート層）ゾルゲルコート層１５は、第１透明無機化合物層１３Ａの面に形成され、表面のＲａおよびＲｍａｘを、さらに低下させるための層である。それは塗布、乾燥工程により水もしくは親水性溶剤により加水分解、反応し形成された皮膜である。
第１透明無機化合物層１３Ａ、及びゾルゲルコート層１５は、機能的にみると平坦化機能であり、特に両者の層構成とすることで、無機化合物層との親和性、濡れ性がよいため、孔、凹部、及びクラック（割れ）などの欠陥を埋め、覆い、塞ぐことができる。またレベリング性がよいために、欠陥を埋めて覆い、乾燥後の表面は平滑となる。この親和性とレベリング性の相乗効果で超平坦化機能を発揮する。
測定値では、Ｒａ（平均粗さ）が５ｎｍ以下、かつＲｍａｘ（最大粗さ）が８０ｎｍ以下の範囲に平坦化され、得られる透明ガス遮断性フィルム１０において高度なガス遮断性を発揮できる。中心線平均粗さＲａの下限は特にないが、実用上、０．０１ｎｍ以上である。このために得られた透明ガス遮断性フィルム１０は超高度なガス遮断性を発揮できるのである。
従来、透明樹脂基材フィルム１１の両面、少なくとも、第１透明無機化合物層１３Ａを設ける側を研摩し、平滑性を向上させておく方法もあるが、該方法の欠点である研摩工程の増加も、本発明によれば解消することができる。
(Sol-gel coat layer) The sol-gel coat layer 15 is formed on the surface of the first transparent inorganic compound layer 13A, and is a layer for further reducing the surface Ra and Rmax. It is a film formed by hydrolysis and reaction with water or a hydrophilic solvent in a coating and drying process.
Since the first transparent inorganic compound layer 13A and the sol-gel coat layer 15 are functionally flattening functions, particularly by having both layer configurations, affinity with the inorganic compound layer and wettability are good. Defects such as holes, recesses, and cracks can be filled, covered, and closed. Moreover, since leveling property is good, it fills and covers a defect, and the surface after drying becomes smooth. The synergistic effect of this affinity and leveling properties provides a super flattening function.
As measured values, Ra (average roughness) is flattened to a range of 5 nm or less and Rmax (maximum roughness) is 80 nm or less, and the resulting transparent
Conventionally, there is a method of polishing both surfaces of the transparent resin base film 11, at least the side on which the first transparent inorganic compound layer 13 </ b> A is provided, to improve smoothness, but there is also an increase in the polishing step which is a drawback of the method. According to the present invention, this can be solved.
ゾルゲルコート層１５の形成には、たとえば、乾式法（スパッタ法、イオンプレ−ティング法、ＣＶＤ法等）、あるいは湿式法（スピンコート法、ロールコート法、キャスト法）等の公知の方法により形成することができる。
その中でも、透明ゾルゲルコート層１５（平坦化層）を形成する材料に、例えば、アミノアルキルジアルコキシシラン、もしくはアミノアルキルトリアルコキシシラン等が好適に使用でき、これらの材料を用いてウェットコーティング法により平坦化層を形成できる。その際には、これらの材料および架橋性化合物を原料とする塗料組成物を、第１透明無機化合物層１３Ａ面に塗工、乾燥することで、加水分解を主とする化学反応により得られた反応生成物で、加水分解、縮合と、架橋性化合物による架橋とによるゾルゲル反応が進行し、架橋構造を有するポリシロキサンの塗膜が得られる。
The sol-gel coating layer 15 is formed by a known method such as a dry method (sputtering method, ion plating method, CVD method, etc.) or a wet method (spin coating method, roll coating method, casting method). be able to.
Among them, for example, aminoalkyl dialkoxysilane or aminoalkyltrialkoxysilane can be suitably used as a material for forming the transparent sol-gel coat layer 15 (flattening layer), and these materials are used by a wet coating method. A planarization layer can be formed. In that case, the coating composition which uses these materials and a crosslinkable compound as a raw material was obtained by a chemical reaction mainly consisting of hydrolysis by coating and drying the surface of the first transparent inorganic compound layer 13A. The reaction product undergoes a sol-gel reaction by hydrolysis, condensation, and crosslinking by a crosslinkable compound, and a polysiloxane coating film having a crosslinked structure is obtained.
特開平７−３２０６号公報や特開平７−１８２２１号公報には上記アルコキシシラン化合物を用いたことが記載されている。しかしながら、それはガス遮断性機能を付与するものとして、任意のプラスチックフィルムの上に塗布し、ガス遮断性を与えるものであり、本発明における積層体の平坦性を向上させるための透明ゾルゲルコート層１５とは目的が異なる。
また、特許第３４３８２６６号、第３４３８２６７号に記載されているようなゾルゲルコート剤を用いても、不十分な平坦性しか得られない。本発明者らは、アミノアルキルジアルコキシシラン、もしくはアミノアルキルトリアルコキシシラン等を、第１透明無機化合物層１３Ａの面に形成した場合にのみ、十分な平坦性が得られ、かつ、該平坦面に、遮断性層（第２透明無機化合物層１３Ｂ）を設けることで、超遮断性が発現することを見出した。
Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 7-3206 and 7-18221 describe the use of the above alkoxysilane compounds. However, it is applied to an arbitrary plastic film as a gas barrier function and gives gas barrier properties, and the transparent sol-gel coat layer 15 for improving the flatness of the laminate in the present invention. The purpose is different.
Moreover, even if a sol-gel coating agent as described in Japanese Patent Nos. 3438266 and 3438267 is used, only insufficient flatness can be obtained. The present inventors can obtain sufficient flatness only when aminoalkyl dialkoxysilane, aminoalkyltrialkoxysilane or the like is formed on the surface of the first transparent inorganic compound layer 13A, and the flat surface. In addition, it has been found that by providing a barrier layer (second transparent inorganic compound layer 13B), a super barrier property is exhibited.
（第２透明無機化合物層）第２透明無機化合物層１３Ｂも、透明ガス遮断性フィルム１０における、水蒸気や酸素などの透過を遮断性するための機能に加え、ゾルゲルコート層１５からの脱ガスの防止と、積層体の表面質を改質の効果をもたらす。例えばディスプレイ用基板として用いる際には、さらにこの面に透明電極などの層を設ける必要がある。第２透明無機化合物層１３Ｂが設けられていると、親和性が高く、密着性がよく、導電性に優れた電極層を形成することができる。
(Second transparent inorganic compound layer) The second transparent inorganic compound layer 13B is also capable of degassing from the sol-gel coat layer 15 in addition to the function of blocking the transmission of water vapor, oxygen, etc. in the transparent
第２透明無機化合物層１３Ｂとしては、第１透明無機化合物層１３Ａに使用する材料と同等のものが好ましい。例えば酸化珪素、窒化珪素、炭化珪素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化インジウム等およびそれらから選ばれた二種以上の複合体を挙げることができる。なかでも、酸化珪素からなる膜は、透明性の高いガス遮断性性を発揮し、一方、窒化珪素はさらに高いガス遮断性を発揮するので好ましく用いられる。特に好ましくは、酸化珪素と窒化珪素の複合体が好ましく、酸化珪素の含有量が多いと透明性が増し、窒化珪素の含有量が多いとガス遮断性が増大する。 The second transparent inorganic compound layer 13B is preferably the same as the material used for the first transparent inorganic compound layer 13A. For example, silicon oxide, silicon nitride, silicon carbide, aluminum oxide, magnesium oxide, indium oxide and the like and two or more kinds of composites selected from them can be given. Among these, a film made of silicon oxide is preferably used because it exhibits highly transparent gas barrier properties, while silicon nitride exhibits even higher gas barrier properties. Particularly preferably, a composite of silicon oxide and silicon nitride is preferable. When the content of silicon oxide is large, the transparency is increased, and when the content of silicon nitride is large, the gas barrier property is increased.
第２透明無機化合物層１３Ｂの形成には、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の方法や、熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法が適用される。これらの方法は、基材や平坦化層の種類、成膜材料の種類、成膜のし易さ、工程効率等を考慮して、適宜選択すればよい。 For the formation of the second transparent inorganic compound layer 13B, a method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a thermal CVD method or a plasma CVD method is applied. These methods may be appropriately selected in consideration of the type of the base material and the planarization layer, the type of film forming material, the ease of film formation, the process efficiency, and the like.
その厚さは、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下が望ましい。１０ｎｍ未満では、ディスプレイ用基板としてのガス遮断性が十分でなく、５００ｎｍを超えると層のフレキシビリティが損なわれる。また異常粒成長から突起が形成されＲｍａｘが増加するおそれがある。 The thickness is desirably 10 nm or more and 500 nm or less. If it is less than 10 nm, the gas barrier property as a display substrate is not sufficient, and if it exceeds 500 nm, the flexibility of the layer is impaired. Further, there is a possibility that protrusions are formed from abnormal grain growth and Rmax is increased.
（第３透明無機化合物層）第３透明無機化合物層１３Ｃとしては、第１透明無機化合物層１３Ａ、及び第２透明無機化合物層１３Ｂに使用する材料と同様なものが適用できる。
（第４透明無機化合物層）第４透明無機化合物層１３Ｄとしては、第１透明無機化合物層１３Ａ、第２透明無機化合物層１３Ｂに、及び第３透明無機化合物層１３Ｃと使用する材料と同様なものが適用できる。
(Third transparent inorganic compound layer) As the third transparent inorganic compound layer 13C, the same materials as those used for the first transparent inorganic compound layer 13A and the second transparent inorganic compound layer 13B can be applied.
(Fourth transparent inorganic compound layer) The fourth transparent inorganic compound layer 13D is similar to the material used for the first transparent inorganic compound layer 13A, the second transparent inorganic compound layer 13B, and the third transparent inorganic compound layer 13C. Things can be applied.
（第２ゾルゲルコート層）第２透明ゾルゲルコート層１５Ｂとしては、第１透明ゾルゲルコート層１５に使用する材料及び形成法と同様なものが適用できる。 (Second Sol-Gel Coat Layer) As the second transparent sol-gel coat layer 15B, the same materials and forming methods used for the first transparent sol-gel coat layer 15 can be applied.
（層構成）透明ガス遮断性フィルム１０の層構成としては、上記の理由により、少なくとも、透明樹脂基材フィルム１１／第１透明無機化合物層１３Ａ／平坦化のための透明ゾルゲルコート層１５／第２透明無機化合物層１３Ｂ、の順に積層されている積層構造を基本層構成とする。従来の特開平０７−１２６４１９号公報などの２層構成のものでは、たとえ積層を繰り返したとしても十分な特性が得られず、本質的に異質なものである。
この層へ、さらに平坦化のための層（ゾルゲル層１５や、他の層でも同様なでもよい。）と透明無機化合物の層をくり返し形成してもよく、該繰返しを行うことで、さらにガス遮断性が高まる。下地の膜（層）に局所的な欠陥があったとしても、ゾルゲルコート層１５を介することにより、膜は非連続的に成長するため、欠陥の連続性はなくなる。そのため、バリア性の劣化が抑えられる。仮に、万が一欠陥があっても、該欠陥が同じ箇所で重なって発生する確率は極めて低くできる。透明無機化合物の層上に、平坦化層および透明無機化合物の層の順に１回乃至５回くり返し積層されることが、高度な水蒸気遮断性、酸素遮断性を付与するために望ましい。
(Layer structure) As the layer structure of the transparent
Further, a layer for planarization (the sol-gel layer 15 or other layers may be the same) and a layer of a transparent inorganic compound may be formed repeatedly on this layer. The barrier property increases. Even if there is a local defect in the underlying film (layer), the film grows discontinuously through the sol-gel coat layer 15, so that the continuity of the defect is lost. Therefore, deterioration of the barrier property can be suppressed. Even if there is a defect, the probability that the defect overlaps at the same location can be extremely low. It is desirable that the flattening layer and the transparent inorganic compound layer are laminated on the transparent inorganic compound layer one to five times in order in order to impart high water vapor barrier properties and oxygen barrier properties.
（対象の層構成）透明樹脂基材フィルム１１の両側に形成する層を、表裏面が対称となるように、同一又は同一に近似する層構成とするのが好ましい。透明ガス遮断性フィルム１０において、透明樹脂基材フィルム１１の、第１透明無機化合物層１３Ａの反対側の面に、図２に示すように、さらに第３透明無機化合物層１３Ｃ、第３透明無機化合物層１３Ｃ／第２透明ゾルゲルコート層１５Ｂ、又は第３透明無機化合物層１３Ｃ／第２透明ゾルゲルコート層１５Ｂ／第４透明無機化合物層１３Ｄを設ければよい。このように反対側にも透明無機化合物層などの層を形成することにより、片側だけ膜を形成した際に発生する応力を相殺或いは緩和して、加熱を含む後加工工程での歪み、反り（湾曲、カールともいう）などを防止することができるので、直角精度、寸法精度、部分場所における寸法精度が向上されることができる。また、例えば、電極形成などの後工程にて、必要とされるパターニング時のアライメント取りの不具合が解消される。さらに、フレキシブル性の偏りがなくなり、利用上の不具合がなくなる。
さらにまた、同時に、透明ガス遮断性フィルムの反対面から発生する脱ガスを防止することができるため、緻密、均一厚さな良質な透明ガス遮断性フィルムを安定して形成することができる。反対側にも透明無機化合物の層を形成する際に、応力相殺或いは緩和のために、形成する層の厚み、使用する無機材料、層構成等を考慮することが、さらに好ましい。
(Target Layer Structure) It is preferable that the layers formed on both sides of the transparent resin base film 11 have the same or similar layer structure so that the front and back surfaces are symmetrical. In the transparent
Furthermore, at the same time, degassing generated from the opposite surface of the transparent gas barrier film can be prevented, so that a high-quality transparent gas barrier film having a dense and uniform thickness can be stably formed. When forming the transparent inorganic compound layer on the opposite side, it is more preferable to take into consideration the thickness of the layer to be formed, the inorganic material to be used, the layer configuration, etc., for stress cancellation or relaxation.
反対側に形成する透明無機化合物層に用いる材料は、酸化珪素、窒化珪素およびその複合体に限らず、酸化アルミや酸化インジウム等の任意の透明無機化合物で良いが、前記したようになかでも酸化珪素、窒化珪素およびその複合体が望ましい。
反対側に形成する透明ゾルゲルコート層に用いる材料は、前述の透明ゾルゲルコート層１５と同様なものが適用できる。
The material used for the transparent inorganic compound layer formed on the opposite side is not limited to silicon oxide, silicon nitride, and composites thereof, and any transparent inorganic compound such as aluminum oxide or indium oxide may be used. Silicon, silicon nitride and composites thereof are desirable.
As the material used for the transparent sol-gel coat layer formed on the opposite side, the same material as that of the transparent sol-gel coat layer 15 described above can be applied.
（ディスプレイ基板）ディスプレイ基板としては、図３に示すように、本発明の透明ガス遮断性フィルム１０の最上層に透明導電層２１を形成したもので、透明性、耐熱性、耐溶剤性、ガス遮断性及び層間密着性に優れたディスプレイ用基板が提供できる。該透明導電層２１に用いる材料には酸化スズ、酸化インジウム、ＩＴＯ、ＡＴＯ、又は銀などの透明でかつ導電性があれば、特に限定するものではない。
(Display Substrate) As shown in FIG. 3, the display substrate is formed by forming a transparent conductive layer 21 on the uppermost layer of the transparent
（ディスプレイ）ディスプレイとしては、上記のディスプレイ基板を用いたものであればよく、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、有機又は無機エレクトロルミネセンスディスプレイ（ＥＬＤ）、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）などの奥行きの少ない薄型に好適に適用できる。 As the (display) display, any display display substrate (PDP), liquid crystal display (LCD), organic or inorganic electroluminescence display (ELD), field emission display (FED) may be used. It can be suitably applied to a thin type with a small depth.
（ＬＣＤ）液晶ディスプレイは、二枚のガラス基板に、いずれも内側に透明電極を配置し、配向層等を伴なった間に液晶が挟まれ、周囲がシールされたものであり、カラー化するためのカラーフィルターを伴なう。このような液晶ディスプレイのガラス基板の外側に、本発明のガス遮断性フィルム１０を適用することができ、あるいは、ガラス基板の代りに、本発明のガス遮断性フィルム１０を用いることもできる。特に、二枚のガラス基板を、いずれも、本発明のガス遮断性フィルム１０で置き換えれば、全体がフレキシブルなディスプレイとすることができる。
(LCD) A liquid crystal display is one in which transparent electrodes are placed on the inside of two glass substrates, liquid crystal is sandwiched between alignment layers and the surroundings are sealed, and the surroundings are colored. With a color filter for. The
（有機ＥＬＤ）有機ＥＬディスプレイは、やはり、二枚のガラス基板に、いずれも内側に透明電極を配置し、間に、例えば、（ａ）注入機能、（ｂ）輸送機能、および（ｃ）発光機能の各機能を持つ層を積層した複合層等からなる有機ＥＬ素子層が挟まれ、周囲がシールされたものであり、カラー化するためのカラーフィルターもしくはそのほかの手段を伴なうことがある。例えば、ＥＬディスプレイを構成する場合には、例えば、本発明のディスプレイ用基板（パターン化透明導電層を含む）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極／封止層からなる層構成を挙げることができるが、この層構成に限定されない。
液晶ディスプレイにおけるのと同様、ガラス基板の外側に、本発明のガス遮断性フィルム１０を適用することができ、あるいは、ガラス基板の代りに、本発明のガス遮断性フィルム１０を用いることもでき、二枚のガラス基板を、いずれも本発明のガス遮断性フィルム１０で置き換えれば、全体がフレキシブルなディスプレイとすることができる。特に、有機ＥＬ素子は、蛍光発光を利用するために化学的に不安定であり、また、湿気に極度に弱いため、製品となった後の高度な水蒸気遮断性が望まれる。
(Organic ELD) An organic EL display also has a transparent electrode on the inside of two glass substrates, and, for example, (a) injection function, (b) transport function, and (c) light emission between them. An organic EL element layer composed of a composite layer, etc., in which layers having various functions are stacked is sandwiched and the periphery is sealed, and may be accompanied by a color filter or other means for colorization . For example, when forming an EL display, for example, the display substrate of the present invention (including a patterned transparent conductive layer) / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode / sealing. Examples of the layer configuration include layers, but the layer configuration is not limited to this.
As in the liquid crystal display, the
以下、実施例及び比較例により、本発明を更に詳細に説明するが、これに限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example demonstrate this invention further in detail, it is not limited to this.
厚さ２００μｍ、線膨張係数が８０ｐｐｍ／Ｋ、Ｔｇが１７６℃の環状ポリオレフィン樹脂（日本ゼオン製）を透明樹脂基材フィルムとし、一方の面に５０ｎｍの酸化窒化珪素膜をスパッタ法により成膜した。その面にアミノアルキルトリアルコキシシランを主剤としたコ−ティング剤をスピンコ−ト法により塗布し、ホットプレ−トで１２０℃で２分間、次いで乾燥機で１６０℃で１時間乾燥させ、膜厚１μｍのゾルゲルコート層（平坦化層）を得た。さらにその面に５０ｎｍの酸化窒化珪素膜をスパッタ法により第２無機化合物層を成膜して、実施例１のガス遮断性フィルムを得た。 A cyclic polyolefin resin (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) having a thickness of 200 μm, a linear expansion coefficient of 80 ppm / K, and a Tg of 176 ° C. was used as a transparent resin base film, and a 50 nm silicon oxynitride film was formed on one surface by sputtering. . A coating agent mainly composed of aminoalkyltrialkoxysilane was applied to the surface by a spin coating method, dried on a hot plate at 120 ° C. for 2 minutes, and then dried at 160 ° C. for 1 hour to obtain a film thickness of 1 μm. A sol-gel coating layer (flattening layer) was obtained. Further, a 50 nm silicon oxynitride film was formed on the surface of the second inorganic compound layer by sputtering, and the gas barrier film of Example 1 was obtained.
厚さ２００μｍ、線膨張係数が９７ｐｐｍ／Ｋ、Ｔｇが１６５℃のポリカーボネート樹脂（バイエル社）を透明樹脂基材フィルムとする以外は、実施例１と同様にした。 The same procedure as in Example 1 was conducted except that a polycarbonate resin (Bayer) having a thickness of 200 μm, a linear expansion coefficient of 97 ppm / K, and a Tg of 165 ° C. was used as the transparent resin base film.
厚さ２００μｍ、線膨張係数が５５ｐｐｍ／Ｋ、Ｔｇが３００℃ののポリアクリレート樹脂（三菱化学社製）を透明樹脂基材フィルムとする以外は、実施例１と同様にした。 Example 1 was repeated except that a polyacrylate resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) having a thickness of 200 μm, a linear expansion coefficient of 55 ppm / K, and a Tg of 300 ° C. was used as the transparent resin base film.
厚さ２００μｍ、線膨張係数が１６ｐｐｍ／Ｋで、Ｔｇが２１４℃のポリエポキシド含浸ガラスクロス（住友ベークライト社製）を透明樹脂基材フィルムとする以外は、実施例１と同様にした。 The same procedure as in Example 1 was performed except that a polyepoxide-impregnated glass cloth (Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) having a thickness of 200 μm, a linear expansion coefficient of 16 ppm / K, and a Tg of 214 ° C. was used as the transparent resin base film.
前記実施例１により得られた透明ガス遮断性フィルムの、反対面に同様の構成を形成した。 A similar structure was formed on the opposite side of the transparent gas barrier film obtained in Example 1.
前記実施例１で得られた透明ガス遮断性フィルムの、上面に１５０ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタ法により形成した。 A 150 nm ITO film was formed on the upper surface of the transparent gas barrier film obtained in Example 1 by sputtering.
（比較例１）
厚さ７００μｍ、線膨張係数が８．５ｐｐｍ／Ｋのソーダライムガラス（セントラル硝子社製）を透明樹脂基材とする以外は、実施例１と同様にした。
(Comparative Example 1)
The same procedure as in Example 1 was performed except that soda lime glass (manufactured by Central Glass Co., Ltd.) having a thickness of 700 μm and a linear expansion coefficient of 8.5 ppm / K was used as the transparent resin base material.
（比較例２）
厚さ１８８μｍ、線膨張係数が４．５ｐｐｍ／Ｋ、Ｔｇが７８℃のＰＥＴ樹脂（東洋紡績社製）を透明樹脂基材フィルムとする以外は、実施例１と同様にした。
(Comparative Example 2)
The same procedure as in Example 1 was performed except that a PET resin (manufactured by Toyobo Co., Ltd.) having a thickness of 188 μm, a linear expansion coefficient of 4.5 ppm / K, and a Tg of 78 ° C. was used as the transparent resin base film.
（比較例３）
厚さ１８８μｍ、線膨張係数が２３０ｐｐｍ／Ｋ、Ｔｇが１５５℃のポリカーボネート樹脂（帝人社製）を透明樹脂基材フィルムとする以外は、実施例１と同様にした。
(Comparative Example 3)
The same procedure as in Example 1 was conducted except that a polycarbonate resin (manufactured by Teijin Ltd.) having a thickness of 188 μm, a linear expansion coefficient of 230 ppm / K, and a Tg of 155 ° C. was used as the transparent resin base film.
（比較例４）
ゾルゲルコート層として、テトラエチルオルソシリケートを主剤としたコ−ティング剤をスピンコ−ト法により塗布し、ホットプレ−トで１２０℃で２分間、次いで乾燥機で１６０℃で１時間乾燥させ、膜厚約１μｍのゾルゲルコート層（平坦化層）とする以外は、実施例１と同様にした。
(Comparative Example 4)
As a sol-gel coating layer, a coating agent mainly composed of tetraethylorthosilicate was applied by a spin coating method, dried at 120 ° C. for 2 minutes with a hot plate, and then dried at 160 ° C. for 1 hour with a dryer. The same procedure as in Example 1 was performed except that a 1 μm sol-gel coating layer (planarization layer) was used.
（測定）線膨張係数はＪＩＳ−Ｋ７１９７に準拠し、ＭＡＣ社製熱機械分析装置を使用し測定温度範囲２５〜２００℃で測定した。
光線透過率はＪＩＳ−Ｋ７１０５に準拠して測定した。
表面粗さＲａは、原子間力顕微鏡（セイコ−社製）を用い、２０μｍのスキャニング範囲にて、平均粗さ（Ｒａ）最大高低差（Ｒｍａｘ）を測定した。
導電性は、ＪＩＳ−Ｋ７１９４に準拠し、表面電気抵抗率測定装置（三菱油化製ロレスタＡＰ）を用い４探針法で測定した。
水蒸気透過度は、ＪＩＳ−Ｋ７１２９に準拠し、水蒸気透過率測定装置パ−マトラン３／３１（ＭＯＣＯＮ社製、商品名）を用い、４０℃１００％Ｒｈの条件で測定した。
(Measurement) The linear expansion coefficient was measured in a measurement temperature range of 25 to 200 ° C. using a thermomechanical analyzer manufactured by MAC in accordance with JIS-K7197.
The light transmittance was measured according to JIS-K7105.
For the surface roughness Ra, an average force (Ra) maximum height difference (Rmax) was measured in a scanning range of 20 μm using an atomic force microscope (manufactured by Seiko Corporation).
The conductivity was measured by a four-probe method using a surface electrical resistivity measuring device (Mitsubishi Yuka Loresta AP) in accordance with JIS-K7194.
The water vapor permeability was measured in accordance with JIS-K7129, using a water vapor permeability measuring device Permatran 3/31 (manufactured by MOCON, trade name) under the conditions of 40 ° C. and 100% Rh.
（評価）特性試験として、透明ガス遮断性フィルムを曲げ試験及び耐熱試験を行った後の、透湿度（測定方法は前述）、及び曲げ試験後の外観で評価した。
曲げ試験は、直径５０ｍｍの円筒に透明ガス遮断性フィルムを、オモテ、ウラ面交互に２回ずつ巻いた。その際それぞれ５分間保持した後に、外観を目視にて観察し、水蒸気透過率を測定した。
耐熱試験は、透明ガス遮断性フィルムを１５０℃のオーブンに１時間いれ、これを３回繰り返した。その後、水蒸気透過度を測定した。
外観は、曲げ試験を行った透明ガス遮断性フィルムを、目視にて観察し、割れ、反り、変形のないものを合格とし「○印」で、あるものを不合格とし「×印」とした。
実施例及び比較例の、熱膨張率、ガラス転移温度、表面粗さＲａ及びＲｍａｘ、曲げ試験後の外観、初期、曲げ試験後及び耐熱試験後の透湿度の結果を「表１」に示す。
(Evaluation) As a characteristic test, the transparent gas barrier film was evaluated by the moisture permeability after the bending test and the heat resistance test (measurement method is described above) and the appearance after the bending test.
In the bending test, a transparent gas barrier film was wound around a cylinder with a diameter of 50 mm twice each alternately on the front and back surfaces. At that time, after holding each for 5 minutes, the appearance was visually observed and the water vapor transmission rate was measured.
In the heat resistance test, the transparent gas barrier film was placed in an oven at 150 ° C. for 1 hour, and this was repeated three times. Thereafter, the water vapor permeability was measured.
Appearance of the transparent gas barrier film that was subjected to a bending test was visually observed, and those that were not cracked, warped, or deformed were accepted as "O", and some were rejected as "X". .
Table 1 shows the results of the thermal expansion coefficient, glass transition temperature, surface roughness Ra and Rmax, appearance after the bending test, and moisture permeability after the initial, bending test and after the heat test of the examples and comparative examples.
（評価結果）実施例１〜６の水蒸気透過度は、初期もよく、曲げ試験後及び耐熱試験後でも劣化が認められず良好であり、外観も良好であった。
比較例１の水蒸気透過度は、初期はよかったが、曲げ試験後では著しい劣化が認められ、大き過ぎて測定不能であった。また、曲げ試験後の外観も割れが認められ、不合格であった。
、比較例２〜４の曲げ試験後の外観は合格であったが、水蒸気透過度については、初期はよかったが、耐熱試験後では劣化が認められた。
(Evaluation results) The water vapor permeability of Examples 1 to 6 was good at the initial stage, good without deterioration even after the bending test and after the heat test, and good in appearance.
The water vapor permeability of Comparative Example 1 was good at the beginning, but significant deterioration was observed after the bending test, and it was too large to be measured. In addition, the appearance after the bending test was also found to be cracked and failed.
Although the appearance after the bending test of Comparative Examples 2 to 4 was acceptable, the water vapor transmission rate was good at the beginning, but deterioration was observed after the heat resistance test.
１０：透明ガス遮断性フィルム
１１：透明樹脂基材フィルム
１３Ａ：第１無機化合物層
１３Ｂ：第２無機化合物層
１３Ｃ：第３無機化合物層
１５Ａ：ゾルゲルコート層
１５Ｂ：第２ゾルゲルコート層
２０：高分子基板
２１：透明電極
10: Transparent gas barrier film 11: Transparent resin base film 13A: First inorganic compound layer 13B: Second inorganic compound layer 13C: Third inorganic compound layer 15A: Sol gel coat layer 15B: Second sol gel coat layer 20: High Molecular substrate 21: Transparent electrode
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004106532A JP2005288851A (en) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | Transparent gas barrier film, display substrate using the same and display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004106532A JP2005288851A (en) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | Transparent gas barrier film, display substrate using the same and display |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005288851A true JP2005288851A (en) | 2005-10-20 |
Family
ID=35322350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004106532A Pending JP2005288851A (en) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | Transparent gas barrier film, display substrate using the same and display |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2005288851A (en) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007253590A (en) * | 2006-03-27 | 2007-10-04 | Fujifilm Corp | Gas barrier film, substrate film, and organic electroluminescence element |
| JP2008023934A (en) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Toppan Printing Co Ltd | Gas barrier laminate |
| CN100421265C (en) * | 2006-03-16 | 2008-09-24 | 常熟市飞宇新能源科技有限公司 | Sealing technique for solar photo voltaic battery plate |
| WO2009008687A3 (en) * | 2007-07-12 | 2009-03-12 | Lg Chemical Ltd | Multiple-layer, multiple film having the same and electronic device having the same |
| JP2009054420A (en) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Fujifilm Corp | Manufacturing method for flexible substrate for electronic device, manufacturing method for electronic device, and electronic device manufactured by the method |
| JP2009519117A (en) * | 2005-11-30 | 2009-05-14 | ザ・ボーイング・カンパニー | Durable transparent coating for airliner windows |
| JP2009244756A (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Transparent substrate |
| JP2009244758A (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Transparent substrate |
| JP2009244754A (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Transparent substrate |
| WO2010101303A1 (en) | 2009-03-06 | 2010-09-10 | 帝人デュポンフィルム株式会社 | Flat film and method for manufacturing same |
| WO2011004682A1 (en) * | 2009-07-09 | 2011-01-13 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Barrier film, organic photoelectric conversion element, and method for manufacturing barrier film |
| WO2011004698A1 (en) * | 2009-07-10 | 2011-01-13 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Gas barrier film, method for manufacturing gas barrier film, and photoelectric conversion element using gas barrier film |
| WO2012067186A1 (en) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Manufacturing method for gas barrier film, and gas barrier film |
| JP2012512763A (en) * | 2008-12-19 | 2012-06-07 | フラウンホーファー・ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デア・アンゲヴァンテン・フォルシュング・エー・ファウ | High barrier composite and method for producing the same |
| JP2012528747A (en) * | 2009-06-02 | 2012-11-15 | エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ | Multilayer barrier film |
| WO2014103756A1 (en) * | 2012-12-25 | 2014-07-03 | コニカミノルタ株式会社 | Gas-barrier film |
| WO2014189060A1 (en) * | 2013-05-22 | 2014-11-27 | コニカミノルタ株式会社 | Gas barrier film and electronic device using same |
| JP2016083739A (en) * | 2014-10-28 | 2016-05-19 | 積水化学工業株式会社 | Microchip and method for manufacturing microchip |
| CN112831076A (en) * | 2021-02-04 | 2021-05-25 | 浙江中科玖源新材料有限公司 | Preparation method of high-water-resistance transparent polyimide film |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08295750A (en) * | 1995-04-25 | 1996-11-12 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Thermoplastic norbornene resin sheet |
| JPH0970917A (en) * | 1995-09-07 | 1997-03-18 | Oike Ind Co Ltd | Transparent laminate with gas barrier properties |
| JP2002052552A (en) * | 2000-08-11 | 2002-02-19 | Mitsubishi Chemicals Corp | Method for manufacturing photosetting resin sheet |
| JP2003191371A (en) * | 2001-12-27 | 2003-07-08 | Teijin Ltd | Gas barrier transparent film |
| JP2003260750A (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-16 | Dainippon Printing Co Ltd | Gas barrier film and display using the film |
| JP2003260749A (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-16 | Dainippon Printing Co Ltd | Gas barrier film and display using the film |
-
2004
- 2004-03-31 JP JP2004106532A patent/JP2005288851A/en active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08295750A (en) * | 1995-04-25 | 1996-11-12 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Thermoplastic norbornene resin sheet |
| JPH0970917A (en) * | 1995-09-07 | 1997-03-18 | Oike Ind Co Ltd | Transparent laminate with gas barrier properties |
| JP2002052552A (en) * | 2000-08-11 | 2002-02-19 | Mitsubishi Chemicals Corp | Method for manufacturing photosetting resin sheet |
| JP2003191371A (en) * | 2001-12-27 | 2003-07-08 | Teijin Ltd | Gas barrier transparent film |
| JP2003260750A (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-16 | Dainippon Printing Co Ltd | Gas barrier film and display using the film |
| JP2003260749A (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-16 | Dainippon Printing Co Ltd | Gas barrier film and display using the film |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009519117A (en) * | 2005-11-30 | 2009-05-14 | ザ・ボーイング・カンパニー | Durable transparent coating for airliner windows |
| CN100421265C (en) * | 2006-03-16 | 2008-09-24 | 常熟市飞宇新能源科技有限公司 | Sealing technique for solar photo voltaic battery plate |
| JP4717674B2 (en) * | 2006-03-27 | 2011-07-06 | 富士フイルム株式会社 | Gas barrier film, substrate film and organic electroluminescence device |
| JP2007253590A (en) * | 2006-03-27 | 2007-10-04 | Fujifilm Corp | Gas barrier film, substrate film, and organic electroluminescence element |
| JP2008023934A (en) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Toppan Printing Co Ltd | Gas barrier laminate |
| WO2009008687A3 (en) * | 2007-07-12 | 2009-03-12 | Lg Chemical Ltd | Multiple-layer, multiple film having the same and electronic device having the same |
| US8119229B2 (en) | 2007-07-12 | 2012-02-21 | Lg Chem, Ltd. | Multiple-layer, multiple film having the same and electronic device having the same |
| JP2009054420A (en) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Fujifilm Corp | Manufacturing method for flexible substrate for electronic device, manufacturing method for electronic device, and electronic device manufactured by the method |
| JP2009244756A (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Transparent substrate |
| JP2009244754A (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Transparent substrate |
| JP2009244758A (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Transparent substrate |
| JP2012512763A (en) * | 2008-12-19 | 2012-06-07 | フラウンホーファー・ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デア・アンゲヴァンテン・フォルシュング・エー・ファウ | High barrier composite and method for producing the same |
| WO2010101303A1 (en) | 2009-03-06 | 2010-09-10 | 帝人デュポンフィルム株式会社 | Flat film and method for manufacturing same |
| JP2012528747A (en) * | 2009-06-02 | 2012-11-15 | エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ | Multilayer barrier film |
| WO2011004682A1 (en) * | 2009-07-09 | 2011-01-13 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Barrier film, organic photoelectric conversion element, and method for manufacturing barrier film |
| JP5516582B2 (en) * | 2009-07-09 | 2014-06-11 | コニカミノルタ株式会社 | Barrier film, organic photoelectric conversion element and method for producing barrier film |
| WO2011004698A1 (en) * | 2009-07-10 | 2011-01-13 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Gas barrier film, method for manufacturing gas barrier film, and photoelectric conversion element using gas barrier film |
| WO2012067186A1 (en) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Manufacturing method for gas barrier film, and gas barrier film |
| JP5861644B2 (en) * | 2010-11-19 | 2016-02-16 | コニカミノルタ株式会社 | Method for producing gas barrier film and gas barrier film |
| WO2014103756A1 (en) * | 2012-12-25 | 2014-07-03 | コニカミノルタ株式会社 | Gas-barrier film |
| WO2014189060A1 (en) * | 2013-05-22 | 2014-11-27 | コニカミノルタ株式会社 | Gas barrier film and electronic device using same |
| JP2016083739A (en) * | 2014-10-28 | 2016-05-19 | 積水化学工業株式会社 | Microchip and method for manufacturing microchip |
| CN112831076A (en) * | 2021-02-04 | 2021-05-25 | 浙江中科玖源新材料有限公司 | Preparation method of high-water-resistance transparent polyimide film |
| CN112831076B (en) * | 2021-02-04 | 2022-12-02 | 浙江中科玖源新材料有限公司 | Preparation method of high-water-resistance transparent polyimide film |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7341766B2 (en) | Gas barrier clear film, and display substrate and display using the same | |
| JP2005288851A (en) | Transparent gas barrier film, display substrate using the same and display | |
| JP5436640B2 (en) | Smooth layer and barrier layer on Tg substrate | |
| KR101437142B1 (en) | Barrier film including graphene layer and flexible therof | |
| JP4971167B2 (en) | Protected polymer film | |
| KR20100048035A (en) | Multilayered film, method of making the same, and encapsulated structure including the same | |
| WO2004014644A1 (en) | Laminate having adherent layer and laminate having protective film | |
| JP2006123307A (en) | Gas barrier laminate | |
| JP4969479B2 (en) | Manufacturing method of substrate with transparent conductive film | |
| JP6311177B2 (en) | Barrier film and electronic device including the same | |
| WO2010074748A1 (en) | Multilayer devices on flexible supports | |
| JP2006123306A (en) | Gas barrier laminate | |
| JP2010184478A (en) | Multilayer film and method for manufacturing the same | |
| JP2014022158A (en) | Organic el device and method for manufacturing organic el device | |
| JP2010055894A (en) | Sealing film for light-emitting element | |
| JP2006095783A (en) | Transparent gas barrier film and substrate for display using it | |
| JP5297454B2 (en) | COMPOSITE LAYER, COMPOSITE FILM CONTAINING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE | |
| JP2011183567A (en) | Method of manufacturing substrate with transparent electrode | |
| JP2017041412A (en) | Electronic device | |
| JP4451213B2 (en) | Display substrate | |
| JP2004009665A (en) | Optical film sheet with barrier film and display element using the same | |
| JP4583062B2 (en) | Transparent gas barrier film and method for producing the same | |
| JPWO2018181181A1 (en) | Transparent conductive gas barrier laminate and device having the same | |
| JP2003251733A (en) | Transparent gas-barrier film, and transparent conductive electrode base material, display element, solar cell or face-like light emitting body using the same | |
| CN113053915A (en) | Display panel and preparation method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061122 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090512 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090519 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090715 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100622 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100713 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100713 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110802 |