JP2018122391A

JP2018122391A - Ｍｅｍｓ素子

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Publication number: JP2018122391A
Application number: JP2017015925A
Authority: JP
Inventors: 正幸藤島; Masayuki Fujishima; 英剛野口; Eigo Noguchi; 英記加藤; Hideki Kato; 安住　純一; Junichi Azumi; 純一安住; 政士末松; Masashi Suematsu; 鈴木　修一; Shuichi Suzuki; 修一鈴木
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2017-01-31
Filing date: 2017-01-31
Publication date: 2018-08-09
Also published as: US10544032B2; US20180215608A1

Abstract

【課題】リボン素子がたわむことにより発生する出射光ノイズを低減する。
【解決手段】複数のリボン素子１１と、複数のリボン素子１１を支持する固定部１３と、それぞれのリボン素子１１の両端側に位置し、該リボン素子１１と固定部１３を接続する接続部１２と、を有し、リボン素子１１の平面方向において、リボン素子１１の長手方向の延長線と接続部１２とが形成する角度が０°よりも大きいＭＥＭＳ素子１０である。
【選択図】図６

Description

本発明は、ＭＥＭＳ素子に関する。

微細技術の進展に伴い、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems、微小電気機械システム）素子、およびＭＥＭＳ素子を組み込んだ小型機器が、注目されている。ＭＥＭＳ素子として、例えば、ＧＬＶ（Grating Light Valve、登録商標）と呼ばれる光変調器が知られている。

ＧＬＶは、表面がミラー加工されるとともに弾性を有する複数のリボン型の素子（リボン素子）を一次元的に配列した構造を有し、リボン素子と、リボン素子に対向する電極を形成した基板間に電圧を印加することにより、静電引力を働かせリボン素子を基板側に引きつけられるように変位させる。ＧＬＶは、例えば、小型のプロジェクタなどの画像表示装置などに適用され、ＧＬＶからの光を回転ミラーなどの光走査手段を用いて２次元画像を生成する用途が知られている。

ＧＬＶのようにリボン素子を有するＭＥＭＳ素子（以下、ＭＥＭＳリボン素子とも呼ぶ）では、リボン素子を変位させることで、一次元配列したリボン素子を回折格子として機能させ、回折光を変調させることができる。ＭＥＭＳリボン素子からなる光変調器は、１本のリボン素子が数ｕｍ×数１０〜数１００ｕｍと非常に小型であり、高速駆動が可能である。

従来、ＭＥＭＳリボン素子の高さ方向の変位量は、リボン素子に駆動力が働いていない場合と、リボン素子に駆動力が働いたときの２値で制御されていた。

また、例えば、特許文献１には、単独であるいは他の変調器とともに動作できる光変調器であって、リボン素子を２つのグループに分けた構造とし、それぞれ単独に高さを変化させる手段を備えた変調器が開示されている。

一方、近年、ＭＥＭＳリボン素子を光スイッチや分光器などの新たな用途に応用する動きが盛んになってきており、ＭＥＭＳリボン素子の新たな用途への応用に際し、任意の変位量でリボン素子を静止させるような多値の制御が検討されている。

従来の２値で制御するＭＥＭＳリボン素子では、一般に駆動力が働いたときに、リボン素子と対向する面にリボン素子を接触させることでリボンの平面度を保ったいた。しかしながら、ＭＥＭＳリボン素子の高さ方向の変位量を多値で制御する場合、リボン素子を対向する面に接触させることができないため、リボン素子にたわみが発生する。

リボン素子にたわみが発生する場合、リボン素子の両端部と中央部付近では高さが異ることとなり、出射光の特性が均一にならないため、出射光に含まれるノイズ光（出射光ノイズ）が大きくなってしまう。上記特許文献１に記載の技術において、複数の高さ変位量を選択した場合も同様の課題を有する。

そこで本発明は、リボン素子がたわむことで発生する出射光ノイズを低減することができるＭＥＭＳ素子を提供することを目的とする。

かかる目的を達成するため、本発明に係るＭＥＭＳ素子は、複数のリボン素子と、複数の前記リボン素子を支持する固定部と、それぞれの前記リボン素子の両端側に位置し、該リボン素子と前記固定部を接続する接続部と、を有し、前記リボン素子の平面方向において、前記リボン素子の長手方向の延長線と前記接続部とが形成する角度が０°よりも大きいものである。

本発明によれば、リボン素子がたわむことで発生する出射光ノイズを低減することができる。

ＭＥＭＳリボン素子の基本構成例を示す斜視図である。ＭＥＭＳリボン素子による分光機能の説明図である。ＭＥＭＳリボン素子による分光機能の説明図である。本発明に係るＭＥＭＳリボン素子の前提となる構成例を示す（ａ）斜視図、（ｂ）上面図である。リボン素子の長手方向の延長線と接続部のなす角度と、リボン素子のたわみ量との関係の一例を示すグラフである。図５に示す各角度に対応するＭＥＭＳリボン素子の上面図である。本発明に係るＭＥＭＳリボン素子の一実施形態を示す模式図である。図７のＡ−Ａ’での断面図である。図７のＭＥＭＳリボン素子を基板側から見た図である。本発明に係るＭＥＭＳリボン素子の他の実施形態を示す模式図である。図１０のＡ−Ａ’での断面図である。本発明に係るＭＥＭＳリボン素子の他の実施形態を示す模式図である。本発明に係るＭＥＭＳリボン素子の他の実施形態を示す模式図である。

以下、本発明に係る構成を図１から図１３に示す実施の形態に基づいて詳細に説明する。

［第１の実施形態］
本実施形態に係るＭＥＭＳ素子（ＭＥＭＳリボン素子１０）は、複数のリボン素子（リボン素子１１）と、複数のリボン素子を支持する固定部（固定部１３）と、それぞれのリボン素子の両端側に位置し、該リボン素子と固定部を接続する接続部（接続部１２）と、を有し、リボン素子の平面方向において、リボン素子の長手方向の延長線と接続部とが形成する角度が０°よりも大きいものである。なお、括弧内は実施形態での符号、適用例を示す。

先ず、ＭＥＭＳリボン素子の基本構成例、およびＭＥＭＳリボン素子による分光性能について説明する。図１は、ＭＥＭＳリボン素子１０の基本構成例を示す斜視図である。

リボン素子１１は、例えば、シリコン窒化膜などの微細な構造体であり、反射板と電極の双方の機能を有している。リボン素子１１は、その両端部を固定部１３で支持されて、基板２０に設けられた電極２１（共通電極）上に張り架けられている。そして、リボン素子１１と、電極２１を形成した基板２０間に電圧を印加することで、リボン素子１１は静電気により基板２０の方向にたわみ、電圧が印加されない状態では、シリコン窒化膜の固有の高い張力により元の状態に戻る。

図１では、リボン素子１１を１つ図示しているが、以下に説明する本実施形態に係るＭＥＭＳリボン素子１０では、リボン素子１１は、複数設けられる。ＭＥＭＳリボン素子１０を分光センサや光スイッチなどに利用する場合など分光機能を得ることを目的とする場合、単一のリボン素子１１を上下させるだけでは、リボン素子１１の表面で光が反射、散乱するだけで、分光機能は得られないため、リボン素子１１を複数設ける必要がある。

図２および図３を参照して、複数のリボン素子１１（リボン素子１１ａ，１１ｂとする）を設けた場合の分光機能について説明する。図２に示すαは入射光と回折格子法線（リボン素子の法線）とのなす角（入射角）、βは回折光と回折格子法線とのなす角（回折角）である。

この場合、隣接するリボン素子１１ａ，１１ｂで反射する光には、光路差（ＢＣ−ＡＤ）が発生するため、波長毎に反射強度が最大となる回折角度は変化する。このときの回折格子方程式は、次式（１）で表すことができ、式（１）を満たす波長λが角度β方向で検出される。式（１）において、ｍは整数である。
ｄ（ｓｉｎα−ｓｉｎβ）＝ｍλ ・・・（１）

そして、リボン素子１１ａ，１１ｂを上下方向に変位させると、光路差が連続的に変化する。このとき、図３に示すように、所定の回折角が形成される位置に検出器３０を配置しておけば、リボン素子１１ａ，１１ｂの上下変位と連動して検出される光の波長が変化することになり、分光機能を得ることが可能となる。

このときの回折格子方程式は次式（２）で表すことができる。式（２）において、ｍは整数、ｚは回折格子の変位量である。
ｄ（ｓｉｎα−ｓｉｎβ）＋ｚ（ｃｏｓα＋ｃｏｓβ）＝ｍλ ・・・（２）

すなわち、図３（ａ）の例では、上記式（１）より、λ１＝ｄ（ｓｉｎα−ｓｉｎβ）／ｍの波長の光を検出器３０では検出し、変位量ｚを与えた図３（ｂ）の例では、上記式（２）より、λ２＝ｄ（ｓｉｎα−ｓｉｎβ）＋ｚ（ｃｏｓα＋ｃｏｓβ）／ｍの波長の光を検出器３０で検出することができる分光センサを実現することが可能となる。同様の原理により、ある特定波長の光を配向することも可能となる。以上説明した理由から、本実施形態に係るＭＥＭＳリボン素子１０は、複数のリボン素子１１を備える。

図４は、第１の実施形態に係るＭＥＭＳリボン素子１０の前提となる構成例を示す図であって、図４（ａ）はＭＥＭＳリボン素子１０の斜視図、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示すＭＥＭＳリボン素子１０の上面図を示している。

図１に示すようにリボン素子１１の直下に電極２１を配置した場合、リボン素子１１に直接、分布荷重が発生するため、以下に説明するような接続部１２に角度を持たせる構成としてもリボン素子１１のたわみは低減できない。これに対し、第１の実施形態に係るＭＥＭＳリボン素子１０は、リボン素子１１の両端側に位置しリボン素子１１と固定部１３を接続する箇所を接続部１２として、図４に示すように、接続部１２の直下に電極２１を配置し、リボン素子１１の直下には電極２１を配置しない構成を有している。本実施形態のように静電引力によりＭＥＭＳリボン素子１０を駆動させる場合、リボン素子１１と接続部１２は、同一材料の１層構造で構成することができるため、直下に電極２１が配置される領域を接続部１２、直下に電極２１が配置されない領域をリボン素子１１と弁別することが可能である。

図４に示すＭＥＭＳリボン素子１０において、リボン素子１１が上下方向に変位する際、接続部１２に働く曲げモーメントに対して、リボン素子１１に働くリボン素子１１の長手方向（図４（ｂ）に点線Ａで示す）の曲げモーメント成分は、リボン素子１１の長手方向と接続部１２のなす角度によって変化する。ここで、リボン素子１１の長手方向の延長線と接続部１２との間に形成される角度をθとする。図４における角度θは０°である。

図５は、リボン素子の長手方向の延長線と接続部１２のなす角度θと、リボン素子１１のたわみ量との関係の一例を示すグラフであって、（ａ）θ＝０°，（ｂ）θ＝３０°，（ｃ）θ＝６０°，（ｄ）θ＝９０°の場合を示している。また、図６は、図５に示す各角度θに対応するＭＥＭＳリボン素子１０の上面図を示している。なお、図６における電極２１の図示は省略する。

図５に示すように、リボン素子１１の長手方向の延長線と接続部１２のなす角度θが０°のときがリボン素子１１のたわみ量が最も大きく、リボン素子１１の長手方向の延長線と接続部１２のなす角度θが９０°に近づくほどリボン素子１１のたわみ量は減少していき、リボン素子１１と接続部１２が直交するとき、リボン素子１１のたわみ量は最小になる。

そこで、本実施形態に係るＭＥＭＳリボン素子１０は、リボン素子の長手方向の延長線と接続部１２のなす角度θを少なくとも０°よりも大きい値として（θ＞０°）、リボン素子１１のたわみを低減するものである。ここで、リボン素子１１の長手方向の延長線と接続部１２のなす角度θは、９０°に近い値であることがより好ましく、角度θは９０°であることが最も好ましい。なお、図６では、角度θが鋭角である場合の例を示したが、角度θは鈍角（９０°＜θ＜１８０°）であってもよい。

図７は、本発明に係るＭＥＭＳリボン素子の一実施形態（第１の実施形態）を示す模式図である。また、図８は、図７のＡ−Ａ’での断面図を示している。ここでは、基板２０に設けられる電極２１の図示は省略している。また、図９は、ＭＥＭＳリボン素子１０を基板側から見た図を示している。

第１の実施形態に係るＭＥＭＳリボン素子１０は、複数のリボン素子１１と、各リボン素子１１を両端側で支持する固定部１３と、各リボン素子１１と固定部１３とを接続する接続部１２と、から構成される。ここでは、リボン素子１１が３つの例を図示しているが、リボン素子１１は少なくとも２以上であればよく、その数は限られるものではない。

また、ＭＥＭＳリボン素子１０は、各リボン素子１１の長手方向と接続部１２のなす角度を９０°とすることにより、リボン素子１１に働くリボン素子１１の長手方向の曲げモーメントを低減し、リボン素子１１のたわみ変形を小さくしている。なお、図７では、各リボン素子１１の長手方向の延長線と接続部１２のなす角度が９０°の例を示しているが、上述のように少なくとも０°よりも大きい値であればよい。

ここで、接続部１２の長さが各リボン素子１１について一定でない場合、変位量と駆動力との関係が、それぞれのリボン素子１１で異なることとため、所望の変位量や挙動をそれぞれのリボン素子１１で得るようにするには、それぞれのリボン素子１１に独立した入力信号を与える必要があり、その制御が複雑になってしまう。

そこで、それぞれのリボン素子１１の接続部１２の長さを一定とすることが好ましい。本実施形態では、それぞれのリボン素子１１の接続部１２の長さを一定とするために、各接続部１２の固定部１３で支持される位置が異なるようにしている。すなわち、固定部１３の形状を、リボン素子１１側への突出量を調整するように、段差を有する形状としている。

このように、固定部１３に段差を設けた形状とすることで、例えば、図９に示すように、接続部１２の長さｌを全て同じにすることができる。これにより、リボン素子１１の変位量と駆動力との関係を全てのリボン素子１１で同じにすることができるため、その制御を簡易にすることが可能となる。

図７に示すＭＥＭＳリボン素子１０において、接続部１２と基板２０に設けられた電極２１との間に電圧を印加することにより、接続部１２は、例えば、図８の符号１２から符号１２’で示すように、静電引力で基板２０側に変位する。このとき、接続部１２に働く静電引力は次式（３）（数１）で表される。

ここで、ε_０は真空の誘電率、Ｓは電極面積、ｇは接続部１２と基板２０に設けられる電極２１間の初期ギャップ、ｚは接続部１２のリボン素子１１側先端での変位量、Ｖは電圧である。

一方、接続部１２のばね復元力は、次式（４）（数２）で表される。

ここで、Ｅは接続部１２のヤング率、ｗは接続部１２の幅、ｔは接続部１２の厚さ、ｌは接続部１２の長さである。

上記式（３）および（４）の式のつり合いから接続部１２のリボン素子１１側の変位量ｚと電圧Ｖの関係が決定される。例えば、接続部１２の寸法をｗ＝２０ｕｍ，ｔ＝１ｕｍ，ｌ＝１０００ｕｍとし、接続部１２の材料がシリコンである場合、２０Ｖの電圧で約２.５ｕｍの変位を得ることができる。

以上説明した第１の実施形態に係るＭＥＭＳリボン素子１０によれば、リボン素子１１のたわみを低減することができ、出射光に混在するノイズ光を抑制することができる。また、接続部１２の長さをすべてのリボン素子１１について均一にすることにより、リボン素子１１の制御が複雑になることを回避することができる。

なお、第１の実施形態では、接続部１２およびリボン素子１１が略同一平面上にある構成を例に説明したが、直下に電極２１が設けられる接続部１２の部分が固定部１３に対してせり上がった構成のＭＥＭＳリボン素子（両端側の接続部１２がせり上がりリボン素子１１部分が凸となっている形状）にも適用することができる。

［第２の実施形態］
以下、本発明に係るＭＥＭＳリボン素子の他の実施形態について説明する。なお、上記実施形態と同様の点についての説明は適宜省略する。

図１０は、本発明に係るＭＥＭＳリボン素子の他の実施形態（第２の実施形態）を示す模式図である。また、図１１は、図１０のＡ−Ａ’での断面図を示している。

ＭＥＭＳリボン素子が、例えばＧＬＶである場合、リボン素子１１の厚さは、数１００ｎｍ以下と非常に薄く、また、リボン素子１１の長さは５００ｕｍ以下であるため、直径数ｍｍ程度のスポット径を有する入射光を１素子で制御する用途では、出射光の光量が減少し、ノイズ光が増大してしまう場合がある。

そこで、第２の実施形態に係るＭＥＭＳリボン素子１０は、複数のリボン素子１１と、各リボン素子１１を両端側で支持する固定部１３と、各リボン素子１１と固定部１３とを接続する接続部１２と、から構成され、さらに、接続部１２の少なくとも一部の表面に圧電材料１５を成膜したものである。なお、図１０および図１１の例では、接続部１２の上面（基板２０と反対側の面）に圧電材料１５を形成した例を示しているが、圧電材料１５の形成範囲はこれに限られるものではない。

このＭＥＭＳリボン素子１０では、電圧が圧電材料１５に印加されることで、圧電材料１５が変形する（図１１の符号１５から符号１５’）。これにより、接続部１２をたわませて、図１１の符号１２から符号１２’で示すように、リボン素子１１の上下方向の変位を発生させる。電圧が印加されない状態では、圧電材料１５は変形せず、リボン素子１１は所定の位置に戻る。

図１０に示すＭＥＭＳリボン素子１０において、圧電材料１５の圧電定数ｄのとき、変位量δは、次式（５）（数３）で示される。

ここで、下付き文字ｐ，ｃはそれぞれ圧電材料１５と接続部１２を示している。また、Ｉは断面２次モーメントである。

例えば、圧電定数ｄが１６５ｍ／Ｖ、圧電材料１５の寸法がｗ＝１０ｕｍ，ｔ＝２ｕｍ，ｌ＝１０００ｕｍ、接続部１２の寸法がｗ＝２０ｕｍ，ｔ＝２０ｕｍ，ｌ＝１０００ｕｍ、接続部１２の材料がシリコンの場合、２０Ｖの電圧で約２.５ｕｍの変位を得ることができる。このように接続部１２の表面に圧電材料１５を成膜した場合、接続部１２、リボン素子１１の厚みを大きくしても十分な変位を得ることができる。よって、リボン素子１１の長さを長くすることが可能となる。例えば、接続部１２、リボン素子１１の厚さを数１０ｕｍにしても十分な変位を得ることが可能となり、リボン素子１１の長さを数ｍｍまで長くすることが可能になる。

以上説明した第２の実施形態に係るＭＥＭＳリボン素子１０によれば、接続部１２の表面に圧電材料１５を成膜して、圧電材料１５の伸縮を利用してリボン素子１１を変位させることで、リボン素子１１の厚みを大きくすることが可能となるため、リボン素子１１の長さを長くすることが可能となる。

また、圧電材料１５を用いる場合、第１の実施形態の例とは異なり、電極２１を設ける必要がないため、リボン素子１１の下部空間を開口部２２とすることが可能となる。これにより、反射光のみでなく、透過光を利用する用途にも適用することが可能となり、出射光の光量を確保することが可能となる。

なお、第１の実施形態のように静電引力によりＭＥＭＳリボン素子１０を駆動させる場合は、接続部１２とリボン素子１１は同一材料の１層構造を有することを説明したが、第２の実施形態のように、圧電材料１５を用いてＭＥＭＳリボン素子１０を駆動させる方式では、例えば、接続部１２は絶縁膜、上部電極、圧電材料、下部電極、シリコン層を順に有する５層構造、リボン素子１１は絶縁膜、反射膜、シリコン層を順に有する３層構造とすることが一般的である。また、以下に説明する温度変化を用いて駆動させる方式や、電磁力を発生させて駆動させる方式も、同様に、接続部１２とリボン素子１１は異なる構造を有することが一般的である。

［第３の実施形態］
図１２は、本発明に係るＭＥＭＳリボン素子の他の実施形態（第３の実施形態）を示す模式図である。

第３の実施形態に係るＭＥＭＳリボン素子１０は、複数のリボン素子１１と、各リボン素子１１を両端側で支持する固定部１３と、各リボン素子１１と固定部１３とを接続する接続部１２と、から構成され、さらに、接続部１２の少なくとも一部の表面に接続部１２とは線膨張係数が異なる材料を成膜したものである。成膜される接続部１２とは線膨張係数が異なる材料を、以下、成膜材料１６とする。なお、図１２の例では、接続部１２の上面（基板２０と反対側の面）に成膜材料１６を形成した例を示しているが、成膜材料１６の形成範囲はこれに限られるものではない。

このＭＥＭＳリボン素子１０では、温度変化による接続部１２と成膜材料１６の伸縮差を利用した接続部１２の変形により、リボン素子１１を上下方向の変位を発生させる。温度変化としては、例えば、通電加熱による温度変化を用いることができる。

図１２に示すＭＥＭＳリボン素子１０において、温度をΔＴ変化させたときのリボン素子１１の変位量は、次式（６）（数４）で示される。

ここで、下付き文字ｍ，ｃはそれぞれ成膜材料１６と接続部１２を示している。また、αは線膨張係数である。

例えば、接続部１２の材料をシリコン、成膜材料１６をアルミニウムとした場合、材料１６の寸法がｗ＝１０ｕｍ，ｔ＝０．５ｕｍ，ｌ＝１０００ｕｍ、接続部１２の寸法がｗ＝２０ｕｍ，ｔ＝２０ｕｍ，ｌ＝１０００ｕｍ、のとき、温度１００℃の変化で約２.５umの変位が発生する。

以上説明した第３の実施形態に係るＭＥＭＳリボン素子１０によれば、接続部１２の表面に接続部１２とは線膨張係数が異なる材料を成膜して、温度変化による接続部１２と成膜材料１６の伸縮差を利用してリボン素子１１を変位させることができる。

また、成膜材料１６を用いる場合も、第２の実施形態と同様に、電極２１を設ける必要がないため、リボン素子１１の下部空間を開口部２２とすることが可能となる。これにより、反射光のみでなく、透過光を利用する用途にも適用することが可能となり、出射光の光量を確保することが可能となる。

［第４の実施形態］
図１３は、本発明に係るＭＥＭＳリボン素子の他の実施形態（第４の実施形態）を示す模式図である。

第１〜第３の実施形態では、各リボン素子１１および接続部１２がコの字型の形状を有し、固定部１３に支持される例について説明したが、各リボン素子１１および接続部１２が、リボン素子１１の中心点に対して点対称の位置関係で固定部１３に接続される形状とすることも好ましい。

第４の実施形態に係るＭＥＭＳリボン素子１０は、複数のリボン素子１１と、各リボン素子１１を両端側で支持する固定部１３と、各リボン素子１１と固定部１３とを接続する接続部１２と、から構成され、リボン素子１１の両端の接続部１２は、それぞれリボン素子１１を挟んで反対側の固定部１３と接続されるものである。

以上説明した第４の実施形態に係るＭＥＭＳリボン素子１０によれば、図１２に示すように、リボン素子１１の長さを全て同じにすることができる。これにより、共振周波数を全てのリボン素子１１で等しくすることができるため、制御を簡易にすることが可能となる。

なお、図１３に示すリボン素子１１の駆動方式は、特に限られるものではなく、静電引力による方式（第１の実施形態）、圧電材料１５を用いる方式（第２の実施形態）、線膨張係数が異なる材料を用いる方式（第３の実施形態）のいずれの方式であってもよい。

尚、上述の実施形態は本発明の好適な実施の例ではあるがこれに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変形実施可能である。

例えば、上記の実施形態では、リボン素子１１の駆動方式について、静電引力による方式（第１の実施形態）、圧電材料１５を用いる方式（第２の実施形態）、線膨張係数が異なる材料を用いる方式（第３の実施形態）を説明したが、駆動方式はこれらに限られるものではなく、他の駆動方式を用いることもできる。例えば、接続部１２の近傍に永久磁石を設けるとともに、リボン素子１１の表面を除いた接続部１２の表面を含む領域に、コイルを形成し、コイルに通電させることで電磁力を発生させて、リボン素子１１を駆動させる電磁駆動方式を用いることもできる。

１０ＭＥＭＳリボン素子
１１リボン素子
１２接続部
１３固定部
１５圧電材料
１６成膜材料
２０基板
２１電極
３０検出器

特許３１６４８２４号公報

Claims

複数のリボン素子と、
複数の前記リボン素子を支持する固定部と、
それぞれの前記リボン素子の両端側に位置し、該リボン素子と前記固定部を接続する接続部と、を有し、
前記リボン素子の平面方向において、前記リボン素子の長手方向の延長線と前記接続部とが形成する角度が０°よりも大きいことを特徴とするＭＥＭＳ素子。
前記固定部は、前記接続部の長手方向において、段差が形成されているとともに、
複数の前記リボン素子の各接続部の長さは均一であることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ素子。
前記リボン素子の長手方向と前記接続部とが形成する角度が９０°であることを特徴とする請求項１または２に記載のＭＥＭＳ素子。
前記リボン素子の両端側の前記接続部は、該リボン素子の中心点に対して点対称の位置関係に設けられることを特徴とする請求項１から３までのいずれかに記載のＭＥＭＳ素子。
複数の前記リボン素子の長手方向の長さが均一であることを特徴とする請求項４に記載のＭＥＭＳ素子。
前記接続部は、基板に設けられた電極に対向するように設けられていることを特徴とする請求項１から５までのいずれかに記載のＭＥＭＳ素子。
前記接続部の少なくとも一部は、圧電材料により成膜されていることを特徴とする請求項１から５までのいずれかに記載のＭＥＭＳ素子。
前記接続部の少なくとも一部は、該接続部を構成する材料とは異なる線膨張係数を有する材料により成膜されていることを特徴とする請求項１から５までのいずれかに記載のＭＥＭＳ素子。
前記リボン素子の下部に開口が形成されていることを特徴とする請求項７または８のいずれかに記載のＭＥＭＳ素子。
前記接続部の近傍に永久磁石が設けられるとともに、前記接続部の表面を含む領域に、コイルが形成されていることを特徴とする請求項１から５までのいずれかに記載のＭＥＭＳ素子。