JP2005285373A - Organic electroluminescent element - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものであり、詳細には基板と反対側から出射するトップエミッション構造の有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものである。 The present invention relates to an organic electroluminescence element, and more particularly to an organic electroluminescence element having a top emission structure that emits light from a side opposite to a substrate.
近年、情報機器の多様化に伴い、一般に使用されているＣＲＴ（陰極線管）に比べて消費電力が少ない平面表示装置に対するニーズが高まってきている。このような平面表示素子の１つとして、高効率、薄型、軽量、低視野角依存性等の特徴を有するエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目され、このＥＬ表示装置を用いたディスプレイの開発が活発に行われている。このようなＥＬ表示装置には、無機材料からなる発光層を有する無機ＥＬ表示装置と、有機材料からなる発光層を有する有機ＥＬ表示装置とがある。 In recent years, with the diversification of information equipment, there has been an increasing need for flat display devices that consume less power than CRTs (cathode ray tubes) that are generally used. As one of such flat display elements, attention has been paid to an electroluminescence (EL) display device having features such as high efficiency, thinness, light weight, and low viewing angle dependency, and a display using this EL display device has been developed. It is active. Such EL display devices include an inorganic EL display device having a light emitting layer made of an inorganic material and an organic EL display device having a light emitting layer made of an organic material.
無機ＥＬ表示装置は、一般に発光部に高電界を作用させ、電子をこの高電界中で加速して発光中心に衝突させることにより、発光中心を励起させて発光させる自発光型の表示装置である。 An inorganic EL display device is a self-luminous display device that generally emits light by exciting a light emission center by applying a high electric field to a light emitting portion and accelerating electrons in the high electric field to collide with the light emission center. .
一方、有機ＥＬ表示装置は、電子注入電極とホール注入電極とからそれぞれ電子とホールとを発光部内へ注入し、注入された電子及びホールを発光中心で再結合させて有機分子が励起状態から基底状態に戻るときに蛍光を発生する自発光型の表示装置である。この有機ＥＬ表示装置は、発光材料である蛍光物質を選択することにより発光色を変化させることができ、マルチカラー、フルカラー等の表示装置への応用に対する期待が高まっている。特に最近は、基板と反対側から光を出射するトップエミッション構造の有機ＥＬ素子の開発が進められている。 On the other hand, the organic EL display device injects electrons and holes from the electron injection electrode and the hole injection electrode, respectively, into the light emitting portion, and recombines the injected electrons and holes at the light emission center, so that the organic molecules are excited from the excited state. It is a self-luminous display device that generates fluorescence when returning to a state. This organic EL display device can change a luminescent color by selecting a fluorescent material as a luminescent material, and expectation for application to a display device such as multi-color or full-color is increasing. In particular, recently, an organic EL element having a top emission structure that emits light from the side opposite to the substrate has been developed.
通常、ガラス基板上に形成されたＥＬ表示部を、ガラスもしくは金属カンにて封止する構造においては、ガラスや金属といった無機材料の持つ優れたガスバリア性により、素子内部への酸素及び水分の浸入を阻止できる。 Normally, in the structure where the EL display part formed on the glass substrate is sealed with glass or metal can, oxygen and moisture intrude into the element due to the excellent gas barrier property of inorganic materials such as glass and metal. Can be prevented.
しかしながら、トップエミッション構造では、画面側に中空のカンを被せると、画像の多重化を引き起こすため、好ましくない。従って、平板を密着させて封止する平板密封封止が必要となる。 However, in the top emission structure, it is not preferable to cover the screen side with a hollow can because it causes image multiplexing. Therefore, a flat plate hermetic seal that seals the flat plate in close contact is required.
これまで、各種接着剤や粘着テープを用いた様々な平板封止技術が開発されているが、接着剤由来の着色、ストレス、付着力、耐湿性等の問題があり、完全な封止方法は確立されていない。 Various flat plate sealing techniques using various adhesives and adhesive tapes have been developed so far, but there are problems such as coloring, stress, adhesion, moisture resistance, etc. derived from the adhesive, and the complete sealing method is Not established.
特許文献１〜３においては、ＳｉＯ2を主成分とする無機系塗料を塗布し、これを２００℃以下の温度でガラス化させてガラス膜を形成しＥＬ表示装置を封止することが開示されている。しかしながら、有機材料を用いている有機ＥＬ表示装置においては、１００℃以上の高い温度に加熱することは好ましくない。また、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置においては、素子構造の上方に形成される透明性電極の上に封止剤を塗布する必要があるが、この透明性電極の上にガラス膜として封止剤を形成したときの問題については詳細に検討されていない。
本発明の目的は、トップエミッション構造の有機ＥＬ素子において、常温領域でガラス化させたガラス膜により封止することができる有機ＥＬ素子を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an organic EL element that can be sealed with a glass film vitrified in a normal temperature region in an organic EL element having a top emission structure.
本発明は、一対の電極間に有機発光層を配置した素子構造が基板上に設けられ、有機発光層からの光を基板と反対側から出射するトップエミッション構造の有機ＥＬ素子であり、素子構造の表面上にオルガノポリシロキサンを主成分とするガラスコーティング剤を塗布し、これを硬化することによって形成されるガラス膜により、素子構造が封止されていることを特徴としている。 The present invention is an organic EL element having a top emission structure in which an element structure in which an organic light emitting layer is disposed between a pair of electrodes is provided on a substrate, and light from the organic light emitting layer is emitted from the side opposite to the substrate. The element structure is sealed with a glass film formed by applying a glass coating agent mainly composed of organopolysiloxane on the surface of the substrate and curing it.
本発明においては、常温硬化可能なオルガノポリシロキサンを主成分とするガラスコーティング剤を用いているので、常温で硬化させて封止することができる。このため、有機ＥＬ素子に加熱による悪影響を与えることなく封止することができる。本発明においては、常温（２５℃程度）でガラスコーティング剤を硬化させることが好ましいが、８０℃程度までの温度であれば必要に応じて加熱して硬化させてもよい。 In the present invention, since a glass coating agent mainly composed of an organopolysiloxane that can be cured at room temperature is used, it can be sealed by being cured at room temperature. For this reason, it can seal, without giving a bad influence by heating to an organic EL element. In the present invention, the glass coating agent is preferably cured at room temperature (about 25 ° C.), but may be cured by heating as necessary as long as the temperature is up to about 80 ° C.
本発明において用いるガラスコーティング剤は、オルガノポリシロキサンを主成分とするものであり、好ましくは、液状で無溶剤のメチル基もしくはフェニル基を有するオルガノポリシロキサンからなる主剤と、アルコキシ基、アシロキシ基、オキシム基などの官能性側鎖を有するオルガノシロキサンからなる架橋剤と、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｎ等の含金属有機化合物及びＢ3+ハロゲン化物からなる硬化触媒の３成分を配合したガラスコーティング剤、あるいは上記主剤と硬化触媒の２成分を配合したガラスコーティング剤が用いられる。このようなガラスコーティング剤は、例えば、特許文献４に開示された製造方法により製造することができ、この方法で製造することができるもののうち常温で硬化させることができるものである。
The glass coating agent used in the present invention is mainly composed of an organopolysiloxane, preferably a liquid, solvent-free main component consisting of an organopolysiloxane having a methyl group or a phenyl group, an alkoxy group, an acyloxy group, A glass coating agent comprising a crosslinking agent composed of an organosiloxane having a functional side chain such as an oxime group and a curing catalyst composed of a metal-containing organic compound such as Zn, Al, Ti, Sn and a B 3+ halide. Or the glass coating agent which mix | blended two components of the said main ingredient and a curing catalyst is used. Such a glass coating agent can be manufactured by the manufacturing method disclosed by
本発明のガラスコーティング剤を用いて封止することにより、従来の平板密封封止、すなわち接着剤とガラス板を用いた封止方法に比べ、以下のような効果が得られる。 By sealing with the glass coating agent of this invention, the following effects are acquired compared with the conventional flat plate sealing sealing, ie, the sealing method using an adhesive agent and a glass plate.
（１）硬化時に光を必要としないため、素子の劣化を防止することができる。 (1) Since no light is required at the time of curing, deterioration of the element can be prevented.
（２）接着剤に由来する封止側への光取り出し効率の低下を回避することができる。 (2) It is possible to avoid a decrease in light extraction efficiency to the sealing side derived from the adhesive.
（３）接着剤硬化時に発生する硬化収縮、ストレス等による素子への影響を回避することができる。 (3) It is possible to avoid the influence on the element due to curing shrinkage, stress, etc. that occur when the adhesive is cured.
（４）接着剤由来の着色による透過率低下を回避し、透明な封止を行うことができる。 (4) The transmittance | permeability fall by coloring derived from an adhesive agent can be avoided, and transparent sealing can be performed.
（５）接着層が無く直接ガラス膜を形成するため、薄膜化及び軽量化が可能となる。 (5) Since a glass film is formed directly without an adhesive layer, it is possible to reduce the thickness and weight.
（６）接着層を通して浸入してくる水分から隔離することができるため耐湿性を向上させることができる。 (6) Since it can isolate from the moisture which permeates through an adhesive layer, moisture resistance can be improved.
本発明において、基板上に形成する素子構造中の上方の電極は、水素よりイオン化傾向の小さい金属から形成されていることが好ましい。素子構造における上方の電極の上には、直接または間接にガラスコーティング剤が塗布され、ガラス膜が形成される。ガラスコーティング剤には、金属を腐食させる成分が触媒などとして含有されている場合があり、ガラスコーティング剤の塗布により、電極が腐食するおそれがある。電極を、水素よりイオン化傾向の小さい金属から形成することにより、このようなガラスコーティング剤塗布による腐食を防止することができる。水素よりイオン化傾向の小さい金属としては、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｈｇなどが挙げられる。水素よりイオン化傾向の小さい金属は、電極中に５０重量％以上含まれていることが好ましい。 In the present invention, the upper electrode in the element structure formed on the substrate is preferably formed of a metal having a smaller ionization tendency than hydrogen. On the upper electrode in the element structure, a glass coating agent is applied directly or indirectly to form a glass film. The glass coating agent may contain a component that corrodes a metal as a catalyst or the like, and the electrode may be corroded by application of the glass coating agent. By forming the electrode from a metal having a smaller ionization tendency than hydrogen, it is possible to prevent such corrosion due to the application of the glass coating agent. Examples of the metal having a smaller ionization tendency than hydrogen include Ag, Pt, Au, Cu, and Hg. A metal having a smaller ionization tendency than hydrogen is preferably contained in the electrode by 50% by weight or more.
また、素子構造における上方の電極は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）及びＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの透明導電性金属酸化物から形成されていてもよい。このような金属酸化物から形成することにより、上述のガラスコーティング剤による腐食を防止することができる。 Further, the upper electrode in the element structure may be formed of a transparent conductive metal oxide such as ITO (indium tin oxide) and IZO (indium zinc oxide). By forming from such a metal oxide, corrosion due to the glass coating agent described above can be prevented.
また、透明導電性金属酸化物からなる電極の上または下に、水素よりイオン化傾向の小さい金属からなる電極を積層して設けてもよい。 Further, an electrode made of a metal having a smaller ionization tendency than hydrogen may be provided on or below the electrode made of a transparent conductive metal oxide.
また、本発明においては、上方の電極の上に、無機保護膜が設けられていることが好ましい。無機保護膜としては、ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＳｉＣなどのシリコン系薄膜が好ましい。このようなシリコン系薄膜を無機保護膜として形成することにより、無機保護膜とその上のガラス膜との接着強度が高まり、付着状態が良好なガラス膜を形成することができる。 In the present invention, an inorganic protective film is preferably provided on the upper electrode. As the inorganic protective film, a silicon-based thin film such as SiN, SiO, SiO 2 or SiC is preferable. By forming such a silicon-based thin film as an inorganic protective film, the adhesive strength between the inorganic protective film and the glass film thereon can be increased, and a glass film having a good adhesion state can be formed.
本発明によれば、常温領域でガラス化させたガラス膜により有機ＥＬ素子を封止することができる。 According to the present invention, an organic EL element can be sealed with a glass film vitrified in a normal temperature region.
（実施例１）
図１は、本発明に従う一実施例の有機ＥＬ素子を示す断面図である。ガラス基板またはＴＦＴ基板などの基板１の上には、正孔注入電極２が形成されている。正孔注入電極２は、例えば、ＩＴＯ等の金属酸化物またはＡｇ等の金属から形成することができる。正孔注入電極２の上には、正孔注入層３が形成されている。正孔注入層３の上には、正孔輸送層４が形成されている。正孔輸送層４の上には発光層５が形成されている。発光層５の上には電子注入層７が形成されている。電子注入層７の上には、電子注入電極８が形成されている。電子注入電極８の上には、無機保護膜９が形成されている。
(Example 1)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an organic EL device of one embodiment according to the present invention. A
以上のようにして、基板１上に形成された素子構造の表面上に、ガラス膜１０が形成され、このガラス膜１０により素子構造が封止されている。
As described above, the
本実施例の有機ＥＬ素子は、具体的には、以下のようにして製造されている。ＩＴＯからなる透明電極（厚み１００ｎｍ）が正孔注入電極２として形成されたＴＦＴ基板１の上に、蒸着法により、正孔注入層３（ＣｕＰｃ：厚み１０ｎｍ）、正孔輸送層４（ＮＰＢ：厚み６０ｎｍ）、発光層５（Ａｌｑ：厚み６０ｎｍ）、電子注入層７（Ｌｉ2Ｏ：厚み５ｎｍ）の順に成膜し、その上に、同じく蒸着法により正孔注入電極８（厚み２０ｎｍ）を形成し、さらにその上に無機保護膜（ＳｉＯ：厚み３０ｎｍ）を成膜した。
Specifically, the organic EL device of this example is manufactured as follows. A hole injection layer 3 (CuPc:
ＣｕＰｃは銅フタロシアニンであり、ＮＰＢはＮ，Ｎ′−ジ（ナフタセン−１−イル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジンであり、Ａｌｑはトリス−（８−キノリナト）アルミニウム（III）であり、Ｌｉ2Ｏは酸化リチウムである。 CuPc is copper phthalocyanine, NPB is N, N'-di (naphthasen-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine, Alq is tris- (8-quinolinato) aluminum (III), Li 2 O is lithium oxide.
ガラス膜１０は、ガラスコーティング剤をスピンコータで塗布することにより形成した。ガラスコーティング剤としてはファイングラステクノロジー社製の商品名ＨＥＡＴＬＥＳＳ ＧＬＡＳＳ 型番ＧＳ−６００シリーズのものを用いた。このガラスコーティング剤は、主剤（液状で無溶剤のメチル基もしくはフェニル基を有するオルガノポリシロキサン−ＳｉＯ2約６０重量％含有）と硬化剤（Ｚｎ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｓｎなどの含金属有機化合物及びＢハロゲン化物）とを、９：１の割合で混合し、この混合物にさらに希釈剤（ＩＰＡ：イソプロパノール）を１０：１０の割合となるように混合したものである。塗布した後、２４時間自然乾燥させて室温で硬化させ、ガラス膜を形成した。ガラス膜の厚みは１０μｍ程度であった。
The
上記実施例では、蒸着法により電子注入電極及び無機保護膜を形成しているが、スパッタリング法で形成してもよい。 In the above embodiment, the electron injection electrode and the inorganic protective film are formed by vapor deposition, but may be formed by sputtering.
以上のようにして封止した有機ＥＬ素子について、８５℃、８５％ＲＨの条件で耐湿試験を行った。放置時間に対する非発光部面積／初期発光部面積の割合（％）を求め、結果を図６に示した。 The organic EL element sealed as described above was subjected to a moisture resistance test under the conditions of 85 ° C. and 85% RH. The ratio (%) of the non-light emitting area / initial light emitting area to the standing time was determined, and the results are shown in FIG.
図６に示す結果から明らかなように、著しい非発光部の増加は認められなかった。 As is clear from the results shown in FIG. 6, no significant increase in the non-light emitting portion was observed.
また、封止前後における発光輝度比（陰極側輝度／陽極側輝度）に変化はなく、電子注入電極のＡｇに腐食も認められなかった。 Further, there was no change in the emission luminance ratio (cathode side luminance / anode side luminance) before and after sealing, and no corrosion was observed in Ag of the electron injection electrode.
（実施例２）
実施例１において、電子注入電極を、Ａｇに代えてＡｕから形成する以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
(Example 2)
In Example 1, an organic EL element was produced in the same manner as in Example 1 except that the electron injection electrode was made of Au instead of Ag.
作製した有機ＥＬ素子について、実施例１と同様に耐湿試験を行い、結果を図６に示した。 The produced organic EL device was subjected to a moisture resistance test in the same manner as in Example 1, and the results are shown in FIG.
図６に示す結果から明らかなように、著しい非発光部の増加は認められなかった。 As is clear from the results shown in FIG. 6, no significant increase in the non-light emitting portion was observed.
また、封止前後における発光輝度比（陰極側輝度／陽極側輝度）に変化はなく、電子注入電極のＡｕの腐食も認められなかった。 Further, there was no change in the emission luminance ratio (cathode side luminance / anode side luminance) before and after sealing, and Au corrosion of the electron injection electrode was not observed.
（実施例３）
実施例１において、電子注入電極を、Ａｇに代えてスパッタリング法によりＩＴＯから形成する以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
(Example 3)
In Example 1, an organic EL element was produced in the same manner as in Example 1 except that the electron injection electrode was formed from ITO by a sputtering method instead of Ag.
作製した有機ＥＬ素子について、実施例１と同様にして耐湿試験を行い、その結果を図６に示した。 The produced organic EL device was subjected to a moisture resistance test in the same manner as in Example 1, and the results are shown in FIG.
図６から明らかなように、本実施例の有機ＥＬ素子においても著しい非発光部の増加は認められなかった。 As is clear from FIG. 6, no significant increase in the non-light emitting portion was observed in the organic EL device of this example.
また、封止前後における発光輝度比（陰極側輝度／陽極側輝度）に変化はなく、ＩＴＯ膜の腐食も認められなかった。 Further, there was no change in the emission luminance ratio (cathode side luminance / anode side luminance) before and after sealing, and no corrosion of the ITO film was observed.
（比較例１）
実施例１と同様にして、基板１上に素子構造を形成した。電子注入電極８として厚み２００ｎｍのＡｌからなる電極を形成した。従って、この比較例１の有機ＥＬ素子は、トップエミッション構造ではなく、ボトムエミッション構造である。
(Comparative Example 1)
In the same manner as in Example 1, an element structure was formed on the
実施例１と同様にしてガラスコーティング剤を塗布しガラス膜を形成して封止したところ、封止後Ａｌ電極に腐食が認められた。この腐食により電子注入電極が機能せず、発光しなかった。このＡｌ電極の腐食は、おそらくガラスコーティング剤中に含まれるホウ酸等の酸による酸化が起因しているものと考えられる。 When a glass coating agent was applied and a glass film was formed and sealed in the same manner as in Example 1, the Al electrode was corroded after sealing. Due to this corrosion, the electron injection electrode did not function and did not emit light. This corrosion of the Al electrode is probably due to oxidation by an acid such as boric acid contained in the glass coating agent.
（比較例２）
図２に示す有機ＥＬ素子を作製した。実施例１と同様にして基板１上に素子構造を形成し、接着剤１１を塗布した後、この上にガラス板からなる封止板１２を載せて接着させた。接着剤としては、エポキシ系樹脂を用いた。接着剤樹脂層１１の厚みは１０μｍであり、封止板１２の厚みは０．７ｍｍである。
(Comparative Example 2)
The organic EL element shown in FIG. 2 was produced. In the same manner as in Example 1, an element structure was formed on the
実施例１と同様にして耐湿試験を行い、結果を図６に示した。 A moisture resistance test was conducted in the same manner as in Example 1, and the results are shown in FIG.
図６に示すように、ダークスポットの発生が多数認められ、放置時間とともに、著しく非発光部が増加した。これは、接着剤とガラス板間における異種材料による低い付着力が原因していると考えられる。 As shown in FIG. 6, many dark spots were observed, and the number of non-light-emitting portions increased remarkably with the standing time. This is considered to be caused by a low adhesion force due to a different material between the adhesive and the glass plate.
また、封止前後における発光輝度比（陰極側輝度／陽極側輝度）は、接着層の屈折率の影響により封止後低い発光輝度比となった。 Further, the emission luminance ratio (cathode side luminance / anode side luminance) before and after sealing became a low emission luminance ratio after sealing due to the influence of the refractive index of the adhesive layer.
〔ガラスコーティング剤による腐食の評価〕
電極材料としてＡｇ及びＡｕを用いた場合と、電極材料としてＡｌを用いた場合について、ガラスコーティング剤の腐食による影響を比較検討した。ガラス基板の上にＡｇ、ＡｕまたはＡｌを、厚みが２００ｎｍとなるように蒸着法により堆積してこれらの金属薄膜をそれぞれ形成し、この上に実施例１と同様のガラスコーティング剤を塗布し、コーティング前後における反射率の変化を測定した。反射率の測定はガラス基板側から行った。
[Evaluation of corrosion by glass coating agent]
The case where Ag and Au were used as the electrode material and the case where Al was used as the electrode material were compared and examined for the influence of corrosion of the glass coating agent. Ag, Au or Al is deposited on the glass substrate by vapor deposition so that the thickness is 200 nm to form these metal thin films, respectively, and the same glass coating agent as in Example 1 is applied thereon, The change in reflectance before and after coating was measured. The reflectance was measured from the glass substrate side.
図３〜図５に測定結果を示す。図３はＡｇの場合であり、図４はＡｕの場合であり、図５はＡｌの場合である。 The measurement results are shown in FIGS. 3 shows the case of Ag, FIG. 4 shows the case of Au, and FIG. 5 shows the case of Al.
図３〜図５に示す結果から明らかなように、Ａｇ及びＡｕを電極材料として用いた場合には、コーティング前後においてほとんど反射率が変化していないのに対し、Ａｌを電極材料として用いた場合には、コーティング後反射率が著しく低下している。これは、ガラスコーティング剤によりＡｌが腐食したことによるものと考えられる。 As is apparent from the results shown in FIGS. 3 to 5, when Ag and Au are used as electrode materials, the reflectance hardly changes before and after coating, whereas when Al is used as an electrode material. The post-coating reflectivity is significantly reduced. This is considered to be due to the corrosion of Al by the glass coating agent.
従って、Ａｇ及びＡｕなどの、水素よりイオン化傾向の小さい金属を電極材料として用いることにより、ガラスコーティング剤塗布による電極材料の腐食を防止することができることがわかる。 Therefore, it can be seen that corrosion of the electrode material due to the application of the glass coating agent can be prevented by using a metal having a smaller ionization tendency than hydrogen, such as Ag and Au, as the electrode material.
１…基板
２…正孔注入電極
３…正孔注入層
４…正孔輸送層
５…発光層
７…電子注入層
８…電子注入電極
９…無機保護膜
１０…ガラス膜
１１…接着剤樹脂層
１２…封止板
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記素子構造の表面上にオルガノポリシロキサンを主成分とするガラスコーティング剤を塗布し、これを硬化することによって形成されるガラス膜により、前記素子構造が封止されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 In an organic electroluminescence device having a top emission structure in which an element structure in which an organic light emitting layer is disposed between a pair of electrodes is provided on a substrate, and light from the organic light emitting layer is emitted from the opposite side of the substrate,
An organic material characterized in that the element structure is sealed with a glass film formed by applying a glass coating agent mainly composed of organopolysiloxane on the surface of the element structure and curing the glass coating agent. Electroluminescence element.
The organic electroluminescence element according to claim 4, wherein the inorganic protective film is a silicon-based thin film.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007141749A (en) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Seiko Epson Corp | Light-emitting device and electronic apparatus |
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|---|---|---|---|---|
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| JP4600254B2 (en) * | 2005-11-22 | 2010-12-15 | セイコーエプソン株式会社 | LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE |
| JP2010031143A (en) * | 2008-07-29 | 2010-02-12 | Japan Gore Tex Inc | Organic-inorganic composite film and method for producing organic-inorganic composite film |
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