JP2005237197A - 電力変換装置 - Google Patents

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清隆 小林
Hiroshi Nagata
永田  寛
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勝昭 金沢
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Abstract

【課題】
本発明の目的は、モジュール型電力変換素子の漏れ電流を低減して制御装置の誤動作を防止できる電力変換装置を提供することにある。
【解決手段】
本発明の特徴とするところは、電力変換を行う複数個のモジュール型電力変換素子を冷却板に取付け筐体に収納する際に、複数個のモジュール型電力変換素子を大地と電気的に絶縁する絶縁手段38を設けたことにある。
【選択図】 図1




Description

本発明は、電力変換を行う複数個のモジュール型電力変換素子を冷却板に取付け筐体に収納するようにした電力変換装置に関する。
一般に、交流を直流に変換するコンバータや直流を交流に変換するインバータ
などの電力変換装置は交流電動機を駆動するのに採用されている。特に、近年は
交流電動機を駆動するのに中性点クランプ型電力変換装置が多く用いられている。中性点クランプ型電力変換装置は、3レベルの電圧を出力するので高調波を低減できる等の利点があり、大型の交流電動機の駆動に多く用いられている。
電力変換装置は、スイッチング素子、ダイオード、コンデンサ、抵抗などの電気部品により構成される。スイッチング素子としては、サイリスタ、GTO、IGBT、トランジスタなどが用いられる。
ところで、電力変換装置を構成するスイッチング素子とダイオードの電力変換素子は放熱のために冷却板に取付けられる。冷却板はヒートシンクと称されており、導電体で構成される。冷却板は放熱フィンを設けられている複数本のヒートパイプを介して放熱するようにしている。
ヒートパイプなどの放熱部材を備えた冷却板に電力変換素子を取付けた後に筐体(金属製)に収納している。通常、電力変換装置の各相単位に一つの筐体に収
納し、これらの筐体を制御盤に取付け収納している。制御盤は一般に接地されており、筐体つまり冷却板も接地された状態にある。
一方、電力変換素子(スイッチング素子)としては、平型構造とモジュール型
構造のものとがある。近年、IGBT、トランジスタなどの電力変換素子は、実装をネジ止めするだけで簡単に行えるモジュール型構造のものが多く用いられるようになっている。モジュール型電力変換素子は素子内部のチップと素子自体のベース板(冷却板)の間に絶縁材を設け絶縁するようにしている。なお、モジュール型電力変換素子はフラットベース型電力変換素子と呼称されることもある。
大型の交流電動機の駆動に用いられる電力変換装置は、大容量になり直流電圧で数kVになっている。例えば、直流電圧は3.3kVになっている。電力変換
装置が大容量になるとモジュール型電力変換素子であるスイッチング素子も大容量のものが用いられる。
モジュール型電力変換素子は素子自体のベース板(冷却板)を大地電位にするとベース板を介して大地に漏れ電流が流れる。電力変換装置の電圧仕様が大になり、すなわちモジュール型電力変換素子が大容量のものになると大地への漏れ電流が大きくなり無視できないものとなる。大地への漏れ電流は制御盤に実装してある制御装置(プリント基板)へのノイズとなり制御装置が誤動作するという問題を発生する。
なお、モジュール型電力変換素子の素子自体の絶縁材は素子寸法の大きさから制限され、チップと素子自体のベース板との間を電気的に完全に絶縁することは実用上困難なことである。
本発明は上記点に対処してなされたもので、その目的とするところはモジュール型電力変換素子の漏れ電流を低減して制御装置の誤動作を防止できる電力変換装置を提供することにある。
本発明の特徴とするところは、電力変換を行う複数個のモジュール型電力変換素子を冷却板に取付け筐体に収納する際に、複数個のモジュール型電力変換素子を大地と電気的に絶縁する絶縁手段を設けたことにある。
本発明は複数個のモジュール型電力変換素子つまり素子自体のベース板と大地を電気的に絶縁する絶縁しているので、漏れ電流を低減でき制御装置の誤動作を防止することができる。
ここで、本明細書においては、電力変換素子内部のチップと素子自体のベース板(冷却板)の間に絶縁材を設け絶縁するようにした電力変換素子をモジュール型電力変換素子と称する。
本発明は複数個のモジュール型電力変換素子つまり素子自体のベース板と大地を電気的に絶縁しているので、漏れ電流を低減でき制御装置の誤動作を防止することができる。
以下、本発明の一実施例を図1〜5を用いて説明する。
図5は、3レベルの中性点クランプ型電力変換装置をインバータとして用いた場合の主回路構成を示している。
図5において、インバータ51は、U相ユニット51u、V相ユニット51v、W相ユニット51wの3ユニットで構成されている。各相ユニットは同じ構成であり、U相ユニット51uについて説明をする。U相ユニット51uは、直流電源に接続する正側電位端子P、中性点電位端子COM、負側電位端子Nと、交流電動機53に接続する交流端子Uを備えている。
ユニット51uの内部は、モジュール型電力変換素子である4個のスイッチング素子QP,QPC,QNC,QNと2個のクランプダイオードDCP、DCNで構成されている。4個のスイッチング素子QP,QPC,QNC,QNのスイッチング動作は周知であり説明を省略する。
平滑コンデンサ52aと52bの直列接続点はインバータ51の中性点電位端子COMと接続される。また、平滑コンデンサ52aの他の端子はインバータ51の正側電位端子Pと接続され、平滑コンデンサ52bの他の端子はインバータ51の負側電位端子Nと接続される。インバータ51の出力は、交流出力端子U、V、Wより交流電動機53に供給される。
図3は、図5に示すインバータ(電力変換装置)を制御盤に実装した一例構成図を示す。
制御盤(筐体)31に平滑コンデンサ52u、52v、52wが取付けられている。なお、図5に示す平滑コンデンサ51a、51bを1個の平滑コンデンサ52u(52v、52w)として図示している。モジュール型電力変換素子である4個のスイッチング素子QP,QPC,QNC,QNと2個のクランプダイオードDCP、DCNを収納した3つのユニット(筐体)は、上から順にU相ユニット51u、V相ユニット51v、W相ユニット51wと取付けられている。
平滑コンデンサ52u、52v、52wは、主回路母線(ブスバー)32によりユニット51u、51v、51wとそれぞれ接続されている。三相交流電力は、主回路母線(ブスバー)33u、33v、33wにより交流電動機53に供給される。
図1にU相ユニット51uの上視図と平滑コンデンサ52a、52bを示す。また、図2にU相ユニット51uの側面図と平滑コンデンサ52a、52bを示す。図1、2では、平滑コンデンサ52a、52bを1個で図示している。
インバータは、図3に示すようにU相ユニット51u、V相ユニット51v、W相ユニット51wの3ユニットで構成されているが、各相ユニットとも同じ構成であるため、U相ユニット51uのみ説明する。
U相ユニット51uの構成部品は、ユニット筐体11の中に実装されている。ヒートシンクHP10(HP20)は、ヒートパイプ方式を採用していて複数のヒートパイプHP11(HP21)とアルミブロックHP12(HP22)と複数の放熱フィンHP13(HP23)より構成されている。
モジュール型のスイッチング素子QP、QPC(QN、QNC)とモジュール型のクランプダイオードDCP(DCN)はアルミブロックHP12(HP22)に取付けられる。アルミブロックHP12(HP22)はこれらの電力変換素子を冷却する。
アルミブロックHP12(HP22)は、ヒートシンク固定板12に固定され、複数の絶縁物13a〜13c(23a〜23c)を介し筐体11に固定されている。このため、ヒートシンクHP10(HP20)は、ユニット筐体11の間に空間38を形成され大地電位と絶縁されている。
主回路バー15は、正側電位Pバー、中性点電位COMバー、負側電位Nバー及び出力Uバーで構成されている。主回路バー15は、複数の接続導体14を介しモジュール形のスイッチング素子QP、QPC(QN、QNC)とモジュール型のクランプダイオードDCP(DCN)に接続される。また、主回路バー15は、複数の接続導体32を介しユニット(筐体)11の外側で平滑コンデンサ51a、52bと接続されている。
図4は、3レベル(中性点クランプ方式)インバータにおけるモジュール型のスイッチング素子QP、QPC(QN、QNC)とモジュール型クランプダイオードDCP(DCN)とヒートシンクHP10(HP20)と主回路配線(バー)の実装の概念図を示す。
図4において、ヒートシンクHP10(HP20)には、スイッチング素子QP、QPC(QN、QNC)とクランプダイオードDCP(DCN)が実装されている。主回路配線(バー)41〜46は、図5の3レベル(中性点クランプ方式)インバータを構成するように接続されている。
E端子、C端子は、それぞれスイッチング素子QP、QPC(QN、QNC)のエミッタとコレクタを表わす。また、K端子、A端子は、クランプダイオードDCP(DCN)のカソードとアノードを表わす。
図1、2に示す構成では、ヒートシンクHP10(HP20)とユニット筐体11の間は、空間38が形成され絶縁されている。一般に、ユニット筐体11・盤筐体31は、大地電位となるため、ヒートシンクHP10(HP20)は、大地電位と絶縁されている。
また、ヒートシンクHP10(HP20)が浮遊電位となり部分放電が問題になる場合は、主回路バー40を用いヒートシンクHP10(HP20)とユニットの中性点電位端子COMを接続し、電位固定をする。この時、主回路配線(バー)は、電線を用いても良い。ヒートシンクHP10(HP20)に中性点電位端子COMを接続することは、電位固定手段を構成する。
図6に本発明の他の実施例を示す。
図6の実施例は、ヒートシンクHP10(HP20)とユニット筐体11を絶縁構造とする代わりに、スイッチング素子QP、QPC(QN、QNC)とモジュール形クランプダイオードDCP(DCN)とヒートシンクHP10(HP20)間に絶縁物39を設けたものである。
この実施例においてもヒートシンクHP10(HP20)は、大地電位と絶縁され、同等の効果が得られる。
図7,8に本発明の他の実施例を示す。
図7は、2レベルインバータの主回路構成図である。インバータ71は、U相ユニット71u、V相ユニット71v、W相ユニット71wの3ユニットで構成されている。各相ユニットは同じ構成であるため、U相ユニット71uの説明をする。
U相ユニット71uは、直流電源に接続する正側電位端子P、負側電位端子Nと、交流電動機53に接続する交流端子Uを備えている。ユニット内部は、スイッチング素子QP,QNの2個と、主回路母線(ブスバー)、および冷却部材(ヒートシンク)で構成されている。なお、ヒートシンクは図示していない。各素子の基本動作は、周知のとおりであるため省略する。
平滑コンデンサ72の両端子は、インバータ71の各正側電位端子Pと各負側電位端子Nに接続する。インバータ71の出力は、出力端子U・V・Wより交流電動機73に供給される。
図8は、2レベルインバータにおけるモジュール型のスイッチング素子QP、QNとヒートシンクHP80と主回路配線(バー)の実装の概念図を示す。ヒートシンクHP80には、スイッチング素子QP、QNが実装されている。主回路配線(バー)81〜83は、図7の2レベルインバータを構成するように接続されている。E端子、C端子は、それぞれスイッチング素子QP、QNのエミッタとコレクタを表わす。
図1、2に示す実施例と同様に、ヒートシンクHP80は、複数の絶縁物を介してユニット筐体11と絶縁されている。一般に、ユニット筐体11と盤筐体31は大地電位となるため、ヒートシンクHP80は空間38により大地電位と絶縁されている。
また、ヒートシンクHP80が浮遊電位となり部分放電が問題になる場合は、平滑コンデンサ72を平滑コンデンサ72a・72bと2直列構成とし、その直列接続点(この点も中性点と呼ぶ)とヒートシンクHP80を主回路配線(バー)80により接続し電位固定をする。この時、主回路配線(バー)は、電線を用いても良い。
以上のようにしてモジュール型電力変換素子をヒートシンクで冷却するのであるが、電力変換を行う複数個のモジュール型電力変換素子を冷却板に取付け筐体に収納する際に、複数個のモジュール型電力変換素子を大地と電気的に絶縁する絶縁手段を設けている。したがって、複数個のモジュール型電力変換素子つまり素子自体のベース板と大地を電気的に絶縁する絶縁手段を新たに設けているので、漏れ電流を大幅に低減でき制御装置の誤動作を防止することができる。
また、上述の実施例はヒートシンクを中性点電位に電位固定しているので、IGBT素子などの電力変換素子の必要耐電圧は、大地電位ではなく中性点電位が基準となり、耐電圧の低い電力変換素子の採用が可能となる。
本発明の一実施例を示す上視した構成図である。 図1の側面図である。 電力変換器制御盤の一例を示す構成図である。 3レベルインバータ(1相分)の主回路構成の概念図である。 3レベルインバータの主回路構成図である。 本発明の他の実施例を示す主回路構成の要部概念図である。 2レベルインバータの主回路構成図である。 本発明の他の実施例を示す主回路構成の要部概念図である。
符号の説明
HP10、HP20…ヒートパイプ式ヒートシンク、HP11、HP21…ヒートパイプ、HP12、HP22…ヒートシンクのアルミブロック、HP13、HP23…ヒートシンクのアルミフィン、11…ユニットの筐体、12…ヒートシンクの固定板、13a〜13c、23a〜23c…絶縁物、14…接続導体、15…主回路バー(正側電位P、中性点電位COM、負側電位N)、31…制御盤(筐体)、32…接続導体、33u,33v,33u…交流出力用バー、40〜46、80〜83…接続バー、51…3レベルインバータ、51u,51v,51w…3レベル用ユニット、52u,52v,52w,52a,53b…平滑コンデンサ、72、72a,72b…平滑コンデンサ、53、73…交流電動機、71…2レベルインバータ、71u,71v,71w…3レベル用ユニット。

Claims (9)

  1. 電力変換を行う複数個のモジュール型電力変換素子を冷却板に取付け筐体に収納するものであって、前記複数個の電力変換素子を大地と電気的に絶縁したことを特徴とする電力変換装置。
  2. 電力変換を行う複数個のモジュール型電力変換素子を冷却板に取付け、接地されている筐体に収納するものであって、前記冷却板と前記筐体を電気的に絶縁したことを特徴とする電力変換装置。
  3. 電力変換を行う複数個のモジュール型電力変換素子を冷却板に取付け、接地されている筐体に収納するものであって、前記冷却板と前記筐体の間に複数個の絶縁部材を介在させ前記冷却板と前記筐体の間に空間を形成するようにしたことを特徴とする電力変換装置。
  4. ヒートパイプを介して放熱する冷却板に電力変換を行う複数個のモジュール型電力変換素子を取付け、接地されている筐体に収納するものであって、前記冷却板と前記筐体の間に複数個の絶縁部材を介在させ前記冷却板と前記筐体を電気的に絶縁する空間を形成するようにしたことを特徴とする電力変換装置。
  5. 電力変換を行う複数個のモジュール型電力変換素子を冷却板に取付け筐体に収納するものであって、前記複数個の電力変換素子を大地と電気的に絶縁する絶縁手段と、前記冷却板の電位を大地電位に固定する電位固定手段とを設けたことを特徴とする電力変換装置。
  6. 電力変換を行う複数個のモジュール型電力変換素子を冷却板に取付け筐体に収納するものであって、前記冷却板を大地と電気的に絶縁する絶縁手段と、前記冷却板の電位を中性点電位に固定する電位固定手段とを設けたことを特徴とする電力変換装置。
  7. 中性点クランプ型電力変換装置を構成する一つの相の正側の2個のモジュール型スイッチング素子とクランプダイオードを取付けられる第1の冷却板と、前記一つの相の負側の2個のモジュール型スイッチング素子とクランプダイオードを取付けられる第2の冷却板と、前記第1の冷却板と前記第2の冷却板を収納する筐体と、前記第1、第2の冷却板と前記筐体の間に配置され、前記冷却板と前記筐体の間に空間を形成する複数個の絶縁部材とを具備することを特徴とする電力変換装置。
  8. 中性点クランプ型電力変換装置を構成する一つの相の正側の2個のモジュール型スイッチング素子とクランプダイオードを取付けられる第1の冷却板と、前記一つの相の負側の2個のモジュール型スイッチング素子とクランプダイオードを取付けられる第2の冷却板と、前記第1の冷却板と前記第2の冷却板を収納する筐体と、前記第1、第2の冷却板と前記筐体の間に配置され、前記冷却板と前記筐体の間に空間を形成する複数個の絶縁部材と、前記冷却板の電位を中性点電位に固定する電位固定手段とを具備することを特徴とする電力変換装置。
  9. 中性点クランプ型電力変換装置を構成する一つの相の4個のモジュール型スイッチング素子と2個のクランプダイオードを取付けられる冷却板と、前記冷却板の放熱を行わせるヒートパイプと、前記冷却板と前記ヒートパイプを収納する筐体と、前記冷却板と前記筐体の間に配置され、前記冷却板と前記筐体の間に空間を形成する複数個の絶縁部材と、前記冷却板に接続される中性点母線とを具備することを特徴とする電力変換装置。
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