JP2005237190A - アクチュエータ構造体及び光デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】 温度変化による電極の変位を補償することができるアクチュエータ構造体及び光デバイスを提供する。
【解決手段】 アクチュエータ構造体５は、電極７，８間に静電気力を発生させることで電極７を電極８に対して動かすものである。電極７は、基板の上面に固定された固定部１０と、この固定部１０に支持された接続部１１と、接続部１１に支持された櫛状部１２とを有する。電極８は、基板の上面に固定された固定部１５と、この固定部１５に接続部１６を介して結合された櫛状部１７とを有する。櫛状部１７は、櫛状部１２と対向している。
【選択図】 図２

Description

本発明は、光スイッチや光可変減衰器等といった光デバイスに備えられるアクチュエータ構造体及び光デバイスに関するものである。

光スイッチや光可変減衰器に使用されるアクチュエータ構造体としては、例えば下記非特許文献１に記載されているように、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）技術を用いて形成された静電アクチュエータが知られている。
Sensors and Materials,Vol.10,No.6(1998)351-362,"Silicon Micromechanics for the Fiber-Optic Information Highway"

しかしながら、静電アクチュエータを構成する可動電極及び固定電極のそれぞれが櫛型電極の場合には、可動電極と固定電極との間に印加する電圧が一定でも、温度変化によって可動電極が変位することがある。この場合には、光デバイスの光学的特性が変わってしまう可能性がある。

本発明の目的は、温度変化による電極の変位を補償することができるアクチュエータ構造体及び光デバイスを提供することである。

本発明は、基板に固定された第１固定部と、第１固定部に支持された第１接続部と、第１接続部を介して第１固定部と接続されている第１櫛歯部とを有する第１電極と、基板に固定された第２固定部と、第２固定部に支持された第２接続部と、第２接続部を介して第２固定部と接続され、第１櫛歯部と対向する第２櫛歯部とを有する第２電極と、第１電極と第２電極との間に静電気力を発生させる手段とを備えることを特徴とするものである。

すなわち、本発明のアクチュエータ構造体は、第１電極と、第２電極と、静電気力を発生させる手段とを備えている。第１電極は、第１固定部と、第１接続部と、第１櫛状部とを有する。第１固定部は、基板に固定されている。第１接続部は第１固定部に支持されている。第１櫛状部は、第１接続部を介して第１固定部と接続されている。第２電極は、第２固定部と、第２接続部と、第２櫛状部とを有する。第２固定部は上記基板に固定されている。第２接続部は第２固定部に支持されている。第２櫛状部は、第２接続部を介して第２固定部と接続されており、第１櫛状部と対向している。静電気力を発生させる手段は、第１電極と第２電極との間に静電気力を発生させる。第１櫛状部、第２櫛状部、第１接続部、及び第２接続部は、上記基板と離間している。

第１櫛状部及び第２櫛状部それぞれは、所定方向に延びるアームと、アームの側面に接続されており上記所定方向に交差する方向に延びている複数の電極指とを有する。第１櫛状部のアームと第２櫛状部のアームは対向しており、第１櫛状部の電極指と第２櫛状部の電極指も対向している。すなわち、第１櫛状部と第２櫛状部とによって構成される構造は、インターディジタル構造（interdigital structure）である。

このようなアクチュエータ構造体において、第２電極が第１電極に対して可動な構造となっている場合、温度変化によって第２電極が熱膨張すると、第２電極の第２櫛歯部は熱膨張により変位する。一方、第１電極の第１固定部は基板に固定されているため、温度変化による第１固定部の熱膨張量は第２電極の熱膨張量に比べて小さい。しかし、第１電極の第１櫛歯部は、基板に固定されずに第１接続部を介して第１固定部とつながっているので、第１接続部が第１櫛歯部を第２電極の熱膨張方向と同じ方向に変位させるような構成となっていれば、熱膨張によって第１電極の第１櫛歯部も第２電極の第２櫛歯部と同じように変位する。この場合には、第２電極が熱膨張しても、第１櫛歯部の櫛歯と第２櫛歯部の櫛歯とのギャップがほぼ一定に保たれるため、第１電極と第２電極との間の電界もほぼ一定に保たれる。これにより、温度変化による第２電極の変位を補償することができる。

すなわち、本発明のアクチュエータ構造体では、第１櫛状部及び第２櫛状部が基板と離間しているので、第２櫛状部のアーム及び第１櫛状部のアームそれぞれが長手方向（即ち、所定方向）へ熱膨張した場合でも、第２櫛状部の電極指（即ち、櫛歯）及び第１櫛状部の電極指（即ち、櫛歯）が同様に変位する。したがって、第１櫛状部の電極指と第２櫛状部の電極指との間のギャップが一定に保たれるので、第１電極と第２電極との間の電界もほぼ一定に保たれる。これにより、温度変化による第２電極の変位を補償することができる。

好ましくは、第１接続部は、弾性変形可能な材料からなっている。この場合には、より温度変化に追随させて、第１櫛歯部を第２櫛歯部と同じように変位させることができる。すなわち、温度変化に追随させて、第１櫛状部の電極指を第２櫛状部の電極指と同様に上記所定方向へ変位させることができる。

このとき、第１接続部は、ばね構造を有するのが好ましい。この場合には、更に温度変化に追随させて、第１櫛歯部を第２櫛歯部と同じように変位させることができる。すなわち、温度変化に追随させて、第１櫛状部の電極指を第２櫛状部の電極指と同様に上記所定方向へ変位させることができる。

第１接続部は、第１櫛状部を当該第１櫛状部の長手方向へ変形可能に支持する梁構造を有することが好ましい。すなわち、第１接続部は、第１櫛状部のアームを、その長手方向（即ち、所定方向）へ弾性変形可能に支持する梁構造を有していることが好ましい。この場合においても、温度変化に追随させて、第１櫛状部の電極指を第２櫛状部の電極指と同様に上記所定方向へ変位させることができる。

また、好ましくは、第２櫛状部は、前記第２接続部を介して第２固定部に片持ち支持されている。この場合に、第２電極は、第２櫛状部が第２接続部の支持点回りに移動する構造となる。

また、第２櫛状部は、第２接続部を介して、第２固定部に両持ち支持されている構成であってもよい。すなわち、第２櫛状部のアームの長手方向の両側が、第２接続部を介して第２固定部に支持されていてもよい。この場合には、第２櫛状部を、第２接続部による各支持点間を結ぶ直線に対して実質的に直交する方向に移動可能な構造とすることができる。

さらに、好ましくは、第１電極と第２電極との間に静電気力を発生させる前後での第２櫛歯部の変位量が第１櫛歯部の変位量よりも大きくなるように構成されている。これにより、第２櫛歯部の位置を大きく変化させることが可能となる。すなわち、第２櫛状部の変位量が第１櫛状部の変位量よりも大きくなるように構成されていることによって、第２櫛状部を第１櫛状部へ向けて大きく変位させることができる。

本発明の光デバイスは、上記のアクチュエータ構造体と、アクチュエータ構造体の第２電極に接続された光部品とを備えることを特徴とするものである。このように上述したアクチュエータ構造体を設けることにより、温度変化による第２電極の変位を補償することができる。これにより、光学特性の温度依存性を低減することが可能となる。

本発明によれば、第１電極の第１櫛状部を、基板に固定された第１固定部と第１接続部を介して接続されている構成としたので、温度変化による第２電極の変位を補償することができる。これにより、光デバイスの光学的特性の変動を低減することが可能となる。

以下、本発明に係わるアクチュエータ構造体及び光デバイスの好適な実施形態について図面を参照して説明する。

図１は、本発明に係わるアクチュエータ構造体の第１の実施形態を備えた光スイッチを示す構成図である。図１に示す光スイッチ１は、２×２（２入力２出力）型のスイッチである。光スイッチ１は、石英ガラス等で形成された平面導波路２を有している。この平面導波路２には、光導波路コア３Ａ〜３Ｄが溝部４を挟んで略クロス状に形成されている。

このような平面導波路２上には、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）技術を用いて製作されたアクチュエータ構造体５が設けられている。図２は、アクチュエータ構造体５の拡大図であり、図３は、アクチュエータ構造体５の垂直方向断面図であり、図１２は、アクチュエータ構造体５の斜視図である。

図２、図３、及び図１２に示すアクチュエータ構造体５は、Ｓｉ基板６を有する。このＳｉ基板６の上面には、導電性を有するＳｉで形成された電極７，８が接合されている。アクチュエータ構造体５は、電極７，８間に静電気力を発生させることにより、電極７を電極８に対して動かすものである。

電極７は、ＳｉＯ_２膜９を介してＳｉ基板６の上面に固定された固定部１０と、この固定部１０に片持ち支持された片持ち梁構造の接続部１１とを有し、接続部１１は、Ｓｉ基板６に対して浮いた状態となっている。接続部１１の先端側部分には、櫛状部１２が設けられている。

櫛状部１２は、アーム１２ａと複数の電極指１２ｂとを有している。アーム１２ａは、接続部１１に連続している。電極指１２ｂは、アーム１２ａの側面に接続されており、アーム１２ａの長手方向（所定方向）に交差する方向に延びている。

また、接続部１１の先端、即ちアーム１２ａの先端には、光導波路コア３Ａ，３Ｃからの光を光導波路コア３Ｂ，３Ｄに向けて反射させるミラー１３が固定されている。

電極８は、電極７の接続部１１と対向するようにＳｉ基板６上に配置されている。電極８は、ＳｉＯ_２膜１４を介してＳｉ基板６の上面に固定された固定部１５と、この固定部１５に主接続部１６ａを介して結合された櫛状部１７とを有している。

櫛状部１７は、アーム１７ａと複数の電極指１７ｂを有している。電極指１７ｂは、アーム１７ａの側面に接続されており、アーム１７ａの長手方向（所定方向）に交差する方向に延びている。

櫛状部１７は、電極７の櫛状部１２と対向している。主接続部１６ａ及び櫛状部１７は、Ｓｉ基板６に対して浮いた状態となっている。櫛状部１２の電極指１２ｂは、櫛状部１７の各電極指１７ｂ間に配置されている。すなわち、櫛状部１７のアーム１７ａと櫛状部１２のアーム１２ａとが対向しており、櫛状部１７の電極指１７ｂと櫛状部１２の電極指１２ｂとが対向している。かかる櫛状部１２と櫛状部１７とによって構成される構造は、インターデジタル構造である。

主接続部１６ａは、固定部１５の一端部（電極７の固定部１０側の端部）に設けられている。主接続部１６ａは、弾性変形可能な材料からなっている。

また、固定部１５と櫛状部１７とは、主接続部１６ａの他に、主接続部１６ａと同じ材料で形成された複数の可動ばね１６ｂでつながれている。すなわち、電極８の接続部１６は、主接続部１６ａと可動ばね１６ｂとを有している。かかる構成の接続部１６は、基板６と離間しており、アーム１７ａを長手方向に変形可能に支持する梁構造となっている。これにより、櫛状部１７の基部１７ａ、即ちアーム１７ａの剛性がそれほど高くない場合であっても、電極７，８間に生じる静電気力によって櫛状部１７が撓むことは殆どない。

このようなアクチュエータ構造体５を平面導波路２に組み付けるときは、アクチュエータ構造体５を図３に示す状態からひっくり返して、図１に示すように電極７のミラー１３が平面導波路２の溝部４内に入り込むように、電極７の固定部１０と電極８の固定部１５とを平面導波路２の上面に接合する。

電極７と電極８とは電圧源２１を介して接続されている。そして、この電圧源２１により電極７，８間に所定の電圧を印加することで、両者間に静電気力を発生させ、電極７を動かす。このとき、電極７の櫛状部１２は、接続部１１の支持点回りに移動可能である。ここで、電極７，８は、いずれも櫛型電極となっているので、電極７，８間に生じる静電気力が増大し、これにより低電圧で電極７を駆動することができる。

また、電極７は、片持ち梁構造の接続部１１及びアーム１２ａを有しているので、アクチュエータ構造体５の幅寸法（接続部１１の長手方向に垂直な方向の寸法）を小さくすることができる。これにより、光スイッチ１の小型化及び集積化に有利となる。

以上のように構成した光スイッチ１において、電圧源２１により電圧を印加しない初期状態では、図１に示すように、電極７の接続部１１及びアーム１２ａが真っ直ぐに延びている。この状態では、光導波路コア３Ａから出射された光は、ミラー１３で反射して光導波路コア３Ｂに入射され、光導波路コア３Ｃから出射された光は、ミラー１３で反射して光導波路コア３Ｄに入射される。

一方、電圧源２１により電極７，８間に所定の電圧を印加すると、図４に示すように、両者間に生じる静電気力によって電極７の接続部１１及びアーム１２ａが電極８側に撓み、これに伴ってミラー１３が電極８側に移動する。この状態では、光導波路コア３Ａから出射された光は、溝部４内をスルーして光導波路コア３Ｄに入射され、光導波路コア３Ｃから出射された光は、溝部４内をスルーして光導波路コア３Ｂに入射される。

ここで、比較例として、他のアクチュエータ構造体を図５に示す。図５において（ａ）には、アクチュエータ構造体１００の平面図が示されており、（ｂ）には、アクチュエータ構造体１００の拡大平面図が示されている（参照符号Ａによって指示された部分の拡大平面図）。図５に示すアクチュエータ構造体１００は、電極１０１，１０２を備えている。電極１０１は、上記の電極７と同様の構造を有している。電極１０２は、上記の電極８における固定部１５に複数の電極指１７ｂが直接結合された構造を有しており、上記の電極８における主接続部１６ａ及び可動ばね１６ｂは設けられていない。

このようなアクチュエータ構造体１００において、電極１０１，１０２は、温度上昇によって熱膨張する。このとき、電極１０２の電極指１７ｂは、Ｓｉ基板（図示せず）に固定された固定部１５と直接結合されているが、電極１０１の接続部１１及びアーム１２ａはＳｉ基板に固定されていないため、電極指１７ｂの熱膨張による変位量は接続部１１及びアーム１２ａの熱膨張量に比べて小さい（図中の矢印参照）。このため、熱膨張による電極指１７ｂの移動量と電極指１２ｂの移動量とが異なることになるので、櫛状部１２の電極指１２ｂと櫛状部１７の電極指１７ｂとの間のギャップＧが変わってしまい、電極１０１と電極１０２との間に生じる電界が変化する。この場合には、接続部１１及びアーム１２ａのばね力と静電力の釣り合いの位置が変化するため、電圧源２１による印加電圧が一定であっても、接続部１１及びアーム１２ａが変位する。その結果、温度変化によって光スイッチ１の光学的特性が変わってしまう虞がある。

これに対し本実施形態では、電極８の固定部１５と櫛状部１７とを主接続部１６ａ及び可動ばね１６ｂでつなぐような構成としたので、櫛状部１７の熱膨張量は電極７の櫛状部１２の熱膨張量と同等になる。このとき、主接続部１６ａは固定部１５の一端部に設けられているので、櫛状部１７は櫛状部１２と同様に、図２に示す矢印方向に熱膨張する。このため、電極７の櫛状部１２の移動と同様に電極８の櫛状部１７が移動するようになる。従って、櫛状部１２の電極指１２ｂと櫛状部１７の電極指１７ｂとの間のギャップＧは均一に保たれるため、電極７，８間に生じる電界バランスがほぼ一定になり、接続部１１及びアーム１２ａのばね力と静電力の釣り合いの位置が殆ど変化することはない。これにより、温度変化による櫛状部１２の変位が補償されるため、光スイッチ１の光学的特性の変動を防止することができる。このとき、電極７，８間に静電気力を発生させる前後での櫛状部１７の変位量が櫛状部１２の変位量よりも大きいのが好ましい。

図６は、本発明に係わるアクチュエータ構造体の第２の実施形態を備えた光スイッチを示す構成図である。図中、第１の実施形態と同一または同等の部材には同じ符号を付し、その説明を省略する。

図６に示すアクチュエータ構造体３０は、上述した電極８の代わりに、電極３１を備えている。この電極３１における櫛状部１７の基部１７ａ、即ちアーム１７ａは、静電力によって撓まない剛性を有している。この場合には、上述した可動ばね１６ｂが不要となるため、電極の構成を簡素化することができる。

図７は、本発明に係わるアクチュエータ構造体の第３の実施形態を示す構成図である。

図７に示すアクチュエータ構造体４０は、電極４１，４２を備えている。電極４１は、Ｓｉ基板（図示せず）の上面に固定された２つの固定部４３と、これらの固定部４３に支持されたばね状の接続部４４、接続部４４によって両持ち支持された櫛状部４５とを有している。この櫛状部４５は、アーム４５ａと、複数の電極指４５ｂとを有している。アーム４５ａは、その長手方向の両側部に接続された接続部４４を介して固定部４３に両持ち支持されている。電極指４５ｂは、アーム４５ａの側面に接続されており、アーム４５ａの長手方向に交差する方向、即ち電極４２側に延びている。また、アーム４５ａの上記側面と反対側の側面には、連結部材４６を介してミラー４７が固定されている。なお、接続部４４及び櫛状部４５は、Ｓｉ基板に対して浮いた状態となっている。

電極４２は、Ｓｉ基板（図示せず）の上面に固定された固定部４８と、この固定部４８に複数の可動ばね（接続部）４９を介して結合された櫛状部５０とを有している。櫛状部５０は、電極４１の櫛状部４５に対向している。すなわち、この櫛状部５０は、アーム５０ａと複数の電極指５０ｂとを有している。電極指５０ｂは、アーム５０ａの側面に接続されており、アーム５０ａの長手方向に交差する方向、即ち電極４１側に延びている。アーム４５ａとアーム５０ａとは対向しており、電極指４５ｂと電極指５０ｂとが対向している。かかる櫛状部４５及び櫛状部５０によって構成される構造は、インターデジタル構造である。なお、可動ばね４９及び櫛状部５０は、Ｓｉ基板に対して浮いた状態となっている。

アクチュエータ構造体４０は、電極４１，４２間に静電気力を発生させることにより、電極４１を電極４２に対して動かすものである。このとき、電極４１の櫛状部４５は、接続部４４の各支持点間を結ぶ直線に対して実質的に直交する方向に移動可能である。

このように構成したアクチュエータ構造体４０では、温度上昇があったときには、電極４２の櫛状部５０が容易に電極４１の櫛状部４５と同じように熱膨張するようになる（図中の矢印参照）。このため、上述したように、温度変化があっても、櫛状部４５の電極指４５ｂと櫛状部５０の電極指５０ｂとの間のギャップは均一に保たれるため、電極４１の変位を補償することができる。

図８は、本発明に係わるアクチュエータ構造体の第４の実施形態を示す構成図である。図中、第３の実施形態と同一または同等の部材には同じ符号を付し、その説明を省略する。

図８に示すアクチュエータ構造体６０は、上述した電極４２の代わりに、電極６１を備えている。この電極６１における固定部４８と櫛状部５０とは、１本の棒状や板状等の接続部６２でつながれている。つまり、接続部６２は、固定部４８に片持ち支持された片持ち梁構造を有し、その接続部６２の先端に櫛状部５０が結合されている。接続部６２は、櫛状部５０を静電力によって撓ませないような剛性を有している。この場合にも、温度変化による電極４１の変位を補償することができる。

図９は、上述したアクチュエータ構造体５を備えた光可変減衰器を示す構成図である。

図９に示す光可変減衰器７０は、図１に示す光スイッチ１と同じ構造を有している。光可変減衰器７０は、電極７，８間に印加する電圧をアナログ的に変えて、ミラー１３での反射光量を可変させることにより、光減衰量を調整する。

具体的には、電圧源２１による印加電圧がゼロである初期状態では、光導波路コア３Ａから出射された光がミラー１３で全反射して光導波路コア３Ｂに入射される。これにより、光減衰量が最小となる。電圧源２１により電極７，８間に電圧を印加すると、電極７，８間に生じる静電気力によってミラー１３が電極８側に移動するため、光導波路コア３Ａから出射された光の一部はミラー１３で反射されずに光導波路コア３Ｄに入射される。このため、ミラー１３で反射されて光導波路コア３Ｂに入射される光が少なくなるので、光減衰量が増大する。

図１０は、上述したアクチュエータ構造体５に類似するアクチュエータ構造体を備えた分散補償器を示す構成図である。

図１０に示す分散補償器８０は、入力された信号光に対して位相シフトを与えて、信号光の分散補償を行うものである。分散補償器８０は、信号光Ｌｉを波長成分毎に分波させる回折格子８１と、複数のアクチュエータ構造体８２と、回折格子８１と複数のアクチュエータ構造体８２との間に配置されたレンズ８３とを有している。アクチュエータ構造体８２の構成を図１１に示す。

アクチュエータ構造体８２は、波長毎に分波された信号光Ｌｉを反射させるミラー８４と、このミラー８４の両端部に結合された２つの略Ｌ字型の電極８５と、各電極８５と対向するように配置された２つの電極８６とを有している。

ミラー８４の中心部は、Ｓｉ基板（図示せず）に固定されている。これにより、ミラー８４は、その中心部を軸として湾曲状に変形自在となる。ミラー８４の中心部は、電極８５の固定部８４ａとなっている。電極８５には、電極８６側に延びる電極指８７ｂが設けられている。

すなわち、電極８５は、接続部８９と、この接続部８９に支持されている櫛状部８７とを有している。接続部８９及び櫛状部８７とは基板と離間している。接続部８９は、ミラー８４の側部に接続されることによって、上記固定部８４ａに支持されている。櫛状部８７は、アーム８７ａと複数の電極指８７ｂとを有する。アーム８７ａは、接続部８９に連続しており、ミラー８４に交差する方向へ延びている。電極指８７ｂは、アーム８７ａの側面に接続されており、アーム８７ａの長手方向に交差する方向へ延びている。すなわち、電極指８７ｂは、対応の電極８６側へ延びている。

なお、電極８６は、上述したアクチュエータ構造体５の電極８と同様の構造を有している。

電極８５と電極８６とは電圧源８８を介して接続されている。この電圧源８８により電極８５，８６間に電圧を印加すると、両者間に生じる静電気力により電極８５が電極８６側に引き寄せられ、これに伴ってミラー８４が凹状に撓むようになる。このとき、電圧源８８による印加電圧を変えることで、ミラー８４の撓み量が変化する。

このような分散補償器８０において、入力された信号光Ｌｉは、回折格子８１により波長帯域毎に分波される。そして、この分波された信号光は、レンズ８３を介して各アクチュエータ構造体８２まで伝搬され、各ミラー８４で反射される。このとき、各ミラー８４は、波長毎に分波された信号光に対して所望の位相差を与えて分散を補償するように撓み量が制御されている。各ミラー８４で反射された信号光は、再びレンズ８３を介して回折格子８１まで伝搬され、この回折格子８１により合波されて信号光Ｌｏとして出力される。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、電極８，３１，４２，６１の固定部と櫛状部とをつなぐ接続部は、上記の構造に限らず、静電力によって櫛状部が撓むことなく、櫛状部を電極７，４１と同じように熱膨張または熱収縮させるような構造であれば良い。

また、上記実施形態では、アクチュエータ構造体を２×２（２入力２出力）型の光スイッチ、光可変減衰器及び分散補償器に備える構成としたが、本発明のアクチュエータ構造体は、ＯＮ／ＯＦＦスイッチや１×２スイッチ等の光スイッチ、その他の光デバイスにも適用可能であることは言うまでもない。

本発明に係わるアクチュエータ構造体の第１の実施形態を備えた光スイッチを示す構成図である。 図１に示すアクチュエータ構造体の拡大図である。 図１に示すアクチュエータ構造体の垂直方向断面図である。 図１に示すアクチュエータ構造体の動作状態を示す図である。 比較例として、他のアクチュエータ構造体を示す構成図である。 本発明に係わるアクチュエータ構造体の第２の実施形態を示す構成図である。 本発明に係わるアクチュエータ構造体の第３の実施形態を示す構成図である。 本発明に係わるアクチュエータ構造体の第４の実施形態を示す構成図である。 図２に示すアクチュエータ構造体を備えた光可変減衰器を示す構成図である。 図２に示すアクチュエータ構造体に類似するアクチュエータ構造体を備えた分散補償器を示す構成図である。 図１０に示すアクチュエータ構造体の構成図である。 図１に示すアクチュエータ構造体の斜視図である。

符号の説明

１…光スイッチ（光デバイス）、５…アクチュエータ構造体、６…Ｓｉ基板、７…電極（第２電極）、８…電極（第１電極）、１０…固定部（第２固定部）、１１…接続部（第２接続部）、１２…櫛状部（第２櫛状部）、１３…ミラー（光部品）、１５…固定部（第１固定部）、１６…接続部（第１接続部）、１７…櫛状部（第１櫛状部）、３０…アクチュエータ構造体、３１…電極（第１電極）、４０…アクチュエータ構造体、４１…電極（第２電極）、４２…電極（第１電極）、４３…固定部（第２固定部）、４４…接続部（第２接続部）、４５…櫛状部（第２櫛状部）、４７…ミラー（光部品）、４８…固定部（第１固定部）、４９…可動ばね（第１接続部）、５０…櫛状部、６０…アクチュエータ構造体、６１…電極（第１電極）、６２…接続部（第１接続部）、７０…光可変減衰器（光デバイス）、８０…分散補償器（光デバイス）、８２…アクチュエータ構造体、８４…ミラー（光部品）、８５…電極（第２電極）、８６…電極（第１電極）、８７…櫛状部（第２櫛状部）。

Claims (9)

1. 基板に固定された第１固定部と、前記第１固定部に支持された第１接続部と、前記第１接続部を介して前記第１固定部と接続されている第１櫛状部とを有する第１電極と、
   前記基板に固定された第２固定部と、前記第２固定部に支持された第２接続部と、前記第２接続部を介して前記第２固定部と接続されており前記第１櫛状部と対向している第２櫛状部とを有する第２電極と、
   前記第１電極と前記第２電極との間に静電気力を発生させる手段と、
   を備え、
   前記第１櫛状部、前記第２櫛状部、前記第１接続部、及び前記第２接続部は、前記基板と離間している、
   アクチュエータ構造体。
2. 前記第１櫛状部の剛性が、前記第２櫛状部の剛性より大きい、請求項１記載のアクチュエータ構造体。
3. 前記第１接続部は、弾性変形可能な材料からなることを特徴とする請求項１又は２記載のアクチュエータ構造体。
4. 前記第１接続部は、ばね構造を有することを特徴とする請求項３記載のアクチュエータ構造体。
5. 前記第１接続部は、前記第１櫛状部を当該第１櫛状部の長手方向へ変形可能に支持する梁構造を有する、請求項３記載のアクチュエータ構造体。
6. 前記第２櫛状部は、前記第２接続部を介して前記第２固定部に片持ち支持されていることを特徴とする請求項１記載のアクチュエータ構造体。
7. 前記第２櫛状部は、前記第２接続部を介して前記第２固定部に両持ち支持されていることを特徴とする請求項１記載のアクチュエータ構造体。
8. 前記第１電極と前記第２電極との間に静電気力を発生させる前後での前記第２櫛状部の変位量が前記第１櫛状部の変位量よりも大きくなるように構成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項記載のアクチュエータ構造体。
9. 請求項１〜８のいずれか一項記載のアクチュエータ構造体と、
   前記アクチュエータ構造体の第２電極に接続された光部品と、
   を備えることを特徴とする光デバイス。

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