JP2005283314A - センサーチップの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 あらかじめ素子検出部全体に撥水膜やブロッキング膜を形成した後に、素子の電極に負の電圧をかけることで、電極表面の被膜を除去し、電極周辺基板表面が選択的に表面処理されたセンサーチップを得る。
【選択図】 図1
Description
ものである。
本発明のセンサーチップの製造方法によると、あらかじめ検出部全体を撥水膜、またはブロッキング膜で覆い、その後電極に負の電圧をかけることにより電極表面の被膜のみが選択的に除去できる。この現象は、電極表面のシリル基やチオール基が還元的に脱離したものと考えられる。
図1は、本発明の、素子の形態の一例を示す。
素子検出部の基板1はガラス、シリコン、水晶、ガラスエポキシ、ポリエチレンテレフタレート等を用いることが可能で、単独、あるいは電極を設けたガラス基板をガラスエポキシ基板に積層するなど、複数同時に用いることもできる。
対極8としては白金やカーボン等を用いることができる。参照電極9としては銀/塩化銀などの一般的な参照電極を用いることができ、塩橋等を通して参照電極9のみを異なる容器に設置してもかまわない。
ーク電流値が同じことから、電極表面の被膜5が完全に除去されたセンサーチップが形成されていることを確認した。
パーフルオロアルキル基を有するポリシラザン(FD820 東燃製)の2重量%ジブチルエーテル溶液を用いディップコート法により素子表面を被覆し120℃で5分間、その後90℃80%RHで30分間硬化することにより得られた撥水被膜を被膜5とし、被膜除去の際の水溶液6をpH8.5の硼酸緩衝液とした他は、実施例1と同様の反応を行った。被膜形成後のCV測定結果を図8に示す。被膜除去後のCV測定結果は図7と同様の結果が得られた。
ブロックエース(大日本製薬製)の8重量%PBS(リン酸バッファ塩)溶液を用い、素子を37℃で3時間浸漬し、その後純水で洗浄し室温で24時間乾燥することにより得られたブロッキング膜を被膜5とした他は、実施例2と同様の反応を行った。
2 電極
3 電極引き出し線
4 絶縁コート
5 被膜
6 水溶液
Claims (4)
- 検出部に電極を有する素子に撥水処理またはブロッキング処理を施して前記素子上に被膜を形成する工程と、前記素子を水溶液中に浸漬し、前記電極に一定の電圧を印加することにより、前記電極上の被膜を除去する工程とを有するセンサーチップの製造方法。
- シリコン化合物を使用して前記撥水処理を行うことを特徴とする請求項1に記載のセンサーチップの製造方法。
- シリコン化合物またはタンパク質を使用して前記ブロッキング処理を行うことを特徴とする請求項1に記載のセンサーチップの製造方法。
- 前記素子の電極以外に少なくとも一つの電極を設け、前記素子の電極に負の電圧を印加することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のセンサーチップの製造方法。
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