JP2005243812A - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、基板を処理するための基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等が含まれる。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal display devices, glass substrates for plasma displays, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, photomask substrates, and the like. .
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板等の基板に対して処理液による処理を施すために、基板を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。
枚葉式の基板処理装置は、たとえば、基板をほぼ水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックによって回転されている基板の上面に処理液を供給するためのノズルとを備えている。基板の上面に供給された処理液は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の上面を回転半径方向外方へ向けて流れ、基板の上面周縁から端面を伝って流下する。これによって、基板の上面に処理液が行き渡り、基板の上面に対する処理液による処理が達成される。
The single wafer type substrate processing apparatus includes, for example, a spin chuck that rotates while holding the substrate substantially horizontally, and a nozzle for supplying a processing liquid to the upper surface of the substrate rotated by the spin chuck. . The processing liquid supplied to the upper surface of the substrate receives a centrifugal force due to the rotation of the substrate, flows outward in the rotational radial direction of the substrate, and flows down from the periphery of the upper surface of the substrate along the end surface. As a result, the processing liquid spreads over the upper surface of the substrate, and the processing with the processing liquid on the upper surface of the substrate is achieved.
ところが、上述のような構成では、スピンチャックに保持された基板の下面に対して処理を施すことができない。
そこで、特許文献1には、円板状のベース部材の上面に、円筒状の堰部材とその内側に基板を支持するための複数の基板支持部材とが設けられ、複数の基板支持部材によって水平に保持された基板の上面(表面)に対して、その基板の上方に配置された上ノズルから処理液(純水)を供給するとともに、基板の下方に配置された下ノズルからベース部材と基板の下面との間に処理液を供給するようにした構成の基板処理装置が提案されている。ベース部材は、鉛直方向に沿って配置された回転軸の上端に結合されており、下ノズルは、その回転軸に中心軸ノズルの形態をなして挿通されている。下ノズルから供給される処理液は、ベース部材上に溜められて、そのベース部材と基板の下面との間に処理液の液層を形成する。これによって、基板の下面に処理液が供給され、その基板の下面に対して処理液による処理が施される。
However, in the configuration as described above, it is not possible to perform processing on the lower surface of the substrate held by the spin chuck.
Therefore, in
しかしながら、この特許文献1の構成では、処理液供給のための配管が上ノズル用と下ノズル用との2系統となり、これらの配管の設置に手間がかかってしまう。
また、基板の上面にノズルから処理液を供給する構成では、基板の上面において、処理液が十分に供給されない部分が生じ、このような処理液供給量の不均一による処理むらを生じるおそれがある。
However, in the configuration of
Further, in the configuration in which the processing liquid is supplied from the nozzle to the upper surface of the substrate, there is a portion where the processing liquid is not sufficiently supplied on the upper surface of the substrate, which may cause processing unevenness due to such non-uniform supply of processing liquid. .
そこで、この発明の目的は、配管構成が単純であり、かつ、基板の表面および裏面に対して良好な処理を達成できる基板処理装置を提供することである。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus having a simple piping configuration and capable of achieving good processing on the front and back surfaces of the substrate.
上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、所定の回転軸線まわりに回転する回転部材(12)と、この回転部材に設けられて、基板(W)の周縁部を支持する基板支持部材(13)と、処理液を貯留しておくための処理液貯留槽(23)と、この処理液貯留槽に処理液を供給するための処理液供給配管(28)と、前記基板支持部材に支持された基板と前記処理液貯留槽とを相対的に昇降させて、当該基板を処理液貯留槽に貯留された処理液に対して浸漬/脱出させるための昇降機構(15)とを含むことを特徴とする基板処理装置である。 In order to achieve the above object, a first aspect of the present invention is directed to a rotating member (12) that rotates about a predetermined rotation axis, and a substrate that is provided on the rotating member and supports a peripheral portion of the substrate (W). A supporting member (13), a processing liquid storage tank (23) for storing the processing liquid, a processing liquid supply pipe (28) for supplying the processing liquid to the processing liquid storage tank, and the substrate support An elevating mechanism (15) for moving the substrate supported by the member and the processing liquid storage tank relatively up and down so as to immerse / escape the substrate from the processing liquid stored in the processing liquid storage tank; A substrate processing apparatus including the substrate processing apparatus.
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明によれば、基板と処理液貯留槽とを相対的に昇降させることにより、基板を処理液貯留槽に貯留された処理液中に浸漬させることができ、また、その処理液中から基板を脱出させることができる。
In addition, the alphanumeric characters in parentheses represent corresponding components in the embodiments described later. The same applies hereinafter.
According to this invention, the substrate can be immersed in the processing liquid stored in the processing liquid storage tank by moving the substrate and the processing liquid storage tank relatively up and down, and the substrate can be removed from the processing liquid. Can escape.
基板はその周縁部が基板支持手段によって支持されるので、たとえば、基板支持手段によって支持される基板が回転部材から離れていれば、基板を処理液中に浸漬させることによって、基板の表面および裏面に処理液をむらなく供給することができる。そのため、基板の表面および裏面に処理液供給量の不均一による処理むらを生じるおそれがなく、基板の表面および裏面に対して処理液による良好な処理を均一に施すことができる。 Since the peripheral portion of the substrate is supported by the substrate support means, for example, if the substrate supported by the substrate support means is separated from the rotating member, the front and back surfaces of the substrate are immersed by immersing the substrate in the processing liquid. The processing liquid can be supplied uniformly. Therefore, there is no risk of uneven processing due to unevenness in the supply amount of processing liquid on the front and back surfaces of the substrate, and good processing with the processing liquid can be performed uniformly on the front and back surfaces of the substrate.
さらに、基板が処理液中に浸漬されている間、回転部材を回転させることにより、基板の表面および裏面に接する処理液を入れ替えることができる。これによって、基板の表面および裏面に未反応の処理液(未だ処理に寄与していない処理液)を供給することができ、基板の表面および裏面の全域により良好な処理を均一に施すことができる。
また、上記の構成によれば、基板に対する処理液の供給のための配管は処理液供給配管のみの1系統であるから、処理液供給のための配管が2系統必要になる従来構成に比べて、配管構成が単純であり、配管設置のための作業にかかる手間を軽減することができる。
Furthermore, while the substrate is immersed in the processing liquid, the processing liquid in contact with the front surface and the back surface of the substrate can be replaced by rotating the rotating member. As a result, an unreacted processing liquid (a processing liquid that has not yet contributed to the processing) can be supplied to the front surface and the back surface of the substrate, and a good process can be uniformly applied to the entire surface of the substrate and the back surface. .
Further, according to the above configuration, the processing liquid supply pipe to the substrate is only one system of the processing liquid supply piping, so that compared to the conventional configuration in which two systems of processing liquid supply piping are required. The piping configuration is simple, and the labor required for piping installation can be reduced.
請求項2記載の発明は、前記基板支持部材は、基板を前記回転部材から所定間隔を空けて離れた位置で支持するものであることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置である。
この発明によれば、基板支持手段によって支持される基板が回転部材から離れているので、基板を処理液中に浸漬させることによって、基板の表面および裏面に処理液をむらなく供給することができる。そのため、基板の表面および裏面に処理液供給量の不均一による処理むらを生じるおそれがなく、基板の表面および裏面に対して処理液による良好な処理を均一に施すことができる。
A second aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the first aspect, wherein the substrate support member supports the substrate at a position away from the rotating member at a predetermined interval.
According to this invention, since the substrate supported by the substrate support means is separated from the rotating member, the processing liquid can be supplied uniformly to the front and back surfaces of the substrate by immersing the substrate in the processing liquid. . Therefore, there is no risk of uneven processing due to unevenness in the supply amount of processing liquid on the front and back surfaces of the substrate, and good processing with the processing liquid can be performed uniformly on the front and back surfaces of the substrate.
請求項3記載の発明は、前記基板支持部材は、基板の外形に対応した周上に配置され、基板の周縁部を案内するための溝(131)が螺旋状に形成された周面をそれぞれ有する複数のスクリューピン(13)であり、上記昇降機構は、前記複数のスクリューピンをそれぞれ中心軸線まわりに同期回転させるものであることを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置である。
According to a third aspect of the present invention, each of the substrate support members is disposed on a circumference corresponding to the outer shape of the substrate, and a circumferential surface on which a groove (131) for guiding the peripheral edge of the substrate is formed in a spiral shape is provided. 3. The substrate processing apparatus according to
この発明によれば、複数のスクリューピンを同期回転させると、基板の周縁部が各スクリューピンの溝によって支持されつつ案内され、その結果、複数のスクリューピンによって支持された基板を回転部材に対して昇降させることができる。
請求項4記載の発明は、前記処理液貯留槽に溜められた処理液を排液するための排液配管(25)をさらに含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置である。
According to the present invention, when the plurality of screw pins are synchronously rotated, the peripheral edge of the substrate is guided while being supported by the groove of each screw pin, and as a result, the substrate supported by the plurality of screw pins is supported with respect to the rotating member. Can be moved up and down.
The invention according to claim 4 further includes a drainage pipe (25) for draining the processing liquid stored in the processing liquid storage tank. A substrate processing apparatus.
このような排液配管を備えている場合、その排液配管に処理液供給配管を分岐接続させることにより、処理液供給配管から排液配管を通して処理液貯留槽に処理液を供給することができる。
請求項5記載の発明は、前記処理液貯留槽を取り囲むように設けられ、前記処理液貯留槽からオーバフローする処理液を集めて排液するための排液溝(24)をさらに含むことを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置である。
When such a drainage pipe is provided, the treatment liquid can be supplied from the treatment liquid supply pipe to the treatment liquid storage tank through the drainage pipe by branching the treatment liquid supply pipe to the drainage pipe. .
The invention according to claim 5 further includes a drainage groove (24) provided so as to surround the processing liquid storage tank and collecting and draining the processing liquid overflowing from the processing liquid storage tank. A substrate processing apparatus according to any one of
この発明によれば、処理液貯留槽からオーバフローする処理液を排液溝に集めて排液することができる。
また、処理液貯留槽に貯留された処理液中に基板が浸漬されている間、処理液貯留槽から処理液をオーバフローさせることにより、処理液貯留槽に貯留された処理液に流れを形成することができ、この流れによって、基板の表面および裏面に接する処理液を入れ替えることができる。そのため、基板の表面および裏面に未反応の処理液を供給することができ、基板の表面および裏面の全域により良好な処理を均一に施すことができる。
According to this invention, the processing liquid overflowing from the processing liquid storage tank can be collected in the drain groove and drained.
In addition, while the substrate is immersed in the processing liquid stored in the processing liquid storage tank, a flow is formed in the processing liquid stored in the processing liquid storage tank by causing the processing liquid to overflow from the processing liquid storage tank. In this flow, the processing liquid in contact with the front surface and the back surface of the substrate can be replaced. Therefore, the unreacted processing liquid can be supplied to the front surface and the back surface of the substrate, and a favorable process can be uniformly applied to the entire surface of the substrate and the back surface.
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を概念的に示す断面図である。この基板処理装置は、基板の一例である半導体ウエハW(以下、単に「ウエハW」という。)に対して処理液による処理を施すための装置であり、ウエハWをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック1と、このスピンチャック1を収容したカップ2と、カップ2の上方に設けられたスプラッシュガード3とを備えている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a sectional view conceptually showing the structure of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. This substrate processing apparatus is an apparatus for performing processing with a processing liquid on a semiconductor wafer W (hereinafter simply referred to as “wafer W”) which is an example of a substrate, and rotates while holding the wafer W substantially horizontally. A
ウエハWに対する処理は、処理液を用いた処理であれば、たとえば、硫酸などの薬液を用いた洗浄処理であってもよいし、SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸過酸化水素水)を用いたレジスト剥離処理であってもよい。
スピンチャック1は、ほぼ鉛直に配置されたスピン軸11と、このスピン軸11の上端に結合されたスピンベース12と、スピンベース12の上面に配置された複数のスクリューピン13とを備えている。
As long as the process for the wafer W is a process using a processing solution, for example, a cleaning process using a chemical solution such as sulfuric acid may be used, or SPM (sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture) may be used. The resist stripping process used may be used.
The
スピンベース12は、平面円形状に形成されており、水平面に沿った状態で、その中心をスピン軸11の中心軸線が通るように設けられている。
複数のスクリューピン13は、スピンベース12の上面周縁部において、ウエハWの外形に対応する円周上にほぼ等間隔に配置されて、それぞれ鉛直方向に沿う中心軸線まわりに回転可能に設けられている。各スクリューピン13の周面には、ウエハWの厚みに対応する幅の溝131が螺旋状に形成されている。また、各スクリューピン13の上端部には、ウエハWの下面周縁部を受け取るためのウエハ受取部132が溝131に連続して形成されている。
The
The plurality of
これにより、ウエハWをその下面周縁部が複数のスクリューピン13のウエハ受取部132に跨った状態に載置して、複数のスクリューピン13を所定方向に同期回転させると、ウエハWの周縁部が各スクリューピン13の溝131に入り、ウエハWが複数のスクリューピン13によってほぼ水平に支持される。複数のスクリューピン13をさらに回転させると、ウエハWは、その周縁部が各スクリューピン13の溝131に支持されつつ案内されて、スピンベース12の上面に近接する下方向へ移動する。また、複数のスクリューピン13を逆方向に同期回転させると、ウエハWは、その周縁部が各スクリューピン13の溝131に支持されつつ案内されて、スピンベース12の上面から離間する上方向に移動する。
Accordingly, when the wafer W is placed in a state where the peripheral edge portion of the wafer W straddles the
スピン軸11には、モータなどの駆動源を含む回転駆動機構14が結合されている。この回転駆動機構14からスピン軸11に回転力を入力することにより、スピン軸11をその中心軸線まわりに回転させることができる。よって、複数のスクリューピン13によってウエハWを支持した状態で、回転駆動機構14からスピン軸11に回転力を入力することにより、そのウエハWをスピンベース12とともにスピン軸11の中心軸線まわりに回転させることができる。
A
スピンベース12の内部には、複数のスクリューピン13をそれぞれ回転させるための電動モータなどを含むピン駆動機構15が収容されている。このピン駆動機構15の動作電力は、スピン軸11を通して外部から供給されてもよいし、スピンベース12内において発電されてもよい。たとえば、スピンベース12の内部に複数の発電コイルを配置するとともに、カップ2の底面に複数の永久磁石片を適当に配置すれば、スピンベース12の回転に伴って発電コイルに誘導起電力を生じさせることができ、この誘導起電力をピン駆動機構15の動作電力として用いることができる。
A
カップ2は、平面円形状の底面21と、この底面21の周縁から立ち上がった円筒状の外区画壁221と、底面21上において外区画壁221よりも内側に、外区画壁221との間に一定間隔を空けて設けられた円筒状の内区画壁222とを備えている。これにより、カップ2内には、内区画壁222に囲まれた処理液貯留部23が形成され、その処理液貯留部23の外側に、排液溝24が内区画壁222と外区画壁221とによって処理液貯留部23を取り囲むように形成されている。
The
処理液貯留部23には、スピンチャック1のスピンベース12が収容されており、内区画壁222は、そのスピンベース12の上面よりも高く、スクリューピン13の上端よりも低い高さに形成されている。また、処理液貯留部23において、底面21をスピンチャック1のスピン軸11が回転自在に貫通している。底面21とスピン軸11との間は、シール部材によって、液密的にシールされている。
The treatment
処理液貯留部23および排液溝24には、底面21において、それぞれ排液配管25,26が接続されている。排液配管25,26は、図示しない排液ラインへと延びている。排液配管25の途中部には、たとえばエア弁からなる排液バルブ27が介装されている。また、排液配管25の途中部には、排液バルブ27よりも処理液貯留部23側の位置に、図示しない処理液供給源から延びた処理液供給配管28が接続されている。この処理液供給配管28の途中部には、たとえばエア弁からなる処理液供給バルブ29が介装されている。
これにより、排液バルブ27を閉じた状態で、処理液供給バルブ29を開くと、処理液供給配管28から排液配管25に処理液が流れ込み、その処理液が排液配管25を通して処理液貯留部23に供給される。そして、処理液貯留部23に供給された処理液は、液面が内区画壁222に達するまで処理液貯留部23内に溜められ、それ以上に供給されると、内区画壁222を越えて、排液溝24へオーバフローし、排液溝24から排液配管26を通して排液される。また、処理液供給バルブ29を閉じて、排液バルブ27を開くことにより、処理液貯留部23に貯留されている処理液を排液配管25を通して排液することができる。
Accordingly, when the processing
スプラッシュガード3は、スピンチャック1の回転軸線(スピン軸11の中心軸線)に対してほぼ回転対称な形状を有しており、スピンチャック1の回転軸線を中心軸線とするほぼ円筒状の外円筒部31と、この外円筒部31の上端縁からスピンチャック1の回転軸線に近づくように斜め上方に傾斜した傾斜部32と、傾斜部32の下面から垂れ下がったほぼ円筒状の内円筒部33とを有している。外円筒部31と内円筒部33とは、間隔を空けて対向しており、この外円筒部31と内円筒部33との間に、外区画壁221の上端部が進入している。また、傾斜部32の上端縁は、内区画壁222の上端縁に対して適当な間隔を空けて位置しており、これによって、内区画壁222の上端縁と傾斜部32の上端縁との間には、ウエハWから飛散する処理液を排液溝24へ導くための開口部34が形成されている。
The splash guard 3 has a substantially rotationally symmetric shape with respect to the rotational axis of the spin chuck 1 (the central axis of the spin shaft 11), and is a substantially cylindrical outer cylinder having the rotational axis of the
図2ないし図4は、この基板処理装置における処理について説明するための図解的な断面図である。
図2に示すように、まず、排液バルブ27を閉じた状態で、処理液供給バルブ29が開かれることにより、排液配管25から処理液貯留部23に処理液が供給される。また、搬送ロボット(図示せず)により、処理対象のウエハWが搬入されてきて、たとえば、デバイス形成面である表面を上方に向けて、複数のスクリューピン13のウエハ受取部132に跨った状態にセットされる。
2 to 4 are schematic sectional views for explaining processing in the substrate processing apparatus.
As shown in FIG. 2, first, the processing liquid is supplied from the
処理液供給バルブ29の開成後、処理液貯留部23に溜められた処理液の液面が内区画壁222の上端部付近に達するのに十分な時間が経過すると、次に、複数のスクリューピン13が同期回転されて、ウエハWがスピンベース12の上面に所定間隔を空けて近接する位置まで下降される。これにより、図3に示すように、処理液貯留部23に溜められた処理液中にウエハWが浸漬された状態になり、ウエハWの上面(表面)、下面(裏面)および端面の全域に処理液がむらなく接し、ウエハWの上面、下面および端面に処理液による処理が施されていく。
After the processing
ウエハWが処理液中に浸漬されている間、スピンチャック1(ウエハW)が所定の回転速度(たとえば、0〜100rpm、好ましくは50rpm)で回転される。このスピンチャック1の回転により、ウエハWの上面、下面および端面に接する処理液が常に入れ替わる。また、ウエハWが処理液中に浸漬されている間も、排液配管25から処理液貯留部23に処理液が供給し続けられる。この処理液の供給によって、処理液貯留部23に溜められた処理液に流れが形成され、この流れによっても、ウエハWの上面、下面および端面に接する処理液が常に入れ替わる。そのため、ウエハWの上面、下面および端面に未反応(未だ処理に寄与していない処理液)の処理液を常に供給することができ、ウエハWの上面、下面および端面の全域に良好な処理を均一に施すことができる。
While the wafer W is immersed in the processing liquid, the spin chuck 1 (wafer W) is rotated at a predetermined rotation speed (for example, 0 to 100 rpm, preferably 50 rpm). By the rotation of the
ウエハWが処理液中に浸漬されてから所定時間が経過すると、スピンチャック1の回転が一旦停止された後、複数のスクリューピン13が同期回転されて、図4に示すように、これらのスクリューピン13に支持されているウエハWが、処理液貯留部23に溜められた処理液中から脱出し、ウエハWの端面がカップ2の内区画壁222の上端縁とスプラッシュガード3の傾斜部32の上端縁との間の開口部34に対向する位置まで上昇される。また、処理液供給バルブ29が閉じられ、排液バルブ27が開かれて、処理液貯留部23に貯留されている処理液が排液配管25を通して排液される。
When a predetermined time elapses after the wafer W is immersed in the processing solution, the rotation of the
その後、スピンチャック1が所定の高回転速度(たとえば、1000〜5000rpm、好ましくは3000rpm)で高速回転される。これによって、処理液中から引き上げられたウエハWに付着している処理液が、スピンチャック1によるウエハWの回転に伴う遠心力を受けて、ウエハWの回転半径外方へと飛散する。このとき、ウエハWの端面が開口部34に対向しているので、ウエハWから飛散する処理液のほとんどは、開口部34を通って、排液溝24に集められ、排液溝24に接続された排液配管26を通して排液される。
Thereafter, the
以上のように、処理液貯留部23に溜められた処理液中にウエハWが浸漬されることにより、ウエハWの表面、裏面および端面に処理液がむらなく供給される。そのため、ウエハWの表面、裏面および端面に処理液供給量の不均一による処理むらを生じるおそれがなく、ウエハWの表面、裏面および端面に対して処理液による良好な処理を均一に施すことができる。
As described above, when the wafer W is immersed in the processing liquid stored in the processing
また、ウエハWに対する処理液の供給のための配管が処理液供給配管28および排液配管25からなる1系統のみであるから、処理液供給のための配管が2系統必要になる従来構成に比べて、配管構成が簡単であり、配管設置のための作業にかかる手間を軽減することができる。
なお、この実施形態では、ウエハWが処理液中に浸漬されている間、スピンチャック1(ウエハW)が所定の回転速度で回転されるとしているが、その所定の回転速度には零が含まれてもよい。すなわち、ウエハWが処理液中に浸漬されている間、スピンチャック1の回転が停止されていてもよい。
In addition, since there is only one line for supplying the processing liquid to the wafer W including the processing
In this embodiment, while the wafer W is immersed in the processing liquid, the spin chuck 1 (wafer W) is rotated at a predetermined rotational speed. However, the predetermined rotational speed includes zero. May be. That is, the rotation of the
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、スクリューピン13の回転によって、ウエハWがスピンベース12に対して昇降される構成を例にとったが、スピンチャック1(スピンベース12)を昇降可能に構成して、ウエハWをスピンチャック1ごと下降または上昇させることにより、ウエハWが処理液貯留部23内に溜められた処理液中に浸漬されたり、その処理液中から引き上げられたりするようにしてもよい。また、カップ2を昇降可能に構成して、カップ2を上昇または下降させることにより、ウエハWが処理液貯留部23内に溜められた処理液中に浸漬されたり、その処理液中から引き上げられたりするようにしてもよい。
As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention can also be implemented with another form. For example, in the above embodiment, the configuration in which the wafer W is moved up and down with respect to the
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。 In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.
1 スピンチャック
2 カップ
12 スピンベース
13 スクリューピン
15 ピン駆動機構
23 処理液貯留部
24 排液溝
25 排液配管
131 溝
W 半導体ウエハ
DESCRIPTION OF
Claims (5)
この回転部材に設けられて、基板の周縁部を支持する基板支持部材と、
処理液を貯留しておくための処理液貯留槽と、
この処理液貯留槽に処理液を供給するための処理液供給配管と、
前記基板支持部材に支持された基板と前記処理液貯留槽とを相対的に昇降させて、当該基板を処理液貯留槽に貯留された処理液に対して浸漬/脱出させるための昇降機構とを含むことを特徴とする基板処理装置。 A rotating member that rotates about a predetermined axis of rotation;
A substrate support member provided on the rotating member and supporting the peripheral edge of the substrate;
A processing liquid storage tank for storing the processing liquid;
A treatment liquid supply pipe for supplying the treatment liquid to the treatment liquid storage tank;
An elevating mechanism for elevating and lowering the substrate supported by the substrate support member and the processing liquid storage tank relative to the processing liquid stored in the processing liquid storage tank; A substrate processing apparatus including the substrate processing apparatus.
上記昇降機構は、前記複数のスクリューピンをそれぞれ中心軸線まわりに同期回転させるものであることを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。 The substrate support member is a plurality of screw pins that are arranged on the circumference corresponding to the outer shape of the substrate and each have a circumferential surface in which a groove for guiding the peripheral edge of the substrate is formed in a spiral shape,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the elevating mechanism rotates the plurality of screw pins synchronously around a central axis.
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