JP2005272208A - α型窒化珪素ナノベルトの製造方法 - Google Patents
α型窒化珪素ナノベルトの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005272208A JP2005272208A JP2004088043A JP2004088043A JP2005272208A JP 2005272208 A JP2005272208 A JP 2005272208A JP 2004088043 A JP2004088043 A JP 2004088043A JP 2004088043 A JP2004088043 A JP 2004088043A JP 2005272208 A JP2005272208 A JP 2005272208A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon nitride
- type silicon
- nanobelt
- manufacturing
- alpha
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 27
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 25
- 239000002127 nanobelt Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】 一酸化ケイ素粉末をアンモニア気流中で、1350〜1450℃に、3.2〜3.7時間加熱することにより、結晶性のα型窒化珪素ナノベルトを製造する。
【選択図】 図2
Description
F.Munakataほか、アプライド・フィジックス・レターズ(Appl.Phys.Lett.)74巻、3498頁、1999年。
有するα型窒化珪素ナノベルトの製造方法を提供する。
、350sccmの流量で十分となるからである。アルゴンガスなどの不活性気体の流量は250〜400sccmの範囲が好ましい。250sccm未満ではアルミナるつぼの中の酸素量が高くなり、400sccmで酸素の除去に十分となるからである。
はない。3.2時間未満であると、幅が広く、十分長いα型窒化珪素ナノベルトは得られな
い。
さ20〜30ナノメートルで、格子定数a=7.743Å、c=5.619Åを有する六方晶系のα型窒化珪素ナノベルトであることが確認される。
、このるつぼを縦型高周波誘導加熱炉の中央部に設置した。加熱炉を5×10-1Torrの減圧
にした後、加熱炉の上部からアンモニアガスを350sccmの流量で流し、加熱炉の下部から
アルゴンガスを400sccmの流量で流しながら、るつぼを1400℃で3.5時間加熱した。加熱終了後、加熱炉を室温に冷却すると、るつぼの内壁に白色の綿状の繊維状物が約2g堆積した。
クからβ型窒化珪素や他の不純物は存在しないことも確かめられる。
α型窒化珪素ナノベルトが得られていることが確認される。
現れており、化学組成は化学量論組成の窒化珪素に近似していることが分かる。なお、図3に現れている銅のピークは、試料を作製する際に用いた銅グリッドに由来するものである。
Claims (1)
- 一酸化ケイ素粉末をアンモニア気流中で、1350〜1450℃に、3.2〜3.7時間加熱することを特徴とする長さ数十マイクロメートル〜数百マイクロメートル、幅800〜1200ナノメート
ル、厚さ20〜30ナノメートルを有するα型窒化珪素ナノベルトの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004088043A JP4016111B2 (ja) | 2004-03-24 | 2004-03-24 | α型窒化珪素ナノベルトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004088043A JP4016111B2 (ja) | 2004-03-24 | 2004-03-24 | α型窒化珪素ナノベルトの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005272208A true JP2005272208A (ja) | 2005-10-06 |
JP4016111B2 JP4016111B2 (ja) | 2007-12-05 |
Family
ID=35172263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004088043A Expired - Lifetime JP4016111B2 (ja) | 2004-03-24 | 2004-03-24 | α型窒化珪素ナノベルトの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4016111B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104891456A (zh) * | 2015-06-04 | 2015-09-09 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 一种一维α-Si3N4纳米材料及其制备方法 |
CN109319750A (zh) * | 2018-11-13 | 2019-02-12 | 江西宏柏新材料股份有限公司 | 一种微波加热制备α-氮化硅纳米带的方法 |
CN110931744A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-27 | 深圳技术大学 | 一种硅碳负极材料及其制备方法 |
-
2004
- 2004-03-24 JP JP2004088043A patent/JP4016111B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104891456A (zh) * | 2015-06-04 | 2015-09-09 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 一种一维α-Si3N4纳米材料及其制备方法 |
CN109319750A (zh) * | 2018-11-13 | 2019-02-12 | 江西宏柏新材料股份有限公司 | 一种微波加热制备α-氮化硅纳米带的方法 |
CN110931744A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-27 | 深圳技术大学 | 一种硅碳负极材料及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4016111B2 (ja) | 2007-12-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Yin et al. | Synthesis, structure, and photoluminescence of very thin and wide alpha silicon nitride (α-Si 3 N 4) single-crystalline nanobelts | |
Cheng et al. | Zinc oxide single-crystal microtubes | |
Wang et al. | Photoluminescence properties of quasialigned ZnCdO nanorods | |
Zhuang et al. | Nanoscale integration of SiC/SiO2 core-shell nanocables in diamond through a simultaneous hybrid structure fabrication | |
Xu et al. | Formation and photoluminescence properties of AlN nanowires | |
JP4016111B2 (ja) | α型窒化珪素ナノベルトの製造方法 | |
Yang et al. | Synthesis of single crystalline GaN nanoribbons on sapphire (0001) substrates | |
TWI296291B (en) | method for synthesizing 3c-sic nano whisker and 3c-sic nano whisker | |
CN104891456A (zh) | 一种一维α-Si3N4纳米材料及其制备方法 | |
Kong et al. | Synthesis of ZnO nanobelts by carbothermal reduction and their photoluminescence properties | |
JP4431745B2 (ja) | 窒化アルミニウムナノリボンの製造方法 | |
Suzuki et al. | Crystal growth of β-Ga2O3 by electric current heating method | |
TW201825723A (zh) | 氮化鎵積層體之製造方法 | |
JP2008100863A (ja) | 炭化ケイ素ナノ構造物とその製造方法 | |
JP4930952B2 (ja) | 窒化アルミニウムナノリボン | |
JP2005349515A (ja) | 外壁および内壁が炭素膜で覆われた窒化アルミニウムナノチューブとその製造方法。 | |
Chen et al. | Characterization of ZnO nanowires grown on Si (100) with and without Au catalyst | |
JP4072622B2 (ja) | 単結晶β型窒化珪素ナノリボンの製造方法 | |
JP3921538B2 (ja) | 単結晶セレン化亜鉛ナノワイヤーの製造方法 | |
JP2004339020A (ja) | 窒化ガリウムナノチューブの製造方法 | |
Wang et al. | Growth of GaN single crystals by Ca3N2 flux | |
KR101517024B1 (ko) | 단결정 성장용 질화알루미늄 분말의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조한 질화알루미늄 단결정 성장용 분말 | |
JP4576604B2 (ja) | 単結晶窒化インジウムナノチューブの製造方法 | |
JP3918060B2 (ja) | 単結晶α型窒化珪素ナノリボンの製造方法 | |
JP2005154157A (ja) | 単結晶酸化亜鉛ナノシートの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070411 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070417 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070613 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070717 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070720 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070821 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4016111 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |