JP2005267676A - 不揮発性記憶装置 - Google Patents
不揮発性記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005267676A JP2005267676A JP2004074256A JP2004074256A JP2005267676A JP 2005267676 A JP2005267676 A JP 2005267676A JP 2004074256 A JP2004074256 A JP 2004074256A JP 2004074256 A JP2004074256 A JP 2004074256A JP 2005267676 A JP2005267676 A JP 2005267676A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- area
- data
- written
- memory
- page
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【解決手段】多値メモリセルによって構成される不揮発性メモリにおいて、物理ブロックを構成する各ページは、4つの領域に区分される。第1の領域(512B)には任意のデータが書き込まれ、第2の領域(10B)には第1の領域に書き込まれた任意のデータの誤りを訂正するための誤り訂正符号が書き込まれ、第3の領域(3B)には第1の領域に書き込まれた任意のデータに関係する管理情報が書き込まれ、第4の領域(3B)には第3の領域に書き込まれた管理情報を訂正するための誤り訂正符号が書き込まれる。第3,第4の領域は、2値メモリとして使用することにより、データ保持能力を向上させて、訂正能力に低い誤り訂正回路でも十分なデータ保持信頼性が得られるようにする。
【選択図】図8
Description
図1は、本発明の実施の形態1によるメモリーカードの構成を示したブロック図である。
102 ホスト
103 フラッシュメモリ
104 コントローラ
105 消去済テーブル
106 論物変換テーブル
Claims (5)
- 不揮発性メモリを備える不揮発性記憶装置であって、
前記不揮発性メモリは複数の物理ブロックからなり、
前記物理ブロックは複数の物理ページから構成され独立してデータの消去を行うことができ、
前記物理ページは独立してデータの書き込みを行うことができ、少なくとも第1から第4の4つの領域に区分され、
前記第1の領域には任意のデータが書き込まれ、前記第2の領域には前記第1の領域に書き込まれた前記任意のデータの誤りを訂正するための誤り訂正符号が書き込まれ、前記第3の領域には前記第1の領域に書き込まれた前記任意のデータに関係する管理情報が書き込まれ、前記第4の領域には前記第3の領域に書き込まれた前記管理情報を訂正するための誤り訂正符号が書き込まれることを特徴とする不揮発性記憶装置。 - 前記第2の領域の誤り訂正符号と、前記第4の領域の誤り訂正符号との誤り訂正能力が異なることを特徴とする請求項1記載の不揮発性記憶装置。
- ひとつの前記物理ブロックに含まれる少なくとも2以上の前記物理ページの前記第3の領域および前記第4の領域には、各々同じ書き込みが行われていることを特徴とする請求項1記載の不揮発性記憶装置。
- 前記不揮発性メモリは、複数の多値メモリセルによって構成され、
前記物理ページは、少なくとも3値以上の状態を取って書き込みと消去を行う多値領域と、2値の状態を取って書き込みと消去を行う2値領域との少なくとも2つの領域に区分することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の不揮発性記憶装置。 - 前記第1、第2の領域を前記多値領域とし、前記第3、第4の領域を前記2値領域とすることを特徴とする請求項4記載の不揮発性記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004074256A JP2005267676A (ja) | 2004-03-16 | 2004-03-16 | 不揮発性記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004074256A JP2005267676A (ja) | 2004-03-16 | 2004-03-16 | 不揮発性記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005267676A true JP2005267676A (ja) | 2005-09-29 |
Family
ID=35092078
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004074256A Pending JP2005267676A (ja) | 2004-03-16 | 2004-03-16 | 不揮発性記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005267676A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008084316A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング情報管理装置および方法 |
JP2008186515A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Sharp Corp | 半導体記憶装置および電子機器 |
JP2009510549A (ja) * | 2005-09-09 | 2009-03-12 | サンディスク アイエル リミテッド | フロントメモリストレージシステムおよび方法 |
JP2009116601A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Sony Corp | メモリ装置、メモリ管理方法、およびプログラム |
JP2009129477A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US7676626B2 (en) | 2006-11-03 | 2010-03-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory system storing data in single-level cell or multi-level cell according to data characteristics |
JP2010517168A (ja) * | 2007-01-26 | 2010-05-20 | マイクロン テクノロジー, インク. | Nandメモリのためのプログラミング管理データ |
US8239747B2 (en) | 2008-02-20 | 2012-08-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory devices that utilize error correction estimates to increase reliability of error detection and correction operations |
US8582358B2 (en) | 2011-03-28 | 2013-11-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system, controller, and method for controlling memory system |
JP2013247556A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | バッファ装置 |
-
2004
- 2004-03-16 JP JP2004074256A patent/JP2005267676A/ja active Pending
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009510549A (ja) * | 2005-09-09 | 2009-03-12 | サンディスク アイエル リミテッド | フロントメモリストレージシステムおよび方法 |
JP2008084316A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング情報管理装置および方法 |
US7676626B2 (en) | 2006-11-03 | 2010-03-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory system storing data in single-level cell or multi-level cell according to data characteristics |
US8214582B2 (en) | 2006-11-03 | 2012-07-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory system storing data in single-level cell or multi-level cell according to data characteristics |
JP2010517168A (ja) * | 2007-01-26 | 2010-05-20 | マイクロン テクノロジー, インク. | Nandメモリのためのプログラミング管理データ |
US8943387B2 (en) | 2007-01-26 | 2015-01-27 | Micron Technology, Inc. | Programming management data for a memory |
JP2008186515A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Sharp Corp | 半導体記憶装置および電子機器 |
JP2009116601A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Sony Corp | メモリ装置、メモリ管理方法、およびプログラム |
JP4535117B2 (ja) * | 2007-11-06 | 2010-09-01 | ソニー株式会社 | メモリ装置、メモリ管理方法、およびプログラム |
US8205033B2 (en) | 2007-11-06 | 2012-06-19 | Sony Corporation | Memory device, memory management method, and program |
JP2009129477A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US8239747B2 (en) | 2008-02-20 | 2012-08-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory devices that utilize error correction estimates to increase reliability of error detection and correction operations |
US8582358B2 (en) | 2011-03-28 | 2013-11-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system, controller, and method for controlling memory system |
JP2013247556A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | バッファ装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8976587B2 (en) | Data storage system having multi-bit memory device and operating method thereof | |
US8738974B2 (en) | Nonvolatile memory device and memory controller | |
US20170160942A1 (en) | Data storage device and flash memory control method | |
US9176861B2 (en) | System including data storage device, and data storage device including first and second memory regions | |
JPWO2007000862A1 (ja) | メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、及びデータ書き込み方法 | |
US10168913B2 (en) | Data storage device and data maintenance method thereof | |
JP2007242163A (ja) | 半導体集積回路装置のデータ記録方式 | |
KR20100114970A (ko) | 저장 장치의 액세스 방법 | |
JP5259138B2 (ja) | 記憶装置 | |
JP2008009919A (ja) | カードコントローラ | |
US9489143B2 (en) | Method for accessing flash memory and associated controller and memory device | |
JP5166118B2 (ja) | 半導体メモリの制御方法 | |
JP2007179701A (ja) | 多値データを記憶する不揮発性半導体記憶装置 | |
US8638603B2 (en) | Data storage system having multi-level memory device and operating method thereof | |
JP4866117B2 (ja) | 不揮発性記憶装置、そのデータ書き込み方法、不揮発性記憶システム及びメモリコントローラ | |
JP5592478B2 (ja) | 不揮発性記憶装置及びメモリコントローラ | |
JP2005267676A (ja) | 不揮発性記憶装置 | |
JP5612508B2 (ja) | 不揮発性メモリコントローラ及び不揮発性記憶装置 | |
JP2007157234A (ja) | メモリシステム | |
JP2009134799A (ja) | メモリシステム | |
JP2009175877A (ja) | 半導体メモリ | |
US20130073796A1 (en) | Memory controller | |
JP2008020937A (ja) | 不揮発性記憶装置 | |
JP3934659B1 (ja) | メモリコントローラ及びフラッシュメモリシステム | |
JP2006244017A (ja) | データコピー方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070308 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20070412 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090714 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091110 |