JP2005265985A - Proximity exposure device and exposure method using this proximity aligner - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、液晶基板等にマスクパターンを転写するためのプロキシミティ露光装置及びこのプロキシミティ露光装置を用いた露光方法に関する。 The present invention relates to a proximity exposure apparatus for transferring a mask pattern to a liquid crystal substrate or the like, and an exposure method using the proximity exposure apparatus.
近年、液晶用TFT、カラーフィルタ、PDP等、パネルサイズの大型化、多面付けによる生産効率の向上により、処理基板のサイズが大型化している。そのため、その主たるプロセス装置である露光装置も大型化の必要がある。従来の水銀灯を用いた装置では、露光装置の大型化に伴いスループットが低下してしまう。スループットを向上する手段の一つとして、照射光の照度を上げる方法がある。例えば、特許文献1には、露光機の光源として十分な出力を備えた光源が開示されている。 2. Description of the Related Art In recent years, the size of a processing substrate has been increased due to an increase in panel size, such as a liquid crystal TFT, a color filter, and a PDP, and an improvement in production efficiency due to multi-faceting. Therefore, it is necessary to increase the size of the exposure apparatus which is the main process apparatus. In a conventional apparatus using a mercury lamp, the throughput decreases as the exposure apparatus becomes larger. As one of means for improving the throughput, there is a method of increasing the illuminance of irradiation light. For example, Patent Document 1 discloses a light source having a sufficient output as a light source for an exposure machine.
しかしながら、水銀灯のアークが大きくなるため、水銀灯を試用する限りは、平行度の高い光を得ることが困難で、微細なパターンを正確に転写することができないといった問題点があった。
また、水銀灯からの出力には、長波長側の出力が存在するため、照射光の照度を上げるために水銀灯を大型化すると、長波長側の出力も増加して熱の発生量も増加し、装置の温度が上昇するといった問題点があった。
However, since the arc of the mercury lamp becomes large, as long as the mercury lamp is used, it is difficult to obtain light with a high degree of parallelism, and a fine pattern cannot be accurately transferred.
In addition, since the output from the mercury lamp has a long wavelength side output, if the mercury lamp is enlarged to increase the illuminance of the irradiation light, the long wavelength side output also increases and the amount of heat generated increases. There was a problem that the temperature of the apparatus rose.
この発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、平行度を向上し、かつ熱の発生を抑えながら照射光の照度を上げることにより、近年の大型化した処理基板に対応するための、大型化したプロキシミティ露光装置及びこのプロキシミティ露光装置を用いた露光方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve such problems, and can cope with a recent large-sized processing substrate by improving the parallelism and increasing the illuminance of irradiation light while suppressing the generation of heat. An object of the present invention is to provide an enlarged proximity exposure apparatus and an exposure method using the proximity exposure apparatus.
この発明に係るプロキシミティ露光装置は、紫外線パルスレーザ発振器と、紫外線パルスレーザ発振器から出射されたレーザの強度を均一化するレーザ均一化部材と、レーザ均一化部材から出射されたレーザを、基板へ平行かつ垂直に入射させる露光部材とから構成される。
紫外線パルスレーザ発振器はエキシマレーザまたはYAGレーザであることが好ましい。
また、紫外線パルスレーザ発振器が複数のYAGレーザから構成され、YAGレーザそれぞれから出射されるレーザを光ファイバーが伝送し、光ファイバーの出力端を束ねることによって、レーザを集光して出射するようにしてもよい。
YAGレーザの光源は、基本波波長1064nmの固体レーザの第3高調波であることが好ましい。
また、YAGレーザから出射されるレーザの位相を同期させて発光することが好ましい。
露光部材が基板へ出射させるレーザのコリメーション半角が0.5°以下であることを特徴とする。
さらに、紫外線パルスレーザ発振器からのレーザと、水銀灯からの光が重畳してレーザ均一化部材に入射されるようにしてもよい。
The proximity exposure apparatus according to the present invention includes an ultraviolet pulse laser oscillator, a laser homogenizing member that equalizes the intensity of the laser emitted from the ultraviolet pulse laser oscillator, and the laser emitted from the laser equalizing member to the substrate. And an exposure member that is incident in parallel and perpendicularly.
The ultraviolet pulse laser oscillator is preferably an excimer laser or a YAG laser.
Further, the ultraviolet pulse laser oscillator is composed of a plurality of YAG lasers, and the optical fiber transmits the laser emitted from each of the YAG lasers and bundles the output ends of the optical fibers so that the laser is condensed and emitted. Good.
The light source of the YAG laser is preferably the third harmonic of a solid-state laser having a fundamental wavelength of 1064 nm.
Further, it is preferable to emit light by synchronizing the phase of the laser emitted from the YAG laser.
The collimation half angle of the laser emitted from the exposure member to the substrate is 0.5 ° or less.
Furthermore, the laser from the ultraviolet pulse laser oscillator and the light from the mercury lamp may be superimposed and incident on the laser uniformizing member.
この発明に係るプロキシミティ露光装置を用いて、マスクのパターンを基板に転写することができる。 Using the proximity exposure apparatus according to the present invention, a mask pattern can be transferred to a substrate.
この発明に係るプロキシミティ露光装置及びこのプロキシミティ露光装置を用いた露光方法によれば、光源に紫外線パルスレーザを用いることによって、平行度を上げ、かつ熱の発生を抑えながら照度を上げることによって、プロキシミティ露光装置の大型化を実現することができる。 According to the proximity exposure apparatus and the exposure method using the proximity exposure apparatus according to the present invention, by using an ultraviolet pulse laser as a light source, the parallelism is increased, and the illuminance is increased while suppressing the generation of heat. Therefore, it is possible to increase the size of the proximity exposure apparatus.
以下、この発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態に係るプロキシミティ露光装置の構成図である。
このプロキシミティ露光装置は、光源に、紫外線パルスレーザを出射するエキシマレーザ1を使用し、凸レンズとシリンドリカルレンズを組み合わせることによって構成されたビーム整形レンズ2、多数のレンズ素子の集合体で構成されるフライアイレンズ3、湾曲した形状のコリメーションミラー4、及び被露光材を載置するためのXY駆動ステージ5から構成される。ここで、エキシマレーザ1は紫外線パルスレーザ発振器を、ビーム整形レンズ2及びフライアイレンズ3はレーザ均一化部材を、コリメーションミラー4は露光部材を構成する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a block diagram of a proximity exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
This proximity exposure apparatus uses an excimer laser 1 that emits an ultraviolet pulse laser as a light source, and includes a beam shaping lens 2 formed by combining a convex lens and a cylindrical lens, and an assembly of many lens elements. It comprises a fly-
次に、この実施の形態に係るプロキシミティ露光装置の動作について説明する。
エキシマレーザ1から出射されるレーザの仕様は、表1に記載された条件が適用され、使用される感光材料の種類によって、適宜選択することができる。
エキシマレーザ1から出射されたパルス状のレーザは、ビーム整形レンズ2に入射し、平行なレーザに変換される。その平行なレーザは、フライアイレンズ3に入射し、均一化されたレーザとして出射さる。その均一化されたレーザは、コリメーションミラー4で反射されて平行光となり、垂直にマスク7及びXY駆動ステージ5上に露光される。
Next, the operation of the proximity exposure apparatus according to this embodiment will be described.
The specification of the laser emitted from the excimer laser 1 applies the conditions described in Table 1, and can be appropriately selected depending on the type of photosensitive material used.
The pulsed laser emitted from the excimer laser 1 enters the beam shaping lens 2 and is converted into a parallel laser. The parallel laser enters the fly-
XY駆動ステージ5上には、上面に感光材料が塗布された処理基板6が載置されている。パターンが形成されたマスク7が、処理基板6の上に所定のギャップをもって配置されており、コリメーションミラー4で反射されたレーザを露光させて、処理基板6上にパターンを転写して現像する。この工程を繰り返すことによって、液晶基板等が製造される。
On the
このように、紫外線パルスレーザ発振器であるエキシマレーザ1を光源として使用すると、レーザスペクトルの幅が非常に狭いため、長波長側の出力による熱の発生を防止すると共に照度を上げることができ、露光効果を高めることができる。
また、フライアイレンズ3の径を、水銀灯使用時と比べ、約1/10程度にコンパクト化することができる。それにより、コリメーション半角が、水銀灯使用時の2〜2.5°から0.5°以下にすることができ、解像度を高めることができる。
さらに、水銀灯使用時には、露光のON/OFFを、フライアイレンズ3に設けられたシャッターを開閉することによって行っていた。この場合、シャッターの開閉時間による影響が存在した。しかしながら、光源に、エキシマレーザ1を使用すると、レーザの発振をON/OFFすることにより、露光のON/OFFが可能となり、シャッター開閉時間による影響をなくすことができる。
As described above, when the excimer laser 1 which is an ultraviolet pulse laser oscillator is used as a light source, the width of the laser spectrum is very narrow, so that generation of heat due to the output on the long wavelength side can be prevented and the illuminance can be increased. The effect can be enhanced.
Further, the diameter of the fly-
Further, when a mercury lamp is used, the exposure is turned on and off by opening and closing a shutter provided on the fly-
この実施の形態において、紫外線パルスレーザ発振器としてエキシマレーザ1を用いたが、YAGレーザを用いてもよい。この場合、YAGレーザの光源は、基本波波長1064nmの固体レーザの第3高調波(355nm)であることが好ましい。 In this embodiment, the excimer laser 1 is used as the ultraviolet pulse laser oscillator, but a YAG laser may be used. In this case, the light source of the YAG laser is preferably the third harmonic (355 nm) of a solid-state laser having a fundamental wavelength of 1064 nm.
実施の形態2.
この発明の実施の形態2に係るプロキシミティ露光装置を、図2に基づいて説明する。尚、以下の実施の形態において、図1の参照符号と同一の符号は、同一又は同様な構成要素であるので、その詳細な説明は省略する。
このプロキシミティ露光装置は、実施の形態1に係る装置において、光源に、複数のYAGレーザ10を用いたものである。8個のYAGレーザ10を並列に並べ、それぞれに光ファイバー11の一端が接続されている。光ファイバー11の他端は束ねられ、ビーム整形レンズ2にレーザを入射できるように配置されている。
Embodiment 2. FIG.
A proximity exposure apparatus according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIG. In the following embodiments, the same reference numerals as those in FIG. 1 are the same or similar components, and detailed description thereof will be omitted.
This proximity exposure apparatus uses a plurality of
次に、この実施の形態に係るレーザ露光装置の動作について説明する。
YAGレーザ10は、基本波波長1064nmの固体レーザであり、第3高調波(355nm)を10Wの出力でパルスレーザを出射する。それぞれのYAGレーザ10から出射されたレーザは、光ファイバー11を介して集光され、ビーム整形レンズ2に入射される。ビーム整形レンズ2から出射された平行なレーザは、実施の形態1と同様に、フライアイレンズ3及びコリメーションミラー4を介して、XY駆動ステージ5上の基板に露光される。
Next, the operation of the laser exposure apparatus according to this embodiment will be described.
The
複数のYAGレーザ10を使用すると、それぞれのYAGレーザ10から出射されたパルスは干渉しあう。それぞれのパルスの位相が互いに一致しないようにすれば、1つ1つのパルスの強度は同じであるが、パルス間隔が短くなる。一方、互いの位相を一致させると、1つ1つのパルスの強度が増加する。両者のパルスレーザは、レーザ全体の平均エネルギーは同じであるが、1つ1つのパルスの強度や間隔が異なるため、異なった露光効果が得られる。
前者の場合、1つ1つのパルス強度は変わらないため、露光装置内部の光学系の光損傷を防ぐことができる。一方、後者の場合は、瞬間的に高強度のパルスレーザが出射されるため、露光効果を高めることができるものの、強度が高すぎると、露光装置内部の光学系の光損傷を引き起こしてしまう可能性がある。このような場合には、露光効果を最大限に引き出すために、全てのパルスレーザの位相を一致させるのではなく、いくつかのパルスのグループをつくり、そのグループの中でパルスの位相を一致させるようにするとよい。
When a plurality of
In the former case, since the pulse intensity for each one does not change, optical damage in the optical system inside the exposure apparatus can be prevented. On the other hand, in the latter case, since the high-intensity pulse laser is emitted instantaneously, the exposure effect can be enhanced, but if the intensity is too high, optical damage inside the exposure apparatus may be caused. There is sex. In such a case, in order to maximize the exposure effect, instead of matching the phases of all the pulse lasers, create a group of several pulses and match the phases of the pulses within the group. It is good to do so.
このように、YAGレーザ10の数は、この実施の形態の8個に限定されるものではなく、適宜設計が可能である。従来の水銀灯では30mW/cm2程度の照度であったのに対し、YAGレーザ10の数を変えることによって、50mW/cm2以上の照度を得ることも可能である。さらに、それぞれのパルスレーザの位相を調節することで、照度上昇に伴う露光装置内部の光学系の光損傷を防ぐこともできる。
Thus, the number of
実施の形態3.
次に、この発明の実施の形態3に係るプロキシミティ露光装置を図3に基づいて説明する。
このプロキシミティ露光装置は、光源に、複数のYAGレーザ10と共に、水銀灯20を併用し、ビーム整形レンズ2、貫通する穴22を有する平面ミラー21、フライアイレンズ3、コリメーションミラー4、平面ミラー24、及びXY駆動ステージ5から構成される。この実施の形態では、YAGレーザ10を3個使用しているが、3個に限定されるものではなく、適宜設計が可能である。
Next, a proximity exposure apparatus according to
This proximity exposure apparatus uses a
次に、この実施の形態に係るプロキシミティ露光装置の動作について説明する。
実施の形態2と同様に、それぞれのYAGレーザ10から出射されたパルスレーザは、光ファイバー11を介して集光され、ビーム整形レンズ2に入射される。ビーム整形レンズ2から出射されたレーザは、平面ミラー21に空けられた穴22を通り、フライアイレンズ3に入射する。一方、水銀灯20には楕円ミラー23が設けられ、水銀灯20から出射された光は楕円ミラー23によって反射され、さらに平面ミラー21によって反射されてフライアイレンズ3に入射する。
フライアイレンズ3からは、均一化されたレーザが出射され、コリメーションミラー4に反射され、さらに平面ミラー24に反射されて、XY駆動ステージ5に露光される。
Next, the operation of the proximity exposure apparatus according to this embodiment will be described.
As in the second embodiment, the pulse laser emitted from each
A uniform laser is emitted from the fly-
このように、照射光の照度を上げるために、必要な数のYAGレーザ10を追加するように構成したため、YAGレーザ10の個数を少なくでき、コストの上昇を抑えることができる。
As described above, since the necessary number of
1 エキシマレーザ、2 ビーム整形レンズ、3 フライアイレンズ、4 コリメーションミラー、5 XY駆動ステージ、6 基板、7 マスク、10 YAGレーザ、11 光ファイバー、20 水銀灯。 1 excimer laser, 2 beam shaping lens, 3 fly eye lens, 4 collimation mirror, 5 XY drive stage, 6 substrate, 7 mask, 10 YAG laser, 11 optical fiber, 20 mercury lamp.
Claims (9)
紫外線パルスレーザ発振器と、
前記紫外線パルスレーザ発振器から出射されたレーザの強度を均一化するレーザ均一化部材と、
前記レーザ均一化部材から出射されたレーザを、前記基板へ平行かつ垂直に入射させる露光部材とから構成されるプロキシミティ露光装置。 A proximity exposure apparatus that transfers a mask pattern onto a substrate,
An ultraviolet pulse laser oscillator,
A laser homogenizing member for homogenizing the intensity of the laser emitted from the ultraviolet pulse laser oscillator;
A proximity exposure apparatus comprising: an exposure member that causes a laser beam emitted from the laser uniformizing member to enter the substrate in parallel and perpendicularly.
前記YAGレーザそれぞれから出射されるレーザを光ファイバーが伝送し、
前記光ファイバーの出力端を束ねることによって、前記レーザを集光して出射することを特徴とする請求項1に記載のプロキシミティ露光装置。 The ultraviolet pulse laser oscillator is composed of a plurality of YAG lasers,
An optical fiber transmits a laser emitted from each of the YAG lasers,
The proximity exposure apparatus according to claim 1, wherein the laser is condensed and emitted by bundling the output ends of the optical fibers.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004074869A JP4475631B2 (en) | 2004-03-16 | 2004-03-16 | Proximity exposure apparatus and exposure method using this proximity exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009176765A Division JP5141648B2 (en) | 2009-07-29 | 2009-07-29 | Proximity exposure apparatus and exposure method using this proximity exposure apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2005265985A true JP2005265985A (en) | 2005-09-29 |
JP4475631B2 JP4475631B2 (en) | 2010-06-09 |
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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JP (1) | JP4475631B2 (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102147573A (en) * | 2010-02-08 | 2011-08-10 | 优志旺电机株式会社 | Light irradiation unit |
JP2013011715A (en) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Hitachi High-Technologies Corp | Exposure method and device thereof |
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CN102147573A (en) * | 2010-02-08 | 2011-08-10 | 优志旺电机株式会社 | Light irradiation unit |
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CN102147573B (en) * | 2010-02-08 | 2015-01-21 | 优志旺电机株式会社 | Light irradiation unit |
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CN113337894A (en) * | 2021-05-21 | 2021-09-03 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | Cerium-doped yttrium aluminum garnet scintillation crystal surface moth eye type microstructure and preparation method thereof |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070309 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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