JP2005236331A - 固体撮像装置およびその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】信号電荷の読み出し制御に優れた固体撮像装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】N型拡散層13をP型基板11の中に完全に埋め込まれるように形成し、N型拡散層13の上を完全に覆うようにP型拡散層14を形成し、光電変換領域を形成する。また、N型拡散層12,13の間隔およびP型基板11内部のチャンネルの上部のP型拡散層15の不純物濃度分布を、ゲート電極17に正の電圧を印加した時に、P型基板11内部にチャンネルができ、かつチャンネルの上のゲート電極17の電圧により、チャンネルの電位が上げられるようにすることにより、信号電荷をP型基板11内部のチャンネルを通して読み出すこと、およびゲート電極17の電圧による読み出しの制御を可能とした。
【選択図】図1
【解決手段】N型拡散層13をP型基板11の中に完全に埋め込まれるように形成し、N型拡散層13の上を完全に覆うようにP型拡散層14を形成し、光電変換領域を形成する。また、N型拡散層12,13の間隔およびP型基板11内部のチャンネルの上部のP型拡散層15の不純物濃度分布を、ゲート電極17に正の電圧を印加した時に、P型基板11内部にチャンネルができ、かつチャンネルの上のゲート電極17の電圧により、チャンネルの電位が上げられるようにすることにより、信号電荷をP型基板11内部のチャンネルを通して読み出すこと、およびゲート電極17の電圧による読み出しの制御を可能とした。
【選択図】図1
Description
本発明は固体撮像装置及びその駆動方法に関するものである。
近年、電荷結合素子(CCD)に代表される電荷転送装置を用いた固体撮像装置は、その低雑音特性などの優位性よりその実用化が著しい。
以下、従来の固体撮像装置及びその駆動方法について説明する。
図7は従来の光電変換領域及び電荷転送領域の断面図であり、1はP型シリコンで構成されたP型基板、2は半導体基板1の表面に選択的に形成された電荷転送領域(埋め込みチャンネルCCDのチャンネル部)となるN型拡散層、3は半導体基板1の表面に選択的に形成されたN型拡散層、4は半導体基板1の表面に選択的に形成されたP型拡散層、5は半導体基板1の表面に選択的に形成されたP型拡散層、6は半導体基板1の表面に形成された酸化膜等の絶縁膜、7は絶縁膜6の表面に選択的に形成されたゲート電極である。
N型拡散層3及びP型基板1によってできるフォトダイオードの領域が光電変換領域であり、N型拡散層3(以下PDと略記する)は光が照射され光電変換された信号電荷を集積する。
埋め込みチャンネルCCDのN型拡散層2が電荷転送領域、光電変換領域と電荷転送領域の間のゲート電極下のP型拡散層5が読み出しチャンネル部のチャンネルドープ領域を構成する。
ゲート電極7に読み出し用の正の電圧を印加しチャンネル部の電位をPDの電位より高くすることにより、信号電荷は読み出しチャンネル部を通って電荷転送領域に読み出される。
しかしながら、上記の方法ではPDから表面までN型拡散層が広がっているため、表面付近に多く存在する欠陥により発生した余分な電荷がPDに集積しやすく画面上では白キズ等の特性不良を起こす。
これを避けるためには、半導体基板の内部にPDを埋め込めばよいが、信号電荷は基板の内部を通ることになりゲート電圧による読み出しの制御が難しく残像等の原因となる。
本発明は上記従来の課題を解決するもので、表面付近の欠陥の影響を受けず、ゲート電圧により読み出しを制御する事のできる固体撮像装置及びその駆動方法を提供する。
上記課題を解決するために、本発明に係る第1の固体撮像装置は、一導電型の第1の半導体領域内に複数個の光電変換部となる反対導電型の第2の半導体領域が形成され、第2の半導体領域の上部を完全に覆うように一導電型の第3の半導体領域が形成され、第2の半導体領域と所定の間隔をおいて電荷転送部となる反対導電型の第4の半導体領域が形成され、第2と第4の半導体領域の間には所定の不純物濃度分布をもつ一導電型の第5の半導体領域が形成され、第4の半導体領域の上部に絶縁膜を介して形成されたゲート電極を備え、第5の半導体領域の不純物濃度は、第1の半導体領域の表面から深さ方向に低濃度から不純物濃度が増加して、内部において不純物濃度が高濃度となり、さらに深部で不純物濃度が減少する分布であり、第3の半導体領域の深さは第5の半導体領域の幅内あるいはそれよりやや深く、ゲート電極に電圧を印加した時に表面からの空乏層が内部まで伸びるものにすることにより第2の半導体領域に蓄積された信号電荷の読み出しを制御することを特徴とするものである。
なお、本発明の第1の固体撮像装置は、第1の半導体領域の表面近くにある第5の半導体領域の不純物濃度は、第1の半導体領域の不純物濃度と同じであることがより好ましい。
また、本発明に係る第2の固体撮像装置は、一導電型の第1の半導体領域内に複数個の光電変換部となる反対導電型の第2の半導体領域が形成され、第2の半導体領域の上部を略完全に覆うように一導電型の第3の半導体領域が形成され、第2の半導体領域と所定の間隔をおいて電荷転送部となる反対導電型の第4の半導体領域が形成され、第2と第4の半導体領域の間に所定の不純物濃度分布を持つ一導電型の第5の半導体領域が形成され、第4と第5の半導体領域の上部に絶縁膜を介して形成されたゲート電極を備え、第2と第4の半導体領域の間隔および第5の半導体領域の不純物濃度分布を、ゲート電極に電圧を印加した時に第2の半導体領域に蓄積された信号電荷を第1の半導体領域の内部のチャンネルを通して第4の半導体領域に読み出せ、かつ第5と第4の半導体領域によって形成される空乏層の伸びによるチャンネルの電位上昇に加えて、ゲート電極の電圧により第5の半導体領域の電位を上げてチャンネルの電位が上げられるようなものにしたことにより読み出しを制御することを特徴とするものである。
また、本発明に係る固体撮像装置の駆動方法は、一導電型の第1の半導体領域内に複数個の光電変換部となる反対導電型の第2の半導体領域が形成され、第2の半導体領域内の上部を略完全に覆うように一導電型の第3の半導体領域が形成され、第2の半導体領域と所定の間隔をおいて電荷転送部となる反対導電型の第4の半導体領域が形成され、第2と第4の半導体領域の間に所定の不純物濃度を持つ一導電型の第5の半導体領域が形成され、第4と第5の半導体領域の上部に絶縁膜を介して形成されたゲート電極を備え、第2の半導体領域に蓄積された信号電荷を第1の半導体領域の内部のチャンネルを通して第4の半導体領域に読み出す際に、第5と第4の半導体領域によって形成される空乏層の伸びによるチャンネルの電位上昇に加えて、ゲート電極の電圧により第5の半導体領域の電位を上げてチャンネルの電位を上げることを特徴とするものである。
この構成によって、信号電荷は光電変換領域から基板の内部のみを通って電荷転送領域に読み出され、表面付近の欠陥の影響を受けないため、白キズ等の不良の発生を防ぐことができる。
また、ゲートの電圧による制御が可能なように、光電変換領域と電荷転送領域の間隔およびチャンネルドープ領域の不純物濃度分布を適切なものにしているため、残像等の不良の発生を防ぐことができる。
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
(第1の実施の形態)
図1は本発明の第1の実施の形態における固体撮像装置の光電変換領域及び電荷転送領域の断面図を示すものである。
図1は本発明の第1の実施の形態における固体撮像装置の光電変換領域及び電荷転送領域の断面図を示すものである。
図1において11はP型シリコンで構成されたP型基板、12は半導体基板11の表面に選択的に形成された電荷転送領域となるN型拡散層、13は半導体基板11の中に完全に埋め込まれるよう形成されたN型拡散層、14は半導体基板11の表面にN型拡散層13を完全に覆うように形成されたP型拡散層、15は読み出しの際のゲート電圧による制御を可能にしかつ表面を信号電荷が通らないよう適切な不純物濃度分布を持つように半導体基板11の表面に選択的に形成されたP型拡散層、16は半導体基板11の表面に形成されたSiO2等の絶縁膜、17は信号電荷読み出し用のゲート電極である。
P型基板11内には、選択的に電荷転送領域となるN型拡散層12が形成されている。
このN型拡散層12の不純物濃度は、最大濃度が約1017/cm3で、その深さは約0.4μmである。
このような不純物濃度でこの深さに設定したのは、電荷に対する最適な飽和特性を持たせることと電荷転送領域での最適なポテンシャルを得るためである。
もし不純物濃度が薄いと、このポテンシャルが浅くなり、転送効率が低下したり、飽和特性が劣化することになる。
不純物濃度が高いとN型拡散層12における飽和特性がやはり劣化する。N型拡散層12の側壁の一端に接してP型拡散層15が形成されている。
P型拡散層15は、N型拡散層13から電荷を読み出す際のゲート電圧による制御を可能にしかつ表面を信号電荷が通らないよう適切な不純物濃度分布を持つように半導体基板11の表面に選択的に形成されている。
このP型拡散層15の不純物濃度は、最大で1016/cm3で、その深さは0.2〜0.3μmである。
この不純物濃度と深さに設定したのは、電荷を読み出す際の読み出し電圧を最適化するためである。
この不純物濃度が薄い場合、固体撮像装置は表面チャンネル型となる。
表面チャンネル型の固体撮像装置では基板表面の状態に影響され易く、素子特性の信頼性が低下する。
また、この不純物濃度が高い場合には、ゲートによる駆動がしにくい。
すなわちゲートに駆動のための電圧を印加しても、電圧の印加による基板内のポテンシャルの変化が少ない。
このためこのポテンシャルの変化が埋め込みチャンネルまで影響せず、チャンネルのポテンシャルの制御ができない。
また素子形成時に残像が生じる原因になる。
ここでP型拡散層15はN型拡散層12とオーバーラップしてはいけない。もしオーバーラップした場合、N型拡散層12の幅が減少し、飽和特性に悪影響を及ぼす。
P型拡散層15の側壁の一端に接して光電変換領域となるN型拡散層13が形成されている。
N型拡散層13は、基板の表面近くに存在する欠陥による特性の劣化を防ぐために、半導体基板11の中に完全に埋め込まれるように形成されている。
このN型拡散層13の不純物濃度は、1016〜1017/cm3で、その深さは1.0〜1.4μmである。
このような不純物濃度と深さに設定したのは光電変換領域の電荷に対する十分な飽和特性を確保するためである。
この濃度より高いと残像が生じる原因となる。
ここでP型拡散層15が埋め込みチャンネル部まで広がってしまい、チャンネルが形成されなくなると、電荷の読み出しが困難となる。
このためN型拡散層13はP型拡散層15とがオーバーラップしている場合には、上記説明のごとく読み出しが困難であり、N型拡散層13の飽和特性をも劣化させる。P型拡散層14は半導体基板11の表面に形成されており、N型拡散層13の表面を完全に覆うように形成されている。
このP型拡散層14の不純物濃度は、最大で約1017/cm3で、その深さは約0.3μmである。
固体撮像装置を駆動した際、N型拡散層13が空乏化される。この時、このような不純物濃度と深さに設定すれば、その空乏化した領域が基板表面に到達するのをできるだけ少なくなる。
これによって基板表面付近に存在する欠陥によって生じる暗電流や白キズが発生するのを防止できる。
ここでP型拡散層14はN型拡散層13を完全に被っていなければならない。
もし、完全には覆われていない場合、すなわち、従来技術に示したようにP型拡散層14の右端にN型拡散層13の領域が露出した状態や、P型拡散層14が右端によって形成され左端にN型拡散層13の領域が露出した状態、さらにはこの両方が同時に起こるN型拡散層13の横幅内にP型拡散層14が形成されている場合、これら全ての場合において、N型拡散層13が空乏化した時、その空乏化した領域が基板表面に到達するN型拡散層13の領域が露出した領域が存在することとなり、やはり暗電流や白キズが発生することになる。
また、P型拡散層14はN型拡散層13を完全に被っている状態として、P型拡散層14の右端はN型拡散層13の右端とほぼ一致しているが、P型拡散層14の左端はN型拡散層13の左端より0.5μm程度左に位置している。
これがさらに左に位置していると、となりの画素に形成されたN型拡散層を狭めることとなり、取扱得る電荷の飽和特性を低下させることになる。
また、P型拡散層14の左端はN型拡散層13の左端と一致しているが、右端がN型拡散層13の右端よりさらに右に位置し、P型拡散層15とオーバーラップしている。このオーバーラップ幅は0.2〜0.3μm程度であれば問題ない。
しかし、これ以上の幅でオーバーラップすれば、P型拡散層14の不純物濃度が高いために、ゲートによる埋め込みチャンネルのポテンシャルの制御が困難である。
また、本実施の形態ではP型拡散層14の深さがP型拡散層15の深さより深い位置にあるが、このことは本発明の主要なことではない。
ここで、P型拡散層14の深さは接合の深さを示しているが、P型拡散層15の深さは、不純物濃度が1016/cm3になる深さを示している。
P型拡散層15の深さは、N型拡散層12の電荷の飽和特性が満足される深さ約0.3μm程度であればよい。
ただしP型拡散層15の深さが深すぎてチャンネルを被ってしまい、動作時にチャンネルが形成されないようになってしまうと電荷を読み出すことが不可能となる。
半導体基板11上にSiO2等の絶縁膜16が形成されている。さらに絶縁膜16上には信号電荷読み出し用のゲート電極17が形成されている。
絶縁膜16の膜厚は0.07〜0.1μm程度である。ゲート電極17は下層の拡散層12を覆い、紙面に対して垂直方向の電荷転送を行い、同時に拡散層12の空乏化を起させる。
拡散層13と拡散層14とはその両端がほぼ一致している。
もしゲート電極17が拡散層13の上に突き出していると、外部より入射してくる光が入る部分が狭くなり、光電変換の感度を低下させる。
逆に、ゲート電極17が拡散層13より内側に位置しすぎていると、拡散層13の電荷を読み出すことが困難になる。ゲート電極17はP型拡散層15を完全に覆っている。
ゲート電極17に電圧を印加すると、拡散層15の下部にはチャンネルが発生し、このチャンネルをゲート電極17によって制御している。
ここでゲート電極17の膜厚は約0.3μmのポリシリコンを用いている。本実施の形態では、N型拡散層13の上にP型拡散層14を設けていることに特徴がある。
このことをより詳細に説明するために図2に、図1のA−A’線で示された光電変換領域の断面の基板表面から深さ方向への不純物濃度の分布状態を示す。
横軸は基板表面からの深さを示し、縦軸は不純物濃度を示す。
これよりP型拡散層14の不純物濃度が高いためN型拡散層13を空乏化したとき、P型拡散層14に発生する空乏化された領域の広がりが小さくなる。
このように空乏化した領域が基板表面近くまで到達しない。
また、図3には同様に、図1のB−B’線で示された基板面から深さ約0.2μmでの基板に平行方向の不純物濃度の分布状態を示す。
横軸は基板に平行方向の距離を示し、縦軸は不純物濃度を示す。これよりP型拡散層14とP型拡散層15との間にN型領域が存在しないので、N型拡散層13が空乏化しても、その空乏化した領域が基板表面に達することがない。
以上のように構成された固体撮像装置について、以下その駆動方法について説明する。
その駆動方法による固体撮像装置内部での変化の様子を図4に示す。
まず、N型拡散層12から電荷が転送された後の空乏状態の時にゲート電極17に正の
電圧を印加する。
電圧を印加する。
これによって、N型拡散層12とP型基板11によってできるPN接合のまわりのP型基板11側の空乏層20が広がりN型拡散層12とN型拡散層13の間のP型基板11内部のチャンネルとなる部分の電位が上がる。
同時にゲート電極17はP型拡散層15の上にも延びているため、ゲート電極17の下のP型拡散層15の電位を上げひいてはその下のP型基板11内部のチャンネルとなる部分の電位が上がる。
ここで、印加される電圧は約15ボルトである。この電圧値は、N型拡散層13から信号の電荷を残すことなく完全に読み出すことのできる値に設定されている。
このため電圧値は通常10〜20ボルトの範囲で用いられる。これ以上の電圧で動作させると、N型拡散層13と隣の素子領域にあるN型拡散層13との間の耐圧と、N型拡散層13とN型拡散層12との間の分離耐圧が低下する。
P型基板11内部のチャンネルとなる部分の電位がN型拡散層13の空乏状態の最大電位より0.1ボルト程度低い値より、高くなるようにゲート電極17に正の電圧を一定時間かけると、チャンネルを通して信号電荷がすべて読み出される。
具体的にはゲート電極17には5〜10ボルトの電圧が印加される。空乏状態での最大電位は約6ボルトであって、約5.9〜6.0ボルトであれば、信号電荷をすべて読み出すことができる。
このように、N型拡散層12とP型基板11によってできるPN接合のまわりのP型基板11側の空乏層20の広がりに加えて、P型基板11内部のチャンネルの上のゲート電極17の電圧によりチャンネル部の電位が上げられるためゲート電極17の電圧による信号電荷の読み出しの制御が可能になる。
すなわちゲート電極17によってチャンネルの電位を制御して、信号の電荷を読み出すことができる。
N型拡散層12と13の間隔及びP型拡散層15の不純物濃度分布を最適化することにより、ゲート電極17に正の電圧を印加した時にP型基板11内部にチャンネルができかつチャンネルの上のゲート電極17の電圧によりチャンネルの電位が上げられるため、所定のゲート電圧で上記の読み出しが実現できる。
すなわちチャンネルの電位を制御することで、N型拡散層12とP型基板11との空乏化された領域を広げることができる。
このように、ゲート電極17に印加された電圧によってチャンネルの制御と空乏化された領域を広げることができる。
(第2の実施の形態)
次に本発明の第2の実施の形態を図5を用いて説明する。
次に本発明の第2の実施の形態を図5を用いて説明する。
本実施の形態で第1の実施の形態と異なるのは、P型拡散層15がP型基板11の内部に埋め込まれていることである。
このP型拡散層15の不純物濃度は、最大で1016/cm3である。P型拡散層15は基板11表面より内部に形成されているので、基板11表面とP型拡散層15との間の領域には基板11の層が形成されている。
P型拡散層15はP型基板11表面から約0.15μmの深さにある。P型拡散層15の上面までの距離はP型拡散層15の不純物濃度が1016/cm3となる位置で0.1μmと0.3μmの地点である。
底面までの距離(幅)は0.2μmである。P型拡散層15をこのような位置に設定しているのは、固体撮像装置に電圧を印加した際に生じるチャンネルが基板表面から0.3〜0.4μmの深さに形成されるためである。
拡散層13はP型基板11の深さ方向に0.3〜0.4μmの位置に形成されている。
また、P型拡散層14の深さはP型拡散層15の幅内あるいはそれよりやや深い位置にある。
これはP型拡散層14がP型拡散層15が形成されている位置より浅い時は、表面チャンネルが形成される。
逆にP型拡散層14がP型拡散層15より深い位置に形成されているとチャンネルが形成されなくなる。
この構造により表面近くの濃度を下げることが出来るので表面からの空乏層が内部まで伸びやすくなり読み出しに必要な電圧を低減することができる。
図6に図5のC−C’線に沿って、基板表面からの深さ方向への不純物濃度の分布状態を示す。
横軸は基板表面からの深さであり、縦軸は不純物濃度のネット値を対数で表示したものである。
また、同時に内部濃度が高くなっているため、内部チャンネルを経由したN型拡散層13からN型拡散層12への信号電荷の洩れ出しを防ぐことができる。
すなわち、内部濃度が高くなっていると、N型拡散層12を空乏化し、ゲート電極17に読み出し電圧が印加されていない状態で空乏化された領域がN型拡散層13へ伸びるのが抑えられる。
このためN型拡散層13での飽和電荷量を増やすことができる。この構造はP型拡散層15を形成する際のボロン等のイオン注入のエネルギーを高いものにすることにより実現できる。
以上述べたように、従来例のように光電変換領域の表面にまでN型拡散層が広がっており、かつ光電変換領域にたとえ光が照射されていなくても光電変換領域が空乏化していると、その空乏化された領域が表面付近にまで到達する。
このため表面付近に多く存在する欠陥では電子−正孔対が生成される。
この電子は光電変換領域に電荷として蓄積される。
従って光が当たっていない時でも、信号となる電荷が欠陥のある画素で発生し、白キズとなる。本実施の形態では光電変換領域を埋め込み型にすることにより、基板11表面にまで空乏化した領域が広がらないため白キズが発生しない。
本発明に係る固体撮像装置およびその駆動方法は、光電変換領域を完全に埋め込み型にして、光電変換領域と電荷転送領域の間隔及び基板内部のチャンネルの上部でかつゲート下に形成するP型拡散層の不純物濃度分布を適切なものとすることができ、表面付近の欠陥による白キズ等の不良の発生を防ぎ、かつチャンネルの上のゲートによる信号電荷の読み出しの制御ができる優れた固体撮像装置およびその駆動方法として有用である。
1,11 P型基板
2,12 N型拡散層
3,13 N型拡散層
4,14 P型拡散層
5,15 P型拡散層
6,16 絶縁膜
7,17 ゲート電極
2,12 N型拡散層
3,13 N型拡散層
4,14 P型拡散層
5,15 P型拡散層
6,16 絶縁膜
7,17 ゲート電極
Claims (4)
- 一導電型の第1の半導体領域内に複数個の光電変換部となる反対導電型の第2の半導体領域が形成され、
前記第2の半導体領域の上部を完全に覆うように一導電型の第3の半導体領域が形成され、
前記第2の半導体領域と所定の間隔をおいて電荷転送部となる反対導電型の第4の半導体領域が形成され、
前記第2と第4の半導体領域の間には所定の不純物濃度分布をもつ一導電型の第5の半導体領域が形成され、
前記第4の半導体領域の上部に絶縁膜を介して形成されたゲート電極を備え、
前記第5の半導体領域の不純物濃度は、前記第1の半導体領域の表面から深さ方向に低濃度から不純物濃度が増加して、内部において不純物濃度が高濃度となり、さらに深部で不純物濃度が減少する分布であり、
前記第3の半導体領域の深さは前記第5の半導体領域の幅内あるいはそれよりやや深く、
前記ゲート電極に電圧を印加した時に前記表面からの空乏層が内部まで伸びるものにすることにより前記第2の半導体領域に蓄積された信号電荷の読み出しを制御することを特徴とした固体撮像装置。 - 前記第1の半導体領域の表面近くにある前記第5の半導体領域の不純物濃度は、前記第1の半導体領域の不純物濃度と同じであることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 一導電型の第1の半導体領域内に複数個の光電変換部となる反対導電型の第2の半導体領域が形成され、
前記第2の半導体領域の上部を略完全に覆うように一導電型の第3の半導体領域が形成され、
前記第2の半導体領域と所定の間隔をおいて電荷転送部となる反対導電型の第4の半導体領域が形成され、
前記第2と第4の半導体領域の間に所定の不純物濃度分布を持つ一導電型の第5の半導体領域が形成され、
前記第4と第5の半導体領域の上部に絶縁膜を介して形成されたゲート電極を備え、
前記第2と第4の半導体領域の間隔および前記第5の半導体領域の不純物濃度分布を、 前記ゲート電極に電圧を印加した時に前記第2の半導体領域に蓄積された信号電荷を前
記第1の半導体領域の内部のチャンネルを通して前記第4の半導体領域に読み出せ、かつ
前記第5と第4の半導体領域によって形成される空乏層の伸びによるチャンネルの電位上
昇に加えて、前記ゲート電極の電圧により前記第5の半導体領域の電位を上げてチャンネ
ルの電位が上げられるようなものにしたことにより読み出しを制御することを特徴とする
固体撮像装置。 - 一導電型の第1の半導体領域内に複数個の光電変換部となる反対導電型の第2の半導体領域が形成され、
前記第2の半導体領域内の上部を略完全に覆うように一導電型の第3の半導体領域が形成され、
前記第2の半導体領域と所定の間隔をおいて電荷転送部となる反対導電型の第4の半導体領域が形成され、
前記第2と第4の半導体領域の間に所定の不純物濃度を持つ一導電型の第5の半導体領域が形成され、
前記第4と第5の半導体領域の上部に絶縁膜を介して形成されたゲート電極を備え、
前記第2の半導体領域に蓄積された信号電荷を前記第1の半導体領域の内部のチャンネルを通して前記第4の半導体領域に読み出す際に、前記第5と第4の半導体領域によって形成される空乏層の伸びによるチャンネルの電位上昇に加えて、前記ゲート電極の電圧により前記第5の半導体領域の電位を上げてチャンネルの電位を上げることを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005131997A JP2005236331A (ja) | 1992-01-30 | 2005-04-28 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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