JP2005284100A - 空孔の形成方法および磁気抵抗効果素子の製造方法 - Google Patents
空孔の形成方法および磁気抵抗効果素子の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 空孔を形成すべき部材上に、平面内に分散析出した複数相からなる有機ポリマー膜を形成する工程と、前記有機ポリマー膜の所定部分の析出相に、電子線を照射し前記析出相の分子構造を変化させる工程と、前記分子構造が変化した前記析出相を溶液中にて選択的に除去させる工程と、
前記析出相が選択的に除去された前記有機ポリマー膜をマスクとして前記空孔を形成すべき部材をエッチングすることにより前記空孔を形成する工程と、を備えている。
【選択図】 図1
Description
日本応用磁気学会誌、vol.27,pp191−195(2003)
前記空孔を埋め込むように前記非磁性層上に第2強磁性層を形成する工程と、前記第2強磁性層上に第2電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
本発明の第1実施形態による磁気抵抗効果素子の製造方法を図1乃至図3を参照して説明する。この実施形態の製造方法によって製造される磁気抵抗効果素子の構成を図3に示す。この磁気抵抗効果素子は、下電極2と、反強磁性層3と、反強磁性層3によって磁化の向きが固着された磁化固着層となる第1磁性層4と、ポイントコンタクト8を有する非磁性層6と、磁化の向きが外部磁場に応じて変化する磁化自由層となる第2磁性層10と、上電極12とを備えている。下電極2上に反強磁性層3が形成され、反強磁性層3上に反強磁性層3によって磁化の向きが固着された磁化固着層となる第1磁性層4が形成され、第1磁性層4上に非磁性層6が形成され、非磁性層6上に第2磁性層10が形成され、第2磁性層10上に上電極12が形成された構成となっている。そして、ポイントコンタクト8を介して第1磁性層4と第2磁性層10が電気的に接続される。なお、図3においては、磁化固着層となる第1磁性層4が下電極側に、磁化自由層となる第2磁性層10が上電極側に形成されているが、逆の配置であってもよい。この場合、反強磁性層3は、上電極12と、磁化固着層となる第1磁性層4との間に設けられる。
まず、図示しない基板上に下部シールドを形成し、下部シールドが形成された基板上に膜厚20nmのTaからなる下ギャップ層兼下電極2(図3参照)を形成し、下電極2上にPtMnからなる反強磁性層3を形成し、この反強磁性層3上にNi/NiFeからなる第1磁性層4を積層する。第1磁性層4上にSiO2からなる非磁性層6を10nm積層した。この非磁性層6の表面にHMDS(ヒドロメチルジシラザン)処理を施す。
次に、本発明の第2実施形態による磁気抵抗効果素子の製造方法を、図7乃至図11を参照して説明する。
次に、本発明の第3実施形態を、図14および図15を参照して説明する。第2実施形態の製造方法において電荷注入を行うに当たり、注入時間が長くなるとステージの振動・移動などを拾って、注入スポットのずれ、ぼやけが発生し所定位置からスポットがずれてしまう可能性がある。第3実施形態の製造方法では、電荷注入によってH+イオンを発生させる光酸発生剤を組み合わせた、より高感度なジブロックコポリマーを用いて行う。
Vetch∝N/(Nc−No)
という関係がある。この傾向は、Ar、O2、CF4、H2どの各種エッチングガスの種類にほとんど依存しない(J. Electrochem. Soc., 130, 143(1983)参照)。なお、エッチングガスとしては、上記の文献に記載されているAr、O2、CF4、H2のほかにも、C2F6、CHF3、CH2F2、CF3Br、N2、NF3、Cl2、CCl4、HBr、SF6などを用いることができる。なお、このパラメータとシリコンやガラス、金属などの無機物のエッチングは無関係である。
3 反強磁性層
4 第1磁性層(磁化固着層)
6 非磁性層
7 空孔
8 ポイントコンタクト
10 第2磁性層(磁化自由層)
20 自己組織化レジスト膜
20A レジストパターン
21 PS(ポリスチレン)からなる領域
23 PMMA(ポリメチルメタクリレート)からなる領域
24 開口
25 電子線が照射されるPMMAからなる領域
27 電子線が照射されるPMMAからなる領域に隣接する他のPMMAからなる領域
30 電子線の照射スポット
40 レジスト膜
40A レジストパターン
41 角部
42 レジストが除去された領域
50 レジストからなる壁
52 レジストパターン
55 壁
60 アライメントマーク
70 レジスト膜
71 PS(ポリスチレン)からなる領域
73 PtBUMA(ポリt(ターシャリーブチル)メタクリレート)からなる領域
80 PAG保護膜
Claims (9)
- 空孔を形成すべき部材上に、平面内に分散析出した複数相からなる有機ポリマー膜を形成する工程と、
前記有機ポリマー膜の所定部分の析出相に、電子線を照射し前記析出相の分子構造を変化させる工程と、
前記分子構造が変化した前記析出相を溶液中にて選択的に除去させる工程と、
前記析出相が選択的に除去された前記有機ポリマー膜をマスクとして前記空孔を形成すべき部材をエッチングすることにより前記空孔を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする空孔の形成方法。 - 前記有機ポリマー膜を形成する前に、前記空孔を形成すべき部材上に、角部を有するテンプレートを形成する工程を備え、前記電荷は前記角部近傍にのみ注入することを特徴とする請求項1記載の空孔の形成方法。
- 角部の角度は略60度もしくは略120度であることを特徴とする請求項1または2記載の空孔の形成方法。
- 前記有機ポリマー膜はブロックコポリマーを有し、前記ブロックポリマーはα位が水素原子のポリマーと、α位がメチル基またはハロゲンのポリマーとを含む2種類以上のポリマーから構成され、電子線を照射されることを特徴とする請求項1乃至3いずれかに記載の空孔の形成方法。
- 前記有機ポリマー膜はポリスチレン−ポリメチルメタクリレートジブロックコポリマーであることを特徴とする請求項5記載の空孔の形成方法。
- 前記有機ポリマー膜はポリスチレン−ポリ(ターシャリーブチル)メタクリレート)ジブロックコポリマーであって、かつ電子線に反応し酸を発生する光酸発生剤を含有することを特徴とする請求項5記載の空孔の形成方法。
- 基板上に第1電極を形成する工程と、
前記下部電極上に第1強磁性層を形成する工程と、
前記第1強磁性層上に非磁性層を形成する工程と、
請求項1乃至7のいずれかに記載の空孔の製造方法を用いて前記非磁性層に空孔を形成する工程と、
前記空孔を埋め込むように前記非磁性層上に第2強磁性層を形成する工程と、
前記第2強磁性層上に第2電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 前記非磁性層は絶縁層であることを特徴とする請求項8記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
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