JP2005240081A - Plastic film deposition system - Google Patents
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Description
本発明は、2層フレキシブル基板を形成する金属薄膜とプラスチックフィルムとの好適な密着性評価試料を作製するためのプラスチックフィルム成膜装置に関するものである。 The present invention relates to a plastic film forming apparatus for producing a suitable adhesion evaluation sample between a metal thin film and a plastic film forming a two-layer flexible substrate.
従来、2層フレキシブル基板は、接着剤なしで直接プラスチックフィルム上に銅導体層を形成するものであり、基板自体の厚さを薄くすることができる上に、被着させる銅導体被膜の厚さも任意の厚さに調整することができるという利点を有する。 Conventionally, a two-layer flexible substrate is one in which a copper conductor layer is directly formed on a plastic film without an adhesive. The thickness of the substrate itself can be reduced, and the thickness of the copper conductor film to be deposited is also reduced. It has the advantage that it can be adjusted to any thickness.
このような2層フレキシブル基板を製造する場合には、プラスチックフィルム上に廉価に均一な厚さの銅導体層を形成するための手段として通常は電気銅めっき法が採用されるが、そのためには、電気銅めっき被膜を施すプラスチックフィルムの上に薄膜の下地金属層を形成して表面全面に導電性を付与し、その上に電気銅めっき処理を行なうのが一般的である。 When manufacturing such a two-layer flexible substrate, an electrolytic copper plating method is usually employed as a means for forming a copper conductor layer having a uniform thickness at a low cost on a plastic film. In general, a base metal layer of a thin film is formed on a plastic film on which an electrolytic copper plating film is applied to impart conductivity to the entire surface, and an electrolytic copper plating process is performed thereon.
このように作製される2層フレキシブル基板の銅導体層とプラスチックフィルムの密着強度は、下地金属層の形成条件によって決定されることが多く、研究開発段階では、前記下地金属層の密着強度の向上及び作製された2層フレキシブル基板の密着強度の安定性に着目した評価を行うことが重要である。 The adhesion strength between the copper conductor layer and the plastic film of the two-layer flexible substrate thus produced is often determined by the formation conditions of the base metal layer, and in the research and development stage, the adhesion strength of the base metal layer is improved. It is important to perform an evaluation focusing on the stability of the adhesion strength of the produced two-layer flexible substrate.
薄膜の密着強度を評価するための従来技術としては、JISのC6471に規定されている引張試験機を用いた銅導体層とプラスチックフィルムの引き剥がし試験が一般的に用いられている。この引き剥がし試験を行う為の評価試料は、プラスチックフィルム上に形成された下地金属層上に電気銅めっき等で銅膜の厚みを増大させたのち、銅導体層をエッチングによってテストパターン形成して作製される。 As a conventional technique for evaluating the adhesion strength of a thin film, a peeling test between a copper conductor layer and a plastic film using a tensile tester specified in JIS C6471 is generally used. The evaluation sample for performing this peeling test is to increase the thickness of the copper film by electrolytic copper plating or the like on the base metal layer formed on the plastic film, and then form a test pattern by etching the copper conductor layer. Produced.
図9(a)に引き剥がし強さ測定機の回転ドラム周辺の概略図を示す。 FIG. 9A shows a schematic view around the rotating drum of the peel strength measuring machine.
図9(a)において、パターン形成された評価試料110は、引張試験機にかけるために銅導体層111とプラスチックフィルム112を数cm引き剥がし、銅導体層のないプラスチックフィルム112の面に両面粘着テープを貼り付けて、引張試験機に備えられた自由に回転できる回転ドラム113に滑り及び不均一な力が生じないように固定し、プラスチックフィルム112から引き剥がされた銅導体層111は、ひずみセンサー(図示省略)に備えられているつかみ具114に挟み込んで固定する。次に、銅導体層111を試料110の表面と垂直に連続的に50mm以上引き剥がし、その間の荷重を測定する。試料110の引き剥がし強さ(N/mm)は、各評価試料110の引き剥がし荷重(N)を、試料110の引き剥がし導体幅(mm)で除した値の最小値で求められる。
In FIG. 9 (a), a pattern-formed
図9(b)にJISで規定されている引き剥がし試験用評価試料のテストパターン形状を示す。図9(b)において、評価試料のテストパターンとしては、プレスチックフィルム50の幅Aが10mm、銅導体層53の幅が3mm、プラスチックフィルム50及び銅導体層53の長さが230mmのパターンが引き剥がし試験に用いられている。
FIG. 9B shows a test pattern shape of an evaluation sample for a peeling test specified by JIS. In FIG. 9B, as a test pattern of the evaluation sample, a pattern in which the width A of the
しかしながら、銅導体層とプラスチックフィルムの密着強度は、銅導体層の厚みと相関関係が有り、銅膜厚が厚くなるほど密着強度が増す傾向があるため、電気銅めっきで形成される銅導体層の膜厚は、プラスチックフィルム面内及びプラスチックフィルム毎で、ばらつきが数μm(膜厚に対して±十数%ぐらい)ある為、十分な測定精度が得られない可能性があり、作製された2層フレキシブル基板の密着強度の安定性を十分に評価できない可能性がある。又、下地金属層形成後、プラスチックフィルムは真空槽から取り出され、別途設けられためっき設備を用いて銅導体層の厚みを増大させる必要がある為、酸やめっき液の影響による密着性の低下や、迅速な密着強度の評価ができないなどの課題がある。 However, the adhesion strength between the copper conductor layer and the plastic film has a correlation with the thickness of the copper conductor layer, and the adhesion strength tends to increase as the copper film thickness increases. The film thickness varies within the surface of the plastic film and from plastic film to several micrometers (approximately ± 10% of the film thickness), so there is a possibility that sufficient measurement accuracy may not be obtained. There is a possibility that the stability of the adhesion strength of the layer flexible substrate cannot be sufficiently evaluated. Also, after the base metal layer is formed, the plastic film is taken out from the vacuum chamber, and it is necessary to increase the thickness of the copper conductor layer using a separately provided plating facility. In addition, there is a problem that the quick adhesion strength cannot be evaluated.
その他の従来技術としては、剥離試験による方法やスクラッチ法が挙げられる。剥離試験による評価方法は、碁盤目状にクロスカットした下地金属層に粘着性のテープを接着したり、又は別のフィルムをラミネートしたりして前記テープ又はフィルムを薄膜から剥離させてその際に生ずる剥離力により薄膜の密着強度を測定、評価するものである。一方、スクラッチ法は、薄膜を微細な針で引っ掻き、薄膜を剥がし、その表面状態から密着強度を求めるものである。 Other conventional techniques include a peel test method and a scratch method. The evaluation method by the peel test is to adhere the adhesive tape to the base metal layer cross-cut in a grid pattern, or to laminate another film and peel the tape or film from the thin film. The adhesion strength of the thin film is measured and evaluated by the peel force generated. On the other hand, in the scratch method, the thin film is scratched with a fine needle, the thin film is peeled off, and the adhesion strength is obtained from the surface state.
前記の剥離試験による薄膜の密着強度の評価方法は、テープを薄膜に接着する場合の接着力やフィルムのラミネートの条件を常に一定にする必要があるが、事実上これは困難である。 The method for evaluating the adhesion strength of a thin film by the peel test described above requires that the adhesive strength and film lamination conditions when the tape is bonded to the thin film be always constant, but this is practically difficult.
また、スクラッチ法では、針の押し付け方や引っ掻き方により、基材及びその上に形成される薄膜からなる複合材料が変形し易く、定量的な密着強度の評価が難しい。特に脆性薄膜を形成した複合材料では変形が大きく、解析が複雑となる問題点がある。 Further, in the scratch method, the composite material composed of the base material and the thin film formed thereon is easily deformed depending on how the needle is pressed or scratched, and it is difficult to quantitatively evaluate the adhesion strength. In particular, a composite material in which a brittle thin film is formed has a problem that deformation is large and analysis is complicated.
これらの問題を解決するために、薄膜の密着強度を正確に評価し得る評価方法が考えられてきた。その一例として、特開平10−332560号公報に示された密着強度評価方法について図10を用いて示す。 In order to solve these problems, an evaluation method capable of accurately evaluating the adhesion strength of a thin film has been considered. As an example, the adhesion strength evaluation method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 10-332560 will be described with reference to FIG.
図10は引っ張り荷重を加えることにより薄膜の表面に生じたクラック破壊及びバックリング破壊を示す平面図である。 FIG. 10 is a plan view showing crack fracture and buckling fracture generated on the surface of the thin film by applying a tensile load.
図において、基材及びその上に形成される薄膜からなる複合材料120に引っ張り力を加えると、引っ張り方向と垂直な方向にクラック破壊121が生じると共に引っ張り方向と平行なバックリング破壊122が発生する。所定の面積内におけるこのバックリング破壊122の破壊数及びその長さを測定することにより、基材に対する薄膜密着強度を自動的に求めるものである。
In the figure, when a tensile force is applied to a
この評価方法により、従来技術のようにテープやフィルムラミネートなどの不安定要因となるものを一切用いないで薄膜の密着強度を正確に求めることができる。また、バックリング破壊数の多少によって密着強度を評価するため、定量的な評価が行える。
しかしながら、銅や銅を主成分とした合金等で形成される金属薄膜は弾塑性体であるため、セラミック等の脆性薄膜のように弱い引っ張り力ではバックリング破壊が発生せず、かなり強い引っ張り力を必要とする。金属薄膜にバックリング破壊を発生させるほどの強い力で引っ張ると、金属薄膜は表面に凹凸がほとんどなく摩擦抵抗が少ないため、評価試料の保持部分で滑ってしまい、引っ張り方が不安定になるため安定した評価ができなくなる。また、金属薄膜の形成方法によっては、膜質が異なる恐れがあり、同じ密着強度であってもバックリング破壊数が大きく異なる恐れがあり、定量的な比較評価が困難であり、精度の高い密着強度測定ができないという課題を有していた。 However, since metal thin films formed of copper or copper-based alloys are elasto-plastic, buckling failure does not occur with weak pulling forces like brittle thin films such as ceramics. Need. If the metal thin film is pulled with a force strong enough to cause buckling fracture, the metal thin film has almost no irregularities on the surface and has little frictional resistance. A stable evaluation cannot be performed. Also, depending on the method of forming the metal thin film, the film quality may be different, and even with the same adhesion strength, the number of buckling fractures may vary greatly, making quantitative comparison evaluation difficult, and high precision adhesion strength. It had the problem that it could not be measured.
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、プラスチックフィルム上に下地金属層を形成後、更にその上に金属層を形成する2層フレキシブル基板の密着強度を、引き剥がし試験法により、迅速且つ精度よく測定することが可能な密着性評価試料を作製するためのプラスチックフィルム成膜装置を提供することを目的とする。 The present invention solves the above-described conventional problems, and after forming a base metal layer on a plastic film, the adhesion strength of a two-layer flexible substrate on which a metal layer is further formed is quickly measured by a peeling test method. It is another object of the present invention to provide a plastic film forming apparatus for producing an adhesion evaluation sample that can be measured with high accuracy.
前記従来の課題を解決するために、本発明のプラスチック成膜装置は、プラスチックフィルム上に下地金属層を銅または銅を主成分とした合金を用いて乾式めっき法によって形成し、その後、引き続き所定の真空度中で前記下地金属層上に金属層を銅または銅を主成分とした合金を用いて乾式めっき法によって形成する複数の成膜室を有するプラスチックフィルム成膜装置において、前記成膜室中の第1の成膜室にて前記下地金属層を形成後、前記下地金属層が形成されたプラスチックフィルムを密着強度測定用のパターンを形成する第2の成膜室とフレキシブル基板の生成のための次工程へ搬送する搬送部を備えたことを特徴としたものである。 In order to solve the above-mentioned conventional problems, the plastic film forming apparatus of the present invention forms a base metal layer on a plastic film by a dry plating method using copper or an alloy containing copper as a main component, and then continues to a predetermined one. In the plastic film deposition apparatus having a plurality of deposition chambers for forming a metal layer on the base metal layer by a dry plating method using copper or an alloy containing copper as a main component in a vacuum degree of the deposition chamber, After forming the base metal layer in the first film formation chamber, the plastic film on which the base metal layer is formed forms a pattern for adhesion strength measurement and the formation of the flexible substrate For this purpose, a transport unit for transporting to the next process is provided.
また、本発明のプラスチック成膜装置は、プラスチックフィルム上に成膜室にて下地金属層を銅または銅を主成分とした合金を乾式めっき法を用いて形成し、その後、引き続き所定の真空度中で前記下地金属層上に金属層を銅または銅を主成分とした合金を用いて乾式めっき法によって形成するプラスチックフィルム成膜装置において、前記成膜室にて、前記プラスチックフィルム上に前記金属層を形成するために前記プラスチックフィルムを貼り付けるための搬送トレイと、当該搬送トレイの上に貼り付けられたプラスッチクフィルムの上に密着強度測定用パターンを形成するためのマスクと、を有し、前記搬送トレイは、前記プラスチックフィルム上に形成される前記密着強度測定用パターンの一先端部に相当する部分を絶縁部材とすることを特徴としたものである。 In the plastic film forming apparatus of the present invention, a base metal layer is formed on a plastic film in a film forming chamber using copper or an alloy containing copper as a main component using a dry plating method. In the plastic film deposition apparatus for forming a metal layer on the base metal layer by a dry plating method using copper or an alloy containing copper as a main component, the metal is deposited on the plastic film in the deposition chamber. A transport tray for affixing the plastic film to form a layer, and a mask for forming a pattern for measuring adhesion strength on a plastic film affixed on the transport tray, The conveyance tray uses an insulating member as a portion corresponding to one end portion of the adhesion strength measurement pattern formed on the plastic film. It is obtained by the features and.
本発明のプラスチックフィルム成膜装置によれば、膜厚のコントロールがしやすい乾式めっき法でプラスチックフィルム上に引き剥がし可能な膜厚の銅導体層を被膜するため、引き剥がし試験において、全ての作製された評価試料に対して測定が可能であり、プラスチックフィルム面内及びプラスチックフィルム間で銅導体層の膜厚ばらつきを大幅に減少させることが可能となり、密着強度の測定精度は大幅に向上する。また真空工程内で評価試料となるプラスチックフィルムに銅導体層を形成した後は、電気めっき等による被膜工程が必要ないため、迅速な密着強度評価を行うことが可能となる。さらには成膜時に評価試料となるプラスチックフィルム上にテストパターン形状のマスクを貼り付けることで、エッチングによるテストパターン形成工程が必要なくなり、形成されたテストパターンの先端部分は容易に剥がすことが可能となるため、さらなる密着強度評価の迅速化が可能となり、2層フレキシブル基板の開発速度向上に大きく貢献できる。 According to the plastic film deposition apparatus of the present invention, a copper plating layer having a film thickness that can be peeled off is coated on the plastic film by a dry plating method in which the film thickness can be easily controlled. Measurement can be performed on the evaluated sample, and the film thickness variation of the copper conductor layer can be greatly reduced in the plastic film plane and between the plastic films, and the measurement accuracy of the adhesion strength is greatly improved. In addition, after the copper conductor layer is formed on the plastic film as the evaluation sample in the vacuum process, a coating process by electroplating or the like is not necessary, so that it is possible to perform a quick adhesion strength evaluation. Furthermore, by attaching a test pattern-shaped mask on a plastic film, which is an evaluation sample during film formation, the test pattern formation process by etching is no longer necessary, and the tip of the formed test pattern can be easily peeled off. As a result, it is possible to further speed up the evaluation of the adhesion strength, which can greatly contribute to the improvement of the development speed of the two-layer flexible substrate.
以下に、本発明のプラスチックフィルム成膜装置及び密着性評価試料作製方法の実施の形態を図面とともに詳細に説明する。 Embodiments of a plastic film deposition apparatus and an adhesion evaluation sample preparation method according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
図1(a)は、本発明におけるプラスチックフィルム成膜装置の構成を模式的に示したものである。 FIG. 1A schematically shows a configuration of a plastic film forming apparatus in the present invention.
図1(a)において、本発明のプラスチックフィルム成膜装置は、ロードロック室1とゲートバルブ5を介して隣接する搬送室2と、搬送室2とゲートバルブ6を介して隣接する第1の成膜処理室3と、搬送室2とゲートバルブ7を介して隣接する第2の成膜処理室4とで構成されている。
In FIG. 1A, the plastic film deposition apparatus of the present invention includes a
ロードロック室1は、排気バルブ(図示省略)を介して減圧及び昇圧される。
The
搬送室2には、プラスチックフィルムを搬送するための搬送ロボット10が設けられており、搬送ロボット10を用いて、各真空槽内にプラスチックフィルムの搬送を行うことができる。
The
第1の成膜処理室3内では、成膜処理として、イオンプレーティング法による薄膜形成の他、プラスチックフィルムの表面に真空蒸着、スパッタリング等の物理的気相成長法で金属薄膜を形成させることができる。
In the first
第2の成膜処理室4内では、成膜処理として、真空蒸着で金属薄膜を形成させることができる。
In the second
図1(b)は本発明におけるプラスチックフィルム成膜装置内でのプラスチックフィルム保持方法を示したものである。 FIG.1 (b) shows the plastic film holding | maintenance method in the plastic film film-forming apparatus in this invention.
図1(b)において、プラスチックフィルム50は電極との電気的な導通を確保するために導電性材料で形成された搬送トレイ8に保持されて真空槽内へ搬送される。ここで、本発明で使用されるプラスチックフィルムとしては、カプトン(東レ・デュポン(株))、ユーピレックス(宇部興産(株))、アピカル(鐘淵化学工業(株))などの商品名として市場で入手できるポリイミドフィルムを使用した。また、本実施例では、プラスチックフィルム50の大きさが20cm×20cmの正方形状にカットしたものを使用した。プラスチックフィルム50の保持方法としては、搬送トレイ8上にプラスチックフィルム50を載せた後に、粘着テープ等で周囲を貼り付けて保持している。
In FIG. 1B, the
評価試料用のプラスチックフィルム50には、引き剥がし試験を行うためのテストパターンが形成されるように、プラスチックフィルム50上にテストパターン形状に型が抜かれたマスク54を貼り付けることが好ましい。マスク54を貼り付けることで、銅導体層形成後に、エッチングによるパターン形成を行う工程が省略できる。マスク54の材質としては、絶縁性材料又は導電性材料のどちらも用いることができる。マスクの厚みとしては、50μmから200μmの範囲が好ましい。
It is preferable to affix a
搬送トレイ8には、各テストパターンの先端付近に位置するところに円柱型の絶縁部材9a〜9eが埋め込まれている。絶縁部材9a〜9eがプラスチックフィルム50のテストパターンが形成されるパターン先端付近の裏側にあることで、この先端付近は他の部分に比べて、下地層形成時にフィルム表面に衝突する蒸着粒子の衝突エネルギーを小さくすることができ、先端部分の密着強度を低減させることができるため、密着評価試料作成後に各テストパターンを容易に剥離させることができる。
Cylindrical insulating
絶縁部材は、PEEK、フッソ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂が好ましい。 The insulating member is preferably a synthetic resin such as PEEK, fluorine resin, or polyimide.
次に、第1の成膜処理室3内の構成について図2(a)を用いて説明する。
Next, the configuration in the first
図2(a)は本発明におけるプラスチックフィルム成膜装置の搬送室と第1の成膜処理室の側断面図である。 FIG. 2A is a side sectional view of the transfer chamber and the first film forming chamber of the plastic film forming apparatus according to the present invention.
図2(a)において、搬送室2は排気バルブ11を介して減圧及び昇圧される。
In FIG. 2A, the
搬送室2の外部に設けられた駆動源12は、搬送ロボット10を動かすためのものである。プラスチックフィルム50を貼り付けた搬送トレイ8は、搬送ロボット10に成膜面が下になるように保持されて各真空槽に搬送される。
A
第1の成膜処理室3は、排気バルブ13を介して減圧及び昇圧される。排気バルブ13は成膜時に圧力調整が可能な圧力可変式バルブが好ましい。
The first
ガス供給部25は、第1の成膜処理室3の外部に設けられているガス供給源(図示省略)から第1の成膜処理室3の中に不活性ガスを供給するためのバルブである。不活性ガスは、ロードロック室1から搬送される搬送トレイ8に保持されるプラスチックフィルム50のプラズマ処理に使用するものである。
The
直流電源14は正極がグランドGに接続され、負極が第1の成膜処理室3内に設けられた、蒸発物保持部15aに接続されており、蒸発物保持部15aにバイアス電圧を与える。蒸発物保持部15aにはプラスチックフィルム表面に成膜する金属材料である蒸発物15bが載せられている。蒸発物保持部15aには、加熱装置15cが設けられている。加熱装置15cは、既知の例えば抵抗加熱方式又は電子ビーム加熱方式のものが望ましい。蒸発物15bは加熱により溶融されプラスチックフィルム50に金属薄膜として蒸着される。
The
電極18は、搬送トレイ8を保持するためのホルダー23を備えたホルダー支持部19に固定されている。ホルダー23は、ホルダー支持部19との間に設けたバネ24a、24bによって、搬送トレイ8を電極18へ引き付ける方向に引っ張られている。
The
プラスチックフィルム50を電極18に密着させる密着手段は、ホルダー23とホルダー支持部19とプッシャー21a、21bとバネ24a、24bより成る。そして、ホルダー23をプッシャー21a、21bを引き上げ、バネ24a、24bを介してプラスチックフィルム50が取り付けられた搬送トレイ8を電極18へ引き付けることにより電極と搬送トレイ8を密着させることができる。バネ24a、24bを介在さすことにより、適当な圧力を電極18と搬送トレイ8間に持たすことができる。図2(a)には示していないが、バネは、ホルダー支持部19の4隅に設けられている。もちろんホルダー23に対向するホルダー支持部19の部分に更にプッシャーとバネを追加してよい。
An adhesion means for bringing the
第1の成膜処理室3に設けたプッシャー21a、21bは、ホルダー23を所定の位置まで押さえることで、搬送トレイ8の搬送を可能にし、ホルダー23への押さえを解除することで、搬送トレイ8を電極18に保持させることができる。即ち、ホルダー23とホルダー支持部19の間を離し、その間隙に搬送トレイ8を挿入する。
The
ホルダー支持部19の上面には、支持軸20が設けられ、第1の成膜処理室3の外部に設けた回転機構部22によって電極18を回転させることができる。
A
電極18を薄膜形成時に常に回転させることで、電極18に保持されたプラスチックフィルム50に均一な薄膜を形成させることが可能となる。
By always rotating the
電極18は、第1の成膜処理室3の外部に設けられているコンデンサ等(図示せず)を含むインピーダンスマッチング回路を有するマッチングボックス16を経て高周波電源17に接続されている。
The
次に、第2の成膜処理室4内の構成について図2(b)を用いて説明する。
Next, the configuration in the second
図2(b)は本発明におけるプラスチックフィルム成膜装置の搬送室と第2の成膜処理室の側断面図である。 FIG. 2B is a side sectional view of the transfer chamber and the second film forming chamber of the plastic film forming apparatus according to the present invention.
図2(b)において、第2の成膜処理室4は、排気バルブ30を介して減圧及び昇圧される。排気バルブ30は成膜時に圧力調整が可能な圧力可変式バルブが好ましい。
In FIG. 2B, the second
ガス供給部40は、第2の成膜処理室4の外部に設けられているガス供給源(図示省略)から第2の成膜処理室4の中に不活性ガスを供給するためのバルブである。不活性ガスは、第2の成膜処理室4内の壁面への水分吸着を低減させるために使用するものであり、通常は窒素ガスが使用される。
The
直流電源31は正極がグランドGに接続され、負極が第2の成膜処理室4内に設けられた、蒸発物保持部32aに接続されており、蒸発物保持部32aにバイアス電圧を与える。蒸発物保持部32aにはプラスチックフィルム表面に成膜する金属材料である蒸発物32bが載せられている。蒸発物保持部32aには、加熱装置32cが設けられている。加熱装置32cは、既知の例えば抵抗加熱方式又は電子ビーム加熱方式のものが望ましい。蒸発物32aは加熱により溶融されプラスチックフィルム50に金属薄膜として蒸着される。
The
電極33は、搬送トレイ8を保持するためのホルダー38を備えたホルダー支持部34に固定されている。ホルダー38は、ホルダー支持部34との間に設けたバネ39a、39bによって、搬送トレイ8を電極33へ引き付ける方向に引っ張られている。
The
本実施例では、第2の成膜処理室4内にて、プラズマを利用したプラスチックフィルム50への処理を行わないため、電極33をインピーダンスマッチング回路を有するマッチングボックスや、高周波電源に接続していないが、必要に応じてマッチングボックスや高周波電源を成膜処理室外部に設けて電極33に接続してもよい。
In this embodiment, since the processing to the
電極33は、長時間の真空蒸着によってプラスチックフィルム50の温度が高くなりすぎるのを防ぐ役割があり、材質としては熱伝導率のよい銅やアルミ系の材料が好ましい。また、支持軸35の内部を通して、水冷ができる構造にしてもよい。
The
プラスチックフィルム50を電極33に密着させる密着手段は、ホルダー38とホルダー支持部34とプッシャー36a、36bとバネ39a、39bより成る。そして、ホルダー38をプッシャー36a、36bを引き上げ、バネ39a、39bを介してプラスチックフィルム50が取り付けられた搬送トレイ8を冷却板33へ引き付けることにより電極と搬送トレイを密着させることができる。バネ39a、39bを介在さすことにより、適当な圧力を電極33と搬送トレイ8間に持たすことができる。図2(b)には示していないが、バネは、ホルダー支持部34の4隅に設けられている。もちろんホルダー38に対向するホルダー支持部34の部分に更にプッシャーとバネを追加してよい。
The means for tightly attaching the
第2の成膜処理室4に設けたプッシャー36a、36bは、ホルダー38を所定の位置まで押さえることで、搬送トレイ8の搬送を可能にし、ホルダー38への押さえを解除することで、搬送トレイ8を電極33に保持させることができる。即ち、ホルダー38とホルダー支持部34の間を離し、その間隙に搬送トレイ8を挿入する。
The
ホルダー支持部34の上面には、支持軸35が設けられ、第2の成膜処理室4の外部に設けた回転機構部37によって電極33を回転させることができる。
A
電極33を薄膜形成時に常に回転させることで、電極33に保持されたプラスチックフィルム50に均一な薄膜を形成させることが可能となる。
By always rotating the
次に上記で説明した本発明のプラスチックフィルム成膜装置及び図3に示すフローチャートを用いて、密着性評価試料作製工程を説明する。 Next, using the plastic film deposition apparatus of the present invention described above and the flowchart shown in FIG.
投入工程70において、搬送トレイ8に保持された製品用のプラスチックフィルムと、さらにマスク54を貼り付けた評価用プラスチックフィルムをロードロック室1に投入し、ロードロック室1内が1Pa以下になるように真空ポンプ(図示省略)で排気する。
In the
次に、搬送工程71において、製品用プラスチックフィルム及び評価用プラスチックフィルムは、1Pa以下まで排気された搬送室2を経由して、搬送ロボット10により1枚ずつ第1の成膜処理室3に搬送され、電極18に支持される。
Next, in the
次に、真空引き工程72において、第1の成膜処理室3内が10-3Pa以下になるように排気バルブ13を介して真空ポンプ(図示省略)で排気される。
Next, in the
次に、脱水処理工程73において、加熱・脱水処理を行う。即ち、プラスチックフィルム50の表面に付着した水分や、内部に吸着している水分は、フィルム加熱手段(図示省略)でプラスチックフィルム50表面を加熱することにより、ガス化させることができる。そしてガス化した水分は、排気バルブ13を介して真空ポンプ(図示省略)によって排気され、水の分圧が10-4Pa以下になるよう排気される。尚、水分圧は4重極質量分析器を用いて水分圧を測定した。これにより、ガス化した水分が拡散して真空槽の内部に再付着することを防止できる。
Next, in the
次に、プラズマ表面処理工程74において、プラスチックフィルム50の表面は、プラズマ処理される。即ち、第1の成膜処理室3にはガス供給部25から、窒素ガスを導入し、第1の成膜処理室3内の真空度は10-3Paから10-1Paの範囲に保つ。高周波電源17からマッチングボックス16を介して電極18に、周波数13.56MHz、電力150Wから1kWを印加する。第1の成膜処理室3には、電極18と蒸発源15a間でグロー放電が発生し、電極18上のプラスチックフィルム50の極近傍に約200Vから約1000Vの負の誘起直流電圧が生じる。
Next, in the plasma
第1の成膜処理室3において、該グロー放電下でイオン化された窒素ガスは、プラスチックフィルム50の表面をボンバードし、プラスチックフィルム50表面を粗化される効果がある。また、該グロー放電下でイオン化された窒素ガスは、プラスチックフィルム50を構成する原子をたたき、例えば炭素と水素の結合や、窒素と水素の結合を切るため、プラスチックフィルム50上に特定の原子と化学的に反応しやすい官能基が形成される。即ち、官能基は蒸着材料の蒸着粒子と化学的に結合し、密着性のよい蒸着膜が形成される。
In the first
次に、下地金属層成膜工程75において、プラスチックフィルム50上に下地金属層の成膜を行う。第1の成膜処理室3内では、蒸発源15bを溶融し、本実施例では、銅または銅を含む主成分とする合金からなる金属、好ましくは銅の全重量比に占める割合が99.99%以上の合金を用いる。また、抵抗加熱方式又は、電子ビーム方式を用いて蒸発源15bを溶融させ、プラスチックフィルム50に10から100Åの薄膜を形成する。
Next, in a base metal layer
次に、ガス供給部25より、アルゴン,キセノン,クリプトンのような不活性ガス,好ましくはアルゴンを導入し、第1の成膜処理室3内の真空度は10-3Paから10-1Paの範囲に保つ。高周波電源17からマッチングボックス16を介して電極18に、周波数13.56MHz、電力150Wから1kWを印加すると、電極18と蒸発源15a間でグロー放電が発生し、プラスチックフィルム50近傍に約200Vから約1000Vの負の誘起直流電圧が生じる。そして、該グロー放電下で、蒸発源15bを溶融する。その結果、グロー放電中に存在する電離プラズマにより、金属はイオン化され、励起種となり、高エネルギーの状態でプラスチックフィルム50上に下地金属層が成膜される。
Next, an inert gas such as argon, xenon, or krypton, preferably argon, is introduced from the
本実施例では、銅または銅を含む主成分とする合金からなる金属、好ましくは銅の全重量比に占める割合が99.99%以上の合金を用いる。また、抵抗加熱方式又は、電子ビーム方式を用いて蒸発源15bを溶融させ、プラスチックフィルム50に3000Åから5000Åの下地金属層を形成する。
In this embodiment, copper or a metal made of an alloy containing copper as a main component, preferably an alloy having a ratio of 99.99% or more to the total weight ratio of copper is used. Further, the
次に、搬送工程76において、製品用のプラスチックフィルムは、第1の成膜処理室3から搬送室2を経て、ロードロック室1に搬送され、取出工程77において、ロードロック室1内を大気圧まで昇圧したのちに取り出され、電気めっき工程90へと送られる。評価用プラスチックフィルムは、第1の成膜処理室3から搬送室2を経て、第2の成膜処理室4に搬送され、電極33に支持される。
Next, in the
次に、被膜層成膜工程78において、評価用プラスチックフィルムの下地金属層上に被膜層の成膜を行う。第2の成膜処理室4内では、蒸発源32bを溶融し、本実施例では、銅または銅を含む主成分とする合金からなる金属、好ましくは銅の全重量比に占める割合が99.99%以上の合金を用いる。また、抵抗加熱方式又は、電子ビーム方式を用いて蒸発源32bを溶融させ、プラスチックフィルム50に下地金属層と被膜層の和が13μmから15μmの銅導体層を形成する。
Next, in a coating
評価用プラスチックフィルムに被膜層を成膜している間は、第1の成膜処理室3を使用することができるため、上述した同じ内容の工程である投入工程80、搬送工程81、真空引き工程82、脱水処理工程83、プラズマ表面処理工程84、下地金属層成膜工程85を行う。
While the coating layer is being formed on the evaluation plastic film, the first
被膜層成膜工程78は、遅くとも下地金属層成膜工程85が終わるまでに成膜が完了するようにし、取出工程79において、評価用プラスチックフィルムは第2の成膜処理室4から搬送室3を経てロードロック室1に搬送され、ロードロック室1内を大気圧まで昇圧したのちに取り出され、密着強度評価工程91にて評価される。
In the coating layer
作製された密着性評価試料は、図4(a)に示すように、プラスチックフィルム50上に銅導体層が同じ幅でパターンA61、パターンB62、パターンC63、パターンD64、パターンE65の5つのテストパターンとして形成されている。図のように5つのテストパターンを形成することで、プラスチックフィルム面内の各場所の密着性を評価することができ、フィルム面内の密着強度の安定性評価に有効である。本実施例では、テストパターンの数を5つにしているが、テストパターンの数を増やすことも可能であり、数を増やして評価することで、より精確なフィルム面内の密着性評価が可能となる。
As shown in FIG. 4A, the produced adhesion evaluation sample has five test patterns of pattern A61, pattern B62, pattern C63, pattern D64, and pattern E65 with the same width of the copper conductor layer on the
引き剥がし試験をする時は、図4(b)に示すように、プラスチックフィルム50をそれぞれのテストパターンごとにカットして密着性評価試料を作製し、引き剥がし試験を行う。図において、引き剥がし試験用評価試料のテストパターンは、プラスチックフィルム50の幅Aが10mm、銅導体層53の幅Bが5mm、プラスチックフィルム50及び銅導体層53の長さLが140mmである。銅導体層53の幅Bは、3mmから5mmの範囲が好ましく、3mm以下だと引き剥がし試験時の荷重測定データが安定せず、銅導体層53の幅を広くすることで測定データは安定するが、5mmを超えると引張荷重が大きくなりすぎて、回転ドラムに両面テープで貼り付けた評価試料が剥がれてしまう恐れがある。
When the peeling test is performed, as shown in FIG. 4B, the
本実施例では、パターン形成された銅導体層53の先端部の引き剥がしを容易にするために、図に示すように、銅導体層53の先端部を一部切り欠いたような形状にパターン形成した。銅導体層53を切り欠いていないXの方向から引き剥がすことで、引き剥がし方向以外からかかる余分な引張力が銅導体層53にかからず、容易に引き剥がすことが可能となった。
In this embodiment, in order to facilitate the peeling of the tip of the patterned
各パターンの銅導体層の断面は、図5に示すように、プラスチックフィルム50上に、銅の下地金属層51がイオンプレーティング法で3000Åから5000Å形成され、下地金属層51の上に銅の被膜層52が下地金属層51との和が13μmから15μmになるように真空蒸着法で形成されている。この13μmから15μmの下限値未満では銅導体層の膜厚が不足していて、全ての評価試料のプラスチックフィルムから銅導体層をはがすことが困難である。図6に本発明のプラスチックフィルム成膜装置によって作られた評価試料の膜厚と試験可能だった評価試料数の関係について調べた結果を示す。
As shown in FIG. 5, the copper conductor layer of each pattern has a cross section in which a copper
図6において、評価試料の銅導体層の膜厚が9μm、10μm、11μm、12μm、13μm、14μm、15μmの計7種類の膜厚になるように評価試料を10枚ずつ作製した。それぞれの膜厚の評価試料について銅導体層の引き剥がし、及び引き剥がし試験を行い、引き剥がし不可能な評価試料の数、試験中に銅導体層が破断した評価試料の数、試験可能だった評価試料の数及び割合について調べた結果、膜厚が9μmから11μmの範囲では引き剥がし不可能な評価試料が存在し、試験可能だった割合も50%以下と低かった。膜厚12μmでは作製した評価試料全てを引き剥がすことができたが、試験中に破断する評価試料があり、作製した評価試料全てを試験することができなかった。結果として、膜厚を13μm以上にすることで、作製した評価試料全ての試験をすることが可能となった。 In FIG. 6, 10 evaluation samples were prepared so that the copper conductor layer of the evaluation sample had a total of 7 types of film thicknesses of 9 μm, 10 μm, 11 μm, 12 μm, 13 μm, 14 μm, and 15 μm. The copper conductor layer was peeled off and the peel test was performed for each thickness evaluation sample, the number of evaluation samples that could not be peeled off, the number of evaluation samples in which the copper conductor layer broke during the test, and the test was possible As a result of examining the number and ratio of the evaluation samples, there were evaluation samples that could not be peeled when the film thickness was in the range of 9 μm to 11 μm, and the ratio that could be tested was as low as 50% or less. When the film thickness was 12 μm, all of the prepared evaluation samples could be peeled off, but there were evaluation samples that broke during the test, and all of the prepared evaluation samples could not be tested. As a result, it was possible to test all the prepared evaluation samples by setting the film thickness to 13 μm or more.
また、この範囲の上限値15μMを超えると、被膜層の成膜時間が長くなりすぎて、次に投入されたプラスチックフィルムの下地金属層形成までに成膜が完了しないため、生産効率が悪くなる。 If the upper limit of 15 μM in this range is exceeded, the film formation time will be too long, and the film formation will not be completed until the formation of the base metal layer of the plastic film that has been input next, resulting in poor production efficiency. .
以上のように本発明のプラスチックフィルム成膜装置を用いることで、薄膜の密着性評価試料は、製品用プラスチックフィルムの下地金属層形成後から、次に投入されるプラスチックフィルムの下地金属層形成までの間に作製されるため、効率的に且つ迅速に評価試料が作製され、迅速な密着性評価が可能となる。 As described above, by using the plastic film deposition apparatus of the present invention, the thin film adhesion evaluation sample is from the formation of the base metal layer of the plastic film for products to the formation of the base metal layer of the plastic film to be input next. Therefore, an evaluation sample is efficiently and quickly manufactured, and quick adhesion evaluation is possible.
次に、本発明のプラスチックフィルム成膜装置によって作製された評価試料の膜厚精度及び密着強度の安定性について従来の電気めっき法で被膜層を形成した評価試料と比較して説明する。 Next, the stability of film thickness accuracy and adhesion strength of an evaluation sample produced by the plastic film deposition apparatus of the present invention will be described in comparison with an evaluation sample in which a coating layer is formed by a conventional electroplating method.
図7は本実施例におけるプラスチックフィルム成膜装置によって作られた評価試料と電気めっき法で被膜層を形成する評価試料の膜厚及び膜厚ばらつきを比較した結果である。 FIG. 7 shows the result of comparing the film thickness and film thickness variation of the evaluation sample produced by the plastic film deposition apparatus in this example and the evaluation sample for forming the coating layer by electroplating.
図において、本発明のプラスチックフィルム成膜装置で得られる評価試料と、電気めっき法で被膜層を形成する評価試料は、それぞれの銅導体層の膜厚が15μmになるように評価試料を作製している。それぞれの方法で評価試料を1枚に5つのテストパターンが形成されるものを4枚ずつ作製し、比較を行った結果、電気めっきで作製された評価試料の膜厚は、目標の15μmに対して、プラス方向のばらつきは最大で14.7%、マイナス方向のばらつきは最大で−9.0%あり、膜厚の最大差は3.5μmであった。それに対し、本発明のプラスチックフィルム成膜装置で得られた評価試料は、目標の15μmに対して、プラス方向のばらつきは最大で1.8%、マイナス方向のばらつきは最大で−3.0%、膜厚の最大差は0.7μmであった。この結果から、本発明のプラスチックフィルム成膜装置で得られる評価試料が、電気めっき法によって得られる評価試料に比べて、膜厚ばらつきが5分の1以下になっているため、本発明のプラスチックフィルム成膜装置により膜厚ばらつき少ない評価試料を得ることが可能となった。また、以上の結果から精度のよい密着強度評価が期待できる。 In the figure, an evaluation sample obtained by the plastic film deposition apparatus of the present invention and an evaluation sample for forming a coating layer by electroplating are prepared so that each copper conductor layer has a film thickness of 15 μm. ing. As a result of making four evaluation samples each having five test patterns formed by each method and comparing them, the film thickness of the evaluation sample produced by electroplating is 15 μm as a target. The maximum variation in the positive direction was 14.7%, the maximum variation in the negative direction was −9.0%, and the maximum difference in film thickness was 3.5 μm. On the other hand, the evaluation sample obtained with the plastic film deposition apparatus of the present invention has a maximum variation of 1.8% and a maximum variation of -3.0% with respect to the target of 15 μm. The maximum difference in film thickness was 0.7 μm. From this result, the evaluation sample obtained by the plastic film deposition apparatus of the present invention has a film thickness variation of 1/5 or less compared to the evaluation sample obtained by the electroplating method. An evaluation sample with little film thickness variation can be obtained by the film deposition apparatus. Moreover, accurate adhesion strength evaluation can be expected from the above results.
次に、これらの評価試料について引き剥がし試験を行った。この引き剥がし強さ測定結果を図8に示す。 Next, a peeling test was performed on these evaluation samples. The peel strength measurement results are shown in FIG.
図において、電気めっきで作製された評価試料の引き剥がし強さは、平均値で0.87N/mm、最大値で1.04N/mm、最小値で0.71N/mm、最大差が0.33N/mmという結果が得られたが、最大差の値が平均値の約38%もあるということは、決して測定精度がよいとは言えない。それに対し、本発明のプラスチックフィルム成膜装置で得られた評価試料の引き剥がし強さは、平均値で0.85N/mm、最大値で0.89N/mm、最小値で0.81N/mm、最大差が0.08N/mmという結果であり、最大差の値も平均値の約9%とばらつきも小さいため、電気めっき法によって得られる評価試料に比べて、引き剥がし試験の測定精度が格段によくなっていることはいうまでもない。 In the figure, the peel strength of the evaluation sample produced by electroplating is 0.87 N / mm as an average value, 1.04 N / mm as a maximum value, 0.71 N / mm as a minimum value, and a maximum difference as 0.07. Although a result of 33 N / mm was obtained, the fact that the value of the maximum difference is about 38% of the average value is by no means good measurement accuracy. On the other hand, the peel strength of the evaluation sample obtained by the plastic film deposition apparatus of the present invention is 0.85 N / mm at the average value, 0.89 N / mm at the maximum value, and 0.81 N / mm at the minimum value. As a result, the maximum difference is 0.08 N / mm, and the variation of the maximum difference is about 9% of the average value, and the variation is small. Therefore, the measurement accuracy of the peeling test is higher than that of the evaluation sample obtained by the electroplating method. It goes without saying that it has improved significantly.
以上のように、本発明のプラスチックフィルム成膜装置で得られる評価試料を用いて引き剥がし試験をすることで、2層フレキシブル基板の密着強度を迅速に且つ高い測定精度で行うことが可能である。 As described above, it is possible to perform the adhesion strength of the two-layer flexible substrate quickly and with high measurement accuracy by performing a peeling test using the evaluation sample obtained by the plastic film deposition apparatus of the present invention. .
本発明にかかるプラスチックフィルム成膜装置は、高い密着性を要する2層フレキシブル基板の開発に効果があり、携帯電話、PDA(パーソナル・デジタル・アシスタント)、ノートブック型パソコン、デジタル・スチル・カメラ、液晶ディスプレイ等の電子回路に用いられる2層フレキシブル基板に有用である。 The plastic film deposition apparatus according to the present invention is effective in developing a two-layer flexible substrate requiring high adhesion, such as a mobile phone, a PDA (personal digital assistant), a notebook computer, a digital still camera, It is useful for a two-layer flexible substrate used in an electronic circuit such as a liquid crystal display.
1 ロードロック室
2 搬送室
3 第1の成膜処理室
4 第2の成膜処理室
5、6、7 ゲートバルブ
8 搬送トレイ
9A〜9E 絶縁部材
10 搬送ロボット
11 排気バルブ
12 駆動源
13 排気バルブ
14 電圧可変直流電源
15a 蒸発源保持部
15b 蒸発源
15c 加熱装置
16 マッチングボックス
17 高周波電源
18 電極
19 ホルダー支持部
20 支持軸
21a、21b プッシャー
22 回転機構部
23 ホルダー
24a、24b バネ
25 ガス供給部
30 排気バルブ
31 電圧可変直流電源
32a 蒸発源保持部
32b 蒸発源
32c 加熱装置
33 冷却板
34 ホルダー支持部
35 支持軸
36a、36b プッシャー
37 回転機構部
38 ホルダー
39a、39b バネ
40 ガス供給部
50 プラスチックフィルム
51 下地金属層
52 被膜層
53 銅導体層
54 マスク
61 パターンA
62 パターンB
63 パターンC
64 パターンD
65 パターンE
70 投入工程
71 搬送工程
72 真空引き工程
73 脱水処理工程
74 プラズマ表面処理工程
75 下地金属層成膜工程
76 搬送工程
77 取出工程
78 被膜層成膜工程
79 取出工程
80 投入工程
81 搬送工程
82 真空引き工程
83 脱水処理工程
84 プラズマ表面処理工程
85 下地金属層成膜工程
90 電気めっき工程
91 密着強度評価工程
DESCRIPTION OF
62 Pattern B
63 Pattern C
64 Pattern D
65 Pattern E
70
Claims (6)
前記成膜室中の第1の成膜室にて前記下地金属層を形成後、前記下地金属層が形成されたプラスチックフィルムを密着強度測定用のパターンを形成する第2の成膜室とフレキシブル基板の生成のための次工程へ搬送する搬送部を備えたことを特徴とするプラスチックフィルム成膜装置。 A base metal layer is formed on a plastic film by a dry plating method using copper or an alloy containing copper as a main component, and subsequently, the metal layer is mainly composed of copper or copper on the base metal layer in a predetermined degree of vacuum. In a plastic film deposition apparatus having a plurality of deposition chambers formed by dry plating using an alloy as a component,
After forming the base metal layer in the first film formation chamber in the film formation chamber, the second film formation chamber for forming a pattern for measuring the adhesion strength of the plastic film on which the base metal layer is formed is flexible. A plastic film deposition apparatus comprising a transport unit for transporting to a next process for generating a substrate.
前記成膜室にて、前記プラスチックフィルム上に前記金属層を形成するために前記プラスチックフィルムを貼り付けるための搬送トレイと、当該搬送トレイの上に貼り付けられたプラスッチクフィルムの上に密着強度測定用パターンを形成するためのマスクとを有し、前記搬送トレイは、前記プラスチックフィルム上に形成される前記密着強度測定用パターンの一先端部に相当する部分を絶縁部材とすることを特徴とするプラスチックフィルム成膜装置。 A base metal layer is formed on a plastic film in a deposition chamber using copper or an alloy containing copper as a main component using a dry plating method, and then a metal layer is formed on the base metal layer in a predetermined degree of vacuum. In a plastic film deposition apparatus formed by dry plating using copper or an alloy containing copper as a main component,
In the film formation chamber, adhesion strength measurement is performed on a transport tray for attaching the plastic film to form the metal layer on the plastic film, and on a plastic film attached on the transport tray. A mask for forming a pattern for use, and the transport tray has an insulating member as a portion corresponding to one end portion of the pattern for adhesion strength measurement formed on the plastic film. Plastic film deposition equipment.
6. The plastic film forming apparatus according to claim 5, wherein the pattern for measuring the adhesion strength of the plastic film is in a band shape, and the insulating member is made of synthetic resin.
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JP2011132567A (en) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Asahi Glass Co Ltd | Method for manufacturing conductive film, and laminated glass |
WO2015025823A1 (en) * | 2013-08-22 | 2015-02-26 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Sputtering film formation device and sputtering film formation method |
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2004
- 2004-02-25 JP JP2004049659A patent/JP2005240081A/en active Pending
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---|---|---|---|---|
JP2011132567A (en) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Asahi Glass Co Ltd | Method for manufacturing conductive film, and laminated glass |
WO2015025823A1 (en) * | 2013-08-22 | 2015-02-26 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Sputtering film formation device and sputtering film formation method |
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