JP2005260249A - 光電変換装置及び放射線撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 2次元状に配された複数の光電変換素子を有する基板100、150を複数隣接して配置した光電変換装置において、走査回路SR−1〜10又は検出用回路IC−1〜10の少なくともいずれか一方が該光電変換装置の対向する2辺に配され、該2辺に配された回路の走査方向が同じ方向に設定可能であることを特徴とする光電変換装置。
【選択図】 図1
Description
を1個のチップに形成し、20個の検出用集積回路チップ(IC1〜IC20)を使用する。
。また、上側(U)下側(D)への配線も同様に振り分ければよい。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る光電変換装置の全体平面図である。なお図2及び図3と同一機能の部分には同一符号を付してあり、説明を省略する場合がある。
図9は、本発明の第2の実施形態に係る光電変換装置の平面図である。なお図1、図2及び図3と同一機能の部分には同一符号を付してあり、説明を適宜省略している。
図10は、本発明の第3の実施形態に係る光電変換装置の全体平面図である。なお従来例の項で説明した図2、3と同一機能の部分には同一符号を付してあり、説明を省略する場合がある。
図12は、本発明の第4の実施形態に係る光電変換装置の全体平面図である。なお前述した各実施例と同一機能の部分には同一符号を付してあり、適宜説明を省略する。
第5の実施形態としては、上記した第1乃至第4の各実施形態の光電変換素子の上部に蛍光体を配置し、X線レントゲン装置を構成したものである。
は光電変換モードになり同時にコンデンサC11〜C33は初期化される。この状態で走査回路SR1およびSR2により制御配線g1〜g3、s1〜s2にローレベルのパルスが印加される。すると転送用TFT・T11〜T33のスイッチM1〜M3がオフし、全受光素子S11〜S33のD電極はDC的にはオープンになるがコンデンサC11〜C33によって電位は保持される。
12で検出すれば光センサとして動作する。
前記貼り合わせる複数の基板の配置を、それぞれの基板の光電変換部となる半導体層を堆積させた時の基板配置と同じ配置として、前記複数の基板を貼り合わせて構成したことを特徴とする光電変換装置。
g1〜g1000 制御配線
sig1〜sig1000 信号配線
SR1−1〜SR1−10 走査回路チップ
IC1〜IC10 検出用集積回路チップ
Claims (18)
- 基板上に2次元状に配された複数の光電変換素子からなるアレイを走査する走査回路と、複数の前記光電変換素子からなるアレイから出力される信号を検出するための検出回路と、を備えた光電変換装置であって、
前記走査回路と前記検出用回路の少なくとも一方は、前記アレイの対向する2辺にそれぞれ配置された、双方向の動作が可能な同じ構成の複数の集積回路を備えており、
1以上の共通の入力信号の1つにより前記対向する2辺に配置された複数の前記集積回路の動作方向を制御する制御回路と、を更に含み、
複数の前記集積回路は、前記制御回路からの前記動作方向を決定する前記入力信号に応じて、前記動作方向をそれぞれ同一にすることを特徴とする光電変換装置。 - 前記集積回路は、フレキシブル配線基板に実装されていることを特徴とする請求項1記載の光電変換装置。
- 前記集積回路は、前記基板又は該基板を支持するマザーボード上に実装されていることを特徴とする請求項1記載の光電変換装置。
- 前記走査回路と前記検出回路の少なくとも一方の動作方向は、シフトレジスタのシフト方向により定められることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載の光電変換装置。
- 前記走査回路と前記検出回路の少なくとも一方の動作方向は、マルチプレクサの切り換え順序により定められることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載の光電変換装置。
- 前記アレイの上部に光変換体を配置することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項記載の光電変換装置。
- 前記アレイの上部に蛍光体を配置することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項記載の光電変換装置。
- 前記光電変換素子の各々は、第一の電極層、絶縁層、半導体層、第1導伝型のキャリアの注入を阻止する半導体層、及び第二の電極層を積層した素子であることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項記載の光電変換装置。
- 前記光電変換素子の半導体層は、非単結晶半導体層であることを特徴とする請求項8に記載の光電変換装置。
- 基板上に2次元状に配され、入射される放射線を受けて該放射線に応じた電気信号を発生する、変換素子の複数からなるアレイを走査する走査回路と、前記変換素子の複数からなるアレイから出力される信号を検出するための検出回路と、を備えた放射線撮像装置であって、
前記走査回路と前記検出用回路の少なくとも一方は、前記アレイの対向する2辺にそれぞれ配置された、双方向の動作が可能な同じ構成の複数の集積回路を備えており、
1以上の共通の入力信号の1つにより前記対向する2辺に配置された複数の前記集積回路の動作方向を制御する制御回路と、を更に含み、
複数の前記集積回路は、前記制御回路からの前記動作方向を決定する前記入力信号に応じて、前記動作方向をそれぞれ同一にすることを特徴とする放射線撮像装置。 - 前記集積回路は、フレキシブル配線基板に実装されていることを特徴とする請求項10記載の放射線撮像装置。
- 前記集積回路は、前記基板又は該基板を支持するマザーボード上に実装されていることを特徴とする請求項10記載の放射線撮像装置。
- 前記走査回路と前記検出回路の少なくとも一方の動作方向は、シフトレジスタのシフト方向により定められることを特徴とする請求項10から12のいずれか1項記載の放射線撮像装置。
- 前記走査回路と前記検出回路の少なくとも一方の動作方向は、マルチプレクサの切り換え順序により定められることを特徴とする請求項10から12のいずれか1項記載の放射線撮像装置。
- 前記アレイの上部に光変換体を配置することを特徴とする請求項10から14のいずれか1項記載の放射線撮像装置。
- 前記アレイの上部に蛍光体を配置することを特徴とする請求項10から14のいずれか1項記載の放射線撮像装置。
- 前記光電変換素子の各々は、第一の電極層、絶縁層、半導体層、第1導伝型のキャリアの注入を阻止する半導体層、及び第二の電極層を積層した素子であることを特徴とする請求項10から16のいずれか1項記載の放射線撮像装置。
- 前記光電変換素子の半導体層は、非単結晶半導体層であることを特徴とする請求項17に記載の放射線撮像装置。
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