JP2005243812A - Substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2005243812A
JP2005243812A JP2004049981A JP2004049981A JP2005243812A JP 2005243812 A JP2005243812 A JP 2005243812A JP 2004049981 A JP2004049981 A JP 2004049981A JP 2004049981 A JP2004049981 A JP 2004049981A JP 2005243812 A JP2005243812 A JP 2005243812A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing liquid
substrate
wafer
processing
liquid storage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
JP2004049981A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Sekibun Asa
籍文 麻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2004049981A priority Critical patent/JP2005243812A/en
Publication of JP2005243812A publication Critical patent/JP2005243812A/en
Abandoned legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus in which a piping structure is simple and a sufficient processing is realized on a surface and a backside of a substrate. <P>SOLUTION: A plurality of screw pins 13 are arranged on a periphery corresponding to the outer shape of a wafer W at almost equal intervals in the upper face peripheral edge of a spin base 12, and they are disposed so that they can rotate around center axes along a vertical direction. Grooves 131 in width corresponding to thickness of the wafer W are spirally formed on peripheral faces of the screw pins 13. The wafer W is lowered or raised, and the wafer W can be immersed in processing liquid stored in a processing liquid storage 23 of a cup 2 or can be extracted from processing liquid. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

この発明は、基板を処理するための基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等が含まれる。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal display devices, glass substrates for plasma displays, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, photomask substrates, and the like. .

半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板等の基板に対して処理液による処理を施すために、基板を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。
枚葉式の基板処理装置は、たとえば、基板をほぼ水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックによって回転されている基板の上面に処理液を供給するためのノズルとを備えている。基板の上面に供給された処理液は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の上面を回転半径方向外方へ向けて流れ、基板の上面周縁から端面を伝って流下する。これによって、基板の上面に処理液が行き渡り、基板の上面に対する処理液による処理が達成される。
特開2002−75943号公報
In the manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one in order to perform processing with a processing liquid on a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device. Sometimes used.
The single wafer type substrate processing apparatus includes, for example, a spin chuck that rotates while holding the substrate substantially horizontally, and a nozzle for supplying a processing liquid to the upper surface of the substrate rotated by the spin chuck. . The processing liquid supplied to the upper surface of the substrate receives a centrifugal force due to the rotation of the substrate, flows outward in the rotational radial direction of the substrate, and flows down from the periphery of the upper surface of the substrate along the end surface. As a result, the processing liquid spreads over the upper surface of the substrate, and the processing with the processing liquid on the upper surface of the substrate is achieved.
JP 2002-75943 A

ところが、上述のような構成では、スピンチャックに保持された基板の下面に対して処理を施すことができない。
そこで、特許文献1には、円板状のベース部材の上面に、円筒状の堰部材とその内側に基板を支持するための複数の基板支持部材とが設けられ、複数の基板支持部材によって水平に保持された基板の上面(表面)に対して、その基板の上方に配置された上ノズルから処理液(純水)を供給するとともに、基板の下方に配置された下ノズルからベース部材と基板の下面との間に処理液を供給するようにした構成の基板処理装置が提案されている。ベース部材は、鉛直方向に沿って配置された回転軸の上端に結合されており、下ノズルは、その回転軸に中心軸ノズルの形態をなして挿通されている。下ノズルから供給される処理液は、ベース部材上に溜められて、そのベース部材と基板の下面との間に処理液の液層を形成する。これによって、基板の下面に処理液が供給され、その基板の下面に対して処理液による処理が施される。
However, in the configuration as described above, it is not possible to perform processing on the lower surface of the substrate held by the spin chuck.
Therefore, in Patent Document 1, a cylindrical weir member and a plurality of substrate support members for supporting a substrate inside thereof are provided on the upper surface of the disk-shaped base member, and the plurality of substrate support members horizontally The processing liquid (pure water) is supplied to the upper surface (front surface) of the substrate held by the upper nozzle disposed above the substrate, and the base member and the substrate are disposed from the lower nozzle disposed below the substrate. There has been proposed a substrate processing apparatus having a configuration in which a processing liquid is supplied to the lower surface of the substrate. The base member is coupled to the upper end of a rotating shaft arranged along the vertical direction, and the lower nozzle is inserted into the rotating shaft in the form of a central axis nozzle. The processing liquid supplied from the lower nozzle is stored on the base member to form a liquid layer of the processing liquid between the base member and the lower surface of the substrate. As a result, the processing liquid is supplied to the lower surface of the substrate, and the lower surface of the substrate is processed by the processing liquid.

しかしながら、この特許文献1の構成では、処理液供給のための配管が上ノズル用と下ノズル用との2系統となり、これらの配管の設置に手間がかかってしまう。
また、基板の上面にノズルから処理液を供給する構成では、基板の上面において、処理液が十分に供給されない部分が生じ、このような処理液供給量の不均一による処理むらを生じるおそれがある。
However, in the configuration of Patent Document 1, there are two lines for supplying the processing liquid, that is, for the upper nozzle and for the lower nozzle, and it takes time to install these pipes.
Further, in the configuration in which the processing liquid is supplied from the nozzle to the upper surface of the substrate, there is a portion where the processing liquid is not sufficiently supplied on the upper surface of the substrate, which may cause processing unevenness due to such non-uniform supply of processing liquid. .

そこで、この発明の目的は、配管構成が単純であり、かつ、基板の表面および裏面に対して良好な処理を達成できる基板処理装置を提供することである。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus having a simple piping configuration and capable of achieving good processing on the front and back surfaces of the substrate.

上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、所定の回転軸線まわりに回転する回転部材(12)と、この回転部材に設けられて、基板(W)の周縁部を支持する基板支持部材(13)と、処理液を貯留しておくための処理液貯留槽(23)と、この処理液貯留槽に処理液を供給するための処理液供給配管(28)と、前記基板支持部材に支持された基板と前記処理液貯留槽とを相対的に昇降させて、当該基板を処理液貯留槽に貯留された処理液に対して浸漬/脱出させるための昇降機構(15)とを含むことを特徴とする基板処理装置である。   In order to achieve the above object, a first aspect of the present invention is directed to a rotating member (12) that rotates about a predetermined rotation axis, and a substrate that is provided on the rotating member and supports a peripheral portion of the substrate (W). A supporting member (13), a processing liquid storage tank (23) for storing the processing liquid, a processing liquid supply pipe (28) for supplying the processing liquid to the processing liquid storage tank, and the substrate support An elevating mechanism (15) for moving the substrate supported by the member and the processing liquid storage tank relatively up and down so as to immerse / escape the substrate from the processing liquid stored in the processing liquid storage tank; A substrate processing apparatus including the substrate processing apparatus.

なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明によれば、基板と処理液貯留槽とを相対的に昇降させることにより、基板を処理液貯留槽に貯留された処理液中に浸漬させることができ、また、その処理液中から基板を脱出させることができる。
In addition, the alphanumeric characters in parentheses represent corresponding components in the embodiments described later. The same applies hereinafter.
According to this invention, the substrate can be immersed in the processing liquid stored in the processing liquid storage tank by moving the substrate and the processing liquid storage tank relatively up and down, and the substrate can be removed from the processing liquid. Can escape.

基板はその周縁部が基板支持手段によって支持されるので、たとえば、基板支持手段によって支持される基板が回転部材から離れていれば、基板を処理液中に浸漬させることによって、基板の表面および裏面に処理液をむらなく供給することができる。そのため、基板の表面および裏面に処理液供給量の不均一による処理むらを生じるおそれがなく、基板の表面および裏面に対して処理液による良好な処理を均一に施すことができる。   Since the peripheral portion of the substrate is supported by the substrate support means, for example, if the substrate supported by the substrate support means is separated from the rotating member, the front and back surfaces of the substrate are immersed by immersing the substrate in the processing liquid. The processing liquid can be supplied uniformly. Therefore, there is no risk of uneven processing due to unevenness in the supply amount of processing liquid on the front and back surfaces of the substrate, and good processing with the processing liquid can be performed uniformly on the front and back surfaces of the substrate.

さらに、基板が処理液中に浸漬されている間、回転部材を回転させることにより、基板の表面および裏面に接する処理液を入れ替えることができる。これによって、基板の表面および裏面に未反応の処理液(未だ処理に寄与していない処理液)を供給することができ、基板の表面および裏面の全域により良好な処理を均一に施すことができる。
また、上記の構成によれば、基板に対する処理液の供給のための配管は処理液供給配管のみの1系統であるから、処理液供給のための配管が2系統必要になる従来構成に比べて、配管構成が単純であり、配管設置のための作業にかかる手間を軽減することができる。
Furthermore, while the substrate is immersed in the processing liquid, the processing liquid in contact with the front surface and the back surface of the substrate can be replaced by rotating the rotating member. As a result, an unreacted processing liquid (a processing liquid that has not yet contributed to the processing) can be supplied to the front surface and the back surface of the substrate, and a good process can be uniformly applied to the entire surface of the substrate and the back surface. .
Further, according to the above configuration, the processing liquid supply pipe to the substrate is only one system of the processing liquid supply piping, so that compared to the conventional configuration in which two systems of processing liquid supply piping are required. The piping configuration is simple, and the labor required for piping installation can be reduced.

請求項2記載の発明は、前記基板支持部材は、基板を前記回転部材から所定間隔を空けて離れた位置で支持するものであることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置である。
この発明によれば、基板支持手段によって支持される基板が回転部材から離れているので、基板を処理液中に浸漬させることによって、基板の表面および裏面に処理液をむらなく供給することができる。そのため、基板の表面および裏面に処理液供給量の不均一による処理むらを生じるおそれがなく、基板の表面および裏面に対して処理液による良好な処理を均一に施すことができる。
A second aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the first aspect, wherein the substrate support member supports the substrate at a position away from the rotating member at a predetermined interval.
According to this invention, since the substrate supported by the substrate support means is separated from the rotating member, the processing liquid can be supplied uniformly to the front and back surfaces of the substrate by immersing the substrate in the processing liquid. . Therefore, there is no risk of uneven processing due to unevenness in the supply amount of processing liquid on the front and back surfaces of the substrate, and good processing with the processing liquid can be performed uniformly on the front and back surfaces of the substrate.

請求項3記載の発明は、前記基板支持部材は、基板の外形に対応した周上に配置され、基板の周縁部を案内するための溝(131)が螺旋状に形成された周面をそれぞれ有する複数のスクリューピン(13)であり、上記昇降機構は、前記複数のスクリューピンをそれぞれ中心軸線まわりに同期回転させるものであることを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置である。   According to a third aspect of the present invention, each of the substrate support members is disposed on a circumference corresponding to the outer shape of the substrate, and a circumferential surface on which a groove (131) for guiding the peripheral edge of the substrate is formed in a spiral shape is provided. 3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the lift mechanism is configured to rotate the plurality of screw pins synchronously around a central axis. 4. .

この発明によれば、複数のスクリューピンを同期回転させると、基板の周縁部が各スクリューピンの溝によって支持されつつ案内され、その結果、複数のスクリューピンによって支持された基板を回転部材に対して昇降させることができる。
請求項4記載の発明は、前記処理液貯留槽に溜められた処理液を排液するための排液配管(25)をさらに含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置である。
According to the present invention, when the plurality of screw pins are synchronously rotated, the peripheral edge of the substrate is guided while being supported by the groove of each screw pin, and as a result, the substrate supported by the plurality of screw pins is supported with respect to the rotating member. Can be moved up and down.
The invention according to claim 4 further includes a drainage pipe (25) for draining the processing liquid stored in the processing liquid storage tank. A substrate processing apparatus.

このような排液配管を備えている場合、その排液配管に処理液供給配管を分岐接続させることにより、処理液供給配管から排液配管を通して処理液貯留槽に処理液を供給することができる。
請求項5記載の発明は、前記処理液貯留槽を取り囲むように設けられ、前記処理液貯留槽からオーバフローする処理液を集めて排液するための排液溝(24)をさらに含むことを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置である。
When such a drainage pipe is provided, the treatment liquid can be supplied from the treatment liquid supply pipe to the treatment liquid storage tank through the drainage pipe by branching the treatment liquid supply pipe to the drainage pipe. .
The invention according to claim 5 further includes a drainage groove (24) provided so as to surround the processing liquid storage tank and collecting and draining the processing liquid overflowing from the processing liquid storage tank. A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4.

この発明によれば、処理液貯留槽からオーバフローする処理液を排液溝に集めて排液することができる。
また、処理液貯留槽に貯留された処理液中に基板が浸漬されている間、処理液貯留槽から処理液をオーバフローさせることにより、処理液貯留槽に貯留された処理液に流れを形成することができ、この流れによって、基板の表面および裏面に接する処理液を入れ替えることができる。そのため、基板の表面および裏面に未反応の処理液を供給することができ、基板の表面および裏面の全域により良好な処理を均一に施すことができる。
According to this invention, the processing liquid overflowing from the processing liquid storage tank can be collected in the drain groove and drained.
In addition, while the substrate is immersed in the processing liquid stored in the processing liquid storage tank, a flow is formed in the processing liquid stored in the processing liquid storage tank by causing the processing liquid to overflow from the processing liquid storage tank. In this flow, the processing liquid in contact with the front surface and the back surface of the substrate can be replaced. Therefore, the unreacted processing liquid can be supplied to the front surface and the back surface of the substrate, and a favorable process can be uniformly applied to the entire surface of the substrate and the back surface.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を概念的に示す断面図である。この基板処理装置は、基板の一例である半導体ウエハW(以下、単に「ウエハW」という。)に対して処理液による処理を施すための装置であり、ウエハWをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック1と、このスピンチャック1を収容したカップ2と、カップ2の上方に設けられたスプラッシュガード3とを備えている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a sectional view conceptually showing the structure of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. This substrate processing apparatus is an apparatus for performing processing with a processing liquid on a semiconductor wafer W (hereinafter simply referred to as “wafer W”) which is an example of a substrate, and rotates while holding the wafer W substantially horizontally. A spin chuck 1 for holding the cup, a cup 2 containing the spin chuck 1, and a splash guard 3 provided above the cup 2.

ウエハWに対する処理は、処理液を用いた処理であれば、たとえば、硫酸などの薬液を用いた洗浄処理であってもよいし、SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸過酸化水素水)を用いたレジスト剥離処理であってもよい。
スピンチャック1は、ほぼ鉛直に配置されたスピン軸11と、このスピン軸11の上端に結合されたスピンベース12と、スピンベース12の上面に配置された複数のスクリューピン13とを備えている。
As long as the process for the wafer W is a process using a processing solution, for example, a cleaning process using a chemical solution such as sulfuric acid may be used, or SPM (sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture) may be used. The resist stripping process used may be used.
The spin chuck 1 includes a spin shaft 11 disposed substantially vertically, a spin base 12 coupled to the upper end of the spin shaft 11, and a plurality of screw pins 13 disposed on the upper surface of the spin base 12. .

スピンベース12は、平面円形状に形成されており、水平面に沿った状態で、その中心をスピン軸11の中心軸線が通るように設けられている。
複数のスクリューピン13は、スピンベース12の上面周縁部において、ウエハWの外形に対応する円周上にほぼ等間隔に配置されて、それぞれ鉛直方向に沿う中心軸線まわりに回転可能に設けられている。各スクリューピン13の周面には、ウエハWの厚みに対応する幅の溝131が螺旋状に形成されている。また、各スクリューピン13の上端部には、ウエハWの下面周縁部を受け取るためのウエハ受取部132が溝131に連続して形成されている。
The spin base 12 is formed in a planar circular shape, and is provided so that the center axis of the spin axis 11 passes through the center along the horizontal plane.
The plurality of screw pins 13 are arranged at substantially equal intervals on the circumference corresponding to the outer shape of the wafer W at the periphery of the upper surface of the spin base 12, and are provided so as to be rotatable around a central axis along the vertical direction. Yes. A groove 131 having a width corresponding to the thickness of the wafer W is spirally formed on the peripheral surface of each screw pin 13. In addition, a wafer receiving portion 132 for receiving the peripheral portion of the lower surface of the wafer W is formed at the upper end portion of each screw pin 13 so as to be continuous with the groove 131.

これにより、ウエハWをその下面周縁部が複数のスクリューピン13のウエハ受取部132に跨った状態に載置して、複数のスクリューピン13を所定方向に同期回転させると、ウエハWの周縁部が各スクリューピン13の溝131に入り、ウエハWが複数のスクリューピン13によってほぼ水平に支持される。複数のスクリューピン13をさらに回転させると、ウエハWは、その周縁部が各スクリューピン13の溝131に支持されつつ案内されて、スピンベース12の上面に近接する下方向へ移動する。また、複数のスクリューピン13を逆方向に同期回転させると、ウエハWは、その周縁部が各スクリューピン13の溝131に支持されつつ案内されて、スピンベース12の上面から離間する上方向に移動する。   Accordingly, when the wafer W is placed in a state where the peripheral edge portion of the wafer W straddles the wafer receiving portion 132 of the plurality of screw pins 13 and the plurality of screw pins 13 are synchronously rotated in a predetermined direction, the peripheral edge portion of the wafer W is obtained. Enters the groove 131 of each screw pin 13, and the wafer W is supported substantially horizontally by the plurality of screw pins 13. When the plurality of screw pins 13 are further rotated, the peripheral edge of the wafer W is guided while being supported by the groove 131 of each screw pin 13 and moves downwardly close to the upper surface of the spin base 12. Further, when the plurality of screw pins 13 are synchronously rotated in the reverse direction, the wafer W is guided while the peripheral portion thereof is supported by the groove 131 of each screw pin 13 and separated upward from the upper surface of the spin base 12. Moving.

スピン軸11には、モータなどの駆動源を含む回転駆動機構14が結合されている。この回転駆動機構14からスピン軸11に回転力を入力することにより、スピン軸11をその中心軸線まわりに回転させることができる。よって、複数のスクリューピン13によってウエハWを支持した状態で、回転駆動機構14からスピン軸11に回転力を入力することにより、そのウエハWをスピンベース12とともにスピン軸11の中心軸線まわりに回転させることができる。   A rotation drive mechanism 14 including a drive source such as a motor is coupled to the spin shaft 11. By inputting a rotational force to the spin shaft 11 from the rotational drive mechanism 14, the spin shaft 11 can be rotated about its central axis. Accordingly, when the wafer W is supported by the plurality of screw pins 13, a rotational force is input from the rotational drive mechanism 14 to the spin shaft 11, whereby the wafer W is rotated around the central axis of the spin shaft 11 together with the spin base 12. Can be made.

スピンベース12の内部には、複数のスクリューピン13をそれぞれ回転させるための電動モータなどを含むピン駆動機構15が収容されている。このピン駆動機構15の動作電力は、スピン軸11を通して外部から供給されてもよいし、スピンベース12内において発電されてもよい。たとえば、スピンベース12の内部に複数の発電コイルを配置するとともに、カップ2の底面に複数の永久磁石片を適当に配置すれば、スピンベース12の回転に伴って発電コイルに誘導起電力を生じさせることができ、この誘導起電力をピン駆動機構15の動作電力として用いることができる。   A pin drive mechanism 15 including an electric motor for rotating the plurality of screw pins 13 is accommodated inside the spin base 12. The operating power of the pin driving mechanism 15 may be supplied from the outside through the spin shaft 11 or may be generated in the spin base 12. For example, when a plurality of power generation coils are disposed inside the spin base 12 and a plurality of permanent magnet pieces are appropriately disposed on the bottom surface of the cup 2, an induced electromotive force is generated in the power generation coil as the spin base 12 rotates. The induced electromotive force can be used as the operating power of the pin driving mechanism 15.

カップ2は、平面円形状の底面21と、この底面21の周縁から立ち上がった円筒状の外区画壁221と、底面21上において外区画壁221よりも内側に、外区画壁221との間に一定間隔を空けて設けられた円筒状の内区画壁222とを備えている。これにより、カップ2内には、内区画壁222に囲まれた処理液貯留部23が形成され、その処理液貯留部23の外側に、排液溝24が内区画壁222と外区画壁221とによって処理液貯留部23を取り囲むように形成されている。   The cup 2 includes a planar circular bottom surface 21, a cylindrical outer partition wall 221 that rises from the periphery of the bottom surface 21, and an inner side of the outer partition wall 221 on the bottom surface 21 and between the outer partition wall 221. And a cylindrical inner partition wall 222 provided at regular intervals. As a result, a treatment liquid reservoir 23 surrounded by the inner partition wall 222 is formed in the cup 2, and the drainage groove 24 is formed outside the treatment liquid reservoir 23 with the inner partition wall 222 and the outer partition wall 221. Are formed so as to surround the processing liquid reservoir 23.

処理液貯留部23には、スピンチャック1のスピンベース12が収容されており、内区画壁222は、そのスピンベース12の上面よりも高く、スクリューピン13の上端よりも低い高さに形成されている。また、処理液貯留部23において、底面21をスピンチャック1のスピン軸11が回転自在に貫通している。底面21とスピン軸11との間は、シール部材によって、液密的にシールされている。   The treatment liquid storage unit 23 accommodates the spin base 12 of the spin chuck 1, and the inner partition wall 222 is formed at a height higher than the upper surface of the spin base 12 and lower than the upper end of the screw pin 13. ing. Further, in the treatment liquid reservoir 23, the spin shaft 11 of the spin chuck 1 passes through the bottom surface 21 so as to freely rotate. A space between the bottom surface 21 and the spin shaft 11 is sealed in a liquid-tight manner by a seal member.

処理液貯留部23および排液溝24には、底面21において、それぞれ排液配管25,26が接続されている。排液配管25,26は、図示しない排液ラインへと延びている。排液配管25の途中部には、たとえばエア弁からなる排液バルブ27が介装されている。また、排液配管25の途中部には、排液バルブ27よりも処理液貯留部23側の位置に、図示しない処理液供給源から延びた処理液供給配管28が接続されている。この処理液供給配管28の途中部には、たとえばエア弁からなる処理液供給バルブ29が介装されている。   Drainage pipes 25 and 26 are connected to the processing liquid reservoir 23 and the drainage groove 24 on the bottom surface 21, respectively. The drainage pipes 25 and 26 extend to a drainage line (not shown). In the middle of the drainage pipe 25, a drainage valve 27 made of, for example, an air valve is interposed. Further, a processing liquid supply pipe 28 extending from a processing liquid supply source (not shown) is connected to the middle of the drainage pipe 25 at a position closer to the processing liquid storage section 23 than the drainage valve 27. In the middle of the processing liquid supply pipe 28, a processing liquid supply valve 29 made of, for example, an air valve is interposed.

これにより、排液バルブ27を閉じた状態で、処理液供給バルブ29を開くと、処理液供給配管28から排液配管25に処理液が流れ込み、その処理液が排液配管25を通して処理液貯留部23に供給される。そして、処理液貯留部23に供給された処理液は、液面が内区画壁222に達するまで処理液貯留部23内に溜められ、それ以上に供給されると、内区画壁222を越えて、排液溝24へオーバフローし、排液溝24から排液配管26を通して排液される。また、処理液供給バルブ29を閉じて、排液バルブ27を開くことにより、処理液貯留部23に貯留されている処理液を排液配管25を通して排液することができる。   Accordingly, when the processing liquid supply valve 29 is opened with the drain valve 27 closed, the processing liquid flows from the processing liquid supply pipe 28 into the drain pipe 25, and the processing liquid is stored through the drain pipe 25. Supplied to the unit 23. Then, the processing liquid supplied to the processing liquid storage unit 23 is stored in the processing liquid storage unit 23 until the liquid level reaches the inner partition wall 222, and if it is supplied more than that, it passes over the inner partition wall 222. Then, it overflows into the drainage groove 24 and is drained from the drainage groove 24 through the drainage pipe 26. Further, by closing the processing liquid supply valve 29 and opening the drainage valve 27, the processing liquid stored in the processing liquid storage unit 23 can be drained through the drainage pipe 25.

スプラッシュガード3は、スピンチャック1の回転軸線(スピン軸11の中心軸線)に対してほぼ回転対称な形状を有しており、スピンチャック1の回転軸線を中心軸線とするほぼ円筒状の外円筒部31と、この外円筒部31の上端縁からスピンチャック1の回転軸線に近づくように斜め上方に傾斜した傾斜部32と、傾斜部32の下面から垂れ下がったほぼ円筒状の内円筒部33とを有している。外円筒部31と内円筒部33とは、間隔を空けて対向しており、この外円筒部31と内円筒部33との間に、外区画壁221の上端部が進入している。また、傾斜部32の上端縁は、内区画壁222の上端縁に対して適当な間隔を空けて位置しており、これによって、内区画壁222の上端縁と傾斜部32の上端縁との間には、ウエハWから飛散する処理液を排液溝24へ導くための開口部34が形成されている。   The splash guard 3 has a substantially rotationally symmetric shape with respect to the rotational axis of the spin chuck 1 (the central axis of the spin shaft 11), and is a substantially cylindrical outer cylinder having the rotational axis of the spin chuck 1 as the central axis. A portion 31, an inclined portion 32 inclined obliquely upward so as to approach the rotation axis of the spin chuck 1 from the upper end edge of the outer cylindrical portion 31, and a substantially cylindrical inner cylindrical portion 33 suspended from the lower surface of the inclined portion 32, have. The outer cylindrical portion 31 and the inner cylindrical portion 33 are opposed to each other with a space therebetween, and the upper end portion of the outer partition wall 221 enters between the outer cylindrical portion 31 and the inner cylindrical portion 33. In addition, the upper end edge of the inclined portion 32 is located at an appropriate interval with respect to the upper end edge of the inner partition wall 222, whereby the upper end edge of the inner partition wall 222 and the upper end edge of the inclined portion 32 are In the meantime, an opening 34 for guiding the processing liquid scattered from the wafer W to the drainage groove 24 is formed.

図2ないし図4は、この基板処理装置における処理について説明するための図解的な断面図である。
図2に示すように、まず、排液バルブ27を閉じた状態で、処理液供給バルブ29が開かれることにより、排液配管25から処理液貯留部23に処理液が供給される。また、搬送ロボット(図示せず)により、処理対象のウエハWが搬入されてきて、たとえば、デバイス形成面である表面を上方に向けて、複数のスクリューピン13のウエハ受取部132に跨った状態にセットされる。
2 to 4 are schematic sectional views for explaining processing in the substrate processing apparatus.
As shown in FIG. 2, first, the processing liquid is supplied from the drainage pipe 25 to the processing liquid reservoir 23 by opening the processing liquid supply valve 29 with the drainage valve 27 closed. In addition, a wafer W to be processed is carried in by a transfer robot (not shown), for example, a state where the surface which is a device forming surface is directed upward and straddles the wafer receiving portions 132 of the plurality of screw pins 13 Set to

処理液供給バルブ29の開成後、処理液貯留部23に溜められた処理液の液面が内区画壁222の上端部付近に達するのに十分な時間が経過すると、次に、複数のスクリューピン13が同期回転されて、ウエハWがスピンベース12の上面に所定間隔を空けて近接する位置まで下降される。これにより、図3に示すように、処理液貯留部23に溜められた処理液中にウエハWが浸漬された状態になり、ウエハWの上面(表面)、下面(裏面)および端面の全域に処理液がむらなく接し、ウエハWの上面、下面および端面に処理液による処理が施されていく。   After the processing liquid supply valve 29 is opened, when a sufficient time has passed for the liquid level of the processing liquid stored in the processing liquid storage section 23 to reach the vicinity of the upper end of the inner partition wall 222, a plurality of screw pins 13 is rotated synchronously, and the wafer W is lowered to a position close to the upper surface of the spin base 12 at a predetermined interval. As a result, as shown in FIG. 3, the wafer W is immersed in the processing liquid stored in the processing liquid storage unit 23, and is spread over the entire upper surface (front surface), lower surface (back surface), and end surface of the wafer W. The processing liquid comes into contact with each other, and the upper surface, the lower surface, and the end surface of the wafer W are processed with the processing liquid.

ウエハWが処理液中に浸漬されている間、スピンチャック1(ウエハW)が所定の回転速度(たとえば、0〜100rpm、好ましくは50rpm)で回転される。このスピンチャック1の回転により、ウエハWの上面、下面および端面に接する処理液が常に入れ替わる。また、ウエハWが処理液中に浸漬されている間も、排液配管25から処理液貯留部23に処理液が供給し続けられる。この処理液の供給によって、処理液貯留部23に溜められた処理液に流れが形成され、この流れによっても、ウエハWの上面、下面および端面に接する処理液が常に入れ替わる。そのため、ウエハWの上面、下面および端面に未反応(未だ処理に寄与していない処理液)の処理液を常に供給することができ、ウエハWの上面、下面および端面の全域に良好な処理を均一に施すことができる。   While the wafer W is immersed in the processing liquid, the spin chuck 1 (wafer W) is rotated at a predetermined rotation speed (for example, 0 to 100 rpm, preferably 50 rpm). By the rotation of the spin chuck 1, the processing liquid in contact with the upper surface, the lower surface, and the end surface of the wafer W is always replaced. Further, while the wafer W is immersed in the processing liquid, the processing liquid is continuously supplied from the drainage pipe 25 to the processing liquid storage unit 23. By supplying the processing liquid, a flow is formed in the processing liquid stored in the processing liquid storage unit 23, and the processing liquid in contact with the upper surface, the lower surface, and the end surface of the wafer W is always replaced by this flow. Therefore, it is possible to always supply unreacted processing liquid (processing liquid that has not yet contributed to processing) to the upper surface, the lower surface, and the end surface of the wafer W, and to perform good processing on the entire upper surface, lower surface, and end surface of the wafer W. It can be applied uniformly.

ウエハWが処理液中に浸漬されてから所定時間が経過すると、スピンチャック1の回転が一旦停止された後、複数のスクリューピン13が同期回転されて、図4に示すように、これらのスクリューピン13に支持されているウエハWが、処理液貯留部23に溜められた処理液中から脱出し、ウエハWの端面がカップ2の内区画壁222の上端縁とスプラッシュガード3の傾斜部32の上端縁との間の開口部34に対向する位置まで上昇される。また、処理液供給バルブ29が閉じられ、排液バルブ27が開かれて、処理液貯留部23に貯留されている処理液が排液配管25を通して排液される。   When a predetermined time elapses after the wafer W is immersed in the processing solution, the rotation of the spin chuck 1 is temporarily stopped, and then a plurality of screw pins 13 are rotated synchronously, as shown in FIG. The wafer W supported by the pins 13 escapes from the processing liquid stored in the processing liquid storage part 23, and the end surface of the wafer W is the upper edge of the inner partition wall 222 of the cup 2 and the inclined part 32 of the splash guard 3. It is raised to a position facing the opening 34 between the upper edge of the first and second edges. Further, the processing liquid supply valve 29 is closed, the drainage valve 27 is opened, and the processing liquid stored in the processing liquid storage unit 23 is drained through the drainage pipe 25.

その後、スピンチャック1が所定の高回転速度(たとえば、1000〜5000rpm、好ましくは3000rpm)で高速回転される。これによって、処理液中から引き上げられたウエハWに付着している処理液が、スピンチャック1によるウエハWの回転に伴う遠心力を受けて、ウエハWの回転半径外方へと飛散する。このとき、ウエハWの端面が開口部34に対向しているので、ウエハWから飛散する処理液のほとんどは、開口部34を通って、排液溝24に集められ、排液溝24に接続された排液配管26を通して排液される。   Thereafter, the spin chuck 1 is rotated at a high speed at a predetermined high rotation speed (for example, 1000 to 5000 rpm, preferably 3000 rpm). As a result, the processing liquid adhering to the wafer W pulled up from the processing liquid receives the centrifugal force accompanying the rotation of the wafer W by the spin chuck 1 and scatters outward of the rotation radius of the wafer W. At this time, since the end surface of the wafer W faces the opening 34, most of the processing liquid scattered from the wafer W passes through the opening 34 and is collected in the drain groove 24 and connected to the drain groove 24. The drainage pipe 26 is drained.

以上のように、処理液貯留部23に溜められた処理液中にウエハWが浸漬されることにより、ウエハWの表面、裏面および端面に処理液がむらなく供給される。そのため、ウエハWの表面、裏面および端面に処理液供給量の不均一による処理むらを生じるおそれがなく、ウエハWの表面、裏面および端面に対して処理液による良好な処理を均一に施すことができる。   As described above, when the wafer W is immersed in the processing liquid stored in the processing liquid storage unit 23, the processing liquid is uniformly supplied to the front surface, the back surface, and the end surface of the wafer W. Therefore, there is no risk of uneven processing due to unevenness in the supply amount of the processing liquid on the front surface, back surface, and end surface of the wafer W, and good processing with the processing liquid is uniformly performed on the front surface, back surface, and end surface of the wafer W. it can.

また、ウエハWに対する処理液の供給のための配管が処理液供給配管28および排液配管25からなる1系統のみであるから、処理液供給のための配管が2系統必要になる従来構成に比べて、配管構成が簡単であり、配管設置のための作業にかかる手間を軽減することができる。
なお、この実施形態では、ウエハWが処理液中に浸漬されている間、スピンチャック1(ウエハW)が所定の回転速度で回転されるとしているが、その所定の回転速度には零が含まれてもよい。すなわち、ウエハWが処理液中に浸漬されている間、スピンチャック1の回転が停止されていてもよい。
In addition, since there is only one line for supplying the processing liquid to the wafer W including the processing liquid supply pipe 28 and the drainage pipe 25, compared to the conventional configuration in which two lines for processing liquid supply are required. Therefore, the piping configuration is simple, and the labor required for piping installation can be reduced.
In this embodiment, while the wafer W is immersed in the processing liquid, the spin chuck 1 (wafer W) is rotated at a predetermined rotational speed. However, the predetermined rotational speed includes zero. May be. That is, the rotation of the spin chuck 1 may be stopped while the wafer W is immersed in the processing liquid.

以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、スクリューピン13の回転によって、ウエハWがスピンベース12に対して昇降される構成を例にとったが、スピンチャック1(スピンベース12)を昇降可能に構成して、ウエハWをスピンチャック1ごと下降または上昇させることにより、ウエハWが処理液貯留部23内に溜められた処理液中に浸漬されたり、その処理液中から引き上げられたりするようにしてもよい。また、カップ2を昇降可能に構成して、カップ2を上昇または下降させることにより、ウエハWが処理液貯留部23内に溜められた処理液中に浸漬されたり、その処理液中から引き上げられたりするようにしてもよい。   As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention can also be implemented with another form. For example, in the above embodiment, the configuration in which the wafer W is moved up and down with respect to the spin base 12 by the rotation of the screw pin 13 is taken as an example. However, the spin chuck 1 (spin base 12) is configured to be movable up and down. The wafer W may be lowered or raised together with the spin chuck 1 so that the wafer W is immersed in the processing liquid stored in the processing liquid storage unit 23 or pulled up from the processing liquid. . Further, the cup 2 is configured to be movable up and down, and the cup 2 is raised or lowered, so that the wafer W is immersed in the processing liquid stored in the processing liquid storage unit 23 or pulled up from the processing liquid. You may make it do.

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。   In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を概念的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows notionally the structure of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 図1に示す基板処理装置における処理について説明するための図解的な断面図であり、ウエハが処理液中に浸漬される前の状態を示している。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining processing in the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 and shows a state before a wafer is immersed in a processing solution. 図1に示す基板処理装置における処理について説明するための図解的な断面図であり、ウエハが処理液中に浸漬された状態を示している。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining processing in the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 and shows a state in which a wafer is immersed in a processing solution. 図1に示す基板処理装置における処理について説明するための図解的な断面図であり、ウエハから処理液を除去するために高速回転されている状態を示している。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining processing in the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 and shows a state where the substrate is rotated at a high speed in order to remove the processing liquid from the wafer.

符号の説明Explanation of symbols

1 スピンチャック
2 カップ
12 スピンベース
13 スクリューピン
15 ピン駆動機構
23 処理液貯留部
24 排液溝
25 排液配管
131 溝
W 半導体ウエハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Spin chuck 2 Cup 12 Spin base 13 Screw pin 15 Pin drive mechanism 23 Process liquid storage part 24 Drain groove 25 Drain pipe 131 Groove W Semiconductor wafer

Claims (5)

所定の回転軸線まわりに回転する回転部材と、
この回転部材に設けられて、基板の周縁部を支持する基板支持部材と、
処理液を貯留しておくための処理液貯留槽と、
この処理液貯留槽に処理液を供給するための処理液供給配管と、
前記基板支持部材に支持された基板と前記処理液貯留槽とを相対的に昇降させて、当該基板を処理液貯留槽に貯留された処理液に対して浸漬/脱出させるための昇降機構とを含むことを特徴とする基板処理装置。
A rotating member that rotates about a predetermined axis of rotation;
A substrate support member provided on the rotating member and supporting the peripheral edge of the substrate;
A processing liquid storage tank for storing the processing liquid;
A treatment liquid supply pipe for supplying the treatment liquid to the treatment liquid storage tank;
An elevating mechanism for elevating and lowering the substrate supported by the substrate support member and the processing liquid storage tank relative to the processing liquid stored in the processing liquid storage tank; A substrate processing apparatus including the substrate processing apparatus.
前記基板支持部材は、基板を前記回転部材から所定間隔を空けて離れた位置で支持するものであることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate support member supports the substrate at a position away from the rotating member at a predetermined interval. 前記基板支持部材は、基板の外形に対応した周上に配置され、基板の周縁部を案内するための溝が螺旋状に形成された周面をそれぞれ有する複数のスクリューピンであり、
上記昇降機構は、前記複数のスクリューピンをそれぞれ中心軸線まわりに同期回転させるものであることを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。
The substrate support member is a plurality of screw pins that are arranged on the circumference corresponding to the outer shape of the substrate and each have a circumferential surface in which a groove for guiding the peripheral edge of the substrate is formed in a spiral shape,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the elevating mechanism rotates the plurality of screw pins synchronously around a central axis.
前記処理液貯留槽に溜められた処理液を排液するための排液配管をさらに含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a drain pipe for draining the processing liquid stored in the processing liquid storage tank. 前記処理液貯留槽を取り囲むように設けられ、前記処理液貯留槽からオーバフローする処理液を集めて排液するための排液溝をさらに含むことを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置。   5. The liquid discharge device according to claim 1, further comprising a drainage groove that is provided so as to surround the processing liquid storage tank and collects and discharges the processing liquid that overflows from the processing liquid storage tank. The substrate processing apparatus as described.
JP2004049981A 2004-02-25 2004-02-25 Substrate processing apparatus Abandoned JP2005243812A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004049981A JP2005243812A (en) 2004-02-25 2004-02-25 Substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004049981A JP2005243812A (en) 2004-02-25 2004-02-25 Substrate processing apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005243812A true JP2005243812A (en) 2005-09-08

Family

ID=35025238

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004049981A Abandoned JP2005243812A (en) 2004-02-25 2004-02-25 Substrate processing apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005243812A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009088228A (en) * 2007-09-28 2009-04-23 Shibaura Mechatronics Corp Processing apparatus and processing method for substrate
JP2010062403A (en) * 2008-09-05 2010-03-18 Oki Semiconductor Co Ltd Manufacturing apparatus for semiconductor device
JP2012156422A (en) * 2011-01-28 2012-08-16 Lintec Corp Support apparatus of plate like member
JP2020107455A (en) * 2018-12-27 2020-07-09 日新イオン機器株式会社 Substrate holding device
CN112967995A (en) * 2021-02-01 2021-06-15 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 Chip clamp, chip cleaning device and chip etching device
WO2023011435A1 (en) * 2021-08-06 2023-02-09 北京北方华创微电子装备有限公司 Wafer cleaning apparatus and wafer chuck thereof, and wafer cleaning method

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009088228A (en) * 2007-09-28 2009-04-23 Shibaura Mechatronics Corp Processing apparatus and processing method for substrate
JP2010062403A (en) * 2008-09-05 2010-03-18 Oki Semiconductor Co Ltd Manufacturing apparatus for semiconductor device
JP2012156422A (en) * 2011-01-28 2012-08-16 Lintec Corp Support apparatus of plate like member
JP2020107455A (en) * 2018-12-27 2020-07-09 日新イオン機器株式会社 Substrate holding device
CN112967995A (en) * 2021-02-01 2021-06-15 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 Chip clamp, chip cleaning device and chip etching device
WO2023011435A1 (en) * 2021-08-06 2023-02-09 北京北方华创微电子装备有限公司 Wafer cleaning apparatus and wafer chuck thereof, and wafer cleaning method
TWI819727B (en) * 2021-08-06 2023-10-21 大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司 Wafer cleaning equipment, wafer chuck and wafer cleaning method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7404407B2 (en) Substrate processing apparatus
US9275881B2 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
TWI384581B (en) Device for supporting substrate
JP5588418B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5645796B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP2012074589A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5114252B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2007035866A (en) Substrate treatment apparatus
US10665478B2 (en) Liquid processing apparatus
JP5172884B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2009212408A (en) Method and apparatus for processing substrate
JP2014157901A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2014154858A (en) Substrate processing apparatus
JP2005243812A (en) Substrate processing apparatus
KR20010049878A (en) Wet processing apparatus
JPH11354617A (en) Substrate processing apparatus and method therefor
JP2007005392A (en) Substrate processing apparatus
JP2018107397A (en) Substrate processing apparatus
KR20160116476A (en) Apparatus for cleaning wafer
KR101099733B1 (en) Apparatus for processing substrate
JP2010212363A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3754334B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2009105145A (en) Substrate processing apparatus
JP2006012881A (en) Substrate processor and substrate processing method
JP2015188031A (en) substrate processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090521

A762 Written abandonment of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762

Effective date: 20090722