JP2005277334A - 単結晶サファイア基板およびこれを用いた窒化物半導体発光素子 - Google Patents
単結晶サファイア基板およびこれを用いた窒化物半導体発光素子 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】200〜600nmの波長域において透過率が10%以下である単結晶サファイア基板であり、好ましくは、基板面内の透過率バラツキが5%以下である単結晶サファイア基板を用いる
【選択図】図1
Description
特許文献2による基板の裏面に凹凸を形成する方法は、発光層形成後の基板について輝度を向上させることが目的であり、窒化物半導体層を単結晶サファイア基板に形成した後のバックグラインディング時の面状態を規定するものである。そのため、窒化物半導体を用いた発光素子を形成後の基板の評価時には、従来の単結晶サファイア基板の状態がそのまま反映されるためランク分けの判断が困難となる。また新たな凹凸形成のための応力の発生がさけられず、基板のそり精度に影響をあたえ、スクライビング等に問題を生じさせる危険性が懸念される。
12:一方の主面
13:他方の主面
14:バッファ層
15:窒化物半導体結晶層
16:発光層
21:低温バッファ層
22:n型GaNコンタクト層
23:n型電極
24:n型AlGaNクラッド層
25:GaN系半導体層
26:p型AlGaNクラッド層
27:p型GaNコンタクト層
28:p型電極
31:遊離砥粒
32:ラッピング定盤
61:単結晶サファイア基板
62:低温バッファ層
63:多重層
64:n型GaN層
65:n型電極
66:SiドープAl0.1Ga0.9Nn層
67:活性層
68:マグネシウムドープAl0.1Ga0.9Np層
69:SiO2層
70:p型電極
71:単結晶サファイア基板
72:低温バッファ層
73:窒化物半導体結晶層
74:光の漏れ
Claims (6)
- 200〜600nmの波長域の光に対する透過率が10%以下であることを特徴とする単結晶サファイア基板。
- 各波長における基板面内の透過率バラツキが5%以下であることを特徴とする請求項1記載の単結晶サファイア基板。
- 一方の主面が鏡面であることを特徴とする請求項1又は2記載の単結晶サファイア基板。
- 他方の主面の算術平均粗さRaが0.4〜1.5μmであることを特徴とする請求項3に記載の単結晶サファイア基板。
- 前記他方の主面における算術平均粗さの面内バラツキが0.4μm以下であることを特徴とする請求項4記載の単結晶サファイア基板。
- 請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の単結晶サファイア基板の主面上に、AlXGaYN(X+Y=1,X≧0,Y≧0)のバッファ層を形成した後、その上に窒化物半導体結晶層を成長させ、その中に発光層を含む半導体結晶層が積層された素子構造を有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。
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