JP2005260224A - 電気化学機械研磨のためのシステム - Google Patents
電気化学機械研磨のためのシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005260224A JP2005260224A JP2005055024A JP2005055024A JP2005260224A JP 2005260224 A JP2005260224 A JP 2005260224A JP 2005055024 A JP2005055024 A JP 2005055024A JP 2005055024 A JP2005055024 A JP 2005055024A JP 2005260224 A JP2005260224 A JP 2005260224A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- electropolishing
- wafer
- contact
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【課題】低誘電率材料のウエハ上に損傷及び欠陥を引き起こさずにワークピース表面を均一に平坦化し、過剰な導電性皮膜を除去する半導体ウェハの電気化学機械研磨のためのシステムを提供する。
【解決手段】システム200はウェハ206を保持するためのウェハキャリヤ204と、電解研磨パッド201と、電極に向かって流体をかけるためのシャワーヘッド220とを含む。電解研磨パッド201は、1つの電極210と、電極201に取り付けられる1つのパッド材料層203とを含む。パッド材料層203は、処理液223がウェハ206の導電性表面と、電極201の表面との両方を濡らすことができる開口部226を含む。
【選択図】図7A
【解決手段】システム200はウェハ206を保持するためのウェハキャリヤ204と、電解研磨パッド201と、電極に向かって流体をかけるためのシャワーヘッド220とを含む。電解研磨パッド201は、1つの電極210と、電極201に取り付けられる1つのパッド材料層203とを含む。パッド材料層203は、処理液223がウェハ206の導電性表面と、電極201の表面との両方を濡らすことができる開口部226を含む。
【選択図】図7A
Description
(関連出願)
本願は、2004年2月27日(NT−318P)に出願された米国仮出願第60/548,239号、及び2004年5月18日(NT−318 P2)に出願された米国仮出願第60/572,298号から優先権を主張し、現在米国特許第6,610,190号である2001年1月17日(NT−200)に出願された米国特許出願第09/760,757号の継続出願である、2003年6月11日(NT−200C1)に出願された米国特許出願第10/460,032号の部分継続出願である。
本願は、2004年2月27日(NT−318P)に出願された米国仮出願第60/548,239号、及び2004年5月18日(NT−318 P2)に出願された米国仮出願第60/572,298号から優先権を主張し、現在米国特許第6,610,190号である2001年1月17日(NT−200)に出願された米国特許出願第09/760,757号の継続出願である、2003年6月11日(NT−200C1)に出願された米国特許出願第10/460,032号の部分継続出願である。
本願は2003年3月18日(NT−291)に出願された米国特許出願第10/391,924号の部分継続出願である。
本願は、現在、米国特許第6,497,800号である2000年10月11日(NT−105)に出願された米国特許出願第09/685,934号の継続出願である、2002年11月22日(NT−105C1)に出願された米国特許出願第10/302,213号の部分継続出願でもある。
本願は、現在、米国特許第6,103,628号である1998年12月1日(NT−002)に出願された米国特許出願第09/201,928号の継続である、現在、米国特許第6,207,572号である、2000年5月22日(NT−002C)に出願された米国特許出願第09/576,064号の部分継続出願である、現在、米国特許第6,468,139号である、2000年10月6日(NT−002CIP)に出願された米国特許出願第09/684,059号の部分継続出願である、現在、米国特許第6,464,571号である、2001年6月12日(NT−217)に出願された米国特許出願第09/880、730号の継続出願である、現在、米国特許第6,604,998号である、2002年9月20日(NT−217C1)に出願された米国特許出願第10/252,149号の継続出願である、2002年11月15日(NT−217C2)に出願された、米国特許出願第10/295,197号の部分継続出願でもある。
本願は、現在、米国特許第6,176,992号である、1998年12月1日(NT−001)に出願された米国特許出願第09/201,929号の分割出願である、2000年6月29日(NT−001D)に出願された米国特許出願第09/607,567号の継続出願である、2002年11月12日(NT−001C2)に出願された米国特許出願第10/292,750号の部分継続出願でもある。
本願は、2002年11月4日(NT−234)に出願された米国特許出願第10/288,558号の部分継続出願である。
本願は2002年10月28日(NT−215C1)に出願された米国特許出願第10/282,930号の部分継続出願でもある。
本願は、現在米国特許第6,413,338号である、2000年2月23日(NT−102)に出願された米国特許出願第09/511,278号の分割出願である、2002年5月23日(NT−102D)に出願された米国特許出願第10/152,793号の部分継続出願である。
本願は、2002年4月5日(NT−214)に出願された米国特許出願第10/117,991号の部分継続出願である。
本願は、2001年9月20日(NT−209)に出願された米国特許出願第09/960,236号の部分継続出願でもある。前記特許出願及び特許はすべて全体として参照によりここに組み込まれる。
本発明は概して半導体集積回路技術に関し、さらに詳細には電解研磨又は電解エッチングのプロセス及び装置に関する。
従来の半導体デバイスは一般に、半導体基板、通常はシリコン基板、及び複数の連続して形成された誘電層及び導電材料から作られる導電線又は相互接続を含む。相互接続は通常、誘電層の中にエッチングされたトレンチの中に導電材料を充填することにより形成される。集積回路内では、相互接続ネットワークの複数レベル(多層)は該基板表面に対して横方向に広がる。様々な層で形成される相互接続はビア又は接点を使用して電気的に接続できる。
ビア、トレンチ、パッド又は接点などの形状の中への導電材料の充填は、電着によって実施できる。電着方法又は電気鍍金方法では、銅などの導電材料がこのような形状を中に含む基板の表面上に付着される。次に、上面を平坦化し、上面から過剰な金属を除去するために材料除去方法が利用され、導電材料を形状、つまり空洞内だけに残す。この目的のために最も一般的に使用される標準的な材料除去方法は化学機械研磨(CMP)である。化学エッチング、電解エッチング又は電気化学エッチングとも呼ばれる電解研磨、及び電気化学機械研磨又はエッチングは、銅の除去に対する魅力的なプロセスオプションでもある。銅は、その低い抵抗率及び優れたエレクトロマイグレーション特性のために、相互接続用途にとっては現時点では一般的に好まれる材料である。
標準的な電気鍍金方法は、数マイクロメートルより大きい幅の形状などの大きな形状の上で一様に(conformally)付着できる銅の層を生じさせ、平らではないメッキ済みのウェハ表面微細構成を生じさせる。図1は、銅鍍金ステップの後の例示的な構造を示している。基板10は、高いアスペクト比のトレンチなどの小さな形状12、及び大きなトレンチ14を含んでいる。形状12、14は誘電層16の中に形成されている。基板10は半導体ウェハの例示的な一部である。誘電層16は上面18を有する。誘電体の該形状及び表面18は、銅の付着の前にバリア(barrier)/グルー(glue)もしくは接着(adhesion)層20及び銅シード(seed)層22でコーティングされる。バリア層20は、Ta、TaN、又は銅付着に対するバリアとして一般的に使用されるあらゆる他の材料の組み合わせから作られてよい。特別に設計されたバリア層の場合、シード層に対するニーズはない可能性があるが、シード層22はバリア層22上に付着される。シード層22を付着した後に、銅がその上に適切な鍍金浴から電着され、銅の層24を形成する。
CMP、エッチング又は電解研磨を利用して過剰な銅を除去した後に、銅の層24の平らではない表面微細構造は、表面から過剰な導体が除去されるにつれて平坦化され、導体を平らな上面の形状の中だけに残す。前述されたように、標準的な電気鍍金方法は大きな形状、及び過剰材料除去ステップの間に平坦化される必要のある平坦ではないワークピース表面上に一様な付着物を生じさせる。
まとめて電気化学機械付着(ECMD)方法と呼ばれる新規に開発された電着方法は、導体付着の間にウェハ表面に近接するパッド、研磨パッド、マスク又はスイーパ(sweeper)などのWSID(ワークピース表面影響デバイス:workpiece surface influencing device)を活用する。鍍金の間のWSIDの作用は、ワークピース表面上の最大の形状の上でさえ平らな表面微細構成を備える、平坦な付着物を生じさせる。このような平坦な付着物は図1の層26として図示されている。このような平らな付着物からの銅などの過剰な導電材料の除去は、材料除去ステップの間のさらなる平坦化を必要としない。したがって、CMP、電解研磨又は電解エッチング、化学エッチング及び電気化学機械研磨の方法は、このケースでは平坦且つ一様な方法で過剰な材料を除去するためにすべてうまく利用されてよい。
電解研磨方法及び装置においては多くの進展がなされてきたが、依然として、表面に低い力をかけ、特に低誘電率材料の高性能なウェハ上に損傷及び欠陥を引き起こさずにワークピース表面を均一に平坦化し、ワークピース表面から過剰な導電性皮膜を除去する電気機械除去方法に対するニーズがある。
以下にさらに詳細に説明されるように、本発明は半導体ウェハの表面上に付着される導電材料層を電解研磨する又は電解エッチングする、あるいは電気化学的、機械的に研磨するための方法及びシステムを提供する。実施形態に従ったプロセスは、印加電位、及びプロセス所要時間の少なくとも一部の間に、導電性表面に物理的に接する研磨パッド又は電解研磨パッドを使用して導電材料上で電解研磨を実行する。
該プロセスは、実施形態に従って該電解研磨パッドを使用することにより、該導電性材料の該電気化学的且つ機械的な研磨及び除去を達成する。該電解研磨パッドは処理液の存在下で該導電性表面上で該電気化学プロセスを達成するために少なくとも1つの電極を備える。開口部のあるパッド層が該電極上に設置され、機械的に該除去プロセスを補助する一方で、該電極が該ウェハの該導電性表面に接するのを防ぐ。
該電解研磨パッドは、それが処理中に移動するため、流体クッションにより支えられているベルトとして形成されてよい。代わりに、電解研磨パッドは立体プラットホームにより支えられる標準的なパッドであってよい。標準的なパッドのケースでは、該パッドは好ましくは処理中に移動せず、該立体プラットホームに取り付けられてよい、又は取り付けられなくてよい。該電解研磨パッドが一方向に又は双方向に直線状に移動してよいベルトとして形造られる場合には、空気圧などの流体圧力が該電解研磨パッドの裏面にかけられ、該パッドが移動するにつれて、該パッドの該研磨表面を該ウェハの該導電性表面に向かって押してよい。
ここで、類似した符号が類似したパーツを指す図面が参照される。図2は本発明の電解研磨システム100を示している。該システム100は、電解研磨パッド102及び該システム100を使用して電解研磨される表面108のあるウェハ106を保持するためのキャリヤ104を備える。この実施形態では、該ウェハ106の該表面108は、図1に図示される該導電層などの電気鍍金された導電層を含んでよい。該キャリヤ104は直線運動又は軌道運動で垂直に又は横方向にウェハ106を回転、移動してよい。
該ウェハ表面108上の該銅つまり導電層は、使用される該付着プロセスに応じて平坦な層又は平坦ではない層であってよい。例えば、電気化学機械付着プロセス(ECMD:electrochemical mechanical deposition process)は、前述されたように、空洞を備えるウェハ表面上に平坦な銅付着物を生じさせる。電気化学付着プロセス(ECD:electrochemical deposition process)は、図1に図示されるように、一般的には平坦ではない銅付着物を大きな空洞上に生じさせる。該銅の層が平坦ではない場合、特定の実施形態の該電気化学機械研磨又は平坦化の方法は、それが該ウェハ表面108から該不要な過剰部分を除去するにつれて該銅層を平坦化する能力を有している。
該電解研磨パッド102は、該ウェハ106の該表面108上での電気化学機械研磨の実行を可能にする該システム100の該部分である。該電解研磨パッド102は電極110及び該電極110の上部に配置される研磨層112を備えてよい。任意で、絶縁層114が該電極110の下に配置され、それを他のシステム構成部品から電気的に絶縁してよい。該絶縁層114は、高分子材料などの可撓絶縁材料から形成されてよい。
図2に図示される該システム100の該実施形態では、支持プレート113が該電解研磨パッド102を支えている。該支持プレート113は、硬いポリマー、ステンレス鋼等を含むがこれらに限定されるものではない、該システム100の化学的な環境に耐性を有する任意の材料から形成されてよい。さらに詳しく後述されるように、該電解研磨パッド102は該支持プレート113とともに移動してよい、あるいは移動機構を使用して該電解研磨パッド102と該支持プレート113の間に相対的な運動が確立されてよい。後者のケースでは、該電解研磨パッド102はベルト形電解研磨パッドとして形造られてよい。
該電極110は金属などの導体から作られてよく、好ましくは可撓且つ薄い導電性のプレート又は膜として形造られる。例えば、ステンレス鋼、黄銅、銅等の繊維が該電極110として使用されてよい。該電極110は黒鉛(グラファイト)又は導電性のポリマー層、あるいは導電材料でコーティングされた層であってもよい。該電極プレートは、単一部品から作られる連続性のもの、あるいは複数の部品から構成される不連続性のものであってよい。この実施形態では、該研磨層112は、3M、ミポックス(Mipox)及びロデル(Rodel)などの研磨パッド製造メーカにより供給される、ポリマー又は固定研磨CMP研磨パッド材料などの研磨パッド材料から作られている。該研磨層112は、その下に該電極110の該表面の部分を露呈する開口部116を含んでよい。したがって、該開口部116を充填する処理液118が該電極110の該露呈部分を濡らす又は接する。該処理液118は好ましくは液路119又は処理液供給タンク(図示せず)に連結されている複数の液路を通して電解研磨パッド102の上に送達される。
図3A及び図3Bに図示されるように、研磨層112の開口部116は、穴又はスリットとして形造られてよい。穴は円形、長円形、正方形、あるいは他の任意の幾何学的形を有してよい。同様に、スリットは互いに平行又は平行ではなく、連続又は不連続、均一又は不均一な幅となってよい。スリットが直線的な壁のあるスリット、あるいは傾斜した壁のあるスリットとして形成されてよいことが理解されるであろう。開口部116は電解研磨の均一性を改善するために該研磨パッド102全体で互い違いに形成されてよい。このようなパッドの例は、本発明の譲受人により所有され、全体が参照によりここに組み込まれる「多目的な材料処理装置のためのパッド設計及び構造(Pad Designs and Structures For a Versatile Materials Processing Apparatus)」と題される米国特許第6,413,388号、及び2001年9月20日に出願された「マスクプレート設計(Mask Plate Design)」と題される同時係属米国特許出願第09/960,236号に記載されている。
特定の実施形態に従って、研磨層112は開口部を含む場合がある、あるいは含まない場合がある多孔質材料層から作られてよい。このケースでは、多孔質の研磨層は電解研磨溶液で飽和され、該溶液を該ウェハ表面108と該電極110の間に保つ。該研磨層に送達されるとき、該処理液118は該電極110に接する処理液118のプールを形成する。該パッドの厚さは4ミル(mils)から400ミルの間で変化してよい。該研磨層112は実際には該ウェハ106の方を向く上部の研磨層を含む多層構造であってよい。該研磨層の下では、他の副層(sub−layer)あるいは柔らかな材料又は海綿状(spongy)の材料を備える層があってよい。超低誘電率の誘電層でウェハを処理するために特に適したこのようなパッド構造は、本発明の譲受人によって所有され、全体が参照によりここに組み込まれる、2002年5月23日に出願された「低力電気化学機械付着方法及び装置(Low Force Electrochemical Mechanical Deposition Method and Apparatus)」と題される米国特許出願第10/155,828号に開示されている。
図2を参照し直すと、該ウェハ106の該電極110及び該表面108は電源120の該端末に接続されている。実施形態では、該ウェハ106の該表面108は該処理液118に接するように引き下げられるため、該電源120によって該表面108と該電極110の間に電位差がかけられる。該ウェハ106の該表面108が、研磨上面を有する該研磨層112、及び該電極110に接触している該処理液118に物理的に接するにつれて、処理中、該ウェハ106は好ましくは回転され、横方向に移動される。該処理期間の少なくとも一部の間に該表面108と該電極110の間に電位差が印加されるに従い、電解研磨が該ウェハ106の該表面108上で実行される。
この応用例では、電解研磨は、該表面108を陽極処理してから、酸化物及び/又は他の化合物などの不動態化材料を備えてよい、該陽極処理された表面層の少なくとも一部分を除去するために機械的に研磨し、それにより該表面108から該材料を除去することを含むプロセスとして説明されている。該表面108の陽極処理は、該電極110と該導電性表面108の間に電位差がかけられるにつれて、該表面108を該電極110に対してさらに陽極にすることにより達成される。該プロセスの間、逆パルス電圧を含む、DC電圧、可変電圧、又はパルス電圧を印加することが可能である。
図4は、それが電解研磨プロセスの間に該ウェハ表面108に適用されるときの、該電解研磨パッド102の一部の詳細な図を示している。該電極110の導電性の表面領域122は該研磨層112内の該開口部116により露呈される。これらの露呈された表面領域は該電極110の活性表面112と呼ばれるであろう。該処理液118は該開口部116を充填し、該活性表面122及び該ウェハ106の該表面108の両方との接触を確立する。該ウェハ106の該表面108と該電極110の間に電位が印加されると、プロセス電流が、該電極110の該活性表面122と該ウェハ106の該表面108の間の該開口部116を充填する該処理液118を通過する。該研磨層112の表面124は、研磨材料を含んでよい、あるいは含まなくてよい。該研磨層112の該表面124は、好ましくは該電解研磨プロセスの間の少なくとも一時期該ウェハ106の該表面108に接する、あるいは掃引する。
前述されたように、該電解研磨プロセスの間、該電解研磨溶液118の存在下での該電極110と該ウェハ106の該導電性表面108の間の印加電位差により、該パッド102に接する該ウェハ106の該上面108から該酸化され、陽極処理された、あるいは不動態化された層を除去するために該電解研磨パッド102で同時に研磨される該表面108の電気化学酸化又は陽極処理が引き起こされる。該パッド102により接触されない該空洞領域は、このような領域からの材料の除去を減速する不活性化層を含んでいる。掃引されていない空洞に比較して該掃引された領域からのより高速な材料の除去が、図1に図示されるもののような該構造を平坦化する。該処理液118は、該表面酸化物つまり不活性化層の効率的な除去を補助するために、例えば0.1から5重量パーセントのアルミナ、セリア、又はシリカの粒子などの研磨粒子を含んでよい。
それぞれの実施形態は、電解研磨パッド102内の電極110構造を活用することが理解されるであろう。該電極110構造は活性表面122として該研磨層112内の該開口部116を通して露呈される。該説明された実施形態においては、これらの露呈された部分122は実質的に平坦な表面として示されているが、それらは、それらの高さが該研磨層112の該表面124を越え、それらを該ウェハ106の該表面108に物理的に接触させない限り、該研磨層開口部内に設置されるブラシ、ロッド、ビーズなどの多くの形状及び大きさで構成されてよい。電子化学機械プロセスで使用される多様な電極設計の例は、本発明の譲受人により所有され、全体が参照によりここに組み込まれる、「電解エッチングシステム及びプロセス(Electroetching System and Process)」と題される、2003年3月18日に出願された米国特許出願第10/391,924号に記載されている。
図5及び図6は、処理中に移動するベルト電解研磨パッドとして設計されてよい該電解研磨パッド、あるいは支持プレート上に固定されてよい電解研磨パッドの多様な実施形態を示している。例えば、図5は、ウェハ304の表面302と接触している電解研磨パッド300の実施形態を示している。該電解研磨パッド300は、組にされ、互いから離され、研磨層310と絶縁層312の間に配置される陰極電極306及び陽極電極308を備える電極層を備えている。この実施形態では、該絶縁層312はそれらを互いから電気的に隔離するために該電極306、308の間の空間も充填する。該研磨層310の開口部は陰極電極及び陽極電極306と308を露呈し、好ましくは該電解研磨パッド310上で計量配分される処理液で充填される。該ウェハ304の該表面302への該陽極電流は陽極電極308に接する該処理液を通して与えられ、陰極電極396に接する該処理液を通して該表面を離れる。このように構成された陽極−陰極組のそれぞれは、該プロセスの間それらの間に電解研磨電位を印加するために少なくとも1つの電源316に接続されている。
図6は、ウェハ404の表面402と接している電解研磨パッド400の別の実施形態を示している。該電解研磨パッド400は、互いから離されている複数の部分406、408、及び410を有する電極層を備えている。該部分406から410は、研磨層412と絶縁層414の間に配置されている。該電極部分406から410は、各部が該ウェハ404の該表面402上の対応する同心位置の該電解研磨を担当するように、互いの周りに同心状に配置されてよい。該ウェハ404の該表面402上のこのような同心位置は該ウェハ404の端縁領域及び中心領域である。区分された電極は、該ウェハ表面402からの材料除去の均一性を制御するために使用できる。この実施形態では、該絶縁層414はそれらを互いから電気的に分離するために該電極部分406から410の間の空間も充填する。該区分された電極406から410は、好ましくは該パッド400の上で計量配分される処理液418で充填される、該研磨層412内の該開口部416により露呈される。該ウェハ表面402に対する電気接触は、該ウェハ404の端縁領域に接する表面接点420を使用して行われてよい。該表面接点420は、電力制御装置を含む電源装置422に接続されてよい。各電極部分406から410も、それぞれ電極接点424、426及び428を使用して該電源装置422に接続される。該電源装置422は、該ウェハ表面402からの材料除去の均一性を制御するために該プロセスの間それぞれの電極に可変電流を提供することができる。該電源装置422は、該電極層の各部分に1つ、又は複数の単一の電源又は複数の電源を備えてよい。
前述されたように、電解研磨パッドが移動ベルトとして設計されていない場合には、それは支持プレートに取り付けられ、支持プレート上に固定されてよい。代わりに、該パッドは該支持プレートに取り付けられなくてよいが、単に該プレートによって支えられてよい。両方のケースにおいて、該ウェハは該電解研磨パッドに押し付けられ、好ましくは回転され、該プロセス中、横方向に並進されてよい。このような設計では、該電解研磨パッドとともに該支持プレート113も回転されてよく、それ以外の場合には該ウェハに対して移動されてよい。このようなプロセスは、本発明の譲受人により所有され、全体として参照によりここに組み込まれる、「電気化学機械付着のための方法及び装置(Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition)」と題される米国特許第6,176,992号に例示されている。
システム要件に応じて、該支持プレート113は、該電解研磨パッド102の下に、図2の矢印「A」で描かれている空気流を提供してよい、あるいは提供しなくてよい。さらに完全に後述されるように、例えば、電解研磨パッドが該支持プレートに対して移動するベルトとして設計される場合、空気流は好ましくは該ベルト形状の電解研磨パッドを該ウェハの該表面に向かって押し、該移動するベルトと該支持プレート間の摩擦を最小限に抑える、又は排除するために使用される。代わりに、空気流が存在せず、該ベルト形状の電解研磨パッドと該支持プレートの間に物理的な接触及び相対的な運動がある場合には、該研磨パッドと該支持プレートの間の界面では、テフロン(Teflon)(登録商標)などの低摩擦材料が使用されてよい。該ベルトの該裏面の上に、それを流体源から横切って設置し、該流体源から該ベルト形状の電解研磨パッドの下面又は裏面に流体の流れを適用することにより、力をかけることも可能である。後述されるように、この流体源がシャワーヘッドと呼ばれる。該シャワーヘッドと該ベルト形状の電解研磨パッドの間には固定された間隙が確立され、該ベルト形状の電解研磨パッドの該裏面上に空気のような流体を流すことにより、該ベルト形状の研磨パッドは該ウェハ表面に向かって押される、あるいは動かされる。研磨ベルトの裏面に流体を適用するためにシャワーヘッドを使用する1つの例示的なシステムは、本発明の譲受人により所有され、全体として参照によりここに組み込まれる、「材料除去プロファイルを制御するための化学機械研磨方法及び装置(Chemical Mechanical Polishing Method and Apparatus for Controlling Material Removal Profile)」と題される2004年1月21日に出願された米国特許出願第10/761,877号に説明されている。
図7A及び図7Bは、支持プレート又はシャワーヘッドのどちらかを備えたベルト形状の電解研磨パッド又はベルトパッドを使用するシステムを例示している。これらのシステムでは、好ましくは、該ベルトパッドと該支持プレート又は該シャワーヘッドの間に相対運動が確立される。図7Aは支持プレート134により支えられるベルトパッド132を使用する電解研磨システム130を描いている。電解研磨されるウェハ136はウェハキャリヤ138によって保持されている。該ベルトパッド132は、該支持プレート134上の移動機構(図示せず)によって直線状に移動される。このシステムでは、例えば空気流などの流体流れが該支持プレート134を通して提供されるかどうかに関係なく、該ウェハ136に対する研磨作用を可能にするために、該支持プレート134と該ベルトパッド132の間に相対運動が確立できる。前述されたように、空気流は、該ウェハ表面が該ベルトパッド132によって研磨される間に、該支持プレート134内の該開口部140を通して該ベルトパッド132の該裏面に送達されてよい。代わりに、該ベルトパッド132は、該支持プレート134上で静止のまま保たれてよい、あるいは該開口部を通して吸引を適用することにより該支持プレート134上で固定されてよい。
図7Bは、該空気流又はシャワーヘッド154からの流体流れにより押されるベルトパッド152を使用する電解研磨システム150の別の実施形態を示している。該ベルトパッド152は、該ベルトパッド152と該シャワーヘッド154の間に空隙「G」が形成されるように該シャワーヘッドの上面155から固定距離、離して設置される。電解研磨されるウェハ156はウェハキャリヤ158により保持される。該ベルトパッド152は、該空気流が該ベルトパッド152の該裏面に適用されている間に、該シャワーヘッド上で移動する機構(図示せず)により好ましくは直線状に移動される。このシステム150では、ウェハ156に対する研磨作用を可能にするために、該空気流が該シャワーヘッド154を通して該空隙「G」に供給されるにつれて、該シャワーヘッド154と該ベルトパッド152の間に相対運動が確立できる。空気流は、該ウェハ面が該ベルトパッド152により研磨される間に、シャワーヘッド134内の該開口部160を通して該ベルトパッド152の該裏面に送達される。
図7Cに図示される該実施形態に示されるように、該シャワーヘッド154の該上面155は緩衝器(buffer)162を含んでよい。該緩衝器162は、圧縮自在の材料層又は該間隙「G」を充填する可膨張式ブラダー(inflatable bladder)等であってよい。該緩衝器162は、該ウェハ156が該ウェハキャリヤ158によって該ベルトパッド152上で押されるため、該ウェハ表面の該研磨を高める。該緩衝器162は、流体流れが活用される場合には、該流体も該緩衝器を通って流れることができるように、該シャワーヘッド154内の該開口部に相当する開口部164を有してよい。空気流又は流体流れが活用されない場合には、力は該緩衝器162によって該ベルトパッド152にかけられてよい。
図8Aから図14は、該ベルトパッドとシャワーヘッドの組み合わせの多様な実施形態を例示している。当初、図7Bに説明されている該一般的なシステムは、ここで図8Aから図8Cに関連してさらに詳しく説明される。明確にする目的で、図8Aから図8Cを説明するために、参照符号の新しい組が使用される。図8Aから図8Cは、ベルト電解研磨パッド201又はベルトパッドを使用する電解研磨システム200を示している。該ベルトパッド201は、前面202及び裏面203を備えている。図8Aに図示されているように、横図では、該システム200は、処理される表面208でウェハ206を保持するためにウェハキャリヤ204をさらに備える。該ウェハ206の該表面208は、図1に図示されるものに類似している形状を充填する導電層を備えてよい。
この実施形態では、該ベルトパッド201は、すべて図2から図4に関連して説明される電極210又は電極層、研磨層212及び任意の絶縁層214を備える。該絶縁層は使用されてよい、あるいは使用されなくてよいことに注意する必要がある。該研磨層212内の開口部は該電極層210の活性面218を露呈する。したがって、この実施形態では、電極の該研磨層212及び該活性面218が該前面202を形成し、該絶縁層214の該裏面が該ベルトパッド201の該裏面203を形成する。該ベルトパッド201は、該キャリヤヘッド204とシャワーヘッド220の間に配置され、ローラなどの支持構造222により支えられ、伸ばされる。該ベルトパッド201は、移動機構(図示せず)によって一方向に直線状又は双方向に直線状のどちらかで該ローラ222上を移動する。該ベルトパッド201は多様な方法で必要な大きさにされ、形造られてよい。したがって、該ベルトパッドは該移動機構により双線的に(bi−linearly)移動できる短いベルトパッド部分として製造されてよい。代わりに、該ベルトパッドは供給スプール上にある長いベルトとして製造されてよく、該供給スプールと巻き取りスプールの間で引き伸ばされてよい。特定のプロセス所要時間の後に、該ベルトパッドは好ましくは前進され、該巻き取りスプールに巻き付けられる。別の実施形態に従って、該ベルトパッドは無限ループとして製造されてよい。
電解研磨用の処理液223は好ましくは溶液路224から該ベルトパッド201に送達される。しかしながら、該ベルトパッド201が双方向で、又は例えば図8Aの左右になど逆直線状に移動する場合には、一方の路が該ウェハ206の右側に位置し、他方の路が該ウェハ206の左側に位置するように、2つの処理液路が好ましい。該シャワーヘッド220からの空気流225は、該ウェハ206の該表面208に対して該ベルトパッド201を動かすために与えられる。空気は、該シャワーヘッド220内で穴226を通して流され、空気供給装置(図示せず)から供給されてよい。該シャワーヘッド220が、複数のフローゾーンを備えてよく、空気流が多様なゾーンで多様な速度で与えられてよいことに注意する必要がある。したがって、様々なゾーンに対応する該ウェハ表面208にかかる圧力は、最適除去速度制御のために変えられてよい。該ウェハ206の該表面208に対する電気接続は、該ウェハ206が移動するときに、あるいは該表面接点228と該ウェハ表面208の間の相対運動が与えられるときに、該表面208の該端縁に触れる表面接点228を使用して行われてよい。
該電極210に対する電気接続は電極接点230を使用して行われてよい。図8Bから図8Cに関して説明されるように、電極接点230は、絶縁層が該ベルトパッド構造で利用される場合には、好ましくは該絶縁層内の開口部を通して該移動電極210に直接的に接するか、あるいは該電極に取り付けられる拡張部品に触れることによって間接的に接してよい。どちらの場合でも、該電極210と該電極接点230の間の相対運動が与えられる。接点230が該処理領域から離れた該電極210に取り付けられ、それが双方向で前後に該ベルトパッド210とともに移動する場合には、該電極接点230が該電極210上で摺動する必要はないであろう(つまり、相対運動はない)。表面接点及び電極接点228、230は導電性のブラシ、ローラ、シリンダ、ワイヤ、可撓箔、又はシム等から作られてよい。
一実施形態では、電気接点230は、それらは代わりに他のシステム構成部品によっても支えられてよいが、該シャワーヘッド220の該端縁に沿って支えられてよい。言うまでもなく、該シャワーヘッド220が導電材料から作られている場合、該接点230は該シャワーヘッド220の該本体から電気的に隔離される。
図8Bは、該ローラ222上に設置される該ベルトパッド201の平面図であり、該ウェハ206及び該シャワーヘッド220の該位置が示されている。図8Bは、該ウェハ206に該表面接点228の位置を、及び該ベルトパッド201に電極接点230も示す。該ベルトパッド201に対する複数の電気接点230が利用されてよいことに注意する必要がある。さらに、該ウェハ206に対する接触は、その前縁領域で又はその斜面で、あるいは該ウェハ206の該表面208上の該導電材料が該斜面まで伸びるか、あるいは該ウェハ206の該後縁領域に対し包み込む場合にはその後縁領域でさえも行われてよい。図8に図示されるように、該ウェハ206の直径は該研磨ベルト201の幅より大きいため、該ウェハ206の該回転する導電性表面208の露呈された端縁部には該表面接点228が連続して接触する。電気接触が該ウェハ206の後端縁領域で行われる場合は、該研磨ベルト201の幅は該ウェハ206の直径より大きく作られるであろう。
図8Bから図8Cに図示されるように、この実施形態では、該表面接点228は該ベルト201の両側の該ウェハ206の該端縁に触れるために、該ベルトパッド201の両側に沿って配置される。該表面接点228のこの両側構成は後文に両面表面接点と呼ばれる。電極接点230は、該電極210に対し電気を伝達するために点で描いた片として示される電極拡張部品232に触れる。代わりに、該絶縁層214は該ベルトパッド201の該構造に含まれない場合があり、そのケースでは該シャワーヘッド220に向かい合う該電極層の実質的には全体的な該裏面236が露呈している。これにより裏面全体が任意の点での電気接続に使用可能になる。
前断面で図8Cに図示されているように、該拡張部品232は該電極210と接し、該絶縁層214に設置されている。該電極接点230は、該ベルトパッド201が移動するにつれて該拡張部品232に触れる。また、図8Cにも図示されるように、該両面表面接点228が該ウェハ206の該表面208の該端縁に触れている。該両面表面接点228及び該電極接点230の両方とも、それらの間に電位差を適用する電源234に接続されている。
本発明のそれぞれの実施形態が、それらが触れている表面が運動中である又はその逆である間に、該プロセス電流を送達するあるいは受け取る電気接触を活用することが理解されるであろう。電気化学又は電気化学機械プロセスの間にウェハの表面の表面又は端縁領域に触れる電気接触の例は、以下に示す米国特許及び公開されている米国出願に記載されており、そのすべては本発明の譲受人により所有され、全体として参照によりここに組み込まれる。つまり、「金属鍍金の間に半導体ワークピースの表面に電気接触を提供する装置(Device Providing Electrical Contact to the Surface of a Semiconductor Workpiece During Metal Plating)」と題される米国特許第6,497,800号、(該表面の全面電気化学機械処理のためのウェハの該表面に触れる電気接触を開示している)「全面電気鍍金又は電解研磨のためのウェハ表面に電気接触を行うための方法及び装置(Method and Apparatus for Making Electrical Contact to Wafer Surface for Full-Face Electroplating or Electropolishing)」と題される米国特許第6,482,307号、(該表面の全面電気化学機械処理のためのウェハの表面の端内領域に触れる電気接触を開示している)「基板上の最小端縁排除を用いる均一膜の電着のための方法及び装置(Method and Apparatus For Electrodeposition of Uniform Film with Minimal Edge Exclusion on Substrate)」と題される米国特許第6,610,190号、及び(電気接触の多様な実施形態を開示する)「電解処理プロセスのために電気接触を提供するための方法及びシステム(Method and System to Provide Electrical Contacts for Electrotreating Process)」と題される米国特許出願公開第2003/0089598号である。
図8Aから図8Cを参照すると、該ウェハ206の該表面208の例示的な電解研磨プロセスに従って、該ウェハ206は好ましくは回転され、任意で該ベルトパッド201の該前面202に近接して横方向に移動する。空気流が該ベルトパッド201の該裏面203に適用される間に、該ウェハ表面208は、電解研磨プロセスを通して、あるいは該プロセスの間の一時期に、研磨層212によって掃引されてよい。該ベルトパッド201は、前述されたように、該電解研磨溶液223がその上に送達される間、前述されたように、好ましくは直線状に移動する。電解研磨電位は、該ウェハ表面208の電解研磨を実行するために該電源234によって、該ウェハ表面208と該電極210の間に印加される。
図8Aから図8Cに関して前記に例示されたように、該ウェハ表面208への電気接続は、通常、該電解研磨パッド又はベルトパッド201の長い側面の該2つの端縁に沿って該ウェハ表面208に触れる、該両面表面接点228を通して行われる。
代替表面接点構成は、ここで図9Aから図9Bに関して説明される。図9Aから図9Bは、それぞれ平面図及び側面図で、電極503及び研磨面505の付いた研磨層504を有するベルトパッド502上で保持されるウェハ500を示している。該ウェハ500の該導電性表面506は、処理液510として電解研磨され、例えば電解研磨溶液は該ベルトパッド502に送達される。該研磨層504は多孔質であってよい、あるいは図9Aから図9Bでは明確にするために図示されていない開口部を有してよい。該処理液510は、該研磨層504の開口部又は孔を充填し、電解研磨の間に、導電性である該溶液510を通して、該ウェハ500の該導電性面506に該電極503を電気接続する。
1つ又は複数の表面接点508は、該ウェハ500が該研磨層502上で回転され、該表面506が電解研磨又は平坦化されるにつれて、それらがその側面でのみ該ウェハ表面506の該端縁に触れることができるように、好ましくは該ベルトパッド504の片側に隣接して位置する。該表面接点508のこの構成は単一側面表面接点と呼ばれる。電解研磨の分野で周知であるように、該ウェハ表面506は電解研磨又は平坦化のために電極503に比較してより陽極にされる。この実施形態の該片面表面接点構成は、電気接触が行われる端縁領域と、該表面506の該中心/真中の領域との間のあらゆる小さな材料除去差異を(両面表面接点228に比較して)緩和してよい。このような差異は、電子研磨プロセスのための端縁領域でのさらに低い材料除去速度を生じさせてよい。その理由は、該表面506の該端縁にある接点508に触れる非常に限られた領域が、間欠的に該側面接点508により接触される該研磨面上の該プロセス領域を離れるためである。したがって、該ウェハ表面506のこの部分は、それが該研磨面から遠ざかっている短い期間中は処理されない。これにより、該中心に比較して該端縁領域からより少ない材料除去を引き起こすことがあり、それはつねに該研磨層の該プロセス領域上であり、中断なしで電解研磨される。
前述されたように、一実施形態では、該ベルトパッド502は、供給スプールからリリースされ、格納スプールによりピックアップされてよい、あるいはそれは無限ループであってよい。この実施形態では、該ベルトパッド502は、一方向で又は双方向で線形に動いてよい。前記実施形態に説明されたように、該ベルトパッド502は、導体又は絶縁体から作られてよいシャワーヘッド510上に設置される。該シャワーヘッド510からの流体流れは、該ウェハ500の該表面506に逆らって該ベルトパッド502を動かすために使用されてよい。該シャワーヘッド510の該表面は圧縮自在の層、あるいは該ベルトパッド502が層を含んでいない場合には緩衝器層を含んでいてよい。このような圧縮自在層は、該ベルトパッド502を該ウェハ表面に向かって所定の力で動かすためにも使用されてよい。該表面506の該電解研磨処理は、該ベルトパッド502のプロセス領域上で発生する。該プロセス領域は、該ウェハ500の処理のために使用される該ベルトパッド502の研磨面の所定の長さである。所定数のウェハ500を処理するために該ベルトパッド502の該プロセス領域を使用した後、該プロセス領域は、該保管スプール上で使用済み部分を取り上げる一方で、該供給スプールから未使用のベルト部分をリリースすることによって交換できる。
該ベルトパッド502は、該ウェハ500の処理中に増分的に前進してもよい。パッド調整は、該パッド502の該研磨層上で使用されてよい、あるいは使用されてなくてよい。代わりに、該プロセス領域は、一方向の直線運動が該ベルトに分与される、つまり該ベルトパッド512がループの形を取る場合にベルト全体であってよい。該ベルトパッド502が双方向で線形に移動する場合は、該ウェハ表面506との接触を行う該ベルトパッド502の該部分が該プロセス領域を画定する。前述されたように、該ベルトパッド502の該研磨層は開口部又はチャネルを含んでよい。該開口部又はチャネルは、材料除去速度及び除去プロファイルに影響を及ぼすために、特定のパターンに構成されてよい。該ベルトパッド502の各所定のプロセス領域長は、材料除去速度に影響を及ぼす同じ開口部パターン又は異なるパターンを有してよい。例えば、開口部の第1のパターンを備える第1のプロセス領域を有するベルトパッド502は、第1の除去速度で銅を除去する。同様に、第2の開口部パターン付きの該ベルトパッド502の第2のプロセス領域は、第2の除去速度で該材料を除去する。該開口部パターンは、該除去プロファイルにも影響を及ぼす。通常、大きい開口部の方がさらに多くの化学プロセスのさらに高い除去速度を生じさせる。さらに多くの機械プロセスの場合、該代替が当てはまってよい、つまりさらに大きな研磨層部分を備える領域がより高い速度で材料を除去できる。特定のパターンを使用して、除去プロファイルを制御し、端縁高、中心高、又は均一除去プロファイルを提供することができる。
本発明の一実施形態では、ウェハ内の該端縁と該中心領域の間の該材料除去差異は、該ベルトパッドの該開口部、好ましくは変化するサイズ及び形状の開口部のサイズ及び形状を制御することにより緩和又は排除されてよい。該開口部は前述されたように多様なサイズ及びパターンで構成されてよい。図10は、該下にある電極面606を露呈してよい開口部604を有する研磨面602を備える研磨層601を含む、ベルトパッド600を示している。この実施形態では、表面接点608は片面接点構成内にある、つまり該ウェハ500の該表面の端縁と電気的な接続を確立するために、該ベルトパッド600の片側に位置する。該ウェハ500は、任意で保持、回転され、図を簡略化するために省略されるキャリヤヘッドにより少量、横方向に移動してよい。
該開口部は、図10に図示されるように、第1のサイズの開口部604A、第2のサイズの開口部604B、及び第3のサイズの開口部604Cなどの複数のサイズを有してよい。描かれている実施形態においては、該第1のサイズの開口部604Aは、それらにより最高の材料除去が可能となるように最大である。該第2のサイズの開口部604Bは、該電解研磨の間に該ウェハ500の該表面の該端縁からの材料除去を増加し、該端縁領域の前述された不連続電解研磨のために除去されない量を補償するために、該第3のサイズの開口部604Cより大きく作られている。該第2の開口部604Bからの材料除去速度は、第3の開口部604Cより高い。したがって、該研磨層は、該第2のサイズの開口部604Bが該回転するウェハ表面の該端縁の該経路上に設置されるように設計される。さらに、図10に図示されるようにy方向に該ウェハを移動することにより、該ウェハ500の該端縁は、該ウェハ端縁にある該除去速度をさらに加速するために、なおさらに大きな開口部、つまり第1のサイズの開口部604Aに露呈されることがある。
この実施形態では、該ウェハ表面からの材料除去の制御は、様々なサイズの開口部を利用することにより達成される。その結果として、該材料が該表面から除去されるにつれて、均一な電解研磨プロファイルが該ウェハ500の面全体の上で取得される。図10の該パッドの該開口部の該形状及び組織は、本発明の該原則を記述するためにすぎないことが注意されなければならない。この実施形態では、該開口部は、電解研磨均一性を強化するために該研磨パッド全体で互い違いに形成されてよい。このようなパッド開口部設計の例は、本発明の譲受人により所有され、全体として参照によりここに組み込まれる、「多目的な材料処理装置のためのパッド設計及び構造(Pad Designs and Structures For a Versatile Materials Processing Apparatus)」と題される上述した米国特許第6,413,388号、及び2001年9月20日に出願された「マスクプレート設計(Mask Plate Designs)」と題される同時係属中の米国特許出願第09/960,236号に記載されている。均一な処理のための開口部は穴、スリット又は他の形状の形をしてよい。この実施形態又は以下の実施形態では、支持プレート、シャワーヘッド又は研磨溶液の使用は図9A及び図9Bに関して説明される実施形態に類似している。
前記実施形態では、表面接点は通常ベルトパッドの隣のシステム構成要素上で固定されている。以下の実施形態に描かれている該表面接点はこの制限を克服し、有利なことに該ベルトパッドの該研磨層に近接して配置される。図11に描かれているように、例示的なベルトパッド650の別の実施形態は両面埋め込み表面接点652、つまり該研磨層654の両方の長い側面に沿って伸張する埋め込み表面接点を有してよい。該埋め込み表面接点652は、該ベルトパッド650の該電極659から電気的に離されている該ベルトパッド650の両側に沿って取り付けられる、薄い可撓性の導電性の片から作られてよい。図12Aに示されているように、側面図では、該ウェハ500の該表面が該研磨層654の該研磨表面655に近接してもたられると、該ウェハ500の該端縁は該埋め込み表面接点652上に部分的に位置する。該表面が図12Bに図示されているように該研磨層654上に配置されるので、該埋め込み表面接点652と電源656の間に電気接続が確立される。該電極659は該電源656にも接続される。図12Aから図12Cでは、該研磨層654内の開口部は図を簡略化するために省かれる。
導電性のブラシなどの接着部材658は、該表面接点652を該電源656に接続するために使用されてよい。ブラシ658は、電解研磨プロセスの間、該埋め込み表面接点652と該端末電源656の間に物理的且つ電気的な接続を確立する。代わりに、図11に例示されるように、電気は、フィンガ、ローラ、ブラシ、ピン等の電気接触662を使用する上部から該埋め込み表面接点652に結合されてよい。
図12Aを参照し直すと、この表面接点構成を用いると、該ウェハ500の該表面506が該ベルトパッドの該研磨層654の上面から所定の距離に設置されると、該ウェハ500の該表面の該端縁と、該埋め込み接点652の間の電気的な接続は、それらの間での処理液を通して確立されてよい。このケースでは、該埋め込み表面接点652及び該ウェハ500の該表面に物理的に接することなく、該埋め込み接点652と該ウェハ500の該表面の間の電気接続が発生する。
図12Cは、該処理液を通して該ウェハ表面との電気接続を確立するために、該研磨層654の該上面の高さの下に配置されてよい埋め込み表面接点660の別の例を示している。この実施形態では、該ウェハ500の該表面は該研磨領域により研磨されるので、該導電性表面に対する電気接続は該処理液を通して提供され、該埋め込み表面接点660と該表面506の該端縁の間にメニスカスを形成する。図11から図13に関して説明されている実施形態では、該ベルトパッドは、好ましくは均一な除去のために最適化される多様なサイズの開口部を備えてよい。図10に説明される原則に留意し、さらに大きな開口部が該ウェハ500の該表面506の該端縁の該経路に沿って設置され、該ウェハ500の該表面の該端縁領域と該中心領域の間の材料除去差異を補償する。
図13は、研磨面704の片側に位置する片面埋め込み表面接点702を有するベルトパッド700の実施形態である。この実施形態では、該埋め込み表面接点702は前述された埋め込み表面接点652が機能する方法で機能するが、該接点は該研磨パッドの片側にある。代わりに、図12Cに説明されている方法は、該片面接点に適用することができ、それらは該溶液を通して電気接続のために該研磨層の該上面又は研磨表面の高さの下に設置されてよい。該プロセスの間、電気接続のために該埋め込み表面接点702上に該ウェハ500の該表面の該端縁の少なくとも一部を保つ間に、該ウェハをy方向で移動又は走査することによって、該端縁領域からの該材料除去が増加される。
図14は、図10及び図13に関連して説明される実施形態のハイブリッド構造を示している。この実施形態では、該ベルトパッド750は、752A、752B及び752Cなどの開口部752を備える。該ウェハ500の該表面への電気接続は、片面表面接点754及び片面埋め込み表面接点756を使用して確立されてよい。該プロセスの間、該表面接点754及び埋め込み表面接点756が、該ウェハ500の運動に応じて、それらだけでともに使用できる。例えば、該ウェハ500が該大きな開口部752Aに該ウェハ500の該表面の該端縁を露呈するためにy方向で移動すると、埋め込み表面接点756だけが該ウェハ表面に対する電気接続を確立するために使用できる。前述の実施形態で説明されたように、電気接続のために該埋め込み表面接点756上に該ウェハ500の該表面の該端縁の少なくとも一部を依然として保ちながら、y方向で該ウェハを移動又は走査すると、該端縁領域からの該材料除去はさらに増加する。
前述された実施形態は、同じ電気化学機械処理モジュール内で実行できる電気化学機械研磨及び化学機械研磨を備える、材料除去プロセスを提供する。このツーステップのプロセスは図15に図示されている構造に適用できる。図15は銅の層901を有する基板900を示す。該銅の層901の過剰部分902は該プロセスの実施形態を使用して除去される。該除去部分902は図15に図示されるように非均一層、つまり平坦な層であってよい。該基板900は図15に図示されるように、その中に形成される形状903及び904を備える。該基板900は半導体ウェハ上に形成される誘電層であってよい。該形状903は、ビアなどの高アスペクト比空洞であり、いわゆる高密度アレイを形成する。高密度アレイは通常、形状、好ましくは、該ウェハの特定の領域に密集して位置する高アスペクトの形状から構成されている。該形状904はトレンチなどの低アスペクト比の大きな形状である。該形状903及び904、及び該基板900の表面906が、バリア層908で覆われてよい。銅層901は好ましくは、該形状903、904を充填する該バリア層908上に形成される。
図15を参照すると、一実施形態では、この実施形態のプロセスは、銅層の厚さを約1000オングストローム(Å)まで該銅層の厚さを削減するために電気化学機械研磨を使用して実行される。該電気化学機械研磨は、電位差が該銅層と電極の間に適用される間に前述された該ベルトパッドを適用することによって実行される。該プロセスの間、電解研磨溶液などの処理液が該パッドに適用されるにつれて、該ベルトパッドの該研磨パッド層と該銅層901の間に相対運動が確立される。
該プロセスの第1の段階では、図15の路910で描かれているように、電気化学機械プロセスが、該過剰部分902の該厚さを平坦化し、約1000Åまで削減するために、毎分4000Å以上の速度などの高除去速度で達成される。言い換えると、該過剰部分902の厚さt0は1000Åにほぼ等しいt1に削減される。この点で、該銅層901と該電極の間の印加電位は、該同じモジュール内の該残りの銅表面901と該研磨パッド層の間に相対運動を有し、同じ電解研磨溶液を使用することによって、中断され、該材料除去は化学機械研磨(CMP)プロセスモードで続行される。該CMPプロセスは、好ましくは毎分2000Åから4000Åの間の範囲の速度などの低材料除去速度で適用される。該CMPプロセスは、好ましくは、大きな形状904内で該銅を調達する(dishing)ことなく、形状903を有する該高密度領域の上部から銅が除去されるまで続行する。代わりに、このステップでは、CMP溶液は該銅をファインポリッシュするために使用されてよい。
多様な好適実施形態及び最善の態様が前記に詳細に説明されてきたが、当業者は、該例示的な実施形態の多くの変型が、本発明の新規の教示及び利点から著しく逸脱することなく可能であることを容易に認識するであろう。
Claims (37)
- 溶液を使用してウェハの導電性表面を電解研磨するためのシステムであって、
前記ウェハを保持するためのウェハホルダと、
第1並びに第2の表面を備える電極層と、前記電極層の前記第1の表面に取り付けられ、前記導電性表面と、前記電極層の前記第1の表面との両方を前記溶液が濡らすことができる開口部を含む前記パッド材料層とを含む電解研磨パッドと、
前記電極層の前記第2の表面に向かって流体を与えるためのシャワーヘッドとを具備するシステム。 - 電源に前記導電性表面を接続するための少なくとも1つの表面接点を、さらに具備する請求項1に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つの表面接点は、前記電解研磨パッドに取り付けられた導電性の片を備えている請求項2に記載のシステム。
- 前記導電性の片は、前記電解研磨パッドの横運動の方向に実質的に平行に設置されている請求項3に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つの表面接点は、前記電解研磨パッドに取り付けられる請求項2に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つの表面接点は、前記導電性面の端縁に触れるように前記電解研磨パッドの端縁領域に沿って配置される請求項5に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つの表面接点は、前記電解研磨パッドの外部に設置され、かつ前記ウェハと前記少なくとも1つの表面接点の間に相対運動が確立されるときに、電気接触を維持するように前記導電性表面の端縁領域に接するように構成されている請求項2に記載のシステム。
- 前記パッド材料層の前記開口部は、前記開口部が前記表面接点に近づくにつれてさらに小さくなる請求項7に記載のシステム。
- 前記電解研磨パッドは、前記シャワーヘッドの表面に設置されている請求項1に記載のシステム。
- シャワーヘッドの表面と、電解研磨パッドの底面との間に間隙が残されている請求項1に記載のシステム。
- 前記シャワーヘッドの上面は、圧縮自在層を含んでいる請求項1に記載のシステム。
- 前記電解研磨パッドは、供給スプールと、巻き取りスプールとの間に広がるベルトパッドである請求項1に記載のシステム。
- 電解研磨中に、一方向、もしくは双方向に直線状に前記ベルトパッドを移動するための移動機構を、さらに具備する請求項12に記載のシステム。
- 前記ウェハホルダは、前記電解研磨パッドが静止して保たれている間に、双方向に移動するように構成されている請求項1に記載のシステム。
- 前記電源に前記電極層を電気的に接続するための少なくとも1つの接点部材を、さらに具備する請求項2に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つの接点部材は、前記電解研磨パッドに対して相対運動を有するように構成されている請求項15に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つの表面接点は、前記ウェハホルダとともに移動するように構成されている請求項2に記載のシステム。
- 前記電解研磨パッド上に溶液を提供するための溶液送達機構を、さらに具備する請求項1に記載のシステム。
- 前記溶液は、研磨粒子を含むスラリーである請求項1に記載のシステム。
- 前記パッド材料の表面は、研磨剤を含んでいる請求項1に記載のシステム。
- 溶液を使用してウェハの導電性表面を電解研磨するためのシステムであって、
前記ウェハを保持するためのウェハホルダと、
前記溶液が、前記導電性表面並びに電極層の両方を濡らすことができる開口部を含んでいるパッド材料層と、このパッド材料層に取り付けられた電極層とを含んでいる電解研磨パッドと、
前記電極層から実質的に電気的に隔離される間に、前記パッド材料層と、前記電極層との少なくとも1つに取り付けられる少なくとも1つの表面接点であって、電解研磨中に前記導電性表面との電気的な接続を確立する前記表面接点とを具備するシステム。 - 前記少なくとも1つの表面接点は、電解研磨中に前記導電性表面の端縁に触れるための前記電解研磨パッドの少なくとも1つの端縁領域に沿って配置されている請求項21に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つの表面接点は、電解研磨パッドに取り付けられる2つの導電性の片を備えている請求項21に記載のシステム。
- 前記2つの導電性の片は、前記電解研磨パッドの横運動の方向に実質的に平行に設置されている請求項23に記載のシステム。
- シャワーヘッドを、さらに具備する請求項21に記載のシステム。
- 前記電解研磨パッドは、前記シャワーヘッドの表面上に設置されている請求項25に記載のシステム。
- シャワーヘッドの表面と、前記電解研磨パッドの裏面との間に間隙が残されている請求項25に記載のシステム。
- 前記電解研磨パッドは、供給スプールと、巻き取りスプールとの間で広がるベルトパッドである請求項21に記載のシステム。
- 前記電解研磨パッドは、支持プレート上に配置されている請求項21に記載のシステム。
- 一方向、もしくは双方向に直線状に前記ベルトパッドを移動するための移動機構を、さらに具備する請求項28に記載のシステム。
- 前記ウェハホルダは、前記電解研磨パッドが静止して保たれている間に、双方向に移動するように構成されている請求項21に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つの表面接点と、前記電極層とは、接点部材を使用して、少なくとも1つの電源に接続される請求項21に記載のシステム。
- 前記接点部材は、前記少なくとも1つの表面接点と、前記電極層との相対運動を有するように構成されている請求項32に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つの表面接点は、前記電解研磨パッドに対して静止するように構成されている請求項21に記載のシステム。
- 前記溶液は、溶液送達機構により前記電解研磨パッドの上に送達される請求項21に記載のシステム。
- 前記溶液は、研磨粒子を含むスラリーである請求項21に記載のシステム。
- 前記パッド材料の表面は、研磨剤を含んでいる請求項21に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US54823904P | 2004-02-27 | 2004-02-27 | |
US57219804P | 2004-05-18 | 2004-05-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005260224A true JP2005260224A (ja) | 2005-09-22 |
Family
ID=35085602
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005055024A Pending JP2005260224A (ja) | 2004-02-27 | 2005-02-28 | 電気化学機械研磨のためのシステム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005260224A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005335062A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | エレクトロケミカルメカニカルポリッシング用の研磨パッド |
WO2007119845A1 (ja) * | 2006-04-14 | 2007-10-25 | Roki Techno Co., Ltd. | デバイスウエハ用の研磨パッド |
WO2008143278A1 (ja) * | 2007-05-22 | 2008-11-27 | Roki Techno Co., Ltd. | デバイスウエハの研磨パッド、研磨体、研磨工具構成体及び研磨方法 |
CN109075057A (zh) * | 2016-03-09 | 2018-12-21 | 应用材料公司 | 垫结构及制造方法 |
-
2005
- 2005-02-28 JP JP2005055024A patent/JP2005260224A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005335062A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | エレクトロケミカルメカニカルポリッシング用の研磨パッド |
WO2007119845A1 (ja) * | 2006-04-14 | 2007-10-25 | Roki Techno Co., Ltd. | デバイスウエハ用の研磨パッド |
WO2008143278A1 (ja) * | 2007-05-22 | 2008-11-27 | Roki Techno Co., Ltd. | デバイスウエハの研磨パッド、研磨体、研磨工具構成体及び研磨方法 |
JP4500885B2 (ja) * | 2007-05-22 | 2010-07-14 | 株式会社ロキテクノ | デバイスウエハの研磨パッド、研磨体、研磨工具構成体及び研磨方法 |
JPWO2008143278A1 (ja) * | 2007-05-22 | 2010-08-12 | 株式会社ロキテクノ | デバイスウエハの研磨パッド、研磨体、研磨工具構成体及び研磨方法 |
CN109075057A (zh) * | 2016-03-09 | 2018-12-21 | 应用材料公司 | 垫结构及制造方法 |
CN109075057B (zh) * | 2016-03-09 | 2023-10-20 | 应用材料公司 | 垫结构及制造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100780257B1 (ko) | 연마 방법, 연마 장치, 도금 방법 및 도금 장치 | |
US7578923B2 (en) | Electropolishing system and process | |
US6610190B2 (en) | Method and apparatus for electrodeposition of uniform film with minimal edge exclusion on substrate | |
US20030114087A1 (en) | Method and apparatus for face-up substrate polishing | |
US7238092B2 (en) | Low-force electrochemical mechanical processing method and apparatus | |
JP2001203179A (ja) | 金属ウェーハ平坦化方法及び装置を用いた高度電解研磨(aep) | |
US7425250B2 (en) | Electrochemical mechanical processing apparatus | |
US20050173260A1 (en) | System for electrochemical mechanical polishing | |
JP4398376B2 (ja) | 金属層の電気メッキ及び平坦化処理を行う装置及び方法 | |
US7550070B2 (en) | Electrode and pad assembly for processing conductive layers | |
WO2006055766A1 (en) | Means to eliminate bubble entrapment during electrochemical processing of workpiece surface | |
JP3507678B2 (ja) | 研磨スラリー、基板の研磨装置及び基板の研磨方法 | |
US7648622B2 (en) | System and method for electrochemical mechanical polishing | |
US7141146B2 (en) | Means to improve center to edge uniformity of electrochemical mechanical processing of workpiece surface | |
JP2005260224A (ja) | 電気化学機械研磨のためのシステム | |
US20070131563A1 (en) | Means to improve center to edge uniformity of electrochemical mechanical processing of workpiece surface | |
US7097755B2 (en) | Electrochemical mechanical processing with advancible sweeper | |
TW593787B (en) | Electrochemical mechanical processing with advancible sweeper | |
US20060131177A1 (en) | Means to eliminate bubble entrapment during electrochemical processing of workpiece surface | |
US20070251832A1 (en) | Method and apparatus for electrochemical mechanical polishing of cu with higher liner velocity for better surface finish and higher removal rate during clearance | |
US20090020437A1 (en) | Method and system for controlled material removal by electrochemical polishing |