JP2005277031A - 電子線露光装置および電子線較正方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 電子ビームをマスク上の各位置に偏向して、マスクを通過した電子ビームで試料に露光を行う電子線露光装置において、偏向量によって変動する電子ビームの平行度及び非点収差を較正する、電子線露光装置及び電子線較正方法を提供する。
【解決手段】 電子線露光装置１を、偏向手段２０の各偏向量に対応する電子ビーム１５の状態の各較正量を記憶する較正量記憶部７１と、偏向手段２０の偏向量に応じて、偏向量に対応して記憶された較正量で電子ビーム１５を較正する電子線較正部７２、７３とを備えて構成する。
【選択図】 図６

Description

本発明は、半導体集積回路などの製造工程で使用される微細パターンを露光する電子線露光装置及び電子線露光装置に使用される電子ビームの状態を較正する電子線較正方法に関し、特に露光パターンを有するマスクを半導体ウエハなどの試料の表面に近接して配置し、マスクを通過した電子ビームで露光を行う電子線近接露光装置及びその電子線較正方法に関する。

近年、半導体集積回路の高集積化のニーズに伴い、回路パターンの一層の微細化が要望されている。現在、微細化の限界を規定しているのは主として露光装置であり、電子ビーム直接描画装置やＸ線露光装置などの新しい方式の露光装置が開発されている。

最近では新しい方式の露光装置として、量産レベルで超微細加工用に使用可能な電子線近接露光装置が開示されている（例えば特許文献１、およびこれに対応する日本国特許出願の特許文献２）。

図１は、電子線近接露光装置の基本構成を示す図である。この図を参照して、電子線近接露光装置について簡単に説明する。
電子線近接露光装置１は、電子光学鏡筒（カラム）１０と試料室（チャンバ）８とを備えており、カラム１０内には、電子ビーム１５を発生する電子ビーム源１４と整形アパチャ１８と電子ビーム１５を平行ビームにする照射レンズ１６とを有する電子銃１２と、電子ビーム１５の非点収差を補正する非点収差補正コイル６１、６２と、対となる主偏向器２１、２２と、対となる副偏向器５１、５２とからなる走査手段１３を含む。

また、チャンバ８内には、露光するパターンに対応する開口を有するマスク３０、および静電チャック４４とＸＹステージ４６が設けられる。試料（半導体ウエハ）４０は、表面にレジスト層４２が形成され、静電チャック４４上に保持されている。
マスク３０は、厚い外縁部３４内の中央に開口が形成された薄膜部３２を有しており、試料４０は表面がマスク３０に近接するように配置される。開口は露光パターンに対応している。
この状態で、電子ビーム１５は、走査手段１３により偏向されて図２（Ａ）に示すようにマスク３０の薄膜部３２上を全面にわたって走査され、垂直に照射される。すると、マスク３０の開口を通過した電子ビーム１５が試料４０の表面のレジスト層４２に照射され、試料４０上に露光パターンが等倍露光される。

走査手段１３中の主偏向器２１および２２は、図１に示すように、電子ビーム１５をその光軸１９を平行に保ったまま、マスク３０上の所定の偏向領域内の各位置に偏向するために設けられている。

走査手段１３中の副偏向器５１、５２は、マスク歪みを補正するように電子ビームのマスクパターンへの入射角度を制御（傾き補正）する。いま図２（Ｂ）に示すように電子ビーム１５の露光用のマスク３０への入射角度をα、露光用のマスク３０と試料４０とのギャップをＧとすると、入射角度αによるマスクパターンの転写位置のずれ量δは、次式、
δ＝Ｇ・ｔａｎα
で表される。

図２（Ｂ）上では、マスクパターンは、ずれ量δだけ正規の位置からずれた位置に転写される。したがって、例えば露光用のマスク３０にマスク歪みがある場合には、電子ビーム走査位置におけるマスク歪みに応じて電子ビームの傾き制御を行うことにより、マスク歪みのない状態でのマスクパターンが転写される。

ＸＹステージ４６は、載置する試料４０を水平の直交２軸方向（ＸＹ方向）に移動させるもので、マスクパターンの等倍転写が終了する毎に試料４０を所定量移動させ、これにより１枚の試料４０に複数のマスクパターンを転写できるようにしている。なおＸＹステージ４６は、垂直方向（Ｚ方向）を回転軸にして、試料４０を回転させることも可能である。

照射レンズ１６は、電子線源１４から発生した電子ビーム１５が、マスク３０上で完全な平行ビームとなるように、電子ビーム１５の平行度を調整する。これは、電子ビーム１５の平行度が悪いとき試料４０に露光されたパターンの解像性が悪くなるからである。この理由を図３（Ａ）〜（Ｃ）を参照して説明する。

電子ビーム１５が非平行ビームである場合には、図３（Ａ）に示すようにマスク３０の開口３１を通過した後、その径を広げながら試料４０に照射される。
ここに、図３（Ｂ）に図示するように、試料４０に照射されるビーム像４１のエネルギー分布を矢印４３に沿って測定すると、図３（Ｃ）に示すように非平行ビーム１５による電子ビーム像４１のエッジ部分のエネルギー変化は、平行ビーム１５’のそれと比べて緩慢になる。この結果、試料４０上のレジストに露光されたパターンの垂直性が悪くなり（すなわちエッジだれが生じ）、露光パターンの解像性が悪化する。

非点収差補正コイル６１、６２は、電子ビーム１５に非点収差が無くなるように、電子ビーム１５の非点収差を調整する。これは、電子ビーム１５が非点収差を有するときにも、試料４０に露光されたパターンの解像性が悪くなるからである。この理由を図４（Ａ）〜（Ｃ）を参照して説明する。

電子ビーム１５に非点収差が存在する場合には、電子ビーム１５断面の径の方向によって、電子ビームの焦点距離が変化する。例えば図４（Ａ）に示すように、マスク３０上では電子ビーム断面が真円になっていても、試料４０の上では楕円形状に歪む。この結果電子ビーム１５断面の径の方向によって前記露光パターンの解像性の差（垂直性差、エッジのだれ具合の差）が生じる。例えば図４（Ａ）に示す矢印ｂ及び矢印ｃに沿って、試料４０に露光されるビーム像４１のエネルギー分布を図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）に示す。

ここで、電子ビーム１５は、ｂ方向には非平行成分を含まないがｃ方向には非点収差による拡散が生じている。するとｃ方向に沿った電子ビーム像４１のエネルギー分布（図４（Ｃ））は、ｂ方向に沿った電子ビーム像４１のエネルギー分布（図４（Ｂ））と比較して、マスク３０のエッジ部分のエネルギー変化が緩慢になる。
このように電子ビーム１５に非点収差が存在すると、方向によって露光パターンの解像性に差が生じ解像性が悪化する。

なお、非点収差の補正は、８極子コイル等により行われるのが通常である。図４（Ｄ）は、Ｘ軸非点収差補正コイル６１をなすコイルＸＣ１１、ＸＣ１２、ＸＣ２１、ＸＣ２２、Ｙ軸非点収差補正コイル６２をなすコイルＹＣ１１、ＹＣ１２、ＹＣ２１、ＹＣ２２を組み合わせて構成された８極子コイルの上面図である。
Ｙ軸非点収差補正コイル６２は、Ｘ軸非点収差補正コイル６１に対して４５°回転された状態で配置され、ＸＣ１１とＸＣ１２、ＸＣ２１とＸＣ２２、ＹＣ１１とＹＣ１２、ＹＣ２１とＹＣ２２は各々対向して配置されている。非点収差補正コイル６１、６２は一般的には同一平面上に構成されるが、図１においては説明の簡単のため分離して図示した。しかしながら、これにより本発明の主旨は何ら影響を受けるものではない。

米国特許第5,831,272号公報（全体） 特許第2951947号公報（全体）

上記のように電子線露光装置では電子ビームの平行度状態及び非点収差状態の調整を行っている。しかし、電子線近接露光装置のように電子ビームを大きく偏向してマスクの各位置に電子ビームを照射する電子線露光装置の場合では、電子ビームの偏向量すなわちマスク上の電子ビームの偏向位置（照射位置）によって、電子ビームのマスク上の平行度状態及び非点収差状態が変化する。このため電子ビームを、マスク上のある位置に照射したときには電子ビームがマスク上で完全な平行ビームであり非点収差を有さない状態であったとしても、他の位置に照射したときには電子ビームがマスク上で非平行ビームとなり、非点収差を有する状態となる。この理由を図５を参照して説明する。

図示するように、電子線源１４から発生した電子ビーム１５は、照射レンズ１６によってマスク上の位置３７において平行ビームとなるように平行度状態が調整されている。
一方、それぞれ対向する電極２３Ａ及び２３Ｂ、並びに電極２３Ｃ及び２３Ｄからなる静電偏向器２３Ａ〜２３Ｄは、電子ビーム１５を偏向して偏向領域３５の各位置へ偏向することが可能である。

電子ビーム１５の電子は、その電荷によりそれぞれが反発しあうため、電子には飛程中に拡散する、いわゆる空間電荷効果（クーロン効果）が作用する。したがって、偏向領域３５上の位置３７において電子ビームが平行になるように調整した場合、偏向領域３５内の各位置に照射するように偏向された電子ビーム１５が平行ビームとなるのは、偏向器２３Ａ〜２３Ｄの偏向中心から位置３７までの距離と等距離にある面上であり、この面は図に示す湾曲面３６の面上となる。
したがって、偏向器２３Ａ〜３１Ｄの偏向中心からの距離が異なる図中の偏向領域の周辺部３８に偏向された電子ビーム１５は、マスク上において、やや拡散する非平行ビームとなる。

また、電子ビーム１５は偏向されると非点収差状態が変動するため、例えば、位置３７において非点収差補正がなされた電子ビーム１５は、偏向器２３Ａ〜２３Ｄによって位置３８に偏向されると非点収差が増大する。そして、この非点収差の量は偏向位置によって変動する。

さらに、静電偏向器や磁気偏向器が発生させる電界又は磁界には歪みが含まれているため、偏向器によって偏向された電子ビーム１５は、これら歪みの影響により平行度及び非点収差状態が悪くなり、さらにこれら平行度及び非点収差は偏向量によって変化する。

上記問題点を鑑みて、本発明は電子ビームをマスク上の各位置に偏向する電子線露光装置において、偏向量によって変動する電子ビームの平行度及び非点収差を較正する、電子線露光装置及び電子線較正方法を提供することを目的とする。

前記目的を達成するため、本発明では、電子ビームを偏向領域の各位置に偏向したときの、電子ビームの各平行度や各非点収差状態などの電子ビーム状態の各較正量を測定して記憶しておき、露光の際に各位置について記憶された各較正量を使用して電子ビームの較成を行う。

すなわち、本発明の第１形態に係る電子線露光装置は、電子ビームを発生する電子線源と、露光パターンに応じたマスクパターンを有するマスクと、電子ビームをマスク上の各位置に偏向する偏向手段とを備え、電子ビームをマスク上に照射させてマスクを通過した電子ビームで、試料表面に露光パターンを露光する電子線露光装置であって、さらに、偏向手段の各偏向量に対応する電子ビームの状態の各較正量を記憶する較正量記憶部と、走査手段の偏向量に応じて、偏向量に対応して記憶された較正量で電子ビームを較正する電子線較正部とを備える。

また、本発明の第２形態に係る電子線較正方法は、電子線源より発生させた電子ビームを、露光パターンに応じたマスクパターンを有するマスクの各位置に、偏向手段によって偏向させ、マスクを通過した電子ビームで、試料表面に露光パターンを露光する電子線露光における電子線較正方法であって、偏向手段の各偏向量に対応する電子ビームの状態の各較正量を記憶し、走査手段の偏向量に応じて、該偏向量に対応して記憶された較正量で電子ビームを較正する。

走査手段の偏向量に応じて記憶される各較正量は、予め偏向手段により各偏向量で前記電子ビームを偏向し、電子ビームの状態を測定した結果に基づき取得することとしてよい。本発明に係る電子線露光装置及び電子線較正方法により構成される電子ビームの状態は、電子ビームの平行度状態であってよく、電子ビームの非点収差状態であってよい。

本発明によって、偏向手段による偏向量に応じて異なる較正量で電子ビーム状態の較正を行うことが可能となる。これによって電子ビーム状態を、偏向量に応じて較正することが可能となる。

また、偏向手段により各位置に偏向された電子ビームの実際の電子ビーム状態に基づいて求められた較正量を、各偏向位置に応じて使用することができるため、静電偏向器や磁気偏向器が発生させる電界又は磁界には歪みが含まれていても、この歪みの影響を除去した電子ビームの較正を行うことが可能である。

以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。図６は、本発明の第１実施例に係る電子線近接露光装置の基本構成図である。電子線近接露光装置１の基本構成は、図１に示した構成及び上記の文献１に開示された構成に類似した構成を有している。よって、図１と同一の機能部分には同一の参照番号を付して表し、詳しい説明は省略する。

図６に示すように、電子線近接露光装置１は、カラム１０内に、電子ビーム１５を発生する電子ビーム源１４と電子ビーム１５を平行ビームにする照射レンズ１６とを有する電子銃１２、主偏向器２０と副偏向器５０とを含み電子ビーム１５を光軸に平行に走査するように前記電子ビーム１５を偏向する走査手段１３、電子ビーム１５の非点収差を補正する非点収差補正コイル６０、露光するパターンに対応する開口を有するマスク３０を備える。
なお、主偏向器２０と副偏向器５０は、図６ではそれぞれ１つの偏向器として示してあるが、実際には図１に示すようにそれぞれ２段構成になっている。また非点収差コイル６０は、図４（Ｄ）を参照して前述したように、Ｘ軸非点収差補正コイルをなすコイルＸＣ１１、ＸＣ１２、ＸＣ２１、ＸＣ２２、Ｙ軸非点収差補正コイルをなすコイルＹＣ１１、ＹＣ１２、ＹＣ２１、ＹＣ２２を組み合わせた８極子コイルにより構成される。

一方、電子線近接露光装置１は、チャンバ内８に、静電チャック４４とＸＹステージ４６とから構成される。試料（半導体ウエハ）４０は、表面にレジスト層４２が形成され、静電チャック４４上に保持されている。
マスク３０は、静電チャック４４に吸着された試料４０の表面に近接するように（マスク３０と試料４０とのギャップが、例えば、５０μｍとなるように）配置される。

さらに電子線近接露光装置１は、主偏向器２０によって、マスク３０上の所定の偏向領域内で、電子ビーム１５を走査するために、この走査中の電子ビームの各偏向位置を順次決定する偏向位置決定部２６と、偏向位置決定部２６により決定された偏向位置に応じた偏向指令信号を主偏向器２０に出力する主偏向器制御部２５を備える。

また電子線近接露光装置１は較正量記憶部７１を備える。較正量記憶部７１は、予め測定するなどして取得した、電子ビーム１５の各偏向位置に対応した電子ビーム１５の各平行度状態や、各非点収差状態などの電子ビーム状態に応じて決定した電子ビーム状態の各較正量を記憶する。
さらに電子線近接露光装置１は、電子ビーム１５を各偏向位置に偏向する際に、各偏向位置に対応する電子ビーム１５の平行度状態の較正量を照射レンズ制御部６３に出力して、照射レンズ１６によって電子ビーム１５の平行度状態を較正する平行度較正部７２を備える。照射レンズ制御部６３は、平行度較正部７２から出力される較正量に基づいて、照射レンズ１６を制御する。

電子線近接露光装置１は、電子ビーム１５を各偏向位置に偏向する際に、各偏向位置に対応する電子ビーム１５の非点収差状態の較正量を非点収差補正コイル制御部６４に出力して、非点収差補正コイル６０によって電子ビーム１５の非点収差状態を較正する非点収差較正部７３を備える。非点収差補正コイル制御部６４は、非点収差較正部７３から出力される較正量に基づいて、非点収差補正コイル６０を制御する。

また、電子線近接露光装置１は、マスク３０に照射された電子ビーム１５の２次電子像を撮像する撮像手段６５を備える。撮像手段６５は、例えばマスク３０に反射した電子ビーム１５の２次電子を捉える２次電子検出器を使用して実現することができる。そして、電子線近接露光装置１は、撮像手段６５が撮像した電子ビーム１５の２次電子像に基づいて、電子ビーム１５の平行度状態や非点収差状態の較正量を決定する較正量決定部７５を備える。

図７は、本発明に係る電子線較正方法のフローチャートである。ここでは、例として図６の電子線近接露光装置１の動作に適用した場合を示す。
電子線近接露光装置１の使用態様である露光に先立ち、ステップＳ１０１〜Ｓ１０６において、電子線近接露光装置１は、電子ビーム１５の各偏向位置に対応する電子ビーム状態の各較正量をそれぞれ取得して、較正量記憶部７１に記憶する。

まず、ステップＳ１０１において、偏向位置決定部２６は、較正量の取得を開始する電子ビーム１５の偏向位置を決定し主偏向器制御部２５に出力する。主偏向器制御部２５は、偏向位置決定部２６により決定された偏向位置に基づき、主偏向器２０の偏向指令信号を求め、主偏向器２０に出力する。これにより電子ビーム１５は、偏向位置決定部２６が決定した偏向位置に偏向される。

ステップＳ１０２において、較正量決定部７５は、撮像手段６５によって取得したマスク３０に照射された電子ビーム１５の２次電子像の大きさ、形状、像周辺部分のコントラスト等に基づいて、マスク３０上における電子ビーム１５の平行度状態や非点収差状態などの電子ビーム状態を測定する。そして、較正量決定部７５はステップＳ１０３において、電子ビーム状態の較正量、すなわち、例えば電子ビーム１５をマスク３０上において完全な平行ビームに調整するために要する照射レンズ制御部６３への出力値である較正量と、電子ビーム１５のマスク３０上における非点収差を除去するために要する非点収差補正コイル制御部６４への出力値である較正量を決定する。

これらステップＳ１０２及びＳ１０３において、較正量決定部７５は、例えば照射レンズ制御部６３及び非点収差補正コイル制御部６４へ信号出力値を変化させつつ、撮像手段６５によって取得したマスク３０に照射された電子ビーム１５の２次電子像の大きさ、形状、像周辺部分のコントラスト等を観測して、マスク３０上において電子ビーム１５を完全な平行ビームに調整したときの照射レンズ制御部６３への出力値と、マスク３０上において電子ビーム１５の非点収差が除去されたときの非点収差補正コイル制御部６４への出力値を、それぞれ平行度状態に係る較正量と非点収差状態に係る較正量として取得することとしてよい。

ステップＳ１０４において、較正量決定部７５は、Ｓ１０２及びＳ１０３にて取得した較正量を、その時点の電子ビーム１５の偏向位置に関連付けて較正量記憶部７１に記憶する。そして、これらのステップＳ１０１〜Ｓ１０４を、偏向位置を変えながら主偏向器２０の偏向領域の全領域にわたって繰り返す（Ｓ１０５、Ｓ１０６）。
以上により、主偏向器２０の偏向領域の各偏向位置に関する、電子ビーム状態の較正量の２次元マップが作成されて、較正量記憶部７１に記憶される。

以下のステップＳ１０７〜Ｓ１１１において、電子線近接露光装置１の使用態様である露光に際し、主偏向器２０の各偏向位置に偏向された電子ビーム１５の電子ビーム状態を較正する。

まず、ステップＳ１０７において、偏向位置決定部２６は、露光開始位置に対応する電子ビーム１５の偏向位置を決定し主偏向器制御部２５に出力する。主偏向器制御部２５は、偏向位置決定部２６により決定された偏向位置に基づき、主偏向器２０の偏向指令信号を求め主偏向器２０に出力する。これにより電子ビーム１５は、偏向位置決定部２６が決定した偏向位置に偏向される。

ステップＳ１０８において、平行度較正部７２は、偏向位置決定部２６により決定された偏向位置を取得して、較正量記憶部７１から、この偏向位置に対応する平行度の較正量（すなわち、例えば要する照射レンズ制御部６３への出力値の較正量）を読み出す。また、非点収差較正部７３は、偏向位置決定部２６により決定された偏向位置を取得して、較正量記憶部７１から、この偏向位置に対応する非点収差状態の較正量（すなわち、例えば要する非点収差コイル制御部６４への出力値の較正量）を読み出す。

そしてステップＳ１０９において、平行度較正部７２は、読み出した平行度の較正量及び非点収差状態の較正量を、それぞれ照射レンズ制御部６３及び非点収差補正コイル制御部６４に出力する。照射レンズ制御部６３は較正された指令信号に基づいて照射レンズ１６を制御し、非点収差補正コイル制御部６４は較正された指令信号に基づいて非点収差補正コイル６０を制御する。これにより、偏向位置決定部２６が決定した偏向位置に偏向された電子ビーム１５は、偏向位置に応じて、マスク３０上において平行ビームとなるように平行度が較正され、マスク３０上において非点収差が無くなるように非点収差状態が較正される。

そして、これらのステップＳ１０７〜Ｓ１０９を、偏向位置を変えながら主偏向器２０の偏向領域の全領域にわたって繰り返す（Ｓ１１０、Ｓ１１１）。

偏向位置に応じた電子ビーム１５の平行度の較正は、上記のように直接、照射レンズ１６に対する指令信号を較正することとしてもよいが、照射レンズ１６では一定の調整量で電子ビーム１５の平行度を調整することとし、偏向位置に応じた電子ビーム１５の平行度調整を行う補助レンズを別途設けることとしてよい。

図８は、本発明の第２実施例に係る電子線近接露光装置の基本構成図である。電子線近接露光装置１の照射レンズ１６及び照射レンズ制御部６３は、電子ビーム１５が所定の位置（例えばカラム１０の光軸中心）に偏向されたとき、または主偏向器２０による偏向制御が行われていないときに、電子ビーム１５がマスク３０上において平行となるように、電子ビーム１５の平行度を調整する。

一方、補助レンズ７４及び補助レンズ制御部７５は、照射レンズ１６により平行度調整が行われる電子ビーム１５の平行度を、主偏向器２０の偏向位置に応じて平行度較正部７２から出力される較正量に基づいて、電子ビーム１５の平行度を調整する。

このように電子線源１４から生じた電子ビーム１５を一定の平行度状態とするための調整量の大きな平行度調整を照射レンズ１６で行い、主偏向器２０の偏向位置に応じた平行度の微細な較正を補助レンズ７４で行うことにより、より高精度な較正を行うことが可能となる。

電子線近接露光装置の構成図である。 （Ａ）は電子ビームの走査方法の説明図であり、（Ｂ）は電子ビームの傾き制御の説明図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、非平行電子ビームによる露光パターンの解像性の悪化を説明する図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、電子ビームの非点収差による露光パターンの解像性の悪化を説明する図であり、（Ｄ）は、非点収差補正コイルの構成図である。 電子ビームの偏向量による平行度及び非点収差の変動を説明する図である。 本発明の第１実施例に係る電子線近接露光装置の構成図である。 本発明に係る電子線較正方法のフローチャートである。 本発明の第２実施例に係る電子線近接露光装置の構成図である。

符号の説明

１…電子線近接露光装置
８…チャンバ
１０…カラム
１４…電子線源
１５…電子ビーム
２０…主偏向器
２５…主偏向器制御部
２６…偏向位置決定部
３０…マスク
４０…試料
５０…副偏向器
６０…非点収差補正コイル
６３…照射レンズ制御部
６４…非点収差補正コイル制御部
７１…較正量記憶部
７２…平行度較正部
７３…非点収差較正部

Claims (8)

1. 電子ビームを発生する電子線源と、露光パターンに応じたマスクパターンを有するマスクと、前記電子ビームを前記マスク上の各位置に偏向する偏向手段と、を備え、前記電子ビームを前記マスク上に照射させて前記マスクを通過した前記電子ビームで、試料表面に前記露光パターンを露光する電子線露光装置であって、さらに
   前記偏向手段の各偏向量に対応する前記電子ビームの状態の各較正量を記憶する較正量記憶部と、
   前記偏向手段の偏向量に応じて、該偏向量に対応して記憶された前記較正量で前記電子ビームを較正する電子線較正部と、
   を備える電子線露光装置。
2. 前記較正量記憶部に記憶される各較正量は、予め前記偏向手段により各偏向量で前記電子ビームを偏向し、前記電子ビームの状態を測定した結果に基づき取得されることを特徴とする請求項１に記載の電子線露光装置。
3. 前記電子ビームの状態は、前記電子ビームの平行度状態である請求項１に記載の電子線露光装置。
4. 前記電子ビームの状態は、前記電子ビームの非点収差状態である請求項１に記載の電子線露光装置。
5. 電子線源より発生させた電子ビームを、露光パターンに応じたマスクパターンを有するマスクの各位置に、偏向手段によって偏向させ、前記マスクを通過した前記電子ビームで、試料表面に前記露光パターンを露光する電子線露光における電子線較正方法であって、
   前記偏向手段の各偏向量に対応する前記電子ビームの状態の各較正量を記憶し、
   前記偏向手段の偏向量に応じて、該偏向量に対応して記憶された前記較正量で前記電子ビームを較正する、電子線較正方法。
6. さらに、予め前記偏向手段により各偏向量で前記電子ビームを偏向し、前記電子ビームの状態を測定した結果に基づき前記各較正量を取得する請求項５に記載の電子線較正方法。
7. 前記電子ビームの状態は、前記電子ビームの平行度状態である請求項５に記載の電子線較正方法。
8. 前記電子ビームの状態は、前記電子ビームの非点収差状態である請求項５に記載の電子線較正方法。

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